本發明涉及(ji)承載半(ban)導(dao)體(ti)芯片的(de)島(dao)部（island）的(de)背面從(cong)密(mi)封(feng)樹脂露出的(de)半(ban)導(dao)體(ti)裝置及(ji)其的(de)制(zhi)造方法。

背景技術：

通常，在(zai)承載半(ban)導(dao)體(ti)芯片(pian)的(de)(de)(de)島部(bu)的(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)從密封(feng)樹脂(zhi)露出(chu)的(de)(de)(de)高(gao)散熱(re)型(xing)半(ban)導(dao)體(ti)裝(zhuang)置(zhi)中，將元件(jian)搭載部(bu)的(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)抵接到密封(feng)模具而(er)填充(chong)密封(feng)樹脂(zhi)時，存(cun)在(zai)密封(feng)樹脂(zhi)流(liu)入(ru)元件(jian)搭載部(bu)的(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)與(yu)密封(feng)模具之(zhi)間，在(zai)島部(bu)的(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)側產生薄(bo)毛刺的(de)(de)(de)情(qing)況(kuang)。在(zai)該情(qing)況(kuang)下，出(chu)現島部(bu)的(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)側的(de)(de)(de)露出(chu)部(bu)的(de)(de)(de)有效(xiao)面(mian)積(ji)減少而(er)散熱(re)效(xiao)果(guo)降低的(de)(de)(de)問題。

因此，想到通(tong)過在島(dao)部(bu)的背(bei)面(mian)側形(xing)成凹形(xing)（挖孔(kong)）和島(dao)部(bu)背(bei)面(mian)的突(tu)出(chu)壁(bi)，提高(gao)密(mi)封時突(tu)出(chu)壁(bi)向下(xia)模(mo)的按壓，防(fang)止薄毛刺入侵到島(dao)部(bu)的背(bei)面(mian)部(bu)的中央(yang)部(bu)的對策（例(li)如，參照專利(li)文獻1）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日(ri)本特開2013－175795號(hao)公報。

技術實現要素：

【發明要解(jie)決(jue)的課題】

然而，如專利(li)文獻1所示，通(tong)過在(zai)(zai)(zai)島部的(de)(de)背(bei)面(mian)側形成凹(ao)形（挖孔），可以一定程度(du)抑(yi)(yi)制(zhi)薄毛(mao)刺向(xiang)島部的(de)(de)背(bei)面(mian)的(de)(de)入侵，但并不是完(wan)全抑(yi)(yi)制(zhi)的(de)(de)。另外，因(yin)凹(ao)形的(de)(de)形狀而在(zai)(zai)(zai)樹脂毛(mao)刺除去工序中不能充分地除去進入到凹(ao)部的(de)(de)樹脂毛(mao)刺，在(zai)(zai)(zai)基板安裝時產(chan)生起因(yin)于樹脂毛(mao)刺的(de)(de)空隙，有(you)可能降(jiang)低散熱特性。

本發明鑒于(yu)上述不良(liang)情(qing)況而構思，其課題在于(yu)提供防止薄(bo)毛刺(ci)向島(dao)部背(bei)面的(de)附著(zhu)的(de)半導體裝置的(de)制造(zao)方(fang)法(fa)。

