本(ben)發明有關于一種絕緣層上頂層硅(gui)襯底及其制(zhi)造方法(fa)。

背景技術：

近年來，已經(jing)有業界(jie)利用絕緣材料(liao)表面形(xing)成(cheng)單晶(jing)半(ban)導體層的絕緣層上頂層硅(soi)襯底來代(dai)替使(shi)用大塊狀(zhuang)硅晶(jing)圓于(yu)半(ban)導體集(ji)(ji)成(cheng)電路的制造之(zhi)中。因為使(shi)用soi襯底的優(you)點在(zai)于(yu)可以減少(shao)晶(jing)體管的漏極與襯底之(zhi)間的寄生(sheng)電容，藉此(ci)提(ti)高半(ban)導體集(ji)(ji)成(cheng)電路的效能。

關于(yu)半導(dao)體組件(jian)的(de)制造(zao)方法(fa)，例如(ru)美(mei)國(guo)公告(gao)專(zhuan)利(li)第(di)5374564號是由離(li)子注(zhu)(zhu)入(ru)法(fa)對(dui)硅(gui)晶圓(yuan)進行(xing)氫(qing)離(li)子注(zhu)(zhu)入(ru)，并(bing)在(zai)預定深度之(zhi)處形成離(li)子注(zhu)(zhu)入(ru)層。接(jie)下(xia)來，將注(zhu)(zhu)入(ru)有氫(qing)離(li)子的(de)硅(gui)晶圓(yuan)與另(ling)一(yi)片(pian)硅(gui)晶圓(yuan)接(jie)合(he)，且(qie)(qie)于(yu)兩(liang)片(pian)硅(gui)晶圓(yuan)之(zhi)間插置(zhi)有氧化硅(gui)膜。之(zhi)后，經過熱處理(li)，以離(li)子注(zhu)(zhu)入(ru)層作為(wei)分裂面(mian)，且(qie)(qie)在(zai)注(zhu)(zhu)入(ru)有氫(qing)離(li)子的(de)硅(gui)晶圓(yuan)以薄膜狀分離(li)。藉此可在(zai)接(jie)合(he)的(de)硅(gui)晶圓(yuan)之(zhi)上形成單晶硅(gui)層。又例如(ru)美(mei)國(guo)公告(gao)專(zhuan)利(li)第(di)5872387號是由在(zai)重氫(qing)環(huan)境下(xia)對(dui)于(yu)已經生(sheng)長好柵極(ji)氧化物(wu)的(de)襯(chen)(chen)底進行(xing)退(tui)火，以便消除柵極(ji)氧化物(wu)與襯(chen)(chen)底之(zhi)間的(de)懸掛鍵(danglingbond)。然(ran)而此方法(fa)必(bi)須在(zai)很高(gao)的(de)重氫(qing)環(huan)境氣(qi)壓(ya)進行(xing)，因而導(dao)致制造(zao)成本的(de)提高(gao)。

因此(ci)，目前有需(xu)要一(yi)種改良的(de)絕緣層上頂層硅襯底(di)的(de)制造方(fang)法，至少可改善上述的(de)缺失(shi)。

技術實現要素：

本發明提供一(yi)種絕緣層(ceng)(ceng)上頂層(ceng)(ceng)硅襯底及其(qi)制(zhi)造(zao)(zao)方法，可(ke)以減少(shao)晶體管的(de)漏極(ji)與襯底之間的(de)寄生電容，以及降低制(zhi)造(zao)(zao)成本。

依據本發明一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)實施例，提供(gong)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)頂(ding)(ding)層(ceng)(ceng)硅襯(chen)(chen)底(di)的(de)(de)(de)(de)制(zhi)造(zao)方(fang)法，包(bao)括：提供(gong)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)；在(zai)該(gai)(gai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)的(de)(de)(de)(de)頂(ding)(ding)面(mian)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)；對(dui)該(gai)(gai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)進行離子束注入，以(yi)(yi)便(bian)在(zai)距離該(gai)(gai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)頂(ding)(ding)面(mian)的(de)(de)(de)(de)預(yu)定深度 處形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻雜層(ceng)(ceng)；提供(gong)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)；在(zai)該(gai)(gai)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)的(de)(de)(de)(de)頂(ding)(ding)面(mian)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)第(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)；將(jiang)該(gai)(gai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)面(mian)對(dui)面(mian)地接合于該(gai)(gai)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)；在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)重氫(qing)氣(qi)壓環境(jing)下(xia)，對(dui)該(gai)(gai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)以(yi)(yi)及(ji)該(gai)(gai)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)進行退火；以(yi)(yi)及(ji)將(jiang)部分的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)分離于該(gai)(gai)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)，以(yi)(yi)便(bian)在(zai)該(gai)(gai)第(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)之上(shang)(shang)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)摻雜有重氫(qing)的(de)(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(ceng)。

