半導體封裝體的制作方法
【專利摘要】一個或多個實施例涉及半導體封裝體。在一個實施例中，封裝體包括多根引線，這些引線支撐并封閉該半導體裸片的多個周邊部分。這些引線具有形成該封裝體的多個外表面的第一和第二相對的表面。這些引線的第一表面可以形成散熱片而這些引線的第二表面形成該封裝體的用于耦接至另一個器件、襯底或板上的多個焊區。該封裝體包括包封材料，該包封材料包圍該半導體裸片并且位于這些引線的這些上部部分之間。該封裝體進一步包括后部填充材料(或絕緣材料)，該后部填充材料在該半導體裸片下方并且在這些引線的這些下部部分之間。
【專利說明】
半導體封裝體
技術領域
[0001 ]本披露的實施例涉及半導體封裝體。
【背景技術】
[0002]在期望小尺寸封裝體的應用中經常使用無引線的(或沒有引線的)封裝體。通常，扁平無引線封裝體提供由平坦引線框形成的近芯片級包封的封裝體。位于封裝體的底表面上的焊區提供到板(例如印刷電路板(PCB))上的電連接。
[0003]通常，無引線封裝體包括被安裝至裸片焊盤上并且如通過導電線電性地耦接至引線的半導體裸片或芯片。使封裝體更薄的改進已經消除了對裸片焊盤的需要。具體地，引線上芯片(COL)封裝體在沒有裸片焊盤的情況下使半導體裸片直接安裝在引線上。
[0004]目前針對半導體封裝的應用期望具有減小的厚度的封裝體，同時高效地去除由封裝體中的半導體裸片產生的熱量。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型的實施例旨在提供至少部分地解決上述問題的半導體封裝體。
[0006]一個或多個實施例涉及具有集成散熱片的半導體封裝體。在一個實施例中，封裝體包括多根引線，這些引線支撐并封閉該半導體裸片的多個周邊部分。這些引線具有形成該封裝體的多個外表面的第一和第二相對的表面。這些引線的第一表面可以形成散熱片而這些引線的第二表面形成該封裝體的用于耦接至另一個器件、襯底或板上的多個焊區。該封裝體包括包封材料，該包封材料包圍該半導體裸片并且位于這些引線的這些上部部分之間。該封裝體進一步包括后部填充材料(或絕緣材料)，該后部填充材料在該半導體裸片下方并且在這些引線的這些下部部分之間。
[0007]在一個實施例中，一種半導體封裝體包括:多根引線，多根引線具有帶有多個上部外表面的多個上部部分、帶有多個下部外表面和內表面的多個下部部分;半導體裸片，半導體裸片具有第一表面和第二表面，半導體裸片位于多根引線的多個上部外表面與多個下部外表面之間，半導體裸片的第二表面的周邊部分耦接至多根引線的多個內表面;多個導電耦接元件，多個導電耦接元件將半導體裸片電性地耦接至多根引線的多個內表面;包封材料，包封材料圍繞半導體裸片的第一表面、多個導電耦接元件、并且處在多根引線的多個上部部分之間；以及介于多根引線的多個下部部分之間的絕緣材料，絕緣材料支撐半導體裸片的第二表面的中心部分。
[0008]在一個實施例中，多根引線的多個上部外表面和絕緣材料形成封裝體的外表面，其中，多根引線的多個上部外表面占據了外表面的總表面面積的50%至75%。
[0009]在一個實施例中，絕緣材料是環氧樹脂、硅或光刻膠。
[0010]在一個實施例中，多根引線延伸至封裝體的多個側表面。
[0011]在一個實施例中，包封材料和絕緣材料具有彼此抵靠的多個表面。
[0012]在一個實施例中，多根引線從封裝體的多個外表面偏移。
[0013]在一個實施例中，半導體封裝體進一步包括在半導體裸片的第二表面的中心部分與絕緣材料之間的粘合劑材料。
[0014]在一個實施例中，一種半導體封裝體包括:多根引線，多根引線具有多個上部部分和多個下部部分，多個下部部分包括多個內表面;半導體裸片，半導體裸片位于多根引線的多個上部部分之間，半導體裸片耦接至多根引線的多個下部部分的多個內表面;多個導電耦接元件，多個導電耦接元件將半導體裸片電性地耦接至多根引線的多個下部部分的多個內表面;包封材料，包封材料圍繞半導體裸片、多個導電耦接元件、并且處在多根引線的多個上部部分之間；以及介于多根引線的多個下部部分之間的絕緣材料。
