本發明涉及(ji)一種(zhong)封裝(zhuang)件及(ji)其(qi)制造(zao)方法，更具體(ti)地，涉及(ji)一種(zhong)包含(han)兩個再布線層的封裝(zhuang)件及(ji)其(qi)制造(zao)方法。

背景技術：

堆疊封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(Package on Package，POP)可(ke)以(yi)通過將兩個或更(geng)多個封(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)彼此(ci)堆疊，將其組(zu)合成單個封(feng)裝(zhuang)(zhuang)結構(gou)來減小集成電(dian)路所需的系統電(dian)路板面(mian)積，從而(er)實現(xian)更(geng)大的集成電(dian)路密度和(he)更(geng)大的封(feng)裝(zhuang)(zhuang)密度。然而(er)，POP封(feng)裝(zhuang)(zhuang)結構(gou)由于其頂(ding)部(bu)(bu)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)的熱膨(peng)脹系數(CTE)高且底部(bu)(bu)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)的熱膨(peng)脹系數低而(er)可(ke)能發生(sheng)翹(qiao)曲，因此(ci)可(ke)能導致POP封(feng)裝(zhuang)(zhuang)結構(gou)失效或性能降低等(deng)。

晶圓(yuan)(yuan)(yuan)級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(Wafer Level Package，WLP)是對(dui)整(zheng)片(pian)(pian)(pian)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)進行(xing)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)測試后(hou)再切(qie)割成單(dan)(dan)個成品芯片(pian)(pian)(pian)，因此又(you)可稱為圓(yuan)(yuan)(yuan)片(pian)(pian)(pian)級-芯片(pian)(pian)(pian)尺(chi)寸(cun)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(WLP-CSP)。晶圓(yuan)(yuan)(yuan)級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)可以實現高(gao)度微型化，器件成本隨著器件尺(chi)寸(cun)的(de)減小(xiao)和晶圓(yuan)(yuan)(yuan)尺(chi)寸(cun)的(de)增大而顯著降低(di)。但是由于采用晶圓(yuan)(yuan)(yuan)級芯片(pian)(pian)(pian)尺(chi)寸(cun)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術封(feng)裝(zhuang)(zhuang)后(hou)的(de)芯片(pian)(pian)(pian)功能較為單(dan)(dan)一(yi)，需要封(feng)裝(zhuang)(zhuang)后(hou)另外(wai)加上外(wai)圍電路來實現完整(zheng)的(de)系統功能。

技術實現要素：

為了解決上述問題，本申請采用(yong)(yong)系統級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(System in a Package，SIP)將包括應(ying)用(yong)(yong)處理(li)器、存(cun)儲(chu)器等多種(zhong)功能(neng)芯片集(ji)成在一個封(feng)裝(zhuang)(zhuang)結構內，同時滿足應(ying)用(yong)(yong)處理(li)器(AP)所需(xu)要的(de)小跡線(xian)間距(trace pitch)和存(cun)儲(chu)器所需(xu)要的(de)大跡線(xian)間距，工(gong)藝簡單、成本低、封(feng)裝(zhuang)(zhuang)件薄。

本(ben)發明提供了一(yi)(yi)(yi)(yi)種封(feng)裝件，所述封(feng)裝件可以(yi)包括(kuo)：第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)，位(wei)于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)并且(qie)電連(lian)(lian)接到第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)；第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)，位(wei)于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)上(shang)；第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)，位(wei)于第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)上(shang)方并且(qie)與第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)電連(lian)(lian)接；塑封(feng)層(ceng)(ceng)(ceng)，將第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)密封(feng)；其中，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間設置有第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)(shu)柱，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)通(tong)過第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)(shu)柱電連(lian)(lian)接，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)之(zhi)間設置有絕緣(yuan)粘合層(ceng)(ceng)(ceng)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間設置有第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)(shu)柱，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)通(tong)過第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)(shu)柱、第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)再(zai)布(bu)(bu)線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)和第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)金(jin)屬(shu)(shu)柱電連(lian)(lian)接。

根據本發明的(de)示(shi)例性(xing)實施例，連接第一再(zai)布線層(ceng)和第二再(zai)布線層(ceng)的(de)第一金(jin)屬柱可(ke)以穿(chuan)透塑封層(ceng)。

根據本發明(ming)的示例性(xing)實施例，所述封裝件(jian)還(huan)可(ke)以包括(kuo)將(jiang)第一再(zai)布(bu)線層與外部連接的焊球。

