壓敏電阻漿糊、光電組件、制造壓敏電阻漿糊的方法以及制造壓敏電阻元件的方法
【專利摘要】本發明涉及壓敏電阻漿糊，壓敏電阻漿糊包括基體材料和嵌入到基體材料中的顆粒。不具有嵌入的顆粒的該基體材料具有小于0.8Pa·s的粘度。該嵌入的顆粒包括壓敏電阻顆粒。
【專利說明】壓敏電阻漿糊、光電組件、制造壓敏電阻漿糊的方法以及制造壓敏電阻元件的方法
[0001]本發明涉及如在專利權利要求1中所請求保護的壓敏電阻漿糊，如在專利權利要求11中所請求保護的光電組件，如在專利權利要求12中所請求保護的制造壓敏電阻漿糊的方法，以及如在專利權利要求13中所請求保護的制造壓敏電阻元件的方法。
[0002]本專利申請請求德國專利申請10 2013 224 899.7的優先權，其公開內容通過引用被并入到本文中。
[0003]已知，必須防止電子組件和光電組件的敏感組件部分免受靜電放電(ESD)造成的損傷。一種已知的可能性在于使用與要保護的組件部分并聯的保護二極管。然而，該保護二極管需要結構空間，而這個空間在很多情況下有限。此外，保護二極管的使用與增加的成本和增加的安裝費用相關聯。
[0004]DE 10 2012 207 772.3描述了壓敏電阻元件，其可以由壓敏電阻漿糊制造并且可以代替電子組件中的保護二極管使用。壓敏電阻漿糊包括粘度介于〇.8Pa ? s和4Pa ? s之間的基體材料。
[0005]本發明的一個目的在于提供壓敏電阻漿糊。這個目的借助于具有權利要求1的特征的壓敏電阻漿糊實現。本發明的另一個目的在于提供一種光電組件。這個目的借助于具有權利要求11的特征的光電組件實現。本發明的另一個目的在于說明一種制造壓敏電阻漿糊的方法。這個目的借助于具有權利要求12的特征的方法實現。本發明的另一個目的在于說明一種制造壓敏電阻元件的方法。這個目的借助于具有權利要求13的特征的方法實現。 在從屬權利要求中說明了各種改進。
[0006]壓敏電阻漿糊包括基體材料和嵌入在基體材料中的顆粒。在這種情況下，不具有嵌入的顆粒的基體材料具有小于0.8Pa ? s的粘度。嵌入到基體材料中的顆粒包括壓敏電阻顆粒。有利地，不具有嵌入的顆粒的基體材料的較低粘度允許被嵌入到該基體材料中的壓敏電阻漿糊的顆粒的高程度的填充。結果，在由壓敏電阻漿糊制造壓敏電阻元件的情況下， 可以有利地實現高響應電壓。
[0007]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，不具有嵌入的顆粒的基體材料具有小于 0.5Pa ? s的粘度。結果，有利地，有可能進行嵌入到基體材料的顆粒的特別高程度的填充。
[0008]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，基體材料包括樹脂或者硅樹脂。在這種情況下， 基體材料可以包括尤其是環氧樹脂、丙烯酸酯、聚氨酯或者氰酸酯。有利地，這些材料可以具有期望的低粘度并且使得能夠進行后面的固化以便由壓敏電阻漿糊制造壓敏電阻元件， 在LED組件(可能在LED組件的封裝中發生高于150° C的高溫和/或高亮度)的情況下，優選地，硅樹脂作為基體材料。
[0009]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，基體材料是單組份基體材料。優選地，基體材料是單組份環氧樹脂混合物。有利地，在這種情況下，壓敏電阻漿糊的基體材料可以具有特別良好的儲存穩定性(storage stability)。
[0010]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，按體積計90%的嵌入的粒子具有小于20WI1的尺寸。在這種情況下，按體積計50%的嵌入的粒子具有小于12wii的尺寸。有利地，壓敏電阻漿糊具有細晶粒性質從而使得能夠制造具有非常小空間尺寸的壓敏電阻元件。
[0011]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，嵌入的顆粒至少占壓敏電阻漿糊按重量計的 50%，優選地，至少占按重量計的60%。有利地，結果，由壓敏電阻漿糊制造的壓敏電阻元件可以具有高響應電壓。例如，由壓敏電阻漿糊制造的壓敏電阻元件的響應電壓可以在10V以上。