[0015]在一個實施例中，絕緣材料面向半導體裸片的表面。
[0016]在一個實施例中，多根引線的多個下部部分具有與絕緣材料共面的表面。
[0017]在一個實施例中，封裝體的多個側表面包括抵靠著絕緣材料的包封材料。
[0018]在一個實施例中，絕緣材料是環氧樹脂、硅或光刻膠。
[0019]在一個實施例中，多根引線的多個上部部分的上表面和絕緣材料形成封裝體的外表面，其中，多根引線的多個上部部分的上表面占據了外表面的總表面面積的50%至75%。
[0020]在一個實施例中，多個導電耦接元件是多個導電凸塊，多個導電凸塊具有耦接至半導體裸片的多個鍵合焊盤上的多個第一端以及耦接至多根引線的多個下部部分的多個內表面上的多個第二端。
[0021]在一個實施例中，導電耦接元件是多條導電線，多條導電線具有耦接至半導體裸片的多個鍵合焊盤上的多個第一端以及耦接至多根引線的多個下部部分的多個內表面上的多個第二端。
[0022]在一個實施例中，多根引線在封裝體的多個側表面處是外露的。
[0023]本實用新型的實施例提供了具有減小的厚度的封裝體，同時高效地去除由封裝體中的半導體裸片產生的熱量。
【附圖說明】
[0024]在這些附圖中，相同的參考號標識相似的元件。未必按比例繪制附圖中的元件的尺寸和相對位置。
[0025]圖1A至圖1D是根據本披露的一個實施例的無引線封裝體的各個視圖的示意性展不O
[0026]圖2是圖1A至圖1D中的附接至板上的封裝體的示意性展示的橫截面視圖。
[0027]圖3A至圖3H展示了根據本披露的實施例的形成引線框條帶的各個階段。
[0028]圖4A至圖4F展示了根據本披露的實施例的用于形成封裝體(如圖1A至圖1D的封裝體)的裝配工藝的各個階段的橫截面視圖。
[0029]圖5A至圖5C是根據本披露的另一個實施例的無引線封裝體的各個視圖的示意性展示。
[0030]圖6A至圖6F展示了根據本披露的另一個實施例的用于形成封裝體(如圖5A至圖5C的封裝體)的另一個裝配工藝的各個階段的橫截面視圖。
[0031]圖7A至圖7F展示了根據本披露的又一個實施例的用于形成封裝體(如圖5A至圖5C的封裝體)的另一個裝配工藝的各個階段的橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0032]應當理解的是，雖然出于說明性目的在此描述了本披露的具體實施例，但是可在不脫離本披露的精神和范圍的情況下做出各種修改。
[0033]在以下說明中，陳述了某些具體細節以便提供對所披露的主題的不同方面的全面理解。然而，所披露的主題可以在沒有這些具體細節的情況下實施。在一些實例中，尚未對包括在此所披露的主題的實施例的眾所周知的半導體加工結構和方法進行詳細描述以避免模糊本披露的其他方面的描述。
[0034]圖1A至圖1C是根據本披露的一個實施例的無引線封裝體10的橫截面視圖。圖1B是圖1A的封裝體1的俯視平面圖，而圖1C是圖1A的封裝體1的仰視平面圖。
[0035]如在圖1A中最佳地示出的，封裝體10包括第一表面12和第二相對的表面14以及多根引線16，這些引線具有從第一表面12延伸至第二表面14的多個部分。半導體裸片18位于多根引線16之間并且由這多根引線16支撐。具體地，半導體裸片18位于多根引線16的上部部分20之間并且由該多根引線16的下部部分22支撐。
[0036]如在圖1B和圖1C中示出的，封裝體10包括沿著兩側延伸至封裝體的周邊的六根引線。然而，該封裝體可以包括位于任意數量的側面上的任意數量的引線。
[0037]如在圖1B中最佳示出的，在封裝體10的第一表面12處，這些引線16中的每一根引線包括上表面24，該上表面是平面的并且形成封裝體10的第一表面12的一部分。如在圖2中示出的，每根引線16的上表面24形成焊區，該焊區被配置成用于電性地耦接至另一個器件或板，如印刷電路板。如在圖1C中最佳示出的，在封裝體10的第二表面14處，這些引線16中的每一根引線形成封裝體10的多個外側表面，該封裝體包括下表面26，該下表面是平面的并且形成封裝體10的第二表面14的一部分。
