本發明涉及有(you)機電致(zhi)發光材(cai)料領(ling)域(yu),具體涉及一種含有(you)雜環的有(you)機電致(zhi)發光化合物及其(qi)有(you)機電致(zhi)發光器(qi)件(jian),屬于有(you)機電致(zhi)發光器(qi)件(jian)顯示技(ji)術(shu)領(ling)域(yu)。
背景技術:
有(you)(you)機電致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(OLEDs)為在兩個金屬電極(ji)(ji)之間通過(guo)旋涂或者(zhe)真(zhen)空(kong)(kong)蒸鍍沉積一層(ceng)有(you)(you)機材(cai)料制(zhi)備而成(cheng)的(de)器件(jian),一個經(jing)(jing)典的(de)三層(ceng)有(you)(you)機電致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件(jian)包含空(kong)(kong)穴(xue)(xue)傳(chuan)輸層(ceng)、發(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)和(he)電子(zi)傳(chuan)輸層(ceng)。由(you)陽極(ji)(ji)產生的(de)空(kong)(kong)穴(xue)(xue)經(jing)(jing)空(kong)(kong)穴(xue)(xue)傳(chuan)輸層(ceng)跟(gen)由(you)陰極(ji)(ji)產生的(de)電子(zi)經(jing)(jing)電子(zi)傳(chuan)輸層(ceng)結合在發(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)形成(cheng)激子(zi),而后發(fa)(fa)光(guang)(guang)。有(you)(you)機電致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件(jian)可以根據需(xu)(xu)要(yao)通過(guo)改(gai)變發(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)的(de)材(cai)料來調節發(fa)(fa)射各(ge)種需(xu)(xu)要(yao)的(de)光(guang)(guang)。
有機電致發光器件作(zuo)為一(yi)種新型的(de)(de)顯示(shi)技術,具有自發光、寬視角(jiao)、低能耗、效率高、薄、色(se)彩豐富(fu)、響應速度快(kuai)、適(shi)用(yong)溫度范圍廣、低驅動電壓、可(ke)制作(zuo)柔性可(ke)彎(wan)曲與透明(ming)的(de)(de)顯示(shi)面板以(yi)及環(huan)境友好等獨特優點,可(ke)以(yi)應用(yong)在(zai)平(ping)板顯示(shi)器和新一(yi)代照明(ming)上(shang),也可(ke)以(yi)作(zuo)為LCD的(de)(de)背光源。
自從20世紀80年代底(di)發(fa)(fa)明以來,有(you)(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光器(qi)件(jian)已(yi)經在(zai)產(chan)業上有(you)(you)所應(ying)用(yong),比(bi)如作為相機(ji)和(he)手機(ji)等(deng)屏(ping)(ping)幕(mu),但(dan)是(shi)(shi)目前的(de)(de)OLED器(qi)件(jian)由于效(xiao)(xiao)率(lv)低(di),使(shi)用(yong)壽(shou)命短(duan)等(deng)因(yin)(yin)素(su)制(zhi)(zhi)約其更廣泛的(de)(de)應(ying)用(yong),特別(bie)是(shi)(shi)大屏(ping)(ping)幕(mu)顯示(shi)器(qi),因(yin)(yin)此(ci)需要提高器(qi)件(jian)的(de)(de)效(xiao)(xiao)率(lv)。而制(zhi)(zhi)約其中的(de)(de)一個重要因(yin)(yin)素(su)就是(shi)(shi)有(you)(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光器(qi)件(jian)中的(de)(de)有(you)(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光材(cai)料的(de)(de)性(xing)能(neng)。另(ling)外由于OLED器(qi)件(jian)在(zai)施加電(dian)壓(ya)運行的(de)(de)時候,會產(chan)生焦耳熱,使(shi)得(de)有(you)(you)機(ji)材(cai)料容(rong)易發(fa)(fa)生結晶,影響了器(qi)件(jian)的(de)(de)壽(shou)命和(he)效(xiao)(xiao)率(lv),因(yin)(yin)此(ci),也需要開(kai)發(fa)(fa)穩定高效(xiao)(xiao)的(de)(de)有(you)(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光材(cai)料。
