本發明涉及半(ban)導體技術領(ling)域(yu)，尤其涉及半(ban)導體裝置及其制造(zao)方法(fa)，更(geng)具體的，涉及一種(zhong)鰭片式二極管(guan)及其制造(zao)方法(fa)。

背景技術：

隨著金屬(shu)氧化物半導體(ti)場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)關(guan)鍵(jian)尺寸的(de)(de)縮小，短(duan)溝(gou)道效(xiao)應(ying)(Short Channel Effect，SCE)成(cheng)為(wei)一個(ge)至關(guan)重要的(de)(de)問題。鰭式場效(xiao)應(ying)晶體(ti)管(guan)(Fin Field Effect Transistor，FinFET)具有(you)良(liang)好的(de)(de)柵控能(neng)力，能(neng)夠(gou)有(you)效(xiao)地抑(yi)制(zhi)短(duan)溝(gou)道效(xiao)應(ying)。并且，FinFET降低(di)了器(qi)件(jian)的(de)(de)隨機摻雜波動(Random Dopant Fluctuation，RDF)，提高(gao)了器(qi)件(jian)的(de)(de)穩(wen)定性。因此，在(zai)小尺寸的(de)(de)半導體(ti)元件(jian)設計中通(tong)常采用FinFET器(qi)件(jian)。

靜電(dian)放電(dian)(Electro-Static Discharge，ESD)現象對半導(dao)體器(qi)件(jian)來(lai)(lai)說是(shi)一個(ge)嚴(yan)重的問題，尤其(qi)是(shi)對于(yu)(yu)FinFET器(qi)件(jian)，由于(yu)(yu)器(qi)件(jian)的關鍵尺寸(cun)更小，器(qi)件(jian)更容(rong)易(yi)由于(yu)(yu)靜電(dian)放電(dian)現象而失效(xiao)。因此(ci)，ESD器(qi)件(jian)對于(yu)(yu)FinFET器(qi)件(jian)來(lai)(lai)說很關鍵。二(er)極管(guan)類型的ESD器(qi)件(jian)通(tong)常包括柵(zha)控二(er)極管(guan)和淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)二(er)極管(guan)，但(dan)由于(yu)(yu)柵(zha)控二(er)極管(guan)的寄(ji)生電(dian)容(rong)較大，因此(ci)，在高頻應用中STI二(er)極管(guan)具有更好的性(xing)能。

因此(ci)，期(qi)望提出一種適于FinFET制(zhi)造工藝的鰭(qi)片式二極管，減輕或者(zhe)避(bi)免(mian)FinFET器件受靜(jing)電(dian)放電(dian)現象的影響。

技術實現要素：

本公開的(de)(de)一(yi)個(ge)實施例的(de)(de)目的(de)(de)在于提出一(yi)種新穎的(de)(de)鰭片式二極管(guan) 及其(qi)制(zhi)造方法。

根據(ju)本(ben)(ben)公開的(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)實施例(li)，提(ti)供了一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)半(ban)導(dao)(dao)體裝置的(de)制造方法，包括以(yi)(yi)下步(bu)驟：提(ti)供襯(chen)(chen)(chen)底(di)結(jie)構，所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)結(jie)構包括半(ban)導(dao)(dao)體襯(chen)(chen)(chen)底(di)和(he)位于所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)上的(de)多個(ge)半(ban)導(dao)(dao)體鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)；在各(ge)個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)之間(jian)(jian)形(xing)成隔離(li)區(qu)(qu)以(yi)(yi)至(zhi)(zhi)少(shao)基本(ben)(ben)填充(chong)滿各(ge)個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)之間(jian)(jian)的(de)空間(jian)(jian)；在所(suo)(suo)述(shu)填充(chong)步(bu)驟之后，對(dui)所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)結(jie)構的(de)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)進(jin)行第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)，以(yi)(yi)形(xing)成阱(jing)區(qu)(qu)，所(suo)(suo)述(shu)阱(jing)區(qu)(qu)至(zhi)(zhi)少(shao)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)地(di)在所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)(chen)(chen)底(di)中(zhong)(zhong)(zhong)且與(yu)所(suo)(suo)述(shu)多個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)鄰(lin)接或者交(jiao)疊；去除所(suo)(suo)述(shu)隔離(li)區(qu)(qu)的(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)以(yi)(yi)露出所(suo)(suo)述(shu)多個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)中(zhong)(zhong)(zhong)各(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)；對(dui)所(suo)(suo)述(shu)多個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)阱(jing)區(qu)(qu)鄰(lin)接或者交(jiao)疊的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)組鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)每一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)進(jin)行第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)，以(yi)(yi)形(xing)成第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)；以(yi)(yi)及對(dui)所(suo)(suo)述(shu)多個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)組鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)不(bu)同的(de)第(di)(di)(di)二組鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)每一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)鰭(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)進(jin)行第(di)(di)(di)三摻(chan)雜(za)，以(yi)(yi)形(xing)成第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)；其(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)具有與(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)不(bu)同的(de)導(dao)(dao)電類型(xing)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)具有與(yu)所(suo)(suo)述(shu)阱(jing)區(qu)(qu)相同的(de)導(dao)(dao)電類型(xing)。

在一個實(shi)施方式中，所述阱區(qu)在所述襯(chen)底的一部分(fen)之上。

在一(yi)(yi)個(ge)實(shi)施方式中(zhong)(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)對所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底結(jie)構(gou)的(de)至少一(yi)(yi)部(bu)(bu)分進行(xing)(xing)第(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)雜(za)(za)的(de)步驟包(bao)括：對所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底結(jie)構(gou)進行(xing)(xing)第(di)一(yi)(yi)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)，以形(xing)成位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底中(zhong)(zhong)(zhong)且與所(suo)(suo)述(shu)(shu)多(duo)個(ge)鰭(qi)片中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分鰭(qi)片鄰接的(de)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)；對所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)的(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分進行(xing)(xing)第(di)二預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)中(zhong)(zhong)(zhong)形(xing)成所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區(qu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區(qu)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)的(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分之上，其中(zhong)(zhong)(zhong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區(qu)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)具有不同的(de)導電類型。