[0038]每根引線16的下表面26保持外露并且充當耗散由半導體裸片18產成的熱量的散熱片。在封裝體10的側表面處，引線16從封裝體10的第一表面12延伸至封裝體10的第二表面14并且具有基本上對應于封裝體10的總厚度的厚度。如在圖1A中最佳地示出的，引線16的下部部分22具有在封裝體10的內部的內表面25。
[0039]半導體裸片18的后表面30通過粘合劑材料32耦接至引線16的內表面25。粘合劑材料32可以是被配置成用于將裸片18固定于引線16的下部部分22的內表面25的任何材料，如粘膠、粘膏、膠帶、環氧樹脂或任何合適的材料。引線16的下部部分22具有用于提供合適的強度以支撐半導體裸片18的厚度。
[0040]半導體裸片18是包括電子器件(如集成電路或機電傳感器)的任何半導體裸片。半導體裸片18具有與后表面30相對的前表面34。前表面34包括多個鍵合焊盤，這些鍵合焊盤可以位于前表面34的周邊。通過導電線36將半導體裸片18電性地耦接至引線16的下部部分
22。例如，導電線36的第一端被耦接至裸片18的鍵合焊盤，并且導電線的第二端被耦接至引線16的下部部分22的內表面25。導電線36可以是將半導體裸片18電性地耦接至引線16的任何導電材料。
[0041]引線16的上表面24和下表面22可以被鍍上一個或多個導電層40。該一個或多個導電層40是納米層或微層，并且可以是任何導電材料制成。在一個實施例中，一個或多個導電層40是多個堆疊的金屬層，如Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金或Ni/Pd/Au/Ag。如將于下文解釋的，一個或多個導電層40可以形成掩模層，該掩模層用于在裝配工藝過程中蝕刻引線框條帶的多個部分以形成封裝體的這些引線。
[0042]包封材料42包封半導體裸片18和導電線36以及引線16的上部部分20的側表面。包封材料42形成封裝體10的第一表面12和側表面的一部分。包封材料42是絕緣材料，保護半導體裸片的電氣部件和導電線不受損壞，如腐蝕、物理損壞、濕氣損壞或對電氣器件和材料的損壞的其他原因。在一個實施例中，包封材料42是聚合物，如環氧樹脂模。
[0043]在封裝體10的第二表面14處，在半導體裸片18和包封材料42下方并且在這些引線16的下部部分22之間的是后部填充材料44。后部填充材料44是絕緣材料并且可以是環氧樹月旨、硅、光刻膠、具有低模量特性的任何材料或者任何合適的材料。
[0044]如在圖1C中最佳示出的，后部填充材料44在封裝體10的第二表面14處填充這些引線16的下部部分22之間的空間并且使這些引線16的下部部分22彼此電性地隔離。后部填充材料44抵靠著半導體裸片18后表面30(或粘合劑材料32)和包封材料42。此外，后部填充材料44抵靠著這些引線16的下部部分22的側表面。后部填充材料44可以被配置成用于提供對封裝體10的電氣部件的附加機械支撐和/或保護。
[0045]應當理解，封裝體10的總厚度與用于形成封裝體的引線框的厚度相同。在一個實施例中，引線框厚度(即，封裝體的厚度)約為0.2毫米。
[0046]圖2展示了圖1A至圖1D的安裝在板(如印刷電路板(PCB)46)上的封裝體10。封裝體10的第一表面12面向PCB 46的表面。因此，這些引線16的上表面24在圖2中面向下方以耦接至PCB 46。也就是，如在本領域中眾所周知的，這些引線16的上表面24通過在其之間的導電凸塊48電性地和機械地耦接至PCB 46的多個焊區。可以在封裝體10的第一表面12與PCB46之間提供底部填充材料(未示出)。引線16的下表面26背向PCB 46并且充當散熱片以將由半導體裸片18產生的熱量耗散至外部環境。在一個實施例中，引線16的下表面26占據了封裝體10的第二表面14的50%至70%。就此而言，引線16的下部部分22充當集成散熱片，用于去除從封裝體10產生的熱量并將該熱量轉移至外部環境。因此，其中集成了散熱片的封裝體10的總厚度遠小于散熱片安裝在封裝體上的厚度。
