技術領域

本公開涉及(ji)一(yi)種線圈(quan)組件及(ji)制(zhi)造(zao)該線圈(quan)組件的方法。

背景技術：

根據諸如數字(zi)電視(TV)、移動電話和膝上型(xing)(xing)計算機等的電子(zi)裝(zhuang)置的小型(xing)(xing)化和輕(qing)薄(bo)化，在這(zhe)樣(yang)(yang)的電子(zi)裝(zhuang)置中使用的線(xian)(xian)圈組件(jian)相應地需要(yao)被小型(xing)(xing)化和輕(qing)薄(bo)化。為了(le)尋(xun)求這(zhe)樣(yang)(yang)的組件(jian)，已(yi)經積極地進行了(le)各種纏繞式或薄(bo)膜式線(xian)(xian)圈組件(jian)的研究和開發。

作為線圈組件的小型化和輕薄化的一部分，小型化和輕薄化的線圈組件除了小型化和輕薄化之外還需要提供與現有線圈組件的特性等同的特性。為了滿足這樣的需求，需要確保具有足夠尺寸的具有低直流(DC)阻抗R_dc并(bing)在(zai)其中填充有磁性材(cai)料的芯部。為了實現該目的，已經使用例(li)如各向異性鍍覆技術來(lai)開發具有更(geng)大(da)的高寬比(bi)的線(xian)(xian)圈圖案以及具有更(geng)大(da)的截(jie)面面積的線(xian)(xian)圈部的線(xian)(xian)圈組件。

然而(er)，當由于(yu)小型化(hua)和輕(qing)薄化(hua)的需求而(er)在有限的空間(jian)中使用各向(xiang)異性鍍(du)覆(fu)技(ji)術制造(zao)線圈組件時，由于(yu)高寬比的增加導致(zhi)增加了缺(que)陷(xian)的風(feng)險(xian)，包括由于(yu)鍍(du)覆(fu)生長的均勻性下降和線圈部(bu)之(zhi)間(jian)短路的出現等導致(zhi)的缺(que)陷(xian)。

技術實現要素：

本公開的一方面提供了一種可減小諸如短路等缺陷出現的風險并可確保線圈的均勻性和低直流(DC)阻抗R_dc的線圈(quan)組(zu)件(jian)。制造(zao)該線圈(quan)組(zu)件(jian)的方(fang)法(fa)提供類似的優(you)點。

提出(chu)的(de)(de)幾個技術方案中的(de)(de)一個包括：通過使用(yong)支撐構件(jian)上的(de)(de)絕(jue)緣層穩(wen)定地形成多個線圈層而在多個堆(dui)疊(die)的(de)(de)線圈層的(de)(de)堆(dui)疊(die)方向上增加匝數或者(zhe)繞組數。

根據本公開的(de)一(yi)(yi)方面，一(yi)(yi)種(zhong)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)組件可包括：主體部(bu)(bu)，包含磁性(xing)材(cai)料；線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)，設置在(zai)主體部(bu)(bu)中；電極部(bu)(bu)，設置在(zai)主體部(bu)(bu)上(shang)。所述(shu)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)包括：支(zhi)撐(cheng)構件；第(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)，設置在(zai)支(zhi)撐(cheng)構件的(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)個(ge)表(biao)面上(shang)；第(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)，堆疊在(zai)所述(shu)支(zhi)撐(cheng)構件的(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)個(ge)表(biao)面上(shang)并覆蓋第(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)；第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)，設置在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)上(shang)。所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)和第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)彼此電連接，所述(shu)第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)比(bi)第(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)具有更多的(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)匝數。

根據本公開(kai)的(de)(de)另一(yi)(yi)(yi)(yi)方面(mian)(mian)，一(yi)(yi)(yi)(yi)種制造(zao)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)組件(jian)的(de)(de)方法(fa)可包括：形成線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)，形成使線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)容納在(zai)(zai)其中的(de)(de)主體部(bu)(bu)，在(zai)(zai)主體部(bu)(bu)上(shang)形成電(dian)極部(bu)(bu)。通(tong)過下述(shu)方法(fa)形成線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)：在(zai)(zai)支撐構(gou)件(jian)的(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)通(tong)過鍍覆(fu)形成第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)支撐構(gou)件(jian)的(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)堆疊第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)絕緣層(ceng)(ceng)，以便覆(fu)蓋第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)；在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)絕緣層(ceng)(ceng)上(shang)通(tong)過鍍覆(fu)形成第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)。所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)和第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)彼此電(dian)連接，第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)比第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)具有(you)更多的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)匝數。

根據本公開的又一方面，一種線圈組件包括：主體部，包含磁性材料；線圈部，設置在主體部中；電極部，設置在主體部上。所述線圈部包括：支撐構件；第一線圈層，設置在支撐構件的一個表面上；第一絕緣層，堆疊在支撐構件的所述一個表面上并覆蓋第一線圈層；第二線圈層，設置在第一絕緣層上。所述第一線圈層和第二線圈層彼此電連接，所述第一線圈層的導體具有小于1的高寬比h₁/w₁，其中，厚度h₁是與支撐構件的使第一線圈層設置在其上的所述一個表面正交進行測量的，寬度w₁是(shi)平行于支撐(cheng)構件的(de)所述(shu)一個表(biao)面進行測量的(de)。

附圖說明

通過下面結合(he)附圖(tu)進行的(de)詳細描述，本公開的(de)以上(shang)和(he)其他方面、特征及優點(dian)將被更(geng)清楚地(di)理解，在附圖(tu)中(zhong)：

圖(tu)1是(shi)示意性示出在(zai)電子裝置中使用的(de)(de)線圈(quan)組件的(de)(de)示例的(de)(de)示圖(tu)；

圖(tu)2是示出線(xian)圈組件的示例的示意性透(tou)視圖(tu)；

圖3是圖2的(de)線(xian)圈組(zu)件的(de)沿(yan)I-I′線(xian)截(jie)取的(de)示意性截(jie)面圖；

圖4是圖3的線圈組件的區域(yu)A的示(shi)意性截面放大圖；

圖5是圖2的(de)線(xian)圈組件的(de)沿(yan)II-II′線(xian)截(jie)取的(de)示意性截(jie)面圖；

圖6是(shi)圖5的(de)(de)(de)線圈組件的(de)(de)(de)沿方向(xiang)a觀察的(de)(de)(de)主體部的(de)(de)(de)示意性截面(mian)放大圖；

圖(tu)7是示(shi)出制造(zao)圖(tu)2的線圈組件的工藝的示(shi)例的流(liu)程圖(tu)；

圖(tu)(tu)8A至(zhi)圖(tu)(tu)8F是(shi)示(shi)出(chu)用于(yu)形成(cheng)圖(tu)(tu)3的線圈部的工(gong)藝(yi)步驟的示(shi)例(li)的示(shi)意圖(tu)(tu)；

圖(tu)9A至圖(tu)9F是(shi)示(shi)出用于形成圖(tu)5的(de)線圈部(bu)的(de)工(gong)藝步驟的(de)示(shi)例的(de)示(shi)意圖(tu)；

圖(tu)10是示出線圈組件的另一(yi)示例(li)的示意性透視圖(tu)；

圖(tu)(tu)11是圖(tu)(tu)10的線圈組(zu)件的沿III-III′線截(jie)取(qu)的示意(yi)性截(jie)面圖(tu)(tu)；

圖(tu)(tu)(tu)12是圖(tu)(tu)(tu)11的(de)(de)線圈組件的(de)(de)區域B的(de)(de)示意性(xing)截面放大圖(tu)(tu)(tu)；

圖(tu)13是圖(tu)10的線(xian)圈組(zu)件的沿IV-IV′線(xian)截取(qu)的示意性截面(mian)圖(tu)；

圖14是圖13的線(xian)圈(quan)組件的沿方向b觀察的主體部的示意(yi)性截(jie)面圖；

圖(tu)15是示出制造圖(tu)10的線圈(quan)組(zu)件的工藝的示例的流(liu)程圖(tu)；

圖(tu)(tu)16A至圖(tu)(tu)16F是示(shi)出用于形(xing)成圖(tu)(tu)11的線圈(quan)部的工藝步驟的示(shi)例(li)的示(shi)意圖(tu)(tu)；

圖(tu)17A至圖(tu)17F是示(shi)出用于(yu)形成(cheng)圖(tu)13的線圈(quan)部的工藝步(bu)驟的示(shi)例的示(shi)意圖(tu)；

圖18是示出線圈組件的(de)另一示例的(de)示意(yi)性(xing)透視圖；

圖(tu)19是圖(tu)18的(de)線圈(quan)組件的(de)沿(yan)V-V′線截(jie)取的(de)示意性截(jie)面圖(tu)；

圖20是圖19的(de)線(xian)圈組(zu)件的(de)區域(yu)C的(de)示意性截面放大圖；

圖(tu)21是圖(tu)18的(de)線(xian)圈組件(jian)的(de)沿VI-VI′線(xian)截取(qu)的(de)示意性截面圖(tu)；

圖(tu)(tu)(tu)22是(shi)圖(tu)(tu)(tu)21的線圈組件的沿方向c觀察的主體部的示意性截面(mian)圖(tu)(tu)(tu)；

圖23是示出制造圖18的線(xian)圈組件的工藝的示例的流程圖；

圖24A至圖24G是示(shi)出(chu)用(yong)于(yu)形成圖19的(de)線圈部的(de)工藝步(bu)驟的(de)示(shi)例的(de)示(shi)意圖；

圖(tu)25A至圖(tu)25G是(shi)示出用于形成圖(tu)21的(de)(de)線圈(quan)部的(de)(de)工藝(yi)步驟的(de)(de)示例的(de)(de)示意圖(tu)；

圖26是示出線(xian)圈組件的(de)另一示例的(de)示意(yi)性透視圖；

圖27是圖26的(de)線圈(quan)組件的(de)沿(yan)VII-VII′線截取的(de)示意性截面圖；

圖(tu)(tu)28是圖(tu)(tu)27的線(xian)圈組件的區域(yu)D的示(shi)意性(xing)截面放(fang)大圖(tu)(tu)；

圖(tu)(tu)29是圖(tu)(tu)26的線圈(quan)組件的沿VIII-VIII′線截(jie)取的示意性(xing)截(jie)面(mian)圖(tu)(tu)；

圖(tu)(tu)30是圖(tu)(tu)29的(de)線圈組件的(de)沿(yan)方向d觀(guan)察(cha)的(de)主體部的(de)示意性(xing)截面圖(tu)(tu)；

圖(tu)(tu)31是示(shi)出圖(tu)(tu)27的線圈(quan)部中的電(dian)連接的示(shi)意性截(jie)面(mian)圖(tu)(tu)；

圖(tu)32是示出磁性(xing)材料的示例(li)的示意性(xing)截面圖(tu)；

圖(tu)33是示出磁性材料的(de)另一示例的(de)示意性截面圖(tu)；

圖34是(shi)示(shi)出應用了各(ge)向同性鍍覆(fu)技術的線圈組件的示(shi)例(li)的示(shi)意圖；

圖(tu)35是示出應用了各向異(yi)性鍍覆技術的(de)(de)線(xian)圈組(zu)件的(de)(de)示例的(de)(de)示意圖(tu)；

圖(tu)36是示出各種形式的(de)線圈組件的(de)電感的(de)對比結(jie)果的(de)示圖(tu)；

圖37是(shi)示出(chu)各種形(xing)式的(de)線圈(quan)組件(jian)的(de)飽和電流特性的(de)對(dui)比結果的(de)示圖；

圖38A和圖38B是(shi)示(shi)出各種形(xing)式的(de)(de)線(xian)圈(quan)組件的(de)(de)鍍覆分布結果的(de)(de)對比的(de)(de)示(shi)圖。

具體實施方式

在(zai)下文中，將參照附圖在(zai)下面描述本公開的實施例。

然而，本(ben)公開(kai)可按照多種不同的形(xing)式實施，并且(qie)不應(ying)被解釋為局(ju)限(xian)于這里(li)所陳述(shu)的具體實施例(li)(li)。更(geng)確切地說(shuo)，提供這些實施例(li)(li)使得本(ben)公開(kai)將是徹底(di)的和完(wan)整的，并將本(ben)公開(kai)的范圍充分地傳達給本(ben)領域的技術(shu)人員。

在(zai)整個說明書中，將(jiang)理(li)解(jie)的是，當(dang)元(yuan)件(jian)(jian)(諸(zhu)如，層、區域或(huo)(huo)晶圓(基板(ban)))被稱(cheng)為(wei)“在(zai)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)“上(shang)”、“連(lian)接(jie)(jie)到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)或(huo)(huo)“結合到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)時(shi)，其可直(zhi)(zhi)接(jie)(jie)“在(zai)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)“上(shang)”、“連(lian)接(jie)(jie)到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)或(huo)(huo)“結合到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)，或(huo)(huo)者(zhe)可存在(zai)介(jie)于(yu)他們之間的其他元(yuan)件(jian)(jian)。相比而言，當(dang)元(yuan)件(jian)(jian)被稱(cheng)為(wei)“直(zhi)(zhi)接(jie)(jie)在(zai)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)“上(shang)”、“直(zhi)(zhi)接(jie)(jie)連(lian)接(jie)(jie)到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)或(huo)(huo)“直(zhi)(zhi)接(jie)(jie)結合到(dao)”另(ling)一(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)(jian)時(shi)，可以(yi)不存在(zai)介(jie)于(yu)他們之間的元(yuan)件(jian)(jian)或(huo)(huo)層。相同的標號始終(zhong)指(zhi)示相同的元(yuan)件(jian)(jian)。如在(zai)此所(suo)(suo)使用(yong)的，術(shu)語“和(he)/或(huo)(huo)”包括相關所(suo)(suo)列(lie)項的一(yi)(yi)(yi)項或(huo)(huo)更多項的任何以(yi)及全(quan)部(bu)組合。

將明顯的是，盡管(guan)可在這(zhe)(zhe)里使用(yong)“第(di)一(yi)(yi)”、“第(di)二(er)”、“第(di)三”等術語來描述各個構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)，但是這(zhe)(zhe)些構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)不應受(shou)這(zhe)(zhe)些術語所限制(zhi)。這(zhe)(zhe)些術語僅用(yong)于將一(yi)(yi)個構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)與另一(yi)(yi)個構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)相(xiang)區(qu)(qu)分(fen)。因(yin)此，在不脫離示例(li)(li)性實(shi)施(shi)例(li)(li)的教(jiao)導的情況(kuang)下，以下討論的第(di)一(yi)(yi)構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)可被命名為第(di)二(er)構(gou)件(jian)(jian)(jian)(jian)、組件(jian)(jian)(jian)(jian)、區(qu)(qu)域(yu)、層(ceng)或(huo)(huo)(huo)部(bu)(bu)分(fen)。

在這里(li)可(ke)使(shi)(shi)用(yong)諸如(ru)(ru)“在……之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)上(shang)(shang)(shang)”、“上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)”、“在……之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)下(xia)”和“下(xia)部(bu)(bu)”等(deng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)(kong)間關(guan)系術(shu)語(yu)，以易(yi)于(yu)描述(shu)如(ru)(ru)附(fu)圖(tu)所示的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一個(ge)(ge)(ge)元件相(xiang)對(dui)(dui)于(yu)一個(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)更多個(ge)(ge)(ge)其(qi)他(ta)元件的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)置(zhi)關(guan)系。將(jiang)理解(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)，空(kong)(kong)間關(guan)系術(shu)語(yu)意圖(tu)包(bao)含除了(le)在附(fu)圖(tu)中(zhong)所描繪的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)位(wei)(wei)(wei)之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)外的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)裝置(zhi)在使(shi)(shi)用(yong)或(huo)(huo)操作中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)同方(fang)位(wei)(wei)(wei)。例如(ru)(ru)，如(ru)(ru)果附(fu)圖(tu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)裝置(zhi)被(bei)(bei)翻轉，則被(bei)(bei)描述(shu)為(wei)“在”相(xiang)對(dui)(dui)于(yu)其(qi)他(ta)元件或(huo)(huo)特(te)征“之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)上(shang)(shang)(shang)”或(huo)(huo)“上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)”的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)元件隨后將(jiang)定(ding)位(wei)(wei)(wei)為(wei)在其(qi)他(ta)元件或(huo)(huo)特(te)征“之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)下(xia)”或(huo)(huo)“下(xia)部(bu)(bu)”。因此(ci)，術(shu)語(yu)“在……之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)上(shang)(shang)(shang)”可(ke)根據(ju)裝置(zhi)、元件或(huo)(huo)附(fu)圖(tu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)特(te)定(ding)方(fang)向包(bao)括“在……之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)上(shang)(shang)(shang)”和“在……之(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)下(xia)”兩種(zhong)方(fang)位(wei)(wei)(wei)。所述(shu)裝置(zhi)可(ke)被(bei)(bei)另外定(ding)位(wei)(wei)(wei)(旋轉90度或(huo)(huo)處(chu)于(yu)其(qi)他(ta)方(fang)位(wei)(wei)(wei))，并(bing)可(ke)對(dui)(dui)在這里(li)使(shi)(shi)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)(kong)間關(guan)系描述(shu)符做出相(xiang)應的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)解(jie)釋。

