本說明書所公開的技(ji)術涉及(ji)一種半(ban)導體(ti)裝置及(ji)其制造方法。

背景技術：

已知一(yi)種具(ju)有(you)(you)被形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)硅(gui)基板的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)。例如(ru)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)單(dan)一(yi)的(de)(de)(de)(de)硅(gui)基板上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)與(yu)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)柵雙極(ji)(ji)性晶體(ti)管(guan))的(de)(de)(de)(de)半導體(ti)裝置(zhi)(所謂的(de)(de)(de)(de)RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，反(fan)向導通(tong)(tong)型(xing)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)柵雙極(ji)(ji)性晶體(ti)管(guan)))中，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)IGBT區域(yu)內(nei)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)溝(gou)(gou)槽(cao)型(xing)的(de)(de)(de)(de)柵電(dian)極(ji)(ji)并且在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)區域(yu)內(nei)也形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)與(yu)柵電(dian)極(ji)(ji)同(tong)樣(yang)地被配(pei)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)溝(gou)(gou)槽(cao)內(nei)的(de)(de)(de)(de)電(dian)極(ji)(ji)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)如(ru)此(ci)而(er)具(ju)有(you)(you)溝(gou)(gou)槽(cao)電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)中，以對(dui)硅(gui)基板的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面進行覆蓋的(de)(de)(de)(de)方式配(pei)置(zhi)有(you)(you)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)，并且在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)該層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)配(pei)置(zhi)有(you)(you)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(陽極(ji)(ji)電(dian)極(ji)(ji))。溝(gou)(gou)槽(cao)電(dian)極(ji)(ji)通(tong)(tong)過層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)而(er)與(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)。此(ci)外，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)設置(zhi)有(you)(you)接觸孔(kong)，并且在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)該接觸孔(kong)內(nei)也配(pei)置(zhi)有(you)(you)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)接觸孔(kong)內(nei)，上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)硅(gui)基板連(lian)接。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)該結構的(de)(de)(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)中，接觸孔(kong)相對(dui)于層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面呈凹(ao)(ao)(ao)狀(zhuang)凹(ao)(ao)(ao)陷，并且沿(yan)著凹(ao)(ao)(ao)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)接觸孔(kong)而(er)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。因此(ci)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)也形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)凹(ao)(ao)(ao)部。當在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)(you)凹(ao)(ao)(ao)部時，通(tong)(tong)過二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)動(dong)作(zuo)時的(de)(de)(de)(de)溫度變(bian)化而(er)容(rong)易在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)凹(ao)(ao)(ao)部的(de)(de)(de)(de)附近(jin)產生較高的(de)(de)(de)(de)熱應(ying)力。通(tong)(tong)過熱應(ying)力反(fan)復增(zeng)加(jia)，從而(er)有(you)(you)可能(neng)會在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)產生裂紋。

在(zai)(zai)專利文獻1中公開了一種(zhong)使(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)平(ping)坦(tan)(tan)化的(de)(de)半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)。在(zai)(zai)該半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)中，在(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜(mo)(mo)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)設置(zhi)有寬度較(jiao)窄的(de)(de)接(jie)觸孔(kong)。在(zai)(zai)該接(jie)觸孔(kong)的(de)(de)底(di)部(bu)(bu)(bu)配置(zhi)有較(jiao)薄的(de)(de)第(di)(di)一金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(由Ti、TiN等(deng)構(gou)成的(de)(de)勢壘金屬(shu)(shu))。在(zai)(zai)第(di)(di)一金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)配置(zhi)有第(di)(di)二(er)(er)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(鎢)。通(tong)過(guo)第(di)(di)二(er)(er)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)而(er)無間隙地使(shi)接(jie)觸孔(kong)被填埋。由于層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)與第(di)(di)二(er)(er)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)被配置(zhi)于大致相同的(de)(de)高度，因此通(tong)過(guo)這些上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)而(er)構(gou)成大致平(ping)坦(tan)(tan)的(de)(de)平(ping)面(mian)(mian)。上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)對層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)與接(jie)觸金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)(即，平(ping)坦(tan)(tan)的(de)(de)平(ping)面(mian)(mian))進(jin)行覆蓋。由于上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)被形成在(zai)(zai)平(ping)坦(tan)(tan)的(de)(de)平(ping)面(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)，因此上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)也(ye)被平(ping)坦(tan)(tan)化。由此，在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)不易產生熱應力，從而(er)不易在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)產生裂紋(wen)。上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)經由第(di)(di)一金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和第(di)(di)二(er)(er)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)而(er)與硅(gui)基板連接(jie)。通(tong)過(guo)將該技術(shu)應用在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)述的(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管(具有溝槽電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)，從而(er)能夠使(shi)二(er)(er)極(ji)(ji)管的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)平(ping)坦(tan)(tan)化。

在(zai)(zai)(zai)專利文獻2中公(gong)開了具有勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)與柱區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管。更詳細(xi)而(er)言，在(zai)(zai)(zai)該二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管中且在(zai)(zai)(zai)硅基(ji)板內，形(xing)成有陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)、勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)、柱區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)、漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)以及陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為與上部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))以低電(dian)(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)(de)方(fang)式進行(xing)連接的(de)(de)(de)(de)p型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為被(bei)配置在(zai)(zai)(zai)陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)下(xia)側(ce)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。柱區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為從與上部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)相接的(de)(de)(de)(de)位(wei)置起(qi)延伸至與勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)相接的(de)(de)(de)(de)位(wei)置為止的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。在(zai)(zai)(zai)柱區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)與上部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)之間存在(zai)(zai)(zai)相對(dui)于從柱區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)起(qi)朝向上部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)流動的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)較高的(de)(de)(de)(de)勢壘(lei)(lei)(所(suo)謂的(de)(de)(de)(de)肖(xiao)特基(ji)勢壘(lei)(lei))。漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為被(bei)配置在(zai)(zai)(zai)勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)下(xia)側(ce)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)雜質濃度(du)(du)與勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)雜質濃度(du)(du)相比而(er)較低。陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)被(bei)配置在(zai)(zai)(zai)漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)下(xia)側(ce)，并且所(suo)述陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為與下(xia)部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))連接的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)雜質濃度(du)(du)與漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)雜質濃度(du)(du)相比而(er)較高。

在專利文(wen)獻(xian)2的(de)(de)(de)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)中(zhong)(zhong)，當(dang)使上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)升時(shi)(shi)(shi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)開始從(cong)下(xia)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)起(qi)(qi)經(jing)由(you)(you)陰極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)、漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)、勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)以(yi)及柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)而(er)(er)(er)流(liu)向上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)。即，在上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)未上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)升結束的(de)(de)(de)階(jie)段中(zhong)(zhong)，二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)中(zhong)(zhong)流(liu)動有(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)。由(you)(you)于勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)經(jing)由(you)(you)柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)而(er)(er)(er)與(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)連接，因此(ci)(ci)(ci)在該(gai)(gai)階(jie)段中(zhong)(zhong)勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)差(cha)(cha)較(jiao)小。因此(ci)(ci)(ci)，在勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)界面的(de)(de)(de)pn結上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)不(bu)容(rong)易產(chan)生(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)差(cha)(cha)，并且(qie)在該(gai)(gai)階(jie)段中(zhong)(zhong)，該(gai)(gai)pn結未導通。當(dang)使上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)進一步上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)升時(shi)(shi)(shi)，由(you)(you)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)述的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)實現的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)增加，并且(qie)勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)之(zhi)(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)差(cha)(cha)變大。當(dang)該(gai)(gai)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)差(cha)(cha)達到預定的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)差(cha)(cha)時(shi)(shi)(shi)，勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)界面的(de)(de)(de)pn結將導通，并且(qie)空穴(xue)將從(cong)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)起(qi)(qi)經(jing)由(you)(you)陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)、勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)而(er)(er)(er)流(liu)入漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)。如此(ci)(ci)(ci)，在該(gai)(gai)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)中(zhong)(zhong)，在勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)陽(yang)(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)界面的(de)(de)(de)pn結導通之(zhi)(zhi)前，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)經(jing)由(you)(you)勢(shi)壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)而(er)(er)(er)流(liu)動。因此(ci)(ci)(ci)，pn結導通的(de)(de)(de)時(shi)(shi)(shi)刻延遲，從(cong)而(er)(er)(er)抑(yi)制(zhi)了(le)空穴(xue)流(liu)入漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)情況。因此(ci)(ci)(ci)，在該(gai)(gai)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)反向恢復動作時(shi)(shi)(shi)，從(cong)漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)被排(pai)出到上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)空穴(xue)較(jiao)少。因此(ci)(ci)(ci)，在該(gai)(gai)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)中(zhong)(zhong)，反向恢復電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)較(jiao)小，從(cong)而(er)(er)(er)抑(yi)制(zhi)了(le)反射(she)恢復動作時(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)損失。此(ci)(ci)(ci)外，在二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)被施加有(you)反向電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓的(de)(de)(de)狀態下(xia)，由(you)(you)于柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)之(zhi)(zhi)間(jian)存在較(jiao)高的(de)(de)(de)肖特基(ji)勢(shi)壘(lei)，因此(ci)(ci)(ci)抑(yi)制(zhi)了(le)經(jing)由(you)(you)柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)而(er)(er)(er)流(liu)動的(de)(de)(de)漏電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。

在先技術文獻

專利文獻

專(zhuan)利文獻1：日(ri)本(ben)特開號公報

專利文獻2：日本(ben)特開號(hao)公報

技術實現要素：

發明所要解決的課題

本申(shen)請(qing)發(fa)明人對(dui)將上(shang)(shang)述的(de)(de)(de)(de)(de)三(san)個技(ji)(ji)術(即(ji)，具(ju)有(you)(you)溝槽電(dian)極(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)二極(ji)(ji)(ji)管、使(shi)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)平坦化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術、以(yi)及(ji)具(ju)有(you)(you)勢(shi)壘區(qu)(qu)與(yu)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)二極(ji)(ji)(ji)管)組合的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況進(jin)行(xing)(xing)研究(jiu)。如果要(yao)(yao)將這三(san)個技(ji)(ji)術進(jin)行(xing)(xing)組合，則在(zai)(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)與(yu)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)之間的(de)(de)(de)(de)(de)連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)處(chu)(chu)會(hui)(hui)產生問題。即(ji)，在(zai)(zai)(zai)(zai)將上(shang)(shang)述的(de)(de)(de)(de)(de)三(san)個技(ji)(ji)術組合的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況下，則需要(yao)(yao)在(zai)(zai)(zai)(zai)層(ceng)間絕緣膜上(shang)(shang)形成(cheng)(cheng)(cheng)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)并且穿過該接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)而(er)(er)對(dui)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)與(yu)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)進(jin)行(xing)(xing)連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)。另一方面(mian)(mian)，需要(yao)(yao)在(zai)(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)與(yu)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)之間形成(cheng)(cheng)(cheng)上(shang)(shang)述的(de)(de)(de)(de)(de)肖特(te)基(ji)勢(shi)壘。由于在(zai)(zai)(zai)(zai)專利文(wen)獻2的(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術中被形成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)第一金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)(勢(shi)壘金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu))無(wu)法(fa)(fa)與(yu)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)(n型硅)肖特(te)基(ji)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)，因(yin)(yin)此(ci)無(wu)法(fa)(fa)使(shi)用在(zai)(zai)(zai)(zai)與(yu)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)上(shang)(shang)。為(wei)了與(yu)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)(n型硅)肖特(te)基(ji)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)，需要(yao)(yao)將具(ju)有(you)(you)特(te)定的(de)(de)(de)(de)(de)功函(han)數(例如，4.25～5.05eV)的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(例如，AlSi等)形成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)上(shang)(shang)。此(ci)處(chu)(chu)，當(dang)將能夠肖特(te)基(ji)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)較薄地(di)形成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)上(shang)(shang)時，會(hui)(hui)產生金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)與(yu)硅基(ji)板的(de)(de)(de)(de)(de)相互擴(kuo)散從(cong)而(er)(er)無(wu)法(fa)(fa)在(zai)(zai)(zai)(zai)這些界面(mian)(mian)上(shang)(shang)獲(huo)得預期(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)特(te)性(xing)。因(yin)(yin)此(ci)，能夠肖特(te)基(ji)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)需要(yao)(yao)以(yi)一定程度(du)以(yi)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)而(er)(er)形成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區(qu)(qu)上(shang)(shang)。然(ran)而(er)(er)，作為(wei)能夠肖特(te)基(ji)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)，通常(chang)已知的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)填(tian)埋性(xing)較差(cha)，從(cong)而(er)(er)難以(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)寬(kuan)(kuan)度(du)較窄的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內(nei)較厚(hou)地(di)進(jin)行(xing)(xing)堆積。當(dang)使(shi)這樣的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)較厚(hou)地(di)堆積在(zai)(zai)(zai)(zai)寬(kuan)(kuan)度(du)較窄的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內(nei)時，接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)不完全地(di)被金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)填(tian)埋，從(cong)而(er)(er)會(hui)(hui)在(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內(nei)(即(ji)，金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu))形成(cheng)(cheng)(cheng)空(kong)隙(xi)。當(dang)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內(nei)形成(cheng)(cheng)(cheng)空(kong)隙(xi)時，則無(wu)法(fa)(fa)確(que)保半導體(ti)裝置(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)可靠性(xing)。在(zai)(zai)(zai)(zai)為(wei)了避免該問題而(er)(er)將接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)擴(kuo)寬(kuan)(kuan)時，會(hui)(hui)在(zai)(zai)(zai)(zai)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表面(mian)(mian)上(shang)(shang)形成(cheng)(cheng)(cheng)有(you)(you)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)，從(cong)而(er)(er)無(wu)法(fa)(fa)使(shi)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表面(mian)(mian)平坦化(hua)。因(yin)(yin)此(ci)，存(cun)在(zai)(zai)(zai)(zai)無(wu)法(fa)(fa)抑制上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)裂(lie)紋(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)問題。

