一種半導體橋的封裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及半導體封裝領域，尤其涉及到一種火工品半導體橋體的封裝結構。一種半導體橋的封裝結構，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設置有電極引線1和芯片4，所述的電極引線1穿過陶瓷塞5設置，所述的芯片4固定設置在陶瓷塞5上，電極引線1從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設置有金屬化導帶3，電極引線1通過金屬化導帶3與芯片4連接，金屬化導帶3與電極引線1和芯片4的連接部位均設置有導電連接體2。本實用新型的封裝結構通過在陶瓷塞制作金屬化導帶，金屬化導帶與電極引線和芯片的連接部位均設置有導電連接體，導電連接體能夠避免因裝藥壓力導致的電極引線斷裂、失效。
【專利說明】
一種半導體橋的封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體封裝領域，尤其涉及到一種火工品半導體橋體的封裝結構。
【【背景技術】】
[0002]半導體橋(Semiconductor Bridge，SCB)是利用半導體膜或金屬-半導體復合膜作為發火元件，相較于金屬橋絲發火品，以其具有發光能量低、響應速度快、使用安全等優點，已被廣泛應用。
[0003]SCB具有不同于一般金屬橋絲火工品的點火特性，這是由橋體本身決定的。橋體材料為重摻雜硅，在受電激勵下，由于加熱作用，橋體材料從常溫、融化、汽化到形成等離子狀態，與超爆藥直接加壓接觸可引爆起爆藥，達到點火目的。
[0004]半導體橋的核心為半導體橋芯片，其結構由高阻硅片或藍寶石基片上制作“H”形重摻雜多晶硅作為橋體，橋體兩端通過蒸發金屬Al或Ni引出焊盤，焊盤與陶瓷塞電極通過Al絲鍵合實現電連接。再直接在半導體橋體表面進行壓裝起爆點火藥，壓力一般為90Mpa，就形成了半導體橋起爆器。由于半導體橋實現點火功能要與起爆藥直接緊密接觸，壓裝壓力一般為90Mpa，兩端的Al引線會受力發生塌落并承受很大的壓力，導致Al受損斷線，發生開路失效。
【【實用新型內容】】
[0005]為解決現有技術中存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種半導體橋的封裝結構，該結構可避免裝藥壓力導致的引線斷裂、失效。
[0006]—種半導體橋的封裝結構，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設置有電極引線I和芯片4，所述的電極引線I穿過陶瓷塞5設置，所述的芯片4固定設置在陶瓷塞5上，電極引線I從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設置有金屬化導帶3，電極引線I通過金屬化導帶3與芯片4連接，金屬化導帶3與電極引線I和芯片4的連接部位均設置有導電連接體2。
[0007]所述的導電連接體2涂覆在金屬化導帶3與電極引線I和芯片4的連接部位。
[0008]所述的導電連接體2為導電銀漿料。
[0009]所述的金屬化導帶3為鉬錳漿料。
[0010]所述的電極引線I和芯片4在陶瓷塞5的表面上對稱設置。
[0011]所述的芯片4設置在陶瓷塞5的中心位置。
[0012]與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果:
[0013]本實用新型的封裝結構通過在陶瓷塞制作金屬化導帶，金屬化導帶與電極引線和芯片的連接部位均設置有導電連接體，導電連接體能夠避免因裝藥壓力導致的電極引線斷裂、失效。
【【附圖說明】】
[0014]圖1是本實用新型的結構示意圖，其中圖1(a)為俯視圖，圖1 (b)為主視圖。
[0015]圖中，卜電極引線，2-導電連接體，3-金屬化導帶，4-芯片，5-陶瓷塞。
【【具體實施方式】】
[0016]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型或實用新型進行詳細說明。
[0017]如圖1所示，本實用新型的一種半導體橋的封裝結構，包括陶瓷塞5，陶瓷塞5上設置有電極引線I和芯片4，所述的電極引線I穿過陶瓷塞5設置，所述的芯片4固定設置在陶瓷塞5上，電極引線I從陶瓷塞5上伸出的部分與芯片4之間設置有金屬化導帶3，電極引線I通過金屬化導帶3與芯片4連接，金屬化導帶3與電極引線I和芯片4的連接部位均設置有導電連接體2。
[0018]在陶瓷塞5的上表面，芯片4與電極引線I之間采用絲網印刷方式，用導電漿料(鉬錳漿料)印制金屬化導帶3，通過高溫合金與陶瓷塞5形成結合緊密的導帶。在陶瓷塞5上安裝芯片4后，在芯片4的金屬化區和金屬化導帶3之間的連接部位，以及金屬化導帶3和電極引線I之間的連接部位均涂覆導電銀漿料，在150°C充氮環境下固化I小時，實現芯片5與外電極之間的導電連接。
[0019]本實用新型的封裝結構通過在陶瓷塞制作金屬化導帶，金屬化導帶與電極引線和芯片的連接部位均設置有導電連接體，導電連接體能夠避免因裝藥壓力導致的電極引線斷裂、失效。
【主權項】
1.一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，包括陶瓷塞(5)，陶瓷塞(5)上設置有電極引線(I)和芯片(4)，所述的電極引線(I)穿過陶瓷塞(5)設置，所述的芯片(4)固定設置在陶瓷塞(5)上，電極引線(I)從陶瓷塞(5)上伸出的部分與芯片(4)之間設置有金屬化導帶(3)，電極引線(I)通過金屬化導帶(3)與芯片(4)連接，金屬化導帶(3)與電極引線(I)和芯片(4)的連接部位均設置有導電連接體(2)。2.根據權利要求1所述的一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，所述的導電連接體(2)涂覆在金屬化導帶(3)與電極引線(I)和芯片(4)的連接部位。3.根據權利要求1所述的一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，所述的導電連接體(2)為導電銀漿料。4.根據權利要求1所述的一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，所述的金屬化導帶(3)為鉬錳漿料。5.根據權利要求1所述的一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，所述的電極引線(I)和芯片(4)在陶瓷塞(5)的表面上對稱設置。6.根據權利要求1所述的一種半導體橋的封裝結構，其特征在于，所述的芯片(4)設置在陶瓷塞(5)的中心位置。
【文檔編號】H01L23/48GK205595322SQ201521139412
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2015年12月31日
【發明人】王旗, 崔聰, 張文彬
【申請人】長春半導體有限公司西安分公司