在(zai)此使用的(de)術語僅用于描(miao)述特定示例(li)性實施例(li)，并且(qie)不意(yi)圖(tu)限制本公(gong)開。如在(zai)此所(suo)使用的(de)，除非上下文另外清楚(chu)地指明，否則單數的(de)形式(shi)(shi)也意(yi)圖(tu)包(bao)括(kuo)(kuo)復(fu)數的(de)形式(shi)(shi)。還將理解的(de)是，在(zai)該(gai)說明書中使用的(de)術語“包(bao)括(kuo)(kuo)”和/或(huo)(huo)“包(bao)含”列舉存在(zai)的(de)所(suo)陳述的(de)特征、整體、步驟、操作(zuo)、構(gou)件(jian)、元件(jian)和/或(huo)(huo)它們組成的(de)組，但不排除存在(zai)或(huo)(huo)添(tian)加一個或(huo)(huo)更多個其(qi)他特征、整體、步驟、操作(zuo)、構(gou)件(jian)、元件(jian)和/或(huo)(huo)它們組成的(de)組。

在下文中，將參(can)照示出實施例的(de)(de)(de)示意圖描述(shu)本(ben)公(gong)(gong)開的(de)(de)(de)實施例。在附圖中，示出了具有理(li)想形(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)組(zu)(zu)件(jian)。然(ran)而，例如(ru)，由制(zhi)造(zao)技(ji)術和/或(huo)公(gong)(gong)差的(de)(de)(de)可變(bian)(bian)性(xing)導致的(de)(de)(de)這(zhe)些理(li)想形(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)變(bian)(bian)形(xing)也落(luo)入到本(ben)公(gong)(gong)開的(de)(de)(de)范圍內(nei)。因此，本(ben)公(gong)(gong)開的(de)(de)(de)實施例不應被解(jie)釋(shi)為局限于(yu)在此示出的(de)(de)(de)區域的(de)(de)(de)特定形(xing)狀(zhuang)，而是應被更(geng)普(pu)遍地(di)解(jie)釋(shi)為包括由于(yu)制(zhi)造(zao)方法或(huo)工藝導致的(de)(de)(de)形(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)改變(bian)(bian)。下面(mian)的(de)(de)(de)實施例還(huan)可由實施例中的(de)(de)(de)一個或(huo)其組(zu)(zu)合構成。

本(ben)公開描述了各(ge)種構造(zao)，在這里僅(jin)示出(chu)了示例性構造(zao)。然而，本(ben)公開不限于這里所(suo)示出(chu)的特定示例性構造(zao)，而是還擴展到其(qi)他相似/類似構造(zao)。

電子裝置

圖(tu)1是(shi)示意性示出在電子裝置(zhi)中使(shi)用的線圈組件的示例的示圖(tu)。

參照(zhao)圖(tu)1，可(ke)領會的(de)(de)(de)(de)是，在(zai)(zai)電(dian)(dian)子(zi)裝(zhuang)(zhuang)置中可(ke)使用(yong)各(ge)種電(dian)(dian)子(zi)組(zu)(zu)件(jian)。例(li)如(ru)，除了(le)各(ge)種線(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)之外，圖(tu)1的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)裝(zhuang)(zhuang)置還(huan)包(bao)括下(xia)列組(zu)(zu)件(jian)中的(de)(de)(de)(de)一個(ge)或更(geng)多(duo)個(ge)：應用(yong)處理器(qi)(qi)(qi)(qi)、直流(DC)到DC(DC/DC)的(de)(de)(de)(de)轉(zhuan)換器(qi)(qi)(qi)(qi)、諸如(ru)用(yong)于(yu)蜂窩射頻(RF)通信(xin)的(de)(de)(de)(de)通信(xin)處理器(qi)(qi)(qi)(qi)、一個(ge)或更(geng)多(duo)個(ge)收發器(qi)(qi)(qi)(qi)(被構(gou)造為使用(yong)無線(xian)局域網(WLAN)、藍牙(BT)、無線(xian)保真(WiFi)、頻率調制(FM)、全(quan)球定(ding)位系(xi)統(GPS)和/或近場通信(xin)(NFC)標(biao)準進行通信(xin))、電(dian)(dian)源管(guan)理集成電(dian)(dian)路(PMIC)、電(dian)(dian)池(chi)、開關(guan)模(mo)式電(dian)(dian)池(chi)充電(dian)(dian)器(qi)(qi)(qi)(qi)(SMBC)、液晶顯示(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)(LCD)和/或有源矩陣有機發光(guang)二極管(guan)(AMOLED)顯示(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)、音頻編解(jie)碼(ma)器(qi)(qi)(qi)(qi)、通用(yong)串行總線(xian)(USB)2.0/3.0接(jie)口和/或高清晰度多(duo)媒體接(jie)口(HDMI)和條件(jian)接(jie)收模(mo)塊(CAM)等(deng)(deng)。這里(li)，各(ge)種線(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)可(ke)適于(yu)根據它(ta)們的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)而用(yong)在(zai)(zai)這些電(dian)(dian)子(zi)組(zu)(zu)件(jian)之間(jian)和/或用(yong)在(zai)(zai)組(zu)(zu)件(jian)中，以去(qu)除噪聲(sheng)等(deng)(deng)。例(li)如(ru)，電(dian)(dian)子(zi)裝(zhuang)(zhuang)置可(ke)包(bao)括一個(ge)或更(geng)多(duo)個(ge)電(dian)(dian)力電(dian)(dian)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)1、高頻(HF)電(dian)(dian)感(gan)器(qi)(qi)(qi)(qi)2、普(pu)通磁(ci)珠(zhu)3、用(yong)于(yu)高頻(例(li)如(ru)，GHz)應用(yong)程序的(de)(de)(de)(de)磁(ci)珠(zhu)4和共模(mo)濾波(bo)器(qi)(qi)(qi)(qi)5等(deng)(deng)。

詳細地(di)，電(dian)(dian)力電(dian)(dian)感器1可(ke)用(yong)于(yu)(yu)(yu)以磁(ci)場(chang)形式存儲電(dian)(dian)力，以保持輸(shu)出電(dian)(dian)壓，從而使電(dian)(dian)力穩(wen)定(ding)。此外，高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(HF)電(dian)(dian)感器2可(ke)用(yong)于(yu)(yu)(yu)執行阻抗(kang)匹配以確保所需(xu)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)或(huo)切斷噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)和(he)交流(liu)(AC)成分。此外，普(pu)通(tong)(tong)磁(ci)珠(zhu)(zhu)3可(ke)用(yong)于(yu)(yu)(yu)去除電(dian)(dian)線(xian)和(he)信號線(xian)的(de)(de)噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)或(huo)者去除高(gao)頻(pin)(pin)(pin)波(bo)紋。此外，用(yong)于(yu)(yu)(yu)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(例如，GHz)應用(yong)程(cheng)序的(de)(de)磁(ci)珠(zhu)(zhu)4可(ke)用(yong)于(yu)(yu)(yu)去除與音頻(pin)(pin)(pin)有關的(de)(de)電(dian)(dian)線(xian)和(he)信號線(xian)的(de)(de)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)。此外，共(gong)模濾波(bo)器5可(ke)用(yong)于(yu)(yu)(yu)使電(dian)(dian)流(liu)以不同(tong)的(de)(de)模式通(tong)(tong)過(guo)并僅(jin)僅(jin)去除共(gong)模噪(zao)(zao)聲(sheng)(sheng)。

電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)的典(dian)型示(shi)例可(ke)(ke)以是智能手(shou)機(ji)(ji)，但不限于此(ci)。電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)還可(ke)(ke)以是例如個人數(shu)字助理、數(shu)碼攝影(ying)機(ji)(ji)、數(shu)字靜(jing)態照相機(ji)(ji)、網(wang)絡系統、計(ji)算機(ji)(ji)、監視器、電(dian)(dian)視機(ji)(ji)、視頻游(you)戲(xi)或智能手(shou)表等(deng)。除(chu)了上述電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)之外，電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)還可(ke)(ke)以是各種(zhong)其(qi)他電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)。

線圈組件

在下文中(zhong)，為了方便解(jie)釋，將描述(shu)本公開的(de)線圈組件(jian)(jian)(具體地，是電感(gan)器(qi))。然而，線圈組件(jian)(jian)可以可選地表示為上述(shu)其他線圈組件(jian)(jian)中(zhong)任(ren)何(he)一種的(de)形式。

圖2是示出線圈組件的示例的示意性(xing)透(tou)視圖。

圖3是(shi)圖2的線圈組件(jian)的沿I-I′線截取的示意性截面(mian)圖。

圖(tu)4是圖(tu)3的線圈組件的區(qu)域A的示意性截面放大圖(tu)。

參照圖2至圖4，根據示例(li)的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈組件10A可具有使線(xian)(xian)(xian)(xian)圈部(bu)(bu)(bu)200設(she)置(zhi)在包(bao)含(han)磁性材料的(de)(de)主(zhu)體部(bu)(bu)(bu)100中的(de)(de)結(jie)構。電(dian)連接(jie)到線(xian)(xian)(xian)(xian)圈部(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)電(dian)極(ji)部(bu)(bu)(bu)300可設(she)置(zhi)在主(zhu)體部(bu)(bu)(bu)100的(de)(de)外表面上。線(xian)(xian)(xian)(xian)圈部(bu)(bu)(bu)200可包(bao)括支(zhi)撐(cheng)構件230以及設(she)置(zhi)在支(zhi)撐(cheng)構件230的(de)(de)兩(liang)個表面上的(de)(de)多個線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)211、212、221和222。設(she)置(zhi)在支(zhi)撐(cheng)構件230的(de)(de)兩(liang)個表面上并分(fen)別覆蓋(gai)形(xing)成(cheng)(cheng)在內部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)第(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)211和221中的(de)(de)對應的(de)(de)一個的(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)213和223可分(fen)別設(she)置(zhi)在形(xing)成(cheng)(cheng)在上部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)第(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)211與第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)212之間和形(xing)成(cheng)(cheng)在下部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)第(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)221與第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈層(ceng)(ceng)222之間。

主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)形(xing)成線圈(quan)組件(jian)10A的(de)(de)(de)(de)外型。主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)具(ju)有(you)(you)在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)方向(xiang)上(shang)背對彼(bi)此(ci)(ci)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)表(biao)(biao)面(mian)(mian)和第(di)(di)二表(biao)(biao)面(mian)(mian)、在(zai)(zai)第(di)(di)二方向(xiang)上(shang)背對彼(bi)此(ci)(ci)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)三表(biao)(biao)面(mian)(mian)和第(di)(di)四表(biao)(biao)面(mian)(mian)以及在(zai)(zai)第(di)(di)三方向(xiang)上(shang)背對彼(bi)此(ci)(ci)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)五表(biao)(biao)面(mian)(mian)和第(di)(di)六(liu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)。主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)具(ju)有(you)(you)近似六(liu)面(mian)(mian)體(ti)(ti)(ti)形(xing)狀，但(dan)不限于(yu)此(ci)(ci)。第(di)(di)一(yi)至第(di)(di)六(liu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)彼(bi)此(ci)(ci)相交處的(de)(de)(de)(de)六(liu)個(ge)拐角(jiao)(jiao)可(ke)(ke)(ke)(ke)通過(guo)研磨等倒圓角(jiao)(jiao)。主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)包(bao)括具(ju)有(you)(you)磁(ci)性(xing)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)性(xing)材料。例如(ru)，主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)通過(guo)使鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)和/或磁(ci)性(xing)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒在(zai)(zai)樹脂(zhi)(zhi)中混合而形(xing)成。鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)可(ke)(ke)(ke)(ke)以是諸如(ru)Mn-Zn基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)、Ni-Zn基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)、Ni-Zn-Cu基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)、Mn-Mg基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)、Ba基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)或Li基(ji)(ji)(ji)鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)等的(de)(de)(de)(de)材料。磁(ci)性(xing)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)(ke)包(bao)括從由鐵(tie)(tie)(Fe)、硅(Si)、鉻(Cr)、鋁(Al)和鎳(Ni)組成的(de)(de)(de)(de)組中選擇的(de)(de)(de)(de)一(yi)種或更(geng)多(duo)種。例如(ru)，磁(ci)性(xing)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)(ke)以是Fe-Si-B-Cr基(ji)(ji)(ji)非晶態金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒，但(dan)是不一(yi)定限于(yu)此(ci)(ci)。磁(ci)性(xing)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)(ke)具(ju)有(you)(you)大(da)(da)約0.1μm至30μm的(de)(de)(de)(de)直徑。主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100可(ke)(ke)(ke)(ke)具(ju)有(you)(you)使使鐵(tie)(tie)氧(yang)(yang)體(ti)(ti)(ti)和/或磁(ci)性(xing)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)顆(ke)(ke)粒分布在(zai)(zai)諸如(ru)環氧(yang)(yang)樹脂(zhi)(zhi)或聚(ju)酰亞胺樹脂(zhi)(zhi)等熱固性(xing)樹脂(zhi)(zhi)中的(de)(de)(de)(de)形(xing)式(shi)。主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100的(de)(de)(de)(de)厚度T(和主(zhu)(zhu)體(ti)(ti)(ti)部(bu)(bu)100的(de)(de)(de)(de)其(qi)(qi)他尺寸)可(ke)(ke)(ke)(ke)根據(ju)其(qi)(qi)中使用了線圈(quan)組件(jian)的(de)(de)(de)(de)電子(zi)裝置的(de)(de)(de)(de)特(te)性(xing)而改(gai)變，并可(ke)(ke)(ke)(ke)以是大(da)(da)約500μm至900μm，但(dan)不限于(yu)此(ci)(ci)。

線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)(bu)200可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)通(tong)過線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)組(zu)件(jian)(jian)10A的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)中(zhong)顯示(shi)的(de)(de)(de)性能(neng)執(zhi)行電子(zi)裝置中(zhong)的(de)(de)(de)各種(zhong)功能(neng)。例如，線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)組(zu)件(jian)(jian)10A可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以是功率電感器。在這種(zhong)情況下，線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)(bu)200可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)用于(yu)以磁(ci)場形(xing)式存儲電力，以保(bao)持(chi)輸(shu)出電壓(ya)，從而使(shi)電力穩定。分(fen)(fen)別(bie)堆(dui)疊(die)在支(zhi)撐構件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)的(de)(de)(de)多個(ge)(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211、212、221和(he)(he)(he)(he)222可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)通(tong)過貫穿支(zhi)撐構件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)過孔234彼此(ci)電連(lian)接。多個(ge)(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211、212、221和(he)(he)(he)(he)222中(zhong)的(de)(de)(de)設置在內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221以及多個(ge)(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211、212、221和(he)(he)(he)(he)222中(zhong)的(de)(de)(de)設置在外部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)通(tong)過貫穿設置在線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211與(yu)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)212之間的(de)(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)213的(de)(de)(de)過孔214以及線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)221和(he)(he)(he)(he)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)222之間的(de)(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)223的(de)(de)(de)過孔224彼此(ci)電連(lian)接。其結果是，多個(ge)(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211、212、221和(he)(he)(he)(he)222可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)電連(lian)接到彼此(ci)，以形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)一(yi)(yi)個(ge)(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)。通(tong)孔105可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)在線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)(de)中(zhong)央部(bu)(bu)(bu)(bu)。通(tong)孔105可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)填充有構成(cheng)(cheng)(cheng)主(zhu)體(ti)部(bu)(bu)(bu)(bu)100的(de)(de)(de)磁(ci)性材(cai)料(liao)。線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)(bu)200可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)包括：第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221，形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)在支(zhi)撐構件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)各個(ge)(ge)背對(dui)的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)，即(ji)，堆(dui)疊(die)在內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)；第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222，形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)在絕緣層(ceng)(ceng)213和(he)(he)(he)(he)223上(shang)，即(ji)，分(fen)(fen)別(bie)堆(dui)疊(die)在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211頂部(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)(he)(he)(he)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)221下面(mian)(mian)上(shang)的(de)(de)(de)外部(bu)(bu)(bu)(bu)。絕緣層(ceng)(ceng)213和(he)(he)(he)(he)223可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)分(fen)(fen)別(bie)設置在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211與(yu)第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)212之間和(he)(he)(he)(he)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)221與(yu)第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)222之間。第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)分(fen)(fen)別(bie)被絕緣膜215和(he)(he)(he)(he)225所覆(fu)蓋(gai)。