[0047]圖3A至圖3G展示了根據本披露的實施例在各個制造階段被形成引線框條帶50的導電箔52的一部分的橫截面視圖，并且圖3H展示了圖3G的引線框條帶的等距視圖。在圖3G和圖3H中示出的引線框條帶50可以用于制作圖1的引線框封裝體10。
[0048]圖3A示出了導電箔52，該導電箔是用于形成引線框條帶50的基材。導電箔52是任何導電材料，并且可以是金屬材料，如銅或銅合金。導電箔52具有上表面54和相對的下表面56 ο
[0049]如在圖3Β中示出的，光敏材料58(如光刻膠)是在導電條帶50的第一表面54和第二表面56上沉積的覆蓋層。如在圖3C中示出的，光敏材料58被圖案化以形成本領域中眾所周知的掩模層。光敏材料58可以是正性或負性光刻膠。例如，在一個實施例中，光敏材料58的多個部分可以外露于紫外線輻射下并且然后被光刻膠顯影劑去除，從而使導電箔52的外露部分60留在第一表面54和第二表面56上。
[0050]如在圖3D中示出的，使用已知技術將一個或多個導電層40電鍍于導電箔52的外露部分60上。電鍍可以包括電鍍一個或多個導電層40，其可以是一疊金屬層，如Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金、Ni/Pd/Au/Ag或任何其他堆疊。替代地，該一個或多個導電層可以是單層，如單金屬層。
[0051 ]如在圖3E中示出的，在區域62處將光敏材料58從第一表面去除。光敏材料58保留在第一表面54和第二表面56的其他區域上。該一個或多個導電層40與光敏材料58—起形成掩模層。如在圖3F中示出的，如本領域中眾所周知的，導電箔在區域62處的上表面被蝕刻以形成開口64。如將在以下更加詳細解釋的，導電箔被蝕刻大于半導體裸片的厚度的距離以被裝配于其中。在一個實施例中，導電箔被蝕刻介于導電箔厚度的50%與80%之間，并且在一個實施例中被蝕刻導電箔的70%。在一個實施例中，導電箔52可以通過浸入蝕刻劑浴中而被蝕刻并且在一些情況中包括攪拌技術。
[0052]如將參照展示了裝配工藝的圖4A至圖4F更加詳細解釋的，導電箔52的開口64形成內表面25，其一部分是圖1A至圖1D的引線的下部部分26，而第一表面54的凸起的非蝕刻部分形成圖1A至圖1D的引線的上部部分20。最后，如在圖3G中示出的，從導電箔52的第一表面54和第二表面56上去除光敏材料64，由此形成引線框條帶50供在裝配過程中使用。
[0053]圖3H是引線框條帶50的等距視圖。如在圖3H中示出的，在圖3F的蝕刻步驟形成的開口64在引線的相鄰上部部分20之間延伸。引線框條帶50具有由內表面25和第二表面56限定的第一厚度以及由引線的上部部分20和第二表面56限定的第二厚度。這些引線的上部部分20通過連接部分66保持為彼此耦接。這些引線的內表面25通過內連接部分67耦接在一起。
[0054]圖4A至圖4F展示了根據本披露的一個實施例的裝配封裝體(如圖1A至圖1D的封裝體10)的各個階段的橫截面視圖。圖4A示出了引線框條帶50，如圖3G至圖3H的引線框條帶50 ο
[0055]如在圖4Β中示出的，半導體裸片18耦接至引線的上部部分20之間的引線框條帶50的內表面25和內連接部分67。例如，在將半導體裸片18放置在內表面25上之前，粘合劑材料32可以被放置在半導體裸片18的底表面30上和/或在引線框條帶50的內表面25上。
[0056]通過導電線36使用標準接線鍵合技術，半導體裸片18電性地耦接至該組引線。也就是說，分別地，導電線36的第一端耦接至半導體裸片18的鍵合焊盤，而導電線36的第二端耦接至引線框條帶50在半導體裸片18與引線的上部部分20之間的內表面25上。
[0057]如在圖4C中示出的，使用常規技術圍繞半導體裸片18和導電線36形成包封材料42。例如，包封材料可以在模制工藝中被模制。應當理解，引線框條帶50不包括延伸至下表面的貫通開口。因此，圍繞半導體裸片18形成的包封材料42不流過引線框條帶50的下表面。包封材料42被模制在引線框條帶50的內表面25之上以及在引線的上部部分20之間。包封材料42隨著時間推移而硬化，并且可以在固化步驟中硬化。
