本公開涉(she)及(ji)半導體(ti)領域，具體(ti)地，涉(she)及(ji)具有連續側墻(qiang)的半導體(ti)設(she)置及(ji)其制造方(fang)法以及(ji)包括這種半導體(ti)設(she)置的電子設(she)備。

背景技術：

隨(sui)著(zhu)半導體器件的不斷小型化，短溝道效應越來越明(ming)顯。對此，提(ti)出了立(li)體型器件——鰭(qi)式場效應晶(jing)體管(FinFET)。FinFET通(tong)常(chang)包括在襯(chen)底(di)上的豎直鰭(qi)以及與鰭(qi)相交的柵堆疊。可(ke)以在鰭(qi)的側壁(bi)上形成溝道。

為了形(xing)成(cheng)(cheng)FinFET，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)襯底上形(xing)成(cheng)(cheng)各(ge)自分別連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)的(de)脊狀物。根(gen)據布(bu)(bu)局設(she)計(ji)，可(ke)以(yi)將這(zhe)些連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)的(de)脊狀物構圖為不同的(de)部分，這(zhe)些部分隨(sui)后(hou)形(xing)成(cheng)(cheng)器(qi)件的(de)鰭。另外，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)襯底上形(xing)成(cheng)(cheng)各(ge)自分別連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)的(de)柵線。根(gen)據布(bu)(bu)局設(she)計(ji)，可(ke)以(yi)將這(zhe)些連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)的(de)柵線構圖為分離的(de)部分，這(zhe)些部分隨(sui)后(hou)形(xing)成(cheng)(cheng)器(qi)件的(de)柵。在(zai)(zai)柵的(de)側壁上，可(ke)以(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)繞器(qi)件柵的(de)側墻。

圖1是示出了包括FinFET的常規半導體設置的頂視(shi)圖。

如圖(tu)1所示，該(gai)半(ban)導體(ti)設(she)置包括在(zai)(zai)襯底上沿(yan)第一(yi)方(fang)向(xiang)(例(li)(li)(li)如，圖(tu)中(zhong)水(shui)平方(fang)向(xiang))延伸的(de)多個(ge)鰭(qi)101以及沿(yan)與(yu)第一(yi)方(fang)向(xiang)相交(例(li)(li)(li)如，垂直)的(de)第二方(fang)向(xiang)(例(li)(li)(li)如，圖(tu)中(zhong)豎直方(fang)向(xiang))延伸的(de)多個(ge)柵堆(dui)疊(die)(die)103-1。柵堆(dui)疊(die)(die)例(li)(li)(li)如可以包括柵介質層(ceng)和柵電極層(ceng)。在(zai)(zai)鰭(qi)中(zhong)與(yu)柵堆(dui)疊(die)(die)相交之處，可以產(chan)生(sheng)溝(gou)道(dao)(dao)；而在(zai)(zai)鰭(qi)中(zhong)溝(gou)道(dao)(dao)區的(de)兩側(ce)，可以分(fen)別形(xing)成(cheng)源(yuan)區和漏(lou)區(由(you)此得(de)到FinFET)。在(zai)(zai)各(ge)個(ge)柵堆(dui)疊(die)(die)103-1的(de)側(ce)壁上形(xing)成(cheng)了圍(wei)繞相應柵堆(dui)疊(die)(die)103-1的(de)側(ce)墻105。

另外，為(wei)了構(gou)(gou)圖(tu)方便以及電(dian)隔(ge)離等(deng)目的(de)，還可以形成偽柵(zha)103-2。偽柵(zha)103-2與(yu)(yu)柵(zha)堆疊103-1可以包括相同的(de)構(gou)(gou)造，從而(er)可以與(yu)(yu)柵(zha)堆疊103-1一(yi)同形成(因此，也可以在(zai)偽柵(zha)103-2的(de)側壁上形成繞(rao)偽柵(zha)103-2的(de)側墻)。但是，偽柵(zha)103-2可以不(bu)與(yu)(yu)連續(xu)的(de)鰭(qi)相交，從而(er)并(bing)不(bu)真正構(gou)(gou)成器件(jian)。例如，在(zai)圖(tu)1的(de)示(shi)例中(zhong)，偽柵(zha)103-2形成為(wei)與(yu)(yu)第一(yi)方向(xiang)上鰭(qi)101之間(jian)的(de)間(jian)隙相交。

在(zai)襯底上各側(ce)墻105之(zhi)間的空隙中(zhong)，可以填充有電介(jie)質如(ru)層間電介(jie)質層(ILD)(圖中(zhong)為(wei)清(qing)楚起見，并未示出)，例如(ru)氧(yang)化物，特別是在(zai)后柵(zha)(zha)工(gong)藝(yi)的情況下。ILD的頂面例如(ru)通過平(ping)坦化工(gong)藝(yi)如(ru)化學機械拋光(CMP)而可以與柵(zha)(zha)堆疊(die)103-1、偽(wei)柵(zha)(zha)103-2、側(ce)墻105的頂面保持(chi)大(da)致(zhi)齊平(ping)。

為應(ying)對(dui)器件小型(xing)化(hua)的(de)趨勢，可(ke)(ke)以(yi)采(cai)用(yong)自對(dui)準接(jie)觸(chu)部(bu)技術(shu)。例(li)如(ru)(ru)，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)ILD中(zhong)刻蝕接(jie)觸(chu)孔，這種(zhong)接(jie)觸(chu)孔可(ke)(ke)以(yi)在(zai)相對(dui)的(de)側(ce)(ce)墻之間延伸(shen)。然后，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)襯(chen)底上淀積接(jie)觸(chu)材料，例(li)如(ru)(ru)金屬如(ru)(ru)鎢(wu)(W)，并對(dui)其進行平(ping)坦(tan)化(hua)如(ru)(ru)CMP。CMP可(ke)(ke)以(yi)停止于(yu)ILD或側(ce)(ce)墻。CMP后接(jie)觸(chu)材料填充于(yu)接(jie)觸(chu)孔中(zhong)，形成接(jie)觸(chu)部(bu)107。位于(yu)偽柵103-2相對(dui)兩側(ce)(ce)(圖中(zhong)左右(you)兩側(ce)(ce))的(de)接(jie)觸(chu)部(bu)可(ke)(ke)以(yi)通過該偽柵103-2的(de)側(ce)(ce)墻105而被(bei)電分離(li)。

但是，這種結構存在以下缺(que)點。在對(dui)(dui)ILD進(jin)行(xing)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(例如(ru)，各向同(tong)性刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi))時，有可能在相對(dui)(dui)的(de)(de)柵(zha)堆疊(die)103-1的(de)(de)相對(dui)(dui)端(duan)部(bu)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)(de)ILD中(zhong)形(xing)成縫(feng)隙。這些縫(feng)隙中(zhong)隨后可能被填充接觸(chu)材料，從而(er)造成接觸(chu)部(bu)之(zhi)(zhi)間(jian)不(bu)必(bi)要的(de)(de)電短路，如(ru)圖1中(zhong)的(de)(de)107X所(suo)示。另外，如(ru)圖1中(zhong)的(de)(de)箭頭所(suo)示，偽柵(zha)103-2的(de)(de)邊緣與鰭101的(de)(de)端(duan)部(bu)并不(bu)是對(dui)(dui)準的(de)(de)。這會(hui)導致柵(zha)端(duan)部(bu)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)(de)間(jian)隔增加，從而(er)降低了集(ji)成密度。

需(xu)要提供一種新的結構和工藝來至少部分(fen)地(di)解決上述問題。

技術實現要素：

有鑒于(yu)此，本(ben)公開的目(mu)的至少(shao)部分地在于(yu)提供一種(zhong)半導(dao)體(ti)設(she)置及其(qi)制造方法以(yi)及包括這種(zhong)半導(dao)體(ti)設(she)置的電子設(she)備，其(qi)中(zhong)在柵的延伸方向上，側墻可以(yi)連續延伸。

根據本公開的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)方(fang)面(mian)，提(ti)供了一(yi)(yi)(yi)(yi)種半導(dao)(dao)體設置，包(bao)括(kuo)：襯底；在(zai)(zai)襯底上(shang)形成的(de)(de)(de)(de)沿(yan)(yan)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)向(xiang)(xiang)延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)鰭；在(zai)(zai)襯底上(shang)形成的(de)(de)(de)(de)沿(yan)(yan)與第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)向(xiang)(xiang)交叉的(de)(de)(de)(de)第(di)二方(fang)向(xiang)(xiang)延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)以及(ji)沿(yan)(yan)第(di)二方(fang)向(xiang)(xiang)延(yan)伸(shen)且(qie)由電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質構成的(de)(de)(de)(de)偽柵(zha)(zha)，其中各柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)與至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)鰭相(xiang)交；在(zai)(zai)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)的(de)(de)(de)(de)側壁以及(ji)偽柵(zha)(zha)的(de)(de)(de)(de)側壁上(shang)形成的(de)(de)(de)(de)側墻；以及(ji)設于在(zai)(zai)第(di)二方(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)對(dui)準的(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)和(he)第(di)二柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)之(zhi)間用以將第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)和(he)第(di)二柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)電(dian)(dian)隔離(li)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質，其中，第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)和(he)第(di)二柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)的(de)(de)(de)(de)側墻一(yi)(yi)(yi)(yi)體延(yan)伸(shen)，且(qie)所(suo)述電(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質設于第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)和(he)第(di)二柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)體延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)側墻所(suo)圍繞的(de)(de)(de)(de)空間內(nei)，其中，第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)和(he)第(di)二柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)(dui)疊(die)(die)(die)在(zai)(zai)第(di)二方(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)的(de)(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)部分(fen)間隔小于該(gai)半導(dao)(dao)體設置的(de)(de)(de)(de)制造工藝中光刻所(suo)能實現的(de)(de)(de)(de)線(xian)間隔。

根據本公開的(de)(de)(de)(de)(de)另(ling)一方(fang)(fang)面，提供了一種制造半導(dao)體設置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)法，包括：在(zai)(zai)(zai)襯(chen)底上形(xing)(xing)(xing)成各(ge)(ge)自(zi)分(fen)別(bie)沿(yan)第(di)(di)(di)(di)(di)一方(fang)(fang)向(xiang)連續延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個脊狀物(wu)；在(zai)(zai)(zai)襯(chen)底上形(xing)(xing)(xing)成各(ge)(ge)自(zi)分(fen)別(bie)沿(yan)與第(di)(di)(di)(di)(di)一方(fang)(fang)向(xiang)交(jiao)(jiao)叉的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方(fang)(fang)向(xiang)連續延(yan)伸(shen)從而與所述多(duo)個脊狀物(wu)相交(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)條犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線；在(zai)(zai)(zai)各(ge)(ge)犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線的(de)(de)(de)(de)(de)側(ce)壁上形(xing)(xing)(xing)成繞各(ge)(ge)犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線的(de)(de)(de)(de)(de)側(ce)墻；在(zai)(zai)(zai)襯(chen)底上形(xing)(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)一電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)，對其進行平坦(tan)化(hua)以露(lu)(lu)出(chu)(chu)(chu)犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線；去除(chu)犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線，以露(lu)(lu)出(chu)(chu)(chu)下方(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊狀物(wu)；向(xiang)側(ce)墻內的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間中填充第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)；利用(yong)掩模遮蔽一部(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)并露(lu)(lu)出(chu)(chu)(chu)其余部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)，其中，在(zai)(zai)(zai)至少一條犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線處，掩模覆蓋在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方(fang)(fang)向(xiang)上一定尺(chi)度的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)；去除(chu)露(lu)(lu)出(chu)(chu)(chu)部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)，以露(lu)(lu)出(chu)(chu)(chu)下方(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊狀物(wu)；以及在(zai)(zai)(zai)由(you)(you)于(yu)所述部(bu)分(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)去除(chu)而留下的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間中形(xing)(xing)(xing)成柵(zha)(zha)堆疊(die)，其中，在(zai)(zai)(zai)所述至少一條犧牲(sheng)(sheng)(sheng)柵(zha)(zha)線處，留有(you)所述尺(chi)度的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)，且在(zai)(zai)(zai)留下的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)(zhi)兩側(ce)形(xing)(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de)柵(zha)(zha)堆疊(die)彼(bi)此之(zhi)間在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方(fang)(fang)向(xiang)上的(de)(de)(de)(de)(de)間隔由(you)(you)所述尺(chi)度限定，且因(yin)此能夠小于(yu)該半導(dao)體設置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)制造工藝中光刻所能實(shi)現的(de)(de)(de)(de)(de)線間隔。

