用于制造光電子半導體組件的方法以及光電子半導體組件的制作方法
【專利摘要】提出一種用于制造具有多個像素(71，72)的光電子半導體組件，所述方法包括如下步驟：a)提供半導體層序列(11，12，13)，所述半導體層序列具有n型傳導的半導體層(11)、有源區(13)和p型傳導的半導體層(12)，b)施加第一層序列(22，31)，其中第一層序列(22，31)劃分成多個區域(61，62)，所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在p型傳導的半導體層(12)的背離n型傳導的半導體層(11)的覆蓋面(12a)上，c)施加第二絕緣層(32)，d)部分地移除p型傳導的半導體層(12)和有源區(13)，使得局部地露出n型傳導的半導體層(11)，并且將p型傳導的半導體層(12)劃分成各個區域(71，72)，所述區域在橫向上彼此間隔開，其中每個區域包括p型傳導的半導體層(12)的一部分和有源區(13)的一部分。
【專利說明】
用于制造光電子半導體組件的方法以及光電子半導體組件
【背景技術】
[0001 ] 參考文獻W0 2013/092304 A1描述了一種顯示設備以及一種用于制造顯示設備的方法。
【發明內容】

[0002]要實現的目的在于:提出一種用于制造具有簡化構成的接觸部的光電子半導體組件的方法。此外，要提出一種光電子半導體組件，所述光電子半導體組件具有多個像素，其中像素能夠構成為盡可能小。
[0003]提出一種用于制造光電子半導體組件的方法。光電子半導體組件例如能夠是發射輻射的半導體組件，例如發光二級管芯片。例如，光電子半導體組件能夠至少設置作為顯示設備的一部分和/或至少設置作為光源的一部分。此外，光電子半導體組件能夠為檢測輻射的半導體組件，例如光電二極管芯片。尤其是，借助光電子半導體組件能夠以位置分辨的方式檢測電磁輻射。
[0004]根據該方法的至少一個實施方式，首先提供半導體層序列。半導體層序列具有主延伸平面，半導體層序列在所述主延伸平面中沿橫向方向延伸。半導體層序列垂直于主延伸平面、在豎直方向上具有一厚度。半導體層序列的厚度相對于半導體層序列在橫向方向上的最大延伸是小的。半導體層序列例如能夠通過外延生長來制造。
[0005]根據該方法的至少一個實施方式，半導體層序列包括具有底面的n型傳導的半導體層。n型傳導的半導體層的底面通過半導體層序列的主平面形成。尤其是，n型傳導的半導體層的底面能夠為主延伸平面。n型傳導的半導體層例如能夠為外延地生長到生長載體上的半導體層。n型傳導的半導體層例如包括GaN或基于GaN和/或優選是n摻雜的。
[0006]根據該方法的至少一個實施方式，半導體層序列包括有源區，所述有源區設置在n 型傳導的半導體層的背離底面的覆蓋面上。有源區設置用于產生輻射。例如，有源區發射可見光。例如，有源區包括或基于GaN。有源區還能夠包括其他材料，例如銦、鋁和/或磷，所述材料影響由半導體層序列發射的和/或檢測的光的波長。
[0007]根據該方法的至少一個實施方式，半導體層序列包括p型傳導的半導體層，所述p 型傳導的半導體層設置在有源區的背離n型傳導的半導體層的一側上，所述p型傳導的半導體層優選外延地生長在有源區上。P型傳導的半導體層包括或基于例如GaN和/或優選是p摻雜的。
[0008]根據該方法的至少一個實施方式，第一層序列施加在p型傳導的半導體層的背離n 型傳導的半導體層的覆蓋面上。第一層序列包括P型接觸層和第一絕緣層。第一層序列劃分成多個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在P型傳導的半導體層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面上。
[0009]p型接觸層優選與p型傳導的半導體層直接接觸。在此，p型接觸層能夠設置作為用于P型傳導的半導體層的接觸層。P型接觸層例如包含Ag和/或Rh。例如，應用Rh所帶來的優點是:Rh在刻蝕方法下比例如Ag能夠是結構更加忠實的(strukturtreuer)。優選地，p型接觸層構成為是反射的并且具有高的導電性。構成為是“反射的”在此和在下文中能夠表示:p 型接觸層對于在有源區中發射的或吸收的輻射具有小于90%、優選小于95%的反射率。在p 型接觸層構成為是反射的情況下，由有源區發射的電磁輻射優選沿朝n型傳導的半導體層的方向放射或反射。
[0010]第一絕緣層施加在p型接觸層的背離p型傳導的半導體層的一側上并且優選與p型接觸層直接接觸。然而也可行的是:將例如包含ZnO和/或Ti的另一接觸層直接設置在p型接觸層上并且第一絕緣層與該層直接接觸。這種接觸層能夠保護P型接觸層在隨后的方法步驟中例如以免與另外的金屬直接接觸。第一絕緣層例如包括Si02、SiN或其他電絕緣成分。
[0011]根據該方法的至少一個實施方式，施加第二絕緣層，所述第二絕緣層橫向于主延伸平面伸展并且至少局部地覆蓋第一層序列的區域的全部側壁。“第一層序列的側壁”在此和在下文中能夠理解為第一層序列的橫向于主延伸平面伸展的外面。
[0012]第二絕緣層能夠至少局部地直接鄰接于第一絕緣層、p型接觸層和p型傳導的半導體層。第二絕緣層構成為是電絕緣的。第二絕緣層例如能夠包含Si02、SiN、Al2〇3或其他電絕緣材料。第一絕緣層和第二絕緣層完全地遮蓋P型接觸層。換而言之，在P型接觸層不被第一絕緣層覆蓋或者與第一絕緣層直接接觸的部位處，P型接觸層至少被第二絕緣層覆蓋或者P 型接觸層與第二絕緣層直接接觸，并且反之亦然。這表示:如果隨后沒有其他方法步驟，則在施加第二絕緣層之后P型接觸層從外部不再可自由接近。隨后，第二絕緣層能夠用于封裝 P型接觸層和/或保護P型接觸層以免受隨后方法步驟中應用的化學品影響。
[0013]根據該方法的至少一個實施方式，部分地移除p型傳導的半導體層和有源區。該移除進行成，使得n型傳導的半導體層隨后局部露出并且p型傳導的半導體層和有源區劃分成各個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開。這些各個區域中的每個區域于是包括P型傳導的半導體層的一部分和有源區的一部分。隨后，所述區域形成彼此電分離的像素。