用于解決課題的方法

本申請(qing)發明人發現，在(zai)(zai)不(bu)使二極管的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)平坦化的(de)(de)(de)情況(kuang)(即，沿(yan)著接(jie)觸孔(kong)而在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)形成有凹部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)情況(kuang))下，存(cun)在(zai)(zai)容(rong)易產生裂(lie)紋的(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)位和不(bu)容(rong)易產生裂(lie)紋的(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)位。容(rong)易產生裂(lie)紋的(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)位為在(zai)(zai)橫切溝槽的(de)(de)(de)方向上(shang)(shang)(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)保(bao)護(hu)絕緣膜的(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)附近。即，一(yi)般情況(kuang)下，二極管的(de)(de)(de)硅基(ji)板具有形成有二極管的(de)(de)(de)元件(jian)區域(yu)(yu)、和元件(jian)區域(yu)(yu)的(de)(de)(de)外(wai)(wai)(wai)側的(de)(de)(de)元件(jian)外(wai)(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)區域(yu)(yu)。在(zai)(zai)元件(jian)區域(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)配置有上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)而元件(jian)外(wai)(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)區域(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)被保(bao)護(hu)絕緣膜覆蓋(gai)。保(bao)護(hu)絕緣膜還對元件(jian)區域(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)的(de)(de)(de)外(wai)(wai)(wai)邊緣部(bu)(bu)(bu)進行覆蓋(gai)。因此，在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)配置有保(bao)護(hu)絕緣膜的(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)。

在(zai)(zai)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)中，在(zai)(zai)與溝(gou)槽(cao)交叉(cha)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)向上(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)側(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)處，尤(you)其在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)容(rong)(rong)易(yi)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)裂紋。相(xiang)反地(di)，可知在(zai)(zai)遠離該部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置處，即使存在(zai)(zai)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)但(dan)在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)也不太容(rong)(rong)易(yi)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)裂紋。可認為(wei)，在(zai)(zai)橫(heng)切(qie)溝(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)向上(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)附近處，上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)容(rong)(rong)易(yi)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)裂紋的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原因(yin)(yin)如下(xia)。保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)位(wei)于(yu)(yu)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)被保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)覆(fu)蓋(gai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和未被覆(fu)蓋(gai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)邊界處。因(yin)(yin)此，保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)為(wei)應(ying)力(li)(li)分(fen)(fen)(fen)布(bu)局部(bu)(bu)(bu)(bu)性(xing)(xing)(xing)地(di)變(bian)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)，并且容(rong)(rong)易(yi)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)較高的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)力(li)(li)。因(yin)(yin)此，在(zai)(zai)二極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)溫度發生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)變(bian)化(hua)時，在(zai)(zai)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)會產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)較高的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱應(ying)力(li)(li)。另(ling)一方(fang)面，由于(yu)(yu)位(wei)于(yu)(yu)相(xiang)鄰的(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩個溝(gou)槽(cao)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)范圍的(de)(de)(de)(de)(de)(de)層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)接觸孔，因(yin)(yin)此在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面上(shang)(shang)，沿著(zhu)橫(heng)切(qie)溝(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)向而周(zhou)期性(xing)(xing)(xing)地(di)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)。如上(shang)(shang)所(suo)述(shu)，在(zai)(zai)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)容(rong)(rong)易(yi)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)熱應(ying)力(li)(li)。因(yin)(yin)此，可以認為(wei)，當(dang)在(zai)(zai)周(zhou)期性(xing)(xing)(xing)地(di)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)配置有(you)在(zai)(zai)橫(heng)切(qie)溝(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)向上(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)時，在(zai)(zai)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)方(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各個凹部(bu)(bu)(bu)(bu)處會產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)高的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱應(ying)力(li)(li)并且會在(zai)(zai)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)產生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)裂紋。

如(ru)上(shang)(shang)(shang)(shang)文(wen)所說明的(de)(de)(de)那(nei)樣(yang)，在上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極層的(de)(de)(de)凹部(bu)(bu)與(yu)保(bao)護(hu)絕緣膜的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)述端(duan)部(bu)(bu)(在與(yu)溝(gou)槽(cao)交叉的(de)(de)(de)方向上(shang)(shang)(shang)(shang)延(yan)伸的(de)(de)(de)端(duan)部(bu)(bu))重(zhong)疊時會產(chan)生較高(gao)的(de)(de)(de)熱(re)應力。為(wei)(wei)了避(bi)免這(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)較高(gao)的(de)(de)(de)熱(re)應力，也(ye)考慮到以使(shi)保(bao)護(hu)絕緣膜的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)述端(duan)部(bu)(bu)穿過(guo)不存在接(jie)觸孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)部(bu)(bu)分的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)的(de)(de)(de)方式而(er)(er)進行(xing)配置。然而(er)(er)，當考慮到上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極層與(yu)硅基板之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)特(te)性(xing)以及放熱(re)特(te)性(xing)時，則優選為(wei)(wei)接(jie)觸孔(kong)(kong)盡(jin)可能地形成在較寬的(de)(de)(de)范(fan)圍(wei)內。即，優選為(wei)(wei)，盡(jin)量使(shi)不存在接(jie)觸孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)部(bu)(bu)分變少。因此，保(bao)護(hu)絕緣膜的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)述端(duan)部(bu)(bu)不得(de)不穿過(guo)接(jie)觸孔(kong)(kong)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)。本說明書公開的(de)(de)(de)半(ban)導體裝置基于這(zhe)些(xie)見解而(er)(er)具有以下的(de)(de)(de)結(jie)構。

本說明書所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)公開的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導體裝置(zhi)具有(you)(you)二(er)(er)(er)極管(guan)。該半導體裝置(zhi)具有(you)(you)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)、溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)、溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)電(dian)極、層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)、接(jie)觸(chu)(chu)(chu)插頭(tou)、上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、保護絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)和下(xia)(xia)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)具有(you)(you)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形成(cheng)有(you)(you)呈條紋狀(zhuang)延伸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)個(ge)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)、和在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)長度(du)方向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)鄰接(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)(bu)(bu)(bu)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)。存在(zai)(zai)多(duo)(duo)個(ge)俯視觀察(cha)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)(mian)時(shi)位于相(xiang)(xiang)(xiang)鄰的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)間范圍。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)在(zai)(zai)選(xuan)自多(duo)(duo)個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)間范圍中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)個(ge)特定(ding)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)間范圍中(zhong)(zhong)分別(bie)具有(you)(you)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)、勢壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)、柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)為，在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)露出(chu)(chu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)p型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)勢壘(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)為，被配(pei)置(zhi)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)側的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)為，從在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)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)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)(xiang)比(bi)厚度(du)較(jiao)厚。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)保護絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)對(dui)(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)(bu)(bu)(bu)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)(mian)和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分進(jin)行(xing)覆(fu)(fu)蓋(gai)(gai)，并且(qie)(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)保護絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)具有(you)(you)端部(bu)(bu)(bu)(bu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)端部(bu)(bu)(bu)(bu)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)穿過多(duo)(duo)個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)而(er)在(zai)(zai)與(yu)(yu)多(duo)(duo)個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)交叉(cha)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)延伸。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)下(xia)(xia)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)對(dui)(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)表(biao)面(mian)(mian)(mian)進(jin)行(xing)覆(fu)(fu)蓋(gai)(gai)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)歐姆接(jie)觸(chu)(chu)(chu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)柱(zhu)區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)肖特基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)而(er)不與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)(xiang)接(jie)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陰(yin)極區(qu)(qu)(qu)(qu)與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)下(xia)(xia)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)(xiang)接(jie)。

另外(wai)，第(di)(di)一(yi)(yi)接觸(chu)(chu)孔(kong)(或第(di)(di)二接觸(chu)(chu)孔(kong))的(de)(de)(de)寬度(du)是(shi)指(zhi)，俯視觀察硅基板時的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)接觸(chu)(chu)孔(kong)(或第(di)(di)二接觸(chu)(chu)孔(kong))的(de)(de)(de)寬度(du)方向上的(de)(de)(de)尺寸(cun)。此(ci)外(wai)，在元件區(qu)(qu)域內，既(ji)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)以(yi)(yi)(yi)劃(hua)分(fen)開的(de)(de)(de)方式而形(xing)成IGBT與(yu)(yu)二極(ji)(ji)管，也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)使IGBT與(yu)(yu)二極(ji)(ji)管混在一(yi)(yi)起。例如，也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)使IGBT的(de)(de)(de)p型(xing)體區(qu)(qu)與(yu)(yu)二極(ji)(ji)管的(de)(de)(de)p型(xing)陽(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)共同化(hua)。此(ci)外(wai)，上述的(de)(de)(de)特定(ding)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)是(shi)指(zhi)，第(di)(di)一(yi)(yi)接觸(chu)(chu)孔(kong)、第(di)(di)二接觸(chu)(chu)孔(kong)、陽(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)、勢壘(lei)區(qu)(qu)以(yi)(yi)(yi)及柱區(qu)(qu)全部(bu)(bu)被形(xing)成的(de)(de)(de)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)。也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)采用如下方式，即(ji)，溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)的(de)(de)(de)全部(bu)(bu)為特定(ding)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)。此(ci)外(wai)，也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)采用如下方式，即(ji)，一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)并非特定(ding)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)。即(ji)，也(ye)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)溝槽(cao)間(jian)范(fan)圍(wei)內不形(xing)成第(di)(di)一(yi)(yi)接觸(chu)(chu)孔(kong)、第(di)(di)二接觸(chu)(chu)孔(kong)、陽(yang)(yang)極(ji)(ji)區(qu)(qu)、勢壘(lei)區(qu)(qu)以(yi)(yi)(yi)及柱區(qu)(qu)中的(de)(de)(de)任意一(yi)(yi)種(zhong)。

在(zai)該半導體裝置(zhi)(zhi)(zhi)中(zhong)，在(zai)層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣(yuan)膜上(shang)(shang)形成(cheng)有寬度(du)較(jiao)寬的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)和寬度(du)較(jiao)窄的(de)第(di)(di)(di)(di)二接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)。在(zai)第(di)(di)(di)(di)二接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內配置(zhi)(zhi)(zhi)有與陽極區相接(jie)(jie)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)插(cha)頭(tou)。接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)插(cha)頭(tou)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(被配置(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)與硅基(ji)板(ban)相接(jie)(jie)的(de)部(bu)(bu)分處的(de)金屬(shu)層(ceng)(ceng))與陽極區(p型硅)歐姆接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)。由(you)于第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬(shu)層(ceng)(ceng)的(de)厚度(du)較(jiao)薄(bo)，因此即使第(di)(di)(di)(di)二接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)的(de)寬度(du)較(jiao)窄，也能夠在(zai)第(di)(di)(di)(di)二接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)內適當地配置(zhi)(zhi)(zhi)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬(shu)層(ceng)(ceng)。此外(wai)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬(shu)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)的(de)第(di)(di)(di)(di)二金屬(shu)層(ceng)(ceng)能夠在(zai)無需考慮對于硅基(ji)板(ban)的(de)影響(是(shi)否(fou)歐姆接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)、構成(cheng)材料是(shi)否(fou)相對于硅基(ji)板(ban)而進行擴散等)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia)而采(cai)用(yong)填(tian)埋性較(jiao)高的(de)金屬(shu)。因此，能夠利用(yong)第(di)(di)(di)(di)二金屬(shu)層(ceng)(ceng)而無間(jian)隙地對寬度(du)較(jiao)窄的(de)第(di)(di)(di)(di)二接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)進行填(tian)埋。因此，能夠使第(di)(di)(di)(di)二金屬(shu)層(ceng)(ceng)的(de)上(shang)(shang)表面與層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣(yuan)膜的(de)上(shang)(shang)表面設(she)為比(bi)較(jiao)平坦。因此，上(shang)(shang)部(bu)(bu)電極層(ceng)(ceng)的(de)上(shang)(shang)表面在(zai)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)插(cha)頭(tou)的(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)成(cheng)為比(bi)較(jiao)平坦。

另(ling)一(yi)方面(mian)，在(zai)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔內(nei)配置有(you)由(you)與(yu)柱區肖特(te)基接(jie)觸(chu)的(de)(de)金屬構成(cheng)(cheng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)。此(ci)(ci)外(wai)，上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)的(de)(de)厚(hou)(hou)度與(yu)第(di)(di)一(yi)金屬層(ceng)的(de)(de)厚(hou)(hou)度相(xiang)比(bi)而較(jiao)厚(hou)(hou)。由(you)于(yu)以(yi)此(ci)(ci)方式(shi)而使(shi)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)被形成(cheng)(cheng)為較(jiao)厚(hou)(hou)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)能夠抑(yi)制上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)與(yu)硅(gui)基板之間的(de)(de)界(jie)面(mian)中(zhong)的(de)(de)相(xiang)互擴散。此(ci)(ci)外(wai)，由(you)于(yu)在(zai)該界(jie)面(mian)上(shang)(shang)(shang)形成(cheng)(cheng)有(you)肖特(te)基勢壘(lei)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)能夠在(zai)二極管中(zhong)被施加有(you)反向電(dian)壓的(de)(de)狀(zhuang)態下抑(yi)制經由(you)柱區的(de)(de)漏電(dian)流。此(ci)(ci)外(wai)，由(you)于(yu)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔的(de)(de)寬(kuan)度較(jiao)寬(kuan)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)能夠在(zai)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔內(nei)配置較(jiao)厚(hou)(hou)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)。即，在(zai)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔內(nei)幾(ji)乎不(bu)形成(cheng)(cheng)空隙。此(ci)(ci)外(wai)，由(you)于(yu)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔的(de)(de)寬(kuan)度較(jiao)寬(kuan)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)在(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)極層(ceng)的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表面(mian)上(shang)(shang)(shang)沿著(zhu)第(di)(di)一(yi)接(jie)觸(chu)孔而形成(cheng)(cheng)有(you)凹部(bu)(bu)(bu)(bu)。