第一線圈層211和221的線圈圖案的導體的截面部分可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁)，其中，h₁是與支撐構件230的使第一線圈層211和221設置在其上的背對的表面正交進行測量的，w₁是與所述背對的表面平行進行測量的)。第二線圈層212和222的線圈圖案的導體的截面部分可具有大于1的高寬比(AR)(厚度h₂與寬度w₂的比(h₂/w₂)，其中，h₂是與支撐構件230的使第一線圈層211和221設置在其上的背對的表面正交進行測量的，w₂是與所述背對的表面平行進行測量的)。也就是說，在根據示例的線圈組件10A中，第一線圈層211和221以及第二線圈層212和222的線圈圖案的導體的截面部分可彼此不同。例如，第一線圈層211和221的線圈圖案的導體的截面部分可具有大約的160μm至190μm的寬度w₁和大約60μm至90μm的厚度h₁，第二線圈層212和222的線圈圖案的導體的截面部分可具有大約的60μm至90μm寬度w₂和大約90μm至120μm的厚度h₂。

同時，在諸如電感器的線圈組件的主要特性中，直流(DC)阻抗R_dc特性可隨著線圈部200的截面面積增大而減小。此外，電感可隨著主體部100中的使磁通量通過的磁性區域的面積增大而變大。因此，為了減小DC阻抗R_dc并增加電感，需要增大線圈部200的截面面積，并且需要增大磁性區域的面積。作為增加線圈部200的截面面積的方法，具有增大線圈圖案的導體的寬度(例如，w₁和w₂)的方法以及增大線圈圖案的導體的厚度(例如，h₁和h₂)的(de)(de)(de)(de)方法。然而(er)，在僅(jin)僅(jin)增大線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案的(de)(de)(de)(de)導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下，具有將(jiang)出現(xian)(xian)在相鄰的(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案之(zhi)間短路(lu)的(de)(de)(de)(de)風險(xian)。此(ci)外，在可實(shi)現(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案的(de)(de)(de)(de)匝(za)數方面(mian)(mian)產(chan)生(sheng)限(xian)(xian)(xian)制(zhi)(zhi)，并(bing)減小了磁性(xing)區域占據的(de)(de)(de)(de)面(mian)(mian)積，使得效率降低，并(bing)且，還在實(shi)現(xian)(xian)高電感產(chan)品方面(mian)(mian)產(chan)生(sheng)限(xian)(xian)(xian)制(zhi)(zhi)。為(wei)了克服這(zhe)些限(xian)(xian)(xian)制(zhi)(zhi)，已經需要(yao)在不增大線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下通過增大線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)厚度而(er)獲得的(de)(de)(de)(de)具有高的(de)(de)(de)(de)高寬比的(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案導體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)實(shi)現(xian)(xian)。

同(tong)時(shi)(shi)，圖(tu)34是示(shi)出使應用了各向(xiang)(xiang)同(tong)性(xing)鍍(du)(du)覆(fu)技術的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組件的(de)(de)(de)(de)示(shi)例的(de)(de)(de)(de)示(shi)意圖(tu)。應用了各向(xiang)(xiang)同(tong)性(xing)鍍(du)(du)覆(fu)技術的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組件可通過下述(shu)方法(fa)來制造：例如，通過各向(xiang)(xiang)同(tong)性(xing)鍍(du)(du)覆(fu)技術在(zai)(zai)(zai)支撐構(gou)件1030的(de)(de)(de)(de)背對的(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian)上(shang)形成均呈平(ping)面(mian)(mian)線(xian)(xian)圈(quan)形狀的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)1021和1022；使用磁性(xing)材料包埋線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)1021和1022，以(yi)形成主體(ti)部1010；在(zai)(zai)(zai)主體(ti)部1010的(de)(de)(de)(de)外表面(mian)(mian)上(shang)形成分別電連接到線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)1021和1022的(de)(de)(de)(de)外電極(ji)1041和1042。然(ran)而，由于在(zai)(zai)(zai)執(zhi)行電鍍(du)(du)方法(fa)的(de)(de)(de)(de)同(tong)時(shi)(shi)執(zhi)行鍍(du)(du)覆(fu)，使得(de)線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)在(zai)(zai)(zai)厚度方向(xiang)(xiang)和寬度方向(xiang)(xiang)同(tong)時(shi)(shi)生長，因此(ci)各向(xiang)(xiang)同(tong)性(xing)鍍(du)(du)覆(fu)技術在(zai)(zai)(zai)實現如圖(tu)34所示(shi)的(de)(de)(de)(de)高(gao)的(de)(de)(de)(de)高(gao)寬比方面(mian)(mian)存在(zai)(zai)(zai)限制。

同時圖35是示(shi)出(chu)應(ying)用了(le)各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)鍍(du)覆技(ji)術的(de)(de)(de)線(xian)圈(quan)(quan)組件(jian)的(de)(de)(de)示(shi)例的(de)(de)(de)示(shi)意圖。應(ying)用了(le)各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)鍍(du)覆技(ji)術的(de)(de)(de)線(xian)圈(quan)(quan)組件(jian)可(ke)通過下(xia)面的(de)(de)(de)方向(xiang)(xiang)來制造：例如，通過各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)鍍(du)覆技(ji)術在(zai)(zai)支撐構件(jian)2030的(de)(de)(de)背(bei)對的(de)(de)(de)表(biao)面上(shang)形(xing)(xing)成分(fen)別(bie)具有平面線(xian)圈(quan)(quan)形(xing)(xing)狀的(de)(de)(de)線(xian)圈(quan)(quan)圖案2021和(he)(he)2022；使用磁性(xing)材料包埋(mai)線(xian)圈(quan)(quan)圖案2021和(he)(he)2022，以(yi)形(xing)(xing)成主體部(bu)2010；在(zai)(zai)主體部(bu)2010的(de)(de)(de)外表(biao)面上(shang)形(xing)(xing)成分(fen)別(bie)電連接到線(xian)圈(quan)(quan)圖案2021和(he)(he)2022的(de)(de)(de)外電極(ji)2041和(he)(he)2042。然(ran)而，在(zai)(zai)應(ying)用了(le)各向(xiang)(xiang)異(yi)(yi)性(xing)鍍(du)覆技(ji)術的(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)，雖然(ran)可(ke)實現高的(de)(de)(de)高寬(kuan)比，但由于高寬(kuan)比的(de)(de)(de)增(zeng)大會導致鍍(du)覆生長的(de)(de)(de)均勻性(xing)降低，并且鍍(du)覆厚度的(de)(de)(de)分(fen)布(bu)變(bian)寬(kuan)，使得(de)會容易出(chu)現相鄰線(xian)圈(quan)(quan)繞(rao)組或(huo)圖案之間的(de)(de)(de)短路(lu)。

另一方面，作為根據示例的線圈組件10A，在第一線圈層211和221的線圈圖案導體的高寬比小于1的情況下，可在用于形成線圈圖案的工藝技術所允許的分布之內自由地調整線圈圖案的寬度和高度，使得線圈圖案導體的均勻性可以是優異的，并且，線圈圖案導體可在寬度方向上變寬，使得線圈部的導體的截面面積增加，從而可實現低DC阻抗R_dc特性(xing)。此外，在第(di)二線(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)212和(he)222的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)導(dao)體(ti)的(de)(de)(de)(de)高寬比大(da)于1的(de)(de)(de)(de)情(qing)況下，第(di)二線(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)212和(he)222的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)可(ke)在相同的(de)(de)(de)(de)平(ping)面(mian)上均具有比第(di)一線(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)211和(he)221的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)的(de)(de)(de)(de)匝(或(huo)(huo)繞組(zu))數(shu)(shu)更高的(de)(de)(de)(de)匝(或(huo)(huo)繞組(zu))數(shu)(shu)。也就(jiu)是(shi)說，形成線(xian)(xian)圈(quan)部的(de)(de)(de)(de)各個(ge)繞組(zu)的(de)(de)(de)(de)導(dao)體(ti)的(de)(de)(de)(de)截(jie)面(mian)面(mian)積減小，但可(ke)進一步增加匝(或(huo)(huo)繞組(zu))數(shu)(shu)，這對實現高電感(gan)特別有利。

此外(wai)，在根據示例的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)組件(jian)10A中，第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)211和(he)221的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)圖(tu)案(an)導(dao)體的(de)(de)高(gao)寬(kuan)比可(ke)小于1，使得(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)211和(he)221的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)圖(tu)案(an)導(dao)體的(de)(de)厚度(du)可(ke)以基本上是薄(bo)的(de)(de)，第(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)212和(he)222的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)圖(tu)案(an)導(dao)體的(de)(de)高(gao)寬(kuan)比可(ke)大(da)于1，但第(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)212和(he)222的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)圖(tu)案(an)導(dao)體的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)寬(kuan)本身可(ke)薄(bo)薄(bo)地(di)實現，使得(de)第(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)212和(he)222的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)圖(tu)案(an)導(dao)體的(de)(de)寬(kuan)度(du)可(ke)以不是非(fei)常厚。此外(wai)，為了具有足夠的(de)(de)匝(或(huo)繞組)數，各個(ge)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)211、221、212和(he)222可(ke)形成為在水平(ping)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(即，第(di)一(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)和(he)/或(huo)第(di)二(er)(er)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)(例如(ru)，與支撐構件(jian)230的(de)(de)使第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)211和(he)221設(she)置在其上的(de)(de)背對的(de)(de)表面(mian)平(ping)行的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)))上盡(jin)可(ke)能多地(di)利用空(kong)間(jian)。也(ye)就是說，在豎直(zhi)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)上堆疊的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)211和(he)221以及第(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)212和(he)222可(ke)具有重疊的(de)(de)區域(yu)。因此，可(ke)實現薄(bo)的(de)(de)并(bing)具有足夠的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)特性的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)組件(jian)。

第一線圈層211和221的線圈圖案導體可具有如上所述的小于1的高寬比(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁))。此外，第一線圈層211和221的線圈圖案的匝(或繞組)數可以是一匝。這里，匝數是一匝的含義是匝數等于或小于1(例如，不完全匝)。另一方面，第二線圈層212和222的線圈圖案導體可具有如上所述的大于1的高寬比(厚度h₂與寬度w₂的比(h₂/w₂))。此(ci)外，第(di)二線(xian)(xian)圈(quan)(quan)層212和222的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案的匝(za)(za)(或繞組)數(shu)可以是(shi)多匝(za)(za)。這里，匝(za)(za)數(shu)是(shi)多匝(za)(za)的含(han)義是(shi)匝(za)(za)數(shu)大(da)于1。因此(ci)，如上所述(shu)，線(xian)(xian)圈(quan)(quan)部的截面面積減小，但可進一步增加匝(za)(za)數(shu)，這樣對實現(xian)高電感特別有利。

當(dang)第一線(xian)圈(quan)(quan)層211和(he)(he)221的線(xian)圈(quan)(quan)圖(tu)案(an)的匝數(shu)是x并且(qie)第二線(xian)圈(quan)(quan)層212和(he)(he)222的線(xian)圈(quan)(quan)圖(tu)案(an)的匝數(shu)是y時，y與x的比(bi)(y/x)可(ke)(ke)(ke)以是2或更(geng)大。例如，y與x的比(bi)(y/x)可(ke)(ke)(ke)以是大約(yue)2至3(或者在2至3的范(fan)圍)。在這(zhe)種情況下，可(ke)(ke)(ke)克服(fu)各向同(tong)性鍍覆技術(shu)和(he)(he)各向異性鍍覆技術(shu)的缺點，可(ke)(ke)(ke)增(zeng)加匝數(shu)，使得可(ke)(ke)(ke)實現更(geng)高水平的電感(gan)。

在(zai)(zai)附圖中(zhong)(zhong)僅僅示出了(le)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221以及第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222，但還可(ke)在(zai)(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222上形成(cheng)(例如(ru)，在(zai)(zai)其上和(he)(he)/或其下(xia)堆疊)額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)，其中(zhong)(zhong)形成(cheng)了(le)過孔的(de)(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)設置在(zai)(zai)額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222之間，使得額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222可(ke)彼(bi)此(ci)電連接。在(zai)(zai)這種情況下(xia)，可(ke)將與第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221或第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222相同的(de)(de)(de)成(cheng)分或材料(liao)應(ying)用到額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)。此(ci)外(wai)(wai)(wai)，額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)還可(ke)形成(cheng)在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221與第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222之間，其中(zhong)(zhong)形成(cheng)過孔的(de)(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)設置在(zai)(zai)額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221或第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222之間，使得額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)(he)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221或第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222可(ke)彼(bi)此(ci)電連接。在(zai)(zai)這種情況下(xia)，可(ke)將與第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)221或第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)222相同的(de)(de)(de)成(cheng)分或材料(liao)應(ying)用到額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)。

只要支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230可(ke)支(zhi)(zhi)撐多個線圈層211、212、221和(he)222，不具體地限定(ding)支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230的(de)(de)材料或(huo)種(zhong)類。例如(ru)，支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230可(ke)以(yi)是(shi)覆(fu)銅板(ban)(ban)(CCL)、聚(ju)丙二醇(chun)(PPG)基(ji)板(ban)(ban)、鐵氧體基(ji)板(ban)(ban)或(huo)金屬(shu)基(ji)軟(ruan)磁基(ji)板(ban)(ban)等。此(ci)外，支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230可(ke)以(yi)是(shi)由絕緣(yuan)樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)形成(cheng)的(de)(de)絕緣(yuan)基(ji)板(ban)(ban)。絕緣(yuan)樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)可(ke)以(yi)是(shi)諸如(ru)環(huan)氧樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)熱(re)固性樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)、諸如(ru)聚(ju)酰亞胺樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)熱(re)塑(su)性樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)、具有浸漬在(zai)熱(re)固性樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)和(he)熱(re)塑(su)性樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)中的(de)(de)諸如(ru)玻璃纖維或(huo)無機填充劑的(de)(de)加強材料的(de)(de)樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)(諸如(ru)半固化片、ABF(Ajinomoto Build up Film)、FR-4、雙(shuang)馬來(lai)酰亞胺三嗪(BT)樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)或(huo)光可(ke)成(cheng)像電介質(PID，photo-imageable dielectric)樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi))等。包括玻璃纖維和(he)環(huan)氧樹(shu)(shu)(shu)(shu)脂(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)絕緣(yuan)基(ji)板(ban)(ban)可(ke)用于(yu)(yu)剛度保持方面，但(dan)不限于(yu)(yu)此(ci)。支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230的(de)(de)厚度T(例如(ru)，支(zhi)(zhi)撐構(gou)件(jian)230的(de)(de)最小(xiao)尺寸(cun))可(ke)以(yi)是(shi)80μm或(huo)更小(xiao)，優選(xuan)60μm或(huo)更小(xiao)，更優選(xuan)40μm或(huo)更小(xiao)，但(dan)不限于(yu)(yu)此(ci)。

當支撐構件230的厚度是H并且主體部100的厚度是T時，H與T的比(H/T)可以是0.15或更小，例如，大約0.05至0.10。在支撐構件230的厚度在主體部100中所占的比例大于0.15時，設置在線圈部200的上部和下部的磁性材料的厚度會變得相對地薄，這樣會導致電感減小。此外，隨著支撐構件230的厚度增加，形成在支撐構件230中并延伸穿過支撐構件230的過孔234的厚度增加，使得堆疊在支撐構件230的背對的表面上多個線圈層211、212、221和222之間的電流路徑增加。其結果是，會減小電感和DC阻抗R_dc等。然(ran)而，為了保持剛度，支撐構件(jian)230的厚度過薄(bo)可能(neng)是不利的。