在一個(ge)實(shi)施方式(shi)中，所(suo)(suo)述第(di)一摻(chan)雜區(qu)(qu)與(yu)所(suo)(suo)述阱區(qu)(qu)鄰接(jie)；所(suo)(suo)述第(di)二摻(chan)雜區(qu)(qu)與(yu)所(suo)(suo)述預摻(chan)雜區(qu)(qu)的(de)其(qi)余(yu)(yu)部分鄰接(jie)，并具有(you)與(yu)所(suo)(suo)述其(qi)余(yu)(yu)部分相同的(de)導(dao)電類型(xing)。

在一(yi)個實施方式中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)對(dui)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底結構(gou)的(de)至少一(yi)部分進行(xing)第一(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)的(de)步驟(zou)包括：對(dui)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底結構(gou)進行(xing)第一(yi)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)，以形成與所(suo)(suo)述(shu)(shu)多(duo)個鰭片中的(de)一(yi)部分鰭片交疊的(de)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區；對(dui)所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區的(de)一(yi)部分進行(xing)第二預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)，在所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區中形成所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區，所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區在所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區的(de)一(yi)部分之上，其中所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱區和所(suo)(suo)述(shu)(shu)預(yu)(yu)(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區具有不同的(de)導電(dian)類型。

在一個(ge)實(shi)施方式中，所(suo)述第(di)一摻雜區(qu)與所(suo)述阱區(qu)鄰接；并且(qie)所(suo)述第(di) 二摻雜區(qu)與所(suo)述預(yu)摻雜區(qu)的其余(yu)部分(fen)鄰接，并具有與所(suo)述預(yu)摻雜區(qu)的其余(yu)部分(fen)相同的導電類型。

在一(yi)個(ge)實施方式中，所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)濃度(du)大于所(suo)(suo)述(shu)阱(jing)區(qu)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)濃度(du)；所(suo)(suo)述(shu)第二摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)濃度(du)大于所(suo)(suo)述(shu)預摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)的(de)其余(yu)部分(fen)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)濃度(du)。

在一(yi)(yi)(yi)(yi)個實施方式中，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述阱(jing)區(qu)(qu)(qu)包括第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)和第(di)(di)二(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述對(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述襯(chen)底(di)(di)結構的(de)(de)至少一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)進行第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)的(de)(de)步驟包括：對(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述襯(chen)底(di)(di)結構進行第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)預(yu)摻(chan)雜(za)，以形成(cheng)位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述襯(chen)底(di)(di)中且(qie)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述多個鰭片(pian)(pian)中的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)鰭片(pian)(pian)鄰(lin)接的(de)(de)預(yu)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)；對(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述預(yu)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)進行第(di)(di)二(er)預(yu)摻(chan)雜(za)，在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述預(yu)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)中形成(cheng)第(di)(di)二(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)二(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述預(yu)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)之(zhi)上(shang)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述預(yu)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)其(qi)余(yu)部(bu)分(fen)(fen)作為(wei)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)，其(qi)中所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)二(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)具有不同的(de)(de)導電(dian)類型。

在(zai)一(yi)(yi)個實施方(fang)式中，所述(shu)(shu)第一(yi)(yi)摻雜區(qu)(qu)與所述(shu)(shu)第二阱區(qu)(qu)鄰接；所述(shu)(shu)第二摻雜區(qu)(qu)與所述(shu)(shu)第一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)鄰接，并(bing)具有與所述(shu)(shu)第一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)相同的導電(dian)類型。

在一(yi)個實施方(fang)式中(zhong)，所述(shu)提供襯底(di)結(jie)構的(de)步驟(zou)包(bao)括(kuo)：提供初(chu)始襯底(di)，所述(shu)初(chu)始襯底(di)包(bao)括(kuo)初(chu)始半導體層(ceng)(ceng)；在所述(shu)初(chu)始半導體層(ceng)(ceng)上(shang)形成圖案化(hua)的(de)硬掩(yan)模(mo)；以所述(shu)圖案化(hua)的(de)硬掩(yan)模(mo)為掩(yan)模(mo)對所述(shu)初(chu)始半導體層(ceng)(ceng)進(jin)行刻蝕，從而形成所述(shu)多個半導體鰭片。

在一個實(shi)施方式(shi)中，所(suo)述(shu)(shu)襯底結構還包括(kuo)位于所(suo)述(shu)(shu)多個半導(dao)體鰭片上的硬掩(yan)模，所(suo)述(shu)(shu)方法還包括(kuo)：去(qu)除所(suo)述(shu)(shu)多個半導(dao)體鰭片上的硬掩(yan)模。

在一個實施(shi)方式(shi)中(zhong)，所述(shu)硬(ying)掩模包(bao)括緩(huan)沖(chong)層和在所述(shu)緩(huan)沖(chong)層上的硬(ying)掩模層。

在(zai)一個實施方式中，所(suo)述在(zai)各(ge)個鰭片(pian)之間形(xing)(xing)成隔離(li)區包括：沉積(ji)隔離(li)材(cai)料(liao)以(yi)填充(chong)各(ge)個鰭片(pian)之間的空間并覆蓋所(suo)述鰭片(pian)；對(dui)所(suo)述隔離(li)材(cai)料(liao)進(jin)行平坦化，以(yi)使(shi)隔離(li)材(cai)料(liao)的頂表面(mian)(mian)與所(suo)述鰭片(pian)的頂表面(mian)(mian)基本齊平，從而在(zai)各(ge)個鰭片(pian)之間形(xing)(xing)成所(suo)述隔離(li)區。