【用于解(jie)決課題的方案(an)】

為了解決上(shang)述課(ke)題而采(cai)用了以下方案。

首先，承載(zai)(zai)半導體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)島(dao)部的(de)(de)背面從(cong)密封樹脂露出(chu)(chu)的(de)(de)半導體(ti)(ti)裝置的(de)(de)制造方(fang)法(fa)中，其特(te)征在(zai)于包括(kuo)：成(cheng)形(xing)由所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)島(dao)部和(he)(he)內部引(yin)(yin)線(xian)和(he)(he)外部引(yin)(yin)線(xian)構成(cheng)的(de)(de)引(yin)(yin)線(xian)框的(de)(de)工(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)；在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)島(dao)部上承載(zai)(zai)半導體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)工(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)；經(jing)由導線(xian)連接(jie)(jie)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)半導體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內部引(yin)(yin)線(xian)的(de)(de)工(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)；以及樹脂密封所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)島(dao)部和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)半導體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內部引(yin)(yin)線(xian)和(he)(he)導線(xian)的(de)(de)工(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)，成(cheng)形(xing)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)引(yin)(yin)線(xian)框的(de)(de)工(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)中，將(jiang)成(cheng)為(wei)島(dao)部的(de)(de)片(pian)(pian)材(cai)置于小片(pian)(pian)（die），將(jiang)由內沖頭(tou)(tou)（inner punch）和(he)(he)沖頭(tou)(tou)導槽和(he)(he)外沖頭(tou)(tou)構成(cheng)的(de)(de)成(cheng)形(xing)模具抵(di)接(jie)(jie)到片(pian)(pian)材(cai)，同(tong)時成(cheng)形(xing)與內沖頭(tou)(tou)抵(di)接(jie)(jie)的(de)(de)凹部、與沖頭(tou)(tou)導槽抵(di)接(jie)(jie)的(de)(de)突(tu)出(chu)(chu)壁(bi)、和(he)(he)與外沖頭(tou)(tou)抵(di)接(jie)(jie)的(de)(de)薄壁(bi)部。

另(ling)外，半導體裝置的(de)制造(zao)方法的(de)特(te)征在于(yu)：在成形所述引線框的(de)工序中，使(shi)用所述內沖(chong)頭(tou)和(he)所述沖(chong)頭(tou)導槽(cao)的(de)階梯差可變的(de)成形模具。

另外，半導體裝(zhuang)置的制造方法的特(te)征在(zai)于：在(zai)成形(xing)所(suo)述(shu)引線框的工序中，使用所(suo)述(shu)內(nei)沖(chong)頭(tou)和(he)所(suo)述(shu)外沖(chong)頭(tou)的間(jian)隔(ge)可變的成形(xing)模具(ju)。

另外，半導體裝(zhuang)置的(de)制造方法的(de)特征在(zai)于：在(zai)所(suo)(suo)述樹脂(zhi)密封的(de)工序中(zhong)，在(zai)模具內(nei)的(de)空腔的(de)中(zhong)央設置澆口(kou)，在(zai)比所(suo)(suo)述空腔的(de)中(zhong)央靠下方設置所(suo)(suo)述薄壁(bi)部，從所(suo)(suo)述澆口(kou)進行(xing)樹脂(zhi)注(zhu)入(ru)。

【發明效果】

通過(guo)采用上述方案，能夠抑制(zhi)在島(dao)部(bu)(bu)的背面(mian)側產生的薄毛刺，確保(bao)島(dao)部(bu)(bu)的露出部(bu)(bu)的有效面(mian)積，得到(dao)較高的散熱特性。

附圖說明

【圖1】本發明的第(di)一實施方式所涉(she)及的半導(dao)體裝置的截面(mian)圖。

【圖(tu)2】示出本發明(ming)的第一實施方式所(suo)(suo)涉及的半(ban)導體(ti)裝置中所(suo)(suo)使(shi)用的引線框（島部）的制造工序的側面圖(tu)。

【圖(tu)3】本發明的(de)第一實施方式所(suo)涉及的(de)半導體(ti)裝置的(de)（透過(guo)）平面圖(tu)。

【圖4】本(ben)發明的(de)第一實施方式所涉(she)及的(de)半導體(ti)裝置的(de)背面圖。

具體實施方式

以下，基于附圖，說明用于實施本發明的方式。

圖1是本(ben)發明的第一實施方式(shi)所涉及的半導體裝置(zhi)的截面圖。

半導體(ti)芯(xin)片2承(cheng)載于(yu)島(dao)部7上，半導體(ti)芯(xin)片2上的電(dian)極（未圖示(shi)）經由導線(xian)(xian)(xian)3與內部引(yin)線(xian)(xian)(xian)5電(dian)連(lian)接(jie)。島(dao)部7、半導體(ti)芯(xin)片2、導線(xian)(xian)(xian)3被密封樹(shu)脂(zhi)(zhi)4覆蓋。而且，為了提高散熱(re)性(xing)，島(dao)部7的背面從(cong)密封樹(shu)脂(zhi)(zhi)4露(lu)(lu)出(chu)。從(cong)內部引(yin)線(xian)(xian)(xian)5延(yan)伸的外部引(yin)線(xian)(xian)(xian)6也(ye)從(cong)密封樹(shu)脂(zhi)(zhi)4露(lu)(lu)出(chu)，其端部連(lian)接(jie)到布線(xian)(xian)(xian)基板等。