貫穿(chuan)支撐(cheng)構件(jian)230的(de)(de)過(guo)(guo)孔(kong)234的(de)(de)形(xing)(xing)狀或材(cai)料(liao)不受(shou)具體限制，只要(yao)過(guo)(guo)孔(kong)234可(ke)(ke)使(shi)設(she)置在支撐(cheng)構件(jian)230的(de)(de)背(bei)對(dui)的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)上(shang)的(de)(de)第一(yi)線圈層(ceng)211和221電連(lian)接即可(ke)(ke)。也就是(shi)(shi)說，第一(yi)線圈層(ceng)211可(ke)(ke)設(she)置在支撐(cheng)構件(jian)230的(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)面(mian)或部(bu)分中(zhong)，第一(yi)線圈層(ceng)221可(ke)(ke)設(she)置在支撐(cheng)構件(jian)230的(de)(de)下表(biao)(biao)面(mian)或部(bu)分中(zhong)，第一(yi)線圈層(ceng)211和221可(ke)(ke)通過(guo)(guo)過(guo)(guo)孔(kong)234彼此電連(lian)接。這(zhe)里，上(shang)部(bu)和下部(bu)是(shi)(shi)相對(dui)于如(ru)(ru)圖(tu)指示的(de)(de)第三方向(xiang)確定的(de)(de)。過(guo)(guo)孔(kong)234可(ke)(ke)具有各種不同形(xing)(xing)狀中(zhong)的(de)(de)任何形(xing)(xing)狀。例(li)如(ru)(ru)，過(guo)(guo)孔(kong)234可(ke)(ke)具有諸如(ru)(ru)直(zhi)徑(jing)從上(shang)表(biao)(biao)面(mian)朝向(xiang)下表(biao)(biao)面(mian)減小(xiao)或增加(jia)的(de)(de)錐(zhui)形(xing)(xing)、直(zhi)徑(jing)從上(shang)表(biao)(biao)面(mian)朝向(xiang)下表(biao)(biao)面(mian)基本上(shang)一(yi)致的(de)(de)圓柱形(xing)(xing)和漏斗形(xing)(xing)等的(de)(de)任何形(xing)(xing)狀。此外(wai)，諸如(ru)(ru)銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(nie)(Ni)、鉛(qian)(Pd)或它(ta)們的(de)(de)合金等的(de)(de)導電材(cai)料(liao)可(ke)(ke)用作(zuo)過(guo)(guo)孔(kong)234的(de)(de)材(cai)料(liao)。

絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223可(ke)(ke)用于(yu)分別使第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211與(yu)第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212以(yi)(yi)及第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221與(yu)第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)222彼此絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)。絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223可(ke)(ke)是(shi)(shi)包(bao)括絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)材料的(de)(de)(de)(de)堆積膜(build-up film)。例(li)如，諸(zhu)如環氧樹脂(zhi)的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)固(gu)性(xing)樹脂(zhi)、諸(zhu)如聚酰亞胺(an)樹脂(zhi)的(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)塑性(xing)樹脂(zhi)或者諸(zhu)如ABF的(de)(de)(de)(de)具有浸漬在(zai)熱(re)(re)固(gu)性(xing)樹脂(zhi)和(he)熱(re)(re)塑性(xing)樹脂(zhi)中的(de)(de)(de)(de)諸(zhu)如無機填充劑(ji)的(de)(de)(de)(de)加強材料的(de)(de)(de)(de)樹脂(zhi)等可(ke)(ke)用作絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223。可(ke)(ke)選地，絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223可(ke)(ke)以(yi)(yi)是(shi)(shi)包(bao)含(han)光可(ke)(ke)成(cheng)像電(dian)介質(PID)樹脂(zhi)的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜。絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223可(ke)(ke)具有大于(yu)第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)221的(de)(de)(de)(de)厚度的(de)(de)(de)(de)厚度，以(yi)(yi)在(zai)分別覆蓋第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)221的(de)(de)(de)(de)同時足以(yi)(yi)使第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)221與(yu)第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)222絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)。第(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)221與(yu)第(di)二線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)222之間由于(yu)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)距離可(ke)(ke)以(yi)(yi)是(shi)(shi)例(li)如大約3μm至20μm，但不限于(yu)此。

只(zhi)要過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224可(ke)(ke)(ke)分別使(shi)第(di)(di)一線圈(quan)層(ceng)211與第(di)(di)二線圈(quan)層(ceng)212以及第(di)(di)一線圈(quan)層(ceng)221與第(di)(di)二線圈(quan)層(ceng)222彼此(ci)電(dian)連(lian)接，則不(bu)(bu)具體地限定貫(guan)穿絕(jue)(jue)緣層(ceng)213和(he)(he)(he)223的(de)(de)(de)過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224的(de)(de)(de)形(xing)狀(zhuang)或材(cai)料。過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224可(ke)(ke)(ke)具有各(ge)種不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)形(xing)狀(zhuang)中(zhong)的(de)(de)(de)任何形(xing)狀(zhuang)。例如，過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224可(ke)(ke)(ke)呈如上所述的(de)(de)(de)諸如錐形(xing)和(he)(he)(he)圓柱形(xing)等的(de)(de)(de)任何形(xing)狀(zhuang)。此(ci)外，諸如銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、錫(xi)(Sn)、金(Au)、鎳(nie)(Ni)、鉛(Pd)或它們的(de)(de)(de)合金等的(de)(de)(de)導電(dian)材(cai)料可(ke)(ke)(ke)用作過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224的(de)(de)(de)材(cai)料。絕(jue)(jue)緣層(ceng)213和(he)(he)(he)223的(de)(de)(de)厚度(例如，在第(di)(di)三方向上測量的(de)(de)(de))可(ke)(ke)(ke)通常比支撐構件230的(de)(de)(de)厚度薄。

絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜215和(he)(he)225可(ke)分別(bie)用(yong)于(yu)保護第二線圈(quan)層212和(he)(he)222。包含絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)材(cai)(cai)料(liao)(liao)的任何(he)材(cai)(cai)料(liao)(liao)可(ke)用(yong)作絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜215和(he)(he)225的材(cai)(cai)料(liao)(liao)。絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜215和(he)(he)225的材(cai)(cai)料(liao)(liao)可(ke)以(yi)是(shi)用(yong)于(yu)一般絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)涂層的絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層材(cai)(cai)料(liao)(liao)(例如，環氧樹脂、聚(ju)酰亞胺樹脂或液晶聚(ju)合物樹脂等(deng))，或者可(ke)以(yi)是(shi)光可(ke)成(cheng)像(xiang)電(dian)介質(zhi)(PID)樹脂等(deng)，但(dan)不限(xian)于(yu)此(ci)。絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜215和(he)(he)225可(ke)根據制造方法分別(bie)與(yu)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層213和(he)(he)223是(shi)一體(ti)的，但(dan)不限(xian)于(yu)此(ci)。

電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)部300可(ke)包(bao)(bao)括(kuo)設置(zhi)(zhi)在主體部100上(shang)(shang)的(de)第(di)一(yi)外(wai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)301和(he)第(di)二外(wai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)302，以便彼此分開并分別(bie)電(dian)(dian)(dian)連接到(dao)第(di)二線(xian)圈層(ceng)(ceng)212和(he)222的(de)各自的(de)引線(xian)端子(zi)(zi)。當電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)組(zu)件10A安裝(zhuang)在電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)中(zhong)(zhong)時，外(wai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)301和(he)302可(ke)用(yong)于使(shi)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)組(zu)件10A中(zhong)(zhong)的(de)線(xian)圈部200電(dian)(dian)(dian)連接到(dao)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)。外(wai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)301和(he)302可(ke)包(bao)(bao)括(kuo)例(li)如導(dao)電(dian)(dian)(dian)樹脂(zhi)層(ceng)(ceng)和(he)形(xing)成(cheng)(cheng)在導(dao)電(dian)(dian)(dian)樹脂(zhi)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)的(de)鍍覆層(ceng)(ceng)。導(dao)電(dian)(dian)(dian)樹脂(zhi)層(ceng)(ceng)可(ke)包(bao)(bao)括(kuo)從(cong)由銅(Cu)、鎳(nie)(Ni)和(he)銀(Ag)組(zu)成(cheng)(cheng)的(de)組(zu)中(zhong)(zhong)選(xuan)擇的(de)一(yi)種(zhong)或更多(duo)種(zhong)導(dao)電(dian)(dian)(dian)金屬(shu)以及(ji)熱固性樹脂(zhi)。鍍覆層(ceng)(ceng)可(ke)包(bao)(bao)括(kuo)從(cong)由鎳(nie)(Ni)、銅(Cu)和(he)錫(Sn)組(zu)成(cheng)(cheng)的(de)組(zu)中(zhong)(zhong)選(xuan)擇的(de)一(yi)種(zhong)或更多(duo)種(zhong)。例(li)如，鎳(nie)(Ni)層(ceng)(ceng)和(he)錫(Sn)層(ceng)(ceng)可(ke)順(shun)序地形(xing)成(cheng)(cheng)在鍍覆層(ceng)(ceng)中(zhong)(zhong)。

圖5是圖2的(de)線(xian)圈組件的(de)沿II-II′線(xian)截取的(de)示(shi)意性截面圖。

圖(tu)6是圖(tu)5的(de)線圈組件的(de)沿方(fang)向a觀(guan)察的(de)主體部的(de)示意(yi)性截面放大圖(tu)。

參照圖(tu)5和(he)(he)圖(tu)6，線圈部(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)(de)(de)(de)(de)右(you)側引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)可包括(kuo)支撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)、分(fen)別設置在(zai)支撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)(bu)和(he)(he)下部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)(he)223的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)以(yi)及(ji)設置在(zai)設置于(yu)上(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)線圈層(ceng)(ceng)212的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)。此外(wai)，線圈部(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)(de)(de)(de)(de)左側引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)可包括(kuo)支撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)、分(fen)別設置在(zai)支撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)(bu)和(he)(he)下部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)(he)223的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)以(yi)及(ji)設置在(zai)設置于(yu)下部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)223的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)線圈層(ceng)(ceng)222的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)。也就是說，線圈圖(tu)案的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)以(yi)連接到外(wai)電極301和(he)(he)302的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)線端子可通(tong)過支撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)230和(he)(he)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)(he)223來支撐。因此，線圈圖(tu)案的(de)(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)(yin)(yin)(yin)線端子可穩(wen)定(ding)地形(xing)成，并且可與外(wai)電極301和(he)(he)302具有良(liang)好的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)合力(li)。這(zhe)里，左和(he)(he)右(you)是關于(yu)圖(tu)5和(he)(he)圖(tu)6中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一方向限定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。此外(wai)，頂部(bu)(bu)(bu)(或(huo)上(shang)部(bu)(bu)(bu))和(he)(he)底部(bu)(bu)(bu)(或(huo)下部(bu)(bu)(bu))是關于(yu)圖(tu)5和(he)(he)圖(tu)6中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)三方向限定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。同(tong)時，盡管在(zai)圖(tu)6中省略(lve)了絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)215，但絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)215還(huan)可基本上(shang)保留在(zai)引(yin)(yin)(yin)(yin)出(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)截(jie)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)中。

此外，參照圖6，線圈部200的右側引出截面可具有寬度從頂部朝向底部減小的錐形。盡管未在圖6中示出，但線圈部200的左側引出截面還可具有寬度從底部朝向頂部減小的錐形。這里，底部和頂部是關于圖5和圖6中的第三方向限定的。這是因為，除了支撐構件230以及絕緣層213和223的支持線圈層211、221、212和222的區域之外的區域可在制造線圈組件10A和支撐構件230的同時通過切邊工藝等選擇性地去除。在這種情況下，包括絕緣材料的絕緣層213和223可能在去除工藝中更多地朝向其拐角進行去除。線圈層211、221、212和222可基本不被影響。上述引出截面的形狀指的是通過下述方向形成主體部100：通過在支撐構件230上堆疊絕緣層213和223并分別在絕緣層213和223上穩定地形成第二線圈層212和222而形成在堆疊方向上的其匝(或繞組)數增加的線圈部200之后，通過利用磁性材料盡可能多的填充空間并通過切邊工藝等來形成。因此，可制造減小了諸如在線圈圖案之間出現短路等缺陷的風險、確保線圈的均勻性以及DC阻抗R_dc并實現纖薄的線圈組件。

圖7是示出制造(zao)圖2的線圈組(zu)件的工藝的示例的流程圖。

參(can)照圖7，作為示(shi)例，可(ke)通過下述方(fang)法制造(zao)根據(ju)示(shi)例的線(xian)圈(quan)組件10A：使(shi)用支(zhi)撐構件230形成多個(ge)(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200，通過在(zai)多個(ge)(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200的上(shang)方(fang)和下方(fang)堆疊磁片(pian)來形成多個(ge)(ge)主(zhu)體部(bu)(bu)100，切割多個(ge)(ge)主(zhu)體部(bu)(bu)100，在(zai)各個(ge)(ge)單獨的主(zhu)體部(bu)(bu)100上(shang)形成電極部(bu)(bu)300。

當使用(yong)(yong)支(zhi)(zhi)撐(cheng)構(gou)(gou)件(jian)230時(shi)(shi)(shi)，可同時(shi)(shi)(shi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)多個(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200，并(bing)且可使用(yong)(yong)多個(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200同時(shi)(shi)(shi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)多個(ge)主(zhu)體部(bu)(bu)100。然后(hou)，可通(tong)過諸如切割工(gong)(gong)藝(yi)(yi)等(deng)的(de)(de)分離工(gong)(gong)藝(yi)(yi)同時(shi)(shi)(shi)制造(zao)(zao)多個(ge)線(xian)圈(quan)組件(jian)。也(ye)就是說，如上所述的(de)(de)制造(zao)(zao)線(xian)圈(quan)組件(jian)的(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)可有利于批量生產(chan)。可使用(yong)(yong)支(zhi)(zhi)撐(cheng)構(gou)(gou)件(jian)230的(de)(de)一(yi)個(ge)表面(mian)(mian)(mian)或兩(liang)個(ge)背(bei)對表面(mian)(mian)(mian)來形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)多個(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200。在使用(yong)(yong)支(zhi)(zhi)撐(cheng)構(gou)(gou)件(jian)230的(de)(de)兩(liang)個(ge)背(bei)對表面(mian)(mian)(mian)來形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)多個(ge)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200的(de)(de)情況(kuang)下，可通(tong)過利用(yong)(yong)諸如機械鉆(zhan)孔或激(ji)光鉆(zhan)孔等(deng)方法形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)穿透支(zhi)(zhi)撐(cheng)構(gou)(gou)件(jian)230的(de)(de)通(tong)孔然后(hou)通(tong)過鍍覆填充(chong)該通(tong)孔來形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)過孔234。下面(mian)(mian)(mian)將提供形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)線(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200的(de)(de)方法的(de)(de)更(geng)詳細的(de)(de)描述。

可(ke)在形(xing)成(cheng)(cheng)多(duo)個(ge)線圈部200之后通過(guo)在多(duo)個(ge)線圈部200上和下方堆疊(die)、層(ceng)壓并硬(ying)化磁(ci)片(pian)(pian)來(lai)形(xing)成(cheng)(cheng)多(duo)個(ge)主體部100。磁(ci)片(pian)(pian)可(ke)包含(han)如上所述的磁(ci)性材料，并可(ke)通過(guo)使(shi)磁(ci)性金屬(shu)顆粒、粘合(he)劑樹(shu)脂和溶劑等彼(bi)此混合(he)來(lai)制(zhi)(zhi)備漿料，然后通過(guo)刮片(pian)(pian)法在載(zai)體膜上以數十微米(例(li)如，10、20、50或90微米)的厚度來(lai)干燥漿料而制(zhi)(zhi)造成(cheng)(cheng)片(pian)(pian)狀。

可(ke)(ke)(ke)通過在(zai)主體(ti)部(bu)(bu)100的(de)(de)外表(biao)面(mian)上形(xing)成(cheng)外電極(ji)301和(he)(he)302來形(xing)成(cheng)電極(ji)部(bu)(bu)，以連接到(dao)線圈部(bu)(bu)200的(de)(de)暴(bao)露到(dao)主體(ti)部(bu)(bu)100的(de)(de)各個(ge)表(biao)面(mian)的(de)(de)各個(ge)引出截(jie)面(mian)。外電極(ji)301和(he)(he)302可(ke)(ke)(ke)由包(bao)含具有良好導電性的(de)(de)金屬(shu)的(de)(de)膏(gao)形(xing)成(cheng)，例如，包(bao)含鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)或(huo)(huo)銀(Ag)或(huo)(huo)者它(ta)們的(de)(de)合(he)金等(deng)的(de)(de)導電膏(gao)。此外，外電極(ji)301和(he)(he)302還可(ke)(ke)(ke)包(bao)括形(xing)成(cheng)在(zai)膏(gao)層上的(de)(de)鍍覆層。鍍覆層可(ke)(ke)(ke)包(bao)含從(cong)由鎳(Ni)、銅(Cu)和(he)(he)錫(Sn)組成(cheng)的(de)(de)組中(zhong)選(xuan)擇(ze)的(de)(de)一種或(huo)(huo)更多種。例如，可(ke)(ke)(ke)在(zai)鍍覆層中(zhong)順(shun)序地形(xing)成(cheng)鎳(Ni)層和(he)(he)錫(Sn)層。

圖(tu)8A至圖(tu)8F是示出用于形成(cheng)圖(tu)3的線圈(quan)部的工藝步驟(zou)的示例的示意(yi)圖(tu)。

圖9A至圖9F是(shi)示出用于形(xing)成圖5的(de)(de)線(xian)圈部的(de)(de)工(gong)藝步驟的(de)(de)示例的(de)(de)示意圖。

