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半導體裝置的制造方法技術資料下載

技術編號:10628149

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在專利文獻1中,公開了對在晶片的表面形成的抗蝕劑(材料)的周緣部進行溶解去除的內容。專利文獻1日本特開平8 — 264418號公報發明內容由于在晶片的外周部形成的材料在曝光工序等隨后的工序中成為污染源,或者附著于晶片的輸送臂,使晶片從輸送臂掉落,因此希望將該材料去除。但是,即使在使晶片進行旋轉的同時將沖洗液噴射至在晶片的外周部形成的材料而將該部分的材料去除,在晶片的中央部形成的材料也會向外周部擴展。因此,存在不能將在該外周部形成的材料去除這一問題。特別地,...
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