根據本公開的(de)(de)(de)(de)(de)另(ling)一(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)面，提供了一(yi)(yi)(yi)種制(zhi)造半(ban)導(dao)體設(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)法，包括：在(zai)襯(chen)底(di)上形(xing)成各自分(fen)(fen)別沿第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)連(lian)續延伸(shen)的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個脊狀(zhuang)物(wu)(wu)；在(zai)襯(chen)底(di)上形(xing)成各自分(fen)(fen)別沿與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)交(jiao)(jiao)叉的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)連(lian)續延伸(shen)從而(er)(er)與(yu)所(suo)述多(duo)個脊狀(zhuang)物(wu)(wu)相交(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)條(tiao)犧牲柵線(xian)；在(zai)各犧牲柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)側(ce)壁上形(xing)成繞各犧牲柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)側(ce)墻；在(zai)襯(chen)底(di)上形(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，對其(qi)進行平(ping)坦化以露(lu)(lu)出(chu)犧牲柵線(xian)；去(qu)(qu)(qu)除犧牲柵線(xian)，以露(lu)(lu)出(chu)下(xia)(xia)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊狀(zhuang)物(wu)(wu)；向(xiang)(xiang)側(ce)墻內(nei)的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間(jian)(jian)中(zhong)(zhong)填充(chong)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)；利用第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)掩模(mo)遮蔽一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)并露(lu)(lu)出(chu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)；去(qu)(qu)(qu)除露(lu)(lu)出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，以露(lu)(lu)出(chu)下(xia)(xia)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊狀(zhuang)物(wu)(wu)；在(zai)由于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)去(qu)(qu)(qu)除而(er)(er)留(liu)下(xia)(xia)的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間(jian)(jian)中(zhong)(zhong)形(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵堆疊；利用第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)掩模(mo)遮蔽一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)并露(lu)(lu)出(chu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，其(qi)中(zhong)(zhong)，在(zai)至少一(yi)(yi)(yi)條(tiao)犧牲柵線(xian)處，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)掩模(mo)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)掩模(mo)在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上有一(yi)(yi)(yi)定尺度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)套準交(jiao)(jiao)迭；去(qu)(qu)(qu)除露(lu)(lu)出(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，以露(lu)(lu)出(chu)下(xia)(xia)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊狀(zhuang)物(wu)(wu)；在(zai)由于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)去(qu)(qu)(qu)除而(er)(er)留(liu)下(xia)(xia)的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間(jian)(jian)中(zhong)(zhong)形(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)柵堆疊，其(qi)中(zhong)(zhong)，在(zai)所(suo)述至少一(yi)(yi)(yi)條(tiao)犧牲柵線(xian)處，留(liu)有所(suo)述尺度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)，且在(zai)留(liu)下(xia)(xia)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)電(dian)(dian)(dian)介(jie)(jie)(jie)(jie)質(zhi)(zhi)兩側(ce)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵堆疊和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)柵堆疊彼此(ci)之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔由所(suo)述尺度(du)限定，且因此(ci)能夠小于(yu)該(gai)半(ban)導(dao)體設(she)置的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)造工藝中(zhong)(zhong)光刻所(suo)能實現的(de)(de)(de)(de)(de)關鍵線(xian)寬(kuan)(CD)。

根據本公開的(de)另一方面，提供了一種電子設備，包括上(shang)述半導體設置。

根據本公(gong)開(kai)的(de)(de)(de)(de)實施(shi)例，側(ce)墻(qiang)可(ke)(ke)以在相對(dui)(dui)的(de)(de)(de)(de)(偽)柵之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)連續延伸，即便(bian)這(zhe)些(xie)(偽)柵彼此并不(bu)連續，這(zhe)有助于避(bi)免(自對(dui)(dui)準)接(jie)觸部之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)電短路。通過利用掩(yan)(yan)模(mo)線(xian)(xian)條(tiao)(而(er)不(bu)是(shi)掩(yan)(yan)模(mo)線(xian)(xian)條(tiao)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge)(ge))來限定柵堆疊(die)端(duan)部之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge)(ge)，該間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge)(ge)的(de)(de)(de)(de)尺度(du)(du)可(ke)(ke)以小于制(zhi)造工藝(yi)(yi)中光(guang)(guang)刻所能實現的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)間(jian)(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge)(ge)。另(ling)一(yi)方面，通過利用掩(yan)(yan)模(mo)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)套準交(jiao)迭(而(er)不(bu)是(shi)掩(yan)(yan)模(mo)線(xian)(xian)條(tiao))來限定柵堆疊(die)端(duan)部之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)隔(ge)(ge)(ge)離電介質，從(cong)而(er)該隔(ge)(ge)(ge)離電介質的(de)(de)(de)(de)尺度(du)(du)可(ke)(ke)以小于光(guang)(guang)刻工藝(yi)(yi)所能實現的(de)(de)(de)(de)關鍵線(xian)(xian)寬(CD)。另(ling)外，與(yu)偽柵鄰接(jie)的(de)(de)(de)(de)鰭的(de)(de)(de)(de)端(duan)部可(ke)(ke)以自對(dui)(dui)準于相應側(ce)墻(qiang)的(de)(de)(de)(de)內壁，從(cong)而(er)有助于提高集成密度(du)(du)。

附圖說明

通過以下參(can)照附(fu)圖對本公開實施例的描述，本公開的上(shang)述以及(ji)其他目的、特(te)征和(he)優點將更為清楚，在附(fu)圖中：

圖1是示出(chu)了包括(kuo)FinFET的常規設置的頂(ding)視圖；

圖2是示出(chu)了根據本公開實施例(li)的(de)(de)半導(dao)體設置(zhi)的(de)(de)頂(ding)視圖；

圖(tu)3(a)-23(b)示出了根(gen)據本公開實施例(li)的制造(zao)半導(dao)體設置的流程的示意(yi)圖(tu)；

圖(tu)24(a)-26示(shi)出(chu)了(le)根據本公開另(ling)一實(shi)施(shi)例的制造半導體設(she)置的流程中部(bu)分(fen)階段的示(shi)意圖(tu)；

圖27示出了根據(ju)本公開實施(shi)例的(de)(de)應力保(bao)持機制(zhi)所(suo)能實現(xian)的(de)(de)應力增強；

圖28(a)-33示出了根據(ju)本公開另(ling)一實施例(li)的(de)制造半導體設(she)置(zhi)的(de)流程(cheng)中部分階段的(de)示意(yi)圖。

貫穿附(fu)(fu)圖，相(xiang)同(tong)或(huo)相(xiang)似(si)的附(fu)(fu)圖標記(ji)表示相(xiang)同(tong)或(huo)相(xiang)似(si)的部(bu)件。

具體實施方式

以(yi)下，將參照附圖(tu)來描述本(ben)公(gong)(gong)開(kai)的(de)實施例(li)。但是應該(gai)理解，這些描述只(zhi)是示例(li)性的(de)，而并非(fei)要限制本(ben)公(gong)(gong)開(kai)的(de)范(fan)圍。此外，在以(yi)下說明(ming)中，省略了對公(gong)(gong)知(zhi)結構和技術的(de)描述，以(yi)避免不必要地混(hun)淆本(ben)公(gong)(gong)開(kai)的(de)概(gai)念。

在(zai)附(fu)圖(tu)中示出(chu)(chu)了根(gen)據本(ben)公開實(shi)施(shi)例(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)各種結構示意(yi)圖(tu)。這(zhe)些圖(tu)并(bing)非是按比例(li)(li)(li)繪制的(de)(de)(de)(de)，其中為(wei)了清(qing)楚(chu)表達的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)，放(fang)大(da)了某些細節(jie)(jie)，并(bing)且(qie)可能省略了某些細節(jie)(jie)。圖(tu)中所示出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)各種區(qu)域、層(ceng)的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)狀(zhuang)以及它們(men)之間的(de)(de)(de)(de)相對大(da)小、位(wei)置關系僅是示例(li)(li)(li)性的(de)(de)(de)(de)，實(shi)際中可能由(you)于(yu)制造公差(cha)或技(ji)術限制而有所偏(pian)差(cha)，并(bing)且(qie)本(ben)領域技(ji)術人員根(gen)據實(shi)際所需可以另外(wai)設(she)計具有不同形(xing)(xing)狀(zhuang)、大(da)小、相對位(wei)置的(de)(de)(de)(de)區(qu)域/層(ceng)。

在本公開的上下(xia)文中(zhong)，當(dang)(dang)將一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)稱作位(wei)(wei)(wei)于(yu)另(ling)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)“上”時，該層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)可以直接(jie)位(wei)(wei)(wei)于(yu)該另(ling)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)上，或(huo)者它們之間可以存在居中(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)。另(ling)外(wai)，如果在一(yi)(yi)種朝向中(zhong)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)位(wei)(wei)(wei)于(yu)另(ling)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)“上”，那么當(dang)(dang)調轉朝向時，該層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)可以位(wei)(wei)(wei)于(yu)該另(ling)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)/元(yuan)件(jian)(jian)(jian)“下(xia)”。

根據本(ben)公開的(de)(de)(de)(de)實施(shi)例，可以(yi)在(zai)襯(chen)底上(shang)(shang)形(xing)成各(ge)自分(fen)(fen)別沿第一(yi)方(fang)向(xiang)延(yan)伸(shen)(shen)的(de)(de)(de)(de)脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物，并在(zai)脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物之(zhi)上(shang)(shang)形(xing)成各(ge)自分(fen)(fen)別沿與第一(yi)方(fang)向(xiang)交叉(例如，大致垂(chui)直(zhi))的(de)(de)(de)(de)第二(er)方(fang)向(xiang)連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)從而與脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物相(xiang)交的(de)(de)(de)(de)柵線(xian)。之(zhi)后(hou)，可以(yi)在(zai)各(ge)柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)側壁上(shang)(shang)形(xing)成圍繞(rao)相(xiang)應柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)側墻(qiang)。這樣，側墻(qiang)可以(yi)在(zai)柵線(xian)(沿第二(er)方(fang)向(xiang))的(de)(de)(de)(de)長度(du)上(shang)(shang)連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)。在(zai)此，可以(yi)先(xian)按設計布局對(dui)脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物進(jin)行(xing)構(gou)圖(tu)(tu)，然后(hou)再形(xing)成柵線(xian)。或者，可以(yi)直(zhi)接在(zai)連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)的(de)(de)(de)(de)脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物上(shang)(shang)形(xing)成柵線(xian)，在(zai)后(hou)繼的(de)(de)(de)(de)步驟中(zhong)再按設計布局對(dui)脊狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)物進(jin)行(xing)構(gou)圖(tu)(tu)，如下所(suo)述(shu)。以(yi)下，將(jiang)以(yi)后(hou)一(yi)種情(qing)況(kuang)為例進(jin)行(xing)描述(shu)。

此外，由于為了形成(cheng)連續延伸側(ce)墻而事實(shi)上(shang)(shang)采用(yong)的(de)后柵(zha)(zha)工(gong)藝，可(ke)以(yi)(yi)在襯(chen)底(di)上(shang)(shang)形成(cheng)第一電(dian)介(jie)質(例如(ru)(ru)，層(ceng)間電(dian)介(jie)質層(ceng)(ILD))。可(ke)以(yi)(yi)對第一電(dian)介(jie)質進(jin)行平坦(tan)化處理，以(yi)(yi)露出(chu)柵(zha)(zha)線(例如(ru)(ru)，平坦(tan)化可(ke)以(yi)(yi)停(ting)止于柵(zha)(zha)線)。

在(zai)形(xing)成(cheng)連(lian)續(xu)延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)(de)側墻(qiang)之(zhi)后，可(ke)(ke)(ke)以(yi)進(jin)行(xing)(xing)柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)(以(yi)及脊(ji)狀(zhuang)物的(de)(de)(de)(de)(de)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)，如果(guo)之(zhi)前并未(wei)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)的(de)(de)(de)(de)(de)話)。例(li)如，可(ke)(ke)(ke)以(yi)去除柵線(xian)(因此(ci)，這種(zhong)柵線(xian)可(ke)(ke)(ke)以(yi)稱(cheng)作(zuo)“犧(xi)牲”柵線(xian))。由(you)于犧(xi)牲柵線(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)去除，露出了(le)下方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)脊(ji)狀(zhuang)物。根據布局設計，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)某些(xie)(xie)區域處分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)脊(ji)狀(zhuang)物(如果(guo)脊(ji)狀(zhuang)物在(zai)形(xing)成(cheng)柵線(xian)之(zhi)前就已經分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)，則在(zai)此(ci)無(wu)需進(jin)行(xing)(xing))。例(li)如，可(ke)(ke)(ke)以(yi)經由(you)側墻(qiang)所圍(wei)繞的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間，對露出的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)脊(ji)狀(zhuang)物進(jin)行(xing)(xing)選擇性刻蝕(shi)，從而將相(xiang)應脊(ji)狀(zhuang)物分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)為不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)(在(zai)電特性上分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)，可(ke)(ke)(ke)能在(zai)物理上仍然部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)地連(lian)續(xu))，這些(xie)(xie)部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)隨(sui)后形(xing)成(cheng)不(bu)(bu)同(tong)器件的(de)(de)(de)(de)(de)鰭(qi)。這些(xie)(xie)部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)或者說鰭(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)可(ke)(ke)(ke)以(yi)自對準于側墻(qiang)的(de)(de)(de)(de)(de)內壁(bi)。隨(sui)后，可(ke)(ke)(ke)以(yi)向側墻(qiang)內側的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間中填(tian)入第(di)二(er)電介質，使得脊(ji)狀(zhuang)物的(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)(bu)同(tong)部(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)(fen)之(zhi)間可(ke)(ke)(ke)以(yi)彼(bi)此(ci)電隔離(li)。