[0012]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，壓敏電阻漿糊具有小于200Pa ? s的粘度。優選地，壓敏電阻漿糊具有小于l〇〇Pa ? s的粘度。于是有利地，壓敏電阻漿糊可以進一步以簡單的方式被處理。舉例來說，具有小于200Pa ? s(優選地，小于lOOPa ? s)的粘度的壓敏電阻漿糊可以進一步被處理以通過計量方法或者印刷方法形成壓敏電阻元件。
[0013]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，嵌入的顆粒包括包含鋁、銅、銀、金、鉑和/或一些其他金屬的導電顆粒和/或包含石墨、導電碳黑、石墨烯和/或碳納米管的導電顆粒。有利地，嵌入到壓敏電阻漿糊的基體材料中的導電顆粒增加了壓敏電阻漿糊的電導率以及由壓敏電阻漿糊制造的壓敏電阻元件的電導率。
[0014]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，導電顆粒占嵌入的顆粒按重量計小于20%的比例，優選占嵌入的顆粒按重量計小于10%的比例。這有利地確保了由壓敏電阻漿糊制造的壓敏電阻元件具有合適的壓敏電阻屬性。
[0015]在壓敏電阻漿糊的一個實施例中，壓敏電阻漿糊具有不大于10的觸變指數，優選具有不大于6的觸變指數。在這種情況下，觸變指數與23°C的溫度有關。有利地，借助這樣的低觸變指數實現了壓敏電阻漿糊的簡易加工。[〇〇16]光電組件包括光電半導體芯片和與光電半導體芯片并聯連接的壓敏電阻元件。在這種情況下，壓敏電阻元件包括基體材料和嵌入到基體材料的顆粒。嵌入的顆粒包括壓敏電阻顆粒。基體材料具有高于130°C的玻璃化溫度。基體材料例如可以包括環氧樹脂。有利地，該光電組件的壓敏電阻元件防護該光電半導體芯片免受靜電放電導致的損害。在這種情況下，由具有嵌入的顆粒的基體材料制造的壓敏電阻元件可以有利地具有非常小的空間尺寸。此外，可以有利地以簡單且有成本效率的方式制造壓敏電阻元件。壓敏電阻元件的基體材料的玻璃化溫度高于130°C有利地防止在光電組件的操作期間產生的溫度對壓敏電阻元件造成的損害和破壞。
[0017]一種制造壓敏電阻漿糊的方法包括以下步驟:提供具有粘度小于0.8Pa ? s的基體材料，以及將顆粒嵌入到基體材料中以便形成壓敏電阻漿糊，其中嵌入的顆粒包括壓敏電阻顆粒。有利地，該方法使得制造具有高填充程度的嵌入到壓敏電阻漿糊的基體材料中的顆粒的壓敏電阻漿糊成為可能。通過在將顆粒嵌入到基體材料中之前壓敏電阻漿糊的基體材料的低粘度使這成為可能。由于高填充程度的嵌入到壓敏電阻漿糊的基體材料中的顆粒，可以由通過該方法獲得的壓敏電阻漿糊制造具有高響應電壓的壓敏電阻元件。
[0018]—種制造壓敏電阻元件的方法包括如下步驟:根據以上提及的類型的方法制造壓敏電阻漿糊，由該壓敏電阻漿糊成形壓敏電阻元件，以及固化該壓敏電阻元件。有利地，本方法使得能夠簡單且有成本效率的制造壓敏電阻元件。在這種情況下，可以有利地形成具有非常靈活的幾何結構以及非常小的空間尺寸的壓敏電阻元件。結果，該方法使得能夠將壓敏電阻元件集成到可用結構空間有限的組件中。
[0019]在本方法的一個實施例中，通過計量方法或者通過印刷方法成形壓敏電阻元件。特別地，通過針式計量、非接觸針式計量、滾壓印刷、移印、絲網印刷或者鏤空印刷來成形壓敏電阻元件。有利地，這些方法使得能夠簡單且有成本效率的由壓敏電阻漿糊成形壓敏電阻元件。在這種情況下，有利地，本方法適于高自動化度的大規模制造。
[0020]在本方法的一個實施例中，通過施加溫度或者通過采用UV光照射、微波輻射或者電子輻射固化壓敏電阻元件。在通過施加溫度固化壓敏電阻元件的情況下，最大硬化溫度優選小于200 °C，特別優選小于180°C。有利地，因此可以同時實施本方法用于許多壓敏電阻元件，這使得本發明能夠有成本效率地實施。