[0014]根據該方法的至少一個實施方式，施加n型接觸層和金屬化層。n型接觸層和金屬化層分別沿著半導體層序列的主延伸平面、尤其僅沿著半導體層序列的主延伸平面伸展。 換而言之，n型接觸層和金屬化層的伸展不沿著第一層序列或第二絕緣層的區域的側壁進行和/或不橫向于半導體層序列進行。
[0015]優選地，n型接觸層和金屬化層彼此電絕緣。對此，n型接觸層和金屬化層彼此空間上分離，這就是說，可行的是:n型接觸層和金屬化層不直接接觸。在n型接觸層和金屬化層之間例如能夠設置有絕緣材料，例如空氣。例如，施加n型接觸層和/或金屬化層借助于定向沉積n型接觸層的和/或金屬化層的材料進行。在此可行的是:第一層序列的或第二絕緣層的側壁保持沒有n型接觸層的和/或金屬化層的材料。也可行的是:側壁的一部分用金屬化層的和/或n型接觸層的材料痕跡覆層。第一層序列的區域的側壁上的材料痕跡具有比金屬化層的和/或n型接觸層的如下部分顯著更少的材料，所述部分安置在平行于主延伸平面伸展的外面上。尤其是，材料痕跡優選不形成連續的面并且側壁的大部分沒有該材料痕跡。例如，側壁的80 %、優選90 %能夠沒有該材料痕跡。優選地，在施加n型接觸層和金屬化層時不使用光刻工藝。
[0016]n型接觸層和金屬化層優選由相同的材料形成并且優選在相同的方法步驟中施加。優選地，n型接觸層和金屬化層構成為是反射的。例如，n型接觸層和金屬化層包含銀、銠和/或其他能導電的材料。
[0017]根據該方法的至少一個實施方式，金屬化層和第一絕緣層部分地被移除。在部分移除之后，P型接觸層露出或可自由接近。移除例如能夠借助刻蝕方法進行。優選地，為刻蝕方法應用第一掩模，所述第一掩模優選借助于光刻施加到第一絕緣層上并且所述第一掩模在刻蝕方法之后能夠被移除。
[0018]然而，在此和在下文中也可行的是:代替和/或除了刻蝕方法之外應用剝離方法。 例如，對此能夠首先將掩模層施加到P型傳導的半導體層上，所述P型傳導的半導體層被至少局部地移除。P接觸層和第一絕緣層于是能夠在如下區域中生長到P型傳導的半導體層上，在所述P型傳導的半導體層中不移除掩模層。隨后，掩模層能夠被完全地移除。
[0019]根據用于制造光電子半導體組件的方法的至少一個實施方式，該方法包括如下步驟:
[0020]a)提供具有主延伸平面的半導體層序列，所述半導體層序列具有:[0021 ]-具有底面的n型傳導的半導體層，
[0022]-在n型傳導的半導體層的背離所述底面的覆蓋面上的有源區，和
[0023]-p型傳導的半導體層，所述p型傳導的半導體層設置在有源區的背離n型傳導的半導體層的一側上，
[0024]b)施加第一層序列，所述第一層序列包括p型接觸層和第一絕緣層，其中第一層序列劃分成多個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在P型傳導的半導體層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面上，
[0025]c)施加第二絕緣層，所述第二絕緣層橫向于主延伸平面伸展并且至少局部地覆蓋第一層序列的全部側壁，
[0026]d)部分地移除p型傳導的半導體層和有源區，使得局部地露出n型傳導的半導體層，并且將P型傳導的半導體層和有源區劃分成各個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開， 其中每個區域包括p型傳導的半導體層的一部分和有源區的一部分，
[0027]e)施加n型接觸層和金屬化層，使得n型接觸層和金屬化層分別沿著半導體層序列的主延伸平面伸展，
[0028]f)部分地移除金屬化層和第一絕緣層，使得p型接觸層露出。
[0029]所描述的方法步驟優選以所說明的順序執行。
[0030]根據該方法的至少一個實施方式，第一絕緣層和第二絕緣層用作為用于部分地移除P型傳導的半導體層和有源區的掩模。因此，僅移除P型傳導的半導體材料的不被第一和/ 或第二絕緣層遮蓋的部位。換而言之，部分地移除p型傳導的半導體層能夠為自調節的移除。因此能夠放棄施加掩模。
[0031]根據該方法的至少一個實施方式，借助刻蝕方法進行移除p型傳導的半導體層和有源區。對此，能夠應用具有例如H3P04的濕化學刻蝕法或者具有例如氯等離子體的干化學刻蝕法。通常，干化學刻蝕法例如能夠為反應離子刻蝕或者反應離子束刻蝕。
[0032]在此處所描述的方法中，尤其遵循如下構思:通過自調節的刻蝕，即通過用作為掩模的第一和第二絕緣層，提供如下可行性:在幾微米的范圍中實現具有橫向擴展的像素。這尤其通過如下方式實現:與光刻工藝相比需要更少的校準耗費并且還取消預留掩模。
[0033]根據該方法的至少一個實施方式，在步驟d)中，即在部分地移除p型傳導的半導體層和有源區的步驟中，附加地局部地移除n型傳導的半導體層。隨后，n型傳導的半導體層具有打薄的區域，在所述區域中，與在n型傳導的半導體層的其他的未被打薄的區域中相比， 覆蓋面距n型傳導的半導體層的底面的間距更小。換而言之，n型傳導的半導體層隨后不再是均勻厚的，而是具有更薄和更厚的區域。更薄的區域于是能夠為n型傳導的半導體層中的溝槽。優選地，包含在n型傳導的半導體層中的高導電性的層用作為刻蝕停止層，所述高導電性的層能夠是高摻雜的。打薄的區域的覆蓋面于是能夠在部分地移除n型傳導的半導體層之后通過高導電性的層形成。
[0034]根據該方法的至少一個實施方式，第一層序列借助如下方法步驟制造:首先將p型接觸層整面地施加在P型傳導的半導體層的背離n型傳導的一側上。在施加p型接觸層之后， 將第一絕緣層整面地施加在p型傳導的半導體層的背離n型傳導的半導體層的一側上。“整面地施加”在此和在下文中表示:進行施加，使得在要施加的層所施加的一側上的一個或多個面完全地被該要施加的層覆蓋。因此，在該方法步驟之后，第一層序列能夠包括單一連續構成的P型接觸層和簡單連續構成的第一絕緣層。
