該專(zhuan)利(li)(li)申(shen)請(qing)要求于2016年(nian)3月2日在美國(guo)(guo)專(zhuan)利(li)(li)商標局提交的(de)(de)系列(lie)號62/302,494的(de)(de)美國(guo)(guo)臨時專(zhuan)利(li)(li)申(shen)請(qing)的(de)(de)權(quan)益，并且要求于2016年(nian)6月13日在韓國(guo)(guo)知(zhi)識產權(quan)局提交的(de)(de)第10-號韓國(guo)(guo)專(zhuan)利(li)(li)申(shen)請(qing)的(de)(de)優先(xian)權(quan)的(de)(de)權(quan)益，這兩個專(zhuan)利(li)(li)申(shen)請(qing)的(de)(de)全部(bu)內容通過引用(yong)包(bao)含于此。

公開的構思涉及(ji)一種半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝件及(ji)其制造方法，更(geng)具體(ti)(ti)地，涉及(ji)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝件的焊球及(ji)其制造方法。

背景技術：

提供半(ban)導(dao)體封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)以實現(xian)將適合于在(zai)電子(zi)裝(zhuang)置中使用的集成電路(lu)芯(xin)片。通常(chang)，在(zai)半(ban)導(dao)體封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)中，半(ban)導(dao)體芯(xin)片安(an)裝(zhuang)在(zai)印刷(shua)電路(lu)板(ban)(pcb)上，并且(qie)鍵合線或凸塊(kuai)被用于將半(ban)導(dao)體芯(xin)片電連接到印刷(shua)電路(lu)板(ban)。隨著電子(zi)產業的發展，電子(zi)產品越來越需(xu)要高(gao)性(xing)能、高(gao)速度和緊湊的尺(chi)寸。為(wei)了應(ying)對這種(zhong)趨勢，已經開(kai)發了諸如多個半(ban)導(dao)體芯(xin)片堆疊(die)在(zai)單(dan)個基底上或一個封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)堆疊(die)在(zai)另(ling)一封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)上的各種(zhong)堆疊(die)方(fang)法。

技術實現要素：

本發明(ming)構(gou)思的(de)(de)實施(shi)例提供(gong)了一種(zhong)具有提高的(de)(de)可靠性的(de)(de)半導體(ti)封裝件和制(zhi)造該半導體(ti)封裝件的(de)(de)方法。

本發明構思的(de)實施(shi)例提供了一種(zhong)制造半導體封裝件(jian)的(de)簡化的(de)方法。

根據示(shi)例性實(shi)施例，公(gong)開的構思(si)針對一種制造半導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝件(jian)的方(fang)法，所述方(fang)法包括：在(zai)(zai)載體(ti)(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)上設置(zhi)互(hu)連(lian)基(ji)底(di)(di)；在(zai)(zai)互(hu)連(lian)基(ji)底(di)(di)上形成第一焊球；在(zai)(zai)載體(ti)(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)上設置(zhi)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)，半導(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)與(yu)互(hu)連(lian)基(ji)底(di)(di)分隔開；在(zai)(zai)互(hu)連(lian)基(ji)底(di)(di)和半導(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)上形成聚(ju)合物層，聚(ju)合物層覆蓋第一焊球；在(zai)(zai)聚(ju)合物層中形成開口以暴露第一焊球。

根據示例性實施例，本公開針(zhen)對一種半(ban)(ban)導(dao)體(ti)封裝件(jian)，所述半(ban)(ban)導(dao)體(ti)封裝件(jian)包括(kuo)(kuo)：基(ji)底(di)；半(ban)(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片，設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)基(ji)底(di)上(shang)；互(hu)(hu)連(lian)基(ji)底(di)，在(zai)基(ji)底(di)上(shang)與半(ban)(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片分(fen)隔開，互(hu)(hu)連(lian)基(ji)底(di)包括(kuo)(kuo)位(wei)于其(qi)中的導(dao)電構(gou)件(jian)；焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)，設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)互(hu)(hu)連(lian)基(ji)底(di)上(shang)并(bing)電連(lian)接到(dao)導(dao)電構(gou)件(jian)；聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層(ceng)，設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)互(hu)(hu)連(lian)基(ji)底(di)和(he)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片上(shang)，聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層(ceng)包括(kuo)(kuo)通過其(qi)暴露(lu)焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)的開口；聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)顆粒，形成(cheng)在(zai)焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)中并(bing)包括(kuo)(kuo)與聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層(ceng)相(xiang)同的材料，其(qi)中，聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)顆粒中的至少一些形成(cheng)在(zai)焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)的上(shang)半(ban)(ban)部中。

根(gen)據示例性實施例，本公開(kai)針對(dui)一種制造半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)封裝件的方(fang)法(fa)，所述方(fang)法(fa)包括：在(zai)載體(ti)基(ji)底上(shang)(shang)(shang)設置互(hu)(hu)連基(ji)底；在(zai)互(hu)(hu)連基(ji)底上(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤；在(zai)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤上(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)第(di)(di)一焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)凸(tu)塊；在(zai)載體(ti)基(ji)底上(shang)(shang)(shang)設置半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)，半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)與互(hu)(hu)連基(ji)底分隔開(kai)；在(zai)互(hu)(hu)連基(ji)底和半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)上(shang)(shang)(shang)形(xing)成(cheng)聚合(he)(he)物(wu)層，聚合(he)(he)物(wu)層覆(fu)蓋第(di)(di)一焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)凸(tu)塊；在(zai)聚合(he)(he)物(wu)層中形(xing)成(cheng)開(kai)口(kou)以暴露第(di)(di)一焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)凸(tu)塊的一部分，其中，第(di)(di)一焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)凸(tu)塊設置在(zai)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤上(shang)(shang)(shang)并(bing)接觸(chu)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤。

附圖說明

圖(tu)1a是(shi)示出根據(ju)示例性(xing)實施例的第一封裝(zhuang)件的平面圖(tu)。

圖(tu)(tu)1b至圖(tu)(tu)1f、圖(tu)(tu)1i、圖(tu)(tu)1k和圖(tu)(tu)1m是用(yong)于(yu)解釋根(gen)據示例性實施例的(de)制(zhi)造半導體封(feng)裝(zhuang)件的(de)方法的(de)剖(pou)視(shi)(shi)圖(tu)(tu)，它們對應于(yu)沿圖(tu)(tu)1a的(de)線i-i'截取的(de)剖(pou)視(shi)(shi)圖(tu)(tu)。

圖(tu)(tu)1g和圖(tu)(tu)1h是(shi)示(shi)出(chu)了根據(ju)示(shi)例(li)(li)(li)性實施例(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)開口(kou)的(de)(de)(de)(de)形成過程的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(對應于圖(tu)(tu)1f的(de)(de)(de)(de)部分ii的(de)(de)(de)(de)放大剖(pou)(pou)視(shi)圖(tu)(tu))。圖(tu)(tu)1j是(shi)示(shi)出(chu)了根據(ju)示(shi)例(li)(li)(li)性實施例(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)開口(kou)的(de)(de)(de)(de)形成過程的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(對應于圖(tu)(tu)1i的(de)(de)(de)(de)部分ii的(de)(de)(de)(de)放大剖(pou)(pou)視(shi)圖(tu)(tu))。

圖1l是示出了根據(ju)示例性實施例的開口的形(xing)成過程的剖視圖(對應于圖1k的部分(fen)ii的放大剖視圖)。

圖(tu)1n是示出了根據(ju)示例性實施例的(de)開口的(de)形成過程的(de)剖(pou)視圖(tu)(對(dui)應于圖(tu)1m的(de)部分ii的(de)放大剖(pou)視圖(tu))。

圖(tu)2a是示出(chu)根(gen)據示例性實(shi)施例的(de)第一封裝件的(de)平(ping)面圖(tu)。

圖(tu)(tu)2b至(zhi)圖(tu)(tu)2h是用于(yu)解(jie)釋根(gen)據示例(li)性實施例(li)的(de)制造(zao)半導體(ti)封(feng)裝件(jian)的(de)方法的(de)剖視圖(tu)(tu)。