[0021]結合以下對說明性實施例(結合附圖對這些說明性實施例進行了更詳細地說明) 的描述，本發明的以上的屬性、特征和優點以及實現他們的方式將變得更清楚并且更加清楚地被理解。這里不同情況下的示意性圖示:圖1示出了壓敏電阻漿糊；圖2示出了光電組件；以及圖3示出了壓敏電阻元件的特性曲線圖。
[0022]圖1示出了壓敏電阻漿糊100的高度示意性圖示。壓敏電阻漿糊100可以用于制造壓敏電阻元件。[〇〇23]壓敏電阻漿糊100呈現為粘性漿糊。壓敏電阻漿糊100優選在23°C的溫度具有小于 200Pa ? s。特別優選地，壓敏電阻漿糊100在23°C的溫度具有小于lOOPa ? s。在23°C的溫度壓敏電阻漿糊1 〇〇的觸變指數優選具有最大值1 〇，特別優選地具有最大值6。結果，壓敏電阻漿糊100的流變能力適于通過計量方法的應用或者印刷方法的應用。[〇〇24] 壓敏電阻漿糊100包括基體材料110和嵌入到基體材料110中的顆粒120。在這種情況下，嵌入的顆粒120優選至少占壓敏電阻漿糊100按重量計的50%。特別優選地，嵌入的顆粒120至少占壓敏電阻漿糊100按重量計的60%。有利地，這樣高程度的填充使得能夠由壓敏電阻漿糊100制造具有高響應電壓的壓敏電阻元件。
[0025]壓敏電阻漿糊100的基體材料110優選包括樹脂或者硅樹脂。舉例來說，壓敏電阻漿糊100的基體材料110可以包括環氧樹脂、丙烯酸酯、聚氨酯或者氰酸酯。優選地，壓敏電阻漿糊100的基體材料110是單組份基體材料，也就是說優選地包括單組份樹脂或者硅樹月旨。特別優選地，壓敏電阻漿糊100的基體材料110包括單組份環氧樹脂混合物。壓敏電阻漿糊100的基體材料110優選在室溫具有至少六個月的儲存穩定性。
[0026]不具有嵌入的顆粒120的壓敏電阻漿糊100的基體材料110在23°C具有小于 0.8Pa ? s的粘度。優選地，基體材料110在室溫23°C具有小于0.5Pa ? s的粘度。針對壓敏電阻漿糊，特別是高填充程度的填充嵌入的顆粒120的情況下，這樣低粘度的壓敏電阻漿糊 100的基體材料110使得仍有可能具有能夠對壓敏電阻漿糊簡單處理的粘度。[〇〇27]嵌入到壓敏電阻漿糊100的基體材料110的顆粒120優選地具有小于20wii的尺寸。 特別優選地，按體積計90%的嵌入的顆粒120具有小于20wii的尺寸(d90值)。此外，優選地按體積計50%的嵌入的顆粒120具有小于12wii的尺寸(d50值)。在這種情況下，所有的嵌入的顆粒120可以具有來自統一小尺寸間隔的尺寸。然而，嵌入的顆粒120還可以形成為具有來自不同的尺寸間隔的尺寸的顆粒混合物。嵌入到壓敏電阻漿糊100的基體材料110中的顆粒 120的優選的低d90值和d50值有利地使得能夠由壓敏電阻漿糊100制造具有非常小空間尺寸的壓敏電阻元件。
[0028]可以以任何期望的方式選擇嵌入到壓敏電阻漿糊100的基體材料110的顆粒120的形態。特別優選地，嵌入到基體材料110中的顆粒120具有層狀(lamina)形狀。在這種情況下，在不同的空間方向上的嵌入的顆粒120的尺寸甚至可以顯著地小于指示的d90值和d50 值。這使得能夠有利地由壓敏電阻漿糊100制造具有小于嵌入的顆粒120的d90和d50的指示優選值的空間尺寸和結構寬度的壓敏電阻元件。[〇〇29]嵌入到壓敏電阻漿糊100中的基體材料110的顆粒120包括壓敏電阻顆粒130。壓敏電阻顆粒130具有壓敏電阻屬性或者壓敏電阻性能。因此，壓敏電阻顆粒130還可以將壓敏電阻屬性給予由基體材料110和嵌入到基體材料110中的顆粒120形成的壓敏電阻漿糊中以及由壓敏電阻漿糊100制造的壓敏電阻元件。
[0030]壓敏電阻顆粒130例如可以包括碳化硅或者諸如氧化鋅、氧化鉍、氧化鉻、氧化錳或者氧化鈷的金屬氧化物。壓敏電阻顆粒130還可以包括多個這些或者其他材料的定比化合物。壓敏電阻顆粒130還可以被形成為包括不同材料的顆粒的混合物。
[0031]壓敏電阻顆粒130可以以摻雜或者未摻雜的形式呈現。舉例來說，壓敏電阻顆粒 130可以摻雜有諸如銻、鈷和鉍的金屬。
