半導體裝置的制造方法
【專利摘要】具有：涂敷工序，在晶片(12)的表面涂敷含有溶媒的材料(14A)；揮發工序，對材料進行加熱而使溶媒揮發；以及沖洗工序，在使晶片進行旋轉的同時從第1噴嘴(20)向晶片的表面的外周部噴射對材料進行去除的邊緣沖洗液，在沖洗工序中，從第2噴嘴(24)向晶片的背面噴射對晶片的背面進行清洗的背部沖洗液，使從第2噴嘴噴射的背部沖洗液繞至晶片的表面而將材料中的在俯視觀察時與定位邊或者凹坑接觸的部分去除。
【專利說明】
半導體裝置的制造方法
技術領域
[0001]本發明涉及在例如LSI(大規模集成電路)等的制造中使用的半導體裝置的制造方法。【背景技術】
[0002]在專利文獻1中，公開了對在晶片的表面形成的抗蝕劑(材料)的周緣部進行溶解去除的內容。
[0003]專利文獻1:日本特開平8 — 264418號公報
【發明內容】

[0004]由于在晶片的外周部形成的材料在曝光工序等隨后的工序中成為污染源，或者附著于晶片的輸送臂，使晶片從輸送臂掉落，因此希望將該材料去除。但是，即使在使晶片進行旋轉的同時將沖洗液噴射至在晶片的外周部形成的材料而將該部分的材料去除，在晶片的中央部形成的材料也會向外周部擴展。因此，存在不能將在該外周部形成的材料去除這一問題。
[0005]特別地，在材料的粘度高的情況下，或者在材料所含有的溶媒的揮發性低的情況下，存在與晶片的旋轉相伴的離心力導致材料向外周部的擴展變得顯著這一問題。
[0006]本發明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法能夠將在晶片的表面的外周部形成的材料可靠地去除。
[0007]本發明所涉及的半導體裝置的制造方法的特征在于，具有:涂敷工序，在晶片的表面涂敷含有溶媒的材料;揮發工序，對該材料進行加熱而使該溶媒揮發；以及沖洗工序，在使該晶片旋轉的同時從第1噴嘴向該晶片的表面的外周部噴射對該材料進行去除的邊緣沖洗液。
[0008]本發明的其他特征將在下面得以明確。
[0009]發明的效果
[0010]根據本發明，由于使抗蝕劑的溶媒揮發，因此能夠將在晶片的表面的外周部形成的材料可靠地去除。【附圖說明】
[0011]圖1是對涂敷工序進行說明的圖。
[0012]圖2是對預沖洗工序進行說明的圖。[〇〇13]圖3是對揮發工序進行說明的圖。
[0014]圖4是對沖洗工序進行說明的圖。
[0015]圖5是表示對定位邊相鄰材料進行去除的圖。
[0016]圖6是表示對定位邊相鄰材料進行去除的圖。[〇〇17]圖7是沖洗工序后的晶片的俯視圖。【具體實施方式】
[0018]參照附圖，對本發明的實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。對相同或者相對應的結構要素標注相同的標號，有時省略重復的說明。
[0019]實施方式
[0020]首先，如圖1所示，利用旋轉卡盤10對晶片12進行真空吸附。然后，在晶片12的表面涂敷材料14。具體地說，針對借助于旋轉卡盤10而旋轉的晶片12,從在晶片12上方設置的噴嘴16供給材料14。將該工序稱為涂敷工序。此外，材料14是含有溶媒的抗蝕劑(resist)。
[0021]然后，使處理進入預沖洗工序。圖2是對預沖洗工序進行說明的圖。在預沖洗工序中，通過使旋轉卡盤1 〇旋轉，從而使晶片12旋轉，與此同時，對晶片12表面的外周部噴射邊緣沖洗液，對晶片12的背面噴射背部沖洗液。[〇〇22]具體地說，從在晶片12上方設置的第1噴嘴20噴射使材料14溶解而去除該材料14 的邊緣沖洗液22。邊緣沖洗液22噴射至晶片12表面的外周部。另外，從在晶片12下方設置的第2噴嘴24噴射對晶片12的背面進行清洗的背部沖洗液26。背部沖洗液26噴射至晶片12的背面。此外，邊緣沖洗液22和背部沖洗液26例如是y —丁內酯(Butyrolactone)或者NMP等有機溶劑，但不特別地限定于此。
[0023]在預沖洗工序中，由于材料14與晶片12的旋轉相伴而同心圓狀地向外側擴展，因此不能將晶片12表面的外周部的材料14完全去除。在預沖洗工序中材料14向外側擴展的原因在于，在材料14中殘留有溶媒。
[0024]然后，使處理進入揮發工序。圖3是對揮發工序進行說明的圖。在揮發工序中，首先，將晶片12向熱板30輸送。然后，利用熱板30對材料14進行加熱(烘烤干燥)，使溶媒揮發。 溶媒揮發后的材料14A比圖2的材料14略薄。[〇〇25]然后，使處理進入沖洗工序。圖4是對沖洗工序進行說明的圖。在沖洗工序中，首先，將晶片12向旋轉卡盤10輸送。然后，在使晶片12旋轉的同時從第1噴嘴20向晶片12表面的外周部噴射對材料14A進行去除的邊緣沖洗液22。此時，由于材料14A的溶媒揮發，因此材料14A干燥，材料14A不會向外側擴展。因此，能夠將材料14A中的在晶片12表面的外周部形成的部分可靠地去除。
[0026]另外，在沖洗工序中，從第2噴嘴24向晶片12的背面噴射對晶片12的背面進行清洗的背部沖洗液26。由此，能夠對晶片12的背面進行清洗。