圖3a是示出(chu)根據示例(li)性實施(shi)例(li)的第一封裝件(jian)的平面(mian)圖。

圖3b是沿圖3a的(de)線iv-iv'截取(qu)的(de)剖視圖。

圖3c是示出根據示例性實施例的(de)半導體封裝件(jian)的(de)剖(pou)視(shi)圖。

具體實施方式

在(zai)這里描述的(de)(de)(de)裝置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)各種(zhong)焊(han)盤(pan)(pad)可(ke)以(yi)是連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到(dao)裝置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)內(nei)部布線(xian)的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)(dian)端子(zi)(zi)，并(bing)且可(ke)以(yi)在(zai)裝置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)內(nei)部布線(xian)和(he)(he)/或(huo)內(nei)部電(dian)(dian)路(lu)與外部源之間(jian)(jian)傳遞信號和(he)(he)/或(huo)供(gong)應(ying)電(dian)(dian)壓(ya)。例(li)如，半(ban)(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)焊(han)盤(pan)可(ke)以(yi)電(dian)(dian)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到(dao)半(ban)(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)和(he)(he)半(ban)(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到(dao)的(de)(de)(de)裝置(zhi)(zhi)，并(bing)且在(zai)半(ban)(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)(de)集成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)與半(ban)(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到(dao)的(de)(de)(de)裝置(zhi)(zhi)之間(jian)(jian)傳遞供(gong)應(ying)電(dian)(dian)壓(ya)和(he)(he)/或(huo)信號。各種(zhong)焊(han)盤(pan)可(ke)以(yi)設(she)置(zhi)(zhi)在(zai)裝置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)外表(biao)面(mian)(mian)上或(huo)者靠近裝置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)外表(biao)面(mian)(mian)設(she)置(zhi)(zhi)，并(bing)且通(tong)常可(ke)以(yi)具有平坦的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)區域(經常比(bi)其(qi)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到(dao)的(de)(de)(de)內(nei)部布線(xian)的(de)(de)(de)對(dui)應(ying)的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)區域大)以(yi)促進與諸(zhu)如焊(han)料凸塊或(huo)焊(han)球的(de)(de)(de)另外的(de)(de)(de)端子(zi)(zi)和(he)(he)/或(huo)外部布線(xian)的(de)(de)(de)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)。

如(ru)在這里使(shi)用的(de)(de)(de)，被(bei)描述(shu)為(wei)“電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)”的(de)(de)(de)項(xiang)目(mu)被(bei)配(pei)置為(wei)使(shi)得電(dian)(dian)(dian)信號可以(yi)從一個(ge)項(xiang)目(mu)傳遞(di)到另一項(xiang)目(mu)。因(yin)此，物(wu)理連(lian)接(jie)(jie)(jie)到無(wu)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)絕緣(yuan)(yuan)組(zu)件(jian)(jian)(例如(ru)，印刷電(dian)(dian)(dian)路板的(de)(de)(de)半(ban)固化(prepreg)層、連(lian)接(jie)(jie)(jie)兩個(ge)器件(jian)(jian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)絕緣(yuan)(yuan)粘合劑、電(dian)(dian)(dian)絕緣(yuan)(yuan)底(di)部(bu)(bu)填充(chong)劑或模塑層等(deng))的(de)(de)(de)無(wu)源(yuan)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)組(zu)件(jian)(jian)(例如(ru)，導(dao)(dao)線、焊盤、內部(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)線等(deng))不與所述(shu)組(zu)件(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)。此外，“直接(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)”到彼此的(de)(de)(de)項(xiang)目(mu)通(tong)過諸如(ru)以(yi)導(dao)(dao)線、焊盤、內部(bu)(bu)電(dian)(dian)(dian)線、通(tong)孔(kong)等(deng)為(wei)例的(de)(de)(de)一個(ge)或更多個(ge)無(wu)源(yuan)元件(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)。如(ru)此，直接(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)組(zu)件(jian)(jian)不包括通(tong)過諸如(ru)晶體(ti)管(guan)或二極管(guan)的(de)(de)(de)有源(yuan)元件(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)組(zu)件(jian)(jian)。直接(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)元件(jian)(jian)可以(yi)直接(jie)(jie)(jie)物(wu)理連(lian)接(jie)(jie)(jie)和直接(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)(jie)。

在下(xia)文中，將根(gen)據示例性實施例描述(shu)制造半導(dao)體(ti)封裝件的方法。

圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1a是(shi)示出根據示例(li)性實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)第(di)一封裝件(jian)10的(de)(de)平面圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)。圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1b至圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1f、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1i、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1k和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1m是(shi)用于解釋(shi)根據示例(li)性實(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)制(zhi)造半導(dao)體封裝件(jian)的(de)(de)方法的(de)(de)剖(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)。圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1b至圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1f、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1i、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1k和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1m對應于沿圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1a的(de)(de)線i-i'截取的(de)(de)剖(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)。圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1g和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1h是(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1f的(de)(de)部分(fen)ii的(de)(de)放(fang)大剖(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)。圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1j、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1l和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1n分(fen)別是(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1i、圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1k和(he)(he)(he)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)1m的(de)(de)部分(fen)ii的(de)(de)放(fang)大剖(pou)視(shi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)。

參照圖1a和圖1b，可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)載(zai)(zai)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)100上(shang)(shang)設(she)置(zhi)互連(lian)(lian)基(ji)底(di)(di)200。可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)設(she)置(zhi)載(zai)(zai)體(ti)(ti)膠(jiao)(jiao)層(ceng)110以(yi)(yi)(yi)(yi)將互連(lian)(lian)基(ji)底(di)(di)200粘附到載(zai)(zai)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)100上(shang)(shang)。例如，印刷電(dian)(dian)路板(pcb)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)用作可(ke)(ke)(ke)(ke)通過載(zai)(zai)體(ti)(ti)膠(jiao)(jiao)層(ceng)110粘著到載(zai)(zai)體(ti)(ti)基(ji)底(di)(di)100的(de)互連(lian)(lian)基(ji)底(di)(di)200。互連(lian)(lian)基(ji)底(di)(di)200可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)基(ji)層(ceng)210和基(ji)層(ceng)210中(zhong)的(de)導(dao)(dao)電(dian)(dian)構件220。基(ji)層(ceng)210可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)非導(dao)(dao)電(dian)(dian)材料(例如，非電(dian)(dian)傳導(dao)(dao)材料)。例如，基(ji)層(ceng)210可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)含(han)碳材料(例如，石墨、石墨烯等)、陶瓷或聚合物(例如，尼(ni)龍、聚碳酸酯、高(gao)密度聚乙烯(hdpe)等)。導(dao)(dao)電(dian)(dian)構件220均可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)第一(yi)(yi)焊盤221、線圖案222和通孔(kong)223。可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)載(zai)(zai)體(ti)(ti)膠(jiao)(jiao)層(ceng)110上(shang)(shang)方的(de)互連(lian)(lian)基(ji)底(di)(di)200的(de)底(di)(di)表面(mian)200b上(shang)(shang)設(she)置(zhi)第一(yi)(yi)焊盤221。通孔(kong)223可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)穿透(tou)基(ji)層(ceng)210。線圖案222可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)設(she)置(zhi)在(zai)基(ji)層(ceng)210之間，并且連(lian)(lian)接到通孔(kong)223。導(dao)(dao)電(dian)(dian)構件220可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)銅、鎳、鋁、金、銀(yin)、不銹(xiu)鋼(gang)或者它們的(de)合金。導(dao)(dao)電(dian)(dian)構件220可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具(ju)有大約1100℃的(de)熔(rong)點(dian)。在(zai)一(yi)(yi)些實施例中(zhong)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)構件220可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具(ju)有大于(yu)大約450℃的(de)熔(rong)點(dian)。

焊(han)(han)(han)料(liao)焊(han)(han)(han)盤300可(ke)以(yi)設置在(zai)互連基底(di)200的(de)(de)頂表(biao)面200a上，并且可(ke)以(yi)電連接到通孔223中(zhong)(zhong)的(de)(de)一(yi)個。焊(han)(han)(han)料(liao)焊(han)(han)(han)盤300可(ke)以(yi)包括銅(tong)、鎳(nie)、鋁、金、銀、不銹鋼或(huo)它(ta)們的(de)(de)合金。焊(han)(han)(han)料(liao)焊(han)(han)(han)盤300可(ke)以(yi)具有高(gao)熔點(dian)。例如，焊(han)(han)(han)料(liao)焊(han)(han)(han)盤300可(ke)以(yi)具有大約1100℃的(de)(de)熔點(dian)。在(zai)一(yi)些實施例中(zhong)(zhong)，焊(han)(han)(han)料(liao)焊(han)(han)(han)盤300可(ke)以(yi)具有大于大約450℃的(de)(de)熔點(dian)。

