半導體裝置的制造方法
【專利摘要】本發明的實施方式提供一種能夠容易地制造半導體裝置的半導體裝置的制造方法。實施方式的半導體裝置的制造方法具備：將第一支撐帶貼附在半導體晶片的第一面的步驟；使所述半導體晶片單片化為多個半導體芯片的步驟；將第二支撐帶沿第一方向貼附在所述多個半導體芯片的第二面的步驟；將所述第一支撐帶從所述多個半導體芯片剝離的步驟；及通過使所述第二支撐帶延伸來擴大所述半導體芯片之間的距離的步驟；所述第二半導體支撐帶相對于第一方向的伸長而產生的標稱應力與相對于第二方向的伸長而產生的標稱應力之比為0.7～1.4。
【專利說明】半導體裝置的制造方法
[0001][相關申請]
[0002]本申請享有以日本專利申請2015-78578號(申請日:2015年4月7日)及日本專利申請2016-27371號(申請日:2016年2月16日)為基礎申請的優先權。本申請是通過參照這些基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
技術領域
[0003]本發明的實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法。
【背景技術】
[0004]晶片存在單片化為半導體芯片之前粘著在支撐帶而被處理的情況。

【發明內容】

[0005]本發明的實施方式提供一種能夠使芯片的單片化穩定地進行的半導體裝置的制造方法。
[0006]實施方式的半導體裝置的制造方法具備:將第一支撐帶貼附在半導體晶片的第一面的步驟;使所述半導體晶片單片化為多個半導體芯片的步驟;將第二支撐帶沿第一方向貼附在所述多個半導體芯片的第二面的步驟;將所述第一支撐帶從所述多個半導體芯片剝離的步驟;及通過使所述第二支撐帶延伸來擴大所述半導體芯片之間的距離的步驟;所述第二半導體支撐帶相對于第一方向的伸長而產生的標稱應力與相對于第二方向的伸長而產生的標稱應力之比為0.7?1.4。
【附圖說明】
[0007]圖1是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0008]圖2是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0009]圖3是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0010]圖4是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0011]圖5是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0012]圖6是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0013]圖7是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0014]圖8是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0015]圖9是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0016]圖10是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0017]圖11是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0018]圖12是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0019]圖13是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0020]圖14是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性剖視圖。
[0021]圖15(A)是圖12的SI區域的放大圖，并且是表示擴展前的第二支撐帶100及半導體芯片80的示意性剖視圖，圖15(B)是圖13的S2區域的放大圖，并且是表示擴展后的第二支撐帶100及半導體芯片80的示意性剖視圖。