如上(shang)文所說明的(de)(de)(de)(de)那樣，在(zai)第二接觸孔的(de)(de)(de)(de)位置處(chu)(chu)，上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層的(de)(de)(de)(de)上(shang)表面較為平坦，并(bing)且(qie)在(zai)第一接觸孔的(de)(de)(de)(de)位置處(chu)(chu)，上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層的(de)(de)(de)(de)上(shang)表面上(shang)形成有凹(ao)部(bu)(bu)。在(zai)該二極(ji)管中，保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(更詳細(xi)而言，在(zai)與溝槽(cao)交(jiao)叉的(de)(de)(de)(de)方向上(shang)延伸(shen)的(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu))穿(chuan)過第二接觸孔的(de)(de)(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)(即，平坦的(de)(de)(de)(de)區域)而延伸(shen)。即，以凹(ao)部(bu)(bu)與保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)上(shang)述端部(bu)(bu)不重疊的(de)(de)(de)(de)方式而被配置。因此(ci)，防(fang)止(zhi)了在(zai)上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層上(shang)產生極(ji)高的(de)(de)(de)(de)熱應力的(de)(de)(de)(de)情況，并(bing)且(qie)在(zai)上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層上(shang)不容易產生裂紋。

如此，根(gen)據該(gai)半導體裝置，能夠(gou)抑制(zhi)(zhi)二極管的漏電流(liu)且能夠(gou)抑制(zhi)(zhi)上部(bu)電極層(ceng)的裂紋。

此外(wai)(wai)，本(ben)說明書(shu)還提供一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種制(zhi)造(zao)具(ju)有二(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)導體裝(zhuang)置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)。該(gai)制(zhi)造(zao)方(fang)法(fa)(fa)包(bao)括(kuo)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)準備(bei)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)(mo)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、保護絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)(mo)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)、陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)以及下(xia)(xia)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)準備(bei)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)中(zhong)(zhong)(zhong)，準備(bei)具(ju)有以下(xia)(xia)結構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)具(ju)有在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)有呈(cheng)條紋狀延伸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)(cao)(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域、和(he)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)(cao)(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)長度(du)(du)方(fang)向上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)與(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)元(yuan)件(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域鄰接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域。各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)(cao)(cao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)通(tong)過溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)(cao)(cao)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)(mo)而被(bei)(bei)(bei)覆(fu)蓋(gai)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)被(bei)(bei)(bei)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(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u)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)中(zhong)(zhong)(zhong)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)被(bei)(bei)(bei)配置(zhi)(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)側且(qie)(qie)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)露(lu)出(chu)(chu)，并且(qie)(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)為(wei)(wei)與(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)漂(piao)移(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)比(bi)(bi)雜質濃度(du)(du)較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)n型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)下(xia)(xia)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)(gong)(gong)序(xu)(xu)(xu)中(zhong)(zhong)(zhong)，在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)(gui)(gui)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)與(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陰(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)相(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)(xia)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

另外，只(zhi)要不產生矛盾，則各個工序(xu)的實(shi)施(shi)(shi)順(shun)序(xu)能夠自由地變更(geng)。例如，陰(yin)極區形(xing)(xing)成工序(xu)以及下部電極層形(xing)(xing)成工序(xu)既可以在(zai)層間絕緣膜形(xing)(xing)成工序(xu)之前實(shi)施(shi)(shi)，也可以在(zai)表面電極層形(xing)(xing)成工序(xu)之后實(shi)施(shi)(shi)，還可以在(zai)其他時刻實(shi)施(shi)(shi)。

在(zai)(zai)(zai)(zai)該制(zhi)造方法(fa)中，在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)。雖然(ran)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)窄，但(dan)由于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)薄，因(yin)此(ci)(ci)(ci)能(neng)夠將第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)適當(dang)地(di)(di)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內。在(zai)(zai)(zai)(zai)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)了(le)(le)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)之后，在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(即(ji)(ji)，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)。通過CVD能(neng)夠將第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)適當(dang)地(di)(di)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)寬(kuan)度(du)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內。因(yin)此(ci)(ci)(ci)，在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內不容易形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)空隙。在(zai)(zai)(zai)(zai)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)了(le)(le)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)之后，形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)。此(ci)(ci)(ci)處(chu)，在(zai)(zai)(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)間絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)上(shang)(shang)(shang)、第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)以及第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)厚地(di)(di)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)有(you)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)。由于(yu)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)，因(yin)此(ci)(ci)(ci)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)中上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表面比(bi)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)平(ping)(ping)坦(tan)。此(ci)(ci)(ci)外，由于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)寬(kuan)，因(yin)此(ci)(ci)(ci)即(ji)(ji)使(shi)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)厚地(di)(di)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)，也不容易在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)空隙。此(ci)(ci)(ci)外，由于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)寬(kuan)，因(yin)此(ci)(ci)(ci)在(zai)(zai)(zai)(zai)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)對應(ying)的(de)(de)(de)(de)位置(zhi)處(chu)，在(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)凹部(bu)(bu)。接(jie)(jie)下(xia)來，在(zai)(zai)(zai)(zai)保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)工(gong)序(xu)中，形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)。此(ci)(ci)(ci)處(chu)，在(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)且在(zai)(zai)(zai)(zai)與(yu)(yu)多(duo)個(ge)溝槽(cao)交(jiao)叉的(de)(de)(de)(de)方向上(shang)(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)(de)保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)(bu)以穿(chuan)過多(duo)個(ge)所述第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)而延伸的(de)(de)(de)(de)方式形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)。保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)所述端(duan)部(bu)(bu)被配置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(平(ping)(ping)坦(tan)的(de)(de)(de)(de)區(qu)(qu)(qu)域)。之后，形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)了(le)(le)表面電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)、陰極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)以及下(xia)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)。根據該方法(fa)，由于(yu)在(zai)(zai)(zai)(zai)與(yu)(yu)多(duo)個(ge)溝槽(cao)交(jiao)叉的(de)(de)(de)(de)方向上(shang)(shang)(shang)延伸的(de)(de)(de)(de)保護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)(bu)被配置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)平(ping)(ping)坦(tan)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu))，因(yin)此(ci)(ci)(ci)能(neng)夠抑(yi)制(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)增加較(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)熱(re)應(ying)力的(de)(de)(de)(de)情況。此(ci)(ci)(ci)外，由于(yu)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)(yu)柱區(qu)(qu)(qu)肖特基接(jie)(jie)觸(chu)(chu)，因(yin)此(ci)(ci)(ci)能(neng)夠抑(yi)制(zhi)經由柱區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)漏電(dian)流。

附圖說明

圖1為表示溝槽20與保(bao)護(hu)絕緣膜56的配置(zhi)(zhi)的半導體(ti)裝置(zhi)(zhi)10的俯視圖。

圖2為圖1的(de)范圍X1所示的(de)部分的(de)立體剖視圖。

圖(tu)3為(wei)圖(tu)1的范圍X1所(suo)示(shi)的部分的俯視圖(tu)。

圖4為圖3的(de)Ⅳ-Ⅳ線(xian)處的(de)縱剖視圖。

圖(tu)(tu)5為圖(tu)(tu)3的(de)Ⅴ-Ⅴ線處的(de)縱剖視圖(tu)(tu)。

圖(tu)6為(wei)圖(tu)3的(de)Ⅵ-Ⅵ線(xian)處的(de)縱剖視圖(tu)。

圖7為(wei)接觸插頭52的放大剖視圖。

圖(tu)8為IGBT區域17在y方向上的縱剖視圖(tu)。

圖(tu)9為IGBT區(qu)域17在x方向(xiang)上的縱(zong)剖(pou)視圖(tu)。

圖(tu)10為半(ban)導體裝置(zhi)10的(de)制造工序的(de)說明圖(tu)(對應于圖(tu)6的(de)剖視圖(tu))。

圖11為半導體裝(zhuang)置10的(de)(de)制造工序的(de)(de)說(shuo)明(ming)圖(對應于圖6的(de)(de)剖視圖)。

圖12為半導體(ti)裝置10的制造工序的說明(ming)圖(對應于圖6的剖(pou)視(shi)圖)。

圖13為半(ban)導(dao)體裝置10的制造(zao)工(gong)序的說(shuo)明圖(對應(ying)于圖4的剖視圖)。

圖(tu)14為半導體裝置10的制(zhi)造(zao)工序的說明圖(tu)(對應(ying)于圖(tu)6的剖視圖(tu))。

圖(tu)15為半導體裝置10的(de)制造(zao)工序的(de)說明圖(tu)(對應于(yu)圖(tu)6的(de)剖視圖(tu))。

圖(tu)16為半導體裝置(zhi)10的(de)制造工(gong)序的(de)說明圖(tu)(對應于(yu)圖(tu)6的(de)剖視圖(tu))。

圖17為半導體裝置10的制造工序(xu)的說明圖(對應于圖6的剖視圖)。

圖(tu)18為半導(dao)體裝置10的制造工序(xu)的說明圖(tu)(對(dui)應于圖(tu)6的剖視圖(tu))。

圖(tu)19為半導體裝置(zhi)10的(de)(de)制造工序的(de)(de)說明圖(tu)(對(dui)應于圖(tu)6的(de)(de)剖視圖(tu))。

圖(tu)20為(wei)改變例(li)的(de)半導體裝置的(de)立體剖視(shi)圖(tu)。

具體實施方式

如圖(tu)(tu)(tu)1所示，半(ban)導體裝置10具有(you)硅(gui)基(ji)(ji)板12。另外(wai)，雖然(ran)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a被(bei)絕緣膜、電(dian)極等(deng)覆蓋，但(dan)圖(tu)(tu)(tu)1中省略了(le)這些圖(tu)(tu)(tu)示以便(bian)于(yu)說明。此外(wai)，在(zai)以下的(de)(de)說明中，將硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)厚度方(fang)(fang)(fang)向(xiang)稱(cheng)為z方(fang)(fang)(fang)向(xiang)、將與(yu)(yu)(yu)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a平(ping)行的(de)(de)一(yi)個(ge)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(與(yu)(yu)(yu)z方(fang)(fang)(fang)向(xiang)正交的(de)(de)一(yi)個(ge)方(fang)(fang)(fang)向(xiang))稱(cheng)為x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)、將與(yu)(yu)(yu)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a平(ping)行且(qie)與(yu)(yu)(yu)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)正交的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)稱(cheng)為y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)。如圖(tu)(tu)(tu)1所示，硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a上(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)成有(you)多(duo)個(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)20。各個(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)20在(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a上(shang)(shang)(shang)(shang)相互平(ping)行地(di)延(yan)伸。各個(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)20在(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a上(shang)(shang)(shang)(shang)且(qie)在(zai)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)較長(chang)地(di)延(yan)伸。多(duo)個(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)20以在(zai)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)隔開間(jian)隔的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)式(shi)排(pai)列。以下，將俯視觀(guan)察(cha)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a時形(xing)成有(you)多(duo)個(ge)溝(gou)(gou)槽(cao)20的(de)(de)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)稱(cheng)為元件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)14。此外(wai)，將俯視觀(guan)察(cha)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)12a時元件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)14的(de)(de)外(wai)側的(de)(de)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(元件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)14與(yu)(yu)(yu)硅(gui)基(ji)(ji)板12的(de)(de)端面(mian)(mian)12c之間(jian)的(de)(de)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu))稱(cheng)為元件(jian)外(wai)部區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)16。元件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)14具有(you)IGBT區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17與(yu)(yu)(yu)二(er)極管區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18。在(zai)IGBT區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內形(xing)成有(you)IGBT。在(zai)二(er)極管區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18內形(xing)成有(you)二(er)極管。IGBT區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17與(yu)(yu)(yu)二(er)極管區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18以在(zai)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)交替(ti)地(di)重復的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)式(shi)而配置。

圖(tu)2表(biao)示(shi)圖(tu)1的(de)范(fan)圍(wei)(wei)X1內的(de)部(bu)(bu)分(fen)的(de)立體(ti)圖(tu)。此外，圖(tu)3表(biao)示(shi)范(fan)圍(wei)(wei)X1內的(de)部(bu)(bu)分(fen)的(de)硅基板(ban)12的(de)上(shang)表(biao)面(mian)12a的(de)俯視(shi)圖(tu)。另(ling)外，在圖(tu)3中省(sheng)略了一部(bu)(bu)分(fen)硅基板(ban)12的(de)上(shang)表(biao)面(mian)12a上(shang)的(de)電(dian)極(ji)(ji)、絕緣(yuan)膜的(de)圖(tu)示(shi)。此外，圖(tu)4至圖(tu)6表(biao)示(shi)范(fan)圍(wei)(wei)X1內的(de)部(bu)(bu)分(fen)的(de)半導體(ti)裝置10的(de)剖視(shi)圖(tu)。范(fan)圍(wei)(wei)X1內包含二極(ji)(ji)管區域18、在溝槽20的(de)長(chang)度方(fang)向(x方(fang)向)上(shang)與該二極(ji)(ji)管區域18鄰接的(de)元件(jian)外部(bu)(bu)區域16。

如圖2至(zhi)圖6所示，溝(gou)(gou)槽20從(cong)上表面(mian)12a起向下方(z方向)延伸。溝(gou)(gou)槽20的內表面(mian)被溝(gou)(gou)槽絕緣(yuan)膜(mo)22覆蓋。溝(gou)(gou)槽20內配置(zhi)有溝(gou)(gou)槽電極(ji)24。溝(gou)(gou)槽電極(ji)24通(tong)過溝(gou)(gou)槽絕緣(yuan)膜(mo)22而與硅基板12絕緣(yuan)。