可以在互連基底200的(de)頂表(biao)面200a上形成掩模圖案150。掩模圖案150可以包括通過其(qi)暴露焊料焊盤300的(de)掩模開口151。

可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)焊(han)(han)(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)(han)(han)盤300上形成(cheng)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)是例(li)(li)(li)(li)如焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)(諸如第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1)的(de)(de)焊(han)(han)(han)(han)(han)料凸塊，因(yin)此第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)電連接(jie)到(dao)導(dao)(dao)電構(gou)件220。例(li)(li)(li)(li)如，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)掩(yan)模開(kai)口(kou)151中(zhong)的(de)(de)焊(han)(han)(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)(han)(han)盤300上設置(zhi)焊(han)(han)(han)(han)(han)膏(未(wei)示出)。可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)對(dui)焊(han)(han)(han)(han)(han)膏進行回流(liu)，使得可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)掩(yan)模開(kai)口(kou)151中(zhong)的(de)(de)焊(han)(han)(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)(han)(han)盤300上形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1。可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)低于導(dao)(dao)電構(gou)件220和焊(han)(han)(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)(han)(han)盤300的(de)(de)熔(rong)點的(de)(de)溫度(du)下(xia)(xia)形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1。例(li)(li)(li)(li)如，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)低于大(da)(da)約450℃的(de)(de)溫度(du)下(xia)(xia)形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1。在(zai)(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)從大(da)(da)約170℃至大(da)(da)約230℃的(de)(de)溫度(du)下(xia)(xia)形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1。焊(han)(han)(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)(han)(han)盤300可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)因(yin)此在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1的(de)(de)形成(cheng)期間處于固(gu)態(tai)而(er)不熔(rong)化(hua)。第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具有低于大(da)(da)約450℃的(de)(de)熔(rong)點。在(zai)(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具有從大(da)(da)約170℃至大(da)(da)約230℃的(de)(de)熔(rong)點。第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包括(kuo)例(li)(li)(li)(li)如錫(sn)、鉛(pb)、銦(yin)(in)或它們的(de)(de)合(he)金。在(zai)(zai)(zai)(zai)對(dui)焊(han)(han)(han)(han)(han)膏進行回流(liu)之后，第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)室溫(例(li)(li)(li)(li)如，大(da)(da)約15℃至大(da)(da)約25℃)下(xia)(xia)放置(zhi)并且可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)處于固(gu)態(tai)。可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)去除掩(yan)模圖案150。

參(can)照圖1a和圖1c，可以(yi)在(zai)互(hu)連基底(di)200中形(xing)(xing)成(cheng)孔(kong)290。例(li)如，可以(yi)部分地去除互(hu)連基底(di)200以(yi)形(xing)(xing)成(cheng)孔(kong)290。當(dang)在(zai)平面圖中觀察時，可以(yi)在(zai)互(hu)連基底(di)200的中心部分上(shang)形(xing)(xing)成(cheng)孔(kong)290。

參照圖1a和(he)圖1d，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)載體(ti)(ti)基(ji)底(di)100上設置第一(yi)(yi)半導體(ti)(ti)芯(xin)片400和(he)第一(yi)(yi)聚合物(wu)層500。第一(yi)(yi)半導體(ti)(ti)芯(xin)片400可(ke)(ke)(ke)以(yi)設置在(zai)互連基(ji)底(di)200的孔(kong)290中，當在(zai)平(ping)面圖中觀察(cha)時，可(ke)(ke)(ke)以(yi)沿(yan)它的周邊被互連基(ji)底(di)200圍繞。在(zai)一(yi)(yi)些(xie)實施例中，在(zai)第一(yi)(yi)半導體(ti)(ti)芯(xin)片400與圍繞的互連基(ji)底(di)200之間可(ke)(ke)(ke)以(yi)存在(zai)間隙。第一(yi)(yi)半導體(ti)(ti)芯(xin)片400可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)在(zai)其底(di)表面上的一(yi)(yi)個或更多(duo)個芯(xin)片焊盤410。

可以在互連(lian)(lian)基(ji)底(di)200和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)400上形成第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500可以覆(fu)蓋第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)焊球sb1。可以在互連(lian)(lian)基(ji)底(di)200與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)400之間(jian)的(de)(de)間(jian)隙中設置第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500可以包括(kuo)諸如(ru)以環氧(yang)類聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)為例(li)的(de)(de)絕緣聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500可以用(yong)作模塑層(ceng)(ceng)(ceng)。例(li)如(ru)，可以使用(yong)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)片(pian)來形成第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500，但是實(shi)施例(li)不限于此。此后，可以去除載體(ti)(ti)基(ji)底(di)100和載體(ti)(ti)膠層(ceng)(ceng)(ceng)110以暴露(lu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)400的(de)(de)底(di)表(biao)面和互連(lian)(lian)基(ji)底(di)200的(de)(de)底(di)表(biao)面200b，以及設置在互連(lian)(lian)基(ji)底(di)200與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)400之間(jian)的(de)(de)間(jian)隙中的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)聚合(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500的(de)(de)底(di)表(biao)面。

參照圖1a和(he)圖1e，可(ke)(ke)(ke)以在(zai)第(di)一(yi)(yi)半(ban)導體(ti)芯(xin)(xin)片400的(de)(de)(de)(de)(de)(de)底(di)(di)(di)(di)表(biao)(biao)面(mian)和(he)互連基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)200的(de)(de)(de)(de)(de)(de)底(di)(di)(di)(di)表(biao)(biao)面(mian)200b上形成(cheng)絕(jue)緣(yuan)圖案(an)610以及再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)構(gou)(gou)(gou)件621和(he)622，從而形成(cheng)第(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)600。第(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)600可(ke)(ke)(ke)以是(shi)再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)。再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)構(gou)(gou)(gou)件621和(he)622可(ke)(ke)(ke)以包(bao)(bao)括設置在(zai)絕(jue)緣(yuan)圖案(an)610之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)導電圖案(an)621和(he)穿(chuan)透絕(jue)緣(yuan)圖案(an)610的(de)(de)(de)(de)(de)(de)導電通孔622。再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)構(gou)(gou)(gou)件621和(he)622可(ke)(ke)(ke)以包(bao)(bao)括諸如(ru)(ru)銅或鋁(lv)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)金屬(shu)，并且可(ke)(ke)(ke)以具(ju)有大約1100℃的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熔(rong)(rong)點。在(zai)一(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)構(gou)(gou)(gou)件621和(he)622可(ke)(ke)(ke)以具(ju)有大于大約450℃的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熔(rong)(rong)點。再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)構(gou)(gou)(gou)件621和(he)622可(ke)(ke)(ke)以與(yu)第(di)一(yi)(yi)半(ban)導體(ti)芯(xin)(xin)片400的(de)(de)(de)(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片焊盤(pan)410和(he)互連基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)200的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)焊盤(pan)221接觸。可(ke)(ke)(ke)以在(zai)第(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)600的(de)(de)(de)(de)(de)(de)底(di)(di)(di)(di)表(biao)(biao)面(mian)上形成(cheng)保護層(ceng)(ceng)630。保護層(ceng)(ceng)630可(ke)(ke)(ke)以包(bao)(bao)括絕(jue)緣(yuan)材料(liao)。例(li)如(ru)(ru)，保護層(ceng)(ceng)630可(ke)(ke)(ke)以包(bao)(bao)括與(yu)第(di)一(yi)(yi)聚合物層(ceng)(ceng)500相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)。可(ke)(ke)(ke)選(xuan)擇地，可(ke)(ke)(ke)以省略保護層(ceng)(ceng)630。在(zai)一(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，因為再分(fen)(fen)布(bu)(bu)(bu)(bu)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)被用作第(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)600，所(suo)以第(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)(di)(di)(di)600可(ke)(ke)(ke)以具(ju)有小的(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚度(du)。