[0022]圖16(A)是說明DAF(DieAttach Film，晶粒接附膜)剝離不良的示意性剖視圖，圖16(B)是說明DAF割斷不良的示意性剖視圖。
[0023]圖17(A)是表示標稱應變中的屈服時伸長率小的情況下的第二支撐帶的標稱應變與標稱應力的關系的示意性圖表，圖17(B)是表示標稱應變中的屈服時伸長率大的情況下的第二支撐帶的標稱應變與標稱應力的關系的示意性圖表。
[0024]圖18是表示對標稱應變中的第二支撐帶的屈服時伸長率不同的實施例與比較例測定擴展后的距離D所得的結果的圖表。
[0025]圖19(A)是表示異向性大的情況下的第二支撐帶的標稱應變與標稱應力的關系的示意性圖表，圖19(B)是表示異向性小的情況下的第二支撐帶的標稱應變與標稱應力的關系的不意性圖表。
[0026]圖20(A)是擴展后的從半導體芯片80的上表面觀察的俯視圖，圖20(B)是異向性大的情況下的圖20(A)中的S3區域的放大圖，圖20(C)是異向性小的情況下的圖20(A)中的S3區域的放大圖。
[0027]圖21表示對第二支撐帶的X方向與Y方向的標稱應力之比不同的實施例與比較例測定擴展后的距離D所得的結果的圖表。
[0028]圖22是表示第二支撐帶的X方向的帶的標稱應變與DAF割斷不良率的關系的圖表。
[0029]圖23是表示對比較例1、比較例2、實施例的第二支撐帶測定擴展后的貼附時的帶標稱應變、距離D、DAF割斷不良所得的結果的表。
[0030]圖24、圖25、圖26、圖27、圖28是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的示意性立體圖。
[0031]圖29(a)?(C)是說明標稱應變/標稱應力、真實應變/真實應力的示意性圖。
[0032]圖30(a)是表不某一樣本中的標稱應變與標稱應力的關系的圖表，圖30(b)是表不相同樣本中的真實應變與真實應力的關系的圖表。
[0033]圖31是對多個樣本的DAF割斷不良的評估結果、使用標稱應變、標稱應力時的屈服時伸長率、使用真實應力時的斷裂時或屈服時的標稱應變與真實應變進行匯總的表。
【具體實施方式】
[0034]以下，參照附圖對實施方式進行說明。在以下的說明中，對于大致相同的功能及構成要素標注相同的符號。
[0035]另外，在本說明書及附圖中，存在如下情況:即便半導體晶片10被單片化為半導體芯片80與缺損芯片85，在利用帶等將他們固定化且大體上維持晶片的形狀的情況下，有時記載為半導體晶片10。
[0036](第I實施方式的半導體裝置的制造方法)
[0037]圖1?圖14是說明第一實施方式的半導體裝置的制造方法的圖。
[0038]如圖1及圖2所示，半導體晶片1被切割。
[0039]半導體晶片10具有第一面1a與第二面10b。第一面1a是形成了NAND(Not AND，與非)元件、晶體管、配線等(未圖示)的元件面。第二面1b是與第一面1a為相反側的面。
[0040]如圖1及圖2所示，使用切割刀片20在半導體晶片10的第一面1a形成刀片槽30。刀片槽30例如是以格子狀而設置。刀片槽30形成得比半導體晶片10的厚度淺。
[0041]如圖3及圖4所示，將第一支撐帶50貼附在第一面10a。第一支撐帶50例如為背面研磨帶。第一支撐帶50是使用滾筒40而貼附在第一面10a。
[0042]如圖5及圖6所示，第二面1b是使用研磨磨石60而被研磨。
[0043]第二面1b通過研磨接近第一面1a。而且，第二面1b與刀片槽30接觸。如此一來，刀片槽30貫通至第一面1a與第二面10b。而且，半導體晶片10是利用刀片槽30而被單片化為多個半導體芯片80與缺損芯片85。半導體芯片80及缺損芯片85維持貼附在第一支撐帶的狀態，因此不會離散。
[0044]另外，半導體芯片80是指作為半導體裝置的產品而出廠的芯片，缺損芯片85是指未作為半導體裝置的產品而出廠的芯片。半導體晶片10分割為半導體芯片80或缺損芯片85的個數為任意。
[0045]半導體芯片80也與半導體晶片10同樣地，具有第一面80a與第二面80b。第一面80a是形成了 NAND元件、晶體管、配線等(未圖示)的元件面。第一面80a是貼附在第一支撐帶50的面。第二面80b是與第一面80a為相反側的面。
[0046]在以下的說明中，只要將缺損芯片85以與半導體芯片80相同的方式處理即可。因此，除必要情況以外省略缺損芯片85的說明。