[0035]第一絕緣層隨后部分地被移除。對此，能夠使用第二掩模，所述第二掩模例如借助于光刻法曾施加到第一絕緣層上。第二掩模尤其能夠具有比第一掩模在橫向上更大的擴展。在部分地移除第一絕緣層之后，P型接觸層部分地被移除，其中第一絕緣層能夠用作為部分移除P型接觸層的掩模。還可行的是:將與部分地移除第一絕緣層相同的掩模用于部分地移除P型接觸層。因此，第一絕緣層能夠為犧牲層，所述犧牲層在制造方法結束時被剝離或破壞，并且能夠保護P型接觸層以免受例如在其他方法步驟中應用的化學品影響。
[0036]例如，部分地移除第一絕緣層和p型接觸層借助刻蝕方法進行。優選地，p型接觸層和第一絕緣層能夠相互選擇性地刻蝕，這就是說，用于部分地移除第一絕緣層的刻蝕方法不移除P型接觸層，并且反之亦然。能夠將濕化學和/或干化學刻蝕方法用作為刻蝕方法。例如，第一絕緣層能夠借助緩沖的HF溶液(英文:buffered oxide etching，B0E緩沖氧化刻蝕)濕化學地刻蝕和/或借助氟等離子體干化學地刻蝕。P型接觸層能夠以濕化學和/或干化學的方式借助于例如用Ar和/或用氟等離子體濺射來刻蝕。[〇〇37]此外，將共同的光刻掩模用于刻蝕方法，所述光刻掩模能夠施加到第一絕緣層上并且在刻蝕P型接觸層之前或之后能夠被移除。P型接觸層和第一絕緣層在此能夠具有大的結構忠實度，這就是說，光刻掩模的二維幾何形狀能夠極其精確地傳遞到第一層序列上。換而言之，在刻蝕過程之后，第一絕緣層的朝向掩模的外面的面積基本上對應于掩模的對絕緣層限界的面的面積。例如，面積相差最高+/-10%。
[0038]在部分地移除之后，第一層序列包括多個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在P型傳導的半導體層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面上。于是，多個區域形成像素。優選地，相應的區域的P型接觸層和第一絕緣層的橫向擴展是相同的。
[0039]根據該方法的至少一個實施方式，在步驟d)和e)之間，即在部分地移除p型傳導的半導體層和有源區與施加n型接觸層和金屬化層之間，施加第三絕緣層。該第三絕緣層優選橫向于主延伸平面伸展并且與第二絕緣層和P型傳導的半導體層直接接觸。還可行的是:第三絕緣層與n型傳導的半導體層直接接觸。第三絕緣層能夠構成為是電絕緣的并且例如包含Si02、SiN、Al2〇3或其他的絕緣材料。第三絕緣層能夠將p型傳導的半導體層在其側面上朝外電絕緣，所述側面通過在方法步驟d)中部分地移除p型傳導的半導體層來形成。
[0040]優選地，至少第三絕緣層構成為是輻射不可透過的。還可行的是:第一和/或第二絕緣層構成為是輻射不可透過的。“輻射不可透過”表示:由有源區發射的或吸收的電磁輻射幾乎完全地、即其至少75%、尤其至少85%被吸收和/或反射。尤其是，“輻射不可透過”在此和在下文中能夠表示:第一和/或第二絕緣層對于由有源區發射或吸收的電磁輻射具有至少75%、尤其至少85%的反射率和/或吸收系數。這實現像素彼此光學分離。尤其是，由此防止像素之間的串擾。
[0041]根據該方法的至少一個實施方式，借助如下方法步驟制造第二和/或第三絕緣層: 首先，將第二絕緣層和/或第三絕緣層整面地施加在背離n型傳導的半導體層的底面的露出的外面上。隨后，第二和/或第三絕緣層遮蓋在之前的方法步驟中曾施加的層。隨后，部分地移除第二絕緣層和/或第三絕緣層，使得第二絕緣層和/或第三絕緣層基本上橫向于半導體層序列的主延伸平面伸展。換而言之，在部分地移除之后，第二和/或第三絕緣層基本上僅遮蓋在之前的方法步驟中生長的層的側壁。例如，在之前的方法步驟中施加的層的背離n型傳導的半導體層的90%、優選95%保持沒有第二和/或第三絕緣層的材料。[〇〇42]根據該方法的至少一個實施方式，部分地移除第二和/或第三絕緣層借助定向干刻蝕法進行。例如，對此能夠使用反應離子刻蝕和/或反應離子束刻蝕。尤其是，在制造第二絕緣層時可行的是:在定向刻蝕期間也剝離第一絕緣層的一部分，其中第一絕緣層隨后在第一層序列的相應的區域中還連續地構成并且完全地遮蓋P型接觸層。還可行的是:第二絕緣層的少量部分保留在第一絕緣層的背離半導體層序列的覆蓋面上。
[0043]根據該方法的至少一個實施方式，光電子半導體組件在步驟e)和f)之間，即在施加n型接觸層和金屬化層之后和在部分地移除金屬化層和第一絕緣層之前，在能預設的時間片中浸入酸浴中。酸浴能夠包含刻蝕n型接觸層和/或金屬化層的材料的酸。通過酸浴能夠移除所有位于像素的背離P型接觸層的側壁上的所述材料痕跡。然而也可行的是:少量部分所述材料保留在側壁上。
[0044]例如，在至少二秒至最高十秒、優選在至少四秒至最高六秒的范圍中的時間片中進行浸入到酸浴中。在酸浴之后，n型接觸層和金屬化層能夠彼此電絕緣。換而言之，如果事先為了將n型接觸層和金屬化層電連接而引導n型接觸層和/或金屬化層的材料痕跡，那么通過酸浴移除。由此能夠降低短路概率。
[0045]根據該方法的至少一個實施方式，在步驟e)和f)之間，將第四絕緣層整面地施加到背離n型傳導的層的底面的露出的外面上。優選地，第四絕緣層覆蓋n型接觸層的背離半導體層序列的覆蓋面、像素的側壁以及金屬化層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面。第四絕緣層能夠與n型接觸層直接接觸。然而也可行的是:將另一接觸層直接地設置在p型接觸層上，所述另一接觸層例如包含ZnO和/或Ti，并且第四絕緣層與該層直接接觸。[〇〇46]施加第一、第二、第三和/或第四絕緣層能夠利用前體進行。前體例如能夠是正硅酸乙酯(TE0S)和/或硅烷。
[0047]根據該方法的至少一個實施方式，第四絕緣層在步驟f)中和/或之前在如下部位處被部分地移除，所述第四絕緣層在所述部位處設置在P型接觸層上方。移除能夠直接在部分地移除金屬化層和第一絕緣層之前進行，然而也可行的是:部分地移除在相同的方法步驟中執行。