[0058]在圖4D中，引線框條帶50被翻轉，從而使得引線框條帶50的下表面面朝上。使用已知的引線框蝕刻技術從下表面蝕刻引線框條帶50的多個部分。在蝕刻步驟過程中，引線框條帶50的上表面和下表面上的一個或多個導電層40充當蝕刻圖案。因此，引線框條帶50在其上具有一個或多個導電層40的這些部分不被蝕刻，而引線框材料50所外露的區域被蝕刻掉。因此，內連接部分67被蝕刻以使半導體裸片18(或粘合劑材料)外露。此外，相鄰封裝體的引線之間的連接部分66被蝕刻。盡管未在橫截面視圖中示出，但對引線框條帶50的蝕刻將封裝體內的相鄰引線之間的引線框材料(如延伸進入并離開頁面的那些)分開。
[0059]在單獨封裝體的相鄰引線之間形成的包封材料42保留在相鄰封裝體的引線之間；然而，包封材料42的厚度是如參照圖3E所描述的邊緣的深度的厚度。如將于以下討論的，在相鄰封裝體之間的包封材料42形成劃切軌道用于單一切割單獨的封裝體。
[0060]如在圖4E中示出的，在半導體裸片18的后表面30上并且在參照圖4D所描述的蝕刻步驟中外露的包封材料42之上沉積后部填充材料44 ο如以上所討論的，后部填充材料44是絕緣材料并且可以是環氧樹脂、硅、光刻膠、具有低模量特性的材料、或者任何其他合適的材料。
[0061]如在圖3F中所示，裝配工藝進一步包括將每個封裝體10分隔成單獨的封裝體10。封裝體10可以通過各種切割方法(包括鋸切、沖切以及激光)被分開。包封材料42和/或后部填充材料44可以用作劃切軌道，該劃切軌道作為針對切割工具的視覺對準。
[0062]應當認識到，以上方法在裝配工藝過程中不要求支撐結構或膠帶背襯材料。也就是，引線框條帶50足夠硬到支撐該裝配工藝。應注意的是，引線框條帶不具有貫通整個材料厚度延伸的貫通開口，這可以減少引線框條帶的硬度。
[0063]此外，本文中所描述的裝配工藝涉及切割透包封材料42和/或后部填充材料44，這些材料相比于引線框材料更易于被切割透。因此，通過使用蝕刻步驟來分隔這些引線并然后切割透包封材料42和/或后部填充材料44可以獲得許多益處。具體地，切割透包封材料42和/或后部填充材料44而不必切割透引線框材料可以阻止或減少在引線的表面上形成鋸切毛邊。也就是說，已知切透引線框材料會導致鋸切毛邊。此外，在蝕刻步驟過程中分隔引線進一步消除引線拖尾，該引線拖尾與鋸片切割透引線框材料相關聯。此外，通過鋸切透包封材料和/或后部填充材料，可以增加鋸切速度，由此通過鋸切工具提高生產量。此外，用于將封裝體切成單獨的封裝體的鋸片的刀片壽命將增加。此外，還可以使用通過沖切的單一切割。
[0064]圖5A至圖5C展示了根據本披露的另一個實施例的無引線封裝體10a。圖5A至圖5C的無引線封裝體1a在結構和針對圖1A至圖1D的無引線封裝體10的裝配加工上基本上相同并且因此為了簡潔起見將不重復那些特征。圖5A至圖5C的封裝體1a與圖1A至圖1D的封裝體10的不同之處在于，引線16不延伸至封裝體1a的邊緣并且半導體裸片18以倒裝芯片安排被附接于這些引線。具體地，半導體裸片18的第一表面面向引線16的下部部分22的內表面25。導電凸塊70(如焊料凸塊)將半導體裸片18的鍵合焊盤電性地耦接于引線16的下部部分22的內表面25。應理解的是，本文中所描述的任何實施例可以涉及以倒裝芯片安排或通過接線鍵合將半導體裸片18安裝在引線16上。也就是說，如本領域眾所周知的，可以用倒裝芯片配置將封裝體10中的裸片電性地耦接于這些引線，并且可以通過接線鍵合將封裝體1a中的裸片電性地耦接于這些引線。
[0065]如以上所指示的，封裝體1a的引線16不延伸至封裝體1a的邊緣。而且，如在圖5B和圖5C中示出的，包封材料42和后部填充材料44位于封裝體1a的周邊周圍。