硅基板12的上表面12a被層間絕緣膜50覆蓋。層間絕緣膜50在元件區域14與元件外部區域16對硅基板12的上表面12a進行覆蓋。層間絕緣膜50也對溝槽電極24的上表面進行覆蓋。層間絕緣膜50由SiO₂(氧化硅)構(gou)成(cheng)。層(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)緣(yuan)膜50上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形成(cheng)有(you)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60和接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62。如圖3所示(shi)，在(zai)(zai)(zai)(zai)被溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)20夾著(zhu)(zhu)的(de)(de)(de)(de)(de)范圍(wei)(wei)(wei)(溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei))中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)每一個(ge)(ge)(ge)(ge)內，形成(cheng)有(you)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60和接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62。溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)20的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)未形成(cheng)有(you)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)。在(zai)(zai)(zai)(zai)各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)內，存在(zai)(zai)(zai)(zai)三個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)(de)區(qu)(qu)域(yu)和形成(cheng)有(you)一個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)(de)區(qu)(qu)域(yu)在(zai)(zai)(zai)(zai)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)交替地反復出現(xian)。在(zai)(zai)(zai)(zai)存在(zai)(zai)(zai)(zai)三個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)(de)區(qu)(qu)域(yu)中(zhong)，三個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)以隔(ge)開間(jian)(jian)隔(ge)的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)式(shi)在(zai)(zai)(zai)(zai)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)排列。各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62在(zai)(zai)(zai)(zai)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)且在(zai)(zai)(zai)(zai)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)較(jiao)長(chang)地延(yan)伸。各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)(即(ji)，y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)寸(cun))較(jiao)窄。各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60在(zai)(zai)(zai)(zai)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)寸(cun)大于在(zai)(zai)(zai)(zai)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)寸(cun)。各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)(即(ji)，x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)寸(cun))寬于各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)(de)寬度(du)(即(ji)，y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)尺(chi)寸(cun))。位(wei)(wei)于最(zui)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)近(jin)(jin)元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)域(yu)16側(ce)(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62a與位(wei)(wei)于最(zui)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)近(jin)(jin)元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)域(yu)16側(ce)(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60a相(xiang)比而被配置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)域(yu)16側(ce)(ce)。在(zai)(zai)(zai)(zai)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)之間(jian)(jian)，接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60、62的(de)(de)(de)(de)(de)配置(zhi)相(xiang)同。因(yin)此(ci)，位(wei)(wei)于最(zui)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)近(jin)(jin)元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)域(yu)16側(ce)(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62a的(de)(de)(de)(de)(de)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)之間(jian)(jian)相(xiang)同。因(yin)此(ci)，各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)內的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)62a沿(yan)著(zhu)(zhu)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)而排成(cheng)一列。同樣，位(wei)(wei)于最(zui)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)近(jin)(jin)元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)(bu)區(qu)(qu)域(yu)16側(ce)(ce)的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60a的(de)(de)(de)(de)(de)x方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)之間(jian)(jian)相(xiang)同。因(yin)此(ci)，各(ge)(ge)個(ge)(ge)(ge)(ge)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)間(jian)(jian)范圍(wei)(wei)(wei)內的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60a沿(yan)著(zhu)(zhu)y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)而排成(cheng)一列。其他接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60、62也以相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)式(shi)而被配置(zhi)。如圖4至圖6所示(shi)，接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)60、62從(cong)層(ceng)間(jian)(jian)絕(jue)緣(yuan)膜50的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面貫穿(chuan)至其下表面為止。

如圖(tu)4、6所示，接觸孔(kong)62內形成有接觸插頭52。圖(tu)7表(biao)(biao)(biao)示接觸插頭52的(de)(de)(de)放(fang)大(da)剖(pou)視圖(tu)。接觸插頭52具(ju)(ju)有勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)52a與(yu)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b。勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)52a具(ju)(ju)有由Ti(鈦)構成的(de)(de)(de)Ti層(ceng)(ceng)、和由TiN(氮化鈦)構成的(de)(de)(de)TiN層(ceng)(ceng)。Ti層(ceng)(ceng)與(yu)硅基(ji)板12相接，且(qie)TiN層(ceng)(ceng)被層(ceng)(ceng)壓(ya)在(zai)Ti層(ceng)(ceng)上(shang)。填(tian)充(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b由W(鎢(wu))構成。填(tian)充(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b被無間(jian)(jian)隙地填(tian)充(chong)(chong)在(zai)與(yu)接觸孔(kong)62中的(de)(de)(de)勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)52a相比靠上(shang)側的(de)(de)(de)空間(jian)(jian)內。填(tian)充(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面與(yu)層(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕緣(yuan)膜50的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面被配置于大(da)致相同的(de)(de)(de)高(gao)度(du)。因此，通過(guo)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面與(yu)層(ceng)(ceng)間(jian)(jian)絕緣(yuan)膜50的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面而構成了大(da)致平(ping)坦的(de)(de)(de)平(ping)面。

如圖(tu)(tu)4至圖(tu)(tu)6所示，跨及層(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜50上(shang)(shang)、接(jie)(jie)觸(chu)(chu)插(cha)頭52上(shang)(shang)以及接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內(nei)而形成(cheng)有上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54。上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54由AlSi(鋁硅(gui))構成(cheng)。上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54在(zai)元件區域(yu)14的(de)(de)(de)(de)(de)幾乎整個區域(yu)內(nei)對(dui)層(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜50的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)、接(jie)(jie)觸(chu)(chu)插(cha)頭52的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)以及接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)(de)內(nei)表(biao)面(mian)(mian)進行覆蓋。上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54在(zai)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內(nei)與(yu)硅(gui)基板(ban)12相接(jie)(jie)。上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54通過(guo)層(ceng)(ceng)間絕緣(yuan)膜50而與(yu)各個溝槽電(dian)(dian)極(ji)(ji)24絕緣(yuan)。在(zai)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)上(shang)(shang)沿著接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)(de)形狀而形成(cheng)有凹部(bu)(bu)(bu)54a。另一方(fang)(fang)面(mian)(mian)，由于接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62通過(guo)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)插(cha)頭52而被填埋(mai)，因而接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)成(cheng)為大致平坦。因此，在(zai)y方(fang)(fang)向上(shang)(shang)對(dui)各個接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62進行橫(heng)切的(de)(de)(de)(de)(de)剖(pou)面(mian)(mian)(參照圖(tu)(tu)4)，與(yu)在(zai)y方(fang)(fang)向上(shang)(shang)對(dui)各個接(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60進行橫(heng)切的(de)(de)(de)(de)(de)剖(pou)面(mian)(mian)(參照圖(tu)(tu)5)相比，上(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)平坦性較高。

如(ru)圖(tu)2、6所(suo)(suo)示，在(zai)(zai)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外部(bu)(bu)(bu)區(qu)域(yu)(yu)16內(nei)的(de)(de)層(ceng)間絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)50上(shang)形成(cheng)有保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56。保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56由聚酰亞(ya)胺(an)構成(cheng)。圖(tu)1、3的(de)(de)通過(guo)點而被(bei)(bei)施加(jia)了影(ying)線(xian)的(de)(de)范圍表示保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56的(de)(de)范圍。如(ru)圖(tu)1、3所(suo)(suo)示，保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56還被(bei)(bei)形成(cheng)在(zai)(zai)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外部(bu)(bu)(bu)區(qu)域(yu)(yu)16附近(jin)的(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)域(yu)(yu)14內(nei)。如(ru)圖(tu)2、6所(suo)(suo)示，元(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)域(yu)(yu)14內(nei)的(de)(de)保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56被(bei)(bei)形成(cheng)在(zai)(zai)上(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)54上(shang)。即，上(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)54的(de)(de)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外部(bu)(bu)(bu)區(qu)域(yu)(yu)附近(jin)的(de)(de)部(bu)(bu)(bu)分被(bei)(bei)保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56覆(fu)蓋(gai)。如(ru)圖(tu)3所(suo)(suo)示，在(zai)(zai)范圍X1內(nei)，上(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)極(ji)(ji)層(ceng)54上(shang)的(de)(de)保護(hu)絕緣(yuan)(yuan)膜(mo)56的(de)(de)端(duan)部(bu)(bu)(bu)56a沿(yan)著y方向(xiang)延(yan)伸。即，在(zai)(zai)俯視觀察(cha)上(shang)表面(mian)12a時，端(duan)部(bu)(bu)(bu)56a以(yi)與多個(ge)溝槽20交(jiao)叉的(de)(de)方式延(yan)伸。端(duan)部(bu)(bu)(bu)56a穿(chuan)過(guo)被(bei)(bei)配置在(zai)(zai)最接(jie)近(jin)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)外部(bu)(bu)(bu)區(qu)域(yu)(yu)16的(de)(de)位置處的(de)(de)接(jie)觸孔62a的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)(bu)而在(zai)(zai)y方向(xiang)上(shang)延(yan)伸。

如圖2、4、5、6所(suo)示，在上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54上(shang)形成(cheng)有表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58。表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58由Ni(鎳)構成(cheng)。表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58對未被(bei)(bei)保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56覆(fu)(fu)蓋(gai)的范圍(wei)的上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54的上(shang)表(biao)(biao)面(mian)的整個區域(yu)(yu)進行覆(fu)(fu)蓋(gai)。此(ci)外，表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58的外邊緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)附近(jin)的部(bu)(bu)分被(bei)(bei)配(pei)置在保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56上(shang)。即，保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56的元件區域(yu)(yu)14附近(jin)的部(bu)(bu)分被(bei)(bei)表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58覆(fu)(fu)蓋(gai)。因(yin)此(ci)，在保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56的端(duan)部(bu)(bu)56a處，保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56、上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54、表(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)58這三層(ceng)(ceng)(ceng)彼此(ci)相接。

在硅基板12的下(xia)表(biao)面(mian)12b的整個(ge)區域內形(xing)成有下(xia)部電極層70。

如圖2所示，在二(er)極(ji)(ji)管區域18內的(de)(de)硅基板12的(de)(de)內部形(xing)成有(you)陽極(ji)(ji)區30、勢壘(lei)區32、柱區38、漂移區34以及陰(yin)極(ji)(ji)區36。

陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30為p型區(qu)(qu)，并且(qie)以(yi)(yi)(yi)在硅基(ji)(ji)板12的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面12a上(shang)露出的(de)(de)(de)方(fang)式而形成。陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30在除了形成有柱區(qu)(qu)38的(de)(de)(de)范(fan)圍以(yi)(yi)(yi)外的(de)(de)(de)二極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管區(qu)(qu)域18的(de)(de)(de)大致整(zheng)個(ge)區(qu)(qu)域內(nei)露出于硅基(ji)(ji)板12的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面12a。陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30與(yu)接(jie)觸孔(kong)62內(nei)的(de)(de)(de)接(jie)觸插頭(tou)(tou)52(即，勢(shi)壘金屬52a)相(xiang)接(jie)并且(qie)與(yu)接(jie)觸孔(kong)60內(nei)的(de)(de)(de)上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54相(xiang)接(jie)。陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30內(nei)的(de)(de)(de)雜(za)質濃度在上(shang)表(biao)面12a上(shang)露出的(de)(de)(de)范(fan)圍內(nei)與(yu)其下側的(de)(de)(de)范(fan)圍相(xiang)比而較(jiao)高。陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30與(yu)接(jie)觸插頭(tou)(tou)52以(yi)(yi)(yi)及(ji)上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54以(yi)(yi)(yi)低(di)電(dian)阻的(de)(de)(de)方(fang)式相(xiang)接(jie)。即，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30與(yu)接(jie)觸插頭(tou)(tou)52的(de)(de)(de)勢(shi)壘金屬52a以(yi)(yi)(yi)及(ji)上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54歐姆(mu)接(jie)觸。此外，陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30與(yu)溝槽(cao)絕緣膜22相(xiang)接(jie)。

勢壘區(qu)32為n型(xing)區(qu)，并且被形成(cheng)在陽極區(qu)30的(de)下側。勢壘區(qu)32從下側與(yu)陽極區(qu)30相接。勢壘區(qu)32在陽極區(qu)30的(de)下側的(de)位置處與(yu)溝槽絕緣膜22相接。

柱區38為n型區。如圖3所示，柱區38以在接觸孔60內且在硅基板12的上表面12a上露出的方式而形成。柱區38與接觸孔60內的上部電極層54相接。如圖5、6所示，柱區38從與上部電極層54相接的位置起延伸至與勢壘區32相接的位置為止。即，柱區38在z方向上貫穿陽極區30。柱區38的n型雜質濃度被調節為1×10¹⁵～1×10¹⁹atoms/cm³的(de)(de)范圍內(nei)的(de)(de)濃度。此(ci)外，柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38上(shang)較(jiao)(jiao)厚地(di)形成(cheng)有由AlSi組(zu)成(cheng)的(de)(de)上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)層54。因(yin)此(ci)，柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38與上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)層54肖(xiao)特(te)基(ji)接(jie)觸。柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38與上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)層54的(de)(de)界(jie)面37上(shang)形成(cheng)有相對于(yu)從(cong)柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38起朝向(xiang)(xiang)上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)層54流(liu)動(dong)的(de)(de)電(dian)流(liu)的(de)(de)較(jiao)(jiao)高的(de)(de)勢壘。對于(yu)其反向(xiang)(xiang)的(de)(de)電(dian)流(liu)，界(jie)面37的(de)(de)勢壘極(ji)(ji)小。柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38被配置在遠離接(jie)觸孔62的(de)(de)位置處，從(cong)而未(wei)與接(jie)觸插頭52相接(jie)。因(yin)此(ci)，柱(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)區(qu)38僅(jin)在接(jie)觸孔60內(nei)與上(shang)部(bu)電(dian)極(ji)(ji)層54連接(jie)。

漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34為，與(yu)(yu)柱區(qu)(qu)(qu)(qu)38以及勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32相比(bi)n型雜(za)質濃度較低的n型區(qu)(qu)(qu)(qu)。漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34被形成在(zai)勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32的下(xia)側(ce)，并且從下(xia)側(ce)與(yu)(yu)勢壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32相接。

陰極(ji)區(qu)36為，與漂移(yi)區(qu)34、柱區(qu)38以(yi)(yi)及勢壘(lei)區(qu)32相(xiang)比n型(xing)雜(za)質濃(nong)度較高的(de)(de)n型(xing)區(qu)。陰極(ji)區(qu)36被形成在漂移(yi)區(qu)34的(de)(de)下(xia)(xia)側，并且(qie)從下(xia)(xia)側與漂移(yi)區(qu)34相(xiang)接(jie)。陰極(ji)區(qu)36在硅基板(ban)12的(de)(de)下(xia)(xia)表面(mian)12b上(shang)露出。陰極(ji)區(qu)36與下(xia)(xia)部電(dian)極(ji)層70以(yi)(yi)低電(dian)阻的(de)(de)方式相(xiang)接(jie)。即，陰極(ji)區(qu)36與下(xia)(xia)部電(dian)極(ji)層70歐姆接(jie)觸。