[0047]如圖7及圖8所示，第二支撐帶100貼附在半導體芯片80的第二面80b與支撐環110。
[0048]貼附在第一支撐帶50的半導體芯片80與第一支撐帶50—起上下翻轉。支撐環110配置在多個半導體芯片80的外側。而且，第二支撐帶100是使用滾筒115而貼附在第二面80b及支撐環110。
[0049]第二支撐帶100例如在使用電動機117等而被拉伸的狀態下貼附在第二面80b及支撐環110。因為是將第二支撐帶100—邊拉伸一邊貼附，所以能夠在第二支撐帶100與第二面80b、第二支撐帶100與支撐環110之間縮小間隙而將第二支撐帶100貼附。
[0050]另外，可以在滾筒115與電動機117之間配置任意數量的滾筒等。電動機可以是任意種類的電動機。此外，即便不是電動機，只要能夠使第二支撐帶100拉伸，則可以是任意的機構。
[0051 ]將使用滾筒115對第二支撐帶進行粘著的方向稱為X方向，將與X方向正交的方向稱為Y方向。換句話說，滾筒115相對于半導體芯片80的相對前進方向為X方向，滾筒115的延伸方向為Y方向。
[°°52]另外，存在X方向與第二支撐帶的MD(Machine Direct1n，縱向)一致的情況。此夕卜，存在Y方向與第二支撐帶的TD(Transverse Direct1n，橫向)一致的情況。
[0053]關于第二支撐帶100，在下文中詳細地進行說明。
[0054]圖9及圖10是表示將第二支撐帶100貼附在第二面80b及支撐環110后再次上下翻轉后的狀態的示意性立體圖及剖視圖。
[0055]另外，圖9及圖10表示第二支撐帶100以支撐環110的下表面切斷的狀態，但并不限定于此。例如，第二支撐帶100可以被支撐環110的外側切斷，也可以不被切斷。
[0056]如圖11及圖12所示，將第一支撐帶50從半導體芯片80剝離。半導體芯片80貼附在第二支撐帶100。也就是說，半導體芯片80是經由第二支撐帶100而與支撐環110連結，因此能夠將第一支撐帶50從半導體芯片80剝離。
[0057]如圖13所示，第二支撐帶100被伸長(擴展)。
[0058]半導體芯片80是使用治具120而相對于支撐環110被推向上方。將該第二支撐帶100被推出的長度稱為擴展量H。通過使第二支撐帶100擴展，經單片化的半導體芯片80間的距離D擴大。
[0059]對擴展時的第二支撐帶100的伸長方法更詳細地進行說明。在擴展時，將第二支撐帶100貼附在支撐環110。接下來，利用治具120使第二支撐帶100拉長。接下來，因為在治具120與第二支撐帶100之間會產生摩擦力，所以首先被拉長的是支撐環110與治具120之間的區域A。
[0060]如果區域A被充分地拉長且第二支撐帶100所產生的應力大于治具120與第二支撐帶的摩擦力，那么半導體芯片80的下方的區域B被拉長。
[0061]因此，例如，如果第二支撐帶100容易伸長、也就是說對于第二支撐帶所伸長的長度(標稱應變(Normal Strain))而產生的標稱應力(Normal Stress)小，那么區域B不易被拉長。相反，如果第二支撐帶100不易伸長、也就是說相對于標稱應變所產生的標稱應力大，那么區域B容易被拉長。
[0062]如圖14所示，半導體芯片80例如是使用具備吸附吸嘴140的拾取機構150拾取，并在向襯底或者其它半導體芯片的安裝步驟等半導體裝置的特定制造步驟中被運送。另外，半導體芯片80在拾取時，可以是附著了第二支撐帶的一部分的狀態。另外，具體來說，下述DAF(未圖示)可以與半導體芯片80—起被拾取。
[0063](關于第二支撐帶)
[0064]使用圖15(A)及圖15(B)對第二支撐帶100更詳細地進行說明。圖15(A)及圖15(B)分別是表示擴展前及擴展后的第二支撐帶100及半導體芯片80的示意性剖視圖。
[0065]第二支撐帶100例如具有基材層220、黏著劑層210、及DAF(Die Attach Film)200。
[0066]基材層220例如包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴等合成樹脂。
[0067]黏著劑層210是貼合基材層220及DAF200的任意材料。黏著劑層210例如包含環氧樹脂、聚酰亞胺、丙烯酸系樹脂、聚烯烴、硅酮等合成樹脂。
[0068]DAF200例如包含丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺、環氧樹脂。