在(zai)一個(ge)實施(shi)方式中，所(suo)述(shu)方法還包括：在(zai)沉積(ji)隔(ge)(ge)離(li)材料之前，在(zai)所(suo)述(shu)襯底和各(ge)個(ge)鰭(qi)片(pian)的表面形成(cheng)襯墊(dian)層；在(zai)去除所(suo)述(shu)隔(ge)(ge)離(li)區的一部(bu)(bu)分時，還去除所(suo)述(shu)隔(ge)(ge)離(li)區的所(suo)述(shu)一部(bu)(bu)分的兩側(ce)的襯墊(dian)層，以露出(chu)所(suo)述(shu)多個(ge)鰭(qi)片(pian) 中各(ge)鰭(qi)片(pian)的至少一部(bu)(bu)分。

在(zai)一(yi)個實(shi)施方式(shi)中，所(suo)述第一(yi)摻雜(za)(za)區(qu)的摻雜(za)(za)濃度大于所(suo)述阱區(qu)的摻雜(za)(za)濃度。

根據本公開(kai)的(de)(de)另一(yi)(yi)個實施(shi)例，提出(chu)一(yi)(yi)種半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)裝置，包括(kuo)：襯(chen)(chen)底結構，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底結構包括(kuo)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底和位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)多(duo)個半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)，至(zhi)少部(bu)分(fen)(fen)地位于(yu)襯(chen)(chen)底中(zhong)(zhong)；第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)，至(zhi)少部(bu)分(fen)(fen)地位于(yu)襯(chen)(chen)底中(zhong)(zhong)且在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)的(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)之上(shang)(shang)(shang)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)與(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)具(ju)(ju)有(you)不同(tong)的(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電類(lei)型(xing)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)與(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)鄰接并形成結，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)結的(de)(de)界面位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底中(zhong)(zhong)；位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)組(zu)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)；位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)上(shang)(shang)(shang)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)組(zu)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)；其中(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)與(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)具(ju)(ju)有(you)相(xiang)(xiang)同(tong)的(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電類(lei)型(xing)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)與(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)具(ju)(ju)有(you)相(xiang)(xiang)同(tong)的(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電類(lei)型(xing)。

在一個實施方(fang)式中，所述(shu)(shu)裝置還(huan)包括：位(wei)于(yu)所述(shu)(shu)第一組(zu)半導(dao)體鰭(qi)片和所述(shu)(shu)第二(er)組(zu)半導(dao)體鰭(qi)片中的各個鰭(qi)片之間(jian)的隔離區。

在一個實施方式中，所(suo)述第一組半(ban)導體鰭(qi)片包(bao)括摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度大于所(suo)述第一摻(chan)雜(za)(za)區的(de)摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度的(de)部(bu)分(fen)；所(suo)述第二(er)組半(ban)導體鰭(qi)片包(bao)括摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度大于所(suo)述第二(er)摻(chan)雜(za)(za)區的(de)摻(chan)雜(za)(za)濃(nong)度的(de)部(bu)分(fen)。

根據(ju)本公開的(de)(de)實施例，提供了與(yu)FinFET工藝(yi)兼容的(de)(de)半導體裝(zhuang)置(鰭(qi)(qi)片式(shi)(shi)二(er)極(ji)(ji)管(guan))的(de)(de)制造方法，并且在(zai)形成阱區(例如第一(yi)阱區和第二(er)阱區)時(shi)，是在(zai)隔離材料(liao)的(de)(de)平坦化工藝(yi)之(zhi)后進行的(de)(de)摻雜(za)(za)，因此可以(yi)使得(de)形成的(de)(de)阱區中的(de)(de)雜(za)(za)質分布更加均勻。另外，所形成的(de)(de)鰭(qi)(qi)片式(shi)(shi)二(er)極(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)一(yi)個實施例中，由于二(er)極(ji)(ji)管(guan)中第一(yi)阱區和第二(er)阱區鄰接形成的(de)(de)結的(de)(de)界面位于襯底(di)中，增大了ESD電(dian)(dian)流通(tong)過的(de)(de)面積，降低了二(er)極(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)導通(tong)電(dian)(dian)阻Ron。

通(tong)過以下(xia)參照附圖對本(ben)公開的(de)(de)示例(li)性實施例(li)的(de)(de)詳細描述，本(ben)公開的(de)(de)其它特(te)征、方面(mian)及其優(you)點將會(hui)變得(de)清楚。

附圖說明

附圖(tu)構成本說(shuo)明(ming)書(shu)的一部分(fen)，其描(miao)述了本公開(kai)的示例性實施例，并(bing)且連同說(shuo)明(ming)書(shu)一起用于解釋本發明(ming)的原理，在附圖(tu)中：

圖1是根據本公(gong)開一個實施例的半導體裝置的制造方(fang)法的簡化流程圖；

圖2A示(shi)出了根(gen)據本(ben)公(gong)開一個實施(shi)例的襯底結(jie)構的示(shi)意截面圖；

圖2B示出了(le)根據本公開另一(yi)個實施例的(de)襯(chen)底結構的(de)示意截面圖；

圖3A和(he)圖3B示出了(le)根據(ju)本公(gong)開一個實(shi)施例的形成圖2A和(he)圖2B的襯底結(jie)構的工藝過程；

圖4A-圖4D示出(chu)了根據本公開不同實施例的(de)(de)在各個鰭片之間形成隔(ge)離區的(de)(de)工(gong)藝過程的(de)(de)示意截面(mian)圖；

圖(tu)(tu)5A-圖(tu)(tu)5D示出(chu)了根(gen)據本公開不同實施例的(de)對(dui)襯底結構的(de)至(zhi)少一部分進行第一摻雜后的(de)示意截面圖(tu)(tu)；

圖(tu)(tu)6A-圖(tu)(tu)6D示(shi)出了(le)根據本公開不同實(shi)施例的(de)去除隔離(li)區的(de)一部分后的(de)示(shi)意截面圖(tu)(tu)；