參照圖8A和圖9A，可制備支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230。只要(yao)支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230可支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)如上所述(shu)的(de)線圈層(ceng)(ceng)211、212、221和222，則(ze)不具(ju)(ju)體地限制支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230的(de)材料(liao)或種(zhong)類。支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230可具(ju)(ju)有(you)各自具(ju)(ju)有(you)較(jiao)寬面(mian)積的(de)兩個背對表(biao)面(mian)，以便出(chu)于批(pi)量(liang)生產(chan)的(de)目的(de)而可形(xing)成多個線圈部200。可在支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230上形(xing)成用作種(zhong)子(zi)層(ceng)(ceng)以形(xing)成線圈層(ceng)(ceng)211和221的(de)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(未示出(chu))。也就是(shi)說，支(zhi)(zhi)撐(cheng)(cheng)(cheng)構件(jian)(jian)230可以是(shi)覆銅板(CCL)。

參照圖(tu)8B和(he)(he)(he)圖(tu)9B，可(ke)(ke)分(fen)別在(zai)(zai)支(zhi)撐構(gou)(gou)件230的(de)(de)兩個背(bei)(bei)對表(biao)面上(shang)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211和(he)(he)(he)221。形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211和(he)(he)(he)221的(de)(de)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)不受具體地限定(ding)，而(er)是可(ke)(ke)以是光刻(ke)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)或(huo)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)。例如(ru)，在(zai)(zai)光刻(ke)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)中，可(ke)(ke)應用(yong)使(shi)用(yong)光刻(ke)膠的(de)(de)曝光和(he)(he)(he)顯影。此外(wai)，在(zai)(zai)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)中，可(ke)(ke)使(shi)用(yong)電(dian)解銅(tong)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)或(huo)無(wu)電(dian)銅(tong)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)等。更詳(xiang)細地，鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)可(ke)(ke)以是使(shi)用(yong)諸(zhu)如(ru)化學(xue)氣(qi)相沉積(ji)(CVD)物(wu)理氣(qi)相沉積(ji)(PVD)、濺射法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、減(jian)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)藝、加成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)藝、半(ban)加成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)藝(SAP)或(huo)改進(jin)的(de)(de)半(ban)加成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(MSAP)等的(de)(de)方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)的(de)(de)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)，但不限于(yu)(yu)此。同(tong)時，盡(jin)管(guan)未在(zai)(zai)圖(tu)8B和(he)(he)(he)圖(tu)9B中示(shi)出，但是，在(zai)(zai)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211和(he)(he)(he)221的(de)(de)同(tong)時，可(ke)(ke)通(tong)(tong)(tong)過(guo)利用(yong)諸(zhu)如(ru)機械鉆孔(kong)(kong)或(huo)激(ji)光鉆孔(kong)(kong)等方法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)穿(chuan)過(guo)支(zhi)撐構(gou)(gou)件230的(de)(de)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)然后(hou)通(tong)(tong)(tong)過(guo)鍍(du)(du)覆(fu)(fu)(fu)填充(chong)該通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)來形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)過(guo)孔(kong)(kong)234，并且分(fen)別設置在(zai)(zai)支(zhi)撐構(gou)(gou)件230的(de)(de)背(bei)(bei)對的(de)(de)表(biao)面上(shang)的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211和(he)(he)(he)221(即，設置在(zai)(zai)上(shang)部(bu)(bu)的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211和(he)(he)(he)設置在(zai)(zai)下部(bu)(bu)的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層221)可(ke)(ke)通(tong)(tong)(tong)過(guo)過(guo)孔(kong)(kong)234彼此電(dian)連接(jie)。這里(li)，上(shang)部(bu)(bu)和(he)(he)(he)下部(bu)(bu)是相對于(yu)(yu)附(fu)圖(tu)的(de)(de)第(di)三(san)方向(xiang)限定(ding)的(de)(de)。

參照圖(tu)8C和(he)圖(tu)9C，可在(zai)支撐構件(jian)230的(de)(de)兩(liang)個(ge)背對表面上(shang)堆疊絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)223，以分(fen)(fen)別覆(fu)蓋第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211和(he)221。形(xing)成(cheng)(cheng)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)223的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)不受(shou)具體地(di)限(xian)定(ding)。例(li)(li)如(ru)，可通過(guo)在(zai)其上(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)了第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211和(he)221的(de)(de)支撐構件(jian)230上(shang)層(ceng)(ceng)壓包含上(shang)述(shu)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜(precursor films)然后(hou)固(gu)化該前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)來形(xing)成(cheng)(cheng)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)223。可選地(di)，可通過(guo)將上(shang)述(shu)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料(liao)(liao)(liao)涂(tu)敷(fu)到形(xing)成(cheng)(cheng)了第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)211和(he)221的(de)(de)支撐構件(jian)230上(shang)然后(hou)使(shi)(shi)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料(liao)(liao)(liao)固(gu)化的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)來形(xing)成(cheng)(cheng)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)213和(he)223。例(li)(li)如(ru)，作(zuo)為層(ceng)(ceng)壓前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)，可使(shi)(shi)用諸(zhu)如(ru)在(zai)高溫下執行(xing)按壓前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜預(yu)定(ding)的(de)(de)時間的(de)(de)熱(re)壓工藝、使(shi)(shi)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜減壓然后(hou)使(shi)(shi)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜冷(leng)卻至室溫、在(zai)冷(leng)壓工藝中冷(leng)卻前(qian)(qian)驅(qu)(qu)膜然后(hou)使(shi)(shi)作(zuo)業工具分(fen)(fen)離(li)的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)等(deng)。作(zuo)為涂(tu)覆(fu)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)，可使(shi)(shi)用例(li)(li)如(ru)通過(guo)擠(ji)壓涂(tu)敷(fu)油(you)墨的(de)(de)絲網印刷(shua)法(fa)或者涂(tu)覆(fu)薄霧式油(you)墨的(de)(de)噴印法(fa)等(deng)。

參照圖(tu)(tu)8D和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)9D，可(ke)分(fen)別在(zai)(zai)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)(he)(he)223上形成(cheng)(cheng)第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222。形成(cheng)(cheng)第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222的(de)方法(fa)(fa)也不受具體地(di)限定，但是可(ke)以是如(ru)上所(suo)述的(de)光(guang)刻法(fa)(fa)或鍍覆(fu)法(fa)(fa)。同時，盡(jin)管(guan)圖(tu)(tu)8D和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)9D中未示出(chu)，但是，可(ke)在(zai)(zai)形成(cheng)(cheng)第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222時，通(tong)過(guo)利用(yong)諸如(ru)光(guang)刻法(fa)(fa)、機械鉆孔(kong)或激光(guang)鉆孔(kong)等方法(fa)(fa)形成(cheng)(cheng)穿過(guo)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)(he)(he)223的(de)通(tong)孔(kong)然后通(tong)過(guo)鍍覆(fu)填充該通(tong)孔(kong)來形成(cheng)(cheng)過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224，并(bing)且(qie)第一線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以及第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222可(ke)分(fen)別通(tong)過(guo)過(guo)孔(kong)214和(he)(he)(he)224彼(bi)此電連接。

參(can)照圖(tu)8E和圖(tu)9E，可形成(cheng)分別覆(fu)蓋第二線圈層212和222的絕(jue)緣膜215和225。形成(cheng)絕(jue)緣膜215和225的方(fang)法不受(shou)具(ju)體地限定，但可以是(shi)涂(tu)覆(fu)法。絕(jue)緣膜215和225可包含與絕(jue)緣層213和223的材料(liao)相同(tong)的材料(liao)。在這(zhe)種情(qing)況下，絕(jue)緣膜215和225可在固化(hua)后分別與絕(jue)緣層213和223是(shi)一(yi)體的，但不限于此。

參照(zhao)圖(tu)(tu)8F和圖(tu)(tu)9F，可(ke)使用修邊(bian)(bian)法等(deng)選擇性地去(qu)除除了線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200的(de)形成(cheng)(cheng)了線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層211、212、221和222之外的(de)區域。在(zai)這種情況(kuang)下(xia)，線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200的(de)中(zhong)央(yang)部(bu)(bu)(bu)分被取出，以便可(ke)形成(cheng)(cheng)通孔105。然后，可(ke)通過堆疊磁片等(deng)形成(cheng)(cheng)將(jiang)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200容納在(zai)其中(zhong)的(de)主(zhu)(zhu)體(ti)部(bu)(bu)(bu)100，并且(qie)，在(zai)使用切割工藝等(deng)在(zai)主(zhu)(zhu)體(ti)部(bu)(bu)(bu)100上(shang)執行切割時(shi)，可(ke)形成(cheng)(cheng)在(zai)其中(zhong)形成(cheng)(cheng)了線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200的(de)單獨(du)的(de)主(zhu)(zhu)體(ti)部(bu)(bu)(bu)100。修邊(bian)(bian)工藝和切割工藝的(de)結果部(bu)(bu)(bu)分地體(ti)現在(zai)圖(tu)(tu)8F和圖(tu)(tu)9F中(zhong)，但未示(shi)出磁性材(cai)料(即，主(zhu)(zhu)體(ti)部(bu)(bu)(bu)100)。

圖10是示出(chu)線(xian)圈(quan)組件的另(ling)一示例的示意性透視(shi)圖。

圖11是圖10的線圈組件的沿III-III′線截取的示(shi)意性截面圖。

圖12是圖11的線圈組件的區域B的示意性截面(mian)放大圖。

參照(zhao)圖10至圖12，根(gen)據(ju)另一(yi)示例(li)的(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)組件(jian)(jian)10B也可(ke)(ke)具有使線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)包(bao)含(han)磁性材料的(de)(de)(de)(de)(de)主體部(bu)(bu)(bu)100中的(de)(de)(de)(de)(de)結構(gou)(gou)。電連(lian)接到線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)(de)(de)(de)電極部(bu)(bu)(bu)300可(ke)(ke)設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)主體部(bu)(bu)(bu)100的(de)(de)(de)(de)(de)外表面上(shang)(shang)(shang)。線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200可(ke)(ke)包(bao)括支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)230以及設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)兩個表面上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211、212、221和(he)222。設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)兩個表面上(shang)(shang)(shang)并分(fen)別(bie)(bie)(bie)覆蓋形(xing)成(cheng)在(zai)內(nei)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)221中的(de)(de)(de)(de)(de)對應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)個的(de)(de)(de)(de)(de)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223可(ke)(ke)分(fen)別(bie)(bie)(bie)設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)形(xing)成(cheng)在(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211與第(di)(di)二(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212之間以及形(xing)成(cheng)在(zai)下(xia)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221和(he)第(di)(di)二(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)222之間。設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)下(xia)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221(設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)背對的(de)(de)(de)(de)(de)表面上(shang)(shang)(shang))可(ke)(ke)通過(guo)穿過(guo)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件(jian)(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)孔234彼(bi)此電連(lian)接。設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)第(di)(di)二(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212以及設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)下(xia)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221和(he)第(di)(di)二(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)222可(ke)(ke)分(fen)別(bie)(bie)(bie)通過(guo)分(fen)別(bie)(bie)(bie)貫穿對應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和(he)223的(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)孔214和(he)224彼(bi)此電連(lian)接。在(zai)下(xia)文(wen)中，將更(geng)詳細地描述根(gen)據(ju)另一(yi)示例(li)的(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)組件(jian)(jian)10B的(de)(de)(de)(de)(de)組件(jian)(jian)。然而，將省略與上(shang)(shang)(shang)述內(nei)容(rong)重復的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)容(rong)，并將主要描述與上(shang)(shang)(shang)述內(nei)容(rong)不同的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)容(rong)。

第一線圈層211和221的線圈圖案導體的截面可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁))(其中，h₁是與支撐構件230的使第一線圈層211和221設置在其上的背對的表面正交來測量的，w₁是平行于所述背對的表面來測量的)。第二線圈層212和222的線圈圖案導體的截面可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₂與寬度w₂的比(h₂/w₂))(其中，h₂是與支撐構件230的使第二線圈層212和222設置在其上的背對的表面正交來測量的，w₂是平行于背對的表面來測量的)。也就是說，在根據另一示例的線圈組件10B中，線圈層211、212、221和222的線圈圖案導體可具有小于1的高寬比。例如，第一線圈層211和221的線圈圖案導體可具有大約160μm至190μm的寬度w₁以及大約60μm至90μm的厚度h₁，第二線圈層212和222的線圈圖案導體可具有大約160μm至190μm的寬度w₂以及大約60μm至90μm的厚度h₂。

在線圈層211、212、221和222的線圈圖案導體的高寬比小于1的情況下，在形成線圈圖案的工藝技術所允許的分布范圍內，可自由地調整線圈圖案的高度和寬度，使得線圈圖案的均勻性可以是良好的。此外，線圈圖案導體在寬度方向上較寬，使得線圈圖案的截面面積增加，從而可提供低DC阻抗R_dc特性。此(ci)外，由于無(wu)需強(qiang)制調整線圈(quan)匝或(huo)繞(rao)(rao)組之間(jian)(jian)間(jian)(jian)距，因此(ci)，可(ke)減小諸(zhu)如線圈(quan)圖(tu)案之間(jian)(jian)短路等(deng)缺陷出現的(de)(de)(de)可(ke)能性。此(ci)外，由于線圈(quan)層211、212、221和222可(ke)具有相(xiang)同的(de)(de)(de)旋轉(zhuan)方向(xiang)(xiang)并(bing)可(ke)通(tong)過過孔214、224和234彼(bi)此(ci)電連接，因此(ci)可(ke)增加線圈(quan)在堆疊方向(xiang)(xiang)上的(de)(de)(de)匝(或(huo)繞(rao)(rao)組)數。這里，堆疊方向(xiang)(xiang)指的(de)(de)(de)是附圖(tu)中(zhong)的(de)(de)(de)第三(san)方向(xiang)(xiang)。

此外，由于線圈(quan)(quan)層(ceng)211、212、221和(he)(he)222的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)圖案(an)導體的(de)(de)(de)(de)(de)高寬比小于1，因此，線圈(quan)(quan)部的(de)(de)(de)(de)(de)厚度(與支(zhi)撐(cheng)構(gou)件(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)線圈(quan)(quan)層(ceng)211和(he)(he)221設置(zhi)在(zai)其上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)背對(dui)表面(mian)(mian)正交進行測量的(de)(de)(de)(de)(de))可(ke)(ke)基本上(shang)較薄。這里(li)，為了在(zai)線圈(quan)(quan)組(zu)(zu)件(jian)10B中具有足(zu)夠的(de)(de)(de)(de)(de)匝(或繞組(zu)(zu))數(shu)，各(ge)個線圈(quan)(quan)層(ceng)211、221、212和(he)(he)222可(ke)(ke)形成為在(zai)水平方向(xiang)(xiang)(即在(zai)第(di)(di)一方向(xiang)(xiang)和(he)(he)/或第(di)(di)二(er)方向(xiang)(xiang))(例如，與支(zhi)撐(cheng)構(gou)件(jian)230的(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)線圈(quan)(quan)層(ceng)211和(he)(he)221設置(zhi)在(zai)其上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)背對(dui)表面(mian)(mian)平行的(de)(de)(de)(de)(de)方向(xiang)(xiang))上(shang)盡可(ke)(ke)能(neng)多的(de)(de)(de)(de)(de)利用(yong)空間。也就是說，在(zai)豎直方向(xiang)(xiang)上(shang)堆疊的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一線圈(quan)(quan)層(ceng)211和(he)(he)221以及第(di)(di)二(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)212和(he)(he)222可(ke)(ke)具有重(zhong)疊的(de)(de)(de)(de)(de)區域。因此，可(ke)(ke)實(shi)現較薄的(de)(de)(de)(de)(de)并具有足(zu)夠的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)特性的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)組(zu)(zu)件(jian)。

第一線圈層211和221的線圈圖案導體可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁))。此外，第一線圈層211和221的線圈圖案可分別只包括單匝(或繞組)。這里，單匝(或繞組)可指示匝(或繞組)數等于或小于1。因此，可減小諸如線圈圖案之間短路等缺陷出現的風險，并可提供線圈均勻性和低DC阻抗R_dc。諸(zhu)如(ru)銅(Cu)、鋁(Al)、銀(yin)(Ag)、錫(Sn)、金(jin)(jin)(Au)、鎳(nie)(Ni)、鉛(Pd)或它們的(de)合金(jin)(jin)等的(de)導電金(jin)(jin)屬(shu)可用作第一線圈層211和221的(de)材料。

第二線圈層212和222的線圈圖案導體也可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₂與寬度w₂的比(h₂/w₂))。此外，第二線圈層212和222的線圈圖案可分別只包括單匝(或繞組)。這里，單匝(或繞組)可指示匝(或繞組)數等于或小于1。因此，可減小諸如線圈圖案之間短路等缺陷出現的風險，并可提供線圈均勻性和低DC阻抗R_dc。諸如銅(tong)(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、錫(Sn)、金(Au)、鎳(nie)(Ni)、鉛(Pd)或它們的(de)合金等的(de)導電金屬(shu)可用作第(di)二線圈層212和222的(de)材料。