[0069]如圖15(B)所示，第二支撐帶100的一部分通過擴展而針對各半導體芯片的每個切斷。具體來說，第二支撐帶所含的DAF200是通過擴展而被切斷。
[0070]在通過該擴展將DAF切斷時，可能會產生例如DAF割斷不良、及DAF剝離不良。使用圖16(A)及圖16(B)對該不良進行說明。另外，圖16(A)及圖16(B)是相當于圖13的S2區域的放大圖的圖。
[0071]圖16(A)是表示DAF剝離不良的示意性剖視圖。DAF剝離不良是將DAF200從黏著劑層210剝離的不良。半導體芯片80及DAF200的位置偏移，且視情況會飛散。因此，半導體芯片80及DAF200的拾取變得困難。
[0072]擴展時，半導體芯片80及其下部的DAF200因黏著劑層210的張力而向四方拉伸。此處，例如在擴展量H大的情況下，存在黏著劑層210的張力大于黏著劑層210與DAF200的密接力的情況。在該張力大于密接力的情況下，DAF200無法附著在黏著劑層210。也就是說，會產生圖16(A)所示那樣的DAF剝離不良。
[0073]本次，通過
【申請人】的實驗確認了DAF剝離不良與擴展量H的關系。而且，在擴展量H大于8mm的情況下，會尤其顯著地發生DAF剝離不良。此外，DAF200與黏著劑層210之間的黏著力為0.lN/25mm以上的情況對防止DAF剝離不良優選。
[0074]圖16(B)是表示DAF割斷不良的示意性剖視圖。DAF割斷不良是DAF200未被充分地割斷的不良。因DAF200粘著在多個半導體芯片80，所以難以將分離的半導體芯片80與DAF200—起拾取。
[0075]在發生DAF割斷不良的情況下，因DAF200未被切斷，所以距離D并未充分地擴大。因此，通過測定距離D，能夠對DAF割斷不良進行評估。
[0076]DAF割斷不良取決于第二支撐帶100的特性。
[0077]以下，對DAF割斷不良與第二支撐帶100的特性的關系進一步進行說明。
[0078]首先，對第二支撐帶100的屈服時伸長率與DAF割斷不良的關系進行說明。
[0079]圖17(A)及圖17(B)是表示第二支撐帶100的標稱應變與標稱應力的關系的示意性圖表。如圖17(A)所示，如果第二支撐帶使標稱應變從0%增加，那么在超過某一標稱應變的時點標稱應力降低(屈服)。將該標稱應力最先下降的點稱為屈服點，將與該屈服點對應的標稱應變稱為屈服時伸長率。例如，與圖17(A)的比較例相比，圖17(B)的實施例的屈服時伸長率大。
[0080]圖18是針對第二支撐帶的屈服時伸長率不同的實施例及比較例，對擴展量H與半導體芯片80之間的距離D的關系進行繪制而成的實驗數據。在本實驗中，如果距離D為40μπι以上，那么意味著DAF割斷不良少。圖18的數據是在25處測定點對不同芯片間的距離的X方向的距離、及Y方向的距離進行測定所得的大約50處的測定數據。
[0081]如圖18所示，即便在屈服時伸長率為40%的比較例中將擴展量H設為8mm，也無法抑制DAF割斷不良。在屈服時伸長率為55%的比較例中，雖然比屈服時伸長率為40%的比較例得以改善，但是仍然會發生DAF割斷不良。相對于此，在屈服時伸長率為90%的樣本中，通過將擴展量H設為8mm，DAF割斷不良大幅被抑制。認為其原因在于:例如屈服時伸長率高的樣本能夠不受第二支撐帶100的差異等影響而均等地伸長。
[0082]其次，為了進一步抑制DAF割斷不良，對擴展時的第二支撐帶100的X方向及Y方向上所產生的標稱應力的異向性與DAF割斷不良的關系進行說明。第二支撐帶100例如存在因第二支撐帶100的制造上的原因而導致X方向與Y方向上所產生的標稱應力不同的情況。
[0083]圖19(A)及圖19(B)是表示第二支撐帶100的標稱應變與標稱應力的關系的示意性圖表。在各個圖表中，(a)表示X方向的關系，(b)表示Y方向的關系。標稱應變是將自然狀態設為I時從自然狀態伸長的長度的比例。
[0084]圖19(A)的比較例在標稱應變為e時，X方向的標稱應力為Y方向的標稱應力的大致2倍。另一方面，圖19 (B)的實施例在標稱應變為e時，X方向的標稱應力為Y方向的標稱應力的大致I倍。也就是說，比較例是Y方向與X方向相比容易伸長，相對于此，實施例是Y方向與X方向的伸長容易度之差小。
[0085]使用圖20(A)?(C)對使該比較例及實施例的第二支撐帶100擴展后的狀態進行說明。