有(you)機電致(zhi)磷(lin)光(guang)(guang)現象,突破了(le)有(you)機電致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)量子(zi)效(xiao)率(lv)低于(yu)25%的(de)(de)理論限制,提(ti)升到(dao)100%(Baldo M.A.,Forrest S.R.Et al,Nature,1998,395,151-154),其應用也大大地(di)(di)提(ti)高了(le)有(you)機電致(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件(jian)的(de)(de)效(xiao)率(lv)。一(yi)般地(di)(di),電致(zhi)磷(lin)光(guang)(guang)需要采(cai)用主(zhu)客體(ti)(ti)(ti)摻(chan)雜技術,常用的(de)(de)作為磷(lin)光(guang)(guang)主(zhu)體(ti)(ti)(ti)材(cai)料(liao)的(de)(de)CBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-biphenyl)具有(you)高效(xiao)和(he)高三(san)線態(tai)能(neng)級,當其作為主(zhu)體(ti)(ti)(ti)材(cai)料(liao)時(shi),三(san)線態(tai)能(neng)量能(neng)夠(gou)有(you)效(xiao)地(di)(di)從發(fa)(fa)光(guang)(guang)主(zhu)體(ti)(ti)(ti)材(cai)料(liao)轉移到(dao)客體(ti)(ti)(ti)磷(lin)光(guang)(guang)發(fa)(fa)光(guang)(guang)材(cai)料(liao)。但是(shi)由(you)于(yu)CBP的(de)(de)空穴易傳輸而電子(zi)難流動的(de)(de)特性,使得發(fa)(fa)光(guang)(guang)層的(de)(de)電荷(he)不平衡(heng),結果降低了(le)器件(jian)的(de)(de)效(xiao)率(lv)。
技術實現要素:
本發(fa)(fa)明首先提供一種含有氮雜環的有機電致發(fa)(fa)光化合物,其(qi)為具有如下結構(gou)式I或II的化合物:
其中,R1-R16分別獨立地(di)選自(zi)氫、氘、鹵(lu)素、氰基(ji)(ji)(ji)、C1-C12烷(wan)基(ji)(ji)(ji)、C1-C8烷(wan)氧基(ji)(ji)(ji)、C6-C30的取代(dai)或(huo)者(zhe)未取代(dai)的芳(fang)(fang)基(ji)(ji)(ji)、C3-C30的取代(dai)或(huo)者(zhe)未取代(dai)的雜芳(fang)(fang)基(ji)(ji)(ji)、三芳(fang)(fang)香胺基(ji)(ji)(ji)、咔唑基(ji)(ji)(ji)、三芳(fang)(fang)基(ji)(ji)(ji)氧膦基(ji)(ji)(ji);
A和B分別獨立地選自單鍵、O、S、Se、NAr1或者CR17R18,其中Ar1、R17和R18分別獨立(li)地選自氫、氘、C1-C12烷基(ji)、C6-C30的取(qu)代(dai)或者未(wei)(wei)取(qu)代(dai)的芳(fang)基(ji),C3-C30的取(qu)代(dai)或者未(wei)(wei)取(qu)代(dai)的雜芳(fang)基(ji);
L1和Ar分別獨立地選(xuan)自單鍵、C6-C30的(de)取代或者(zhe)未(wei)取代的(de)芳(fang)基、C3-C30的(de)取代或者(zhe)未(wei)取代的(de)雜芳(fang)基。
優選地,R1-R16分別獨(du)立地選自氫(qing)、氘、甲(jia)基(ji)(ji)、乙基(ji)(ji)、丙(bing)基(ji)(ji)、丁基(ji)(ji)、戊基(ji)(ji)、己(ji)基(ji)(ji)、辛基(ji)(ji)、異丙(bing)基(ji)(ji)、異丁基(ji)(ji)、叔(shu)丁基(ji)(ji)、環己(ji)基(ji)(ji)、苯基(ji)(ji)。
優選地,R17和R18分別獨(du)立(li)地選自甲基(ji)、苯基(ji)。
優選地,Ar1為苯基。
優選地,L1選自單鍵和苯基。
優選地,Ar選自(zi)苯(ben)基、聯苯(ben)基、萘基。
進一步優選地,本(ben)發明的(de)含有氮雜環的(de)有機電(dian)致發光化(hua)合(he)物為下列(lie)結構(gou)式(shi)1-44的(de)化(hua)合(he)物:
本發(fa)(fa)明(ming)的一種(zhong)含有(you)(you)氮(dan)雜環(huan)的有(you)(you)機電(dian)致發(fa)(fa)光化合物(wu)可以(yi)應用(yong)在有(you)(you)機電(dian)致發(fa)(fa)光器件、有(you)(you)機太陽能電(dian)池、有(you)(you)機薄膜晶體(ti)管或有(you)(you)機光感受器領(ling)域(yu)。
本發(fa)(fa)明(ming)還(huan)提供了一種有(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件,該器件包含陽極、陰(yin)極和有(you)機(ji)層(ceng)(ceng)(ceng),有(you)機(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)包含發(fa)(fa)光(guang)(guang)層(ceng)(ceng)(ceng)、空穴(xue)注(zhu)入(ru)層(ceng)(ceng)(ceng)、空穴(xue)傳(chuan)輸(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)、空穴(xue)阻擋層(ceng)(ceng)(ceng)、電(dian)子注(zhu)入(ru)層(ceng)(ceng)(ceng)、電(dian)子傳(chuan)輸(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)中的(de)至少(shao)一層(ceng)(ceng)(ceng),其中所述有(you)機(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)中至少(shao)有(you)一層(ceng)(ceng)(ceng)含有(you)如結構式I或II所述的(de)含有(you)氮雜環的(de)有(you)機(ji)電(dian)致發(fa)(fa)光(guang)(guang)化合(he)物:
其中R1-R16、A、B、L1和Ar的定義如(ru)前所(suo)述。
其中(zhong)有(you)機層為發光層;
或者有機層(ceng)為發(fa)光(guang)層(ceng)和(he)電子(zi)傳輸層(ceng);
或者有機層為發光層、電子傳輸層和(he)電子注入層;
或者有機(ji)層(ceng)為(wei)空穴傳輸層(ceng)和發光層(ceng);
或者(zhe)有機層為空穴注入層、空穴傳輸層和發光(guang)層;
或(huo)者有機(ji)層(ceng)(ceng)為空穴傳(chuan)輸(shu)層(ceng)(ceng)、發光層(ceng)(ceng)和電子傳(chuan)輸(shu)層(ceng)(ceng);
或者有機層(ceng)(ceng)為空穴注入層(ceng)(ceng)、空穴傳(chuan)輸層(ceng)(ceng)、發光層(ceng)(ceng)和電子傳(chuan)輸層(ceng)(ceng);
或者有機層(ceng)為空(kong)穴(xue)注入層(ceng)、空(kong)穴(xue)傳輸層(ceng)、發光(guang)層(ceng)、電子(zi)傳輸層(ceng)和電子(zi)注入層(ceng);
或者(zhe)有機層(ceng)為空(kong)穴注入層(ceng)、空(kong)穴傳(chuan)(chuan)輸層(ceng)、阻(zu)擋層(ceng)、發光層(ceng)、電(dian)子傳(chuan)(chuan)輸層(ceng)和電(dian)子注入層(ceng);
或者(zhe)有機層(ceng)為空穴(xue)傳輸層(ceng)、發(fa)光層(ceng)、電子(zi)傳輸層(ceng)、電子(zi)注(zhu)入層(ceng)和空穴(xue)阻擋層(ceng);
或(huo)者有機層(ceng)為空(kong)穴(xue)傳輸層(ceng)、發(fa)光(guang)層(ceng)、電(dian)子注入層(ceng)和空(kong)穴(xue)阻擋(dang)層(ceng)。
優(you)選地,其(qi)中如結構(gou)式I或(huo)者II所述的(de)合物所在(zai)的(de)層為(wei)發光層、空穴(xue)傳輸層、空穴(xue)注入(ru)層。
優選地,其中結(jie)構式(shi)(shi)I或者II所述(shu)的化(hua)合(he)物(wu)為結(jie)構式(shi)(shi)1-44的化(hua)合(he)物(wu)。
如結(jie)構式(shi)I或(huo)者(zhe)II所(suo)述的含有(you)氮雜環(huan)(huan)的有(you)機電致發(fa)光化(hua)(hua)合(he)(he)物(wu)用(yong)(yong)于(yu)發(fa)光器件制(zhi)備時,可(ke)(ke)以(yi)單獨(du)使(shi)(shi)用(yong)(yong),也可(ke)(ke)以(yi)和其它化(hua)(hua)合(he)(he)物(wu)混(hun)合(he)(he)使(shi)(shi)用(yong)(yong);如結(jie)構式(shi)I或(huo)者(zhe)II所(suo)述的含有(you)氮雜環(huan)(huan)的有(you)機電致發(fa)光化(hua)(hua)合(he)(he)物(wu)可(ke)(ke)以(yi)單獨(du)使(shi)(shi)用(yong)(yong)其中的一種(zhong)化(hua)(hua)合(he)(he)物(wu),也可(ke)(ke)以(yi)同時使(shi)(shi)用(yong)(yong)結(jie)構式(shi)I或(huo)者(zhe)II中的兩種(zhong)以(yi)上的化(hua)(hua)合(he)(he)物(wu)。