如圖2所示(shi)，元(yuan)件外(wai)(wai)(wai)部區(qu)(qu)(qu)域16內(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)內(nei)(nei)(nei)部形成(cheng)有(you)漂移區(qu)(qu)(qu)34、陰(yin)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)36以(yi)及外(wai)(wai)(wai)周n型區(qu)(qu)(qu)42。元(yuan)件外(wai)(wai)(wai)部區(qu)(qu)(qu)域16內(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)陰(yin)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)36與二(er)極(ji)(ji)管區(qu)(qu)(qu)域18內(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)陰(yin)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)36相同地以(yi)在(zai)(zai)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)下表面(mian)12b上(shang)露(lu)出(chu)的(de)(de)(de)方式而形成(cheng)。外(wai)(wai)(wai)周n型區(qu)(qu)(qu)42被形成(cheng)于(yu)在(zai)(zai)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)端面(mian)12c與上(shang)表面(mian)12a的(de)(de)(de)雙方上(shang)露(lu)出(chu)的(de)(de)(de)位(wei)置處。在(zai)(zai)元(yuan)件外(wai)(wai)(wai)部區(qu)(qu)(qu)域16內(nei)(nei)(nei)且在(zai)(zai)外(wai)(wai)(wai)周n型區(qu)(qu)(qu)42與陰(yin)極(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)36之間的(de)(de)(de)區(qu)(qu)(qu)域的(de)(de)(de)大(da)致(zhi)整體上(shang)形成(cheng)有(you)漂移區(qu)(qu)(qu)34。

圖8、9表示IGBT區(qu)域17內的(de)硅基板(ban)12的(de)縱剖視圖。如圖8、9所示，IGBT區(qu)域17的(de)結(jie)構(gou)(gou)在具有發射區(qu)44與(yu)(yu)(yu)集電區(qu)46的(de)方面與(yu)(yu)(yu)二極管(guan)區(qu)域18的(de)結(jie)構(gou)(gou)不同(tong)。IGBT區(qu)域17的(de)其他結(jie)構(gou)(gou)與(yu)(yu)(yu)二極管(guan)區(qu)域18的(de)結(jie)構(gou)(gou)相同(tong)。

IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)硅基板12上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)有(you)發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44。發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44為(wei)(wei)n型區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)，并且局(ju)部(bu)性(xing)地形(xing)成(cheng)于(yu)在硅基板12的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面12a上(shang)(shang)露出(chu)的(de)(de)(de)范圍內。發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44與接(jie)(jie)觸(chu)插頭52以低電(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)方式相(xiang)接(jie)(jie)。即，發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44與接(jie)(jie)觸(chu)插頭52歐姆(mu)接(jie)(jie)觸(chu)。發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44的(de)(de)(de)下側(ce)形(xing)成(cheng)有(you)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30。發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44通過陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30而與勢壘區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)32分離(li)。如(ru)圖8所示，發(fa)(fa)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)44在陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30的(de)(de)(de)上(shang)(shang)側(ce)的(de)(de)(de)位置處(chu)與溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)絕緣膜(mo)22相(xiang)接(jie)(jie)。另(ling)外(wai)(wai)，在IGBT導通時(shi)，在IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30中形(xing)成(cheng)有(you)溝(gou)(gou)道(dao)。因(yin)此，IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30有(you)時(shi)被稱(cheng)為(wei)(wei)體區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。此外(wai)(wai)，IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)電(dian)(dian)極24為(wei)(wei)用于(yu)在陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)30(體區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu))內形(xing)成(cheng)溝(gou)(gou)道(dao)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)極，并且有(you)時(shi)被稱(cheng)為(wei)(wei)柵電(dian)(dian)極。IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)電(dian)(dian)極24(即柵電(dian)(dian)極)既可以與二極管(guan)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)電(dian)(dian)極24連接(jie)(jie)，也可以與二極管(guan)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)電(dian)(dian)極24分離(li)(即，也可以構成(cheng)為(wei)(wei)，柵電(dian)(dian)極能夠獨(du)立(li)于(yu)二極管(guan)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)18內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)電(dian)(dian)極24而對電(dian)(dian)位進行控制)。此外(wai)(wai)，IGBT區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17內的(de)(de)(de)溝(gou)(gou)槽(cao)(cao)絕緣膜(mo)22有(you)時(shi)被稱(cheng)為(wei)(wei)柵絕緣膜(mo)。

IGBT區(qu)域17內形成(cheng)有集(ji)電(dian)(dian)區(qu)46以代替(ti)陰極(ji)區(qu)36。集(ji)電(dian)(dian)區(qu)46為p型區(qu)，并且被形成(cheng)于在(zai)IGBT區(qu)域17內的(de)硅基(ji)板12的(de)下(xia)表(biao)面(mian)12b上(shang)露出的(de)范圍內。集(ji)電(dian)(dian)區(qu)46與(yu)下(xia)部電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)70以低電(dian)(dian)阻的(de)方式接觸。即，集(ji)電(dian)(dian)區(qu)46與(yu)下(xia)部電(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)70歐(ou)姆接觸。

接(jie)下來，對(dui)半導體裝置(zhi)10的動作進行說(shuo)明。在半導體裝置(zhi)10的使用時，表面電極層(ceng)(ceng)(ceng)58經由焊錫層(ceng)(ceng)(ceng)而(er)與外(wai)部(bu)端子連接(jie)。表面電極層(ceng)(ceng)(ceng)58為(wei)用于使相對(dui)于焊錫層(ceng)(ceng)(ceng)的潤濕(shi)性提高的層(ceng)(ceng)(ceng)。此外(wai)，下部(bu)電極層(ceng)(ceng)(ceng)70經由焊錫層(ceng)(ceng)(ceng)而(er)與另外(wai)的外(wai)部(bu)端子連接(jie)。

首先，對IGBT動(dong)(dong)作進行(xing)說明。在(zai)(zai)IGBT動(dong)(dong)作中，向下部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層70施加與(yu)(yu)上(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層54相比(bi)而較高(gao)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)。當使柵電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)24(即，IGBT區(qu)(qu)域(yu)17內(nei)的(de)(de)溝槽電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)24)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)上(shang)升至(zhi)閾值以上(shang)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)時(shi)，在(zai)(zai)與(yu)(yu)柵絕緣(yuan)膜22相接(jie)的(de)(de)范圍的(de)(de)體區(qu)(qu)30(即，IGBT區(qu)(qu)域(yu)17內(nei)的(de)(de)陽極(ji)區(qu)(qu)30)內(nei)形成(cheng)有溝道。因此(ci)，IGBT導通，從而使電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)從下部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層70向上(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)層54流(liu)動(dong)(dong)。當使柵電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)24的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)降(jiang)低至(zhi)低于閾值的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)時(shi)，溝道消失，從而IGBT斷(duan)開。另外，當IGBT斷(duan)開時(shi)，漂(piao)移(yi)(yi)區(qu)(qu)34耗(hao)盡化，并(bing)且(qie)會在(zai)(zai)漂(piao)移(yi)(yi)區(qu)(qu)34內(nei)產生較高(gao)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)場。當不僅僅在(zai)(zai)IGBT區(qu)(qu)域(yu)17內(nei)而且(qie)在(zai)(zai)二極(ji)管區(qu)(qu)域(yu)18內(nei)也形成(cheng)有溝槽電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)24時(shi)，能(neng)夠(gou)(gou)使電(dian)(dian)(dian)(dian)場比(bi)較均勻(yun)地分布(bu)在(zai)(zai)IGBT區(qu)(qu)域(yu)17與(yu)(yu)二極(ji)管區(qu)(qu)域(yu)18的(de)(de)大致整個區(qu)(qu)域(yu)內(nei)。由(you)此(ci)，能(neng)夠(gou)(gou)抑制(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)場局部(bu)性地集中在(zai)(zai)漂(piao)移(yi)(yi)區(qu)(qu)34內(nei)的(de)(de)情況。

接下來，對二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)動作(zuo)進行說明。當(dang)上部電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54的電(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)高于下部電(dian)(dian)(dian)極(ji)層70的電(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)時，二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)區域內(nei)的二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)中被施加(jia)正(zheng)向(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)，而(er)當(dang)下部電(dian)(dian)(dian)極(ji)層70的電(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)高于上部電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54的電(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)時二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)中被施加(jia)反向(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)。

首先，對正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓施加時(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)動作進行說明。在被施加比較低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態下，如(ru)(ru)圖6的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)箭(jian)(jian)頭(tou)80所示(shi)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)通(tong)過界面37而(er)流動。更詳細(xi)而(er)言(yan)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)從下部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)70起(qi)經由(you)陰(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)36、漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34、勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32以及(ji)柱區(qu)(qu)(qu)(qu)38而(er)向(xiang)(xiang)(xiang)上部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54流動。即(ji)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流向(xiang)(xiang)(xiang)箭(jian)(jian)頭(tou)80的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)反方向(xiang)(xiang)(xiang)流動。在該電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流較小的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)期(qi)間內(nei)，勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位與上部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位大(da)(da)致相(xiang)同(tong)。因此(ci)(ci)，被施加在陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)30與勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)pn結(jie)(jie)31上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓較小，并且(qie)(qie)在該階段中(zhong)pn結(jie)(jie)31未導(dao)(dao)通(tong)。當正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓變大(da)(da)時(shi)，箭(jian)(jian)頭(tou)80的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流變大(da)(da)，并且(qie)(qie)被施加在pn結(jie)(jie)31上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓變大(da)(da)。因此(ci)(ci)，當正(zheng)(zheng)(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓大(da)(da)于預(yu)定(ding)值時(shi)，pn結(jie)(jie)31導(dao)(dao)通(tong)，并且(qie)(qie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流如(ru)(ru)圖6的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)箭(jian)(jian)頭(tou)81、82所示(shi)那樣(yang)流動。在箭(jian)(jian)頭(tou)81所示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)路徑中(zhong)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流從上部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54起(qi)經由(you)接觸(chu)插頭(tou)52、陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)30、勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32、漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34以及(ji)陰(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)36而(er)向(xiang)(xiang)(xiang)下部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)70流動。在箭(jian)(jian)頭(tou)82所示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)路徑中(zhong)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流從接觸(chu)孔60內(nei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)54起(qi)經由(you)陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)30、勢(shi)(shi)(shi)壘(lei)(lei)區(qu)(qu)(qu)(qu)32、漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34以及(ji)陰(yin)(yin)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)36而(er)向(xiang)(xiang)(xiang)下部電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)70流動。在pn結(jie)(jie)31導(dao)(dao)通(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態下，空穴(xue)從陽(yang)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)30流入(ru)漂移區(qu)(qu)(qu)(qu)34。

如上文所說(shuo)明的(de)那(nei)樣，由(you)于在正(zheng)向電壓施加時(shi)的(de)動作(zuo)中，在正(zheng)向電壓較低的(de)階段(duan)中電子經由(you)界面37流動，因此電壓難以被施加在pn結31上。因此，使pn結31導通的(de)時(shi)刻會(hui)延遲，從而抑制了(le)空穴(xue)從陽極區(qu)30流入漂(piao)移區(qu)34的(de)情況。

接(jie)下(xia)來，對(dui)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)施(shi)(shi)加(jia)(jia)時(shi)(shi)的(de)(de)(de)動(dong)作進行說明。當(dang)將施(shi)(shi)加(jia)(jia)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)從正(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)切換到(dao)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)時(shi)(shi)，在(zai)(zai)(zai)正(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)施(shi)(shi)加(jia)(jia)時(shi)(shi)存(cun)在(zai)(zai)(zai)于(yu)漂移(yi)區34內的(de)(de)(de)空穴經由(you)勢(shi)壘區32與陽(yang)極(ji)區30而(er)(er)(er)被排出到(dao)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54上(shang)(shang)(shang)。因此(ci)(ci)(ci)(ci)，反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(所謂(wei)的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)復(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu))會瞬間流(liu)(liu)過(guo)二極(ji)管(guan)(guan)。然(ran)而(er)(er)(er)，在(zai)(zai)(zai)該(gai)(gai)二極(ji)管(guan)(guan)中，由(you)于(yu)如上(shang)(shang)(shang)述那樣抑制了在(zai)(zai)(zai)正(zheng)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)施(shi)(shi)加(jia)(jia)時(shi)(shi)空穴向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)漂移(yi)區34的(de)(de)(de)流(liu)(liu)入，因此(ci)(ci)(ci)(ci)在(zai)(zai)(zai)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)施(shi)(shi)加(jia)(jia)時(shi)(shi)被排出到(dao)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)空穴較少(shao)。因此(ci)(ci)(ci)(ci)，反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)復(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)被抑制。因此(ci)(ci)(ci)(ci)，在(zai)(zai)(zai)該(gai)(gai)半(ban)導體裝置中，二極(ji)管(guan)(guan)在(zai)(zai)(zai)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)恢(hui)復(fu)(fu)動(dong)作時(shi)(shi)的(de)(de)(de)損失較少(shao)。此(ci)(ci)(ci)(ci)外，雖(sui)然(ran)在(zai)(zai)(zai)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)被恒定地施(shi)(shi)加(jia)(jia)的(de)(de)(de)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)下(xia)，在(zai)(zai)(zai)pn結(jie)(jie)31上(shang)(shang)(shang)被施(shi)(shi)加(jia)(jia)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)，但是因pn結(jie)(jie)31的(de)(de)(de)勢(shi)壘而(er)(er)(er)使(shi)pn結(jie)(jie)31上(shang)(shang)(shang)幾(ji)(ji)乎(hu)沒(mei)有(you)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)過(guo)。此(ci)(ci)(ci)(ci)外，在(zai)(zai)(zai)該(gai)(gai)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)下(xia)，在(zai)(zai)(zai)柱(zhu)(zhu)區38與上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54的(de)(de)(de)界面(mian)37上(shang)(shang)(shang)也(ye)被施(shi)(shi)加(jia)(jia)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)。此(ci)(ci)(ci)(ci)處，由(you)于(yu)在(zai)(zai)(zai)界面(mian)37上(shang)(shang)(shang)存(cun)在(zai)(zai)(zai)有(you)相對(dui)于(yu)從柱(zhu)(zhu)區38起朝向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層54的(de)(de)(de)方(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)流(liu)(liu)動(dong)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)而(er)(er)(er)較高的(de)(de)(de)勢(shi)壘(肖特基勢(shi)壘)，因此(ci)(ci)(ci)(ci)界面(mian)37上(shang)(shang)(shang)也(ye)幾(ji)(ji)乎(hu)沒(mei)有(you)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)流(liu)(liu)過(guo)。如此(ci)(ci)(ci)(ci)，在(zai)(zai)(zai)該(gai)(gai)半(ban)導體裝置中，在(zai)(zai)(zai)反向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)被恒定地施(shi)(shi)加(jia)(jia)的(de)(de)(de)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)下(xia)漏電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)難以流(liu)(liu)過(guo)二極(ji)管(guan)(guan)。