[0086]圖20(A)是相當于圖13的擴展后的示意性俯視圖。圖20(B)或圖20(C)是圖20(A)的區域S3的示意性放大圖。圖20(B)表示相當于圖19(A)的比較例的情況。圖20(C)表示相當于圖19(B)的實施例的情況。
[0087]首先，對比較例的情況進行說明。如上所述，如果第二支撐帶100容易伸長，那么圖13中的第二支撐帶100的區域B難以被拉長。相反，如果第二支撐帶100難以伸長，那么第二支撐帶100的區域B容易被拉長。而且，在比較例中，第二支撐帶100是Y方向與X方向相比容易伸長。
[0088]因此，如圖20(B)所示，在區域B中，第二支撐帶100是容易沿X方向伸長，而難以沿Y方向伸長。也就是說，X方向的半導體芯片80間的距離Dl大于Y方向的半導體芯片80間的距離D2。因此，第二支撐帶100所包含的DAF200容易在X方向上被割斷，相對于此，難以在Y方向上被割斷。
[0089]另一方面，如圖20(C)所示，在X方向的標稱應力與Y方向的伸長容易度之差小的情況下，X方向與Y方向大致均等地擴大。也就是說，X方向的半導體芯片80的距離D3與Y方向的距離D4大致相等。因此，第二支撐帶100所包含的DAF200在X方向及Y方向上被均等地割斷。
[0090]如果對以上進行匯總，那么為了防止DAF割斷不良，第二支撐帶優選X方向的標稱應力與Y方向的標稱應力之比接近1、也就是異向性小。
[0091]圖21是針對第二支撐帶100的異向性不同的樣本，對擴展量H與半導體芯片80之間的距離D的關系進行繪制而成的實驗數據。另外，本實驗所使用的第二支撐帶100的屈服時伸長率均為90%以上。此外，在本實驗中，如果距離D為40μπι以上，那么也意味著DAF割斷不良少，是測定點與所述實驗相同的約50處的測定數據。
[0092]如圖21所示，在標稱應力之比為1.7的情況下，即便將擴展量H設為8mm，也會發生距離D為40μπι以下的DAF割斷不良。另一方面，在標稱應力之比為1.4及1.0的情況下，如果將擴展量H設為8mm，那么在所有測定數據中確認到DAF被割斷。因此，第二支撐帶100的X方向的標稱應力與Y方向的標稱應力之比理想的是1.4以下。另外，理所當然，在Y方向的標稱應力強于X方向的標稱應力的情況下，該比成為1.4的倒數即約0.7以上。
[0093]另外，如上所述，使X方向與Y方向上所產生的標稱應力接近I未必意指使第二支撐帶100的MD與TD上所產生的標稱應力接近I。即便MD與TD上所產生的標稱應力存在異向性，通過將第二支撐帶100傾斜地貼附在半導體芯片80，也能夠使X方向與Y方向上所產生的標稱應力接近I。
[0094]進而，對貼附狀態的第二支撐帶100的標稱應變、及第二支撐帶100的拉伸強度與DAF割斷不良的關系進彳丁說明。
[0095]如參照圖8所說明那樣，第二支撐帶100是一邊被拉伸，一邊沿X方向貼附。因此，第二支撐帶100是在沿X方向伸長的狀態下貼附在第二面80b。而且，第二支撐帶100是沿X方向伸長而貼附，因此如果第二支撐帶100被擴展，那么X方向與Y方向的伸長容易度不同。假設X方向與Y方向的伸長容易度不同，那么如在標稱應力的異向性中所說明的那樣，可能會使DAF割斷不良惡化。
[0096]換句話說，不僅通過所述第二支撐帶100的屈服時伸長率及標稱應力的異向性，也通過在貼附時不使第二支撐帶沿X方向伸長而能夠進一步抑制DAF割斷不良。
[0097]圖22是表示貼附狀態下的第二支撐帶100的X方向的標稱應變與DAF割斷不良的關系的圖表。另外，第二支撐帶100的X方向的標稱應變是貼附后常溫下的測定值。
[0098]如圖22所示，得知如果第二支撐帶100的X方向的標稱應變超過1.9%，那么會發生DAF割斷不良。也就是說，得知如果第二支撐帶100的X方向的標稱應變至少小于1.9%，那么有利于減少DAF割斷不良。
[0099]為了減少該第二支撐帶100的X方向的伸長，只要第二支撐帶100并未因貼附時的拉伸力而過分伸長即可。具體來說，如果第二支撐帶100的拉伸強度(用于使單位長度伸長所需的力)大，那么能夠減少貼附時的拉伸力下的X方向的伸長。
[0100]圖23是對第二支撐帶的拉伸強度不同的樣本的帶的X方向的標稱應變、距離D、距離D的差異、DAF割斷不良進行匯總所得的表。在圖23中，拉伸強度示出常溫時(24°C)與高溫時(70°C )的各自的數據。此處，所謂常溫，例如是指10°C?30°C，高溫時例如為40?90°C。常溫例如為擴展時的溫度，高溫例如為貼附第二支撐帶時的溫度。