本發明的(de)有(you)機電致發光器件,進一(yi)步優(you)選(xuan)的(de)方(fang)式(shi)為(wei),該有(you)機電致發光器件包(bao)含陽極、空穴(xue)(xue)注入層(ceng)、空穴(xue)(xue)傳(chuan)輸(shu)層(ceng)、發光層(ceng)、電子(zi)傳(chuan)輸(shu)層(ceng)、電子(zi)注入層(ceng)和陰極,其中(zhong)(zhong)發光層(ceng)中(zhong)(zhong)含有(you)一(yi)種(zhong)以上的(de)結構式(shi)I或者II的(de)化合(he)物(wu);進一(yi)步優(you)選(xuan)地,發光層(ceng)中(zhong)(zhong)含有(you)一(yi)種(zhong)以上的(de)結構式(shi)1-44的(de)化合(he)物(wu)。
本發明的(de)(de)有機電致發光器件有機層(ceng)的(de)(de)總厚度(du)為(wei)1-1000nm,優選50-500nm。
本發(fa)明的有機(ji)電致發(fa)光(guang)器(qi)件(jian)在使(shi)用(yong)本發(fa)明具有結構(gou)式I或者II的化合(he)物時,可以(yi)搭配使(shi)用(yong)其它材料,如在空穴注入(ru)層(ceng)、空穴傳(chuan)輸(shu)層(ceng)、發(fa)光(guang)層(ceng)、電子(zi)傳(chuan)輸(shu)層(ceng)、電子(zi)注入(ru)層(ceng)和阻擋層(ceng)中(zhong)等(deng),而獲得藍光(guang)、綠光(guang)、黃光(guang)、紅光(guang)或者白光(guang)。
本發明(ming)有(you)(you)機電致(zhi)發光器(qi)件的空(kong)穴(xue)傳輸層(ceng)和空(kong)穴(xue)注(zhu)入層(ceng),所需材(cai)料(liao)具(ju)有(you)(you)很好的空(kong)穴(xue)傳輸性能(neng),能(neng)夠有(you)(you)效地把空(kong)穴(xue)從(cong)陽極傳輸到發光層(ceng)上(shang)。除了可以(yi)使用(yong)具(ju)有(you)(you)本發明(ming)I或(huo)者II的化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)外,還(huan)可以(yi)包括其它(ta)小分子和高分子有(you)(you)機化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu),包括但不限(xian)于咔唑(zuo)類化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)、三芳香胺化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)、聯苯(ben)二胺化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)、芴類化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)、酞菁類化合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)、六(liu)氰基(ji)六(liu)雜(za)三苯(ben)(hexanitrilehexaazatriphenylene)、2,3,5,6-四氟(fu)-7,7',8,8'-四氰二甲基(ji)對苯(ben)醌(kun)(F4-TCNQ)、聚(ju)乙烯基(ji)咔唑(zuo)、聚(ju)噻吩、聚(ju)乙烯或(huo)聚(ju)苯(ben)磺酸。