[0048]此外，提出一種光電子半導體組件。光電子半導體組件能夠優選借助于在此描述的方法之一制造，也即，所有針對該方法公開的特征對于光電子半導體組件而言也公開，并且反之亦然。
[0049]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括具有主延伸平面的半導體層序列，所述半導體層序列具有一件式構成的n型傳導的半導體層。換而言之，n型傳導的半導體層簡單連續地構成。此外，半導體層序列包括有源區和p型傳導的半導體層，所述有源區和所述P型傳導的半導體層共同地劃分成多個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開。“共同地”在此和在下文中能夠表示:P型傳導的半導體層和有源區在制造公差的范圍內具有相同的或幾何類似的橫向擴展，并且在彼此朝向的表面處完全地彼此直接接觸。在此，有源區和P型傳導的半導體層的每個區域共同地與n型傳導的半導體層形成剛好一個像素。有源區和P型傳導的半導體層與之相應多件式地構成。像素在橫向上彼此間隔開地設置在n型傳導的半導體層上并且優選彼此電學和/或光學分離。
[0050]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括n型接觸層，所述n型接觸層構成為是導電的并且所述n型接觸層的底面直接鄰接于n型傳導的半導體層。n型接觸層優選設置用于電接觸n型傳導的半導體層。此外，光電子半導體組件包括P型接觸層，所述P型接觸層構成為是導電的并且其底面鄰接于P型傳導的半導體層。n型接觸層和P型接觸層彼此電絕緣。P型接觸層優選設置用于電接觸P型傳導的半導體層。 [〇〇51]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括第三絕緣層，所述第三絕緣層構成為是電絕緣的并且基本上橫向于半導體層序列的主延伸方向伸展。第三絕緣層設置在P型傳導的半導體層和n型接觸層之間并且直接鄰接于p型傳導的半導體層和n型接觸層的全部側面。第三絕緣層主要用于將p型傳導的半導體層與n型傳導的半導體層封裝。優選地，第三絕緣層構成為是輻射不可透過的。[〇〇52]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，n型接觸層連續地構成并且框架狀地包圍像素。“框架狀”在此不表示:必須包圍在四個矩形彼此設置的側面上的像素。像素在俯視圖中例如也能夠構成為是三角形的、四邊形的、橢圓形的或圓形的并且相應地由n型接觸層包圍。換而言之，n型接觸層多重連續地構成，其中像素的全部n型接觸層能夠彼此電連接。在從底面和/或覆蓋面來對光電子半導體組件的俯視圖中，n型接觸層于是像是網格或網絡，其中像素由網格或網絡的各個網孔包圍。通過n型接觸層連續地構成，實現n型傳導的半導體層的簡單的電接觸。例如，n型接觸層在光電子半導體組件的邊緣處向外延長，由此實現簡單的接觸。[〇〇53]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，n型傳導的半導體層的覆蓋面在像素的區域中與在n型接觸層的區域中相比距n型傳導的半導體層的底面具有更大的間距。 換而言之，n型傳導的半導體層具有溝槽，n型接觸層處于所述溝槽中。換而言之，n型傳導的半導體層具有打薄的區域和未被打薄的區域，在所述打薄的區域的覆蓋面上分別設置有n 型接觸層，并且在所述未被打薄的區域的覆蓋面上分別設置有像素。[〇〇54]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括:具有主延伸平面的半導體層序列，所述半導體層序列具有:一件式構成的n型傳導的半導體層，有源區和P型傳導的半導體層，所述有源區和所述P型傳導的半導體層劃分成多個區域， 所述區域在橫向上彼此間隔開，其中每個區域共同地與n型傳導的半導體層形成剛好一個像素;和n型接觸層，所述n型接觸層構成為是導電的并且所述n型接觸層的底面鄰接于n型傳導的半導體層;P型接觸層，所述P型接觸層構成為是導電的并且所述P型接觸層的底面鄰接于P型傳導的半導體層;和第三絕緣層，所述第三絕緣層構成為是電絕緣的并且橫向于半導體層序列的主延伸方向伸展，其中第三絕緣層設置在P型傳導的半導體層和n型接觸層之間，并且直接地鄰接于n型接觸層的和p型傳導的半導體層的全部側面，n型接觸層連續地構成并且框架狀地包圍像素，和n型傳導的半導體層的覆蓋面在像素的區域中與在n型接觸層的區域中相比距n型傳導的半導體層的底面具有更大的間距。
[0055]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，第三絕緣層在所有橫向側面包圍像素。換而言之，第三絕緣層用于電學和/或光學封裝像素。例如，第三絕緣層將像素與n型接觸層電絕緣。
[0056]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括第二絕緣層，所述第二絕緣層橫向于半導體層序列的主延伸平面伸展，并且設置在第三絕緣層和P型接觸層之間。第二絕緣層能夠將P型接觸層在其側部上電絕緣，而第三絕緣層能夠將P 型傳導的半導體層在其側部上電和/或光學絕緣。[〇〇57]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括金屬化層，所述金屬化層沿著與主延伸平面垂直的方向與n型接觸層和與p型接觸層間隔開地設置在第二和/或第三絕緣層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面上。金屬化層在光電子半導體組件運行中未被電連接。金屬化層優選由與n型接觸層相同的材料構成。