根據本發明的(de)示(shi)例性(xing)實施例，第(di)(di)一芯片可以(yi)通過焊料凸起與第(di)(di)一再布線層電連接(jie)。

根據本發明的示例性實施例，第二芯片可(ke)以設(she)置為多個。

根據(ju)本(ben)發(fa)明的示(shi)例性實施例，第(di)一芯(xin)片(pian)(pian)與第(di)二芯(xin)片(pian)(pian)的類型可(ke)以不同和/或尺寸(cun)可(ke)以不同。

本發明(ming)提供了一種制造封裝件的(de)方(fang)法，所述方(fang)法可以(yi)包括以(yi)下工藝(yi)：

(1)在載板上設置第(di)(di)一(yi)再(zai)布線層(ceng)，第(di)(di)一(yi)再(zai)布線層(ceng)包括第(di)(di)一(yi)介電層(ceng)和第(di)(di)一(yi)金屬線，第(di)(di)一(yi)介電層(ceng)具有暴露第(di)(di)一(yi)金屬線的開口(kou)；

(2)將第(di)一(yi)芯片(pian)附著到設(she)置有(you)第(di)一(yi)再布(bu)(bu)線層的(de)載板(ban)上，第(di)一(yi)芯片(pian)通過焊料凸(tu)起與第(di)一(yi)再布(bu)(bu)線層電連接；

(3)在(zai)第(di)一芯(xin)片(pian)上(shang)設置第(di)二芯(xin)片(pian)，第(di)二芯(xin)片(pian)與(yu)第(di)一芯(xin)片(pian)之間設置有絕(jue)緣粘合層；

(4)在第(di)一(yi)再布(bu)線層上設置第(di)一(yi)金屬(shu)柱(zhu)，在第(di)二芯片(pian)上設置第(di)二金屬(shu)柱(zhu)；

(5)使用塑封(feng)(feng)層(ceng)(ceng)將第一芯片、第二(er)(er)芯片、第一再布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)、第一金屬柱(zhu)和(he)第二(er)(er)金屬柱(zhu)密封(feng)(feng)，并(bing)且對塑封(feng)(feng)層(ceng)(ceng)進行蝕刻，從而暴露第一金屬柱(zhu)和(he)第二(er)(er)金屬柱(zhu)；

(6)在暴露的第(di)(di)(di)一金(jin)(jin)屬(shu)柱和(he)第(di)(di)(di)二金(jin)(jin)屬(shu)柱的上(shang)表(biao)面(mian)上(shang)設置第(di)(di)(di)二再(zai)布(bu)線層(ceng)，使第(di)(di)(di)二芯片通過第(di)(di)(di)二金(jin)(jin)屬(shu)柱、第(di)(di)(di)二再(zai)布(bu)線層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)一金(jin)(jin)屬(shu)柱電連接到第(di)(di)(di)一再(zai)布(bu)線層(ceng)，第(di)(di)(di)二再(zai)布(bu)線層(ceng)包括第(di)(di)(di)二介電層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)二金(jin)(jin)屬(shu)線。

根據(ju)本發明的(de)(de)示例性實施(shi)例，所述方法還可以包括通過蝕刻(ke)去除載板(ban)以暴(bao)露(lu)第(di)一(yi)(yi)再(zai)(zai)布線(xian)層(ceng)，并且在第(di)一(yi)(yi)再(zai)(zai)布線(xian)層(ceng)的(de)(de)暴(bao)露(lu)的(de)(de)表(biao)面上設(she)置(zhi)焊球(qiu)。

根據本發明的示(shi)例(li)(li)性(xing)實施例(li)(li)，第二芯片可(ke)以設置為多個。

根據(ju)本發明的示(shi)例性實施例，第一芯片與第二芯片的類型可以(yi)不同(tong)和/或尺寸可以(yi)不同(tong)。

附圖說明

通過下面結合附圖進(jin)行(xing)的描述，本發明的上(shang)述和其(qi)(qi)他目(mu)的和特點(dian)將會變得更加清楚(chu)，其(qi)(qi)中：