[0101]另外，在圖23中，拉伸強度表示用以使寬度20mm的第二支撐帶100在標稱應變中伸長2%所必需的力。第二支撐帶100的實際寬度例如是相對于300mm半導體晶片而為最大350?390mm的寬度。也就是說，相對于圖23所示的值，在施加了 17.5倍?19.5倍左右的力的情況下，第二支撐帶100的長度伸長2%。
[0102]此外，本實驗為屈服時伸長率為90%以上并且X方向與Y方向上所產生的標稱應力的異向性為1.2以下的第二支撐帶100。即便距離D的最短距離超過40μπι也會存在不良的原因在于:圖18或圖21的樣本數約為50處，相對于此，圖23的樣本數多，約為350處，從而進行更精密的評估。
[0103]以下，對圖23的實驗結果進行說明。
[0104]關于帶的標稱應變，比較例1、比較例2、實施例分別為2.1%,0.8%,1.1%。得知比較例2與實施例常溫時的拉伸強度與比較例I相比大，因此帶的標稱應變減小。尤其是比較例2常溫時的拉伸強度最大，因此認為帶的標稱應變變得最小。
[0?05] 關于距離D的最小值，在比較例1、比較例2、實施例中分別為123mm、103mm、156mm。實施例相對于比較例I及比較例2，距離D的最小值變大。認為其原因在于第二支撐帶100的貼附時的高溫下的拉伸強度大。另外，比較例2的距離D的最小值小于比較例I。認為其原因在于高溫時的拉伸強度小于比較例I。
[0106]關于距離D的標準偏差，在比較例1、比較例2、實施例中分別為12.4 mm、17.I mm、
8.6mm。實施例相對于比較例I及比較例2，距離D的標準偏差小。也就是說，實施例的距離D的差異小。認為距離D的差異小是與距離D的最小值同樣地受到高溫下的拉伸強度的影響而導致。
[0107]最后，關于DAF割斷不良率，在比較例1、比較例2、實施例中分別為5.1%、0.7%、
0.0 %。實施例的貼附時的帶的標稱應變雖然差于比較例2，為1.1 %，但是不良率為0.0%,高于比較例2的不良率。認為實施例相對于比較例1、比較例2，距離D的最小值更大，距離D的標準偏差更小的原因在于不良率小。
[0108]對本實驗進行匯總，如果標稱應變為2%的常溫時的拉伸強度大于2.8[N/20mm]，那么容易使貼附后的第二支撐帶100的標稱應變小于所述1.9%。也就是說，能夠減少DAF割斷不良。而且，如果高溫時的拉伸強度大于1.6[N/20mm]，那么能夠使距離D進一步增大，且使距離D的標準偏差進一步減小。也就是說，能夠進一步減少DAF割斷不良。
[0109](第二實施方式)
[0110]使用圖24?圖28對第二實施方式進行說明。另外，對于與第一實施方式大致相同的要素標注相同的符號，并適當省略說明。
[0111]如圖24所示，將第一支撐帶50貼附在半導體晶片10的第一面10a。在本實施方式中，并未形成刀片槽30，且貼附著第一支撐帶50。
[0112]如圖25及圖26所示，將半導體晶片10上下翻轉，使用激光310從第二面1b側切割。具體來說，使用激光310在半導體晶片10內部形成改質區域320。從該改質區域320朝向例如晶片的下側產生龜裂(解理面)330。另外，龜裂330也可以沿上下產生。
[0113]如圖27及圖28所示，將半導體晶片10再次翻轉，使用研磨磨石60對第二面1b進行研磨。與第一實施方式的圖5同樣地對背面進行研磨。由此，接下來半導體晶片10通過龜裂330而被單片化為多個半導體芯片80與缺損芯片85。另外，存在龜裂330微細的情況，因此存在在外觀上無法視認出龜裂330的情況。
[0114]以下，利用與第一實施方式相同的制造方法制造半導體裝置。
[0115]在第二實施方式中使用基于激光的切割，這一點與第一實施方式不同。與使用刀片的切割相比，第二實施方式能夠防止因切割時產生灰塵所導致的良率降低，此外，能夠減少用于清洗的純水的使用量。
[0116](變化例)
[0117]在所述說明中，半導體晶片10是在利用激光切割后使用研磨磨石進行研磨。該研磨也可以在激光切割前進行。例如，半導體晶片10預先通過研磨而薄膜化。之后，半導體晶片10使用基于激光的切割而形成到達至半導體晶片10的第一面1a及第二面1b的龜裂330。