根據(ju)布局設計，在將要形成真正柵(zha)堆(dui)疊的位置處(chu)，可以(yi)去除側(ce)墻內的第(di)(di)二(er)電介(jie)質(zhi)，以(yi)露出下(xia)方的脊狀(zhuang)物或者說鰭(qi)。然后，可以(yi)在由于第(di)(di)二(er)電介(jie)質(zhi)的去除而(er)留(liu)(liu)下(xia)的空間(jian)中形成柵(zha)堆(dui)疊。于是(shi)，柵(zha)堆(dui)疊可以(yi)與下(xia)方的鰭(qi)相(xiang)交，并因此構(gou)成相(xiang)應(ying)的器件及(ji)FinFET。留(liu)(liu)于側(ce)墻內的第(di)(di)二(er)介(jie)質(zhi)可以(yi)形成偽柵(zha)。

這(zhe)樣(yang)，在第(di)二(er)方向(xiang)上對準的(de)(de)(de)柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)疊(占據(ju)相同犧牲(sheng)柵(zha)(zha)線的(de)(de)(de)位置，且被相同的(de)(de)(de)側墻(qiang)所(suo)圍繞)側壁(bi)上的(de)(de)(de)側墻(qiang)可(ke)以(yi)一體連續延伸，即(ji)使這(zhe)些柵(zha)(zha)堆(dui)(dui)疊彼此(ci)之間并不連續。這(zhe)樣(yang)，就可(ke)以(yi)避(bi)免產(chan)生如(ru)(ru)圖(tu)1所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)穿(chuan)過柵(zha)(zha)端(duan)部(bu)之間的(de)(de)(de)短路107X。此(ci)外，如(ru)(ru)上所(suo)述，鰭(qi)的(de)(de)(de)端(duan)部(bu)可(ke)以(yi)自對準于(yu)(yu)相應側墻(qiang)的(de)(de)(de)內(nei)壁(bi)。于(yu)(yu)是，可(ke)以(yi)避(bi)免如(ru)(ru)圖(tu)1所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)由于(yu)(yu)鰭(qi)端(duan)部(bu)與柵(zha)(zha)邊緣之間的(de)(de)(de)不對準而(er)造(zao)成的(de)(de)(de)集成密度降低。

根據本公開的(de)(de)(de)實施例，在(zai)(zai)去除第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質時(shi)，通過適當地(di)利用(yong)掩(yan)模，可(ke)以(yi)(yi)實現(xian)柵(zha)端部(bu)間(jian)(jian)間(jian)(jian)隔或者該(gai)間(jian)(jian)隔中所(suo)填充的(de)(de)(de)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質的(de)(de)(de)尺(chi)(chi)度(du)(du)的(de)(de)(de)減小。例如，可(ke)以(yi)(yi)利用(yong)掩(yan)模來(lai)遮蔽(bi)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質。在(zai)(zai)某些柵(zha)端部(bu)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔處，掩(yan)模可(ke)以(yi)(yi)遮蔽(bi)一(yi)定(ding)尺(chi)(chi)度(du)(du)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質。這樣，在(zai)(zai)利用(yong)該(gai)掩(yan)模對(dui)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質進行選(xuan)擇性(xing)刻蝕之(zhi)后，所(suo)述尺(chi)(chi)度(du)(du)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質可(ke)以(yi)(yi)留下(xia)。因(yin)此，在(zai)(zai)該(gai)留下(xia)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質相對(dui)兩(liang)側(ce)形(xing)成的(de)(de)(de)柵(zha)堆疊的(de)(de)(de)端部(bu)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)間(jian)(jian)隔將由該(gai)尺(chi)(chi)度(du)(du)來(lai)限定(ding)，并(bing)因(yin)此可(ke)以(yi)(yi)小于(yu)制(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)(yi)中光刻所(suo)能(neng)實現(xian)的(de)(de)(de)線(xian)間(jian)(jian)隔。又如，可(ke)以(yi)(yi)分次使用(yong)不(bu)同掩(yan)模來(lai)遮蔽(bi)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質的(de)(de)(de)不(bu)同部(bu)分，以(yi)(yi)便實現(xian)對(dui)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質的(de)(de)(de)不(bu)同區域(yu)分別進行選(xuan)擇性(xing)刻蝕。這些掩(yan)模之(zhi)間(jian)(jian)可(ke)以(yi)(yi)存在(zai)(zai)套(tao)準交(jiao)迭(overlay)。由于(yu)該(gai)套(tao)準交(jiao)迭，可(ke)以(yi)(yi)留下(xia)一(yi)定(ding)尺(chi)(chi)度(du)(du)的(de)(de)(de)第(di)二(er)(er)(er)(er)電(dian)介(jie)(jie)(jie)質，該(gai)尺(chi)(chi)度(du)(du)可(ke)以(yi)(yi)小于(yu)制(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)(yi)中光刻所(suo)能(neng)實現(xian)的(de)(de)(de)關鍵線(xian)寬(CD)。

圖2是示出了(le)根據(ju)本公(gong)開實施例的半(ban)導體設(she)置(zhi)(zhi)的頂視(shi)圖。該半(ban)導體設(she)置(zhi)(zhi)例如是根據(ju)上述工藝制作的。

如(ru)(ru)圖(tu)2所示(shi)，根據(ju)該(gai)(gai)實施(shi)例(li)(li)的(de)半導體設置可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括在(zai)(zai)襯底上(shang)沿(yan)第一方(fang)(fang)向(例(li)(li)如(ru)(ru)，圖(tu)中(zhong)水(shui)平(ping)方(fang)(fang)向)延(yan)(yan)伸(shen)的(de)多個(ge)鰭201以(yi)(yi)及沿(yan)與第一方(fang)(fang)向相交(例(li)(li)如(ru)(ru)，垂直(zhi))的(de)第二方(fang)(fang)向(例(li)(li)如(ru)(ru)，圖(tu)中(zhong)豎(shu)直(zhi)方(fang)(fang)向)延(yan)(yan)伸(shen)的(de)多個(ge)柵(zha)(zha)(zha)堆(dui)疊(die)203-1、203-1′和多個(ge)偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)203-2。柵(zha)(zha)(zha)堆(dui)疊(die)203-1、203-1′可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括柵(zha)(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)層和柵(zha)(zha)(zha)電極層。另外，偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)203-2可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括電介質(zhi)(zhi)(例(li)(li)如(ru)(ru)，上(shang)述第二電介質(zhi)(zhi))。在(zai)(zai)柵(zha)(zha)(zha)堆(dui)疊(die)和偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)的(de)側(ce)(ce)壁(bi)上(shang)，形(xing)成有(you)側(ce)(ce)墻(qiang)205。在(zai)(zai)實際中(zhong)，側(ce)(ce)墻(qiang)205可(ke)(ke)以(yi)(yi)是環(huan)形(xing)結構。在(zai)(zai)圖(tu)2中(zhong)，為了(le)方(fang)(fang)便起見，并未示(shi)出側(ce)(ce)墻(qiang)205的(de)上(shang)、下端部(bu)(可(ke)(ke)以(yi)(yi)認(ren)為它(ta)們處于圖(tu)中(zhong)所示(shi)區域之外)。在(zai)(zai)相同側(ce)(ce)墻(qiang)205的(de)內側(ce)(ce)，各柵(zha)(zha)(zha)堆(dui)疊(die)和/或偽(wei)柵(zha)(zha)(zha)彼(bi)此(ci)沿(yan)著(zhu)側(ce)(ce)墻(qiang)的(de)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)(fang)向(即(ji)，第二方(fang)(fang)向)彼(bi)此(ci)對準(它(ta)們一起占(zhan)據(ju)該(gai)(gai)側(ce)(ce)墻(qiang)原(yuan)本圍繞的(de)犧牲(sheng)柵(zha)(zha)(zha)線(xian)的(de)位置)。

柵堆疊203-1、203-1′與(yu)鰭(qi)201相(xiang)交，從而構成相(xiang)應的(de)器(qi)件即FinFET。在該示(shi)例(li)中，由于(yu)如圖中箭頭所示(shi)，各鰭(qi)201的(de)端部(bu)對(dui)準(zhun)于(yu)相(xiang)應側(ce)(ce)(ce)墻205的(de)內壁，從而偽柵203-2事實上不與(yu)鰭(qi)相(xiang)交，且將其相(xiang)對(dui)兩側(ce)(ce)(ce)(圖中左右兩側(ce)(ce)(ce))相(xiang)對(dui)的(de)鰭(qi)彼此(ci)電(dian)隔離(li)。

根據布局設(she)計，相對的(de)(de)柵(zha)堆(dui)疊203-1和203-1′之間可以設(she)有隔(ge)(ge)離部(bu)203-2′。隔(ge)(ge)離部(bu)203-2′可以與(yu)偽(wei)柵(zha)203-2包括相同的(de)(de)電(dian)介質，例如是在上述工藝中由于在該隔(ge)(ge)離部(bu)的(de)(de)區(qu)域處保留(liu)第(di)二電(dian)介質而得到的(de)(de)。

另外，該半導(dao)體設置還包括(kuo)按照自對準方(fang)式(shi)形成(cheng)的(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)部(bu)207。接(jie)(jie)觸(chu)部(bu)207可以(yi)(yi)在相(xiang)(xiang)鄰(lin)的(de)(de)側(ce)墻205之間延伸。由(you)于側(ce)墻205連續(xu)延伸，同一側(ce)墻205相(xiang)(xiang)對兩側(ce)的(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)部(bu)207可以(yi)(yi)通過該連續(xu)延伸的(de)(de)側(ce)墻205而可靠地電隔(ge)離。

本公開可以(yi)各種形式呈現(xian)，以(yi)下(xia)將描(miao)述其中一些(xie)示例(li)。

圖(tu)3(a)-23(b)示出了根據本(ben)公開實(shi)施(shi)例(li)的(de)制造半導體設置的(de)流程的(de)示意圖(tu)。

如圖(tu)3(a)、3(b)和3(c)(圖(tu)3(a)是(shi)俯視圖(tu)，圖(tu)3(b)是(shi)沿(yan)圖(tu)3(a)中AA′線的(de)截(jie)面(mian)圖(tu)，圖(tu)3(c)是(shi)沿(yan)圖(tu)3(a)中BB′線的(de)截(jie)面(mian)圖(tu))所示，提供襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)1001。該襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)1001可以(yi)是(shi)各種形(xing)式的(de)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)，包括但不限(xian)于體半導(dao)(dao)體材(cai)料襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)如體Si襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)、絕(jue)緣(yuan)體上(shang)半導(dao)(dao)體(SOI)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)、化(hua)合物半導(dao)(dao)體襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)如SiGe襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)等。在以(yi)下的(de)描(miao)述中，為方(fang)便說(shuo)明，以(yi)體Si襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)為例進行描(miao)述。

在(zai)襯(chen)底1001中(zhong)，例如通過離(li)子(zi)注(zhu)入(ru)，可(ke)以形(xing)(xing)(xing)成各(ge)種阱(jing)區，如圖(tu)中(zhong)所示的p-阱(jing)和n-阱(jing)。在(zai)該示例中(zhong)，可(ke)以在(zai)整個襯(chen)底區域上形(xing)(xing)(xing)成p-阱(jing)，并(bing)在(zai)一部分p-阱(jing)中(zhong)嵌入(ru)n-阱(jing)。例如，可(ke)以在(zai)p-阱(jing)上形(xing)(xing)(xing)成n型(xing)器(qi)件，而可(ke)以在(zai)n-阱(jing)上形(xing)(xing)(xing)成p型(xing)器(qi)件。

另(ling)外，在襯(chen)底1001上(shang)，形成(cheng)有沿(yan)第一方向(xiang)(xiang)(例(li)如(ru)，圖(tu)3(a)和3(b)中(zhong)的(de)(de)水平方向(xiang)(xiang)，圖(tu)3(c)中(zhong)垂直于紙面的(de)(de)方向(xiang)(xiang))延伸的(de)(de)脊(ji)(ji)狀(zhuang)物1001F。例(li)如(ru)，可以(yi)(yi)通(tong)過(guo)對(dui)襯(chen)底1001進行構(gou)圖(tu)來在襯(chen)底1001中(zhong)形成(cheng)凹(ao)槽(cao)，相鄰凹(ao)槽(cao)之(zhi)間(jian)的(de)(de)部(bu)分相對(dui)于凹(ao)槽(cao)突(tu)出(chu)而形成(cheng)脊(ji)(ji)狀(zhuang)物。當(dang)然，也可以(yi)(yi)在襯(chen)底上(shang)外延生(sheng)長其他半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)，并通(tong)過(guo)對(dui)該(gai)半(ban)導(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)進行構(gou)圖(tu)來形成(cheng)脊(ji)(ji)狀(zhuang)物。脊(ji)(ji)狀(zhuang)物1001F可以(yi)(yi)平行延伸，并可以(yi)(yi)具(ju)有相同或者不同的(de)(de)間(jian)距和/或寬度。