圖7A-圖7C示出(chu)了根據本公開不(bu)同實施例的(de)形(xing)成(cheng)第(di)一摻雜區和第(di)二摻雜區后的(de)示意截面圖；

圖8A和圖8B示出了(le)根據本公開一個(ge)實施例的半(ban)導體裝(zhuang)置的結構(gou)示意圖。

具體實施方式

現在(zai)將參照附圖來詳細描(miao)述(shu)本公開的(de)(de)各種示例(li)性實施例(li)。應理解，除非另(ling)外具體說明，否則在(zai)這些(xie)實施例(li)中闡述(shu)的(de)(de)部件和步驟的(de)(de)相對布置、數字(zi)表達式(shi)和數值不(bu)應被理解為對本發明范圍的(de)(de)限(xian)制(zhi)。

此外，應(ying)當(dang)理解，為了便于描述(shu)，附圖中所(suo)示出的(de)各(ge)個部件的(de)尺寸并不必然按照實際的(de)比(bi)例關系繪制，例如某些(xie)層(ceng)的(de)厚度(du)或寬度(du)可以(yi)相對于其他(ta)層(ceng)有所(suo)夸大。

以下對(dui)示(shi)例性(xing)實(shi)施例的(de)描述僅僅是說明(ming)性(xing)的(de)，在任(ren)何(he)意義上都不作為(wei)對(dui)本發明(ming)及其應用(yong)或使用(yong)的(de)任(ren)何(he)限制。

對于相(xiang)關(guan)領(ling)域(yu)普通(tong)技(ji)術人(ren)員已知(zhi)的(de)技(ji)術、方法(fa)和裝置(zhi)可能不作詳細討論(lun)，但在適用這些技(ji)術、方法(fa)和裝置(zhi)情況下，這些技(ji)術、方法(fa)和裝置(zhi)應當被視為(wei)本說(shuo)明書(shu)的(de)一部分。

應注意，相似(si)的(de)標(biao)號和(he)字母在下面的(de)附(fu)圖中(zhong)表示類(lei)似(si)項，因此，一旦(dan)某一項在一個附(fu)圖中(zhong)被定義(yi)或說(shuo)明，則在隨(sui)后的(de)附(fu)圖的(de)說(shuo)明中(zhong)將(jiang)不需要對其進(jin)(jin)行(xing)進(jin)(jin)一步討(tao)論。

圖(tu)1是根據本公(gong)開(kai)(kai)一個(ge)(ge)(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)的半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)裝置的制造方(fang)法的簡(jian)化流程圖(tu)。如圖(tu)1所示(shi)(shi)，在步驟101，提供襯(chen)底(di)(di)(di)結(jie)構(gou)(gou)。圖(tu)2A示(shi)(shi)出了(le)根據本公(gong)開(kai)(kai)一個(ge)(ge)(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)的襯(chen)底(di)(di)(di)結(jie)構(gou)(gou)的示(shi)(shi)意(yi)截(jie)面(mian)圖(tu)。如圖(tu)2A所示(shi)(shi)，該(gai)襯(chen)底(di)(di)(di)結(jie)構(gou)(gou)包括半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底(di)(di)(di)201和位于襯(chen)底(di)(di)(di)201上(shang)的多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)鰭片(pian)202，各個(ge)(ge)(ge)(ge)鰭片(pian)202之間具有(you)空間203。圖(tu)2B示(shi)(shi)出了(le)根據本公(gong)開(kai)(kai)另一個(ge)(ge)(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)的襯(chen)底(di)(di)(di)結(jie)構(gou)(gou)的示(shi)(shi)意(yi)截(jie)面(mian)圖(tu)。如圖(tu)2B所示(shi)(shi)，該(gai)襯(chen)底(di)(di)(di)結(jie)構(gou)(gou)除了(le)包括半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底(di)(di)(di)201和位于襯(chen)底(di)(di)(di)201上(shang)的多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)鰭片(pian)202外，還包括位于各個(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)鰭片(pian)202上(shang)的硬掩模(mo)204。

圖(tu)3A和(he)圖(tu)3B示出了根據本(ben)公開一個實施例的形成(cheng)圖(tu)2A和(he)圖(tu)2B的襯底結構的工藝(yi)過程。

如圖3A所(suo)示，提供(gong)初始襯底(di)，該初始襯底(di)包括初始半導(dao)體(ti)層(ceng)301，初始半導(dao)體(ti)層(ceng)301例如可以是硅(Si)層(ceng)、鍺(Ge)層(ceng)或(huo)其他元素(su)半導(dao)體(ti)層(ceng)，或(huo)者(zhe)是砷化鎵(GaAs)等化合(he)物半導(dao)體(ti)層(ceng)。然而(er)本公開并不限(xian)于此。

如圖3B所示，在初始半導(dao)(dao)體層(ceng)301上形成圖案化(hua)(hua)的(de)(de)硬(ying)(ying)掩(yan)(yan)模(mo)204。該(gai)硬(ying)(ying)掩(yan)(yan)模(mo)204例(li)如可以(yi)是硅(gui)的(de)(de)氮(dan)化(hua)(hua)物(wu)、硅(gui)的(de)(de)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)、硅(gui)的(de)(de)氮(dan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)等等。在某些(xie)實現方式中(zhong)，可選(xuan)地，硬(ying)(ying)掩(yan)(yan)模(mo)204還可以(yi)包括(kuo)在初始半導(dao)(dao)體層(ceng)301與硬(ying)(ying)掩(yan)(yan)模(mo)204之間的(de)(de)緩沖層(ceng)(未示出)，例(li)如硅(gui)的(de)(de)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)物(wu)。該(gai)緩沖層(ceng)的(de)(de)存在有利于硬(ying)(ying)掩(yan)(yan)模(mo)204與初始半導(dao)(dao)體層(ceng)301之間的(de)(de)結合。

之后，以(yi)圖(tu)案化的(de)硬掩模204為掩模對初始半導(dao)體層301進行刻(ke)蝕(shi)，例如干法刻(ke)蝕(shi)，以(yi)形成(cheng)(cheng)半導(dao)體襯底201和位于(yu)襯底201上的(de)多個半導(dao)體鰭片(pian)202，從而(er)形成(cheng)(cheng)圖(tu)2B所示的(de)襯底結(jie)構。進一步地，可以(yi)通(tong)過額(e)外(wai)的(de)步驟將(jiang)硬掩模204去(qu)除，從而(er)形成(cheng)(cheng)圖(tu)2A所示的(de)襯底結(jie)構。