在(zai)此(ci)，作為本發明的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體裝(zhuang)置1的(de)(de)(de)(de)(de)特征之處在(zai)于這一點，即島部(bu)(bu)(bu)7具有遍及背(bei)(bei)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)周圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)整個圓(yuan)周而向下(xia)方突(tu)出的(de)(de)(de)(de)(de)突(tu)出壁(bi)8和被它包(bao)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)凹部(bu)(bu)(bu)14，并且在(zai)島部(bu)(bu)(bu)7的(de)(de)(de)(de)(de)側面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)上端部(bu)(bu)(bu)具有向側方突(tu)出的(de)(de)(de)(de)(de)薄壁(bi)部(bu)(bu)(bu)9。島部(bu)(bu)(bu)7的(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)和薄壁(bi)部(bu)(bu)(bu)9的(de)(de)(de)(de)(de)上表面(mian)為相(xiang)同高(gao)度(du)，形成平面(mian)。突(tu)出壁(bi)8可以控(kong)制(zhi)(zhi)在(zai)其(qi)高(gao)度(du)為0.05～0.10mm、寬度(du)為0.05～0.20mm的(de)(de)(de)(de)(de)范(fan)圍(wei)。通過在(zai)島部(bu)(bu)(bu)7的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)(bei)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)周圍(wei)設置具有如此(ci)的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)突(tu)出壁(bi)8，在(zai)對承載(zai)于島部(bu)(bu)(bu)7上的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體芯片(pian)2進行樹(shu)脂(zhi)密封時(shi)突(tu)出壁(bi)8被按(an)壓到樹(shu)脂(zhi)密封用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)模（未圖示），基于以下(xia)理由(you)能夠防止密封樹(shu)脂(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)浸入、抑制(zhi)(zhi)薄毛刺的(de)(de)(de)(de)(de)產生。

即，在(zai)本發明中(zhong)在(zai)島部(bu)(bu)(bu)7的(de)(de)側(ce)(ce)面的(de)(de)上(shang)端部(bu)(bu)(bu)設置向側(ce)(ce)方(fang)(fang)(fang)突出的(de)(de)薄壁部(bu)(bu)(bu)9，該(gai)薄壁部(bu)(bu)(bu)9在(zai)樹(shu)脂密封時起(qi)到將島部(bu)(bu)(bu)7按到下(xia)模這(zhe)一作用。雖然未圖(tu)示，但是注(zhu)入樹(shu)脂的(de)(de)澆口設置在(zai)由上(shang)模和下(xia)模形成的(de)(de)空腔的(de)(de)縱(zong)向的(de)(de)中(zhong)央附(fu)近，從(cong)此(ci)處向周圍(wei)的(de)(de)模具供給樹(shu)脂。島部(bu)(bu)(bu)7的(de)(de)薄壁部(bu)(bu)(bu)9比(bi)上(shang)述(shu)中(zhong)央附(fu)近更靠下(xia)方(fang)(fang)(fang)，因此(ci)薄壁部(bu)(bu)(bu)9的(de)(de)上(shang)方(fang)(fang)(fang)的(de)(de)樹(shu)脂體積(ji)會比(bi)下(xia)方(fang)(fang)(fang)的(de)(de)樹(shu)脂體積(ji)大(da)得多(duo)，將島部(bu)(bu)(bu)7按到下(xia)模，所以會防止樹(shu)脂通過突出壁8之下(xia)而向凹(ao)部(bu)(bu)(bu)14入侵。