所述的絕緣層上頂層硅襯(chen)底的制造(zao)方(fang)法，其中該第(di)一半(ban)導體襯(chen)底包(bao)含(han)iv族元素、sige、iii-v族化合(he)物、iii族-氮化合(he)物或ii-v族化合(he)物。

所述(shu)的(de)絕緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯底(di)的(de)制造方(fang)法，其中該預(yu)定深度(du)介于0.01um至5um。

所述的絕緣層上頂層硅襯底的制造方法，其中該離子束為氫離子束，該氫離子束的加速電壓介于1kev至200kev，而該氫離子束的摻雜劑量介于1×10¹⁶氫離子個數/cm²至2×10¹⁷氫離子個數/cm²。

所(suo)述(shu)的絕緣(yuan)層(ceng)上頂(ding)層(ceng)硅襯(chen)底的制造方法(fa)，其中該第二(er)半導體襯(chen)底包(bao)含iv族元素、sige、iii-v族化(hua)合(he)物(wu)(wu)、iii族-氮化(hua)合(he)物(wu)(wu)或ii-v族化(hua)合(he)物(wu)(wu)。

所述的絕緣層(ceng)上(shang)頂層(ceng)硅襯底的制造方(fang)法(fa)，其中該第一半導體襯底以(yi)及該第二(er)半導體于(yu)介于(yu)攝氏200度～400度進行接合(he)。

所述的(de)(de)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)上頂層(ceng)硅(gui)襯底(di)的(de)(de)制造方法，其中該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)一(yi)半導體襯底(di)以及(ji)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)半導體襯底(di)進行接(jie)合(he)的(de)(de)步驟包(bao)括(kuo)：潤濕該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)以及(ji)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)；將潤濕后(hou)的(de)(de)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)與(yu)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)相互(hu)接(jie)觸(chu)；以及(ji)施壓于(yu)相互(hu)接(jie)觸(chu)的(de)(de)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)以及(ji)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)，使得該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)一(yi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)接(jie)合(he)于(yu)該(gai)(gai)(gai)第(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)之上。

所述的絕緣(yuan)層上頂(ding)層硅襯底的制造方法(fa)，其中(zhong)該重氫環境氣壓介于10托爾～1000托爾。

所述的絕緣層上頂層硅襯底的制造方法，其中該半導體層所摻雜的重氫濃度介于1×10¹⁰重氫原子個數/cm³～8×10¹⁸重氫離子個數/cm³。

所(suo)述的絕緣層上(shang)頂層硅襯底(di)的制造方法，其(qi)中(zhong)該退火步驟包(bao)括(kuo)：先加熱該第(di)一(yi)半(ban)(ban)導體襯底(di)以及該第(di)二(er)半(ban)(ban)導體襯底(di)至(zhi)攝(she)氏(shi)600度(du)(du)～1200度(du)(du)；接(jie)著冷卻(que)該第(di)一(yi)半(ban)(ban)導體襯底(di)以及該第(di)二(er)半(ban)(ban)導體襯底(di)至(zhi)攝(she)氏(shi)400度(du)(du)～600度(du)(du)。

所述(shu)的絕緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯(chen)底(di)的制造方法，其(qi)中(zhong)加熱該第一半導體襯(chen)底(di)以及該第二半導體襯(chen)底(di)的時(shi)間介于(yu)0.5小時(shi)～8小時(shi)。

所述的(de)絕緣(yuan)層上(shang)頂層硅襯底(di)的(de)制造(zao)方(fang)法，其中冷卻該第(di)一半(ban)導體襯底(di)以及(ji)該第(di)二(er)半(ban)導體襯底(di)的(de)時間介于30分(fen)鐘(zhong)～120分(fen)鐘(zhong)。

所述的(de)絕緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯(chen)底的(de)制(zhi)造方法，其中該摻雜有重氫的(de)半導體(ti)層(ceng)的(de)厚度(du)介于(yu)50埃(ai)～50000埃(ai)。