[0032]壓敏電阻顆粒130可以具有任何期望的形狀。然而，壓敏電阻顆粒130優選地以層狀形式形成或者形成為片狀。[〇〇33] 嵌入到壓敏電阻漿糊100的基體材料110中的顆粒120還可以包括除壓敏電阻顆粒 130外的導電顆粒140。導電顆粒140可以被用作增加壓敏電阻漿糊100的電導率以及由壓敏電阻漿糊100制造的壓敏電阻元件的電導率。[〇〇34]優選地，嵌入到壓敏電阻漿糊100的基體材料110中的顆粒120中的導電顆粒140的比例小于按重量計的20%，特別優選地，小于按重量計的20%。導電顆粒140還可以被完全省略。
[0035]導電顆粒140可以包括諸如鋁、銅、銀、金、鉑的金屬或者其他金屬。導電顆粒140還可以包括導電碳(例如石墨)、導電碳黑、石墨烯和/或碳納米管。[〇〇36]圖2示出了光電組件200的說明和高度示意性平面圖。光電組件200被設計用于發出電磁輻射。光電組件200例如可以是發光二極管組件(LED組件)。[〇〇37] 光電組件200包括光電半導體芯片210。光電半導體芯片210被設計成發出電磁輻射，例如可見光。光電半導體芯片210例如可以被設計為發光二極管芯片(LED芯片)。
[0038] 光電半導體芯片210具有頂部220和相對于頂部220的底部230。光電半導體芯片 210的上電接觸221被形成在光電半導體芯片210的頂部220。光電半導體芯片210的下電接觸231被施加在光電半導體芯片210的底部230。在上電接觸221和下電接觸231之間電壓可以被施加到光電半導體芯片210以便使光電半導體芯片210發出電磁輻射。[〇〇39] 光電半導體芯片210被設置在光電組件200的載體240上。載體240包括電絕緣材料，在電絕緣材料中嵌入了第一電接觸極板250以及第二電接觸極板260。第一電接觸極板 250和第二電接觸極板260可以被電連接到用于與光電組件200電連接的光電組件200的電連接元件(圖2中未示出)。
[0040]光電半導體芯片210以如下方式被設置在載體240的第二電接觸極板260上:光電半導體芯片210的底部230面對第二電接觸極板260并且光電半導體芯片210的下電接觸231 與第二電接觸極板260電連接。舉例來說，可以經由焊接或者通過導電膠、燒結粘結劑或燒結衆糊(sintering paste)將光電半導體芯片210固定到載體240的第二電接觸極板260。光電半導體芯片210的上電接觸221(該上電接觸被形成在光電半導體芯片210的頂部220)借助于連接元件270與載體240的第一電接觸極板250電連接。連接元件270例如可以被形成為接合引線。[0041 ] 應理解，描述的光電組件200的結構僅作為舉例。還可以形成不同的光電半導體芯片210、其接觸221、231的設置、載體240和電接觸221、231之間的連接的類型以及載體240的接觸極板250、260。各種可能乃是現有技術中已知的。[〇〇42] 光電組件200包括壓敏電阻元件280,壓敏電阻元件280延伸在載體240的第一電接觸極板250和第二電接觸極板260之間并因而與光電組件200的光電半導體芯片210并聯地電連接。還可以選擇與圖2中的示例圖示的不同的壓敏電阻元件280的幾何形狀和布置。至關重要的是壓敏電阻元件280與光電半導體芯片210并聯地電連接。
[0043]壓敏電阻元件280可以具有規則或者不規則的幾何形狀和結構。舉例來說，壓敏電阻元件280可以被形成為正方形、長方形、多邊形、圓形、橢圓形或者以線性形式形成。壓敏電阻元件280例如可以具有50_與150_之間的結構寬度以及5_與50um之間的厚度。可以設定壓敏電阻元件280的厚度例如與圖2中圖示的示例中的載體240的頂部垂直。[〇〇44]由圖1中示出的壓敏電阻漿糊100成形光電組件200的壓敏電阻元件280。在由壓敏電阻漿糊100成形壓敏電阻元件280之后固化壓敏電阻元件280。[〇〇45] 可以通過任意已建立的應用方法執行由壓敏電阻漿糊100成形壓敏電阻元件280。 舉例來說，可以通過計量方法或者印刷方法執行由壓敏電阻漿糊100成形壓敏電阻元件 280。特別地，可以通過針式計量(滴涂)、非接觸針式計量(噴射)、滾壓印刷、移印、絲網印刷或者鏤空印刷來由壓敏電阻漿糊100成形壓敏電阻元件280。