[0066]圖6A至圖6F展示了根據本披露的另一個實施例的裝配封裝體1a的各個階段的橫截面視圖。概括地描述，圖6A至圖6F的裝配工藝與圖4A至圖4F的裝配工藝不同之處在于，弓丨線框材料在劃切軌道中未被完全地蝕刻掉。此外，引線16被形成使得它們不延伸至封裝體1a的側表面。而且，引線16是后拉配置，因為這些引線從封裝體的邊緣偏移并且包封材料42和后部填充材料44位于封裝體的邊緣或側表面處。應理解的是，后拉引線可以與也參照圖4A至圖4F描述的裝配工藝一起被利用。最后，以倒裝芯片配置將半導體裸片18電性地和機械地耦接于引線16。
[0067]如在圖6A中示出的，引線框條帶50a可以被形成為具有位于劃切軌道的相對側上的引線16的外部的多個空腔72。可以在任何階段(包括在加工引線框條帶50時)形成這些空腔72。例如，如將對本領域普通技術人員而言清楚的是，參照圖3E，可以在開口 64被蝕刻的同時形成這些空腔。替代地，空腔72可以在之后的步驟中被蝕刻。
[0068]如在圖6B中示出的，如本領域眾所周知的，以倒裝芯片安排將半導體裸片18耦接于引線框條帶50a在引線16的上部部分20之間的內表面25。例如，導電凸塊70可以耦接于半導體裸片18的鍵合焊盤并且然后被安裝于引線16上。可以在半導體裸片18與引線16的內表面25之間提供底部填充材料(未示出)。
[0069]如在圖6C中示出的，圍繞半導體裸片18形成包封材料42。也在空腔72中模制包封材料42。
[0070]如在圖6D中示出的，引線框條帶50a被翻轉過來，從而使得引線框條帶的下表面面向上并且從該下表面蝕刻引線框條帶50a的多個部分。具體地，夕卜露且未被一個或多個導電層40覆蓋的引線框材料的多個部分被蝕刻。例如，內連接部分67被蝕刻以使半導體裸片18外露。此外，連接部分66也被蝕亥I」。然而，如在圖6D中示出的，連接部分66未被完全蝕刻透而僅蝕刻到一半。
[0071]如在圖6E中示出的，在半導體裸片18之上以及在被填充至空腔中的包封材料42之上沉積后部填充材料44。盡管未示出，可以在保留的引線框材料的連接部分66之上沉積后部填充材料44。
[0072 ]參照圖6F，該方法包括將每個封裝體分隔成單獨的封裝體I Oa。
[0073]圖7A至圖7F展示了根據本披露的另一個實施例的裝配封裝體1a的各個階段的橫截面視圖。概括地描述，圖7A至圖7F的裝配工藝與圖6A至圖6F的裝配工藝基本上相同。然而，不同之處在于當形成開口 64時，還形成了開口 69而不是空腔72。開口 69位于相鄰封裝體的相鄰引線20之間。如在圖7C中示出的，在圍繞半導體裸片18的開口 64中形成包封材料42的同一步驟過程中，包封材料42填充開口69。因此，在圖7D的蝕刻步驟過程中，在相鄰封裝體之間去除所有引線框材料從而外露出下面的包封材料42。如在圖7E中示出的，在相鄰封裝體之間在外露的包封材料42之上沉積后部填充材料44。在圖7F中示出的單一切割可以通過切割或沖壓透包封材料42而發生。
[0074]上述各實施例可以被組合以提供進一步的實施例。在本說明書中所提及的和/或在申請資料表中所列出的所有美國專利、美國專利申請出版物、美國專利申請、國外專利、國外專利申請和非專利出版物都以其全文通過引用并入本文。如有必要，可以對實施例的各方面進行修改，以利用各專利、申請和出版物的概念來提供更進一步的實施例。
[0075]鑒于以上詳細說明，可以對實施例做出這些和其他變化。總之，在以下權利要求書中，所使用的術語不應當被解釋為將權利要求書局限于本說明書和權利要求書中所披露的特定實施例，而是應當被解釋為包括所有可能的實施例、連同這些權利要求有權獲得的等效物的整個范圍。因此，權利要求書并不受到本披露的限制。
【主權項】