參(can)照(zhao)圖(tu)1a和圖(tu)1f，可(ke)以(yi)(yi)在(zai)第一(yi)聚(ju)合物(wu)層500中形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)開(kai)(kai)口550，因此第一(yi)焊球sb1可(ke)以(yi)(yi)通過開(kai)(kai)口550暴(bao)露(lu)。在(zai)一(yi)些實(shi)施例中，可(ke)以(yi)(yi)通過在(zai)第一(yi)聚(ju)合物(wu)層500中形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)開(kai)(kai)口550暴(bao)露(lu)第一(yi)焊球sb1的(de)(de)一(yi)部分(fen)。例如(ru)，可(ke)以(yi)(yi)執行(xing)鉆孔工(gong)藝來(lai)(lai)去除第一(yi)聚(ju)合物(wu)層500，使(shi)(shi)得可(ke)以(yi)(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)開(kai)(kai)口550。在(zai)一(yi)些實(shi)施例中，可(ke)以(yi)(yi)使(shi)(shi)用激光(guang)鉆孔來(lai)(lai)執行(xing)鉆孔工(gong)藝。在(zai)下(xia)文中，可(ke)以(yi)(yi)參(can)照(zhao)圖(tu)1g和圖(tu)1h來(lai)(lai)進一(yi)步詳細(xi)地討(tao)論(lun)開(kai)(kai)口550的(de)(de)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)。應該(gai)注意的(de)(de)是(shi)，盡管(guan)在(zai)此示(shi)例中僅討(tao)論(lun)一(yi)個開(kai)(kai)口550，但是(shi)如(ru)圖(tu)1f所示(shi)，可(ke)以(yi)(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)多個開(kai)(kai)口。

圖(tu)(tu)(tu)1g和(he)圖(tu)(tu)(tu)1h是(shi)示出了根據示例性實(shi)施例的(de)開口550的(de)形成(cheng)過(guo)程的(de)剖(pou)視圖(tu)(tu)(tu)(對應(ying)于圖(tu)(tu)(tu)1f的(de)部(bu)分ii的(de)放大剖(pou)視圖(tu)(tu)(tu))。

參照圖1g，開口(kou)550可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)將第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1暴露到空氣(qi)，因此可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1上形成(cheng)(cheng)(cheng)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700。圖1d的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)形成(cheng)(cheng)(cheng)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700的(de)(de)(de)形成(cheng)(cheng)(cheng)之(zhi)后，或者圖1f的(de)(de)(de)開口(kou)550的(de)(de)(de)形成(cheng)(cheng)(cheng)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700的(de)(de)(de)形成(cheng)(cheng)(cheng)之(zhi)前(qian)。盡管未示(shi)出(chu)，但在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例中，還可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500之(zhi)間設置氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700。氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)具有(you)各種(zhong)形狀和厚度，并(bing)且不限于(yu)示(shi)出(chu)的(de)(de)(de)那些(xie)。在(zai)(zai)開口(kou)550的(de)(de)(de)形成(cheng)(cheng)(cheng)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)不被(bei)去(qu)除，而是可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)保(bao)留以(yi)形成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1上的(de)(de)(de)剩余物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)501。剩余物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)501可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)設置在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1上并(bing)且可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)覆蓋氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700。可(ke)(ke)(ke)(ke)選(xuan)擇地，在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例中，可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)剩余物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)501與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1之(zhi)間不設置氧(yang)化(hua)(hua)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)700。剩余物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)501可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)具有(you)各種(zhong)形狀，并(bing)且不限于(yu)所(suo)示(shi)出(chu)的(de)(de)(de)。剩余物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)501可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)包括與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500相同的(de)(de)(de)材料。

在(zai)開口550的(de)(de)(de)形(xing)成(cheng)之(zhi)后(hou)形(xing)成(cheng)圖1f中的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)球(qiu)sb1的(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)，開口550可(ke)(ke)以(yi)暴(bao)露焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300，第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)可(ke)(ke)以(yi)設置在(zai)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300上。因為(wei)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300具有高(gao)熔點(dian)，所以(yi)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300可(ke)(ke)以(yi)不被鉆(zhan)孔工藝產生的(de)(de)(de)熱熔化，而是可(ke)(ke)以(yi)保(bao)持固態(tai)。第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)可(ke)(ke)以(yi)因此(ci)形(xing)成(cheng)覆蓋(gai)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300的(de)(de)(de)層(ceng)(ceng)(未示出)。在(zai)此(ci)示例中，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)上形(xing)成(cheng)第(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)球(qiu)sb1。因為(wei)在(zai)低于(yu)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300的(de)(de)(de)熔點(dian)的(de)(de)(de)溫度下(xia)執行第(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)球(qiu)sb1的(de)(de)(de)形(xing)成(cheng)，所以(yi)第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)可(ke)(ke)以(yi)保(bao)留在(zai)焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300與(yu)(yu)第(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)球(qiu)sb1之(zhi)間。在(zai)這(zhe)樣的(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)，焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300與(yu)(yu)第(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)球(qiu)sb1之(zhi)間會(hui)實現不好的(de)(de)(de)電特性。如果實施去(qu)(qu)(qu)除工藝以(yi)去(qu)(qu)(qu)除焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300上的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)，則會(hui)增加用(yong)于(yu)半導體封裝件的(de)(de)(de)工藝步驟的(de)(de)(de)數量。另外，焊(han)(han)料(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)(liao)焊(han)(han)盤300和/或第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500會(hui)在(zai)用(yong)于(yu)去(qu)(qu)(qu)除第(di)一(yi)(yi)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)(ceng)500的(de)(de)(de)剩(sheng)余物(wu)(wu)(wu)的(de)(de)(de)去(qu)(qu)(qu)除工藝中遭受(shou)損壞。

在一(yi)(yi)些(xie)實施例(li)中，當第一(yi)(yi)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb1的形成在開口550的形成之前時，可以不在焊(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)盤(pan)300上形成剩(sheng)余物501。第一(yi)(yi)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb1可以因(yin)此滿(man)意(yi)地連(lian)接到焊(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)盤(pan)300，允許(xu)第一(yi)(yi)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb1與(yu)焊(han)(han)(han)料焊(han)(han)(han)盤(pan)300之間的良(liang)好的電連(lian)接。

順序地(di)參照(zhao)圖1g和1h，鉆孔工(gong)藝(yi)會產生熱(re)。熱(re)會傳遞(di)到第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1。因(yin)為第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1具(ju)(ju)有(you)相對低的(de)熔(rong)(rong)點，所以(yi)熱(re)會使第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1的(de)至少一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分熔(rong)(rong)化(hua)。例(li)(li)(li)(li)如(ru)，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1的(de)上部(bu)(bu)可(ke)(ke)以(yi)熔(rong)(rong)化(hua)為液(ye)態(tai)。剩(sheng)余(yu)(yu)物(wu)(wu)(wu)501可(ke)(ke)以(yi)如(ru)圖1g中(zhong)箭頭所指示(shi)地(di)流(liu)(liu)入(ru)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1中(zhong)，使得可(ke)(ke)以(yi)如(ru)圖1h中(zhong)所示(shi)形(xing)(xing)成聚合物(wu)(wu)(wu)顆(ke)粒502。氧(yang)化(hua)物(wu)(wu)(wu)層(ceng)700可(ke)(ke)以(yi)幾(ji)乎不(bu)影響剩(sheng)余(yu)(yu)物(wu)(wu)(wu)501的(de)流(liu)(liu)入(ru)，允許剩(sheng)余(yu)(yu)物(wu)(wu)(wu)501基本上順暢(chang)地(di)流(liu)(liu)入(ru)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1中(zhong)。聚合物(wu)(wu)(wu)顆(ke)粒502可(ke)(ke)以(yi)分散(san)在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1中(zhong)。聚合物(wu)(wu)(wu)顆(ke)粒502可(ke)(ke)以(yi)具(ju)(ju)有(you)諸如(ru)以(yi)圓形(xing)(xing)或橢圓形(xing)(xing)為例(li)(li)(li)(li)的(de)各種形(xing)(xing)狀。例(li)(li)(li)(li)如(ru)，聚合物(wu)(wu)(wu)顆(ke)粒502可(ke)(ke)以(yi)具(ju)(ju)有(you)小(xiao)于(yu)大(da)(da)約2μm的(de)平均直徑。在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，聚合物(wu)(wu)(wu)顆(ke)粒502可(ke)(ke)以(yi)具(ju)(ju)有(you)小(xiao)于(yu)大(da)(da)約1μm的(de)平均直徑。在(zai)鉆孔工(gong)藝(yi)之后，可(ke)(ke)以(yi)在(zai)室(shi)溫下(例(li)(li)(li)(li)如(ru)，大(da)(da)約15℃至大(da)(da)約25℃)放置第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1的(de)熔(rong)(rong)化(hua)的(de)部(bu)(bu)分可(ke)(ke)以(yi)變為固態(tai)。在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1可(ke)(ke)以(yi)在(zai)其上具(ju)(ju)有(you)剩(sheng)余(yu)(yu)物(wu)(wu)(wu)501的(de)未流(liu)(liu)入(ru)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1中(zhong)的(de)部(bu)(bu)分。可(ke)(ke)選擇(ze)地(di)，在(zai)其他實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，可(ke)(ke)以(yi)沒(mei)有(you)保留在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)焊(han)(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1上的(de)剩(sheng)余(yu)(yu)物(wu)(wu)(wu)501。