當(dang)使IGBT與二極(ji)管(guan)動作(zuo)時(shi)，半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)10重復(fu)進行升溫與降溫。因此(ci)(ci)(ci)，在(zai)(zai)半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)10內反(fan)復(fu)生(sheng)(sheng)成熱(re)(re)應力(li)(li)。此(ci)(ci)(ci)處，保護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)56的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a相當(dang)于上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54被(bei)保護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)56覆蓋的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域(yu)與未被(bei)覆蓋的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域(yu)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面(mian)。因此(ci)(ci)(ci)，在(zai)(zai)端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)正下方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)應力(li)(li)分(fen)(fen)(fen)布容易局(ju)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)性(xing)地被(bei)打亂，溫度變化時(shi)在(zai)(zai)該(gai)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)會容易產生(sheng)(sheng)較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)應力(li)(li)。尤其(qi)是在(zai)(zai)端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a處，由于線(xian)膨脹系數不同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)保護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)56、上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54、表(biao)面(mian)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)58彼此(ci)(ci)(ci)相接(jie)，因此(ci)(ci)(ci)容易產生(sheng)(sheng)更高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)應力(li)(li)。即，端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)正下方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54與其(qi)他部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54相比容易產生(sheng)(sheng)較(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)應力(li)(li)。當(dang)該(gai)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形成有較(jiao)深的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)時(shi)，在(zai)(zai)該(gai)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)會產生(sheng)(sheng)更高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)應力(li)(li)，因此(ci)(ci)(ci)有時(shi)在(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)產生(sheng)(sheng)裂紋。然而(er)，在(zai)(zai)本(ben)實施例的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)體裝(zhuang)置(zhi)10中，由于接(jie)觸孔62通過接(jie)觸插(cha)頭(tou)52而(er)被(bei)填埋，因此(ci)(ci)(ci)接(jie)觸孔62的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)成為大致平坦(tan)。該(gai)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面(mian)不會形成如凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)54a那樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)較(jiao)深的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)。因此(ci)(ci)(ci)，抑(yi)(yi)制了在(zai)(zai)端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)正下方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)產生(sheng)(sheng)極(ji)高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱(re)(re)應力(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況，并且抑(yi)(yi)制了在(zai)(zai)該(gai)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)產生(sheng)(sheng)裂紋的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況。

此外(wai)，接觸孔(kong)60的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)電極(ji)層54的(de)(de)上(shang)表面形成有較深的(de)(de)凹部(bu)(bu)54a。然而，由(you)于凹部(bu)(bu)54a上(shang)不(bu)存在保護絕緣(yuan)膜56的(de)(de)端部(bu)(bu)56a，因此凹部(bu)(bu)54a附(fu)近的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)電極(ji)層54上(shang)也不(bu)會產生(sheng)較高的(de)(de)熱應力。因此，抑制了在凹部(bu)(bu)54a附(fu)近的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)電極(ji)層54上(shang)產生(sheng)裂紋的(de)(de)情況。

接下來(lai)，對半導(dao)體(ti)裝置(zhi)10的制(zhi)造方法(fa)進行說明。半導(dao)體(ti)裝置(zhi)10整體(ti)上由具有與漂移區34相同的n型雜(za)質濃(nong)度(du)的n型的硅基板(即，加(jia)工(gong)前的硅基板12)而(er)制(zhi)成。

首先，如圖10所示，通(tong)(tong)過(guo)離子(zi)注入等而形成陽(yang)極區(qu)30、勢壘區(qu)32、柱(zhu)區(qu)38以及(ji)外周n型區(qu)42。此外，雖然未圖示，但(dan)此處在IGBT區(qu)域17內也形成發射區(qu)44。而且(qie)還形成溝(gou)槽(cao)20、溝(gou)槽(cao)絕緣膜22以及(ji)溝(gou)槽(cao)電極24。這些可(ke)以通(tong)(tong)過(guo)現有公知的(de)方(fang)法形成，并且(qie)這些結構可(ke)以按照任意(yi)順序(xu)形成。

接(jie)下，如圖11所示，在硅基(ji)板12的(de)(de)上表面(mian)12a上形(xing)(xing)(xing)成(cheng)層(ceng)間(jian)絕緣膜(mo)(mo)50。另(ling)外(wai)(wai)，雖然未圖示，但層(ceng)間(jian)絕緣膜(mo)(mo)50以不僅(jin)覆蓋硅基(ji)板12的(de)(de)上表面(mian)12a而且(qie)還覆蓋溝槽(cao)電極24的(de)(de)上表面(mian)的(de)(de)方(fang)式(shi)(shi)而形(xing)(xing)(xing)成(cheng)。接(jie)下來，如圖12所示，通過(guo)對層(ceng)間(jian)絕緣膜(mo)(mo)50局部(bu)性地進行蝕刻，從而在層(ceng)間(jian)絕緣膜(mo)(mo)50上形(xing)(xing)(xing)成(cheng)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60與(yu)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)62。此(ci)處，以在接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)底面(mian)上露(lu)出(chu)有陽(yang)極區30并(bing)且(qie)不露(lu)出(chu)柱(zhu)區38的(de)(de)方(fang)式(shi)(shi)而形(xing)(xing)(xing)成(cheng)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)62。此(ci)外(wai)(wai)，以在接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)底面(mian)上露(lu)出(chu)有柱(zhu)區38與(yu)陽(yang)極區30的(de)(de)方(fang)式(shi)(shi)而形(xing)(xing)(xing)成(cheng)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60。這(zhe)些接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)以接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)62a的(de)(de)寬度(du)窄于(yu)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60a的(de)(de)寬度(du)的(de)(de)方(fang)式(shi)(shi)而形(xing)(xing)(xing)成(cheng)。此(ci)外(wai)(wai)，在各個溝槽(cao)間(jian)范圍內，使最(zui)接(jie)近元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)區域16側(ce)的(de)(de)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)62a與(yu)最(zui)接(jie)近元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)區域16側(ce)的(de)(de)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)60a相(xiang)比而被配置(zhi)在接(jie)近元件(jian)外(wai)(wai)部(bu)區域16的(de)(de)位置(zhi)處。

接(jie)下來，通過陰極真空噴鍍而在基板的(de)上(shang)表面(mian)(mian)整體上(shang)較薄(bo)(bo)地形成勢(shi)(shi)壘金屬52a。即，使構成勢(shi)(shi)壘金屬52a的(de)Ti層與(yu)TiN層依次在基板的(de)上(shang)表面(mian)(mian)上(shang)生長。由于(yu)勢(shi)(shi)壘金屬52a的(de)厚度較薄(bo)(bo)，因此寬度較窄的(de)接(jie)觸孔62的(de)內表面(mian)(mian)上(shang)也(ye)會適當(dang)地生長勢(shi)(shi)壘金屬52a。勢(shi)(shi)壘金屬52a與(yu)陽(yang)極區(qu)30以低電阻的(de)方式(shi)而接(jie)觸(即，歐姆接(jie)觸)。

之后，如圖13、14所(suo)示，通過(guo)CVD而(er)使填充(chong)金屬層(ceng)52b堆(dui)積在(zai)勢壘金屬52a(在(zai)圖13、14中省略圖示)上(shang)。此處，以膜(mo)厚(hou)與接(jie)(jie)觸孔62的寬度(du)的1/2相比而(er)較厚(hou)并且與接(jie)(jie)觸孔60的寬度(du)的1/2相比而(er)較薄的方式使填充(chong)金屬層(ceng)52b進行堆(dui)積。填充(chong)金屬層(ceng)52b在(zai)接(jie)(jie)觸孔60的內(nei)表面、接(jie)(jie)觸孔62的內(nei)表面以及層(ceng)間(jian)絕(jue)緣膜(mo)50的上(shang)表面上(shang)生長。

在(zai)(zai)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62內(nei)，填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b在(zai)(zai)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)與兩個側(ce)面(mian)(mian)上生(sheng)長(chang)。由于填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b以(yi)與接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)寬度(du)的(de)(de)(de)(de)1/2相比(bi)而(er)較厚(hou)的(de)(de)(de)(de)方式生(sheng)長(chang)，因此(ci)(ci)(ci)在(zai)(zai)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)兩個側(ce)面(mian)(mian)上生(sheng)長(chang)的(de)(de)(de)(de)填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b在(zai)(zai)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)中央(yang)部處連接(jie)。因此(ci)(ci)(ci)，填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b在(zai)(zai)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62內(nei)以(yi)無間隙的(de)(de)(de)(de)方式而(er)生(sheng)長(chang)。因此(ci)(ci)(ci)，接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)上的(de)(de)(de)(de)填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)T2與層(ceng)間絕緣膜50的(de)(de)(de)(de)上部的(de)(de)(de)(de)填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)T1相比(bi)而(er)較厚(hou)。根據CVD，能(neng)夠在(zai)(zai)寬度(du)較窄的(de)(de)(de)(de)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62內(nei)使填充(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b緊(jin)密地生(sheng)長(chang)。因此(ci)(ci)(ci)，抑制了接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)62內(nei)的(de)(de)(de)(de)空隙的(de)(de)(de)(de)形成。

另一方(fang)面(mian)(mian)(mian)，填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60內(nei)且在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)(mian)與(yu)兩(liang)個側面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)生(sheng)長。由(you)于填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b以與(yu)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)寬度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)1/2相(xiang)比而(er)較薄的(de)(de)(de)(de)方(fang)式生(sheng)長，因(yin)(yin)此(ci)在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)兩(liang)個側面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)生(sheng)長的(de)(de)(de)(de)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b不會相(xiang)互連接(jie)(jie)。因(yin)(yin)此(ci)，填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60內(nei)沿著(zhu)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)內(nei)表(biao)面(mian)(mian)(mian)以均勻(yun)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)而(er)生(sheng)長。因(yin)(yin)此(ci)，接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)T3與(yu)層(ceng)(ceng)(ceng)間絕緣膜(mo)50的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)的(de)(de)(de)(de)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)T1大致相(xiang)同。因(yin)(yin)此(ci)，接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)60的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)T3與(yu)接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)(kong)62的(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)填(tian)充(chong)(chong)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)(du)T2相(xiang)比而(er)較薄。

另外，在(zai)形(xing)成填充金屬層52b時，通(tong)過勢(shi)壘金屬52a可防止(zhi)構成填充金屬層52b的金屬元素(即，鎢)向(xiang)硅(gui)基板12擴散(san)的情況(kuang)。由此，可防止(zhi)在(zai)硅(gui)基板12的接觸部上(shang)形(xing)成缺陷等的情況(kuang)。

接(jie)(jie)下(xia)來，如圖15所示，對填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b進(jin)行蝕(shi)刻。此處，對層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣膜50的(de)(de)(de)(de)上部的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b進(jin)行去(qu)除，并且使填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b殘留在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)62內(nei)。更詳細而言(yan)，以(yi)殘留在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)62內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)上表面(mian)與層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣膜50的(de)(de)(de)(de)上表面(mian)大致一致的(de)(de)(de)(de)方(fang)式實施蝕(shi)刻。此外(wai)，接(jie)(jie)觸孔(kong)60內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b也(ye)被蝕(shi)刻。如上所述，接(jie)(jie)觸孔(kong)60內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚度與層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣膜50的(de)(de)(de)(de)上部的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b的(de)(de)(de)(de)厚度大致相等。因此，接(jie)(jie)觸孔(kong)60內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b也(ye)被去(qu)除。勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)52a在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)60內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b被去(qu)除的(de)(de)(de)(de)區域露出。接(jie)(jie)下(xia)來，通過蝕(shi)刻而對露出的(de)(de)(de)(de)范(fan)圍的(de)(de)(de)(de)勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)52a進(jin)行去(qu)除。由(you)此，在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)60的(de)(de)(de)(de)底面(mian)上會露出硅基板12。此外(wai)，層(ceng)(ceng)間(jian)絕緣膜50的(de)(de)(de)(de)上表面(mian)也(ye)會露出。殘留在(zai)接(jie)(jie)觸孔(kong)62內(nei)的(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)(chong)(chong)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)52b與勢壘金(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)52a為接(jie)(jie)觸插(cha)頭52。