雖然(ran)僅在附(fu)圖中(zhong)示(shi)出了第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以(yi)(yi)及(ji)(ji)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222，但還(huan)可(ke)(ke)在第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222上額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)地形成(cheng)(cheng)額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，并(bing)且(qie)，其中(zhong)形成(cheng)(cheng)了過孔的(de)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)設置(zhi)在額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222之間(jian)，以(yi)(yi)使額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222可(ke)(ke)彼此(ci)電連接。在這種情況下，額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)與(yu)第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以(yi)(yi)及(ji)(ji)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222具有相同(tong)(tong)的(de)成(cheng)(cheng)分(fen)。此(ci)外(wai)(wai)(wai)，額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)還(huan)可(ke)(ke)形成(cheng)(cheng)在第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221之間(jian)以(yi)(yi)及(ji)(ji)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222之間(jian)，并(bing)且(qie)，其中(zhong)形成(cheng)(cheng)了過孔的(de)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)設置(zhi)在額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221或者(zhe)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222之間(jian)，以(yi)(yi)使額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221或者(zhe)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222可(ke)(ke)彼此(ci)電連接。在這種情況下，額(e)(e)外(wai)(wai)(wai)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)與(yu)第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221或者(zhe)第(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222具有相同(tong)(tong)的(de)成(cheng)(cheng)分(fen)。

圖13是圖10的(de)線(xian)圈組件(jian)10B沿(yan)IV-IV′線(xian)截取的(de)示意性截面圖。

圖14是(shi)圖13的(de)線圈(quan)組件10B的(de)沿(yan)方向(xiang)b觀察的(de)主體部的(de)示意性截面圖。

參照圖(tu)(tu)13和圖(tu)(tu)14，還是(shi)在(zai)根據另一示例的(de)線(xian)(xian)圈組件10B中，線(xian)(xian)圈圖(tu)(tu)案的(de)引(yin)(yin)(yin)出以連接(jie)到(dao)外電極301和302的(de)引(yin)(yin)(yin)線(xian)(xian)端子可通過(guo)支(zhi)撐(cheng)(cheng)構(gou)件230和絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)213和223支(zhi)撐(cheng)(cheng)。因此，可穩定地形成線(xian)(xian)圈圖(tu)(tu)案的(de)引(yin)(yin)(yin)線(xian)(xian)端子，并可具有與(yu)外電極301和302的(de)良(liang)好的(de)連接(jie)力。同時(shi)，盡(jin)管在(zai)圖(tu)(tu)14中省略了絕(jue)(jue)緣(yuan)膜215，但(dan)也可引(yin)(yin)(yin)出絕(jue)(jue)緣(yuan)膜215。可選地，絕(jue)(jue)緣(yuan)膜215也可基本上不保留在(zai)引(yin)(yin)(yin)出截面中。

此外，參照圖13和圖14，還是在根據另一示例的線圈組件10B中，線圈部200的右側引出截面可具有其寬度從引線的頂部朝向底部(例如，在從線圈層212朝向支撐構件230的方向上)減小的錐形。盡管在圖13和圖14中未示出，但線圈部200的左側引出截面還可具有其寬度從底部朝向頂部(例如，在從線圈層222朝向支撐構件230的方向上)減小的錐形。這里，頂部方向和底部方向是相對于圖14中示出的第三方向限定的。也就是說，根據前述，可制造減小了諸如線圈圖案之間出現短路等缺陷的風險、確保低DC阻抗R_dc和線圈(quan)的(de)均勻性(xing)并實現纖薄化的(de)線圈(quan)組件。

圖(tu)(tu)15是示出制造圖(tu)(tu)10的(de)線圈組(zu)件10B的(de)工(gong)藝的(de)示例(li)的(de)流(liu)程圖(tu)(tu)。

參照(zhao)圖15，作為示(shi)例，可通過下(xia)述(shu)步驟(zou)制(zhi)造(zao)根據另一(yi)示(shi)例的(de)線圈組件10B：使用(yong)支撐構件230形成多個線圈部(bu)200，通過在多個線圈部(bu)200上(shang)和下(xia)方堆(dui)疊(die)磁片(pian)形成多個主(zhu)體部(bu)100，切割多個主(zhu)體部(bu)100，在各個單獨的(de)主(zhu)體部(bu)100上(shang)形成電極部(bu)300。由于(yu)描述(shu)與上(shang)述(shu)相同，因此將省略其描述(shu)。

圖16A至圖16F是(shi)示(shi)出用于形成圖11的(de)線圈部的(de)工藝步驟的(de)示(shi)例的(de)示(shi)意(yi)圖。

圖17A至(zhi)圖17F是示出用于形成圖13的(de)(de)線圈部的(de)(de)工(gong)藝(yi)步驟的(de)(de)示例的(de)(de)示意圖。

參照圖16A和圖17A，可制備(bei)支撐構件230。由于(yu)描(miao)述與(yu)上面關于(yu)圖8A和圖9A所描(miao)述的相同，因此將(jiang)省略其描(miao)述。

參照圖16B和圖17B，可(ke)(ke)分(fen)別在(zai)支撐(cheng)構件(jian)(jian)230的(de)(de)背對兩個表面(mian)(mian)(例如，上(shang)(shang)表面(mian)(mian)和下(xia)表面(mian)(mian))上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)第一(yi)線圈(quan)層211和221。如上(shang)(shang)所(suo)述(shu)，第一(yi)線圈(quan)層211和221可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)(cheng)為使得其線圈(quan)圖案(an)的(de)(de)高寬比小于(yu)1。在(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)第一(yi)線圈(quan)層211和221時，可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)(cheng)貫穿(chuan)支撐(cheng)構件(jian)(jian)230的(de)(de)過孔234，分(fen)別形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)支撐(cheng)構件(jian)(jian)230的(de)(de)表面(mian)(mian)上(shang)(shang)的(de)(de)第一(yi)線圈(quan)層211和221可(ke)(ke)通過過孔234彼(bi)此電連接。由于(yu)描(miao)述(shu)與上(shang)(shang)面(mian)(mian)關于(yu)圖8B和圖9B所(suo)描(miao)述(shu)的(de)(de)相同，因此將省略(lve)其描(miao)述(shu)。

參照(zhao)圖(tu)16C和(he)(he)17C，可在支撐構件230的兩個(ge)表面上分別(bie)堆疊絕(jue)緣層213和(he)(he)223，以分別(bie)覆蓋第一線圈層211和(he)(he)第二線圈層221。由于描述(shu)與上面關于圖(tu)8C和(he)(he)圖(tu)9C所(suo)描述(shu)的相同，因此將省略其描述(shu)。

參照圖(tu)16D和(he)(he)(he)(he)17D，可在(zai)絕(jue)緣層213和(he)(he)(he)(he)223上分(fen)別形(xing)成(cheng)(cheng)第二線(xian)(xian)圈(quan)層212和(he)(he)(he)(he)222。如上所(suo)述，第二線(xian)(xian)圈(quan)層212和(he)(he)(he)(he)222也可形(xing)成(cheng)(cheng)為使得(de)其線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案的(de)高寬(kuan)比小于1。在(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)第二線(xian)(xian)圈(quan)層212和(he)(he)(he)(he)222時，可形(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)別穿(chuan)過(guo)絕(jue)緣層213和(he)(he)(he)(he)223的(de)過(guo)孔214和(he)(he)(he)(he)224，第一線(xian)(xian)圈(quan)層211和(he)(he)(he)(he)221與第二線(xian)(xian)圈(quan)層212和(he)(he)(he)(he)222可通(tong)過(guo)過(guo)孔214和(he)(he)(he)(he)224彼(bi)此電連接。由于描述與上面關于圖(tu)8D和(he)(he)(he)(he)圖(tu)9D所(suo)描述的(de)相(xiang)同，因此將省略其描述。

參照圖16E和圖17E，可形成分別覆蓋第二(er)線(xian)圈層212和222的絕緣(yuan)膜215和225。由于描(miao)述與上面關(guan)于圖8E和圖9E所描(miao)述的相同，因此將(jiang)省略其描(miao)述。

參照圖(tu)16F和(he)圖(tu)17F，可移除(chu)線圈部200的(de)(de)選(xuan)擇(ze)(ze)(ze)區域(yu)(yu)，所(suo)述(shu)選(xuan)擇(ze)(ze)(ze)區域(yu)(yu)包括除(chu)了(le)線圈部200的(de)(de)形成了(le)線圈層211、212、221和(he)222的(de)(de)區域(yu)(yu)之外的(de)(de)區域(yu)(yu)。可使用修邊(bian)(bian)法或(huo)切割法等選(xuan)擇(ze)(ze)(ze)性地去除(chu)該選(xuan)擇(ze)(ze)(ze)區域(yu)(yu)。修邊(bian)(bian)工(gong)藝或(huo)切割工(gong)藝的(de)(de)結果部分地體(ti)現在圖(tu)16F和(he)圖(tu)17F中，但(dan)未(wei)示出磁性材料(即，主(zhu)體(ti)部100)。由于描(miao)(miao)述(shu)與(yu)上面關于圖(tu)8F和(he)圖(tu)9F所(suo)描(miao)(miao)述(shu)的(de)(de)相同，因此將省略其(qi)描(miao)(miao)述(shu)。

圖18是示(shi)(shi)出(chu)線圈組件10C的另(ling)一示(shi)(shi)例的示(shi)(shi)意(yi)性透(tou)視圖。

圖(tu)19是圖(tu)18的線圈組件(jian)10C的沿V-V′線截(jie)取的示(shi)意性截(jie)面圖(tu)。

圖(tu)20是圖(tu)19的線(xian)圈(quan)組(zu)件10C的區(qu)域C的示意(yi)性(xing)截面放大圖(tu)。

參(can)照圖18、圖19和(he)(he)圖20，根據(ju)另一(yi)示(shi)例(li)(li)的(de)(de)(de)(de)線(xian)圈(quan)(quan)組(zu)件10C也可具有(you)使線(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200設置在(zai)(zai)包含磁性材(cai)料的(de)(de)(de)(de)主(zhu)體部(bu)(bu)(bu)100中的(de)(de)(de)(de)結構(gou)。電(dian)連接到線(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200的(de)(de)(de)(de)電(dian)極(ji)部(bu)(bu)(bu)300可設置在(zai)(zai)主(zhu)體部(bu)(bu)(bu)100的(de)(de)(de)(de)外表(biao)面上(shang)(shang)(shang)。線(xian)圈(quan)(quan)部(bu)(bu)(bu)200可包括支撐(cheng)構(gou)件230以(yi)及在(zai)(zai)支撐(cheng)構(gou)件230的(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)表(biao)面上(shang)(shang)(shang)沿第三方向堆疊的(de)(de)(de)(de)多個(ge)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、242、243和(he)(he)244。分別覆蓋線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、242和(he)(he)243的(de)(de)(de)(de)絕緣層(ceng)(ceng)245、246和(he)(he)247可分別設置在(zai)(zai)沿第三方向堆疊在(zai)(zai)支撐(cheng)構(gou)件230的(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)表(biao)面上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)多個(ge)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、242、243和(he)(he)244之間。也就是(shi)說，多個(ge)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、242、243和(he)(he)244可僅設置在(zai)(zai)支撐(cheng)構(gou)件230的(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)表(biao)面上(shang)(shang)(shang)。多個(ge)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、242、243和(he)(he)244可分別通過分別貫穿絕緣層(ceng)(ceng)245、246和(he)(he)247的(de)(de)(de)(de)過孔261、262和(he)(he)263彼此電(dian)連接。在(zai)(zai)下文中，將(jiang)更詳細地(di)描述(shu)(shu)(shu)根據(ju)另一(yi)示(shi)例(li)(li)的(de)(de)(de)(de)線(xian)圈(quan)(quan)組(zu)件10C的(de)(de)(de)(de)組(zu)件。然而，將(jiang)省略(lve)與(yu)上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)內容重復(fu)的(de)(de)(de)(de)內容，并將(jiang)主(zhu)要(yao)描述(shu)(shu)(shu)與(yu)上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)內容不同的(de)(de)(de)(de)內容。

線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)部200可包括在(zai)支撐構件230的(de)(de)一個表面上沿第(di)(di)(di)(di)三(san)方向(xiang)順序堆疊(die)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)(di)三(san)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243和第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244。覆(fu)蓋(gai)(gai)第(di)(di)(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)245、覆(fu)蓋(gai)(gai)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)246以(yi)及覆(fu)蓋(gai)(gai)第(di)(di)(di)(di)三(san)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)三(san)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)247可分(fen)別(bie)設置在(zai)第(di)(di)(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242之間(jian)(jian)、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242與(yu)第(di)(di)(di)(di)三(san)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243之間(jian)(jian)以(yi)及第(di)(di)(di)(di)三(san)線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243與(yu)第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244之間(jian)(jian)。第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244可被絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜248覆(fu)蓋(gai)(gai)。

第一線圈層241的線圈圖案導體可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁))(其中，h₁是與支撐構件230的使第一線圈層241設置在其上的表面正交進行測量的，w₁是平行于支撐構件230的表面進行測量的)。第二線圈層242的線圈圖案導體也可具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₂與寬度w₂的比(h₂/w₂))(其中，h₂是與支撐構件230的使第一線圈層241設置在其上的表面正交進行測量的，w₂是平行于(yu)(yu)(yu)支撐構(gou)件230的(de)(de)表面進行測(ce)量的(de)(de))。類似地，第三線圈(quan)(quan)層243和第四線圈(quan)(quan)層244的(de)(de)線圈(quan)(quan)圖(tu)案導(dao)體也可具(ju)有(you)小于(yu)(yu)(yu)1的(de)(de)高寬比(厚度與寬度的(de)(de)比)。也就是，在根據另(ling)一示例的(de)(de)線圈(quan)(quan)組(zu)件10C中，全部線圈(quan)(quan)層241、242、243和244的(de)(de)線圈(quan)(quan)圖(tu)案導(dao)體可均具(ju)有(you)小于(yu)(yu)(yu)1的(de)(de)高寬比。此外(wai)，線圈(quan)(quan)層241、242、243和244的(de)(de)線圈(quan)(quan)圖(tu)案可均包(bao)括單(dan)(dan)匝(za)或(huo)(huo)單(dan)(dan)個繞組(zu)。這里，單(dan)(dan)匝(za)或(huo)(huo)單(dan)(dan)個繞組(zu)可指示匝(za)(或(huo)(huo)繞組(zu))數等于(yu)(yu)(yu)或(huo)(huo)小于(yu)(yu)(yu)1。

因此，可在形成線圈圖案的工藝技術允許的分布范圍內自由地調整線圈圖案導體的高度和寬度，以使線圈圖案的均勻性可以是良好的，并且線圈圖案在寬度方向上較寬，以增大線圈部的截面面積，從而可實現低DC阻抗R_dc特性(xing)(xing)。此(ci)外，由于(yu)無需強制調整(zheng)線圈(quan)圖案匝或繞組之(zhi)間的(de)間隔，因(yin)此(ci)，可(ke)減(jian)小將出現的(de)諸如線圈(quan)圖案之(zhi)間短路等缺陷的(de)可(ke)能性(xing)(xing)。此(ci)外，由于(yu)線圈(quan)層241、242、243和244可(ke)具有相同的(de)旋轉方向并(bing)可(ke)通過過孔261、262和263彼此(ci)電(dian)連接，因(yin)此(ci)可(ke)增(zeng)加線圈(quan)在(zai)堆疊(die)方向上的(de)匝數。這里，堆疊(die)方向指的(de)是附圖中的(de)第三方向。

此(ci)外(wai)，由于(yu)線(xian)圈(quan)(quan)(quan)層241、242、243和244的線(xian)圈(quan)(quan)(quan)圖(tu)案導體(ti)的高寬比均小于(yu)1，因(yin)此(ci)，線(xian)圈(quan)(quan)(quan)部(bu)的厚(hou)度可基本上是(shi)(shi)纖(xian)薄(bo)(bo)的。這里(li)，為了具(ju)(ju)有足夠的匝(za)(或(huo)繞組)數，各個線(xian)圈(quan)(quan)(quan)層241、242、243和244可形成為在(zai)水平(ping)方向(xiang)(xiang)(即，第(di)一方向(xiang)(xiang)和/或(huo)第(di)二(er)方向(xiang)(xiang))上盡可能多的利用空(kong)間。也(ye)就是(shi)(shi)說，在(zai)沿豎(shu)直(zhi)方向(xiang)(xiang)堆疊的各個線(xian)圈(quan)(quan)(quan)層241、242、243和244之間可存在(zai)重疊的區域。因(yin)此(ci)，可實現纖(xian)薄(bo)(bo)并(bing)具(ju)(ju)有足夠線(xian)圈(quan)(quan)(quan)特性的線(xian)圈(quan)(quan)(quan)組件。