如(ru)圖1h中所示，在一(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例(li)中，當形成開口(kou)550時，聚(ju)(ju)(ju)合(he)物顆粒(li)502可以(yi)形成在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1上并分散在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1中。分散在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1中的(de)(de)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物顆粒(li)502可以(yi)在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1的(de)(de)底部上方。例(li)如(ru)，形成在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1中的(de)(de)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物顆粒(li)502的(de)(de)至少一(yi)(yi)些(xie)可以(yi)位于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1的(de)(de)上半部中，聚(ju)(ju)(ju)合(he)物顆粒(li)502的(de)(de)至少一(yi)(yi)些(xie)可以(yi)位于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1的(de)(de)中部中。例(li)如(ru)，形成在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1中的(de)(de)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物顆粒(li)502可以(yi)不位于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)焊球(qiu)sb1的(de)(de)底部中。

回到圖(tu)1f，可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在第(di)(di)一(yi)基底(di)600的底(di)表面上形成(cheng)外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650。例如(ru)，可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在保護層630中(zhong)形成(cheng)下開口(kou)631，因此可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)通過下開口(kou)631暴露(lu)再分(fen)(fen)(fen)布構(gou)(gou)件(jian)(jian)621和(he)(he)622。外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)形成(cheng)在下開口(kou)631中(zhong)并連接(jie)到再分(fen)(fen)(fen)布構(gou)(gou)件(jian)(jian)621和(he)(he)622。外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)包括金屬并且具有(you)焊(han)球的形狀(zhuang)。每個外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)通過再分(fen)(fen)(fen)布構(gou)(gou)件(jian)(jian)621和(he)(he)622以(yi)(yi)(yi)及(ji)導電構(gou)(gou)件(jian)(jian)220電連接(jie)到第(di)(di)一(yi)焊(han)球sb1。外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在第(di)(di)三方向d3上不與第(di)(di)一(yi)焊(han)球sb1對齊。例如(ru)，當(dang)從(cong)平(ping)面圖(tu)(例如(ru)，第(di)(di)三方向d3)觀察時，外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)從(cong)第(di)(di)一(yi)焊(han)球sb1偏移。外(wai)(wai)端(duan)子(zi)650的數量(liang)可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)與焊(han)料焊(han)盤300的數量(liang)不同。通過前述的示(shi)例，可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)制造(zao)第(di)(di)一(yi)封(feng)裝件(jian)(jian)10。可(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)以(yi)(yi)(yi)晶圓級工(gong)藝來制造(zao)第(di)(di)一(yi)封(feng)裝件(jian)(jian)10。

參照1a、圖(tu)1i和圖(tu)1j，可(ke)以(yi)(yi)通(tong)過(guo)在第(di)(di)一焊球sb1上執(zhi)(zhi)行(xing)清(qing)(qing)洗工(gong)藝來(lai)去(qu)除(chu)圖(tu)1g和圖(tu)1h中示出(chu)的(de)(de)氧(yang)化(hua)物層700。可(ke)以(yi)(yi)使用助焊劑溶液(fluxsolution)執(zhi)(zhi)行(xing)清(qing)(qing)洗工(gong)藝。例如，助焊劑溶液可(ke)以(yi)(yi)包括鹵(lu)素元素。在此步驟中，還可(ke)以(yi)(yi)將剩(sheng)余(yu)物501與氧(yang)化(hua)物層700一起(qi)去(qu)除(chu)。因為不(bu)執(zhi)(zhi)行(xing)單獨(du)的(de)(de)工(gong)藝以(yi)(yi)去(qu)除(chu)剩(sheng)余(yu)物501，所以(yi)(yi)可(ke)以(yi)(yi)簡化(hua)第(di)(di)一封裝件10的(de)(de)制造(zao)。在完(wan)成清(qing)(qing)洗工(gong)藝后(hou)，在一些實(shi)施例中，剩(sheng)余(yu)物501的(de)(de)一部分不(bu)會被(bei)去(qu)除(chu)而(er)會保留在第(di)(di)一焊球sb1上。可(ke)選擇地，在其他實(shi)施例中，當清(qing)(qing)洗工(gong)藝結束后(hou)，沒有保留在第(di)(di)一焊球sb1上的(de)(de)剩(sheng)余(yu)物501。

參(can)照圖1k和(he)圖1l，可(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)(di)(di)一封(feng)裝(zhuang)件(jian)10上(shang)設(she)(she)(she)置(zhi)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)封(feng)裝(zhuang)件(jian)20。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)封(feng)裝(zhuang)件(jian)20可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)半(ban)導體芯(xin)片(pian)810和(he)模塑層820。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800可(ke)(ke)以(yi)(yi)是印(yin)刷電(dian)(dian)路板或(huo)再(zai)分布基(ji)底(di)。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)半(ban)導體芯(xin)片(pian)810可(ke)(ke)以(yi)(yi)設(she)(she)(she)置(zhi)在(zai)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800上(shang)并(bing)且可(ke)(ke)以(yi)(yi)通(tong)過例(li)(li)如鍵合線811電(dian)(dian)連接到(dao)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)半(ban)導體芯(xin)片(pian)800可(ke)(ke)以(yi)(yi)具有各種(zhong)數量、安(an)裝(zhuang)方法、布置(zhi)和(he)構(gou)成元件(jian)和(he)/或(huo)特征。可(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800的底(di)表面上(shang)設(she)(she)(she)置(zhi)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)焊球(qiu)sb2。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)焊球(qiu)sb2可(ke)(ke)以(yi)(yi)電(dian)(dian)連接到(dao)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)半(ban)導體芯(xin)片(pian)810。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)基(ji)底(di)800中的虛線可(ke)(ke)以(yi)(yi)大致(zhi)表示(shi)其電(dian)(dian)連接的示(shi)例(li)(li)。可(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)(di)(di)一封(feng)裝(zhuang)件(jian)10上(shang)設(she)(she)(she)置(zhi)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)封(feng)裝(zhuang)件(jian)20，從(cong)而(er)使第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)焊球(qiu)sb2與第(di)(di)(di)(di)一焊球(qiu)sb1對齊。