應明(ming)白，也可以根據現(xian)有的(de)其(qi)他(ta)方(fang)式來形(xing)成上述(shu)(shu)襯底結構，在此不再贅述(shu)(shu)。

參見(jian)圖1，在步(bu)驟103，在各個(ge)鰭片(pian)之間(jian)形成(cheng)隔(ge)離(li)區以至少(shao)基本填 充滿各個(ge)鰭片(pian)之間(jian)的空間(jian)。

下面(mian)結(jie)合(he)圖4A-圖4D對不同實施例(li)中形成隔(ge)離區的步(bu)驟(zou)進(jin)行說明。

如圖4A所(suo)(suo)示，沉積隔(ge)離(li)材(cai)料(liao)401以填(tian)充各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)之間(jian)的(de)(de)空間(jian)203并(bing)覆(fu)(fu)蓋各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)202。例如，可(ke)以通(tong)過(guo)諸如流式化學氣(qi)相沉積(Flowable Chemical Vapour Deposition,FCVD)的(de)(de)CVD技術等沉積隔(ge)離(li)材(cai)料(liao)(例如電介質材(cai)料(liao))來(lai)填(tian)充空間(jian)203并(bing)覆(fu)(fu)蓋各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)202。這(zhe)里，如果鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)202具有硬(ying)掩模204，則隔(ge)離(li)材(cai)料(liao)401填(tian)充各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)之間(jian)的(de)(de)空間(jian)并(bing)覆(fu)(fu)蓋各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)上的(de)(de)硬(ying)掩模204，如圖4B所(suo)(suo)示。可(ke)選地，在(zai)沉積隔(ge)離(li)材(cai)料(liao)401之前，還可(ke)以在(zai)襯(chen)(chen)底201和各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)202的(de)(de)表面形成(cheng)(cheng)襯(chen)(chen)墊(dian)層(例如，通(tong)過(guo)熱氧(yang)化形成(cheng)(cheng)薄的(de)(de)氧(yang)化硅(gui)層，未(wei)示出)，以修復在(zai)刻蝕形成(cheng)(cheng)鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)時對襯(chen)(chen)底201和各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)202造成(cheng)(cheng)的(de)(de)表面損(sun)傷。這(zhe)里，各(ge)個鰭(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)表面的(de)(de)襯(chen)(chen)墊(dian)層的(de)(de)一部分可(ke)能會在(zai)隨后對隔(ge)離(li)區的(de)(de)回(hui)刻蝕工(gong)藝中被去除。

如(ru)圖4C所示，對隔(ge)離(li)(li)材料(liao)401進行(xing)平(ping)坦(tan)化(hua)(hua)，例如(ru)可(ke)(ke)以(yi)對隔(ge)離(li)(li)材料(liao)進行(xing)化(hua)(hua)學機械拋光，以(yi)使(shi)隔(ge)離(li)(li)材料(liao)401的(de)頂(ding)表面(mian)與鰭片(pian)202的(de)頂(ding)表面(mian)基本齊平(ping)，從而在各個鰭片(pian)202之(zhi)間形成(cheng)隔(ge)離(li)(li)區(qu)402。這(zhe)里，如(ru)果鰭片(pian)202上具有硬(ying)(ying)掩(yan)模(mo)204，則對隔(ge)離(li)(li)材料(liao)401進行(xing)平(ping)坦(tan)化(hua)(hua)時(shi)也(ye)可(ke)(ke)以(yi)去除鰭片(pian)上的(de)硬(ying)(ying)掩(yan)模(mo)204，從而使(shi)隔(ge)離(li)(li)材料(liao)401的(de)頂(ding)表面(mian)與鰭片(pian)202的(de)頂(ding)表面(mian)基本齊平(ping)。然(ran)而，應(ying)理解，也(ye)可(ke)(ke)以(yi)在適當時(shi)通過其它步(bu)驟來去除該(gai)硬(ying)(ying)掩(yan)模(mo)204。也(ye)就是(shi)說，平(ping)坦(tan)化(hua)(hua)工藝(yi)也(ye)可(ke)(ke)以(yi)使(shi)得隔(ge)離(li)(li)材料(liao)401的(de)頂(ding)表面(mian)與硬(ying)(ying)掩(yan)模(mo)204的(de)頂(ding)表面(mian)基本齊平(ping)，如(ru)圖4D所示。

需要(yao)說(shuo)明，在后續步驟105-步驟111的(de)描述中，僅以(yi)不包(bao)括(kuo)硬掩(yan)模204的(de)情況(即圖4C)為例(li)進行說(shuo)明。

繼(ji)續參見圖(tu)1，在(zai)步(bu)驟(zou)105，對襯(chen)底結(jie)構的至少一部(bu)(bu)分(fen)進行第一摻雜，以形(xing)成阱區(qu)。所述(shu)阱區(qu)至少部(bu)(bu)分(fen)地在(zai)所述(shu)襯(chen)底中，且與所述(shu)多個(ge)鰭片中的一部(bu)(bu)分(fen)鰭片鄰(lin)接或者與之交疊，如圖(tu)5A-5D所示(shi)。

圖(tu)(tu)5A-圖(tu)(tu)5D示出了根據本公開(kai)不同實施例的(de)(de)對襯(chen)底結(jie)構的(de)(de)至少一(yi)(yi)部分進行(xing)第一(yi)(yi)摻雜的(de)(de)示意(yi)截面(mian)圖(tu)(tu)。