在附(fu)圖中僅僅示(shi)出了(le)第(di)(di)(di)一線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)三線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243和第(di)(di)(di)四線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244，但還可(ke)在第(di)(di)(di)四線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244上形成額(e)外的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)，并且(qie)可(ke)在額(e)外的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)(di)四線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244之間設置其中形成了(le)過孔(kong)的絕緣層(ceng)(ceng)，以便額(e)外的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)和第(di)(di)(di)四線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244可(ke)彼此電連接。在這種(zhong)情況下(xia)，額(e)外的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)可(ke)與(yu)第(di)(di)(di)一線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)二線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)三線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)243和第(di)(di)(di)四線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)244具有(you)相同的成分。

此外，額外的(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)還可(ke)(ke)形(xing)成在第(di)(di)(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)(di)三線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)243和(he)第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)244之(zhi)間，并且還可(ke)(ke)在額外的(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)(di)三線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)243和(he)第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)244之(zhi)間設置(zhi)其中形(xing)成了(le)過(guo)孔的(de)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，以使額外的(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)(di)三線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)243和(he)第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)244可(ke)(ke)彼此電連接。在這種情(qing)況下，額外的(de)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)241、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)242、第(di)(di)(di)(di)三線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)243和(he)第(di)(di)(di)(di)四線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)244具有(you)相同的(de)成分(fen)。

同(tong)時(shi)，在(zai)一些情況(kuang)下，相對于根據示例的(de)線(xian)(xian)圈組件10A，第(di)一線(xian)(xian)圈層241、第(di)二(er)線(xian)(xian)圈層242、第(di)三線(xian)(xian)圈層243和(he)第(di)四線(xian)(xian)圈層244中的(de)一個或更多(duo)個的(de)線(xian)(xian)圈圖案可(ke)(ke)具有如上所述的(de)大于1的(de)高寬比，并且可(ke)(ke)具有多(duo)匝。也就是說，線(xian)(xian)圈組件10A至10C的(de)高寬比或特性可(ke)(ke)彼此組合(he)。

圖(tu)21是(shi)圖(tu)18的線圈(quan)組(zu)件(jian)10C沿VI-VI′線截(jie)取的示(shi)意性(xing)截(jie)面圖(tu)。

圖22是圖21的線圈組件10C的沿方向c觀察的主(zhu)體部的示意性(xing)截面圖。

參(can)照(zhao)圖21和(he)(he)圖22，還是在(zai)根據(ju)另(ling)一示例的線(xian)(xian)圈(quan)(quan)組件10C中(zhong)，線(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案的引出以連接到(dao)外(wai)電(dian)極301和(he)(he)302的引線(xian)(xian)端子可(ke)(ke)(ke)通過支撐構件230和(he)(he)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)來支撐。因(yin)此，線(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案的引線(xian)(xian)端子可(ke)(ke)(ke)穩定(ding)地形(xing)成，并且可(ke)(ke)(ke)與外(wai)電(dian)極301和(he)(he)302具(ju)有良好(hao)的連接力。同時，盡管在(zai)圖22中(zhong)省略(lve)了絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜248，但(dan)還可(ke)(ke)(ke)引出絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)膜。可(ke)(ke)(ke)選地，絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜248也(ye)可(ke)(ke)(ke)基本上(shang)不保留在(zai)引出截面(mian)中(zhong)。

此外，參照圖21和22，還是在根據另一示例的線圈組件10C中，線圈部200的右側引出截面可具有其寬度從頂部朝向底部減小的錐形。也就是說，可制造減小了諸如線圈圖案之間出現短路等缺陷的風險、確保了低DC阻抗R_dc和線圈(quan)的(de)(de)均勻性(xing)并實現纖薄化的(de)(de)線圈(quan)組件。盡管(guan)未在(zai)圖21和圖22中(zhong)示出(chu)，但在(zai)線圈(quan)部200的(de)(de)左側引出(chu)截面(mian)中(zhong)，設置(zhi)在(zai)第(di)一(yi)線圈(quan)層241之(zhi)上的(de)(de)絕緣(yuan)層245、246和247以及設置(zhi)在(zai)第(di)一(yi)線圈(quan)層241之(zhi)下(xia)的(de)(de)支撐構件230可具(ju)有(you)近似錐形。這里(li)，術語“在(zai)…之(zhi)上”和“在(zai)…之(zhi)下(xia)”是相對于圖21中(zhong)示出(chu)的(de)(de)第(di)三方向限(xian)定(ding)的(de)(de)。

圖23是(shi)示(shi)出制造圖18的線圈組(zu)件(jian)10C的工藝的示(shi)例的流程(cheng)圖。

參照圖(tu)(tu)23，作(zuo)為(wei)示例(li)，可通過下面的步驟來制造根據另一示例(li)的線(xian)圈組(zu)件10C：使(shi)用支撐構件230形(xing)成(cheng)(cheng)多個(ge)線(xian)圈部(bu)200，通過在多個(ge)線(xian)圈部(bu)200上(shang)和下堆(dui)疊磁片(pian)形(xing)成(cheng)(cheng)多個(ge)主體部(bu)100，切割多個(ge)主體部(bu)100，在各個(ge)單獨的主體部(bu)100上(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)電極(ji)部(bu)300。由于描(miao)述與如上(shang)所述(例(li)如，見(jian)圖(tu)(tu)7和圖(tu)(tu)15)相同，因此將(jiang)省略(lve)其描(miao)述。

圖24A至圖24G是示(shi)(shi)出用于形成圖19的線圈部的工(gong)藝步驟的示(shi)(shi)例的示(shi)(shi)意圖。

圖25A至圖25G是示出(chu)用于(yu)形成圖21的線圈部的工藝步驟的示例的示意圖。

參照圖24A和圖25A，可制備支撐構件230。由于描述與如上所述相同，因此將(jiang)省略其(qi)描述。

參照圖(tu)24B和(he)圖(tu)25B，可(ke)(ke)在支撐構件230的一(yi)(yi)個表面上形成第一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)層(ceng)241。如上所述(shu)，第一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)層(ceng)241可(ke)(ke)形成為使得其(qi)(qi)線(xian)圈(quan)圖(tu)案的高寬比(bi)小(xiao)于1。由(you)于描述(shu)與如上所述(shu)相同，因此將(jiang)省略其(qi)(qi)描述(shu)。

參照圖24C和(he)圖25C，可在支(zhi)撐構件230的(de)一(yi)個表(biao)面(mian)上(shang)(shang)堆(dui)疊第一(yi)絕緣層(ceng)245，以覆蓋第一(yi)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)241。由于描(miao)(miao)述(shu)(shu)(shu)與(yu)如(ru)上(shang)(shang)所述(shu)(shu)(shu)相(xiang)同(tong)，因此將(jiang)省(sheng)略(lve)其描(miao)(miao)述(shu)(shu)(shu)。然后，可在第一(yi)絕緣層(ceng)245上(shang)(shang)形(xing)(xing)成第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)242。如(ru)上(shang)(shang)所述(shu)(shu)(shu)，第二(er)線(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)242也可形(xing)(xing)成為使得其線(xian)圈(quan)(quan)圖案(an)的(de)高(gao)寬(kuan)比小于1。由于描(miao)(miao)述(shu)(shu)(shu)與(yu)如(ru)上(shang)(shang)所述(shu)(shu)(shu)相(xiang)同(tong)，因此將(jiang)省(sheng)略(lve)其描(miao)(miao)述(shu)(shu)(shu)。

參(can)照圖24D和圖25D，可(ke)(ke)在(zai)第(di)一絕(jue)緣(yuan)層245上(shang)堆疊第(di)二(er)絕(jue)緣(yuan)層246，以覆蓋(gai)第(di)二(er)線圈(quan)(quan)層242。由于(yu)描(miao)述(shu)與如(ru)(ru)(ru)上(shang)所(suo)(suo)述(shu)相同，因(yin)此將(jiang)省(sheng)略(lve)其描(miao)述(shu)。然后，可(ke)(ke)在(zai)第(di)二(er)絕(jue)緣(yuan)層246上(shang)形(xing)成(cheng)第(di)三線圈(quan)(quan)層243。如(ru)(ru)(ru)上(shang)所(suo)(suo)述(shu)，第(di)三線圈(quan)(quan)層243也可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)為(wei)使(shi)得其線圈(quan)(quan)圖案的高寬(kuan)比小于(yu)1。由于(yu)描(miao)述(shu)與如(ru)(ru)(ru)上(shang)所(suo)(suo)述(shu)相同，因(yin)此將(jiang)省(sheng)略(lve)其描(miao)述(shu)。

參照(zhao)圖(tu)24E和圖(tu)25E，可(ke)(ke)在第(di)二絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)246上堆疊第(di)三絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)247，以覆(fu)蓋第(di)三線圈層(ceng)242。由(you)(you)于描(miao)述(shu)(shu)(shu)與(yu)如(ru)上所述(shu)(shu)(shu)相同，因(yin)此將(jiang)省略(lve)其(qi)(qi)(qi)描(miao)述(shu)(shu)(shu)。然后，可(ke)(ke)在第(di)三絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)247上形成(cheng)第(di)四線圈層(ceng)244。如(ru)上所述(shu)(shu)(shu)，第(di)四線圈層(ceng)244也可(ke)(ke)形成(cheng)為使得(de)其(qi)(qi)(qi)線圈圖(tu)案的高(gao)寬比小于1。由(you)(you)于描(miao)述(shu)(shu)(shu)與(yu)如(ru)上所述(shu)(shu)(shu)相同，因(yin)此將(jiang)省略(lve)其(qi)(qi)(qi)描(miao)述(shu)(shu)(shu)。

參照圖24F和圖25F，可形成覆(fu)蓋第(di)四線(xian)圈層244的絕緣膜248。由于描述與如上所(suo)述相同，因此(ci)將省略其描述。

參照圖(tu)(tu)24G和(he)圖(tu)(tu)25G，可選(xuan)擇性地(di)去除(chu)(chu)線圈部(bu)200的(de)(de)區(qu)域(yu)(yu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)區(qu)域(yu)(yu)包(bao)括除(chu)(chu)了線圈部(bu)200的(de)(de)其中(zhong)形(xing)成(cheng)了線圈層241、242、243和(he)244的(de)(de)區(qu)域(yu)(yu)之外的(de)(de)區(qu)域(yu)(yu)。可使用修邊法(fa)或切(qie)割法(fa)等選(xuan)擇性地(di)去除(chu)(chu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)區(qu)域(yu)(yu)。修邊工藝(yi)和(he)切(qie)割工藝(yi)的(de)(de)結(jie)果部(bu)分(fen)地(di)體現在(zai)圖(tu)(tu)24G和(he)圖(tu)(tu)25G中(zhong)，但未(wei)示出磁性材料(即，主體部(bu)100)。由于描述(shu)(shu)與如上所(suo)(suo)述(shu)(shu)相(xiang)同，因此將(jiang)省略其描述(shu)(shu)。

圖26是示(shi)(shi)出(chu)線圈組件10D的另一示(shi)(shi)例的示(shi)(shi)意性透(tou)視圖。

圖27是圖26的線圈組件10D的沿(yan)VII-VII′線截(jie)取的示意性截(jie)面圖。

圖(tu)28是圖(tu)27的線圈(quan)組件10D的區(qu)域D的示(shi)意(yi)性截(jie)面放大圖(tu)。

參照圖(tu)(tu)26至圖(tu)(tu)28，根(gen)據另一(yi)示例的(de)(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)組(zu)件10D也(ye)可具(ju)有使(shi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200設(she)(she)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)包含磁性材料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)主體部(bu)(bu)100中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結構(gou)(gou)。電(dian)連接到線(xian)(xian)(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)極部(bu)(bu)300可設(she)(she)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)主體部(bu)(bu)100的(de)(de)(de)(de)(de)(de)外表面上。線(xian)(xian)(xian)圈(quan)部(bu)(bu)200可包括支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件230以(yi)及設(she)(she)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩個表面上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)多個線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層211、212、221和(he)(he)(he)222。絕(jue)緣(yuan)層213和(he)(he)(he)223分(fen)別(bie)(bie)設(she)(she)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)支(zhi)(zhi)撐構(gou)(gou)件230的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)個表面上并(bing)分(fen)別(bie)(bie)覆蓋形(xing)成在(zai)(zai)(zai)內(nei)(nei)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層211和(he)(he)(he)221中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)個線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層。絕(jue)緣(yuan)層213和(he)(he)(he)223可分(fen)別(bie)(bie)設(she)(she)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)形(xing)成在(zai)(zai)(zai)上部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層211與(yu)第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層212之(zhi)(zhi)間(jian)以(yi)及形(xing)成在(zai)(zai)(zai)下(xia)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層221與(yu)第(di)(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層222之(zhi)(zhi)間(jian)。在(zai)(zai)(zai)下(xia)文中，將(jiang)更詳細(xi)地描述(shu)(shu)(shu)根(gen)據另一(yi)示例的(de)(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)組(zu)件10D的(de)(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)件。然而，將(jiang)省略與(yu)上述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)容(rong)重復的(de)(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)(nei)容(rong)，并(bing)將(jiang)主要描述(shu)(shu)(shu)與(yu)上述(shu)(shu)(shu)內(nei)(nei)容(rong)不同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)(nei)容(rong)。

第一線圈層211和221的線圈圖案可包括具有大于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₁的比(h₁/w₁))的線圈圖案導體(或線圈圖案導體的一部分)以及具有小于1的高寬比(AR)(厚度h₁與寬度w₂的比(h₁/w₂))的線圈圖案導體(或線圈圖案導體的一部分)二者。第二線圈層212和222的大部分線圈圖案導體可具有大于1的高寬比(AR)(厚度h₂與寬度w₃的比(h₂/w₃))。例如，第一線圈層211和221的線圈圖案導體可具有大約30μm至50μm的寬度w₁、大約90μm至150μm的寬度w₂以及大約40μm至60μm的厚度h₁。第二線圈層212和222的線圈圖案導體可具有大約40μm至60μm的寬度w₃和大約40μm至70μm的厚度h₂。

第(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以及第(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案(an)可(ke)均(jun)具有多匝(za)或多個繞(rao)組。這里，由(you)于第(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以及第(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222由(you)具有細線(xian)(xian)(xian)寬(kuan)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案(an)構成，因此(ci)(ci)，第(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)221以及第(di)二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)222的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案(an)在(zai)水平方(fang)(fang)(fang)向(即，第(di)一(yi)方(fang)(fang)(fang)向和(he)(he)(he)/或第(di)二方(fang)(fang)(fang)向)上的(de)匝(za)(或繞(rao)組)數(shu)(shu)可(ke)基本(ben)上較(jiao)大。此(ci)(ci)外，由(you)于線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211、212、221和(he)(he)(he)222可(ke)具有相同的(de)旋轉方(fang)(fang)(fang)向并可(ke)通(tong)過過孔214、224和(he)(he)(he)234彼此(ci)(ci)電連接，因此(ci)(ci)，可(ke)增加(jia)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)在(zai)堆疊(die)方(fang)(fang)(fang)向(即，第(di)三方(fang)(fang)(fang)向)上的(de)匝(za)數(shu)(shu)。線(xian)(xian)(xian)圈(quan)(quan)圖案(an)的(de)匝(za)數(shu)(shu)還可(ke)大于或小于圖26至(zhi)圖28中示出(chu)的(de)匝(za)數(shu)(shu)。

由(you)于(yu)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)211、221、212和(he)222中的(de)大部(bu)分由(you)具有(you)(you)細線(xian)(xian)(xian)寬的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)形成(cheng)，因此，線(xian)(xian)(xian)圈(quan)部(bu)的(de)厚度可較纖薄。這里，為了(le)具有(you)(you)足夠(gou)(gou)的(de)匝數，各個線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)211、221、212和(he)222可形成(cheng)為在水平(ping)方(fang)向(xiang)(即，第一(yi)方(fang)向(xiang)和(he)/或第二方(fang)向(xiang))上盡可能多的(de)利用空間。也就是說，在豎直方(fang)向(xiang)上堆疊的(de)第一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)211和(he)221以及第二線(xian)(xian)(xian)圈(quan)層(ceng)212和(he)222可具有(you)(you)重(zhong)疊的(de)區域。因此，可實現纖薄并具有(you)(you)足夠(gou)(gou)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)特性(例如，足夠(gou)(gou)的(de)電感)的(de)線(xian)(xian)(xian)圈(quan)組件。