[0118](第三實施方式)
[0119]在第一實施方式及第二實施方式中，貼附第二支撐帶100的方向與半導體晶片10的切割方向大致平行或大致正交，但并不限定于此。
[0120]例如，也可以與半導體晶片10的切割方向傾斜45度。這種情況下，例如能夠更均勻地擴展。
[0121](第四實施方式)
[0122]使用圖29對第四實施方式進行說明。圖29(a)及(b)表示帶510的拉伸試驗的方法。圖29(a)表示拉伸前的狀態，圖29(b)表示拉伸后的狀態。
[0123]支架500使帶510的兩端拉伸，由此能夠測定帶510的拉伸強度、標稱應力、標稱應變、伸長率等。帶510例如為第二支撐帶100。
[0124]如圖29(a)及(b)所示，在拉伸后，帶510成為帶510’，其寬度從Wl變細成W2。
[0125]另一方面，圖29(c)表示在將帶510貼附在半導體晶片10的狀態下拉伸的狀態。如圖29(c)所示，帶510沿所有方向被拉伸，因此其粗細度不會像圖29(b)那樣變細。
[0126]也就是說，在圖29(a)及圖29(b)所示的帶510的拉伸試驗的方法中，存在無法恰當地算出貼附在晶片10的狀態的應力、應變等的情況。因此，使用以下關系所表示的真實應力(True Stress)、真實應變(True Strain) ο
[0127]ot = on(en+l)
[0128]et= ln( εη+1)
[0129]此處，ot為真實應力，ση為標稱應力，εt為真實應變，εη為標稱應變。利用真實應力、真實應變，能夠在降低拉伸試驗中帶510變細的效果且更接近實際使用帶10的環境的狀態下進行評估。
[0130]圖30是表示利用標稱應力、標稱應變對相同樣本進行評估的情況(圖30(a))與利用真實應力、真實應變進行評估的情況(圖30(b))的比較的圖。
[0131]如圖30(a)所示，如果使用標稱應力、標稱應變，那么本樣本的屈服時伸長率為20%左右。另一方面，如圖30(b)所示，如果使用真實應力、真實應變，那么本樣本并未屈服，而是在真實應變約250%左右處斷裂。
[0132]也就是說，圖30的樣本在利用標稱應力、標稱應變進行評估的情況下，屈服時伸長率為90%以下，因此存在會產生DAF割斷不良的顧慮。可是，如果利用真實應力、真實應變進行評估，那么不會屈服。而且，在
【發明人】等人的實驗中確認到，在實際的樣本中，利用真實應力、真實應變進行評估更恰當。
[0133]圖31是對針對第二支撐帶100的樣本A?F中的DAF割斷不良試驗的評估實驗的結果進行匯總而成的表。圖31的表表示各樣本的評估結果、使用標稱應變、標稱應力時的屈服時伸長率、使用真實應力時的斷裂時或屈服時的標稱應變與真實應變。另外，各值是針對MD及TD而分別表不。
[0134]關于圖31的實驗，DAF割斷不良試驗的評估與圖23等同樣地是針對半導體晶片10的評估試驗結果。屈服時伸長率、標稱應變、真實應變等的測定是使用島津制作所制造的Autograph (型式AGS-D)而進行測定。試驗時的拉伸速度為500mm/min。
[0135]實施DAF割斷不良的評估，結果樣本A?C、E良好，在樣本D、F中更多地產生不良。
[0136]例如，如觀察圖31的樣本A可知那樣，使用標稱應力時的屈服時伸長率為28%、20%，小于90 %。另一方面，使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率大，為105%、124%。而且，實際上在樣本A中DAF割斷不良的評估良好。
[0137]相對于此，樣本D使用標稱應力時的屈服時伸長率為30%、30%，與樣本A大致同等。另一方面，使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率為199%、25%，在TD方面大幅差于樣本A。而且，實際上在樣本D中DAF割斷不良的評估并不良好。
[0138]也就是說，存在使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率與DAF割斷不良進一步相關的情況。
[0139]根據圖31的結果得知，在DAF割斷不良良好的樣本A?C、E中，使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率最小的是樣本C的TD中的72%。也就是說，如果為72%以上，那么關于DAF割斷不良，能夠期待良好的結果。