在一個實施例中，如圖5A所示，對襯底結構中的襯底201進行第一摻雜(例如離子注入)以形成位于襯底201中的阱區501。這里，第 一摻雜例如是N型摻雜，所形成的阱區501為N阱；或者，第一摻雜例如是P型摻雜，所形成的阱區501為P阱。示例性地，可以通過離子注入的方式形成N阱和P阱。例如，形成N阱的注入條件可以為：注入離子為磷離子、注入能量為120-180KeV，注入劑量為5.0×10²-5.0×10³atom/cm²。形成P阱的注入條件可以為：注入離子為硼離子，注入能量為40-80KeV，注入劑量為5.0×10¹²-1.0×10¹⁴atom/cm²。另外，在進行第一摻雜(za)后，可以進行退(tui)火(huo)(huo)(huo)工藝，例(li)如(ru)快速熱退(tui)火(huo)(huo)(huo)RTA，以激活(huo)摻入(ru)的(de)(de)(de)雜(za)質。退(tui)火(huo)(huo)(huo)條件可以示例(li)性的(de)(de)(de)為(wei)：退(tui)火(huo)(huo)(huo)溫(wen)度為(wei)950-1050℃,退(tui)火(huo)(huo)(huo)時間為(wei)5-20s。應理解，在前述(shu)摻雜(za)和/或退(tui)火(huo)(huo)(huo)工藝中，摻入(ru)的(de)(de)(de)雜(za)質可能會存在于一部(bu)分(fen)鰭(qi)片(pian)(例(li)如(ru)202)中或向鰭(qi)片(pian)202中擴散，從而使得形成的(de)(de)(de)阱區(qu)501還包括鰭(qi)片(pian)202的(de)(de)(de)一部(bu)分(fen)(如(ru)圖5B所示)，也(ye)即(ji)阱區(qu)501可以與對(dui)應的(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)202交疊(die)。

在(zai)(zai)另(ling)一(yi)(yi)個實施例中(zhong)，如圖5C所示，可(ke)(ke)以(yi)(yi)首先對(dui)襯底結構進行第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)，以(yi)(yi)形成(cheng)(cheng)位(wei)于襯底中(zhong)的(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(這里(li)，在(zai)(zai)不同實施例中(zhong)其也可(ke)(ke)稱(cheng)為摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)或預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu))501。然(ran)(ran)后，對(dui)預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)501的(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分進行第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)，從而在(zai)(zai)預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)501中(zhong)形成(cheng)(cheng)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521，預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)501的(de)(de)其余(yu)部(bu)(bu)分作為阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511(這里(li)，將阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511也稱(cheng)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)，將阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521也稱(cheng)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu))。這里(li)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511和第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521具有不同的(de)(de)導電(dian)類(lei)型。例如，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511為N阱(jing)(jing)(jing)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521為P阱(jing)(jing)(jing)，反之亦然(ran)(ran)。與上面類(lei)似(si)地(di)，在(zai)(zai)進行第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)和第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)后，可(ke)(ke)以(yi)(yi)進行退火工藝(yi)，例如RTA，以(yi)(yi)激活摻(chan)入的(de)(de)雜(za)(za)質。類(lei)似(si)地(di)，在(zai)(zai)某些實施例中(zhong)，預(yu)(yu)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)501、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511和第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521每一(yi)(yi)個也可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括(kuo)對(dui)應(ying)鰭(qi)片202的(de)(de)至少一(yi)(yi)部(bu)(bu)分，也即與對(dui)應(ying)的(de)(de)鰭(qi)片交疊。

在(zai)又一(yi)個(ge)實施例(li)中(zhong)，如(ru)圖5D所(suo)示，首先(xian)對襯(chen)底結構進(jin)(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)一(yi)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)，以(yi)形(xing)成延伸到鰭片中(zhong)的(de)(de)(de)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)501，這(zhe)里(li)的(de)(de)(de)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)501包括(kuo)襯(chen)底的(de)(de)(de)一(yi)部分和(he)(he)對應的(de)(de)(de)鰭片的(de)(de)(de)一(yi)部分(參見圖5B)或全部(參見圖5D)。然后(hou)，對預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)501的(de)(de)(de)一(yi)部分進(jin)(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)二(er)(er)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)，在(zai)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)501中(zhong)形(xing)成阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)521，預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)501的(de)(de)(de)其余部分作(zuo)為阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)511，其中(zhong)第(di)(di)一(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)511和(he)(he)第(di)(di)二(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)521具有不同的(de)(de)(de)導電類(lei)型。例(li)如(ru)，第(di)(di)一(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)511為N阱(jing)、第(di)(di) 二(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)521為P阱(jing)，反之亦然。與上類(lei)似(si)地，在(zai)進(jin)(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)一(yi)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)和(he)(he)第(di)(di)二(er)(er)預(yu)(yu)(yu)(yu)摻雜(za)后(hou)，可以(yi)進(jin)(jin)行(xing)(xing)退火工藝，以(yi)激活摻入的(de)(de)(de)雜(za)質。

繼續參見圖1，在(zai)步驟107，去(qu)除隔離區的(de)一部分以露出多個鰭(qi)片中各鰭(qi)片的(de)至(zhi)少(shao)一部分。

圖(tu)(tu)6A-圖(tu)(tu)6D示(shi)出了根據(ju)本公開不同實施例(li)的(de)去(qu)除隔離區(qu)(qu)的(de)一部(bu)(bu)分(fen)后的(de)示(shi)意截面圖(tu)(tu)。如(ru)圖(tu)(tu)6A-圖(tu)(tu)6D(分(fen)別對應于圖(tu)(tu)5A-圖(tu)(tu)5D)所示(shi)，可以(yi)通過回(hui)刻蝕工藝去(qu)除隔離區(qu)(qu)402的(de)一部(bu)(bu)分(fen)。這里(li)，如(ru)果鰭片(pian)202的(de)表面具有襯(chen)墊(dian)層，即隔離區(qu)(qu)301的(de)兩側(ce)具有襯(chen)墊(dian)層，則在去(qu)除隔離區(qu)(qu)301的(de)一部(bu)(bu)分(fen)時，還(huan)去(qu)除隔離區(qu)(qu)301的(de)一部(bu)(bu)分(fen)的(de)兩側(ce)的(de)襯(chen)墊(dian)層，以(yi)露(lu)出多個鰭片(pian)中各鰭片(pian)的(de)至少一部(bu)(bu)分(fen)。