參照圖1m和(he)圖1n以(yi)及圖1l，可(ke)(ke)(ke)以(yi)執(zhi)行回(hui)流工(gong)藝(yi)以(yi)使第二(er)(er)(er)焊球sb2結合(he)到或(huo)接合(he)到第一(yi)焊球sb1，使得(de)可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)第一(yi)半(ban)導(dao)體(ti)封裝件(jian)1中(zhong)(zhong)形(xing)成互連(lian)焊料sb。可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)焊料焊盤(pan)(pan)300與第二(er)(er)(er)基底800之間(jian)形(xing)成互連(lian)焊料sb。可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)等于(yu)(yu)或(huo)大(da)于(yu)(yu)第一(yi)焊球sb1和(he)第二(er)(er)(er)焊球sb2的熔點并小(xiao)于(yu)(yu)導(dao)電構(gou)件(jian)220和(he)焊料焊盤(pan)(pan)300的熔點的溫度(du)下執(zhi)行回(hui)流工(gong)藝(yi)。例如，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)小(xiao)于(yu)(yu)大(da)約450℃的溫度(du)下執(zhi)行回(hui)流工(gong)藝(yi)。在(zai)(zai)(zai)一(yi)些實施(shi)例中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)從(cong)大(da)約170℃至大(da)約230℃的溫度(du)下執(zhi)行回(hui)流工(gong)藝(yi)。導(dao)電構(gou)件(jian)220和(he)焊料焊盤(pan)(pan)300可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)回(hui)流工(gong)藝(yi)中(zhong)(zhong)不(bu)被(bei)熔化，而可(ke)(ke)(ke)以(yi)保持(chi)固體(ti)形(xing)式。導(dao)電構(gou)件(jian)220和(he)焊料焊盤(pan)(pan)300可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)回(hui)流工(gong)藝(yi)中(zhong)(zhong)不(bu)遭(zao)受損壞。

盡管剩余物(wu)501的一(yi)(yi)部分在(zai)(zai)回流(liu)(liu)工(gong)(gong)藝中(zhong)(zhong)保(bao)留(liu)在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb1上，但(dan)是剩余物(wu)501可(ke)(ke)(ke)以(yi)如圖(tu)1g和1l中(zhong)(zhong)所(suo)示(shi)流(liu)(liu)入互(hu)(hu)連焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)sb中(zhong)(zhong)，并(bing)且(qie)可(ke)(ke)(ke)以(yi)如圖(tu)1m和圖(tu)1n中(zhong)(zhong)所(suo)示(shi)在(zai)(zai)互(hu)(hu)連焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)sb中(zhong)(zhong)形成聚(ju)(ju)合物(wu)顆(ke)粒(li)502。聚(ju)(ju)合物(wu)顆(ke)粒(li)502可(ke)(ke)(ke)以(yi)分散在(zai)(zai)互(hu)(hu)連焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)sb中(zhong)(zhong)，使(shi)得聚(ju)(ju)合物(wu)顆(ke)粒(li)502可(ke)(ke)(ke)以(yi)幾乎(hu)不影(ying)響(xiang)互(hu)(hu)連焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)sb的電特性(xing)。因此(ci)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)通過互(hu)(hu)連焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)sb將(jiang)第(di)(di)二(er)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)20滿(man)意地(di)電連接(jie)到第(di)(di)一(yi)(yi)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)10。第(di)(di)一(yi)(yi)半導(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)1可(ke)(ke)(ke)以(yi)具有增(zeng)強的可(ke)(ke)(ke)靠性(xing)。在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實施例中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)回流(liu)(liu)工(gong)(gong)藝之(zhi)前執行(xing)圖(tu)1i和圖(tu)1j的清洗工(gong)(gong)藝，可(ke)(ke)(ke)以(yi)在(zai)(zai)回流(liu)(liu)工(gong)(gong)藝中(zhong)(zhong)有利地(di)減(jian)少(shao)保(bao)留(liu)的剩余物(wu)501。因此(ci)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)使(shi)第(di)(di)二(er)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb2滿(man)意地(di)連接(jie)到第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)(han)(han)球(qiu)sb1，第(di)(di)一(yi)(yi)半導(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)1可(ke)(ke)(ke)以(yi)具有增(zeng)強的可(ke)(ke)(ke)靠性(xing)。

圖(tu)(tu)2a是示(shi)出根(gen)據(ju)示(shi)例性(xing)實施例的(de)第一封裝(zhuang)件(jian)的(de)平面圖(tu)(tu)。圖(tu)(tu)2b至(zhi)圖(tu)(tu)2h是用于(yu)解(jie)釋(shi)根(gen)據(ju)示(shi)例性(xing)實施例的(de)制造半導體(ti)封裝(zhuang)件(jian)的(de)方法的(de)剖(pou)視圖(tu)(tu)。圖(tu)(tu)2b至(zhi)圖(tu)(tu)2e對(dui)應于(yu)沿圖(tu)(tu)2a的(de)線iii-iii'截取的(de)剖(pou)視圖(tu)(tu)。將(jiang)在下面省略與前述(shu)重復(fu)的(de)描述(shu)。

參照圖(tu)(tu)2a和圖(tu)(tu)2b，可(ke)以(yi)(yi)在載體基(ji)底(di)100上設置(zhi)互連(lian)基(ji)底(di)200、第(di)一(yi)半(ban)導體芯片(pian)400和第(di)一(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)層500。參照圖(tu)(tu)1b至圖(tu)(tu)1d提供的描述也(ye)可(ke)以(yi)(yi)應用(yong)于形(xing)成互連(lian)基(ji)底(di)200、第(di)一(yi)半(ban)導體芯片(pian)400和第(di)一(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)層500。多(duo)個第(di)二焊(han)盤240可(ke)以(yi)(yi)設置(zhi)在互連(lian)基(ji)底(di)200的頂表面200a上，并且可(ke)以(yi)(yi)電連(lian)接到通孔223。可(ke)以(yi)(yi)在互連(lian)基(ji)底(di)200和第(di)一(yi)半(ban)導體芯片(pian)400上形(xing)成第(di)一(yi)聚(ju)合物(wu)(wu)層500。

可(ke)(ke)(ke)以在(zai)第(di)(di)一(yi)聚(ju)合物層500中形成互(hu)連通孔(kong)(kong)900。互(hu)連通孔(kong)(kong)900可(ke)(ke)(ke)以設置在(zai)第(di)(di)二(er)焊盤(pan)240上并且連接到(dao)第(di)(di)二(er)焊盤(pan)240。例(li)如(ru)，每個(ge)第(di)(di)二(er)焊盤(pan)240可(ke)(ke)(ke)以連接到(dao)互(hu)連通孔(kong)(kong)900中對(dui)應(ying)的(de)(de)一(yi)個(ge)。互(hu)連通孔(kong)(kong)900可(ke)(ke)(ke)以包括銅、鎳、鋁、金(jin)、銀、不銹鋼或它(ta)們的(de)(de)合金(jin)。互(hu)連通孔(kong)(kong)900可(ke)(ke)(ke)以具(ju)有(you)大約1100℃的(de)(de)熔點。在(zai)一(yi)些實施例(li)中，互(hu)連通孔(kong)(kong)900可(ke)(ke)(ke)以具(ju)有(you)大于大約450℃的(de)(de)熔點。

可(ke)(ke)以在(zai)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)聚(ju)合物層500上(shang)形成互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910和多(duo)個(ge)焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'。互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910可(ke)(ke)以沿第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)聚(ju)合物層500的(de)(de)頂表面(mian)延(yan)伸，并(bing)且(qie)可(ke)(ke)以電連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)到互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)通(tong)孔900和焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'。焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'可(ke)(ke)以通(tong)過互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910電連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)到互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)通(tong)孔900。焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'的(de)(de)至(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)可(ke)(ke)以在(zai)第(di)三(san)方(fang)向(xiang)d3上(shang)與(yu)其連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)的(de)(de)導電構件220不對齊。互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)基(ji)(ji)底(di)200的(de)(de)底(di)表面(mian)200b可(ke)(ke)以平行于可(ke)(ke)彼此相交(jiao)且(qie)垂(chui)直的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)向(xiang)d1和第(di)二方(fang)向(xiang)d2。第(di)三(san)方(fang)向(xiang)d3可(ke)(ke)以垂(chui)直于第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)向(xiang)d1和第(di)二方(fang)向(xiang)d2。可(ke)(ke)以在(zai)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導體芯片400上(shang)與(yu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)基(ji)(ji)底(di)200上(shang)形成焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'。因為設置(zhi)了互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910，所(suo)以焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'可(ke)(ke)以具(ju)(ju)有提高(gao)的(de)(de)布置(zhi)自由度。例(li)如，互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910的(de)(de)提供可(ke)(ke)以允許(xu)焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'的(de)(de)各種(zhong)布置(zhi)。焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'和互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910可(ke)(ke)以包括銅、鎳、鋁(lv)、金(jin)、銀、不銹鋼或它們的(de)(de)合金(jin)。焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'和互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910均(jun)(jun)可(ke)(ke)以具(ju)(ju)有大約(yue)1000℃的(de)(de)熔點。在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例(li)中，焊(han)(han)(han)料(liao)(liao)焊(han)(han)(han)盤(pan)300'和互(hu)(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)圖(tu)(tu)案(an)(an)910均(jun)(jun)可(ke)(ke)以具(ju)(ju)有大于大約(yue)450℃的(de)(de)熔點。