1.一種半導體封裝體，其特征在于，所述半導體封裝體包括: 多根引線，所述多根引線具有帶有多個上部外表面的多個上部部分、帶有多個下部外表面和內表面的多個下部部分； 半導體裸片，所述半導體裸片具有第一表面和第二表面，所述半導體裸片位于所述多根引線的所述多個上部外表面與所述多個下部外表面之間，所述半導體裸片的所述第二表面的周邊部分耦接至所述多根引線的所述多個內表面； 多個導電耦接元件，所述多個導電耦接元件將所述半導體裸片電性地耦接至所述多根引線的所述多個內表面； 包封材料，所述包封材料圍繞所述半導體裸片的所述第一表面、所述多個導電耦接元件、并且處在所述多根引線的所述多個上部部分之間；以及 介于所述多根引線的所述多個下部部分之間的絕緣材料，所述絕緣材料支撐所述半導體裸片的所述第二表面的中心部分。2.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線的所述多個上部外表面和所述絕緣材料形成所述封裝體的外表面，其中，所述多根引線的所述多個上部外表面占據了所述外表面的總表面面積的50 %至75 %。3.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述絕緣材料是環氧樹脂、硅或光刻膠。4.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線延伸至所述封裝體的多個側表面。5.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述包封材料和所述絕緣材料具有彼此抵靠的多個表面。6.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線從所述封裝體的多個外表面偏移。7.如權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體封裝體進一步包括在所述半導體裸片的所述第二表面的所述中心部分與所述絕緣材料之間的粘合劑材料。8.一種半導體封裝體，其特征在于，所述半導體封裝體包括: 多根引線，所述多根引線具有多個上部部分和多個下部部分，所述多個下部部分包括多個內表面； 半導體裸片，所述半導體裸片位于所述多根引線的所述多個上部部分之間，所述半導體裸片耦接至所述多根引線的所述多個下部部分的所述多個內表面； 多個導電耦接元件，所述多個導電耦接元件將所述半導體裸片電性地耦接至所述多根引線的所述多個下部部分的所述多個內表面； 包封材料，所述包封材料圍繞所述半導體裸片、所述多個導電耦接元件、并且處在所述多根引線的所述多個上部部分之間；以及 介于所述多根引線的所述多個下部部分之間的絕緣材料。9.如權利要求8所述的半導體封裝體，其特征在于，所述絕緣材料面向所述半導體裸片的表面。10.如權利要求9所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線的所述多個下部部分具有與所述絕緣材料共面的表面。11.如權利要求9所述的半導體封裝體，其特征在于，所述封裝體的多個側表面包括抵靠著所述絕緣材料的所述包封材料。12.如權利要求9所述的半導體封裝體，其特征在于，所述絕緣材料是環氧樹脂、硅或光刻膠。13.如權利要求9所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線的所述多個上部部分的上表面和所述絕緣材料形成所述封裝體的外表面，其中，所述多根引線的所述多個上部部分的所述上表面占據了所述外表面的總表面面積的50%至75%。14.如權利要求8所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多個導電耦接元件是多個導電凸塊，所述多個導電凸塊具有耦接至所述半導體裸片的多個鍵合焊盤上的多個第一端以及耦接至所述多根引線的所述多個下部部分的所述多個內表面上的多個第二端。15.如權利要求8所述的半導體封裝體，其特征在于，所述導電耦接元件是多條導電線，所述多條導電線具有耦接至所述半導體裸片的多個鍵合焊盤上的多個第一端以及耦接至所述多根引線的所述多個下部部分的所述多個內表面上的多個第二端。16.如權利要求8所述的半導體封裝體，其特征在于，所述多根引線在所述封裝體的多個側表面處是外露的。
【文檔編號】H01L23/495GK205609512SQ201620195107
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月14日
【發明人】E·M·卡達格, J·塔利多
【申請人】意法半導體公司