[0027]并且，在沖洗工序中，將材料14A中的在俯視觀察時與定位邊(orientat1n flat) 接觸的部分(以下稱為定位邊相鄰材料14a)去除。圖5、6是表示對定位邊相鄰材料14a進行去除的圖。如圖5所示，由于第1噴嘴20的位置被調整為邊緣沖洗液22觸及在晶片的外周部涂敷的材料，因此邊緣沖洗液22不會觸及定位邊相鄰材料14a。[〇〇28]在本發明的實施方式中，與第1噴嘴20相比，將第2噴嘴24設置于晶片12中央側(旋轉卡盤10中央側)，使從第2噴嘴24噴出的背部沖洗液26在晶片12旋轉的過程中始終觸及晶片12的背面。并且，使從第2噴嘴24噴射的背部沖洗液26繞至晶片12的表面而將前述定位邊相鄰材料14a去除。在圖5中示出下述情況，S卩，背部沖洗液26繞至晶片12的表面側，將定位邊相鄰材料14a的一部分去除。在圖6中示出下述情況，即，從圖5的狀態起，定位邊相鄰材料 14a的去除進一步推進，定位邊相鄰材料被去除。
[0029]如上所述，為了使從第2噴嘴24噴射的背部沖洗液26繞至晶片12的表面，優選使晶片12以700?lOOOrpm旋轉，并且從第2噴嘴24以100?150ml/分鐘的流量噴射背部沖洗液。 如果晶片12的旋轉速度比上述的范圍低，則除定位邊相鄰材料14a以外的材料14A的去除量劇增。另一方面，如果晶片12的旋轉速度比上述范圍高，則背部沖洗液26不會繞至晶片12表面。
[0030]圖7是沖洗工序后的晶片12的俯視圖。晶片12表面的外周部的材料被去除。而且， 由于定位邊相鄰材料也被去除，因此晶片12的外側的部分全部露出。
[0031]如果結束了上述各工序，則將晶片12向曝光裝置輸送，實施公知的光刻 (Lithography)工序。如上所述，根據本發明的實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法， 能夠將在晶片12表面的外周部形成的材料可靠地去除。
[0032]本發明的最重要的特征在于，通過設置揮發工序，從而防止在沖洗工序中材料14A 由于離心力而向外周側擴展。因此，上述實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法在不脫離本特征的范圍能夠進行各種變形。[〇〇33]例如，針對具有凹坑(notch)的晶片，通過實施上述工序，從而也能夠得到本發明的效果。另外，在不需要去除材料中的在俯視觀察時與定位邊或者凹坑接觸的部分的情況下，不需要使從第2噴嘴24噴射的背部沖洗液26繞至晶片12的表面。在該情況下，對沖洗工序中的晶片12的旋轉速度、以及從第2噴嘴24噴射的背部沖洗液26的流量不特別地限定。另夕卜，也可以省略第2噴嘴24本身。
[0034]涂敷工序和揮發工序之間的預沖洗工序不是必須的。預沖洗工序是為了防止在將涂敷工序后的晶片12向熱板30輸送時材料附著于輸送臂、晶片附著于輸送臂或者晶片從輸送臂掉落而設置的。因此，如果沒有上述問題，則預沖洗工序不是必須的。例如，通過使用能夠進行加熱的旋轉卡盤，將該旋轉卡盤作為熱板使用，從而能夠省略從涂敷工序進入揮發工序時的晶片的輸送。[〇〇35]在揮發工序中，也可以利用除熱板30以外的手段對晶片12進行加熱。例如，也可以將晶片12導入至加熱爐，或者在進行涂敷工序的腔室內設置用于對晶片12進行加熱的電熱線。材料14不限定于抗蝕劑，也可以是例如聚酰亞胺。因此，結束沖洗工序后的工序不限定于曝光工序。[〇〇36] 標號的說明[〇〇37]10旋轉卡盤，12晶片，14、14A材料，14a定位邊相鄰材料，16噴嘴，20第1噴嘴，22邊緣沖洗液，24第2噴嘴，26背部沖洗液，30熱板。
【主權項】
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有:涂敷工序，在晶片的表面涂敷含有溶媒的材料；揮發工序，對所述材料進行加熱而使所述溶媒揮發；以及沖洗工序，在使所述晶片旋轉的同時從第1噴嘴向所述晶片的表面的外周部噴射對所 述材料進行去除的邊緣沖洗液。2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述晶片具有定位邊或者凹坑，在所述沖洗工序中，從第2噴嘴向所述晶片的背面噴射對所述晶片的背面進行清洗的 背部沖洗液，在所述沖洗工序中，使從所述第2噴嘴噴射的背部沖洗液繞至所述晶片的表面而將所 述材料中的在俯視觀察時與所述定位邊或者凹坑接觸的部分去除。3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述沖洗工序中，使所述晶片以700?lOOOrpm旋轉，并且從所述第2噴嘴以100? 150ml/分鐘的流量噴射所述背部沖洗液。4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述涂敷工序和所述揮發工序之間具有預沖洗工序，在該預沖洗工序中，在使所述 晶片旋轉的同時，對所述晶片的表面的外周部噴射邊緣沖洗液，對所述晶片的背面噴射背 部沖洗液，在所述預沖洗工序之后將所述晶片向熱板輸送，在所述揮發工序中，利用所述熱板對所述材料進行加熱。5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述材料是抗蝕劑或者聚酰亞胺。
【文檔編號】H01L21/027GK105993061SQ201480075475
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2014年2月13日
【發明人】久我正, 久我正一
【申請人】三菱電機株式會社