圖1是示出根(gen)據本(ben)發明的(de)(de)示例性實施例的(de)(de)封裝件的(de)(de)剖視圖；

圖2至圖9是(shi)示(shi)出制造根據本發(fa)明的示(shi)例性實(shi)施(shi)例的封裝件的方法的剖(pou)視(shi)圖；

圖(tu)10是示出傳統POP封(feng)裝結構的剖視圖(tu)。

具體實施方式

在下文(wen)中(zhong)(zhong)將(jiang)參照附(fu)圖(tu)更充分(fen)地描述(shu)(shu)本(ben)發明(ming)(ming)構思，附(fu)圖(tu)中(zhong)(zhong)示(shi)出(chu)了本(ben)發明(ming)(ming)的(de)(de)實(shi)施例(li)。然而，本(ben)發明(ming)(ming)可以(yi)以(yi)許多不同(tong)形(xing)式實(shi)施并(bing)且不應該解釋為受限(xian)于這里闡述(shu)(shu)的(de)(de)實(shi)施例(li)。相反，提供這些(xie)實(shi)施例(li)使得(de)本(ben)公開將(jiang)是(shi)徹(che)底的(de)(de)和(he)完(wan)整的(de)(de)，并(bing)且將(jiang)本(ben)發明(ming)(ming)的(de)(de)范(fan)圍充分(fen)地傳達(da)給本(ben)領域(yu)(yu)的(de)(de)技術人員。在附(fu)圖(tu)中(zhong)(zhong)，為了清(qing)楚，層和(he)區域(yu)(yu)的(de)(de)尺寸(cun)和(he)相對尺寸(cun)可以(yi)被夸大。附(fu)圖(tu)本(ben)質(zhi)上也是(shi)示(shi)意性的(de)(de)。在整個附(fu)圖(tu)中(zhong)(zhong)，同(tong)樣的(de)(de)附(fu)圖(tu)標記(ji)表示(shi)同(tong)樣的(de)(de)元件。

在(zai)這(zhe)里所(suo)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)術語(yu)是(shi)僅用(yong)于描述具體實施例(li)的(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)并且不意(yi)圖限制本發明(ming)。如在(zai)這(zhe)里所(suo)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)，除(chu)非上下(xia)文另有清楚地指示，否則單(dan)數形(xing)式(shi)“一個(ge)(ge)”、“一種(zhong)”、“該”和(he)(he)“所(suo)述”也(ye)意(yi)圖包(bao)括復數形(xing)式(shi)。還(huan)將理解的(de)(de)(de)(de)是(shi)，當在(zai)本說(shuo)明(ming)書(shu)中使用(yong)術語(yu)“包(bao)括”和(he)(he)/或(huo)(huo)“包(bao)含”時，說(shuo)明(ming)存在(zai)陳述的(de)(de)(de)(de)特征(zheng)、區域(yu)、整(zheng)體、步驟、操(cao)作、元(yuan)件(jian)和(he)(he)/或(huo)(huo)組件(jian)，但是(shi)不排除(chu)存在(zai)或(huo)(huo)添加一個(ge)(ge)或(huo)(huo)更多個(ge)(ge)其(qi)他的(de)(de)(de)(de)特征(zheng)、區域(yu)、整(zheng)體、步驟、操(cao)作、元(yuan)件(jian)、組件(jian)和(he)(he)/或(huo)(huo)它們的(de)(de)(de)(de)組。

現在將在下(xia)文中參照附圖更充分地(di)描述本發明。

圖1是示出(chu)根據本發明(ming)的(de)示例(li)性實施例(li)的(de)封(feng)裝件10的(de)剖視圖。

參照圖1，根據(ju)示(shi)例性實施例的封(feng)裝件10包(bao)括第一(yi)(yi)芯片(pian)140和第二芯片(pian)160、第一(yi)(yi)再布線層和第二再布線層以及塑(su)封(feng)層190。

在(zai)(zai)根據示(shi)(shi)例(li)性(xing)實施例(li)的封裝件(jian)10中(zhong)，第(di)(di)一芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)140可以是應(ying)用處理器(AP)，第(di)(di)二(er)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)160可以是存儲器，但是本示(shi)(shi)例(li)性(xing)實施例(li)不(bu)限于此。第(di)(di)一芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)140和第(di)(di)二(er)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)160的類型可以相同(tong)，也可以不(bu)同(tong)。第(di)(di)二(er)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)160堆(dui)疊在(zai)(zai)第(di)(di)一芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)140上，它(ta)們之間設(she)置有(you)絕(jue)緣粘合(he)層150。盡管(guan)圖1中(zhong)示(shi)(shi)出(chu)了一個第(di)(di)二(er)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)160設(she)置在(zai)(zai)第(di)(di)一芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)140上，但是本發明不(bu)限于此，可以將多個第(di)(di)二(er)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)設(she)置在(zai)(zai)第(di)(di)一芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)上。