接(jie)(jie)(jie)(jie)下來，如(ru)圖16所(suo)示，通過陰極(ji)(ji)真空噴鍍而(er)(er)(er)使(shi)(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)基板(ban)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。即，使(shi)(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)間絕緣膜50的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)(mian)、接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)插頭52的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)(mian)以(yi)及接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)(de)內表面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。另外，當上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54(即，AlSi)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)較(jiao)薄(bo)時(shi)，上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)Al與(yu)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)Si在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54與(yu)硅基板(ban)12的(de)(de)(de)界面(mian)(mian)(mian)處相(xiang)互擴(kuo)散(san)。當在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)后續工(gong)序以(yi)及半導體裝置(zhi)(zhi)10的(de)(de)(de)使(shi)(shi)(shi)用時(shi)產生(sheng)(sheng)(sheng)熱量時(shi)，該相(xiang)互擴(kuo)散(san)將進展而(er)(er)(er)產生(sheng)(sheng)(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)硅基板(ban)12中(zhong)Al呈(cheng)楔子狀延(yan)伸的(de)(de)(de)現象(一(yi)般(ban)被稱為(wei)Al尖峰(feng)(Al spike))，從而(er)(er)(er)使(shi)(shi)(shi)半導體裝置(zhi)(zhi)10的(de)(de)(de)特性惡化。當上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)度(du)較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)時(shi)，上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)述(shu)的(de)(de)(de)相(xiang)互擴(kuo)散(san)被抑制，從而(er)(er)(er)能(neng)夠(gou)防止Al尖峰(feng)。此(ci)(ci)處，以(yi)不(bu)(bu)產生(sheng)(sheng)(sheng)Al尖峰(feng)的(de)(de)(de)程(cheng)度(du)而(er)(er)(er)使(shi)(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)地生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。此(ci)(ci)處，使(shi)(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54以(yi)遠(yuan)遠(yuan)厚(hou)(hou)(hou)于勢壘(lei)金(jin)屬(shu)52a的(de)(de)(de)方式生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)。由于接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)較(jiao)寬(kuan)(kuan)，因(yin)此(ci)(ci)即使(shi)(shi)(shi)使(shi)(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)地生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)，也(ye)不(bu)(bu)會在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內形(xing)成(cheng)空隙。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內能(neng)夠(gou)形(xing)成(cheng)較(jiao)厚(hou)(hou)(hou)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54與(yu)柱區(qu)(qu)38的(de)(de)(de)界面(mian)(mian)(mian)37上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)了較(jiao)高的(de)(de)(de)勢壘(lei)。即，上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54與(yu)柱區(qu)(qu)38肖(xiao)特基接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)。此(ci)(ci)外，接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60內的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54也(ye)與(yu)陽極(ji)(ji)區(qu)(qu)30接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)。上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54與(yu)p型的(de)(de)(de)陽極(ji)(ji)區(qu)(qu)30歐姆接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)。此(ci)(ci)外，由于接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)較(jiao)寬(kuan)(kuan)，因(yin)此(ci)(ci)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)表面(mian)(mian)(mian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)沿著接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60而(er)(er)(er)形(xing)成(cheng)有(you)凹部(bu)(bu)(bu)54a。

接(jie)下來，如圖17所示，通過(guo)對上(shang)部電(dian)極層54選擇性地(di)進(jin)行蝕刻(ke)，從(cong)而(er)將(jiang)上(shang)部電(dian)極層54上(shang)的不(bu)需要的部分(例如，元件外部區域(yu)16內的上(shang)部電(dian)極層54)去除。

接下來，如(ru)圖18所示(shi)，形成保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56。更詳(xiang)細而言，在(zai)基板的(de)整個(ge)表(biao)面(mian)上形成保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56，之后，通(tong)過蝕刻而將元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)域14的(de)中(zhong)央部(bu)(bu)的(de)保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56去除。使(shi)保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56殘留在(zai)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)區(qu)域14的(de)外(wai)周部(bu)(bu)(與元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)(bu)區(qu)域16較近的(de)部(bu)(bu)分)上。由此，可獲得(de)如(ru)圖18所示(shi)那樣的(de)元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)(bu)區(qu)域16的(de)上表(biao)面(mian)與其附近的(de)上部(bu)(bu)電極(ji)層54被保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56覆蓋(gai)的(de)結構。此處，保(bao)(bao)(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)56在(zai)y方向(xiang)上延(yan)伸的(de)端(duan)部(bu)(bu)56a以穿過最接近元(yuan)(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)(bu)區(qu)域16的(de)位置(zhi)的(de)接觸孔(kong)62a的(de)上部(bu)(bu)的(de)方式而配置(zhi)。

接下來，如圖19所示而形成表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58。更詳細而言，在(zai)(zai)基板的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)整個(ge)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)上(shang)形成表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58，之(zhi)后，通過蝕刻而對表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不需要的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)分(例如，元件外部(bu)(bu)區域(yu)16內的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58)進行去除。但是(shi)，以使(shi)所殘留的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58覆蓋保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)(mo)56的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)(duan)部(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方式進行設置(zhi)。在(zai)(zai)將保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)(mo)56上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58全部(bu)(bu)去除時，有可(ke)能(neng)會(hui)存在(zai)(zai)使(shi)保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)(mo)56的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)(duan)部(bu)(bu)56a附近(jin)處上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)54上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚度(du)變薄(bo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況(kuang)。對此，如本實施例那(nei)樣(yang)，通過使(shi)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58以表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一部(bu)(bu)分覆蓋在(zai)(zai)保(bao)(bao)護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)(mo)56上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方式而殘留，從而能(neng)夠利用大致均勻的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)(biao)(biao)面(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)58來覆蓋上(shang)部(bu)(bu)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)54的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)整個(ge)區域(yu)。

通過以上(shang)的(de)(de)(de)工(gong)序(xu)，使上(shang)表面(mian)12a側的(de)(de)(de)加工(gong)工(gong)序(xu)結束。之后，通過實施下(xia)表面(mian)12b側的(de)(de)(de)加工(gong)工(gong)序(xu)(即，陰(yin)極區36的(de)(de)(de)形成(cheng)、集電(dian)區46的(de)(de)(de)形成(cheng)以及下(xia)部電(dian)極層(ceng)70的(de)(de)(de)形成(cheng))，從而完成(cheng)半(ban)導體裝置10。

如(ru)上(shang)(shang)(shang)(shang)文所(suo)說明的(de)(de)(de)(de)那(nei)樣，在(zai)(zai)本實施例(li)中，在(zai)(zai)需要使(shi)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電極層54與硅基板(ban)12以低(di)電阻的(de)(de)(de)(de)方式(shi)進行連接(jie)(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)分上(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)成寬度(du)較(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62。而(er)且，利用(yong)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)插頭來填埋接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62。由于勢壘(lei)金(jin)屬(shu)52a的(de)(de)(de)(de)厚度(du)較(jiao)(jiao)薄，因此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)勢壘(lei)金(jin)屬(shu)52a能(neng)夠適當地(di)形(xing)成在(zai)(zai)寬度(du)較(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62內。此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)外，由于填充金(jin)屬(shu)層52b通(tong)過CVD而(er)被堆積，因此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)能(neng)夠適當地(di)形(xing)成在(zai)(zai)寬度(du)較(jiao)(jiao)窄的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62內。因此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)，能(neng)夠利用(yong)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)插頭52適當地(di)填埋接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62。因此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)，能(neng)夠使(shi)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電極層54的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)表(biao)面平坦化。如(ru)此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)，通(tong)過在(zai)(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)孔(kong)62的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(即，平坦的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電極層54上(shang)(shang)(shang)(shang))配置(zhi)保護絕緣(yuan)膜56的(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)(bu)(bu)(bu)56a，從而(er)能(neng)夠緩(huan)和端(duan)部(bu)(bu)(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)正下(xia)方的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電極層54的(de)(de)(de)(de)熱應力(li)。由此(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)，抑(yi)制(zhi)了端(duan)部(bu)(bu)(bu)(bu)56a的(de)(de)(de)(de)正下(xia)方的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)電極層54上(shang)(shang)(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)裂紋。

此(ci)(ci)外，在本實(shi)施例中(zhong)，在需要使(shi)(shi)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54與柱區(qu)38肖特(te)基接(jie)觸(chu)的(de)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)上(shang)(shang)(shang)形(xing)成寬度較寬的(de)接(jie)觸(chu)孔(kong)60，并且在該接(jie)觸(chu)孔(kong)60內(nei)較厚地(di)形(xing)成上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54。通(tong)(tong)過采用寬度較寬的(de)接(jie)觸(chu)孔(kong)60，從(cong)而(er)(er)即(ji)(ji)使(shi)(shi)在接(jie)觸(chu)孔(kong)60內(nei)較厚地(di)形(xing)成上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54，也能夠抑制(zhi)(zhi)在接(jie)觸(chu)孔(kong)60內(nei)(即(ji)(ji)，上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu))形(xing)成空隙的(de)情(qing)況。而(er)(er)且，通(tong)(tong)過以此(ci)(ci)方式較厚地(di)形(xing)成上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54，從(cong)而(er)(er)能夠防止Al尖峰。此(ci)(ci)外，當以此(ci)(ci)方式形(xing)成上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54時，沿(yan)著接(jie)觸(chu)孔(kong)60而(er)(er)在上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54的(de)上(shang)(shang)(shang)表面上(shang)(shang)(shang)形(xing)成有凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)54a。然而(er)(er)，由于(yu)在凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)54a上(shang)(shang)(shang)不存在保護絕(jue)緣膜56的(de)端部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)56a，因此(ci)(ci)抑制(zhi)(zhi)了在凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)54a附近的(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)產生較高的(de)熱應力的(de)情(qing)況。由此(ci)(ci)，抑制(zhi)(zhi)了凹(ao)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)54a附近的(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)電極(ji)(ji)層(ceng)(ceng)54上(shang)(shang)(shang)的(de)裂(lie)紋。

此(ci)外，在(zai)該制造(zao)方法中，在(zai)使(shi)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b堆積時，以與接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62的(de)(de)寬(kuan)度的(de)(de)1/2相比而(er)較(jiao)厚(hou)且(qie)(qie)與接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)寬(kuan)度的(de)(de)1/2相比而(er)較(jiao)薄的(de)(de)膜厚(hou)而(er)使(shi)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b堆積。因(yin)此(ci)，之后，僅對(dui)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b進行(xing)蝕刻，就能夠使(shi)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b殘留(liu)在(zai)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62內(nei)，并(bing)且(qie)(qie)能夠將填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b從(cong)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)內(nei)部去除。由此(ci)能夠在(zai)不實施(shi)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b的(de)(de)遮掩等(deng)的(de)(de)條件下(xia)，使(shi)填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b殘留(liu)在(zai)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)62內(nei)，并(bing)將填(tian)充金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)52b從(cong)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)(kong)60的(de)(de)內(nei)部去除。因(yin)此(ci)，根據該方法，能夠有效地制造(zao)出(chu)半導體(ti)裝置10。

另外(wai)，雖然在上述的實施例中，從接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)60內完全地(di)去除了填充(chong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b與(yu)(yu)勢(shi)(shi)壘金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)52a，但(dan)是(shi)也可以使填充(chong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b與(yu)(yu)勢(shi)(shi)壘金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)52a部分性地(di)殘(can)留在接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)60內。即，只要(yao)在接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)60內上部電極層(ceng)54能夠與(yu)(yu)柱區38相(xiang)接(jie)(jie)，則也可以使填充(chong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)52b與(yu)(yu)勢(shi)(shi)壘金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)52a殘(can)留在接(jie)(jie)觸孔(kong)(kong)60內。

另外(wai)(wai)，在上述(shu)的(de)實施例(li)中，歐姆(mu)接(jie)觸(chu)(chu)是指(zhi)，電(dian)流(liu)從(cong)(cong)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)朝向金屬(shu)(shu)的(de)流(liu)向的(de)勢(shi)壘與(yu)(yu)該反向的(de)勢(shi)壘大致相同(tong)。此(ci)外(wai)(wai)，肖特基(ji)接(jie)觸(chu)(chu)是指(zhi)，電(dian)流(liu)從(cong)(cong)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)朝向金屬(shu)(shu)的(de)流(liu)向的(de)勢(shi)壘大于(yu)其反向的(de)勢(shi)壘。半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)與(yu)(yu)金屬(shu)(shu)歐姆(mu)接(jie)觸(chu)(chu)還是肖特基(ji)接(jie)觸(chu)(chu)由金屬(shu)(shu)的(de)功函(han)數與(yu)(yu)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)中的(de)雜(za)(za)質濃(nong)(nong)度等(deng)而確定(ding)。通過對相對于(yu)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)金屬(shu)(shu)的(de)功函(han)數適當地進(jin)行設(she)定(ding)，從(cong)(cong)而能(neng)夠(gou)選擇(ze)性地形成歐姆(mu)接(jie)觸(chu)(chu)與(yu)(yu)肖特基(ji)接(jie)觸(chu)(chu)。此(ci)外(wai)(wai)，通過將半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)雜(za)(za)質濃(nong)(nong)度設(she)為高濃(nong)(nong)度，從(cong)(cong)而能(neng)夠(gou)使被形成在金屬(shu)(shu)與(yu)(yu)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)界面上的(de)耗盡層(ceng)(勢(shi)壘部(bu))設(she)為較薄。當以這種方式(shi)將耗盡層(ceng)設(she)為較薄時，載流(liu)子對耗盡層(ceng)進(jin)行隧道(dao)貫穿而流(liu)動(dong)。在該情況下，無論金屬(shu)(shu)的(de)功函(han)數如何均可(ke)獲得歐姆(mu)接(jie)觸(chu)(chu)。

此(ci)外，在上述的(de)實施(shi)例(li)中(zhong)，與柱區38肖特基接觸的(de)上部(bu)電極層54由AlSi構成。然而，上部(bu)電極層54還可以由具有4.25～5.05eV的(de)范圍內的(de)功(gong)函數的(de)另(ling)外的(de)金屬(例(li)如，Ni等)構成。

此(ci)外(wai)，在上述的(de)(de)(de)實施例中，與硅基板12相接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)部(bu)分的(de)(de)(de)勢壘金(jin)(jin)屬(shu)52a由Ti構成。然而，該部(bu)分的(de)(de)(de)勢壘金(jin)(jin)屬(shu)52a還可以(yi)由能(neng)夠與陽(yang)極區30歐(ou)姆(mu)(mu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)的(de)(de)(de)另外(wai)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬(shu)(例如，Co等)構成。與陽(yang)極區30歐(ou)姆(mu)(mu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬(shu)優選為(wei)(wei)(wei)功(gong)函數小于(yu)4.25eV，更優選為(wei)(wei)(wei)小于(yu)4.05eV。此(ci)外(wai)，即使在該金(jin)(jin)屬(shu)的(de)(de)(de)功(gong)函數高(gao)于(yu)4.25eV的(de)(de)(de)情況下，也能(neng)夠通過將(jiang)陽(yang)極區30的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)部(bu)的(de)(de)(de)p型(xing)雜質濃度設(she)為(wei)(wei)(wei)較高(gao)，從而能(neng)夠獲(huo)得由隧(sui)道貫穿而實現(xian)的(de)(de)(de)歐(ou)姆(mu)(mu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)。