本發明的(de)有(you)(you)(you)機(ji)電致發光(guang)器件(jian)的(de)發光(guang)層(ceng),具(ju)有(you)(you)(you)很好的(de)發光(guang)特性(xing),可(ke)以(yi)根據(ju)需要調節可(ke)見(jian)光(guang)的(de)范圍(wei)。除(chu)本發明的(de)具(ju)有(you)(you)(you)結(jie)構式I或者(zhe)II化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)外,還可(ke)以(yi)含有(you)(you)(you)如下化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu),但是不限于此,萘類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、芘類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、芴類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、菲(fei)類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、屈類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、熒蒽類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、蒽類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、并五苯類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、苝類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、二芳乙烯類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、三苯胺乙烯類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、胺類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、苯并咪(mi)唑類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、呋(fu)喃類(lei)(lei)化(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)、有(you)(you)(you)機(ji)金屬螯合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)。
本發明有機電致發光器件的有機電子傳輸材料要求具有很好的電子傳輸性能,能夠有效地把電子從陰極傳輸到發光層中,具有很大的電子遷移率。可以選擇如下化合物,但是不限于此:氧雜惡唑、噻唑類化合物、三氮唑類化合物、三氮嗪類化合物、三氮雜苯類化合物、喔啉類化合物、二氮蒽類化合物、含硅雜環類化合物、喹啉類化合物、菲啰啉類化合物、金屬螯合物(如Alq3)、氟取代苯(ben)(ben)類化(hua)合(he)物(wu)、苯(ben)(ben)并(bing)咪唑(zuo)類化(hua)合(he)物(wu)。
本發(fa)明有(you)機電(dian)(dian)致發(fa)光(guang)器件的(de)電(dian)(dian)子(zi)注入層(ceng),可(ke)(ke)以有(you)效地把電(dian)(dian)子(zi)從陰(yin)極注入到(dao)有(you)機層(ceng)中(zhong),主要選(xuan)自堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)或(huo)(huo)者(zhe)堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)物,或(huo)(huo)選(xuan)自堿(jian)(jian)(jian)(jian)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)或(huo)(huo)者(zhe)堿(jian)(jian)(jian)(jian)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)物或(huo)(huo)者(zhe)堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)絡合(he)物,可(ke)(ke)以選(xuan)擇如(ru)下化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)物,但是(shi)不限于此:堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)、堿(jian)(jian)(jian)(jian)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)、稀(xi)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)、堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物或(huo)(huo)者(zhe)鹵化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物、堿(jian)(jian)(jian)(jian)