如以上(shang)說明的(de)(de)(de)(de)那樣，在(zai)本發明中，在(zai)島(dao)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)周圍(wei)的(de)(de)(de)(de)下端部(bu)(bu)設(she)置(zhi)向(xiang)下方突(tu)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)突(tu)出(chu)(chu)壁和被(bei)它包(bao)圍(wei)的(de)(de)(de)(de)凹部(bu)(bu)并且在(zai)島(dao)部(bu)(bu)7的(de)(de)(de)(de)周圍(wei)的(de)(de)(de)(de)上(shang)端部(bu)(bu)設(she)置(zhi)向(xiang)側方突(tu)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)薄壁部(bu)(bu)，因此抑(yi)制在(zai)島(dao)部(bu)(bu)7的(de)(de)(de)(de)背面產生(sheng)薄毛(mao)刺，減輕對露出(chu)(chu)部(bu)(bu)有效面積縮小的(de)(de)(de)(de)擔憂，能夠確保(bao)較高的(de)(de)(de)(de)散熱性。

圖2是示出半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)的島部的成形工序的側面圖。

在(zai)(zai)此，上下(xia)相(xiang)反地(di)圖示了(le)圖1所示的(de)(de)島(dao)部7。將島(dao)部7的(de)(de)厚度夸大描繪。在(zai)(zai)小片13的(de)(de)平(ping)坦面(mian)上以使島(dao)部7的(de)(de)半導(dao)體芯片承載(zai)面(mian)朝(chao)下(xia)的(de)(de)方式放置由(you)島(dao)部的(de)(de)材料即銅或銅合金(jin)構成的(de)(de)片材，島(dao)部7的(de)(de)背面(mian)通(tong)過成形模具來成形。成形模具由(you)內沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)10和(he)(he)沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)導(dao)槽(cao)11和(he)(he)外沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)12構成，通(tong)過內沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)10在(zai)(zai)島(dao)部7的(de)(de)背面(mian)形成凹部14。在(zai)(zai)內沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)10的(de)(de)兩端設(she)有沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)導(dao)槽(cao)11，由(you)此決定(ding)突出壁(bi)8的(de)(de)高(gao)度，通(tong)過在(zai)(zai)沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)導(dao)槽(cao)11的(de)(de)外側設(she)置的(de)(de)外沖(chong)(chong)(chong)(chong)頭(tou)12來形成薄(bo)壁(bi)部9。

即(ji)，以(yi)使凹部(bu)14與(yu)內(nei)沖(chong)頭(tou)10抵(di)接(jie)(jie)、突(tu)出壁8與(yu)沖(chong)頭(tou)導(dao)槽(cao)11抵(di)接(jie)(jie)、薄(bo)壁部(bu)9與(yu)外(wai)沖(chong)頭(tou)12抵(di)接(jie)(jie)的方式成(cheng)形。在本發(fa)明中因為從內(nei)沖(chong)頭(tou)10和外(wai)沖(chong)頭(tou)12雙(shuang)方按壓(ya)島部(bu)7，所以(yi)在沖(chong)頭(tou)導(dao)槽(cao)11會推出大(da)量的銅部(bu)件。因此，突(tu)出壁8有可能(neng)設為最大(da)到0.10mm的高度，而且，由于(yu)存(cun)在與(yu)該突(tu)出壁8同時(shi)形成(cheng)的薄(bo)壁部(bu)9，樹脂(zhi)密封(feng)時(shi)可以(yi)防止密封(feng)樹脂(zhi)的入(ru)侵、抑制薄(bo)毛刺的產(chan)生。

此(ci)(ci)外(wai)，通過成(cheng)形模(mo)具(ju)的(de)(de)內沖(chong)(chong)頭(tou)10和(he)(he)沖(chong)(chong)頭(tou)導(dao)槽11和(he)(he)外(wai)沖(chong)(chong)頭(tou)12的(de)(de)相互高(gao)度和(he)(he)成(cheng)形模(mo)具(ju)對(dui)片材的(de)(de)抵(di)接壓的(de)(de)調整，能(neng)(neng)夠調整凹部(bu)14的(de)(de)深度和(he)(he)突出壁8的(de)(de)高(gao)度和(he)(he)薄(bo)壁部(bu)9厚度。在此(ci)(ci)使用的(de)(de)成(cheng)形模(mo)具(ju)能(neng)(neng)夠將內沖(chong)(chong)頭(tou)10和(he)(he)沖(chong)(chong)頭(tou)導(dao)槽11的(de)(de)階(jie)梯(ti)差設(she)為可變(bian)，另外(wai)，將內沖(chong)(chong)頭(tou)10和(he)(he)外(wai)沖(chong)(chong)頭(tou)12的(de)(de)間隔(ge)設(she)為可變(bian)，由此(ci)(ci)，能(neng)(neng)得到期望(wang)的(de)(de)高(gao)度和(he)(he)寬度的(de)(de)突出壁。