此(ci)外(wai)，在上述的(de)(de)(de)實施(shi)例中，填充(chong)金(jin)(jin)屬(shu)層52b由(you)W構成。然(ran)而(er)，填充(chong)金(jin)(jin)屬(shu)層52b還可(ke)以由(you)通過(guo)CVD而(er)能(neng)夠堆積的(de)(de)(de)另(ling)外(wai)的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬(shu)(例如，銅等)構成。

此外(wai)，在上(shang)述的實施例中，IGBT區(qu)(qu)域17與二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)區(qu)(qu)域18被區(qu)(qu)分開(kai)。然而，也(ye)可以采用IGBT與二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)混在一(yi)起(qi)的結構。例如(ru)，可以在整個(ge)溝槽間范圍內形成有(you)發(fa)射區(qu)(qu)44。即使是這樣的結構，陽極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)30、勢壘區(qu)(qu)32、柱區(qu)(qu)38、漂移區(qu)(qu)34以及陰極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)36也(ye)能夠(gou)與實施例同樣地(di)作為二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)而動作。

此外，在上述的實施例中，漂移區(qu)34與(yu)(yu)勢(shi)壘(lei)區(qu)32直接相接。然(ran)而，也可以如圖(tu)20所示(shi)那(nei)樣在漂移區(qu)34與(yu)(yu)勢(shi)壘(lei)區(qu)32之(zhi)間配置有p型區(qu)39。在該結構中，只要p型區(qu)39的p型雜質濃度較(jiao)低，則二(er)極管以及IGBT也能(neng)夠(gou)與(yu)(yu)上述的實施例同(tong)樣地進行動作。

此(ci)外，雖(sui)然上(shang)述(shu)的實(shi)施例(li)的半導體裝置(zhi)10具(ju)有(you)二(er)極管與(yu)IGBT，但是(shi)也(ye)可(ke)以具(ju)有(you)二(er)極管與(yu)MOSFET(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金(jin)屬氧化(hua)物(wu)半導體場效應晶體管)。通過將上(shang)述(shu)的實(shi)施例(li)的集電區(qu)46替(ti)換(huan)為n型區(qu)，從而能夠構(gou)成MOSFET。

此(ci)外，雖然上(shang)述的(de)(de)實施例的(de)(de)半導體裝(zhuang)置(zhi)10具(ju)備了表(biao)面(mian)電(dian)極(ji)層(ceng)58，但也可以不具(ju)備表(biao)面(mian)電(dian)極(ji)層(ceng)58。即使(shi)是這樣(yang)的(de)(de)結構，也能(neng)(neng)夠在保護(hu)絕緣膜56的(de)(de)端(duan)部56a的(de)(de)下(xia)方的(de)(de)上(shang)部電(dian)極(ji)層(ceng)54上(shang)產生較高(gao)的(de)(de)應(ying)力。因(yin)此(ci)，通過將端(duan)部56a配置(zhi)在接觸(chu)孔62的(de)(de)上(shang)部，從而能(neng)(neng)夠抑制端(duan)部56a的(de)(de)下(xia)方的(de)(de)上(shang)部電(dian)極(ji)層(ceng)54上(shang)的(de)(de)裂紋。

此外，在(zai)上述的(de)(de)(de)實施例中(zhong)，在(zai)全部(bu)的(de)(de)(de)溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)中(zhong)形成了接觸孔(kong)60a、62a、陽極區(qu)(qu)(qu)30、勢壘區(qu)(qu)(qu)32以及(ji)柱區(qu)(qu)(qu)38。即(ji)，在(zai)上述的(de)(de)(de)實施例中(zhong)，全部(bu)的(de)(de)(de)溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)相當于(yu)權利要求書中(zhong)的(de)(de)(de)特定溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)。然而，也可以存在(zai)未形成有這些結構中(zhong)的(de)(de)(de)至少一部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)。即(ji)，溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)的(de)(de)(de)一部(bu)分(fen)可以不(bu)是(shi)特定溝槽間(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)。

對(dui)上述的(de)(de)(de)實施例(li)(li)(li)(li)中的(de)(de)(de)構成要(yao)(yao)(yao)(yao)素與(yu)權(quan)(quan)利要(yao)(yao)(yao)(yao)求(qiu)(qiu)書(shu)中的(de)(de)(de)構成要(yao)(yao)(yao)(yao)素之間的(de)(de)(de)關系進(jin)行(xing)說明。實施例(li)(li)(li)(li)中的(de)(de)(de)接(jie)觸孔60a為(wei)權(quan)(quan)利要(yao)(yao)(yao)(yao)求(qiu)(qiu)書(shu)中的(de)(de)(de)第一接(jie)觸孔的(de)(de)(de)一個(ge)示(shi)(shi)例(li)(li)(li)(li)。實施例(li)(li)(li)(li)中的(de)(de)(de)接(jie)觸孔62a為(wei)權(quan)(quan)利要(yao)(yao)(yao)(yao)求(qiu)(qiu)書(shu)中的(de)(de)(de)第二(er)接(jie)觸孔的(de)(de)(de)一個(ge)示(shi)(shi)例(li)(li)(li)(li)。實施例(li)(li)(li)(li)中的(de)(de)(de)勢壘(lei)金(jin)屬(shu)(shu)52a為(wei)權(quan)(quan)利要(yao)(yao)(yao)(yao)求(qiu)(qiu)書(shu)中的(de)(de)(de)第一金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)的(de)(de)(de)一個(ge)示(shi)(shi)例(li)(li)(li)(li)。實施例(li)(li)(li)(li)中的(de)(de)(de)填充金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)52b為(wei)權(quan)(quan)利要(yao)(yao)(yao)(yao)求(qiu)(qiu)書(shu)中的(de)(de)(de)第二(er)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)的(de)(de)(de)一個(ge)示(shi)(shi)例(li)(li)(li)(li)。

以下(xia)對上文所(suo)說明的實施例的優選的結構(gou)進行列舉(ju)(ju)。另外，以下(xia)所(suo)列舉(ju)(ju)的結構(gou)均(jun)為獨立且有用(yong)的結構(gou)。

在本說明書(shu)所(suo)公開的(de)(de)一個示例的(de)(de)結構中，半導體(ti)(ti)裝(zhuang)置(zhi)具(ju)有(you)表面電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)，所(suo)述表面電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)對(dui)未被保護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)覆蓋的(de)(de)范圍(wei)的(de)(de)上部電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)的(de)(de)上表面與保護(hu)絕緣(yuan)膜(mo)的(de)(de)一部分進行覆蓋，并且所(suo)述半導體(ti)(ti)裝(zhuang)置(zhi)由(you)與上部電(dian)極(ji)(ji)(ji)層(ceng)不(bu)同的(de)(de)金屬構成(cheng)。

以保(bao)護(hu)(hu)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)為目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)、以及使與上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)連接性(xing)(例如(ru)，焊錫潤濕性(xing)等(deng))提升(sheng)為目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)而形成表面電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在(zai)該結構中(zhong)，上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)、表面電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)三層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)在(zai)保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)處彼此(ci)相接。當(dang)如(ru)此(ci)使三個不(bu)同種類材(cai)料在(zai)保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)處彼此(ci)相接時，會因這三層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)膨脹系數之(zhi)差而使保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)附近(jin)容易產(chan)生更高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)力。即，在(zai)這樣的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結構中(zhong)，更需要緩(huan)和(he)保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)下方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)所產(chan)生的(de)(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)力。因此(ci)，通過將保(bao)護(hu)(hu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)端(duan)部(bu)配置在(zai)上(shang)(shang)(shang)表面平(ping)坦的(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)部(bu)電(dian)極(ji)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)，從而能(neng)夠恰當(dang)地緩(huan)和(he)應(ying)力。

在(zai)本說明書所公開的一個示例的結構(gou)中(zhong)，第一接(jie)觸孔內的上部電(dian)極層(ceng)與(yu)陽極區相(xiang)接(jie)。

根據這樣(yang)的結(jie)構，當二極(ji)管(guan)導通(tong)時上部電極(ji)層與(yu)陽(yang)極(ji)電極(ji)之(zhi)間的接觸部也能(neng)夠(gou)成為電流路徑。因(yin)此，能(neng)夠(gou)抑(yi)制在二極(ji)管(guan)中(zhong)產(chan)生的損(sun)失。

作(zuo)為本說明書所公開的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個示例的(de)(de)(de)結構中，形成(cheng)第(di)(di)(di)二(er)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)工(gong)序(xu)具有第(di)(di)(di)一(yi)(yi)工(gong)序(xu)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)工(gong)序(xu)。在(zai)(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)工(gong)序(xu)中，在(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)間絕(jue)緣膜的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)面(mian)、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)內(nei)表(biao)(biao)面(mian)以(yi)(yi)及第(di)(di)(di)二(er)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)內(nei)表(biao)(biao)面(mian)上(shang)，使膜厚(hou)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)1/2相比(bi)而較(jiao)厚(hou)并且與(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)1/2相比(bi)而較(jiao)薄的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)進行堆積(ji)。在(zai)(zai)第(di)(di)(di)二(er)工(gong)序(xu)中，在(zai)(zai)層(ceng)(ceng)(ceng)間絕(jue)緣膜的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)面(mian)露(lu)出、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)底(di)面(mian)露(lu)出、且第(di)(di)(di)二(er)接(jie)觸(chu)(chu)孔(kong)的(de)(de)(de)底(di)面(mian)被(bei)覆蓋的(de)(de)(de)狀態下(xia)，以(yi)(yi)使第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)殘留的(de)(de)(de)方(fang)式對第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)金屬層(ceng)(ceng)(ceng)進行蝕刻。

在(zai)該(gai)結(jie)構中，由(you)于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)膜(mo)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)1/2相比(bi)而(er)較厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)，因(yin)此(ci)在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩個側面(mian)(mian)上(shang)(shang)堆積(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)大(da)致中央部處被連接(jie)(jie)(jie)(jie)。因(yin)此(ci)，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)被第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)填埋。其(qi)結(jie)果(guo)為，覆蓋第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(第(di)(di)(di)(di)(di)一金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng))的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度(即(ji)，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)表面(mian)(mian)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)距(ju)離)與(yu)(yu)層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度相比(bi)而(er)較厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)。另一方(fang)面(mian)(mian)，由(you)于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)1/2相比(bi)而(er)較薄，因(yin)此(ci)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)以大(da)致均勻的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度堆積(ji)在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)內(nei)。其(qi)結(jie)果(guo)為，第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)內(nei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度與(yu)(yu)層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度大(da)致相同。即(ji)，覆蓋第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度與(yu)(yu)覆蓋第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)度相比(bi)而(er)較厚(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)(hou)。因(yin)此(ci)，在(zai)之后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)蝕刻(ke)工(gong)序中，使第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)露(lu)出，另一方(fang)面(mian)(mian)，能夠(gou)在(zai)覆蓋第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態下使第(di)(di)(di)(di)(di)一金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)殘留。根據該(gai)方(fang)法，能夠(gou)容易地使第(di)(di)(di)(di)(di)一金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)殘留在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)內(nei)并(bing)且(qie)能夠(gou)使第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)露(lu)出。另外，無(wu)需(xu)使第(di)(di)(di)(di)(di)一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)孔(kong)(kong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底面(mian)(mian)整(zheng)體露(lu)出，只要露(lu)出至少一部分(柱區的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian))即(ji)可。

以(yi)上，雖然對本發明的具體(ti)示(shi)(shi)例進行(xing)(xing)了詳細說明，但這(zhe)些僅(jin)為示(shi)(shi)例，并(bing)不對權利(li)要求書進行(xing)(xing)限定。在權利(li)要求書所記載的技(ji)術中包括對上文所例示(shi)(shi)的具體(ti)例進行(xing)(xing)了各種變(bian)形、變(bian)更的技(ji)術。

在本說明書或(huo)附(fu)圖中(zhong)所說明的(de)技(ji)(ji)術(shu)要素通過單(dan)獨或(huo)各種組合(he)的(de)形(xing)式來發揮技(ji)(ji)術(shu)上的(de)有用性，其(qi)并不被限定于申請(qing)時權利要求(qiu)書中(zhong)所記載的(de)組合(he)。此外，在本說明書或(huo)附(fu)圖中(zhong)所例示的(de)技(ji)(ji)術(shu)為同時達成多個(ge)目的(de)的(de)技(ji)(ji)術(shu)，并且達成其(qi)中(zhong)一個(ge)目的(de)本身也具有技(ji)(ji)術(shu)上的(de)有用性。

符號說明

10：半導體(ti)裝置；12：硅基板(ban)；14：元(yuan)件區(qu)(qu)(qu)域；16：元(yuan)件外(wai)部區(qu)(qu)(qu)域；17：IGBT區(qu)(qu)(qu)域；18：二極管區(qu)(qu)(qu)域；20：溝槽(cao)；22：溝槽(cao)絕緣膜；24：溝槽(cao)電(dian)極；30：陽極區(qu)(qu)(qu)；31：pn結；32：勢(shi)壘區(qu)(qu)(qu)；34：漂移區(qu)(qu)(qu)；36：陰極區(qu)(qu)(qu)；37：界面(mian)；38：柱區(qu)(qu)(qu)；44：發射區(qu)(qu)(qu)；46：集電(dian)區(qu)(qu)(qu)；50：層間絕緣膜；52：接觸插頭；52a：勢(shi)壘金(jin)屬；52b：填充金(jin)屬層；54：上部電(dian)極層；54a：凹部；56：保護絕緣膜；56a：端部；58：表面(mian)電(dian)極層；60：接觸孔；62：接觸孔；70：下部電(dian)極層。