可(ke)以將第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1設置(zhi)為多(duo)個(ge)(即，多(duo)個(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1)。可(ke)以在(zai)焊(han)料(liao)(liao)焊(han)盤300'上(shang)(shang)形(xing)成第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1。可(ke)以通(tong)過(guo)與結合圖1b討論(lun)的(de)(de)工藝(yi)(yi)基(ji)本(ben)相(xiang)同(tong)的(de)(de)工藝(yi)(yi)來形(xing)成第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1。第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1可(ke)以具(ju)有與圖1b中討論(lun)的(de)(de)實施例的(de)(de)熔點和(he)材(cai)料(liao)(liao)相(xiang)同(tong)的(de)(de)熔點和(he)材(cai)料(liao)(liao)。第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1可(ke)以電連(lian)接到(dao)焊(han)料(liao)(liao)焊(han)盤300'。例如(ru)，每個(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1可(ke)以電連(lian)接到(dao)焊(han)料(liao)(liao)焊(han)盤300'中對(dui)應(ying)的(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)。可(ke)以在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)導體芯片400上(shang)(shang)和(he)互連(lian)基(ji)底200上(shang)(shang)形(xing)成第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1。

參照圖2a和(he)圖2c，第二(er)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)510可以(yi)(yi)(yi)形(xing)成(cheng)在第一聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)500上，并(bing)且可以(yi)(yi)(yi)覆蓋第一焊球sb1和(he)互連圖案(an)910。第二(er)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)510可以(yi)(yi)(yi)包括(kuo)諸如以(yi)(yi)(yi)環氧類(lei)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)為例的(de)絕緣的(de)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)。第二(er)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)510可以(yi)(yi)(yi)是模塑層(ceng)(ceng)(ceng)，但是第二(er)聚(ju)(ju)(ju)合(he)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)510可以(yi)(yi)(yi)不限于此。此后，可以(yi)(yi)(yi)去除載體(ti)(ti)基底(di)(di)100和(he)載體(ti)(ti)膠層(ceng)(ceng)(ceng)110以(yi)(yi)(yi)暴露第一半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片400的(de)底(di)(di)表(biao)(biao)面和(he)互連基底(di)(di)200的(de)底(di)(di)表(biao)(biao)面200b。

參照(zhao)圖(tu)2a和圖(tu)2d，可(ke)(ke)(ke)以在(zai)第一(yi)(yi)半(ban)導體芯片400的底表(biao)面(mian)(mian)和互連(lian)基(ji)底200的底表(biao)面(mian)(mian)200b上形成(cheng)絕緣圖(tu)案(an)610以及(ji)再(zai)分布構(gou)件(jian)621和622，從而形成(cheng)第一(yi)(yi)基(ji)底600。在(zai)一(yi)(yi)些實施(shi)例中，可(ke)(ke)(ke)以在(zai)第一(yi)(yi)基(ji)底600的底表(biao)面(mian)(mian)上形成(cheng)保護層630。可(ke)(ke)(ke)選擇地，在(zai)其他實施(shi)例中，可(ke)(ke)(ke)以不形成(cheng)保護層630。

參照圖(tu)2a和圖(tu)2e以(yi)(yi)及(ji)圖(tu)1g和圖(tu)1h，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)執(zhi)行鉆孔(kong)(kong)工藝(yi)(例如，激光鉆孔(kong)(kong))以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)二聚(ju)合(he)物(wu)(wu)層(ceng)510中形成(cheng)(cheng)多個(ge)(ge)開口(kou)550'。開口(kou)550'可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)分(fen)(fen)別暴(bao)露第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1。例如，每(mei)個(ge)(ge)開口(kou)550'可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)暴(bao)露第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1中對(dui)應的(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)(ge)的(de)(de)一(yi)(yi)部分(fen)(fen)。當去除第(di)(di)二聚(ju)合(he)物(wu)(wu)層(ceng)510時，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1上(shang)形成(cheng)(cheng)第(di)(di)二聚(ju)合(he)物(wu)(wu)層(ceng)510的(de)(de)剩余物(wu)(wu)501'。第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)因由鉆孔(kong)(kong)工藝(yi)產生的(de)(de)熱而熔(rong)化，剩余物(wu)(wu)501'可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)流入第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1中以(yi)(yi)形成(cheng)(cheng)聚(ju)合(he)物(wu)(wu)顆(ke)粒502'。在(zai)鉆孔(kong)(kong)工藝(yi)之后，部分(fen)(fen)剩余物(wu)(wu)501'可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)保留在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球sb1上(shang)。可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)基底600的(de)(de)底表(biao)面上(shang)形成(cheng)(cheng)外端子650，因此可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)制(zhi)造第(di)(di)一(yi)(yi)封裝件11。

參照圖2a和2f以及圖1j，可以通過(guo)在第(di)一(yi)焊(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1上執(zhi)行清洗工(gong)藝來(lai)去除(chu)剩(sheng)余(yu)物(wu)501'。在此步(bu)驟中，可以將第(di)一(yi)焊(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1的(de)圖1h的(de)氧化物(wu)層700與剩(sheng)余(yu)物(wu)501'一(yi)起去除(chu)。部分剩(sheng)余(yu)物(wu)501'可以不被去除(chu)而保留在第(di)一(yi)焊(han)(han)球(qiu)(qiu)sb1上。

參照(zhao)圖(tu)2a和(he)圖(tu)2g，可以(yi)在(zai)第(di)一(yi)封(feng)(feng)裝(zhuang)件11上(shang)設(she)置(zhi)第(di)二封(feng)(feng)裝(zhuang)件21，以(yi)使(shi)第(di)二焊(han)球(qiu)(qiu)sb2與第(di)一(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1對齊。因為(wei)在(zai)第(di)一(yi)半導(dao)體芯(xin)片(pian)400上(shang)設(she)置(zhi)第(di)一(yi)焊(han)球(qiu)(qiu)sb1，所以(yi)第(di)二焊(han)球(qiu)(qiu)sb2和(he)第(di)二基底(di)800中的(de)電路圖(tu)案(未示出(chu))可以(yi)具有提高(gao)的(de)布置(zhi)自由度。

在(zai)(zai)一些實施(shi)(shi)例中(zhong)，可以設置(zhi)凸(tu)塊(kuai)812以將(jiang)第(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810以倒(dao)裝(zhuang)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)方(fang)(fang)式安裝(zhuang)在(zai)(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)基(ji)底(di)800上(shang)。可選擇地(di)，在(zai)(zai)其他實施(shi)(shi)例中(zhong)，第(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810可以直接結合(he)到(dao)第(di)(di)二(er)(er)(er)基(ji)底(di)800上(shang)。例如，可以省略凸(tu)塊(kuai)812，使得第(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810的(de)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)焊(han)(han)盤813可以接觸設置(zhi)在(zai)(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)基(ji)底(di)800的(de)頂表面上(shang)的(de)焊(han)(han)盤803。第(di)(di)三(san)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)815可以堆疊在(zai)(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810上(shang)，并且可以通過(guo)形成(cheng)在(zai)(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810中(zhong)的(de)通孔814電連接到(dao)第(di)(di)二(er)(er)(er)基(ji)底(di)800。可以各(ge)種各(ge)樣地(di)改(gai)變半(ban)(ban)(ban)導體芯(xin)(xin)片(pian)(pian)810和815的(de)數量、布(bu)置(zhi)和安裝(zhuang)方(fang)(fang)法。