[0058]在從n型傳導的半導體層的背離底面的一側看的俯視圖中，于是得到連續的金屬化層，所述金屬化層由P型接觸層、n型接觸層和金屬化層形成。然而，p型接觸層、n型接觸層和金屬化層彼此電絕緣。這能夠通過這三個層距n型傳導的半導體層不同的間距來實現。換而言之，沿著半導體層序列的主平面總是設置有導電層，其中可行的是，導電層不位于一個平面中。
[0059]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，所述光電子半導體組件包括第四絕緣層，所述第四絕緣層將像素在其背離P型接觸層的側壁處完全地包圍，并且直接地鄰接于n型接觸層、金屬化層和第三絕緣層。第四絕緣層例如用于將光電子半導體組件向外電絕緣并且能夠保護光電子半導體組件以免短路。尤其是，在第四絕緣層中遵循如下構思:n型接觸層向外電絕緣。與之相應可行的是接觸層只能在將光電子半導體組件在橫向上封閉的側面上被接觸。
[0060]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，第一絕緣層設置在p型接觸層的背離n型傳導的半導體層的覆蓋面上，所述第一絕緣層覆蓋p型接觸層的背離半導體層序列的覆蓋面，使得P型接觸層的大部分保持沒有第一絕緣層。例如，P型接觸層的覆蓋面的最多 20 %、優選最多10 %可以由第一絕緣層覆蓋。由此，實現電接觸p型接觸層。例如，制成的半導體組件能夠施加到硅載體上，所述硅載體包含用于控制的各個晶體管。第一絕緣層能夠與P型接觸層和第二絕緣層直接接觸。
[0061]在此，第一絕緣層能夠框架狀地施加在P型接觸層上。第一接觸層能夠在制造公差的范圍內對稱地構成。例如，框架狀地構成第一絕緣層借助光刻工藝實現。“在制造公差的范圍內”于是能夠說明光刻工藝的精度并且例如能夠位于2WI1的范圍內。
[0062]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，第二絕緣層和第三絕緣層在其背離n型傳導的半導體層和P型接觸層的角和棱邊處具有材料剝離痕跡。材料剝離的痕跡在制造方法期間會因定向地剝離第二或第三絕緣層而造成。相應的層的棱邊是如下部位，在所述部位處，相應的層的橫向于主延伸平面伸展的側面觸及到層的在制造公差的范圍內平行于主延伸平面伸展的覆蓋面上。角是如下部位，在所述部位處兩個棱邊彼此相交。例如，角和/或棱邊能夠通過材料剝離展平和/或倒圓。尤其可行的是:第三絕緣層的角和/或棱邊會剝離成，使得第二絕緣層在其角和/或棱邊處部分地露出。用于制造第二和/或第三絕緣層的方法與之相應地能夠在制成的光電子半導體組件上被驗證。
[0063]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，像素在制造公差的范圍內沿著主延伸平面具有相同的幾何擴展。換而言之，像素的有源區的區域沿著主延伸平面的幾何尺寸分別相差最多10%，優選最多5%。這有時實現將像素用作為顯示設備。
[0064]根據該光電子半導體組件的至少一個實施方式，n型接觸層沿著兩個相鄰的像素的中點之間的假設的連接線的橫向幾何擴展最大為5WI1。“像素的中點”在此和在下文中能夠指的是在P型傳導的半導體層的覆蓋面上的點，所述點在所有橫向方向上距包圍該像素的第二絕緣層和/或距n型接觸層具有最大間距。與之相應地，n型接觸層極其窄地構成，由此確保大的輻射穿過面。n型接觸層的該窄的構成方案尤其通過該方法的自校準的掩模而是可行的。像素的輻射穿過面的大小在此基本上通過像素的有源區的橫向擴展來提供。
[0065]根據該半導體組件的至少一個實施方式，兩個相鄰的像素沿著所述相鄰的像素的中點之間的假設的連接線的橫向間距最大為12wii。優選地，像素的橫向間距能夠為最大10y m。換而言之，像素能夠構成得極其小，其中光電子半導體組件的整個輻射穿過面、即由所有像素的輻射穿過面形成的面僅會不顯著地小于光電子半導體組件沿著主延伸平面的總面積。換而言之，與像素沿著主延伸平面的大小相比，n型接觸層沿著主延伸平面極其小地構成。【附圖說明】
[0066]下面，根據實施例和所附的附圖詳細闡述在此描述的方法以及在此描述的光電子半導體組件。
[0067]圖1根據示意剖面圖示出在此描述的方法的一個實施例。
[0068]圖2示出在此描述的光電子半導體組件的一個實施例的示意圖。[〇〇69]圖3示出在此描述的光電子半導體組件的一個實施例的光顯微照片。[〇〇7〇]圖4示出在此描述的光電子半導體組件的一個實施例的掃描電子顯微的照片。【具體實施方式】
[0071]相同的、同類的或起相同作用的元件在附圖中設有相同的附圖標記。附圖中示出的元件彼此間的大小關系和附圖不能夠視為是合乎比例的。更確切地說，為了更好的示出和/或為了更好的理解可以夸大地示出各個元件。
[0072]根據圖1A的示意剖面圖，詳細闡述在此描述的用于制造光電子半導體組件的方法的第一方法步驟。首先，提供半導體層序列11、12、13，其具有帶有底面11(3的1!型傳導的半導體層11。[〇〇73]在覆蓋面11a上施加有源區13和p型傳導的半導體層12。此外，將第一層序列22、31 整面地施加到半導體層序列11、12、13上，所述第一層序列包括p型接觸層22和第一絕緣層 31〇
[0074]根據圖1B的示意剖面圖，詳細闡述在此描述的用于制造光電子半導體組件的方法的另一方法步驟。第一層序列22、31部分地被移除。由此，將第一層序列22、31劃分成多個區域61、62,所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在p型傳導的半導體層12的背離n型傳導的半導體層11的覆蓋面12a上。區域61、62空間上彼此分離。換而言之，區域61、62不彼此連接。
[0075]根據圖1C的示意剖面圖，詳細闡述在此描述的用于制造光電子半導體組件的方法的另一方法步驟。現在，將第二絕緣層32整面地施加在與n型傳導的半導體層11的底面11c 背離的露出的外面上，所述第二絕緣層與P型傳導的半導體層12、第一絕緣層31和p型接觸層22直接接觸。尤其是，第二絕緣層32覆蓋第一層序列22、31的區域61、62的側壁6b。