[0140]另外，在不良樣本D、F中，認為MD與TD中小的值與DAF割斷不良相關，因此需要對MD與TD的值中小的值進行評估。在樣本D與F中，使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率最大的成為樣本F的39 %。
[0141]已對本發明的實施方式進行了說明，但本實施方式是作為例子而提出，并非意圖限定發明的范圍。該新穎的實施方式能以其它各種方式加以實施，且能夠在不脫離發明主旨的范圍內進行各種省略、替換、變更。本實施方式或其變形包含在發明的范圍或主旨中，并且包含在權利要求書所記載的發明與其均等的范圍內。
[0142][符號的說明]
[0143]10 半導體晶片
[0144]1a第一面
[0145]1b第二面
[0146]20切割刀片
[0147]30刀片槽
[0148]40滾筒
[0149]50第一支撐帶
[0150]60研磨磨石
[0151]80半導體芯片
[0152]80a第一面
[0153]80b第二面
[0154]85芯片
[0155]90率
[0156]100第二支撐帶
[0157]HO支撐環
[0158]115滾筒
[0159]117電動機
[0160]120治具
[0161]140吸附吸嘴
[0162]150拾取機構
[0163]200DAF
[0164]210黏著劑層
[0165]220基材層
[0166]310激光
[0167]320改質區域
[0168]330龜裂
[0169]500支架
[0170]510帶
[0171]S3區域
【主權項】
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于包括: 將第一支撐帶貼附在半導體晶片的第一面的步驟； 使所述半導體晶片單片化為多個半導體芯片的步驟； 將第二支撐帶沿第一方向貼附在所述多個半導體芯片的第二面的步驟； 將所述第一支撐帶從所述多個半導體芯片剝離的步驟;及通過使所述第二支撐帶延伸來擴大所述半導體芯片之間的距離的步驟;且所述第二支撐帶相對于所述第一方向的伸長而產生的標稱應力與相對于和所述第一方向交叉的第二方向的伸長而產生的標稱應力之比為0.7?1.4。2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第二支撐帶屈服時伸長率為90%以上。3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第二支撐帶使用真實應力時的斷裂時或屈服時的伸長率為72%以上。4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第二支撐帶用于使寬度20mm的所述第二支撐帶伸長2%所需的力在24度下大于2.8[幻，在70度下大于1.6[幻。5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于: 所述第二支撐帶在貼附后在常溫下向所述第一方向的標稱應變為1.9%以下。6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于還包括如下步驟，即，在貼附所述第一支撐帶的步驟之前使用刀片在所述半導體晶片形成刀片槽， 所述單片化步驟是通過對所述半導體晶片的與所述第一面相反的第二面進行研磨，使所述刀片槽到達至所述第二面而進行。7.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于: 所述單片化步驟是通過對所述半導體晶片照射激光以形成解理面而進行。
【文檔編號】H01L27/00GK106057792SQ201610213415
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月7日 公開號201610213415.6, CN 106057792 A, CN 106057792A, CN 201610213415, CN-A-106057792, CN106057792 A, CN106057792A, CN201610213415, CN201610213415.6
【發明人】藤田努, 向田秀子, 杉沢佳史
【申請人】株式會社東芝