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物或(huo)(huo)者(zhe)鹵化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物、稀(xi)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物或(huo)(huo)者(zhe)鹵化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物、堿(jian)(jian)(jian)(jian)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)或(huo)(huo)者(zhe)堿(jian)(jian)(jian)(jian)土(tu)(tu)(tu)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)的(de)有(you)機絡合(he)物;優(you)選(xuan)為鋰、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋰、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋰、氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋰、8-羥基(ji)喹(kui)啉鋰、銫、碳(tan)酸(suan)銫、8-羥基(ji)喹(kui)啉銫、鈣、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈣、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈣、鎂、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂、碳(tan)酸(suan)鎂、氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎂,這些化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)物可(ke)(ke)以單(dan)獨使(shi)用(yong)(yong)也可(ke)(ke)以混合(he)物使(shi)用(yong)(yong),也可(ke)(ke)以跟(gen)其他有(you)機電(dian)(dian)致發(fa)光(guang)材(cai)料配(pei)合(he)使(shi)用(yong)(yong)。
本發(fa)(fa)明的有機電致發(fa)(fa)光器件中(zhong)有機層的每一層,可以通過真空蒸(zheng)鍍(du)法(fa)(fa)、分子(zi)束蒸(zheng)鍍(du)法(fa)(fa)、溶于溶劑的浸涂法(fa)(fa)、旋涂法(fa)(fa)、棒涂法(fa)(fa)或(huo)者噴墨打印等方式制備。對于金屬電機可以使用蒸(zheng)鍍(du)法(fa)(fa)或(huo)者濺(jian)射法(fa)(fa)進行制備。
器件(jian)實驗表明,本發(fa)(fa)明如(ru)結構式I或者II所述(shu)的含(han)(han)有(you)氮(dan)雜環的有(you)機(ji)電(dian)致(zhi)(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)化合(he)物,具有(you)較好(hao)熱穩(wen)定性、高(gao)發(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率、高(gao)發(fa)(fa)光(guang)(guang)純度。采(cai)用該含(han)(han)有(you)氮(dan)雜環的有(you)機(ji)電(dian)致(zhi)(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)化合(he)物制(zhi)作(zuo)的有(you)機(ji)電(dian)致(zhi)(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)器件(jian)具有(you)電(dian)致(zhi)(zhi)發(fa)(fa)光(guang)(guang)效(xiao)率良好(hao)和色(se)純度優(you)異以及(ji)壽命長(chang)的優(you)點。
附圖說明
圖(tu)1為化(hua)合(he)物(wu)1的核磁圖(tu)譜。
圖2為(wei)化(hua)合物9的核磁圖譜。
圖3為本發明的一種有(you)機(ji)電(dian)致發光器(qi)件(jian)結構示(shi)意圖;