[0076]圖1D描述在此描述的方法的另一方法步驟。第二絕緣層32部分地被移除，使得隨后第二絕緣層32基本上橫向于半導體層序列11、12、13的主延伸平面伸展。第二絕緣層于是僅還完全地覆蓋第一層序列22、31的區域61、62的側壁6b。在此可行的是:第二絕緣層32具有材料剝離痕跡4。材料剝離的痕跡4也能夠存在于第一絕緣層31的與n型傳導的半導體層 11背離的覆蓋面31a上。材料剝離痕跡4因定向的刻蝕方法而造成，所述刻蝕方法用于部分地移除第二絕緣層32。例如，材料剝離痕跡能夠引起第二絕緣層32的角和/或棱邊32e的展平或倒圓。[〇〇77] 在另一方法步驟，圖1E中，部分地移除p型傳導的半導體層12、有源區13以及n型傳導的半導體層11。部分地移除例如借助于刻蝕方法進行，其中第一絕緣層31和第二絕緣層 32用作為用于刻蝕方法的掩模。
[0078]如在圖1E中示出的那樣，p型傳導的半導體層12和有源區13在部分地移除之后劃分成多個區域，所述區域形成像素71、72。
[0079]n型傳導的半導體層11在部分地移除之后還一件式地構成。然而，n型傳導的半導體層11現在具有溝槽111，在所述溝槽處打薄n型傳導的半導體層lUn型傳導的半導體層11 的覆蓋面11a在打薄的區域111中與在像素71、72的區域中相比距n型傳導的半導體層11的底面11c具有更小的間距。換而言之，n型傳導的半導體層11的覆蓋面11a在像素71、72的區域中比在溝槽111的區域中距n型傳導的半導體層11的底面11 c具有更大的間距。在溝槽111 的區域中不存在像素71、72,并且反之亦然。
[0080]根據圖1F的示意剖面圖，詳細闡述在此描述的用于制造光電子半導體組件的方法的另一方法步驟。在該方法步驟中，施加第三絕緣層33。對此，如在圖1C的方法步驟中那樣， 首先，將第三絕緣層33整面地施加在與n型傳導的半導體層11的底面背離的露出的外面上。 隨后，部分地移除第三絕緣層33，其中材料剝離痕跡4在此也能夠保留在第三絕緣層33的角和/或棱邊33e上。第三絕緣層33隨后橫向于半導體層序列11、12、13的主延伸平面伸展。第三絕緣層33能夠與n型傳導的半導體層ll、p型傳導的半導體層12、n型接觸層22以及第二絕緣層32直接接觸。
[0081]根據圖1G的示意剖面圖，詳細闡述用于制造在此描述的光電子半導體組件的另一方法步驟。在該方法步驟中，施加n型接觸層21和金屬化層23,其中n型接觸層21和金屬化層 23沿著半導體層序列11、12、13的主延伸平面伸展。在像素71、72的與p接觸層22背離的側壁 7b上能夠存在金屬化層23的和/或n型接觸層21的材料痕跡5。所述材料痕跡5能夠在隨后的方法步驟中例如借助酸浴移除。n型接觸層21與n型傳導的半導體層11直接接觸。金屬化層 23與n型接觸層21和p型接觸層22電絕緣。金屬化層23在光電子半導體組件運行中不電連接。
[0082]根據圖1H的示意剖面圖，詳細闡述在此描述的用于制造光電子半導體組件的方法的另一方法步驟。在該方法步驟中，將第四絕緣層34整面地施加在與n型傳導的半導體層11 的底面11c背離的外面上。于是，第四絕緣層34完全地遮蓋n型接觸層21、第三絕緣層33和金屬化層23。第四絕緣層34尤其設置用于:將n型接觸層21朝外電絕緣。
[0083]根據圖1I的示意剖面圖，詳細闡述用于制造光電子半導體組件的方法的另一方法步驟。在該方法步驟中，部分地移除第四絕緣層34、第一絕緣層31和金屬化層23,使得p型接觸層22隨后可從外部自由接近。在像素71、72處保留第一絕緣層31的如下部分，所述部分框架狀地包圍P型接觸層22。現在，第一絕緣層31現在覆蓋p型接觸層22的最高10%、優選最高 5%。同樣地，在像素71、72處保留金屬化層23的如下部分，所述部分與半導體層序列11、12、 13間隔開地設置在第一絕緣層31a、第二絕緣層32a和/或第三絕緣層33a的覆蓋面上。
[0084]隨后，像素71、72通過溝槽111彼此分離。尤其可行的是:n型接觸層21構成為是反射的和/或第三絕緣層33構成為是輻射不可透過的，使得像素71、72光學彼此分離。此外，溝槽111實現像素71、72的最佳的電學和/或光學分離。
[0085]根據圖2的示意剖面圖詳細闡述在此描述的光電子半導體組件的一個實施例。光電子半導體組件包括半導體層序列11、12、13，其具有11型傳導的半導體層11、有源區13和？ 型傳導的半導體層12。此外，光電子半導體組件包括n型接觸層21，所述n型接觸層與n型傳導的半導體層11直接接觸并且構成為是導電的，以及包括P型接觸層22,所述p型接觸層直接地鄰接于P型傳導的半導體層12并且同樣構成為是導電的。此外，光電子半導體組件包括第一絕緣層31、第二絕緣層32、第三絕緣層33和第四絕緣層34。第三絕緣層33設置在p型傳導的半導體層12和n型接觸層21之間并且橫向于光電子半導體組件的主延伸平面伸展。第三絕緣層33直接鄰接于n型接觸層21的和p型傳導的半導體層12的全部側面。第三絕緣層33 能夠將P型傳導的半導體層12與n型接觸層21電絕緣和/或光學隔離。
[0086]n型接觸層的寬度、即其沿著兩個相鄰的像素的中點之間的假設的連接線的擴展在此能夠在最少2mi至最高10M1的范圍中。此外，兩個相鄰的像素沿著該相鄰的像素的中點之間的假設的連接線的橫向間距在至少5wii至最高20wii的范圍中。[〇〇87]第二絕緣層32和第三絕緣層33分別橫向于半導體層序列11、12、13的主延伸平面伸展。換而言之，第二和第三絕緣層32、33分別設置在像素71、72的側壁7b處。[〇〇88]此外，光電子半導體組件包括金屬化層，所述金屬化層設置在第二絕緣層32和第三絕緣層33上。金屬化層23不與半導體層序列11、12、13、11型接觸層21和/或？型接觸層22電連接。