繼續參見圖1，在步驟109，對多(duo)個鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)與所述阱(jing)區(qu)鄰接或者交(jiao)疊的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)組鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)每一(yi)(yi)個鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)部分進(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)，以(yi)形成第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)。在步驟111，對多(duo)個鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)組鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)不同的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二組鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)每一(yi)(yi)個鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)部分進(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)(di)(di)三摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)，以(yi)形成第(di)(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)；其中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)具有與第(di)(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)不同的(de)(de)(de)導電類型。另外，如果(guo)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)上的(de)(de)(de)硬掩模未(wei)被去(qu)除(chu)，則在進(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)和第(di)(di)(di)(di)三摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)之前(qian)，可(ke)以(yi)先去(qu)除(chu)多(duo)個半(ban)導體鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)上的(de)(de)(de)硬掩模。替(ti)代地，在摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)時也可(ke)以(yi)保留硬掩模以(yi)減(jian)少(shao)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)表面(mian)由于摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)導致(zhi)的(de)(de)(de)損傷(shang)。可(ke)選(xuan)地，在進(jin)行(xing)(xing)第(di)(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)和第(di)(di)(di)(di)三摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)之前(qian)，還可(ke)以(yi)在露出(chu)的(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)表面(mian)形成熱氧化層。

下面結(jie)合圖7A-圖7C對不(bu)同實施例中形成(cheng)第(di)(di)一摻(chan)(chan)雜(za)區和第(di)(di)二摻(chan)(chan)雜(za)區的(de)過程進行介紹(shao)。上(shang)述的(de)第(di)(di)二摻(chan)(chan)雜(za)和第(di)(di)三(san)摻(chan)(chan)雜(za)可(ke)以通過離子(zi)注入的(de)方式來(lai)進行。

如(ru)圖7A所(suo)示，對(dui)多個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)每(mei)(mei)一個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)進行(xing)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜，以(yi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202A；對(dui)多個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)不同的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)每(mei)(mei)一個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)進行(xing)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)三(san)摻(chan)雜，以(yi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202B。這里，可以(yi)選(xuan)擇第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521上(shang)的(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)作(zuo)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511上(shang)的(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)作(zuo)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)組(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)。所(suo)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202A與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521鄰接，并具有(you)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521相同的(de)(de)(de)導電類(lei)型；優選(xuan)地，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202A的(de)(de)(de)摻(chan)雜濃(nong)度大于第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)521的(de)(de)(de)摻(chan)雜濃(nong)度。所(suo)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202B 與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511鄰接，并具有(you)與(yu)(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511相同的(de)(de)(de)導電類(lei)型；優選(xuan)地，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)202B的(de)(de)(de)摻(chan)雜濃(nong)度大于第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)511的(de)(de)(de)摻(chan)雜濃(nong)度。

如圖(tu)7B所示，對(dui)多個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)組(zu)(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)每一(yi)個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)進行第(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)，以(yi)(yi)形成第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202A；對(dui)多個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)與第(di)(di)(di)一(yi)組(zu)(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)不同(tong)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)組(zu)(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)每一(yi)個(ge)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)進行第(di)(di)(di)三摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)，以(yi)(yi)形成第(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202B。這(zhe)里，可以(yi)(yi)選擇阱(jing)區521上的(de)(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)作(zuo)為(wei)第(di)(di)(di)一(yi)組(zu)(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)，預(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區的(de)(de)(de)(de)其(qi)余部(bu)(bu)(bu)分(fen)511(該實(shi)施(shi)例中(zhong)為(wei)襯底)上的(de)(de)(de)(de)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)作(zuo)為(wei)第(di)(di)(di)二(er)(er)組(zu)(zu)鰭(qi)片(pian)(pian)(pian)(pian)。所形成的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202A與阱(jing)區521鄰接(jie)(jie)，并具(ju)有(you)與阱(jing)區521相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)(de)導電(dian)類型；優(you)選地，第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202A的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)大于阱(jing)區521的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)。所形成的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202B與預(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區的(de)(de)(de)(de)其(qi)余部(bu)(bu)(bu)分(fen)511鄰接(jie)(jie)，并具(ju)有(you)與預(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區的(de)(de)(de)(de)其(qi)余部(bu)(bu)(bu)分(fen)511相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)(de)導電(dian)類型；優(you)選地，第(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區202B的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)大于預(yu)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區的(de)(de)(de)(de)其(qi)余部(bu)(bu)(bu)分(fen)511的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)度(du)。

如圖7C所(suo)(suo)示，該實施例中(zhong)的(de)(de)(de)(de)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)501包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)或全部(bu)(bu)(bu)(bu)。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)或全部(bu)(bu)(bu)(bu)，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)或全部(bu)(bu)(bu)(bu)。因此，當第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)全部(bu)(bu)(bu)(bu)時，所(suo)(suo)形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202A位于第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511中(zhong)；當第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)時，所(suo)(suo)形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202A與(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511鄰接；并(bing)且第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202A具(ju)有與(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)導電類型(xing)；優選地，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202A的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)濃(nong)度(du)大于第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)511的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)濃(nong)度(du)。類似地，當第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)全部(bu)(bu)(bu)(bu)時，所(suo)(suo)形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202B位于第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521中(zhong)；當第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521包(bao)括(kuo)襯底(di)(di)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)組(zu)鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)每(mei)個鰭(qi)(qi)片(pian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)時，所(suo)(suo)形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202B與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521鄰接；并(bing)且第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202B具(ju)有與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)導電類型(xing)；優選地，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)202B的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)濃(nong)度(du)大于第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)521的(de)(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)濃(nong)度(du)。

如上，提供了根(gen)據本公開一些實施例的(de)(de)半導體(ti)裝置(zhi)的(de)(de)制造方(fang)法。根(gen)據該方(fang)法，可以形(xing)成適(shi)于(yu)FinFET工藝的(de)(de)鰭片式二極管。特別地，由于(yu) 在形(xing)成阱區(例如第一阱區和(he)第二阱區)時，是在隔(ge)離(li)材料(liao)的(de)(de)平坦化工藝之后進行的(de)(de)摻雜(za)，因此可以使(shi)得形(xing)成的(de)(de)阱區中的(de)(de)雜(za)質分布更(geng)加(jia)均勻。