在(zai)(zai)襯底1001上可以(yi)(yi)(yi)形成隔離(li)層(ceng)(ceng)1009，例如氧化(hua)物(wu)(如氧化(hua)硅)，以(yi)(yi)(yi)填充(chong)在(zai)(zai)凹槽中(zhong)從而圍繞脊(ji)狀(zhuang)物(wu)1001F的(de)底部(bu)。脊(ji)狀(zhuang)物(wu)1001F位于隔離(li)層(ceng)(ceng)1009頂面上方(fang)的(de)部(bu)分隨后可以(yi)(yi)(yi)形成器件的(de)鰭(qi)(qi)，在(zai)(zai)此(ci)稱作(zuo)“鰭(qi)(qi)線”。在(zai)(zai)以(yi)(yi)(yi)下描述中(zhong)，也以(yi)(yi)(yi)“1001F”來指示鰭(qi)(qi)線。當然，在(zai)(zai)SOI襯底的(de)情況下，SOI襯底中(zhong)的(de)埋入氧化(hua)物(wu)(BOX)層(ceng)(ceng)可以(yi)(yi)(yi)充(chong)當隔離(li)層(ceng)(ceng)。

根(gen)據(ju)本公開的(de)實施例，可以(yi)將鰭線分離為不同的(de)部分以(yi)形(xing)成鰭布局(ju)(ju)，然(ran)后再形(xing)成隔離層，以(yi)便限定有(you)源(yuan)區。備選地，可以(yi)保留連續延伸的(de)鰭線，直接形(xing)成隔離層。在后繼處(chu)理中(zhong)，再對(dui)鰭線進(jin)行(xing)分離，以(yi)形(xing)成最終的(de)有(you)源(yuan)區布局(ju)(ju)。在此，以(yi)后一種情況為例進(jin)行(xing)描述。

為了抑制源漏之間(jian)經(jing)由鰭下部的(de)(de)泄漏，可以在(zai)脊狀(zhuang)物(wu)中(zhong)(zhong)(zhong)鰭線的(de)(de)下部形成(cheng)(cheng)穿通阻止層(PTSL)。例如，對(dui)于要(yao)在(zai)p-阱上形成(cheng)(cheng)的(de)(de)n型(xing)器(qi)件，可以形成(cheng)(cheng)片p型(xing)的(de)(de)PTSL(p-PTSL)；而(er)對(dui)于要(yao)在(zai)n-阱上形成(cheng)(cheng)的(de)(de)p型(xing)器(qi)件，可以形成(cheng)(cheng)n型(xing)的(de)(de)PTSL(n-PTSL)。p-PTSL中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)p型(xing)摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)(du)可以高(gao)于p-阱中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)p型(xing)摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)(du)，n-PTSL中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)n型(xing)摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)(du)可以高(gao)于n-阱中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)n型(xing)摻(chan)(chan)雜濃(nong)度(du)(du)。

存在(zai)多種方法來形成鰭線以及各種阱(jing)和(he)PTSL配置，在(zai)此不贅(zhui)述(shu)。

接下來，如(ru)圖(tu)(tu)(tu)4(a)、4(b)和4(c)(圖(tu)(tu)(tu)4(a)是俯視圖(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)4(b)是沿(yan)圖(tu)(tu)(tu)4(a)中(zhong)(zhong)(zhong)AA′線(xian)(xian)的(de)(de)截(jie)面(mian)圖(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)4(c)是沿(yan)圖(tu)(tu)(tu)4(a)中(zhong)(zhong)(zhong)BB′線(xian)(xian)的(de)(de)截(jie)面(mian)圖(tu)(tu)(tu))所示，可(ke)以在(zai)襯(chen)底1001上(shang)(更(geng)具體(ti)地，在(zai)隔離層1009上(shang))，形(xing)成沿(yan)與第一方向交(jiao)叉(例如(ru)，大致垂(chui)直(zhi)(zhi))的(de)(de)第二方向(例如(ru)，圖(tu)(tu)(tu)4(a)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)豎直(zhi)(zhi)方向，圖(tu)(tu)(tu)4(b)中(zhong)(zhong)(zhong)垂(chui)直(zhi)(zhi)于紙面(mian)的(de)(de)方向，圖(tu)(tu)(tu)4(c)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)水平(ping)方向)延伸(shen)并(bing)因此與鰭線(xian)(xian)1001F相(xiang)交(jiao)的(de)(de)犧牲柵線(xian)(xian)1003。

為了(le)在(zai)(zai)以(yi)下對犧牲柵線1003進行刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)的(de)過程(cheng)(cheng)中能夠更好地(di)控制刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)過程(cheng)(cheng)，可以(yi)先形成刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)停(ting)止層(ceng)(ceng)1011。例如，可以(yi)通過淀積(ji)或者熱(re)氧(yang)(yang)化，形成氧(yang)(yang)化物的(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)停(ting)止層(ceng)(ceng)1011，厚度為約1-5nm。在(zai)(zai)圖4(b)和4(c)中，示出(chu)(chu)了(le)例如通過熱(re)氧(yang)(yang)化而(er)在(zai)(zai)鰭線1001F的(de)表面上形成的(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)停(ting)止層(ceng)(ceng)1011；而(er)在(zai)(zai)圖4(a)中，為方(fang)便起見，并未示出(chu)(chu)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)停(ting)止層(ceng)(ceng)1011。

然后(hou)，可以(yi)在襯底1001上(shang)例如(ru)(ru)(ru)通過(guo)淀積形成犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)材料(liao)(liao)。犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)材料(liao)(liao)例如(ru)(ru)(ru)包括多晶硅或非晶硅，厚度(du)(du)可以(yi)為約150-300nm。可以(yi)對形成的(de)犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)材料(liao)(liao)進行平坦化(hua)處(chu)理如(ru)(ru)(ru)化(hua)學機械拋光(CMP)，以(yi)使其頂面平坦，且留于鰭線(xian)1001F頂面上(shang)方(fang)的(de)厚度(du)(du)可以(yi)為約70-150nm。然后(hou)，可以(yi)通過(guo)例如(ru)(ru)(ru)光刻，將(jiang)犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)材料(liao)(liao)構圖為一系列犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)1003。例如(ru)(ru)(ru)，犧(xi)(xi)牲(sheng)柵線(xian)1003可以(yi)平行延伸，并可以(yi)具有相同或者(zhe)不同的(de)間距和/或寬(kuan)度(du)(du)。

在該示例中，對于犧(xi)牲柵(zha)線材料(liao)的(de)刻(ke)蝕如(ru)RIE(相對于氧化(hua)(hua)物的(de)隔離層(ceng)1009和/或刻(ke)蝕停(ting)止層(ceng)1011的(de)選擇(ze)性刻(ke)蝕)利(li)用硬掩模層(ceng)1013。硬掩模層(ceng)1013例如(ru)可以包括氮(dan)化(hua)(hua)物(例如(ru)，氮(dan)化(hua)(hua)硅)，厚度(du)為(wei)約50-150nm。利(li)用硬掩模來進行刻(ke)蝕的(de)過程(cheng)在此不再贅述。

在犧(xi)牲(sheng)柵線(xian)(xian)1003的側(ce)壁上，可以通過側(ce)墻(qiang)(qiang)(qiang)(spacer)形成工藝(yi)，形成側(ce)墻(qiang)(qiang)(qiang)1005。側(ce)墻(qiang)(qiang)(qiang)1005例如(ru)可以包括氮化物，厚度為約3-10nm。如(ru)上所述，側(ce)墻(qiang)(qiang)(qiang)1005圍繞各犧(xi)牲(sheng)柵線(xian)(xian)1003，從而形成環狀。在圖4(a)的俯視圖中(zhong)，并未示出側(ce)墻(qiang)(qiang)(qiang)1005的上下(xia)端部。

接(jie)著，可以(yi)在(zai)(zai)各犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵(zha)線1003及其相(xiang)應(ying)側墻1005之間的(de)(de)空隙(xi)處，填充(chong)第(di)一電介(jie)質(zhi)例如(ru)氧化(hua)物，以(yi)便(bian)遮(zhe)擋鰭(qi)線1001F被各犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵(zha)線1003及其相(xiang)應(ying)側墻1005露(lu)出的(de)(de)部分。例如(ru)，可以(yi)在(zai)(zai)圖4(a)、4(b)和(he)4(c)所(suo)示的(de)(de)結(jie)構(gou)上淀積(ji)氧化(hua)物，并(bing)對其進行(xing)平(ping)坦化(hua)處理如(ru)CMP。CMP可以(yi)停止于(yu)犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵(zha)線1003，從(cong)而露(lu)出犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵(zha)線1003。這樣，得到了圖5所(suo)示的(de)(de)結(jie)構(gou)(圖5示出了AA′線截面處的(de)(de)情況(kuang))。如(ru)此填充(chong)的(de)(de)第(di)一電介(jie)質(zhi)1015在(zai)(zai)后繼處理中還可以(yi)有(you)助(zhu)于(yu)保(bao)持應(ying)力(li)或(huo)者防(fang)止應(ying)力(li)釋放。

在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)連續的側(ce)墻1005之后，可以進(jin)行有源區(qu)的限(xian)定(ding)，即按照布(bu)局設計，對鰭(qi)線(xian)1001F進(jin)行分(fen)離(li)。根(gen)據本公開的實施(shi)例(li)，在(zai)(zai)對鰭(qi)線(xian)1001F進(jin)行分(fen)離(li)時(shi)，可以利用側(ce)墻1005來(lai)限(xian)定(ding)分(fen)離(li)鰭(qi)線(xian)1001F所得(de)到(dao)的鰭(qi)的端部。

為此(ci)，如(ru)圖(tu)6(a)和(he)6(b)(圖(tu)6(a)是俯(fu)視圖(tu)，圖(tu)6(b)是沿圖(tu)6(a)中AA′線(xian)(xian)的(de)(de)截面圖(tu))所示，可以(yi)通過(guo)選擇性(xing)刻(ke)蝕(相(xiang)對于氧化(hua)物(wu)的(de)(de)隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)(ceng)1009、刻(ke)蝕停(ting)止層(ceng)(ceng)(ceng)1011和(he)第一電(dian)介質1015以(yi)及(ji)氮化(hua)物(wu)的(de)(de)側墻1005)如(ru)濕法腐蝕或氣(qi)相(xiang)刻(ke)蝕，去除犧牲柵線(xian)(xian)1003，從而在(zai)側墻1005內(nei)側形成溝槽(cao)T。在(zai)此(ci)，刻(ke)蝕優選地是各向同性(xing)刻(ke)蝕，以(yi)便(bian)很好地露出(chu)側墻1005的(de)(de)內(nei)壁。在(zai)溝槽(cao)T中，露出(chu)了(le)鰭線(xian)(xian)1001F(當前被刻(ke)蝕停(ting)止層(ceng)(ceng)(ceng)1011覆蓋)。

對于露(lu)出的鰭(qi)線(xian)1001F，可(ke)以根據布(bu)局設計，分(fen)(fen)離(li)其中(zhong)的一部(bu)分(fen)(fen)，以形(xing)成分(fen)(fen)離(li)的有源(yuan)區或者(zhe)鰭(qi)。例(li)如(ru)，這可(ke)以通過光刻膠(jiao)遮蔽不需(xu)要分(fen)(fen)離(li)的鰭(qi)線(xian)并露(lu)出需(xu)要分(fen)(fen)離(li)的鰭(qi)線(xian)，然后進行選擇性刻蝕來(lai)進行。

例如，如圖(tu)7(a)和(he)7(b)(圖(tu)7(a)是(shi)俯視(shi)圖(tu)，圖(tu)7(b)是(shi)沿圖(tu)7(a)中AA′線(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)截(jie)面圖(tu))所(suo)示(shi)(shi)，可以(yi)在圖(tu)6(a)和(he)6(b)所(suo)示(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)結構(gou)上形成光(guang)刻膠1017，并將其構(gou)圖(tu)(例如，通(tong)過曝光(guang)和(he)顯(xian)影(ying))為露出(chu)從左向右數時第(di)一(yi)和(he)第(di)三條(tiao)犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵線(xian)(xian)所(suo)對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)槽(cao)(cao)T，遮(zhe)蔽(bi)(bi)第(di)二和(he)第(di)四(si)條(tiao)犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵線(xian)(xian)所(suo)對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)槽(cao)(cao)T。盡管在此示(shi)(shi)出(chu)了整個(ge)第(di)一(yi)和(he)第(di)三條(tiao)犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵線(xian)(xian)所(suo)對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)槽(cao)(cao)T均被露出(chu)且第(di)二和(he)第(di)四(si)條(tiao)犧(xi)牲(sheng)(sheng)柵線(xian)(xian)所(suo)對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)槽(cao)(cao)T均被遮(zhe)蔽(bi)(bi)的(de)(de)(de)(de)情況，但(dan)是(shi)本公開不限于此。例如，溝(gou)槽(cao)(cao)T的(de)(de)(de)(de)一(yi)部(bu)(bu)分可以(yi)遮(zhe)蔽(bi)(bi)而另一(yi)部(bu)(bu)分可以(yi)露出(chu)。這里需要指出(chu)的(de)(de)(de)(de)是(shi)，需要露出(chu)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)槽(cao)(cao)T或者(zhe)其一(yi)部(bu)(bu)分是(shi)根據布局設計而定的(de)(de)(de)(de)。