第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布線(xian)(xian)層設(she)置在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)芯片140的(de)下方，通過焊料凸起130與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)芯片140電(dian)(dian)連接。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布線(xian)(xian)層包(bao)括第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)110和位于(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)110上的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介電(dian)(dian)層120。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)110的(de)材料可(ke)以(yi)包(bao)括銅、鋁(lv)、鎳、金(jin)(jin)、銀、鈦中(zhong)的(de)一(yi)(yi)(yi)種或其組(zu)合。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介電(dian)(dian)層120的(de)材料可(ke)以(yi)包(bao)括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃以(yi)及含氟玻璃中(zhong)的(de)至少一(yi)(yi)(yi)種，但是(shi)本(ben)發明不限(xian)于(yu)此。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)介電(dian)(dian)層120具有暴露第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)110的(de)開口OP。

第(di)(di)二(er)(er)(er)再布線(xian)(xian)層(ceng)設置(zhi)在(zai)第(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160的(de)上方，通過第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬柱200與第(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160電連接。第(di)(di)二(er)(er)(er)再布線(xian)(xian)層(ceng)包(bao)括(kuo)第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬線(xian)(xian)210和位于第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬線(xian)(xian)210上的(de)第(di)(di)二(er)(er)(er)介電層(ceng)220。第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬線(xian)(xian)210可以(yi)包(bao)括(kuo)銅、鋁、鎳、金(jin)(jin)、銀、鈦(tai)中的(de)一種或其組合。第(di)(di)二(er)(er)(er)介電層(ceng)220可以(yi)包(bao)括(kuo)環氧(yang)樹脂、硅(gui)膠、PI、PBO、BCB、氧(yang)化(hua)硅(gui)、磷硅(gui)玻璃(li)以(yi)及含氟(fu)玻璃(li)中的(de)至少一種，但(dan)是本(ben)發明不(bu)限于此。

塑(su)封(feng)層190將第一芯(xin)片140和第二(er)芯(xin)片160塑(su)封(feng)在(zai)其內部。塑(su)封(feng)層190可(ke)以一次模塑(su)成型，并且可(ke)以包括甲基(ji)丙烯酸甲酯(zhi)-苯乙烯共聚物、酚醛環(huan)氧(yang)樹脂(zhi)(zhi)、甲酚甲醛環(huan)氧(yang)樹脂(zhi)(zhi)、溴化酚醛環(huan)氧(yang)樹脂(zhi)(zhi)等中(zhong)(zhong)的任意一種或幾種，但本(ben)發明中(zhong)(zhong)形成塑(su)封(feng)層的材料(liao)不限于此。

第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)和(he)第(di)(di)二(er)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)之間(jian)可以設置有第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)柱(zhu)(zhu)180，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)柱(zhu)(zhu)穿(chuan)透塑封(feng)層(ceng)190，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)和(he)第(di)(di)二(er)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)通(tong)(tong)過(guo)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)柱(zhu)(zhu)180電(dian)連(lian)(lian)接。因此，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)芯(xin)片140和(he)第(di)(di)二(er)芯(xin)片160可以通(tong)(tong)過(guo)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)和(he)第(di)(di)二(er)再布(bu)線(xian)(xian)(xian)層(ceng)以及焊料凸起(qi)130、第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)柱(zhu)(zhu)180和(he)第(di)(di)二(er)金(jin)屬(shu)柱(zhu)(zhu)200彼此電(dian)連(lian)(lian)接。

第一再布(bu)線(xian)層(ceng)的(de)下(xia)表面上可(ke)以(yi)設置(zhi)有多(duo)個焊(han)球230，以(yi)與(yu)外部裝置(zhi)連接。焊(han)球可(ke)以(yi)設置(zhi)在金屬(shu)柱180正下(xia)方(fang)。

盡(jin)管在圖中示出(chu)了第(di)(di)二(er)芯片(pian)通過金(jin)屬柱與(yu)第(di)(di)二(er)再布線電連(lian)接(jie)，但是(shi)根據本發明的(de)示例(li)性實施例(li)，第(di)(di)二(er)芯片(pian)可以通過諸如焊料(liao)凸起(qi)等(deng)與(yu)第(di)(di)二(er)再布線電連(lian)接(jie)。