設置在第一線圈層211和221的最外部(從線圈繞組的中心開始測量的)的線圈圖案的線寬w₂可比設置在第一線圈層211和221的內部的線圈圖案的線寬w₁寬。也就是說，設置在內部的線圈圖案可實現為具有相對細的線寬w₁，以使設置在內部的線圈圖案的匝(或繞組)數較高，設置在外部的線圈圖案可實現為具有相對粗的線寬w₂，以便可確保低的DC阻抗R_dc特性。此外，第一線圈層211和221的線圈圖案的相鄰匝(或繞組)之間的間距L₁可比第二線圈層212和222的線圈圖案的相鄰匝之間的間距L₂寬。也就是說，形成在內部的第一線圈層211和221的線圈圖案之間的間距L₁可相對地寬，以減小諸如線圈圖案之間出現短路等缺陷的風險并使覆蓋第一線圈層211和221的絕緣層213和223平坦，從而可提高形成在外部的第二線圈層212和222的線圈的均勻性。此外，形成在外部的第二線圈層212和222的線圈圖案之間的間距L₂可相對地窄，使(shi)得可總體上增(zeng)加線圈部200的(de)匝數(shu)。

雖然(ran)在(zai)附圖中(zhong)僅僅示出(chu)了第(di)(di)(di)一(yi)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221以(yi)及第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222，但還可(ke)在(zai)第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222上形(xing)(xing)成額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)，其中(zhong)形(xing)(xing)成了過孔(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)設(she)置在(zai)額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222之(zhi)間(jian)(jian)，以(yi)使額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222可(ke)彼此(ci)電(dian)連接。此(ci)外(wai)，額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)還可(ke)形(xing)(xing)成在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221與第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222之(zhi)間(jian)(jian)，并且其中(zhong)形(xing)(xing)成了過孔(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)設(she)置在(zai)額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)一(yi)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221或第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222之(zhi)間(jian)(jian)，使得額(e)外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)一(yi)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)211和(he)(he)(he)(he)221或第(di)(di)(di)二(er)(er)線圈(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)212和(he)(he)(he)(he)222可(ke)彼此(ci)電(dian)連接。

圖29是圖26的線圈組件沿(yan)VIII-VIII′線截(jie)取的示意性截(jie)面圖。

圖(tu)30是圖(tu)29的(de)線圈組件的(de)沿方向d觀察的(de)主體部的(de)示意性(xing)截面圖(tu)。

參(can)照(zhao)圖29和(he)圖30，還是在(zai)根(gen)據另一示例(li)的(de)線圈組件(jian)10D中，線圈圖案的(de)引出以連接(jie)到(dao)外電極301和(he)302的(de)引線端子可(ke)通(tong)過支撐(cheng)構件(jian)230和(he)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)層(ceng)來(lai)支撐(cheng)。因此，線圈圖案的(de)引線端子可(ke)穩定地形成，并可(ke)與外電極301和(he)302具有良好的(de)連接(jie)力(li)。同時(shi)，盡管在(zai)圖30中省略了絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)215，但還可(ke)引出絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)215。可(ke)選地，絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)215也可(ke)基本上不保留在(zai)引出截(jie)面中。

此外，參照圖29和圖30，還是在根據另一示例的線圈組件10D中，線圈部200的右側引出截面可具有其寬度從頂部朝向底部減小的錐形。盡管在圖29和圖30中未示出，但線圈部200的左側引出截面還可具有其寬度從底部朝向頂部減小的錐形。這里，頂部位置和底部位置是相對于圖29中示出的第三方向限定的。也就是說，可制造減小了諸如線圈圖案之間出現短路等缺陷的風險、確保線圈的均勻性和低DC阻抗R_dc并實(shi)現纖(xian)薄(bo)化的線圈組件(jian)。

圖(tu)31是示(shi)出(chu)圖(tu)27的線圈部(bu)中(zhong)的電連接的示(shi)意性截面圖(tu)。

參(can)照圖(tu)31，設置(zhi)在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和設置(zhi)在(zai)(zai)下部(bu)的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221(設置(zhi)在(zai)(zai)支(zhi)撐(cheng)構(gou)件230的背對(dui)表面上(shang)(shang))可(ke)通(tong)過穿(chuan)過支(zhi)撐(cheng)構(gou)件230的過孔(kong)234彼(bi)此(ci)(ci)(ci)電(dian)連(lian)接。此(ci)(ci)(ci)外，設置(zhi)在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211和第(di)(di)(di)二(er)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)212以及設置(zhi)在(zai)(zai)下部(bu)的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)221和第(di)(di)(di)二(er)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)222可(ke)分別(bie)通(tong)過分別(bie)穿(chuan)過絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)213和223的過孔(kong)214和224彼(bi)此(ci)(ci)(ci)電(dian)連(lian)接。其結果是，全部(bu)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)211、212、221和222可(ke)彼(bi)此(ci)(ci)(ci)電(dian)連(lian)接，以形成(cheng)為一(yi)(yi)個線(xian)(xian)圈(quan)(quan)(quan)。由(you)于其他內(nei)容(rong)與上(shang)(shang)述內(nei)容(rong)相同，因(yin)此(ci)(ci)(ci)將省略其描(miao)述。

由(you)于(yu)制造根據另一示例的(de)線圈(quan)組件(jian)10D的(de)方(fang)法與上述制造線圈(quan)組件(jian)10A至10C的(de)方(fang)法類(lei)似，因此將(jiang)省(sheng)略(lve)其(qi)詳細描(miao)述。

圖(tu)32是示出磁性(xing)材料的示例的示意(yi)性(xing)截面圖(tu)。

圖33是示出(chu)磁性(xing)(xing)材(cai)料的另一示例(li)的示意性(xing)(xing)截面圖。

參照圖32和圖33，主(zhu)體部100的(de)(de)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)材(cai)料可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)使磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒和樹(shu)脂(zhi)混(hun)合(he)物(wu)彼此混(hun)合(he)的(de)(de)樹(shu)脂(zhi)基(ji)(ji)復合(he)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)材(cai)料(magnetic material-resin composite)。磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)包含作為(wei)主(zhu)要成(cheng)份的(de)(de)鐵(Fe)、鉻(Cr)或硅(Si)。例(li)如，磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)包含鐵(Fe)-鎳(Ni)、鐵(Fe)或鐵(Fe)-鉻(Cr)-硅(Si)等(deng)，但(dan)不限(xian)于此。樹(shu)脂(zhi)混(hun)合(he)物(wu)可(ke)(ke)(ke)包含環氧樹(shu)脂(zhi)、聚(ju)酰亞胺或液晶聚(ju)合(he)物(wu)(LCP)等(deng)，但(dan)不限(xian)于此。磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)具有至(zhi)少兩(liang)種(zhong)(zhong)平均顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒尺(chi)寸D1和D2(例(li)如，見圖32)的(de)(de)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒。可(ke)(ke)(ke)選地，磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)具有至(zhi)少三種(zhong)(zhong)平均顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒尺(chi)寸d1、d2和d3(例(li)如，見圖33)的(de)(de)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒。在(zai)這種(zhong)(zhong)情況下，具有不同(tong)尺(chi)寸的(de)(de)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)金(jin)屬(shu)粉(fen)末顆(ke)(ke)(ke)(ke)粒可(ke)(ke)(ke)充分(fen)填充在(zai)樹(shu)脂(zhi)基(ji)(ji)復合(he)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)材(cai)料中，以(yi)便可(ke)(ke)(ke)增(zeng)加(jia)樹(shu)脂(zhi)基(ji)(ji)復合(he)磁(ci)(ci)性(xing)(xing)(xing)材(cai)料的(de)(de)填充因子(packing factor)。其結果是(shi)，可(ke)(ke)(ke)增(zeng)加(jia)線(xian)圈組(zu)件的(de)(de)電感。

圖(tu)34是示(shi)(shi)(shi)出應用了各向同性鍍(du)覆技術的線(xian)圈組件的示(shi)(shi)(shi)例的示(shi)(shi)(shi)意圖(tu)。

可(ke)通(tong)過下面(mian)(mian)的(de)方(fang)法(fa)制造應用(yong)(yong)了各(ge)(ge)向(xiang)同性(xing)鍍覆技(ji)術的(de)線圈(quan)(quan)組件：例如，通(tong)過各(ge)(ge)向(xiang)同性(xing)鍍覆技(ji)術在(zai)(zai)支撐構(gou)件1030的(de)兩個(ge)表面(mian)(mian)上(shang)形成呈平面(mian)(mian)線圈(quan)(quan)形狀的(de)線圈(quan)(quan)圖案(an)1021和(he)1022，使用(yong)(yong)磁性(xing)材料包埋線圈(quan)(quan)圖案(an)1021和(he)1022以形成主體(ti)部(bu)1010，在(zai)(zai)主體(ti)部(bu)1010的(de)外表面(mian)(mian)上(shang)形成電(dian)連接到線圈(quan)(quan)圖案(an)1021和(he)1022的(de)外電(dian)極1041和(he)1042。由于在(zai)(zai)執行電(dian)鍍法(fa)的(de)同時執行鍍覆，因(yin)此(ci)，如圖34所示的(de)各(ge)(ge)向(xiang)同性(xing)鍍覆技(ji)術在(zai)(zai)實現高(gao)的(de)高(gao)寬(kuan)比方(fang)面(mian)(mian)存(cun)在(zai)(zai)限(xian)制，使得線圈(quan)(quan)圖案(an)在(zai)(zai)厚度方(fang)向(xiang)和(he)寬(kuan)度方(fang)向(xiang)同時生長。

圖35是(shi)示出應用了各向異性鍍(du)覆技術的線圈組件的示例的示意圖。

可(ke)通過(guo)下(xia)面的(de)(de)方法(fa)制(zhi)造應用了各向異性鍍(du)覆(fu)技術(shu)的(de)(de)線(xian)圈(quan)組件(jian)：例(li)如，通過(guo)各向異性鍍(du)覆(fu)技術(shu)在(zai)支撐構(gou)件(jian)2030的(de)(de)兩個(ge)表面上形成(cheng)呈平面線(xian)圈(quan)形狀(zhuang)的(de)(de)線(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)(an)2021和2022，使(shi)用磁性材料包埋線(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)(an)2021和2022以形成(cheng)主體(ti)部(bu)2010，在(zai)主體(ti)部(bu)2010的(de)(de)外(wai)表面上形成(cheng)電連接到線(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)(an)2021和2022的(de)(de)外(wai)電極(ji)2041和2042。在(zai)應用了各向異性鍍(du)覆(fu)技術(shu)的(de)(de)情況(kuang)下(xia)，可(ke)實現高的(de)(de)高寬(kuan)比，但由于高寬(kuan)比的(de)(de)增加導致降低(di)了鍍(du)覆(fu)生長(chang)的(de)(de)均勻性，并且鍍(du)覆(fu)厚(hou)度的(de)(de)分布變寬(kuan)，使(shi)得會容(rong)易出現線(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)(an)(an)之間的(de)(de)短路。

圖(tu)36是(shi)示出各種形式的線圈組件的電感的對(dui)比(bi)結果的示圖(tu)。

圖37是示出各種形式的(de)線圈組件的(de)飽和電流特性的(de)對比結(jie)果的(de)示圖。

圖(tu)38A和圖(tu)38B是示出(chu)各種形式的線圈組件的鍍(du)覆(fu)分布結(jie)果的比較的示圖(tu)。

在圖36、37、38A和(he)38B中(zhong)，發明(ming)示(shi)(shi)(shi)例(li)(li)標(biao)(biao)簽指(zhi)示(shi)(shi)(shi)根據(ju)本公開(kai)的(de)線圈組件(更具體地，根據(ju)示(shi)(shi)(shi)例(li)(li)性實施(shi)例(li)(li)的(de)線圈組件10A)的(de)電(dian)感、飽和(he)電(dian)流(liu)以及鍍覆(fu)分布的(de)測量(liang)結(jie)果。同時，對比示(shi)(shi)(shi)例(li)(li)標(biao)(biao)簽指(zhi)示(shi)(shi)(shi)使用豎(shu)直各(ge)向異(yi)性鍍覆(fu)制造(zao)的(de)線圈組件(例(li)(li)如，圖35中(zhong)示(shi)(shi)(shi)出的(de)線圈組件)的(de)電(dian)感、飽和(he)電(dian)流(liu)以及鍍覆(fu)分布的(de)測量(liang)結(jie)果。

參(can)照(zhao)圖(tu)36、37、38A和38B，可(ke)以(yi)領(ling)會的(de)(de)(de)是，與(yu)僅(jin)僅(jin)使用豎(shu)直各(ge)(ge)向異(yi)性(xing)鍍覆制造(zao)(zao)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)相(xiang)比(bi)，在(zai)根(gen)(gen)據(ju)本公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)中，可(ke)增加主體部中的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)部與(yu)磁性(xing)材料在(zai)相(xiang)同空間(jian)中彼此接觸的(de)(de)(de)面積，使得(de)與(yu)僅(jin)僅(jin)使用豎(shu)直各(ge)(ge)向異(yi)性(xing)鍍覆制造(zao)(zao)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)相(xiang)比(bi)，在(zai)根(gen)(gen)據(ju)本公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)中，可(ke)確保更高(gao)的(de)(de)(de)電(dian)感。此外(wai)，與(yu)僅(jin)僅(jin)使用豎(shu)直各(ge)(ge)向異(yi)性(xing)鍍覆制造(zao)(zao)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)相(xiang)比(bi)，在(zai)根(gen)(gen)據(ju)本公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)線(xian)(xian)圈(quan)組(zu)(zu)件(jian)(jian)中，可(ke)相(xiang)對地(di)增加DC偏(pian)置特性(xing)。此外(wai)，可(ke)以(yi)領(ling)會的(de)(de)(de)是，可(ke)減少工藝分布(或在(zai)形成線(xian)(xian)圈(quan)圖(tu)案(an)的(de)(de)(de)工藝中的(de)(de)(de)變異(yi)性(xing))，以(yi)便可(ke)增加在(zai)制造(zao)(zao)時制造(zao)(zao)難度較大的(de)(de)(de)產品的(de)(de)(de)電(dian)感工藝力(inductance process force)。

如以上闡述的，根據示例性實施例，可提供減小諸如出現短路等缺陷的風險和確保線圈均勻性以及低DC阻抗R_dc并(bing)實現纖(xian)薄化的新(xin)的線(xian)圈組件(jian)及制造該線(xian)圈組件(jian)的方(fang)法。

同時，短語“電連(lian)(lian)接”包(bao)括：一(yi)個(ge)組(zu)(zu)件(jian)物理地連(lian)(lian)接到(dao)另(ling)一(yi)組(zu)(zu)件(jian)的(de)情(qing)況以及一(yi)個(ge)組(zu)(zu)件(jian)非物理地連(lian)(lian)接到(dao)另(ling)一(yi)組(zu)(zu)件(jian)的(de)情(qing)況。

此外(wai)(wai)，本公(gong)開中(zhong)(zhong)使用的(de)(de)術(shu)語“示(shi)(shi)(shi)例(li)”不(bu)意味著相同(tong)的(de)(de)示(shi)(shi)(shi)例(li)性實(shi)施例(li)，而(er)是(shi)為了強調并描(miao)述(shu)不(bu)同(tong)的(de)(de)唯一(yi)特征而(er)提供的(de)(de)。然(ran)而(er)，上面建議(yi)的(de)(de)示(shi)(shi)(shi)例(li)還可(ke)組合地實(shi)現，以使來自一(yi)個示(shi)(shi)(shi)例(li)的(de)(de)特征能夠(gou)包括在(zai)另(ling)一(yi)示(shi)(shi)(shi)例(li)中(zhong)(zhong)。例(li)如，即使在(zai)特定示(shi)(shi)(shi)例(li)中(zhong)(zhong)描(miao)述(shu)的(de)(de)細節在(zai)另(ling)一(yi)示(shi)(shi)(shi)例(li)中(zhong)(zhong)未進行描(miao)述(shu)，仍(reng)可(ke)理(li)解的(de)(de)是(shi)，除非另(ling)外(wai)(wai)描(miao)述(shu)，否則這(zhe)樣的(de)(de)細節能夠(gou)包含在(zai)另(ling)一(yi)示(shi)(shi)(shi)例(li)中(zhong)(zhong)。

此(ci)外，在本公(gong)開中(zhong)使用(yong)的術(shu)語僅僅用(yong)于描述示例而(er)不是限(xian)制本公(gong)開。這里(li)，除非(fei)在上下文(wen)另外解釋，否則單數形(xing)式包括(kuo)復數形(xing)式。

雖然上面已經(jing)示出并描(miao)述了示例性實施例，但本領域技術人員將(jiang)清楚的(de)是(shi)，在不脫(tuo)離權利(li)要求所限(xian)定的(de)本發明的(de)范圍的(de)情況下(xia)，可(ke)做出修改和(he)變型(xing)。