所述的(de)絕緣層上頂層硅襯(chen)底的(de)制造方法(fa)，包括該第一半(ban)(ban)導體(ti)(ti)襯(chen)底分離于該第二半(ban)(ban)導體(ti)(ti)襯(chen)底之后，再度加熱該第二半(ban)(ban)導體(ti)(ti)襯(chen)底至攝氏600度～1200度。

所(suo)述(shu)的絕緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯底(di)的制造方(fang)法，其中加熱該第二半(ban)導體(ti)襯底(di)之時間(jian)介于30分(fen)鐘(zhong)～8小時。

依據本(ben)發明一(yi)實(shi)施(shi)例，提(ti)供一(yi)種絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上頂(ding)(ding)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)硅襯(chen)底(di)，包括：一(yi)半導體襯(chen)底(di)；一(yi)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，該(gai)(gai)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)接(jie)合于(yu)(yu)該(gai)(gai)半導體襯(chen)底(di)的(de)頂(ding)(ding)面；以及(ji)一(yi)摻(chan)(chan)雜有重氫的(de)半導體層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，該(gai)(gai)摻(chan)(chan)雜有重氫的(de)半導體層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)接(jie)合于(yu)(yu)該(gai)(gai)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)頂(ding)(ding)面。

所述的絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)上頂層(ceng)(ceng)硅襯(chen)底，其中該半導體襯(chen)底包含有(you)iv族元素(su)、sige、iii-v族化(hua)合(he)物(wu)、iii族-氮化(hua)合(he)物(wu)或ii-v族化(hua)合(he)物(wu)。

所述的(de)絕緣層上頂層硅襯底，其中該摻(chan)雜(za)有重氫的(de)半導體層的(de)厚度介于50埃(ai)～50000埃(ai)。

附圖說明

圖1為本發明提供的絕緣層上頂(ding)層硅襯(chen)底的制造方法的流程圖。

圖(tu)2a-2h為制造絕緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯底的(de)剖視圖(tu)。

具體實施方式

下面結(jie)合說明(ming)(ming)書附圖和優選實施例(li)對(dui)本發明(ming)(ming)作進一步的描述，但(dan)本發明(ming)(ming)的實施方式(shi)不(bu)限于此(ci)。

參閱圖1，為提供一實施例的絕緣層(ceng)上頂(ding)層(ceng)硅襯底(di)的制造(zao)方(fang)法，包括下列步(bu)驟：

s101：提供一第一半(ban)導體襯(chen)底

s102：形成一(yi)第一(yi)絕緣(yuan)層于第一(yi)半(ban)導體襯底的頂面；

s103：以氫氣為來源氣體，對第一(yi)半導體襯底注入氫離子束(shu)，以便在距(ju)離第一(yi)絕緣層的頂面的預定深度處形成一(yi)氫摻雜(za)層；

s104：提供一第二(er)半導(dao)體(ti)襯(chen)底；

s105：形成一第二絕緣(yuan)層于第二半(ban)導(dao)體襯底的(de)頂面；

s106：將(jiang)第一半(ban)導體襯底面(mian)對面(mian)地接合于該第二半(ban)導體襯底；

s107：在一(yi)重(zhong)氫氣壓環境(jing)(deuteriumatmosphere)下，對相(xiang)互接合的第一(yi)半導體襯底(di)與(yu)第二半導體襯底(di)進(jin)行退火；

s108：將(jiang)部分的第一半(ban)導體(ti)襯底分離于第二半(ban)導體(ti)襯底；以(yi)及(ji)

s109：在(zai)第二半(ban)(ban)導(dao)體襯底之上形成一摻(chan)雜有重氫的半(ban)(ban)導(dao)體層。

s110：回收利用(yong)分(fen)離后(hou)的第一半導(dao)體襯底。

為(wei)了更(geng)具體地闡述圖1的絕(jue)緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯底的制造方法(fa)，請參照圖2a-2g，為(wei)提供本發明一實(shi)施例所(suo)提供的制造絕(jue)緣層(ceng)上頂層(ceng)硅襯底的剖視圖。