然后，如(ru)圖(tu)8(圖(tu)8示(shi)出了AA′線(xian)截面處(chu)的情況)所示(shi)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)經由溝槽T，來分(fen)離(li)(li)鰭(qi)線(xian)1001F。例(li)如(ru)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)通過反應(ying)離(li)(li)子刻(ke)(ke)蝕(RIE)，依次(ci)選擇(ze)性刻(ke)(ke)蝕刻(ke)(ke)蝕停止(zhi)層1011和脊狀(zhuang)物(wu)1001F。對(dui)脊狀(zhuang)物(wu)1001F的刻(ke)(ke)蝕可(ke)(ke)以(yi)(yi)將鰭(qi)線(xian)(即，脊狀(zhuang)物(wu)處(chu)于(yu)隔離(li)(li)層1009頂(ding)面上方的部(bu)分(fen))切(qie)斷。這樣，鰭(qi)線(xian)1001F被分(fen)離(li)(li)為不同的部(bu)分(fen)，這些部(bu)分(fen)隨后可(ke)(ke)以(yi)(yi)構成器件的鰭(qi)。以(yi)(yi)下(xia)，仍然以(yi)(yi)“1001F”來指示(shi)鰭(qi)。優選地，對(dui)脊狀(zhuang)物(wu)1001F的刻(ke)(ke)蝕可(ke)(ke)以(yi)(yi)穿(chuan)過PTSL，并停止(zhi)于(yu)n-阱或(huo)p-阱中。這有助于(yu)確(que)保各分(fen)離(li)(li)的鰭(qi)之(zhi)(zhi)間的電隔離(li)(li)。之(zhi)(zhi)后，可(ke)(ke)以(yi)(yi)去(qu)除光刻(ke)(ke)膠1017。

由于(yu)(yu)在分離鰭線1001F時側墻(qiang)1005類似于(yu)(yu)掩模(mo)，因(yin)此，分離后鰭的端部自對準(zhun)于(yu)(yu)側墻(qiang)1005的內壁。這(zhe)有助于(yu)(yu)節省襯底上的面積并因(yin)此降低制造成本。

接著，如圖(tu)9(a)和(he)9(b)(圖(tu)9(a)是(shi)俯視圖(tu)，圖(tu)9(b)是(shi)沿圖(tu)9(a)中(zhong)AA′線(xian)的截面(mian)圖(tu))所示(shi)(shi)，可以(yi)(yi)向側墻(qiang)1005內側的空間中(zhong)特(te)別是(shi)分離的鰭1001F的相對端部之間填充第(di)二電介(jie)質(zhi)1019。例(li)如，可以(yi)(yi)在圖(tu)8所示(shi)(shi)的結構上淀(dian)積氮氧(yang)化(hua)物(例(li)如，氮氧(yang)化(hua)硅)，并對其進(jin)行平坦(tan)化(hua)處理如CMP，CMP可以(yi)(yi)停止于第(di)一電介(jie)質(zhi)1015。第(di)二電介(jie)質(zhi)1019被側墻(qiang)1005圍(wei)繞，構成偽(wei)柵。

在(zai)此，通(tong)過向凹槽(cao)中(zhong)填充第(di)二(er)電(dian)(dian)介質來形(xing)成偽柵。在(zai)填充時，第(di)二(er)電(dian)(dian)介質可(ke)能(neng)(neng)先淀積于凹槽(cao)的(de)(de)(de)側(ce)壁(bi)和底壁(bi)上(shang)，從而形(xing)成U型(xing)結(jie)構(gou)，該U型(xing)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)兩個相(xiang)(xiang)對(dui)內(nei)側(ce)壁(bi)隨(sui)著淀積進行(xing)而逐漸靠攏。由于溝槽(cao)的(de)(de)(de)開(kai)口(kou)很小，因此最(zui)終U型(xing)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)對(dui)內(nei)側(ce)壁(bi)可(ke)能(neng)(neng)并(bing)沒有完全彌合，而是(shi)存在(zai)一定的(de)(de)(de)縫隙。也即，在(zai)最(zui)終的(de)(de)(de)偽柵中(zhong)，可(ke)能(neng)(neng)存在(zai)這種縫隙，從而偽柵仍然呈現U型(xing)結(jie)構(gou)。這種結(jie)構(gou)可(ke)以在(zai)透射電(dian)(dian)鏡(TEM)照片中(zhong)看到。

由于(yu)(yu)(yu)電介(jie)質的(de)偽柵(zha)留于(yu)(yu)(yu)鰭的(de)相對(dui)端(duan)部之(zhi)間，可(ke)(ke)以在后繼的(de)源/漏外延過程中(zhong)降低應力(li)(li)弛(chi)豫。另外，可(ke)(ke)以將帶應力(li)(li)的(de)電介(jie)質材質用于(yu)(yu)(yu)偽柵(zha)，以便在鰭中(zhong)產生應力(li)(li)，從而(er)增(zeng)強器件性能。例如(ru)，對(dui)于(yu)(yu)(yu)p型(xing)器件，偽柵(zha)可(ke)(ke)以帶壓應力(li)(li)；而(er)對(dui)于(yu)(yu)(yu)n型(xing)器件，偽柵(zha)可(ke)(ke)以帶拉應力(li)(li)。

之(zhi)后，可以(yi)按照布局設計，在側墻1005內側的空(kong)間中需要之(zhi)處形成(cheng)真正的柵(zha)堆(dui)疊。例(li)如，這可以(yi)通過去除(chu)(chu)一部分(fen)第二電介(jie)質1019，以(yi)露出下方的鰭1001F，并在由于第二電介(jie)質1019的去除(chu)(chu)而(er)留下的空(kong)間中形成(cheng)柵(zha)堆(dui)疊來(lai)進行。形成(cheng)的柵(zha)堆(dui)疊與(yu)下方的鰭1001F相交(jiao)，從而(er)限定FinFET。

在(zai)該示(shi)例中，由于(yu)針(zhen)對(dui)CMOS工藝，可以針(zhen)對(dui)n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)和(he)p型(xing)器(qi)(qi)件(jian)分別形成不同的柵堆(dui)疊。為(wei)此，可以針(zhen)對(dui)n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域和(he)p型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域分別進行處(chu)(chu)理(li)。在(zai)以下(xia)，將描(miao)述先(xian)對(dui)p型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域進行處(chu)(chu)理(li)然后再對(dui)n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)進行處(chu)(chu)理(li)的示(shi)例。但是，本(ben)公開不限于(yu)此，處(chu)(chu)理(li)的順序可以交(jiao)換。

例(li)如，參(can)見(jian)圖(tu)(tu)10(a)和10(b)(圖(tu)(tu)10(a)是俯視圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)10(b)是沿圖(tu)(tu)10(a)中AA′線的截面圖(tu)(tu))，可以在圖(tu)(tu)9(a)和9(b)所示的結構上形成(cheng)光刻膠1021，并(bing)將其構圖(tu)(tu)為遮蔽n型器(qi)件區域(例(li)如，圖(tu)(tu)10(a)中左(zuo)(zuo)上部(bu)以及右部(bu))，而露出p型器(qi)件區域(例(li)如，圖(tu)(tu)10(a)中左(zuo)(zuo)下部(bu))。

此時，例如可以通過對第二(er)電(dian)介質1019進行選擇性刻蝕來(lai)去除(chu)側(ce)墻1005內側(ce)的第二(er)電(dian)介質1019，并在(zai)(zai)由(you)于第二(er)電(dian)介質1019的去除(chu)而在(zai)(zai)側(ce)墻1005內側(ce)留下的空間中形(xing)成(cheng)柵(zha)堆疊，來(lai)制作FinFET。

根據本公(gong)開的實施例，在此還可以采用應變源漏技術。

例如(ru)，可(ke)以(yi)圖(tu)10(a)和10(b)所示的(de)(de)光(guang)刻膠(jiao)1021為(wei)掩模，對氧化物(wu)的(de)(de)第一電(dian)介質1015以(yi)及刻蝕停止層1011進行選(xuan)擇性刻蝕如(ru)RIE，以(yi)便露出(chu)下方的(de)(de)鰭(qi)1001F。于是，p型(xing)器件區(qu)域中鰭(qi)1001F在相鄰側墻1005之間延伸的(de)(de)部(bu)分(對應(ying)于源/漏區(qu))被露出(chu)。之后，可(ke)以(yi)去(qu)除(chu)光(guang)刻膠(jiao)1021。

接著，如圖11(a)和11(b)(圖11(a)是俯視圖，圖11(b)是沿圖11(a)中AA′線的截面圖)所示，可以對鰭1001F進行選擇性刻蝕如RIE，以至少去除其一部分從而使其下凹。例如，鰭1001F可以凹入至n-PTSL，即去除鰭1001F位于n-PTSL之上的部分。然后，可以以鰭1001F的剩余部分為種子，外延生長用作源/漏區的另外半導體材料1023。例如，對于p型器件，源/漏區1023可以包括SiGe(Ge的原子百分比為約30-75％)，以便向用作溝道區的Si的鰭1001F施加壓應力，從而改善器件性能。另外，在生長半導體材料1023時，可以對其進行原位摻雜，例如p型摻雜，摻雜濃度為約1E19-1E21cm^-3。所生(sheng)長的(de)(de)(de)半導體材料(liao)1023的(de)(de)(de)頂(ding)面可(ke)(ke)(ke)以高(gao)于鰭1001F的(de)(de)(de)頂(ding)面，以便更好(hao)地向鰭1001F施加應(ying)力(li)；另一(yi)方面，可(ke)(ke)(ke)以低于側墻(qiang)1005或偽柵(zha)1019的(de)(de)(de)頂(ding)面，以便隨后(hou)可(ke)(ke)(ke)以在(zai)此之上形(xing)成(cheng)應(ying)力(li)保持層。

在生長(chang)(chang)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料1023時，由于(yu)在相對兩側(ce)(圖11(a)和(he)11(b)中左右兩側(ce))以及底部均存在種(zhong)子層(ceng)，從而有助于(yu)高質量的(de)(de)生長(chang)(chang)。以這種(zhong)方式進行生長(chang)(chang)，所生長(chang)(chang)的(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)材料1023可以呈現如鰭1001F的(de)(de)脊狀。

另外(wai)，如圖11(b)所示，由(you)于(yu)n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域上存在的(de)第一電介質1015以及(ji)p型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域與n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域之間的(de)偽柵(zha)1019，可以防止所生長的(de)半導(dao)體材料1023中的(de)應力釋放到n型(xing)器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域，并有(you)助于(yu)改(gai)善p型(xing)器(qi)(qi)件(jian)的(de)性能。

然后，如圖(tu)12(圖(tu)12示(shi)出了AA′線截面處的(de)情況)所(suo)示(shi)，可以在圖(tu)11(a)和(he)11(b)上例如通過淀(dian)積(ji)形成(cheng)第(di)三電(dian)介質1025如氧(yang)化物(wu)，并對其進行平(ping)坦化處理如CMP，CMP可以停止(zhi)于側墻(qiang)1005。這樣，所(suo)形成(cheng)的(de)第(di)三電(dian)介質1025填充了相鄰側墻(qiang)之間的(de)空(kong)間，并且(qie)有助于防止(zhi)下方的(de)半導體(ti)材料1023中的(de)應力釋放(fang)。

接(jie)下來，可以對n型器件區(qu)域(yu)進行同樣(yang)地(di)處(chu)理。

為此(ci)，如(ru)圖(tu)13(a)和13(b)(圖(tu)13(a)是俯視(shi)圖(tu)，圖(tu)13(b)是沿圖(tu)13(a)中AA′線的(de)截面圖(tu))所(suo)示(shi)，可以在圖(tu)12所(suo)示(shi)的(de)結構(gou)上(shang)形成光(guang)刻(ke)膠1027，并將(jiang)其(qi)構(gou)圖(tu)為遮蔽p型器(qi)件區域(例(li)如(ru)，圖(tu)13(a)中左(zuo)下部)，而露(lu)出n型器(qi)件區域(例(li)如(ru)，圖(tu)13(a)中左(zuo)上(shang)部以及右部)。

此時，例(li)如(ru)可以通(tong)過對第二(er)電(dian)介(jie)質1019進行選(xuan)擇性刻蝕來去(qu)除(chu)側(ce)(ce)墻(qiang)1005內側(ce)(ce)的第二(er)電(dian)介(jie)質1019，并(bing)在由(you)于第二(er)電(dian)介(jie)質1019的去(qu)除(chu)而在側(ce)(ce)墻(qiang)1005內側(ce)(ce)留下的空間中形成柵堆疊，來制作FinFET。

當(dang)然，也(ye)可以(yi)對n型器件區(qu)域應用應變源漏技術。

例如，可以圖13(a)和13(b)所示的光刻(ke)膠1027為掩模，對氧化(hua)物的第一(yi)電(dian)介(jie)質1015以及(ji)刻(ke)蝕停止(zhi)層1011進行選擇性刻(ke)蝕如RIE，以便露(lu)出下方的鰭1001F。于(yu)是，n型(xing)器件(jian)區域中(zhong)鰭1001F在(zai)相鄰(lin)側墻1005之(zhi)間延(yan)伸(shen)的部分(對應于(yu)源/漏區)被露(lu)出。之(zhi)后，可以去(qu)除光刻(ke)膠1027。