圖2至圖9是示出制造根據本(ben)發明的示例(li)性實(shi)施例(li)的封裝件的方法的剖(pou)視圖。

參照圖2，在諸如硅(gui)的(de)(de)載板100上(shang)設置(zhi)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)布(bu)線(xian)(xian)層。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)布(bu)線(xian)(xian)層包括(kuo)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線(xian)(xian)110和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)介電層120，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)介電層120設置(zhi)在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線(xian)(xian)110上(shang)。在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)介電層120上(shang)設置(zhi)暴露第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線(xian)(xian)110的(de)(de)多個開口OP。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)介電層120的(de)(de)材(cai)料(liao)可以包括(kuo)環氧(yang)樹(shu)脂、硅(gui)膠、PI、PBO、BCB、氧(yang)化(hua)硅(gui)、磷硅(gui)玻(bo)璃以及含氟玻(bo)璃中(zhong)的(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)種(zhong)，但(dan)是本發明(ming)不限于(yu)此。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線(xian)(xian)110的(de)(de)材(cai)料(liao)可以包括(kuo)銅、鋁、鎳、金(jin)、銀(yin)、鈦(tai)中(zhong)的(de)(de)一(yi)(yi)種(zhong)或其組(zu)合。

參照圖3，采(cai)用(yong)倒裝芯(xin)片方法(fa)將第(di)(di)一(yi)(yi)芯(xin)片140附著到設(she)置有第(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)布(bu)線(xian)層的載板100上(shang)。將焊料(liao)凸(tu)(tu)起130設(she)置在第(di)(di)一(yi)(yi)芯(xin)片140與第(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)布(bu)線(xian)層之間，即，將焊料(liao)凸(tu)(tu)起130設(she)置在第(di)(di)一(yi)(yi)介電層120的開口OP中，使得第(di)(di)一(yi)(yi)芯(xin)片140通過焊料(liao)凸(tu)(tu)起130與第(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)布(bu)線(xian)層電連接。第(di)(di)一(yi)(yi)芯(xin)片140可以(yi)是應用(yong)處理(li)器，但(dan)本發明(ming)不限于此(ci)。

如圖4所(suo)示，通過(guo)使用絕緣粘(zhan)合層(ceng)150將第(di)二芯(xin)片(pian)160附著到(dao)第(di)一芯(xin)片(pian)140上。第(di)二芯(xin)片(pian)160的尺寸可以比(bi)第(di)一芯(xin)片(pian)140的尺寸小。第(di)二芯(xin)片(pian)160可以設置為多個，并且可以是存儲器(qi)，但本發明(ming)不限(xian)于此(ci)。

參照圖5，分別在第(di)(di)一(yi)(yi)再布線層和第(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160上設(she)置(zhi)第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)180和第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)200。第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)180和第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)200可以是諸如銅柱(zhu)(zhu)、銅螺柱(zhu)(zhu)等的(de)導電材料。第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)180設(she)置(zhi)在第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線110上，第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)180通過第(di)(di)一(yi)(yi)介電層120中的(de)開口OP與第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬線110電連接。第(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)屬柱(zhu)(zhu)200與焊料凸起(qi)170對(dui)應地設(she)置(zhi)在第(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160上。

參(can)照圖6，可以通過模塑(su)成(cheng)(cheng)型(xing)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)塑(su)封(feng)(feng)(feng)層(ceng)190，從而密封(feng)(feng)(feng)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)芯片140、第(di)(di)(di)二(er)芯片160、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬柱(zhu)180和第(di)(di)(di)二(er)金(jin)屬柱(zhu)200。在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)芯片140與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)再布線層(ceng)之(zhi)間也設(she)置有塑(su)封(feng)(feng)(feng)層(ceng)190。塑(su)封(feng)(feng)(feng)層(ceng)190可以一(yi)(yi)(yi)次模塑(su)成(cheng)(cheng)型(xing)，并(bing)且(qie)可以包括甲基丙(bing)烯(xi)酸(suan)甲酯-苯乙(yi)烯(xi)共(gong)聚(ju)物、酚(fen)醛(quan)環(huan)氧(yang)樹(shu)脂、甲酚(fen)甲醛(quan)環(huan)氧(yang)樹(shu)脂、溴化酚(fen)醛(quan)環(huan)氧(yang)樹(shu)脂等(deng)中的(de)任意(yi)一(yi)(yi)(yi)種或幾種，但(dan)本發明中形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)塑(su)封(feng)(feng)(feng)層(ceng)的(de)材料不限于此。