[0046] 通過硬化方法執行壓敏電阻元件280的固化。舉例來說，可以通過施加溫度或者通過采用UV光照射、微波輻射或者電子輻射固化壓敏電阻元件280。在通過施加溫度固化壓敏電阻元件280的情況下，硬化溫度優選最大值200°C，特別優選最大值180°C。由于壓敏電阻元件280的固化，壓敏電阻漿糊100被轉換成壓敏電阻復合材料。[〇〇47]壓敏電阻元件280的壓敏電阻復合材料優選具有大于130°C的玻璃化溫度。這確保在光電組件200的操作期間產生的溫度不會對光電組件200的壓敏電阻元件280造成的損害。特別地，在光電組件200的操作期間引起的光電半導體芯片210的廢熱不會對壓敏電阻元件280造成損害。例如可以假設光電組件200的光電半導體芯片210在光電組件200的操作期間溫度最大為ll〇°C。[〇〇48] 光電組件200的壓敏電阻元件280用于防止光電組件200的光電半導體芯片210免受由靜電放電引起的損害。當光電組件200的載體240的第一電接觸極板250與第二電接觸極板260之間存在電壓(其絕對值并未超過光電半導體芯片210的允許額定電壓)的情況下， 壓敏電阻元件280具有高電阻，這確保了電流基本上僅通過光電半導體芯片210發生而并未通過壓敏電阻元件280。
[0049]然而，在第一電接觸極板250與第二電接觸極板260之間存在電壓(其絕對值超過了光電半導體芯片210的允許額定電壓)的情況下，壓敏電阻元件280具有低電阻，這具有以下影響:電流基本上僅經由壓敏電阻元件280發生而并未經由光電半導體芯片210。因而防止了對光電半導體芯片210的損害。
[0050]光電半導體芯片210的允許額定電壓例如可以介于10V與100V之間。從壓敏電阻元件280的電阻突然降低開始的壓敏電阻元件280的響應電壓在光電半導體芯片210的允許額定電壓之上。
[0051]圖3示出了壓敏電阻元件280的示意說明性特性曲線圖300。施加到壓敏電阻元件 280的電壓310被標注在特性曲線圖300的水平軸上。流過壓敏電阻元件280的電流的電流強度320被標注在特性曲線圖300的垂直軸上。[〇〇52]針對壓敏電阻元件280的響應電壓大約80V的情況，特性曲線圖300圖示了壓敏電阻元件280的電流-電壓特性曲線330。在壓敏電阻元件280上存在的電壓310的值小于壓敏電阻元件280的響應電壓的情況下，壓敏電阻元件280的電阻較高并且基本上沒有電流320 流過壓敏電阻元件280。在施加到壓敏電阻元件280的電壓310的值超過了壓敏電阻元件280 的響應電壓的情況下，壓敏電阻元件280的電阻突然降低并且非零電流320可以流過壓敏電阻元件280。[〇〇53]已經基于優選的說明性實施例詳細地描述和說明了本發明。然而你，本發明并不限于這些公開的示例。更確切地說，在未脫離本發明保護的范圍的情況下，本領域技術人員可以從這些實施例導出其他變型。
[0054] 參考標記100壓敏電阻漿糊 110基體材料 120嵌入的顆粒 130壓敏電阻顆粒 140導電顆粒 200光電組件 210光電半導體芯片 220頂部 221上電接觸 230底部 231下電接觸 240載體250第一電接觸極板 260第二電接觸極板 270連接元件 280壓敏電阻元件 300特性曲線圖 310電壓 320電流330電流-電壓特性曲線
【主權項】