[0089]此外，光電子半導體組件能夠包括生長載體7。生長載體7例如能夠借助藍寶石或其他材料形成，所述其他材料適合于生長半導體層序列11、12、13。然而也可行的是:如例如在圖1H中示出那樣，光電子半導體組件不包括載體7。優選地，生長載體7由如下材料形成， 所述材料對于由有源區發射的電磁輻射構成為是輻射可透過的。優選地，光電子半導體組件于是沿朝生長襯底7的方向放射。
[0090]此外，第二絕緣層32和/或第三絕緣層33至少局部地具有材料剝離痕跡4。材料剝離痕跡4在此為第二絕緣層32的和/或第三絕緣層33的角和/或棱邊32e、33e的展平或倒圓。 [〇〇91]根據圖3的光顯微照片詳細闡述在此描述的光電子半導體組件的另一實施例。俯視圖從光電子半導體組件的背離底面11c的一側實現。光電子半導體組件包括多個像素71、 72,所述像素在橫向上彼此間隔開地設置。像素框架狀地被n型接觸層21包圍。n型接觸層21 多重連續地構成并且能夠具有網格的形狀，所述網格包圍像素71、72。在光電子半導體組件的橫向外面21e上能夠電接觸n型接觸層21。[〇〇92]此外，示出閉合的像素8。在該閉合的像素8中，第一絕緣層31、金屬化層23和第四絕緣層34不被部分地移除。因此，閉合的像素8尚未開放并且閉合的像素8的p型接觸層22不可自由接近。[〇〇93]根據圖4的掃描電子顯微照片詳細闡述在此描述的光電子半導體組件的另一實施例。光電子半導體組件具有溝槽111。在溝槽和P型接觸層22之間，設置有第二、第三和第四絕緣層32、33、34。在溝槽中存在n型接觸層21，所述n型接觸層框架狀地包圍像素71、72。
[0094] n型接觸層21的框架狀的和一件式的實施方式實現簡單構成地接觸n型傳導的半導體層11。尤其是，通過n型接觸層21不設置在n型傳導的半導體層11的底面11c上而是設置在覆蓋面11a上的方式實現:光電子半導體組件的整個輻射穿透面基本上不被縮小。n型接觸層21能夠通過對溝槽111進行自校準刻蝕而特別窄地構成，因為取消因例如光刻工藝引起的校準的不精確性。為了將n型接觸層21與p型接觸層22電絕緣，沉積第一、第二、第三和第四絕緣層31、32、33、34。此外，通過引入金屬化的溝槽111防止像素71、72之間的光學串擾，由此改進對比度并且實現均勻的電流分布。這尤其實現在整個光電子半導體組件之上的均勻的光密度分布。[〇〇95] 本申請要求德國專利申請10 2014 101 896.6的優先權，其公開內容通過參考并入本文。
[0096]本發明并不限于根據所述實施例進行的描述。相反，本發明包括各個新的特征以及特征的各個組合，這尤其包含權利要求中的特征的各個組合，即使所述特征或所述組合本身沒有在權利要求或實施例中明確地說明時也是如此。
【主權項】
1.一種用于制造光電子半導體組件的方法，所述光電子半導體組件具有多個像素(71， 72)，所述方法包括如下步驟:a)提供具有主延伸平面的半導體層序列(11，12，13)，所述半導體層序列具有:-具有底面(11c)的n型傳導的半導體層(11)，-在所述n型傳導的半導體層(11)的與所述底面(11c)背離的覆蓋面(11a)上的有源區 (13)，和-P型傳導的半導體層(12)，所述p型傳導的半導體層設置在所述有源區(13)的與所述n 型傳導的半導體層(11)背離的一側上，b)施加第一層序列(22,31)，所述第一層序列包括p 型接觸層(22)和第一絕緣層(31)，其中所述第一層序列(22,31)劃分成多個區域(61，62)， 所述區域在橫向上彼此間隔開地設置在所述P型傳導的半導體層(12)的與所述n型傳導的 半導體層(11)背離的覆蓋面(12a)上，c)施加第二絕緣層(32)，所述第二絕緣層橫向于主延伸平面伸展并且至少局部地覆蓋 所述第一層序列的全部側壁(6b)，d)部分地移除所述p型傳導的半導體層(12)和所述有源區(13)，使得局部地露出所述n 型傳導的半導體層(11)，并且將所述P型傳導的半導體層(12)和所述有源區(13)劃分成各 個區域(71，72)，所述區域在橫向上彼此間隔開，其中每個所述區域包括所述p型傳導的半 導體層(12)的一部分和所述有源區(13)的一部分，e)施加n型接觸層(21)和金屬化層(23)，使得所述n型接觸層(21)和所述金屬化層(23) 分別沿著所述半導體層序列(11，12，13)的主延伸平面伸展，f)部分地移除所述金屬化層(23)和所述第一絕緣層(31)，使得至少局部地露出所述p 型接觸層(22)。2.根據上一項權利要求所述的方法，其中所述第一絕緣層(31)和所述第二絕緣層(32) 用作為在步驟d)中用于部分地移除所述p型傳導的半導體層(12)和所述有源區(13)的掩模。3.根據上一項權利要求所述的方法，其中借助刻蝕方法進行部分地移除所述p型傳導 的半導體層(12)和所述有源區(13)。4.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在步驟d)中附加地局部移除所述n型 傳導的半導體層(11)，使得所述n型傳導的半導體層(11)隨后具有打薄的區域(111)，在所 述區域中，與在所述n型傳導的半導體層(11)的其他的未被打薄的區域中相比，所述覆蓋面 (11a)距所述n型傳導的半導體層(11)的所述底面(11c)的間距更小。5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中所述第一層序列(22,31)借助如下方 法步驟制造:_將所述P型接觸層(22)整面地施加在所述p型傳導的半導體層(12)的所述覆蓋面 (12a)上，-將所述第一絕緣層(31)整面地施加在所述p型接觸層(12)的背離所述n型傳導的半導 體層(11)的一側上，-部分地移除所述第一絕緣層(31)，-部分地移除所述P型接觸層(22)，其中所述第一絕緣層(31)用作為掩模。6.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在步驟d)和e)之間進行如下方法步 驟:施加第三絕緣層(31)，所述第三絕緣層橫向于所述主延伸平面伸展，并且與所述第二 絕緣層(32)和所述p型傳導的半導體層(12)直接接觸。