其中,110代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)玻璃基板,120代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)陽(yang)極,130代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)空穴(xue)注入層(ceng),140代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)空穴(xue)傳(chuan)輸(shu)層(ceng),150代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)阻擋層(ceng),160代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)發光層(ceng),170代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)電(dian)子傳(chuan)輸(shu)層(ceng),180代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)電(dian)子注入層(ceng),190代(dai)(dai)表(biao)(biao)為(wei)(wei)(wei)陰極。
具體實施方式
為了更詳細敘述本發明,特舉以下例子,但是不限于此(ci)。
實施例1
化合物1的合成
中間體1-1的合成
在單口瓶中(zhong)加入對溴苯(ben)甲腈(5g,27.5mmol)、咔(ka)唑(4.2g,25mmol)、叔丁醇鈉(na)(4.8g,50mmol)、醋(cu)酸鈀、x-phos、甲苯(ben)(50ml),在氮氣(qi)保護下加熱回流(liu)24h,冷卻。旋蒸(zheng)除(chu)去甲苯(ben),加入50ml二(er)氯甲烷溶解,后用(yong)水(shui)洗。有機相旋干,加入乙醇重結晶(jing),抽濾出(chu)產(chan)物。得到白色固體3.9g,產(chan)率60%。
中間體1-2的合成
在(zai)單口瓶中加入(ru)中間體1-1(1g,3.7mmol)、5-溴-2-氨(an)基吡啶(ding)(0.78g,4.5mmol)、溴化(hua)亞銅(tong)(0.18mmol,27mg)、鄰(lin)菲啰(luo)啉(0.18mmol,33mg)、碘化(hua)鋅(0.37mmol,118mg)、鄰(lin)二氯苯(5ml),通空(kong)氣130度反應24小時,冷卻至(zhi)室溫后用乙酸(suan)乙酯稀(xi)釋,過濾除去無機(ji)鹽,濾液濃(nong)縮后使用柱(zhu)層析分離。得到白色固體0.5g,產(chan)率31%。
化合物1的合成
向單口瓶中(zhong)加入中(zhong)間體1-2(0.5g,1.15mmol)、咔唑硼酸(0.39g,1.35mmol)、碳酸鉀(0.34g,2.5mmol)、四三苯基膦鈀(50mg)、四氫呋喃(nan)(6ml)和水(2ml),在氮(dan)氣保護下(xia)加熱回流6小時,原料反應完畢。旋干四氫呋喃(nan),用二氯甲烷萃取(qu)產物。濃縮有機相,柱(zhu)層析(xi)分(fen)離產物,得(de)到白色產物0.4g,產率57%。
實施例2
化合物9的合成
中間體9-1
在單口瓶中加入對溴(xiu)苯(ben)甲(jia)腈(jing)(10g,55mmol)、吖啶(10g,48mmol)、叔丁醇鈉(10g,100mmol)、醋酸鈀(0.2g)、x-phos(0.4g)、甲(jia)苯(ben)(100ml),在氮氣保護下加熱(re)回(hui)流24h,冷卻,旋蒸除去甲(jia)苯(ben),加入250ml二氯甲(jia)烷溶解,后(hou)(hou)用水洗。有機(ji)相濃縮后(hou)(hou)柱層析分離產(chan)(chan)物,得(de)到白色固體5g,產(chan)(chan)率60%。
中間體9-2
在單口瓶(ping)中加入中間體9-2(3.7g,12mmol)、5-溴-2-氨(an)基吡啶(2.4g,14mmol)、溴化亞銅(270mg,1.8mmol)、鄰(lin)菲(fei)啰啉(lin)(330mg,1.8mmol)、碘(dian)化鋅(1.18g,3.7mmol)、鄰(lin)二(er)氯苯(50ml),通(tong)空氣130度反應24小時,冷卻至室溫后(hou)用乙酸乙酯(zhi)稀釋(shi),過濾(lv)除去無機鹽(yan),濾(lv)液濃縮后(hou)使用柱層析分離。得到白色固體5g,產(chan)率31%。
化合物9
向單(dan)口瓶(ping)中加入中間體(ti)9-2(1g,2.1mmol)、咔(ka)唑硼酸(suan)(0.92g,2.5mmol)、碳酸(suan)鉀(jia)(690mg,5mmol)、四三苯基膦鈀(ba)(70mg)、四氫呋喃(nan)(30ml)、水(10ml),在氮氣保護下加熱回流(liu)6h,顯示原料反應完畢。旋干四氫呋喃(nan),加入二(er)氯甲烷(wan)萃取產(chan)物。濃縮有(you)機相,柱層析分離產(chan)物,得到白色產(chan)物980mg,產(chan)率73%。
實施例3
化合物19的合成