1.一種壓敏電阻漿糊(100)，包括:基體材料(110)和嵌入到所述基體材料(110 )中的顆粒(120 )，其中不具有嵌入的顆粒(120)的所述基體材料(110)具有小于0.8Pa ? s的粘度，其中所述嵌入的顆粒(120)包括壓敏電阻顆粒(130)。2.根據權利要求1所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中不具有嵌入的顆粒(120)的所述基體材料(110)具有小于0.5Pa ? s的粘度。3.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述基體材料(110)包括樹脂或者硅樹脂，特別是環氧樹脂、丙烯酸酯、聚氨酯或者氰酸酯。4.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述基體材料(110)是單組份基體材料(110)。5.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中按體積計90%的所述嵌入的顆粒(120)具有小于20mi的尺寸，其中按體積計50%的所述嵌入的顆粒(120 )具有小于1 2mi的尺寸。6.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述嵌入的顆粒(120)至少占所述壓敏電阻漿糊(100)按重量計的50%，優選地所 述嵌入的顆粒(120)至少占所述壓敏電阻漿糊(100)按重量計的60%。7.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述壓敏電阻漿糊(100)具有小于200Pa ? s的粘度，優選地所述壓敏電阻漿糊 (100)具有小于lOOPa ? s的粘度。8.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述嵌入的顆粒(120)包括導電顆粒(140)，所述導電顆粒(140)包括鋁、銅、銀、 金、鉑和/或其他金屬，和/或所述導電顆粒(140)包括石墨、導電碳黑、石墨烯和/或碳納米管。9.根據權利要求8所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述導電顆粒(140)占所述嵌入的顆粒(120)按重量計小于20%的比例，優選地，所 述導電顆粒(140)占所述嵌入的顆粒(120)按重量計小于10%的比例。10.根據前述權利要求中任一項所述的壓敏電阻漿糊(100)，其中所述壓敏電阻漿糊 (100)具有不大于10的觸變指數，優選地，所述壓敏電阻漿糊(100)具有不大于6的觸變指數。11.一種光電組件(200)，所述光電組件(200)包括光電半導體芯片(210)和與所述光電 半導體芯片(210)并聯連接的壓敏電阻元件(280)，其中所述壓敏電阻元件(280)包括基體材料(110)和嵌入到所述基體材料(110)中的顆 粒(120)，其中所述嵌入的顆粒(120)包括壓敏電阻顆粒(130)，其中所述基體材料(11 〇 )具有大于130 °C的玻璃化溫度。12.—種制造壓敏電阻漿糊(100)的方法，所述方法包括如下步驟:-提供具有小于〇.8Pa ? s粘度的基體材料(110);-將顆粒(120)嵌入到所述基體材料(110)中以便形成壓敏電阻漿糊(100)，其中所述嵌入的顆粒(120)包括壓敏電阻顆粒(130)。13.—種制造壓敏電阻元件(280)的方法，所述方法包括如下步驟:-根據權利要求12中所述的方法制造壓敏電阻漿糊(100);-由所述壓敏電阻漿糊(100)成形壓敏電阻元件(280);-固化所述壓敏電阻元件(280)。14.根據權利要求13所述的方法，其中通過計量方法或者通過印刷方法成形所述壓敏電阻元件(280)，特別地，通過針式 計量、非接觸針式計量、滾壓印刷、移印、絲網印刷或者鏤空印刷成形所述壓敏電阻元件 (280)〇15.根據權利要求13或14中任一項所述的方法，其中通過施加溫度或者通過采用UV光 照射、微波輻射或者電子輻射固化所述壓敏電阻(280)。
【文檔編號】H01C7/10GK105993052SQ201480066135
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2014年12月2日
【發明人】K.赫恩, L.海貝格爾, M.維克
【申請人】奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司