首(shou)先，參照第(di)(di)2a圖，制備一(yi)第(di)(di)一(yi)半導(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)100，其中第(di)(di)一(yi)半導(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)100的(de)(de)材料可包含iv族(zu)元素(su)、sige、iii-v族(zu)元素(su)、iii族(zu)-氮化(hua)合物(wu)或ii-v族(zu)化(hua)合物(wu)。在本實施(shi)例(li)中，第(di)(di)一(yi)半導(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)100使用(yong)單晶硅。在其他實施(shi)例(li)中，當第(di)(di)一(yi)半導(dao)體(ti)襯(chen)(chen)底(di)100的(de)(de)材料為(wei)sige時(shi)，ge的(de)(de)重量百分比(bi)介(jie)于5％～90％。

接下(xia)來，參(can)照(zhao)圖2b，在(zai)(zai)該(gai)第(di)一(yi)(yi)半導體襯底100的頂(ding)面102形成一(yi)(yi)第(di)一(yi)(yi)絕緣層104，其中第(di)一(yi)(yi)絕緣層104的材(cai)料可包含(han)sio2、sin或aln。在(zai)(zai)本實施例中，第(di)一(yi)(yi)絕緣層104使用sio2，且其厚(hou)度大約介于0.1nm～500nm。

接著，參照圖2c，可以重氫或氫氣作為來源氣體，透過電場作用而產生來源氣體的等離子體，并從等離子體中取出包含在等離子體中的離子來予以生成來源氣體的離子束。在本實施例中，采用氫氣作為來源氣體，對第一半導體襯底100注入氫離子束108，以便于距離第一絕緣層104的頂面110的預定深度h處形成一氫摻雜層112，該預定深度h可藉由氫離子束108的加速能量以及入射角來控制，至于加速能量可藉由加速電壓以及摻雜劑量來控制。在本實施例中，預定深度h介于0.01um～5um，加速電壓介于1kev～200kev，而氫離子束的摻雜劑量介于1×10¹⁶氫離子/cm²至2×10¹⁷氫離子/cm²之間。

下面，參(can)照圖2d，制備一第二(er)半導體(ti)襯底(di)200，其中第二(er)半導體(ti)襯底(di)200的(de)(de)材(cai)料可包含(han)iv族(zu)元素、sige、iii-v族(zu)化(hua)(hua)合物、iii族(zu)-氮化(hua)(hua)合物或(huo)ii-v族(zu)化(hua)(hua)合物。在本實施(shi)例中，第二(er)半導體(ti)襯底(di)200的(de)(de)材(cai)料為單晶硅。

接下來(lai)，參照圖(tu)2e，在該(gai)第二(er)半導體襯底200的(de)頂面(mian)202形成(cheng)一第二(er)絕緣(yuan) 層204，其中該(gai)第二(er)絕緣(yuan)層204可包含sio2、sin或aln。在本(ben)實(shi)施例中，第二(er)絕緣(yuan)層204使用sio2，且其厚度大(da)約介于0.05nm至(zhi)10nm。

接著，參照圖2f，將第一(yi)(yi)半導(dao)體襯(chen)底(di)100面對面地接合(bonding)于第二(er)半導(dao)體襯(chen)底(di)200。在(zai)本(ben)實施例(li)中(zhong)，采用(yong)親水性接合(hydrophilicbonding)的(de)(de)(de)方式，接合時的(de)(de)(de)溫(wen)度(du)介于攝(she)氏200度(du)～400度(du)，其中(zhong)接合的(de)(de)(de)詳細步(bu)驟更包括：首先濕潤第一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)104與(yu)(yu)(yu)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)204；接著將濕潤后的(de)(de)(de)第一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)104與(yu)(yu)(yu)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)204相互接觸；以及最后施壓于第一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)104與(yu)(yu)(yu)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)204，使(shi)得第一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)104與(yu)(yu)(yu)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)204緊密(mi)地相互接合。

下面，參照圖2g，在一重氫(qing)氣(qi)壓環境(deuteriumatmosphere)下，對相互接(jie)合的第一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)100以及該第二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)200進行退火(annealing)。在本(ben)(ben)實施(shi)例中，重氫(qing)氣(qi)壓環境介(jie)于(yu)10托(tuo)爾～1000托(tuo)爾，而(er)(er)退火的詳細步驟包括：首(shou)先加(jia)熱該第一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)100與(yu)(yu)第二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)200至(zhi)攝氏600度(du)～1200度(du)，而(er)(er)加(jia)熱時(shi)間大約介(jie)于(yu)0.5小時(shi)～8小時(shi)；接(jie)著，冷(leng)卻第一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)100與(yu)(yu)第二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)襯(chen)(chen)(chen)底(di)(di)(di)200至(zhi)攝氏400度(du)～600度(du)，而(er)(er)冷(leng)卻時(shi)間大約30分鐘～120分鐘。經過退火后，原本(ben)(ben)相連的氫(qing)摻雜(za)層112會分裂為多(duo)個相互間隔的重氫(qing)摻雜(za)氣(qi)泡區塊(kuai)300(bubbleformation)。