另外，通過沖(chong)裁從實施鍍銀的(de)由銅(tong)或銅(tong)合金構成的(de)片(pian)材形成內部(bu)引線(xian)5、外部(bu)引線(xian)6、島部(bu)7。島部(bu)7在沖(chong)裁后(hou)進行(xing)下壓（depress）加工。島部(bu)7在沖(chong)裁后(hou)根據(ju)需要進行(xing)翹(qiao)曲矯正。對片(pian)材進行(xing)下壓加工后(hou)切割為框(kuang)尺寸，完(wan)成引線(xian)框(kuang)的(de)制作。

圖(tu)3是本發明的(de)第(di)一實施方式(shi)所涉及的(de)半(ban)導(dao)(dao)體裝(zhuang)置(zhi)的(de)透視平面(mian)圖(tu)。在島部(bu)(bu)(bu)7上，隔著導(dao)(dao)電(dian)性(xing)或絕緣性(xing)接合膜而承載(zai)半(ban)導(dao)(dao)體芯(xin)片2，半(ban)導(dao)(dao)體芯(xin)片2上的(de)電(dian)極（未圖(tu)示）經(jing)由用(yong)金（Au）或銅(tong)（Cu）構成的(de)導(dao)(dao)線(xian)(xian)3而與內(nei)部(bu)(bu)(bu)引(yin)線(xian)(xian)5電(dian)連接。島部(bu)(bu)(bu)7、半(ban)導(dao)(dao)體芯(xin)片2、導(dao)(dao)線(xian)(xian)3被密(mi)封樹(shu)脂(zhi)4覆蓋。從內(nei)部(bu)(bu)(bu)引(yin)線(xian)(xian)5延伸的(de)外部(bu)(bu)(bu)引(yin)線(xian)(xian)6從密(mi)封樹(shu)脂(zhi)4露出(chu)，構成為其端部(bu)(bu)(bu)連接到布線(xian)(xian)基板等(deng)。另(ling)外，薄壁(bi)部(bu)(bu)(bu)9設置(zhi)在島部(bu)(bu)(bu)7的(de)整個周圍，從而增加(jia)密(mi)封樹(shu)脂(zhi)4與島部(bu)(bu)(bu)7的(de)接觸面(mian)積，提高密(mi)合性(xing)，從而也起到防(fang)止島部(bu)(bu)(bu)7從密(mi)封樹(shu)脂(zhi)4脫落這一作用(yong)。

圖(tu)4是本發明(ming)的(de)第一實(shi)施(shi)方(fang)式所涉及(ji)的(de)半(ban)導體裝置的(de)背面圖(tu)。

多個外(wai)部(bu)引(yin)線6從密(mi)封樹(shu)脂4的(de)(de)(de)側面引(yin)出(chu)(chu)(chu)，在(zai)密(mi)封樹(shu)脂的(de)(de)(de)中央區域配置(zhi)(zhi)有(you)在(zai)整個周圍設置(zhi)(zhi)突出(chu)(chu)(chu)壁8的(de)(de)(de)島(dao)部(bu)7。該島(dao)部(bu)7背(bei)面的(de)(de)(de)凹部(bu)14露出(chu)(chu)(chu)，以能確保(bao)較高的(de)(de)(de)散熱性。

附圖(tu)所使用的標號如下：

1 半(ban)導(dao)體裝置(zhi)；2 半(ban)導(dao)體芯片；3 導(dao)線；4 密封樹脂；5 內部引線；6 外(wai)部引線；7 島部；8 突(tu)出壁；9 薄壁部；10 內沖頭；11 沖頭導(dao)槽；12 外(wai)沖頭；13 小(xiao)片；14 凹(ao)部。