下面參照圖8A和圖8B對本公開(kai)一個(ge)實施例的(de)半導(dao)體(ti)裝(zhuang)置(zhi)的(de)結構進行(xing)說明。如圖8A所(suo)示，半導(dao)體(ti)裝(zhuang)置(zhi)包括：

襯(chen)底(di)(di)結(jie)構，該襯(chen)底(di)(di)結(jie)構半(ban)導(dao)體襯(chen)底(di)(di)801和位于襯(chen)底(di)(di)801上半(ban)導(dao)體鰭片(pian)802；

第(di)一摻(chan)雜區(qu)803，至少(shao)部(bu)分地位于襯(chen)底(di)801中；即，第(di)一摻(chan)雜區(qu)803可以部(bu)分地位于襯(chen)底(di)801中并與半導(dao)體鰭片(pian)交(jiao)疊，也(ye)可以全部(bu)位于襯(chen)底(di)801中；

第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)(za)區(qu)804，至少部分地位于襯(chen)底801中(zhong)且在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)803的(de)一(yi)(yi)部分之上(shang)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)803與第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)(za)區(qu)804具有不同的(de)導電(dian)類型，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)803與第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)(za)區(qu)804鄰接(jie)并形(xing)成結(jie)，結(jie)的(de)界(jie)面位于襯(chen)底801中(zhong)；

位(wei)于(yu)第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)雜區(qu)(qu)803上的(de)第(di)(di)(di)一(yi)組(zu)半導(dao)體鰭片(pian)802A；位(wei)于(yu)第(di)(di)(di)二摻(chan)雜區(qu)(qu)上的(de)第(di)(di)(di)二組(zu)半導(dao)體鰭片(pian)802B；其(qi)中，第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)雜區(qu)(qu)803與第(di)(di)(di)一(yi)組(zu)鰭片(pian)802A具有相同(tong)的(de)導(dao)電(dian)類型(xing)，第(di)(di)(di)二摻(chan)雜區(qu)(qu)804與第(di)(di)(di)二組(zu)鰭片(pian)802B具有相同(tong)的(de)導(dao)電(dian)類型(xing)。

圖8A示出的第一摻雜區803與第二摻雜區804鄰接的結的界面僅包括一個水平部分和一個豎直部分。而圖8B示出的第一摻雜區803與第二摻雜區804鄰接的結的界面還包括與豎直部分對應的另一個豎直部分，也即第二摻雜區804可以完全嵌入在第一摻雜區803中。由于半導體裝置中的第一摻雜區和第二摻雜區鄰接形成的結的界面位于襯底中，在半導體裝置中作為鰭片式二極管時增大了ESD電流通過的面積，降低了二極管的導通電阻R_on。

優選地，半導(dao)(dao)體(ti)(ti)裝置還可以包(bao)括(kuo)：位于第一(yi)組半導(dao)(dao)體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)和(he)第二(er)組半導(dao)(dao)體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)中的各個(ge)鰭(qi)片(pian)之(zhi)間的隔離區805，例如淺(qian)溝槽(cao)隔離(STI)區。

優選地(di)，第一(yi)(yi)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802A包括摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區803的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)的(de)部分(fen)；第二(er)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802B包括摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第二(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan) 雜(za)(za)區804的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)的(de)部分(fen)。例(li)如，整個(ge)第一(yi)(yi)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802A的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區803的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)，整個(ge)第二(er)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802B的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第二(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區804的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)；或者第一(yi)(yi)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802A的(de)上(shang)半部的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區803的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)，第二(er)組(zu)半導體(ti)(ti)鰭(qi)片(pian)(pian)802B的(de)上(shang)半部的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)大(da)(da)于第二(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區804的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)濃(nong)(nong)(nong)(nong)度(du)(du)(du)。

需要(yao)說明(ming)的是(shi)(shi)，上述第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)803和第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)804可以是(shi)(shi)兩個導(dao)電(dian)類型(xing)不同的阱(jing)區(qu)(qu)，例如其中一(yi)個是(shi)(shi)N阱(jing)，另一(yi)個是(shi)(shi)P阱(jing)；或(huo)者(zhe)第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)803為(wei)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)襯(chen)底，而(er)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)804是(shi)(shi)阱(jing)區(qu)(qu)，例如第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)803為(wei)P型(xing)襯(chen)底，而(er)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)804是(shi)(shi)N阱(jing)，或(huo)者(zhe)第(di)(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)803為(wei)N型(xing)襯(chen)底，而(er)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)804是(shi)(shi)P阱(jing)。

至(zhi)此，已經(jing)詳細描述了根據本公(gong)開實施(shi)例(li)的(de)(de)(de)(de)半導體裝置(鰭片式二(er)極管)及其(qi)制造方法。為了避免遮蔽本公(gong)開的(de)(de)(de)(de)構(gou)思，沒有描述本領(ling)域所公(gong)知的(de)(de)(de)(de)一些細節(jie)，本領(ling)域技(ji)(ji)術人(ren)員(yuan)根據上(shang)面的(de)(de)(de)(de)描述，完全可以(yi)明(ming)白(bai)如(ru)何實施(shi)這里公(gong)開的(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術方案。另外，本說(shuo)明(ming)書公(gong)開所教(jiao)導的(de)(de)(de)(de)各實施(shi)例(li)可以(yi)自由組合。本領(ling)域的(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)術人(ren)員(yuan)應該理解，可以(yi)對上(shang)面說(shuo)明(ming)的(de)(de)(de)(de)實施(shi)例(li)進行(xing)多種修改(gai)而不脫(tuo)離如(ru)所附(fu)權利要求限定的(de)(de)(de)(de)本公(gong)開的(de)(de)(de)(de)精神(shen)和范(fan)圍。