接著，如圖(tu)14(圖(tu)14示出了AA′線截(jie)面處的(de)(de)情況)所示，可以(yi)(yi)(yi)(yi)對鰭(qi)1001F進(jin)行選擇性(xing)刻蝕(shi)如RIE，以(yi)(yi)(yi)(yi)至少去(qu)除(chu)其一部分從而使其下凹。例如，鰭(qi)1001F可以(yi)(yi)(yi)(yi)凹入至p-PTSL，即去(qu)除(chu)鰭(qi)1001F位于(yu)p-PTSL之(zhi)上的(de)(de)部分。在去(qu)除(chu)鰭(qi)1001F的(de)(de)該部分時，半(ban)導(dao)體(ti)層1023中的(de)(de)應力可能釋放，但是第三電(dian)介(jie)質1025以(yi)(yi)(yi)(yi)及p型器件區域(yu)與n型器件區域(yu)之(zhi)間的(de)(de)偽柵1019有助于(yu)減(jian)小這種釋放。

然后，可以以鰭1001F的剩余部分為種子，外延生長用作源/漏區的另外半導體材料1029。例如，對于n型器件，源/漏區1029可以包括Si∶C(C的原子百分比為約0.1-3％)，以便向用作溝道區的Si的鰭1001F施加拉應力，從而改善器件性能。另外，在生長半導體材料1029時，可以對其進行原位摻雜，例如n型摻雜，摻雜濃度為約1E19-1E21cm^-3。所生長(chang)的(de)半導(dao)體(ti)材(cai)料1029的(de)頂面可(ke)以(yi)高于鰭1001F的(de)頂面，以(yi)便更好地向鰭1001F施加應力(li)(li)；另一方面，可(ke)以(yi)低于側墻1005或偽柵1019的(de)頂面，以(yi)便隨后可(ke)以(yi)在此之(zhi)上形成應力(li)(li)保持層。

在(zai)生(sheng)長(chang)半(ban)導體(ti)材料1029時，由于在(zai)相(xiang)對兩(liang)側(ce)(圖14中左右(you)兩(liang)側(ce))以及(ji)底部均(jun)存在(zai)種子層，從(cong)而有助于高質量的(de)(de)生(sheng)長(chang)。以這種方式進行生(sheng)長(chang)，所生(sheng)長(chang)的(de)(de)半(ban)導體(ti)材料1029可以呈現如鰭1001F的(de)(de)脊狀。

另外，如(ru)圖(tu)14所(suo)示(shi)，由于在(zai)p型(xing)(xing)器件(jian)區域(yu)(yu)(yu)上存在(zai)的第三電介質1025以(yi)及p型(xing)(xing)器件(jian)區域(yu)(yu)(yu)與n型(xing)(xing)器件(jian)區域(yu)(yu)(yu)之間(jian)的偽(wei)柵，可以(yi)防止所(suo)生長的半導體材料1029中的應力釋放到p型(xing)(xing)器件(jian)區域(yu)(yu)(yu)，并有助于改(gai)善p型(xing)(xing)器件(jian)的性能。

然后，如(ru)(ru)(ru)圖(tu)(tu)(tu)(tu)15(a)和15(b)(圖(tu)(tu)(tu)(tu)15(a)是俯視圖(tu)(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)(tu)15(b)是沿圖(tu)(tu)(tu)(tu)15(a)中AA′線的(de)截(jie)面圖(tu)(tu)(tu)(tu))所(suo)示，可(ke)以(yi)(yi)在圖(tu)(tu)(tu)(tu)14上例如(ru)(ru)(ru)通(tong)過淀積形(xing)成第四電(dian)介(jie)質1031如(ru)(ru)(ru)氧化物(可(ke)以(yi)(yi)與第三(san)電(dian)介(jie)質1025相同)，并對其進行平坦(tan)化處理如(ru)(ru)(ru)CMP，CMP可(ke)以(yi)(yi)停止(zhi)于(yu)側墻1005。這樣，所(suo)形(xing)成的(de)第四電(dian)介(jie)質1031填充(chong)了相鄰側墻之間的(de)空間，并且有(you)助于(yu)防(fang)止(zhi)下方(fang)的(de)半(ban)導體材料1029中的(de)應力釋放。

可(ke)以(yi)看出，由(you)于存在多種應(ying)(ying)力(li)保(bao)持(chi)機制，從而可(ke)以(yi)增加器(qi)(qi)件中的應(ying)(ying)力(li)。圖27示(shi)(shi)出了根據(ju)本(ben)公開實(shi)施例的應(ying)(ying)力(li)保(bao)持(chi)機制所能(neng)實(shi)現的應(ying)(ying)力(li)增強。如圖27所示(shi)(shi)，采用(yong)這些應(ying)(ying)力(li)保(bao)持(chi)機制，對n型(xing)器(qi)(qi)件和(he)p型(xing)器(qi)(qi)件，均(jun)可(ke)以(yi)實(shi)現溝道區的應(ying)(ying)力(li)增強。

如圖15(a)和(he)15(b)所示(shi)，當(dang)前的(de)(de)有源區已經形(xing)成為這樣的(de)(de)形(xing)式：有源區總體上仍(reng)呈沿第(di)一(yi)方向延伸的(de)(de)脊狀(zhuang)物(wu)(wu)，該脊狀(zhuang)物(wu)(wu)在(zai)(zai)(zai)偽(wei)柵1019和(he)側墻1005正下方的(de)(de)部分是原本的(de)(de)鰭1001F，而在(zai)(zai)(zai)相鄰側墻1005之間(jian)延伸的(de)(de)部分是應(ying)變源/漏(lou)區1023、1029。應(ying)變源/漏(lou)區1023、1029可以比(bi)原本的(de)(de)鰭1001F要粗(cu)。在(zai)(zai)(zai)該示(shi)例(li)中，偽(wei)柵1019可以將有源區的(de)(de)不同部分相隔離(li)。

在(zai)形成應變源/漏(lou)之后，可(ke)(ke)以(yi)(yi)將偽(wei)柵(zha)(zha)1019中(zhong)需要之處替(ti)換(huan)為(wei)真(zhen)正(zheng)的(de)柵(zha)(zha)堆疊(die)。為(wei)此，首先可(ke)(ke)以(yi)(yi)去除(chu)偽(wei)柵(zha)(zha)1019中(zhong)需要替(ti)換(huan)的(de)部分(fen)，并在(zai)其中(zhong)代(dai)之以(yi)(yi)真(zhen)正(zheng)的(de)柵(zha)(zha)堆疊(die)。對于n型(xing)器(qi)件和p型(xing)器(qi)件，可(ke)(ke)以(yi)(yi)分(fen)別進行柵(zha)(zha)堆疊(die)的(de)替(ti)代(dai)。

例(li)如(ru)，如(ru)圖(tu)16(a)和(he)16(b)(圖(tu)16(a)是(shi)俯視(shi)圖(tu)，圖(tu)16(b)是(shi)沿圖(tu)16(a)中(zhong)AA′線的(de)截面圖(tu))所(suo)示，可以在圖(tu)15(a)和(he)15(b)所(suo)示的(de)結構上(shang)形(xing)成光(guang)(guang)刻膠(jiao)1033，并將(jiang)該(gai)光(guang)(guang)刻膠(jiao)1033構圖(tu)為(wei)遮蔽需要保留的(de)偽(wei)柵(zha)(zha)部(bu)(bu)分(圖(tu)中(zhong)從(cong)左至(zhi)右數第(di)一、第(di)三和(he)第(di)四偽(wei)柵(zha)(zha)，以及第(di)二偽(wei)柵(zha)(zha)的(de)一部(bu)(bu)分)，并露(lu)出(chu)(chu)需要替換(huan)的(de)偽(wei)柵(zha)(zha)部(bu)(bu)分(用于(yu)p型器件(jian)的(de)部(bu)(bu)分，圖(tu)中(zhong)從(cong)左至(zhi)右數第(di)二偽(wei)柵(zha)(zha)的(de)一部(bu)(bu)分)。以光(guang)(guang)刻膠(jiao)1033為(wei)掩(yan)模(mo)，對偽(wei)柵(zha)(zha)1019進(jin)行選擇性(xing)刻蝕(shi)如(ru)RIE(相對于(yu)氧化物的(de)電介質1025/1031以及氮化物的(de)側(ce)墻1005)。刻蝕(shi)可以停(ting)止于(yu)刻蝕(shi)停(ting)止層1011。這樣，由于(yu)這些部(bu)(bu)分的(de)偽(wei)柵(zha)(zha)被去除，從(cong)而(er)在側(ce)墻1005內(nei)側(ce)留下了空(kong)間(jian)(用于(yu)容納柵(zha)(zha)堆(dui)疊)，且在該(gai)空(kong)間(jian)內(nei)露(lu)出(chu)(chu)了鰭1001F(鰭表面覆蓋有刻蝕(shi)停(ting)止層1011，該(gai)刻蝕(shi)停(ting)止層1011例(li)如(ru)可以通過清洗(xi)或者(zhe)選擇性(xing)刻蝕(shi)而(er)被去除)。之后(hou)，可以去除光(guang)(guang)刻膠(jiao)1033。

然后(hou)，如(ru)圖(tu)(tu)17(a)和17(b)(圖(tu)(tu)17(a)是俯視圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)17(b)是沿圖(tu)(tu)17(a)中AA′線的(de)截(jie)面圖(tu)(tu))所示，可以(yi)在如(ru)上所述(shu)在側(ce)墻(qiang)1005內(nei)側(ce)留下(xia)的(de)空間(jian)中形(xing)(xing)成柵(zha)堆(dui)疊(die)。在此，可以(yi)形(xing)(xing)成針對p型(xing)器件的(de)柵(zha)堆(dui)疊(die)。

例如，可以首先在該空間中通過淀積如原子層淀積(ALD)形成柵介質層1035。柵介質層1035可以包括高K柵介質如HfO₂，厚度(du)為(wei)約1-3nm。在(zai)形(xing)成柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)1035之前，可(ke)以在(zai)鰭1001F的(de)表(biao)面上形(xing)成氧(yang)化(hua)物的(de)界面層(ceng)(ceng)(未示出)，厚度(du)為(wei)約0.3-1.2nm。之后，可(ke)以通(tong)過淀積形(xing)成針對p型(xing)器件的(de)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)(ceng)1037-1，例如(ru)金屬柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)。可(ke)以對所形(xing)成的(de)柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)(ceng)1037-1和柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)1035進(jin)行平坦化(hua)處理如(ru)CMP，CMP可(ke)以停止于電介(jie)(jie)質1025/1031。這樣，柵(zha)(zha)(zha)電極(ji)層(ceng)(ceng)1037-1和柵(zha)(zha)(zha)介(jie)(jie)質層(ceng)(ceng)1035留(liu)于側墻1005內(nei)側，形(xing)成柵(zha)(zha)(zha)堆疊。

接下(xia)來，可以類(lei)似(si)地(di)對n型器(qi)件(jian)進行柵(zha)堆疊的替代。

例(li)如(ru)，如(ru)圖(tu)(tu)18(a)、18(b)、18(c)和18(d)(圖(tu)(tu)18(a)是(shi)俯視圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)18(b)是(shi)沿(yan)圖(tu)(tu)18(a)中AA′線(xian)的(de)(de)(de)截面(mian)圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)18(c)是(shi)沿(yan)圖(tu)(tu)18(a)中BB′線(xian)的(de)(de)(de)截面(mian)圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)18(d)是(shi)沿(yan)圖(tu)(tu)18(a)中CC′線(xian)的(de)(de)(de)截面(mian)圖(tu)(tu))所示(shi)，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)圖(tu)(tu)17(a)和17(b)所示(shi)的(de)(de)(de)結構上形(xing)成(cheng)光刻(ke)(ke)膠1033′，并將(jiang)該光刻(ke)(ke)膠1033′構圖(tu)(tu)為(wei)(wei)遮蔽(bi)需要保留的(de)(de)(de)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)部分(圖(tu)(tu)中從左(zuo)至右數第(di)一和第(di)三偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)，第(di)二偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)的(de)(de)(de)一部分，以(yi)及(ji)第(di)四(si)(si)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)的(de)(de)(de)一部分)，并露出(chu)(chu)需要替換的(de)(de)(de)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)部分(用于(yu)n型器件的(de)(de)(de)部分，圖(tu)(tu)中從左(zuo)至右數第(di)二偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)和第(di)四(si)(si)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)的(de)(de)(de)一部分)。以(yi)光刻(ke)(ke)膠1033′為(wei)(wei)掩模，對(dui)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)1019進(jin)行選(xuan)擇性刻(ke)(ke)蝕(shi)如(ru)RIE(相對(dui)于(yu)氧化物(wu)(wu)的(de)(de)(de)電介質1025/1031以(yi)及(ji)氮(dan)化物(wu)(wu)的(de)(de)(de)側墻(qiang)(qiang)1005)。刻(ke)(ke)蝕(shi)可(ke)以(yi)停止(zhi)于(yu)刻(ke)(ke)蝕(shi)停止(zhi)層(ceng)1011。這樣，由于(yu)這些部分的(de)(de)(de)偽(wei)(wei)(wei)柵(zha)被去(qu)(qu)除(chu)(chu)，從而在(zai)(zai)側墻(qiang)(qiang)1005內側留下了空(kong)間(用于(yu)容納(na)柵(zha)堆疊)，且在(zai)(zai)該空(kong)間內露出(chu)(chu)了鰭1001F(鰭表面(mian)覆蓋有刻(ke)(ke)蝕(shi)停止(zhi)層(ceng)1011，該刻(ke)(ke)蝕(shi)停止(zhi)層(ceng)1011例(li)如(ru)可(ke)以(yi)通(tong)過清(qing)洗或者選(xuan)擇性刻(ke)(ke)蝕(shi)而被去(qu)(qu)除(chu)(chu))。之后，可(ke)以(yi)去(qu)(qu)除(chu)(chu)光刻(ke)(ke)膠1033′。