接著，參照圖2h，將部分的第一半導體襯底100分離于該第二半導體襯底200，以便形成一包含有該些重氫摻雜氣泡區塊300的半導體層400于相互接合的第一絕緣層104與第二絕緣層204之上，而該半導體層所摻雜的重氫濃度介于1×10¹⁰重氫原子個數/cm³至8×10¹⁸重氫原子個數/cm³之間。

值(zhi)得一提的(de)，分離(li)后的(de)第一半(ban)(ban)導(dao)體襯底100，更可進(jin)一步進(jin)行化學機械研磨(cmp)與清洗(clean)，使得分離(li)后的(de)第一半(ban)(ban)導(dao)體襯底100得以(yi)回收利用(yong)，達到節省成本之(zhi)效(xiao)果。至(zhi)于接合(he)有半(ban)(ban)導(dao)體層400的(de)第二半(ban)(ban)導(dao)體襯底200可進(jin)行再度(du)加(jia)熱(re)至(zhi)攝氏600度(du)～1200度(du)，而再度(du)加(jia)熱(re)時間介(jie)于30分鐘～8小時。

由(you)(you)于懸(xuan)掛鍵(danglingbond)含有(you)極(ji)高的(de)(de)活性，容(rong)易形成陷阱中心(trapcenter)，造(zao)(zao)成電(dian)子(zi)(zi)空穴對(dui)的(de)(de)再度結(jie)合(he)，因而降低半(ban)導體(ti)組(zu)(zu)件對(dui)于熱(re)載(zai)(zai)流(liu)子(zi)(zi)效應載(zai)(zai)流(liu)子(zi)(zi)的(de)(de)恢復力。藉(jie)由(you)(you)本(ben)發明所提供的(de)(de)絕緣層(ceng)上頂(ding)層(ceng)硅襯(chen)底(di)(di)來制造(zao)(zao)半(ban)導體(ti)組(zu)(zu)件，除了可以減(jian)少(shao)晶(jing)體(ti)管的(de)(de)漏(lou)極(ji)與襯(chen)底(di)(di)之(zhi)間的(de)(de)寄生電(dian)容(rong)之(zhi)外(wai)(wai)。將(jiang)來于絕緣層(ceng)上頂(ding)層(ceng)硅襯(chen)底(di)(di)生長(chang)柵(zha)極(ji)氧化(hua)物時(shi)，摻雜于襯(chen)底(di)(di)內的(de)(de)重(zhong)氫(qing)(qing)原子(zi)(zi)(或(huo)重(zhong)氫(qing)(qing)離子(zi)(zi))會(hui)向外(wai)(wai)擴散至 柵(zha)極(ji)氧化(hua)物與該襯(chen)底(di)(di)之(zhi)間的(de)(de)接口與半(ban)導體(ti)原子(zi)(zi)共價鍵結(jie)(covalentlybound)，以便消(xiao)除懸(xuan)掛鍵而有(you)效率地提升半(ban)導體(ti)組(zu)(zu)件對(dui)于熱(re)載(zai)(zai)流(liu)子(zi)(zi)效應(hotcarriereffect載(zai)(zai)流(liu)子(zi)(zi)的(de)(de)恢復力(resilience)。再者，由(you)(you)于不需要很高的(de)(de)重(zhong)氫(qing)(qing)氣(qi)壓，制造(zao)(zao)成本(ben)大(da)大(da)降低。

以上所揭露的僅為本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的優選實施(shi)例而已，當然(ran)不(bu)能以此來限(xian)定本(ben)發(fa)明(ming)(ming)之權利(li)范(fan)圍，因(yin)此依本(ben)發(fa)明(ming)(ming)申請專利(li)范(fan)圍所作的等同變化，仍屬本(ben)發(fa)明(ming)(ming)所涵蓋的范(fan)圍。