7.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，制造所述第二絕緣層(32)和/或所述 第三絕緣層(33)借助如下方法步驟進行:-將所述第二絕緣層(32)和/或所述第三絕緣層(33)整面地施加在與所述n型傳導的半 導體層(11)的所述底面(11c)背離的露出的外面上，-部分地移除所述第二絕緣層(32)和/或所述第三絕緣層(33)，使得所述第二絕緣層 (32)和/或所述第三絕緣層(33)基本上橫向地伸展或橫向于所述半導體層序列(11，12，13) 的主延伸平面伸展。8.根據上一項權利要求所述的方法，其中所述部分地移除借助定向干刻蝕法進行。9.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在步驟e)和f)之間將所述光電子半導 體組件在能預設的時間片中浸入酸浴中，所述酸浴移除所述金屬化層(23)的和/或所述n型 接觸層(21)的位于所述像素(71，72)的與所述p型接觸層(22)背離的側壁(7b)上的材料痕 跡(5)。10.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中在步驟e)和f)之間，將第四絕緣層 (34)整面地施加在與所述n型傳導的半導體層(11)的所述底面(11c)背離的露出的外面上。11.一種光電子半導體組件，其包括:-具有主延伸平面的半導體層序列(11，12，13 )，所述半導體層序列具有:_ 一件式構成的n型傳導的半導體層(11)，-有源區(13)和p型傳導的半導體層(12)，所述有源區(13)和所述p型傳導的半導體層 (12)劃分成多個區域，所述區域在橫向上彼此間隔開，其中每個區域共同地與所述n型傳導 的半導體層(11)形成剛好一個像素(71，72)，和-n型接觸層(21)，所述n型接觸層構成為是導電的并且所述n型接觸層的底面(21c)鄰 接于所述n型傳導的半導體層(11)的所述覆蓋面(1 la)，-P型接觸層，所述P型接觸層構成為是導電的并且所述P型接觸層的底面(22c)鄰接于 所述P型傳導的半導體層(12)的所述覆蓋面(12a)，和-第三絕緣層(33)，所述第三絕緣層構成為是電絕緣的并且基本上橫向地伸展或者橫 向于所述半導體層序列(11，12，13)的主延伸方向伸展，其中-所述第三絕緣層(33)設置在所述p型傳導的半導體層(12)和所述n型接觸層(21)之 間，并且直接地鄰接于所述n型接觸層(21)的全部側面(21b)和鄰接于所述p型傳導的半導 體層(12)的全部側面(22b)，-所述n型接觸層(21)連續地構成并且框架狀地包圍所述像素(71，72)，和 -所述n型傳導的半導體層(11)的所述覆蓋面(11a)在所述像素(71，72)的區域中與在 所述n型接觸層(21)的區域中相比距所述n型傳導的半導體層(11)的所述底面(11c)具有更 大的間距。12.根據上一項權利要求所述的光電子半導體組件，其中所述像素(71，72)在全部橫向安置的側壁(7b)處通過所述第三絕緣層(33)包圍。13.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其具有第二絕緣層(32)，所 述第二絕緣層橫向于所述半導體層序列(11，12，13)的主延伸平面伸展，并且設置在所述第 三絕緣層(33)和所述p型接觸層(22)之間。14.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其具有金屬化層(23)，所述 金屬化層沿著與所述主延伸平面垂直的方向與所述n型接觸層(21)和與所述p型接觸層 (22)間隔開地設置在所述第二絕緣層和第三絕緣層(32,33)的與所述n型傳導的半導體層 (11)背離的覆蓋面(32a，32b)上并且構成為是反射的。15.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其具有第四絕緣層(34)，所 述第四絕緣層將所述像素(71，72)在其背離所述p型接觸層(22)的側壁(7b)處完全地包圍， 并且直接地鄰接于所述n型接觸層(21)、所述金屬化層(23)和所述第三絕緣層(33)。16.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其中在所述p型接觸層(12) 的所述覆蓋面(12a)中的一個上設置有第一絕緣層(31)，所述第一絕緣層直接地鄰接于所 述第二絕緣層(32)，并且所述第一絕緣層覆蓋所述覆蓋面(12a)的最多10%。17.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其中所述第二絕緣層和所 述第三絕緣層(32,33)在其與所述n型傳導的半導體層(11)和所述p型接觸層(22)背離的角 和棱邊(32b，33b)處具有材料剝離痕跡(4)。18.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其中所述像素(71，72)在制 造公差的范圍內具有相同的幾何尺寸。19.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其中所述n型接觸層(21)沿 著兩個相鄰的所述像素的中點之間的假設的連接線的幾何擴展最大為5mi。20.根據上述權利要求中任一項所述的光電子半導體組件，其中兩個相鄰的像素(71， 72)沿著相鄰的所述像素(71，72)的中點之間的假設的連接線的橫向間距最大為12mi。
【文檔編號】H01L27/15GK105993075SQ201580008703
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年1月27日
【發明人】伊莎貝爾·奧托
【申請人】歐司朗光電半導體有限公司