根據本公開的(de)(de)(de)實施(shi)例，在(zai)柵(zha)(zha)堆(dui)疊的(de)(de)(de)相(xiang)對(dui)端部(bu)之間需要隔(ge)離(li)的(de)(de)(de)情況(kuang)下，可(ke)以利用光(guang)刻(ke)膠1033′來遮(zhe)蔽相(xiang)應位置(zhi)，從(cong)而在(zai)該處(chu)留下偽柵(zha)(zha)以便用作(zuo)隔(ge)離(li)。例如(ru)，如(ru)圖(tu)18(a)(參見其中右側的(de)(de)(de)虛線橢(tuo)圓圈(quan))和18(c)所示，在(zai)從(cong)左(zuo)至(zhi)右數(shu)第四(si)條偽柵(zha)(zha)處(chu)，光(guang)刻(ke)膠1033′覆蓋了在(zai)第二方向上一定寬(kuan)度的(de)(de)(de)偽柵(zha)(zha)，該寬(kuan)度的(de)(de)(de)偽柵(zha)(zha)1019隨后得(de)以保(bao)留。

另外，根據本公(gong)開的(de)實施例，在柵堆疊(特別是n型(xing)器件和(he)p型(xing)器件的(de)柵堆疊)的(de)相對端部之間(jian)需要隔離(li)的(de)情況(kuang)下，可以利(li)用(yong)光刻膠(jiao)1033′與前(qian)次(ci)光刻膠(jiao)1033之間(jian)的(de)套準交迭來遮蔽(bi)相應位(wei)置，從而在該處(chu)留下偽柵以便用(yong)作隔離(li)。例如，如圖18(a)(參見其中左側的(de)虛線(xian)橢(tuo)圓圈)和(he)18(d)所示，在從左至右數(shu)第二(er)條(tiao)偽柵處(chu)，光刻膠(jiao)1033′與前(qian)次(ci)光刻膠(jiao)1033之間(jian)在第二(er)方向上(shang)交迭一定寬度，該寬度的(de)偽柵1019隨(sui)后(hou)得以保留。

然后(hou)，如圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(a)、19(b)、19(c)和19(d)(圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(a)是俯(fu)視圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(b)是沿(yan)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(a)中(zhong)AA′線的(de)截面圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(c)是沿(yan)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(a)中(zhong)BB′線的(de)截面圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(d)是沿(yan)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)19(a)中(zhong)CC′線的(de)截面圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)(tu))所示，可(ke)以(yi)(yi)在如上所述在側(ce)墻1005內側(ce)留下(xia)的(de)空間中(zhong)形成(cheng)(cheng)柵堆疊(die)。在此，可(ke)以(yi)(yi)形成(cheng)(cheng)針對(dui)n型器件的(de)柵堆疊(die)。

例如，可以首先在該空間中通過淀積如原子層淀積(ALD)形成柵介質層1035。柵介質層1035可以包括高K柵介質如HfO₂，厚(hou)(hou)度為(wei)(wei)約1-3nm。在形成(cheng)柵(zha)介質(zhi)層(ceng)(ceng)1035之前，可以(yi)在鰭1001F的表面上形成(cheng)氧化物(wu)的界面層(ceng)(ceng)(未示出)，厚(hou)(hou)度為(wei)(wei)約0.3-1.2nm。之后(hou)，可以(yi)通(tong)過淀積形成(cheng)針(zhen)對n型器件的柵(zha)電極層(ceng)(ceng)1037-2，例如金屬柵(zha)電極。可以(yi)對所形成(cheng)的柵(zha)電極層(ceng)(ceng)1037-2和柵(zha)介質(zhi)層(ceng)(ceng)1035進行(xing)平坦(tan)化處理如CMP，CMP可以(yi)停止于電介質(zhi)1025/1031。這樣，柵(zha)電極層(ceng)(ceng)1037-2和柵(zha)介質(zhi)層(ceng)(ceng)1035留于側墻1005內(nei)側，形成(cheng)柵(zha)堆(dui)疊。

這樣，就得(de)到(dao)了n型和p型的FinFET。如(ru)圖19(b)所(suo)示，在p型FinFET中，柵電(dian)極(ji)層1037-1可(ke)(ke)以(yi)介由柵介質(zhi)層1035控(kong)制(zhi)鰭1001F中的溝(gou)(gou)道區(qu)(qu)，且源/漏區(qu)(qu)1023可(ke)(ke)以(yi)通過溝(gou)(gou)道區(qu)(qu)電(dian)連(lian)通。類似地(di)，在n型FinFET中，柵電(dian)極(ji)層1037-2可(ke)(ke)以(yi)介由柵介質(zhi)層1035控(kong)制(zhi)鰭1001F中的溝(gou)(gou)道區(qu)(qu)，且源/漏區(qu)(qu)1029可(ke)(ke)以(yi)通過溝(gou)(gou)道區(qu)(qu)電(dian)連(lian)通。

在此，可(ke)以對n型(xing)器(qi)件(jian)(jian)和(he)p型(xing)器(qi)件(jian)(jian)分(fen)別(bie)形(xing)成不(bu)(bu)(bu)同(tong)的(de)柵(zha)堆疊(在該示(shi)例中，對于(yu)n型(xing)器(qi)件(jian)(jian)和(he)p型(xing)器(qi)件(jian)(jian)形(xing)成相(xiang)同(tong)的(de)柵(zha)介質層(ceng)，并形(xing)成不(bu)(bu)(bu)同(tong)的(de)柵(zha)電極層(ceng)；但(dan)是本公開不(bu)(bu)(bu)限于(yu)此，例如(ru)也可(ke)以形(xing)成不(bu)(bu)(bu)同(tong)的(de)柵(zha)介質層(ceng))。

參見圖19(a)和19(c)，某些(xie)相(xiang)對(dui)的柵堆疊(die)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(或者說，殘(can)留的偽(wei)柵1019在(zai)第二方向上的寬度)是由(you)光刻膠(jiao)1033′在(zai)該處的線(xian)寬決定的。相(xiang)比于(yu)柵堆疊(die)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的間(jian)(jian)(jian)隙(xi)由(you)線(xian)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的間(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge)決定的常規技(ji)術(shu)，該間(jian)(jian)(jian)隙(xi)可以(yi)(yi)做得(de)更窄(因(yin)為一般(ban)而言在(zai)光刻技(ji)術(shu)中線(xian)寬可以(yi)(yi)小于(yu)線(xian)間(jian)(jian)(jian)隔(ge)(ge))。也即，柵堆疊(die)的相(xiang)對(dui)端部之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的距離可以(yi)(yi)更小，從而可以(yi)(yi)節省面積(ji)，并可以(yi)(yi)降低制造成本。

另外(wai)，參(can)見圖(tu)19(a)和19(d)，某些(xie)相對的(de)(de)(de)柵(zha)堆疊之(zhi)間的(de)(de)(de)隔離(或(huo)者說，殘留的(de)(de)(de)偽(wei)柵(zha)1019在(zai)第二(er)方向上的(de)(de)(de)寬度)是由光刻(ke)膠(jiao)1033′與光刻(ke)膠(jiao)1033之(zhi)間的(de)(de)(de)套(tao)準交(jiao)迭決(jue)定的(de)(de)(de)。相比(bi)于特征(zheng)尺寸(cun)由線寬決(jue)定的(de)(de)(de)常規技(ji)術，該隔離可(ke)(ke)以做得更(geng)窄(因為一(yi)般而言在(zai)光刻(ke)技(ji)術中套(tao)準交(jiao)迭可(ke)(ke)以小(xiao)于關鍵線寬(CD))。也即，柵(zha)堆疊的(de)(de)(de)相對端部之(zhi)間的(de)(de)(de)距(ju)離可(ke)(ke)以更(geng)小(xiao)，從而可(ke)(ke)以節省面積，并可(ke)(ke)以降(jiang)低制造(zao)成本。

在此，利用了兩(liang)種不同方式(shi)(shi)來實現柵堆(dui)疊相對端部之間(jian)間(jian)隙的(de)減小。可(ke)以根據布局(ju)設計，選擇(ze)是(shi)否使(shi)用這些方式(shi)(shi)。

接(jie)(jie)下來，可(ke)以(yi)進行接(jie)(jie)觸部的制作(zuo)。

為了保護柵堆疊(die)，如圖(tu)20(圖(tu)20示出了AA′線截(jie)面處(chu)的情況(kuang))所(suo)示，可以(yi)使(shi)柵堆疊(die)凹入，并在其頂部形成保護層1039。例(li)如，保護層1039可以(yi)包括氮化物(wu)。

根據本公(gong)(gong)開(kai)的(de)(de)(de)實(shi)施例(li)，按照自對(dui)準(zhun)技術來形(xing)成接觸部。例(li)如(ru)，如(ru)圖(tu)21(a)和(he)21(b)(圖(tu)21(a)是俯視圖(tu)，圖(tu)21(b)是沿圖(tu)21(a)中(zhong)AA′線的(de)(de)(de)截面圖(tu))所示，可以對(dui)電介質(zhi)(zhi)1025/1031(在該示例(li)中(zhong)，氧化(hua)物(wu))進行選擇(ze)性刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)如(ru)濕法腐蝕(shi)和(he)氣相刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(相對(dui)于半導體材料1023/1029、氮氧化(hua)物(wu)的(de)(de)(de)偽柵、氮化(hua)物(wu)的(de)(de)(de)側墻1005和(he)保護層(ceng)1039)，以至少部分地露出下(xia)方的(de)(de)(de)源(yuan)/漏區1023、1029。這種刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)可以是各(ge)向同性刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)，且刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)的(de)(de)(de)溝槽或(huo)孔洞可以至少部分地與部分側墻1005的(de)(de)(de)外壁實(shi)質(zhi)(zhi)上共(gong)形(xing)或(huo)實(shi)質(zhi)(zhi)上對(dui)準(zhun)。在圖(tu)21(a)中(zhong)示出了對(dui)電介質(zhi)(zhi)1025/1031的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)露出下(xia)方的(de)(de)(de)隔離層(ceng)1009，但是本公(gong)(gong)開(kai)不限于此(ci)。例(li)如(ru)，電介質(zhi)(zhi)1025/1031還可以留(liu)有一部分，只要源(yuan)/漏區1023、1029被露出。

于(yu)是，如圖21(a)和21(b)所示，在(zai)相鄰的側墻(qiang)1005之間，留下(xia)了溝槽(cao)。這些(xie)溝道(dao)隨(sui)后(hou)可以(yi)容(rong)納導電材料以(yi)形(xing)成接觸部。由(you)于(yu)源/漏區(qu)1023、1029位于(yu)這些(xie)溝槽(cao)內，從而接觸部可以(yi)自對準于(yu)源/漏區(qu)1023、1029。

然(ran)后，如圖22(a)和22(b)(圖22(a)是俯視圖，圖22(b)是沿圖22(a)中AA′線的截面圖)所(suo)(suo)示(shi)(shi)，可(ke)以(yi)在圖21(a)和21(b)所(suo)(suo)示(shi)(shi)的結(jie)構上，例如通(tong)過淀積形成接觸(chu)材料(liao)(liao)1041，并可(ke)以(yi)對其(qi)進行(xing)平(ping)坦化處理(li)例如CMP，CMP可(ke)以(yi)停(ting)止于側墻1005或保護層(ceng)1039。于是，接觸(chu)材料(liao)(liao)1041填充于各溝槽中。接觸(chu)材料(liao)(liao)1041可(ke)以(yi)包括導(dao)電(dian)材料(liao)(liao)，例如金屬如W。不同溝槽中的接觸(chu)材料(liao)(liao)1041由于它們(men)之(zhi)間的側墻1005而彼此隔(ge)離。

此外(wai)，在形成接(jie)觸材料1041之前，可以(yi)先(xian)形成一層阻擋層(未示出)，例如Ti或(huo)者Ti/TiN疊層。

之后，如圖23(a)和23(b)(圖23(a)是(shi)俯視圖，圖23(b)是(shi)沿圖23(a)中AA′線的截(jie)面圖)所示(shi)，可以(yi)根據布局設計(ji)，將(jiang)(jiang)接(jie)觸材料1041分離(li)為不同的接(jie)觸部(bu)。例如，可以(yi)在圖22(a)和22(b)所示(shi)的結構(gou)上形成(cheng)(cheng)光刻膠(jiao)(未示(shi)出(chu))，并將(jiang)(jiang)其(qi)構(gou)圖為露出(chu)需(xu)要隔離(li)之處，而(er)遮(zhe)蔽(bi)其(qi)余之處。然(ran)后，以(yi)光刻膠(jiao)為掩模，對接(jie)觸材料1041進行選擇性(xing)刻蝕(shi)如RIE，以(yi)切斷接(jie)觸材料1041。如圖23(b)所示(shi)，形成(cheng)(cheng)了自對準于源/漏區1023、1029的接(jie)觸部(bu)1041。