參照圖(tu)2a和圖(tu)2h，可(ke)以(yi)(yi)執行(xing)回流工藝以(yi)(yi)使(shi)第(di)二焊(han)(han)球(qiu)sb2結合(he)(he)到(dao)第(di)一焊(han)(han)球(qiu)sb1，使(shi)得可(ke)以(yi)(yi)形成多個互(hu)連焊(han)(han)料(liao)sb。盡管圖(tu)2f的剩(sheng)余(yu)物501'部分(fen)地(di)保(bao)留(liu)在第(di)一焊(han)(han)球(qiu)sb1上，但是(shi)剩(sheng)余(yu)物501'可(ke)以(yi)(yi)在回流工藝中(zhong)流入互(hu)連焊(han)(han)料(liao)sb中(zhong)，因(yin)此(ci)可(ke)以(yi)(yi)在互(hu)連焊(han)(han)料(liao)sb中(zhong)形成聚(ju)合(he)(he)物顆粒502'，如結合(he)(he)圖(tu)1n所討論的。因(yin)為聚(ju)合(he)(he)物顆粒502'分(fen)散在互(hu)連焊(han)(han)料(liao)sb中(zhong)，所以(yi)(yi)聚(ju)合(he)(he)物顆粒502'不會使(shi)半導體(ti)封(feng)裝件2的電特(te)性劣化。

圖(tu)3a是(shi)示(shi)出(chu)根據示(shi)例性實施(shi)例的第一封裝件的平面圖(tu)。圖(tu)3b是(shi)沿圖(tu)3a的線iv-iv'截取(qu)的剖視(shi)圖(tu)。

參照(zhao)圖(tu)3a和(he)圖(tu)3b，第(di)(di)一(yi)(yi)封裝件12可以包(bao)括第(di)(di)一(yi)(yi)基(ji)底(di)600、第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)導體(ti)芯(xin)(xin)片(pian)400、第(di)(di)一(yi)(yi)聚合物(wu)層500、焊(han)料焊(han)盤300和(he)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1。第(di)(di)一(yi)(yi)封裝件12還可以包(bao)括互(hu)連基(ji)底(di)201，互(hu)連基(ji)底(di)201的(de)(de)結構特征與參照(zhao)圖(tu)1a和(he)圖(tu)1f討(tao)論(lun)的(de)(de)互(hu)連基(ji)底(di)200的(de)(de)結構特征不同。隨(sui)后將詳細討(tao)論(lun)互(hu)連基(ji)底(di)201。參照(zhao)圖(tu)1b至圖(tu)1f的(de)(de)解釋也可以基(ji)本(ben)上等同地(di)應用(yong)于(yu)形成第(di)(di)一(yi)(yi)基(ji)底(di)600、第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)導體(ti)芯(xin)(xin)片(pian)400、焊(han)料焊(han)盤300和(he)第(di)(di)一(yi)(yi)焊(han)球(qiu)sb1。

可(ke)(ke)(ke)以(yi)將互連(lian)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)201設置為多個(ge)(例如(ru)，多個(ge)互連(lian)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)201)。如(ru)圖(tu)(tu)3a中所示(shi)(shi)，互連(lian)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)201可(ke)(ke)(ke)以(yi)圍繞第一(yi)(yi)半導體芯(xin)片400。如(ru)圖(tu)(tu)3b中所示(shi)(shi)，每(mei)(mei)個(ge)互連(lian)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)201可(ke)(ke)(ke)以(yi)包(bao)括基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)210和(he)(he)導電構件220。與結合(he)圖(tu)(tu)1a和(he)(he)圖(tu)(tu)1f描述的(de)互連(lian)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)底(di)200不同，在一(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例中，可(ke)(ke)(ke)以(yi)將基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)210設置為單個(ge)(例如(ru)，一(yi)(yi)個(ge)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)210)，并且可(ke)(ke)(ke)以(yi)省略(lve)線圖(tu)(tu)案(an)222。通孔(kong)223可(ke)(ke)(ke)以(yi)穿透基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)層(ceng)210，并且可(ke)(ke)(ke)以(yi)分(fen)別(bie)接(jie)觸第一(yi)(yi)焊(han)盤221和(he)(he)焊(han)料焊(han)盤300。例如(ru)，每(mei)(mei)個(ge)通孔(kong)223可(ke)(ke)(ke)以(yi)直接(jie)與第一(yi)(yi)焊(han)盤221中對應(ying)的(de)一(yi)(yi)個(ge)和(he)(he)焊(han)料焊(han)盤300中對應(ying)的(de)一(yi)(yi)個(ge)接(jie)觸。

可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)一焊球sb1中形(xing)成聚(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)502。如(ru)圖1h中所討論的，聚(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)502可(ke)以(yi)是第(di)(di)(di)一聚(ju)合物(wu)(wu)層(ceng)500的在(zai)(zai)(zai)形(xing)成開口(kou)550時(shi)形(xing)成的剩余物(wu)(wu)。聚(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)502可(ke)以(yi)包括(kuo)與第(di)(di)(di)一聚(ju)合物(wu)(wu)層(ceng)500相同的材料。在(zai)(zai)(zai)一些實施(shi)例(li)中，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)一焊球sb1上設(she)置剩余物(wu)(wu)501。可(ke)選擇地，在(zai)(zai)(zai)其他實施(shi)例(li)中，可(ke)以(yi)不(bu)設(she)置剩余物(wu)(wu)501。

圖(tu)3c是示出根據(ju)示例性實施例的半導(dao)體封(feng)裝件的剖視圖(tu)。將在下(xia)文(wen)中省(sheng)略與前述重復(fu)的描述。

參照圖(tu)(tu)(tu)3c，可以通(tong)過(guo)將第(di)(di)二(er)(er)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)20安(an)裝(zhuang)在圖(tu)(tu)(tu)3a和(he)圖(tu)(tu)(tu)3b的(de)第(di)(di)一(yi)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)12上來(lai)制造半導體封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)3。可以通(tong)過(guo)與結(jie)合(he)圖(tu)(tu)(tu)1k和(he)圖(tu)(tu)(tu)1m討論的(de)方法(fa)基本(ben)相(xiang)同的(de)方法(fa)來(lai)將第(di)(di)二(er)(er)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)20安(an)裝(zhuang)在第(di)(di)一(yi)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)12上。例如(ru)，可以執行(xing)回流(liu)工藝(yi)以將第(di)(di)二(er)(er)焊(han)球(qiu)sb2結(jie)合(he)或接(jie)合(he)到第(di)(di)一(yi)焊(han)球(qiu)sb1，使得可以形成互連焊(han)料(liao)sb。在將第(di)(di)二(er)(er)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)20安(an)裝(zhuang)在第(di)(di)一(yi)封(feng)(feng)裝(zhuang)件(jian)(jian)(jian)(jian)12上之前，可以在第(di)(di)一(yi)焊(han)球(qiu)sb1上執行(xing)清洗工藝(yi)以去除剩余物501。

根(gen)據某些公開的實施例，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層中(zhong)形(xing)成開口之前(qian)形(xing)成第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)。由于第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)的低熔點(dian)，聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層的剩余物(wu)(wu)可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)開口的形(xing)成過程中(zhong)流入第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)中(zhong)，使得可(ke)以(yi)形(xing)成聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)(li)。聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層的剩余物(wu)(wu)還可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)回流工(gong)藝(yi)中(zhong)流入第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)或(huo)互連焊(han)(han)(han)料中(zhong)。聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)(li)可(ke)以(yi)分散在(zai)(zai)(zai)第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)中(zhong)。因此(ci)，聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)顆粒(li)(li)對第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)或(huo)互連焊(han)(han)(han)料的電(dian)特性(xing)可(ke)以(yi)有(you)最小的影響。可(ke)以(yi)在(zai)(zai)(zai)第(di)一焊(han)(han)(han)球(qiu)(qiu)上執行清(qing)洗工(gong)藝(yi)以(yi)有(you)效地(di)去除(chu)聚(ju)(ju)合物(wu)(wu)層的剩余物(wu)(wu)。半導體封裝(zhuang)件(jian)因此(ci)可(ke)以(yi)具有(you)增強的可(ke)靠(kao)性(xing)。

盡管(guan)已經結合(he)附圖中示出的(de)(de)實施(shi)例描述了本(ben)構思，但(dan)是(shi)其(qi)不限于此(ci)。對(dui)于本(ben)領(ling)域的(de)(de)技術人員(yuan)將明(ming)顯的(de)(de)是(shi)，在(zai)不脫離發明(ming)的(de)(de)范圍和(he)精神的(de)(de)情況下，可以對(dui)其(qi)作出各種替代(dai)、修改和(he)變化。