在(zai)三口燒瓶中,加入(ru)中間體1-2(1.5g,3.4mmol)、咔(ka)唑(0.85g,5.1mmol)、碳酸鉀(1.1g,6.8mmol)、碘化(hua)亞銅(tong)(0.2g)、鄰菲羅(luo)啉(0.2g)和(he)硝基苯(25ml),在(zai)氮氣(qi)保護下(xia)加熱(re)回流12小(xiao)時,冷(leng)卻(que),除(chu)去溶劑,加入(ru)二氯甲烷,過濾,除(chu)去無(wu)機鹽,粗品經柱層析純(chun)化(hua)得(de)到產品0.77g,產率43%。
實施例4
化合物28的合成
合成方法跟(gen)化(hua)合物19的(de)合成一(yi)樣,除了(le)用(yong)中(zhong)間體(ti)(ti)9-2代替中(zhong)間體(ti)(ti)1-2外,產率(lv)50%。
實施例5
化合物33的合成
合成方法(fa)跟化合物1一(yi)樣,除了用(yong)9-苯基咔唑3-硼(peng)酸代替咔唑硼(peng)酸酯(zhi)外,產率(lv)76%。
實施例6
化合物37的合成
中間體37-1的合成
合成方(fang)法跟中間體1-2一(yi)樣,除了用4-溴(xiu)-2-氨基吡啶(ding)代替5-溴(xiu)-2-氨基吡啶(ding)外,產(chan)率42%。
化合物37的合成
合成(cheng)方法跟化合物化合物1一樣(yang),除了用中間體(ti)37-1代替中間體(ti)1-2外,產(chan)率57%。
實施例7
化合物43的合成
合成方法跟(gen)化合物37一樣,除了原料為中(zhong)間(jian)體(ti)37-1和9-苯基-3-咔(ka)唑(zuo)硼(peng)酸外,產率73%。
實施例8-14
有機電(dian)致發(fa)光器件的制(zhi)備
使用實施例的化合物制備OLED。
首先(xian),將(jiang)透明導(dao)電ITO玻璃基板110(上(shang)面(mian)帶(dai)有陽極120)(中國南玻集(ji)團股份有限(xian)公司)依(yi)次(ci)經:去離子(zi)水、乙醇、丙(bing)酮和去離子(zi)水洗凈,再用氧等(deng)離子(zi)處(chu)理30秒(miao)。
然后,在ITO上旋涂(tu)35nm厚的PEDOT:PSS(聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽))為空穴注入層(ceng)130,150度下干燥30分鐘。
然后(hou),在空穴(xue)(xue)注入層上蒸鍍40nm厚的TAPC為空穴(xue)(xue)傳輸材料140。
然后,蒸鍍TCTA,形成5nm厚的(de)電子阻擋(dang)層(ceng)150。
然后,在電子阻擋層上蒸鍍20nm厚的發光層160,其中,本發明化合物為主體發光材料,而以8%重量比的Ir(ppy)3作為磷光摻雜客體材料。
然后,在發光層上蒸(zheng)鍍45nm厚的BmPYPB作為(wei)電(dian)子傳輸層170。
最后,蒸鍍1nm LiF為電子(zi)注入層(ceng)180和80nm Al作為器件陰(yin)極(ji)190。
所制備的器件(結構示意圖見圖3)用Photo Research PR650光譜儀測得的在5000cd/m2的亮(liang)度下的外(wai)量(liang)子效率(lv)如(ru)表1所(suo)示。
比較例1和2
比較例(li)制備的器件跟實施例(li)5-8件制備方(fang)法一(yi)樣(yang),除了用CBP和化(hua)合(he)物A代(dai)替本(ben)發(fa)明化(hua)合(he)物作為主體材(cai)料(liao)外。
器件中所述化合物的結構式(shi)如下:
從表(biao)中(zhong)可以看(kan)出,本發明(ming)的(de)新(xin)型有機(ji)(ji)(ji)材料用于有機(ji)(ji)(ji)電致發光(guang)器件(jian),可以降低(di)工作電壓,提高器件(jian)效率,是(shi)具有優良性能的(de)磷(lin)光(guang)主體材料。如上(shang)所述,本發明(ming)的(de)化合物具有高的(de)穩(wen)定性,制(zhi)備的(de)有機(ji)(ji)(ji)電致發光(guang)器件(jian)具有高的(de)效率和光(guang)純度。
以(yi)上(shang)詳(xiang)細描述(shu)了本發明的(de)(de)(de)(de)較佳具體實(shi)施例。應當理解,本領域(yu)的(de)(de)(de)(de)普通(tong)技術(shu)人員無需創造性勞動就可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)本發明的(de)(de)(de)(de)構思作出諸(zhu)多修(xiu)改和變化。因此,凡(fan)本技術(shu)領域(yu)中技術(shu)人員依本發明的(de)(de)(de)(de)構思在(zai)現有(you)技術(shu)的(de)(de)(de)(de)基礎上(shang)通(tong)過邏輯分析、推理或者有(you)限的(de)(de)(de)(de)實(shi)驗可(ke)以(yi)得到的(de)(de)(de)(de)技術(shu)方案,皆應在(zai)由權利要求(qiu)書所確定的(de)(de)(de)(de)保護范(fan)圍內。