本公開的(de)技術可以局部(bu)地或(huo)者全局地應用(yong)于襯(chen)底上。

在以上實施例中(zhong)，p型(xing)(xing)器件的(de)(de)柵電(dian)(dian)極層1037-1和n型(xing)(xing)器件的(de)(de)柵電(dian)(dian)極層1037-2彼此(ci)電(dian)(dian)隔離。但是，本公開不限于此(ci)。例如，在某(mou)些(xie)區域處，根據布(bu)局(ju)設計(ji)，p型(xing)(xing)器件的(de)(de)柵電(dian)(dian)極層1037-1和n型(xing)(xing)器件的(de)(de)柵電(dian)(dian)極層1037-2彼此(ci)電(dian)(dian)連接。

例(li)如(ru)，在(zai)(zai)以上結合圖(tu)3(a)-20描述(shu)的(de)操作之后，如(ru)圖(tu)24(a)和(he)24(b)(圖(tu)24(a)是俯視圖(tu)，圖(tu)24(b)是沿圖(tu)24(a)中CC′線的(de)截面(mian)圖(tu))所示，可以在(zai)(zai)圖(tu)20所示的(de)結構上形成掩模層1043。例(li)如(ru)，掩模層1043可以包括氮化物，厚度為約10-50nm。可以將該掩模層1043構圖(tu)(例(li)如(ru)，通過光刻)為露出(chu)需要(yao)電連接的(de)柵電極層1037-1和(he)柵電極層1037-2之間的(de)隔離(即，偽柵1019)。

然后，如圖(tu)25(圖(tu)25示(shi)出(chu)了(le)CC′線截(jie)面處(chu)的情況)所(suo)示(shi)，可以利用掩模(mo)層1043，選擇(ze)性刻蝕(shi)(shi)保護層1039(在該示(shi)例中(zhong)，氮化物)和(he)偽柵(zha)1019(在該示(shi)例中(zhong)，氮氧化物)。在此(ci)，還可以對柵(zha)介質層1035進行選擇(ze)性刻蝕(shi)(shi)如。于是，在柵(zha)電(dian)極層1037-1和(he)柵(zha)電(dian)極層1037-2之間留下了(le)空隙。

隨后，如(ru)圖26(圖26示(shi)出了(le)CC′線(xian)截面(mian)處(chu)的(de)情況)所示(shi)，可以向(xiang)空隙(xi)中(zhong)填(tian)充導電(dian)(dian)材料1045如(ru)鎢(W)，以便(bian)將柵(zha)電(dian)(dian)極層1037-1和(he)柵(zha)電(dian)(dian)極層1037-2彼此電(dian)(dian)連接。優選(xuan)地(di)，填(tian)充的(de)導電(dian)(dian)材料1045的(de)頂(ding)面(mian)不(bu)高(gao)于柵(zha)電(dian)(dian)極層1037-1、1037-2的(de)頂(ding)面(mian)。然后，可以向(xiang)空隙(xi)中(zhong)的(de)剩(sheng)余空間中(zhong)填(tian)充電(dian)(dian)介質(zhi)1039′如(ru)氮(dan)化物。可以對氮(dan)化物進(jin)行平坦化處(chu)理如(ru)CMP。

之(zhi)后，可以同上述實(shi)施例中一樣，進(jin)行接觸部的制造。

在(zai)以(yi)上的(de)實施例(li)中，在(zai)應用應變(bian)源(yuan)/漏(lou)技術(shu)時，針對(dui)p型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域和n型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域分(fen)別進行處理。但是，本(ben)公開不限(xian)于此。例(li)如，可以(yi)在(zai)所有器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域上將對(dui)應于源(yuan)/漏(lou)區(qu)的(de)脊狀(zhuang)物替換(huan)為針對(dui)一種(zhong)類(lei)型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(例(li)如，p型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian))的(de)第(di)(di)一應變(bian)源(yuan)/漏(lou)，然(ran)后再將另一種(zhong)類(lei)型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(例(li)如，n型器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian))區(qu)域上的(de)第(di)(di)一應變(bian)源(yuan)/漏(lou)替換(huan)為針對(dui)該類(lei)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)第(di)(di)二(er)應變(bian)源(yuan)/漏(lou)。

如(ru)圖(tu)28(a)和28(b)(圖(tu)28(a)是俯(fu)視圖(tu)，圖(tu)28(b)是沿圖(tu)28(a)中(zhong)(zhong)AA′線的(de)截面圖(tu))所示，如(ru)在以上(shang)結合(he)(he)圖(tu)9(a)和9(b)所述形成(cheng)偽柵1019之后，可以在整個襯底上(shang)對氧化物的(de)第(di)一電介質1015以及刻蝕停(ting)止層1011進行選擇性刻蝕如(ru)RIE，以便露出下方的(de)鰭(qi)1001F。于是，p型器件區(qu)域和n型器件區(qu)域中(zhong)(zhong)鰭(qi)1001F在相鄰側(ce)墻1005之間延伸的(de)部分(對應(ying)于源/漏(lou)區(qu))被露出。該操(cao)作與以上(shang)結合(he)(he)圖(tu)10(a)和10(b)描述的(de)操(cao)作類似，但是并未形成(cheng)光刻膠(jiao)1021。

接著(zhu)，如圖(tu)29(a)和29(b)(圖(tu)29(a)是(shi)俯視圖(tu)，圖(tu)29(b)是(shi)沿(yan)圖(tu)29(a)中AA′線的截面(mian)圖(tu))所示，可以(yi)(yi)對鰭1001F進(jin)行選(xuan)擇(ze)性刻蝕如RIE，以(yi)(yi)至(zhi)少(shao)去除其一(yi)部分(fen)從而(er)使其下(xia)凹(ao)。然后，可以(yi)(yi)以(yi)(yi)鰭1001F的剩(sheng)余部分(fen)為種(zhong)子，外(wai)(wai)延(yan)生長用(yong)作p型器件的源/漏(lou)區的另外(wai)(wai)半導體材料1023。對此，例如可以(yi)(yi)參見以(yi)(yi)上結合圖(tu)11(a)和11(b)的描述。

然后，如(ru)圖30(圖30示出了AA′線截面處(chu)的情(qing)況)所示，可(ke)以在圖29(a)和29(b)上例(li)如(ru)通過(guo)淀積形成(cheng)第三電介質1025如(ru)氧化物(wu)，并對其(qi)進行平坦化處(chu)理如(ru)CMP，CMP可(ke)以停止于(yu)側墻1005。

接(jie)下來，可以替換n型器件區域中的半導體材料1023。

為(wei)(wei)此，如(ru)圖(tu)31(a)和(he)31(b)(圖(tu)31(a)是俯視圖(tu)，圖(tu)31(b)是沿圖(tu)31(a)中(zhong)AA′線(xian)的(de)(de)截面圖(tu))所示，可(ke)(ke)以(yi)(yi)在圖(tu)30所示的(de)(de)結構(gou)上形成光(guang)刻(ke)膠(jiao)1027，并將其構(gou)圖(tu)為(wei)(wei)遮蔽(bi)p型器(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(例(li)如(ru)，圖(tu)31(a)中(zhong)左(zuo)下部(bu))，而露(lu)(lu)出n型器(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(例(li)如(ru)，圖(tu)31(a)中(zhong)左(zuo)上部(bu)以(yi)(yi)及右部(bu))。以(yi)(yi)光(guang)刻(ke)膠(jiao)1027為(wei)(wei)掩模(mo)，對氧(yang)化(hua)物(wu)的(de)(de)第三(san)電(dian)介質1025進行選(xuan)擇性(xing)刻(ke)蝕(shi)如(ru)RIE，以(yi)(yi)便露(lu)(lu)出下方的(de)(de)鰭1001F。于(yu)是，n型器(qi)件(jian)(jian)區(qu)域中(zhong)鰭1001F在相鄰側墻1005之間(jian)延伸的(de)(de)部(bu)分(對應(ying)于(yu)源/漏(lou)區(qu))被露(lu)(lu)出。之后，可(ke)(ke)以(yi)(yi)去除光(guang)刻(ke)膠(jiao)1027。

接著，如(ru)圖32(圖32示(shi)出了(le)AA′線(xian)截(jie)面處(chu)的(de)(de)情(qing)況(kuang)(kuang))所示(shi)，可以(yi)對鰭(qi)1001F進行選擇性刻(ke)蝕(shi)如(ru)RIE，以(yi)至(zhi)少(shao)去(qu)除其(qi)一部(bu)分從而使其(qi)下(xia)(xia)凹。然(ran)后，如(ru)圖33(圖33示(shi)出了(le)AA′線(xian)截(jie)面處(chu)的(de)(de)情(qing)況(kuang)(kuang))所示(shi)，可以(yi)以(yi)鰭(qi)1001F的(de)(de)剩余(yu)部(bu)分為種(zhong)子，外延生長用(yong)作n型(xing)器件的(de)(de)源/漏(lou)區的(de)(de)另(ling)外半導體材料1029。對此，例如(ru)可以(yi)參見以(yi)上結合圖14的(de)(de)描(miao)述。接下(xia)(xia)來，可以(yi)如(ru)以(yi)上實施例中一樣進行。

根據本(ben)(ben)公開實施例的半(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)(she)置(zhi)可(ke)以(yi)應用(yong)于各種(zhong)電子(zi)設(she)(she)(she)備(bei)。例如(ru)(ru)，通過集成(cheng)這(zhe)樣的半(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)(she)置(zhi)以(yi)及(ji)(ji)其(qi)(qi)他(ta)器件(例如(ru)(ru)，其(qi)(qi)他(ta)形式的晶體(ti)管等(deng)(deng))，可(ke)以(yi)形成(cheng)集成(cheng)電路(lu)(IC)，并(bing)由此(ci)構建電子(zi)設(she)(she)(she)備(bei)。因此(ci)，本(ben)(ben)公開還(huan)提供(gong)了一種(zhong)包括上述(shu)半(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)(she)置(zhi)的電子(zi)設(she)(she)(she)備(bei)。電子(zi)設(she)(she)(she)備(bei)還(huan)可(ke)以(yi)包括與集成(cheng)電路(lu)配合(he)的顯示(shi)屏幕(mu)以(yi)及(ji)(ji)與集成(cheng)電路(lu)配合(he)的無線收發器等(deng)(deng)部件。這(zhe)種(zhong)電子(zi)設(she)(she)(she)備(bei)例如(ru)(ru)智(zhi)能電話、計算機、平(ping)板電腦(nao)(PC)、可(ke)穿戴智(zhi)能設(she)(she)(she)備(bei)、移動電源(yuan)等(deng)(deng)。

在(zai)以(yi)上(shang)的(de)描述(shu)(shu)中，對(dui)于各(ge)(ge)層的(de)構(gou)圖(tu)、刻蝕(shi)等技(ji)(ji)術(shu)(shu)細(xi)節并(bing)(bing)沒有做(zuo)出(chu)詳(xiang)細(xi)的(de)說明。但是(shi)(shi)本(ben)領域技(ji)(ji)術(shu)(shu)人員應當理解，可以(yi)通過(guo)各(ge)(ge)種(zhong)技(ji)(ji)術(shu)(shu)手段，來(lai)形(xing)成所(suo)需形(xing)狀(zhuang)的(de)層、區域等。另(ling)外(wai)，為了形(xing)成同(tong)一(yi)結構(gou)，本(ben)領域技(ji)(ji)術(shu)(shu)人員還可以(yi)設計出(chu)與以(yi)上(shang)描述(shu)(shu)的(de)方(fang)(fang)法并(bing)(bing)不完(wan)全相同(tong)的(de)方(fang)(fang)法。另(ling)外(wai)，盡管(guan)在(zai)以(yi)上(shang)分別描述(shu)(shu)了各(ge)(ge)實(shi)施例，但是(shi)(shi)這(zhe)并(bing)(bing)不意味著各(ge)(ge)個實(shi)施例中的(de)措(cuo)施不能有利地結合使用(yong)。

以(yi)(yi)上對本(ben)公(gong)開(kai)(kai)的實施例(li)進行(xing)了(le)描述。但是，這些實施例(li)僅僅是為了(le)說明的目的，而并非為了(le)限制本(ben)公(gong)開(kai)(kai)的范(fan)圍(wei)。本(ben)公(gong)開(kai)(kai)的范(fan)圍(wei)由所附權利要求及其等(deng)價(jia)物限定。不(bu)脫離本(ben)公(gong)開(kai)(kai)的范(fan)圍(wei)，本(ben)領(ling)域技術(shu)人員(yuan)可以(yi)(yi)做出多種替(ti)代(dai)和修改(gai)，這些替(ti)代(dai)和修改(gai)都應落在本(ben)公(gong)開(kai)(kai)的范(fan)圍(wei)之內。