參照圖7，對塑(su)封層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)190進行蝕(shi)刻以(yi)暴露第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)180和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)200。如圖8所示，在(zai)塑(su)封層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)190的上(shang)表面(mian)上(shang)設置(zhi)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包括第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)210和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)介電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)220。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)180和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)200接觸，從而第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可以(yi)通過第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)180電(dian)(dian)連接，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160可以(yi)通過第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)200與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)電(dian)(dian)連接。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)芯片160還可以(yi)通過第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)200、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)(jin)屬(shu)柱(zhu)180、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)再(zai)(zai)(zai)(zai)布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和(he)焊料凸起130與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)芯片140電(dian)(dian)連接。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)介電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)220設置(zhi)在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)210上(shang)，并且第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)介電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)220可以(yi)是與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)介電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)120相同的材料。

如圖9所示，通過蝕刻去掉(diao)載板100，使(shi)得第(di)(di)一再布線(xian)(xian)(xian)層(ceng)暴露(lu)。在第(di)(di)一再布線(xian)(xian)(xian)層(ceng)下(xia)表(biao)面(mian)上設置多個(ge)焊(han)球(qiu)230，以(yi)使(shi)第(di)(di)一再布線(xian)(xian)(xian)110可(ke)以(yi)通過焊(han)球(qiu)230電連(lian)接到外部。

圖10是(shi)(shi)示出(chu)傳統(tong)POP封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)結(jie)構20的剖(pou)視圖。根據(ju)圖10可以(yi)(yi)得知，POP封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)結(jie)構20可以(yi)(yi)包括第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)和第(di)(di)(di)二(er)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)可以(yi)(yi)是(shi)(shi)應用處理器，第(di)(di)(di)二(er)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)可以(yi)(yi)是(shi)(shi)存儲器。第(di)(di)(di)二(er)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)堆疊在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)上(shang)方，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)和第(di)(di)(di)二(er)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)通過焊球彼此(ci)電連接。在封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)結(jie)構20中，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)是(shi)(shi)扇(shan)出(chu)晶圓級封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)結(jie)構，第(di)(di)(di)二(er)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)件(jian)(jian)是(shi)(shi)細(xi)間(jian)距球柵陣列(FBGA)封(feng)(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)結(jie)構。

如(ru)圖(tu)1所示(shi)的(de)根據本發(fa)明的(de)示(shi)例(li)性實施例(li)的(de)封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(gou)10可(ke)以(yi)(yi)是扇出晶圓(yuan)級(ji)結(jie)構(gou)，利用(yong)兩個(ge)再布線(xian)層將第一(yi)(yi)芯片140和(he)第二芯片160共同(tong)封(feng)裝(zhuang)在(zai)一(yi)(yi)個(ge)封(feng)裝(zhuang)件中(zhong)，與圖(tu)10中(zhong)的(de)封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(gou)20相(xiang)比(bi)，工(gong)藝簡單、成本低、厚度較小(xiao)、熱膨脹系數(shu)低，從而可(ke)以(yi)(yi)改善(shan)封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(gou)的(de)翹曲等問題。并且，封(feng)裝(zhuang)件10可(ke)以(yi)(yi)同(tong)時滿足存儲器所需(xu)要的(de)大的(de)跡(ji)線(xian)間距(例(li)如(ru)，5μm)和(he)應(ying)用(yong)處理器所需(xu)要的(de)小(xiao)的(de)跡(ji)線(xian)間距(例(li)如(ru)，2μm)。因(yin)此隨著(zhu)小(xiao)型化(hua)、薄膜化(hua)以(yi)(yi)及低成本化(hua)的(de)發(fa)展趨勢，如(ru)圖(tu)1所示(shi)出的(de)封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(gou)越來越受到廣泛應(ying)用(yong)。

雖(sui)然已經參照本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)示例(li)性實施(shi)例(li)具體(ti)地示出并描(miao)(miao)述(shu)了本發(fa)明(ming)(ming)，但是(shi)(shi)(shi)本領域(yu)普通(tong)技術(shu)人員將理解，在(zai)(zai)不(bu)脫離(li)如所(suo)(suo)附(fu)權利要(yao)求和它們的(de)(de)(de)等同物所(suo)(suo)限定的(de)(de)(de)本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)精(jing)神(shen)和范(fan)圍的(de)(de)(de)情況下，可以(yi)在(zai)(zai)此做(zuo)出形式(shi)和細(xi)節上(shang)的(de)(de)(de)各種改變。應(ying)當(dang)僅(jin)僅(jin)在(zai)(zai)描(miao)(miao)述(shu)性的(de)(de)(de)意義上(shang)而(er)(er)不(bu)是(shi)(shi)(shi)出于限制的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)來(lai)(lai)考慮實施(shi)例(li)。因此，本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)范(fan)圍不(bu)是(shi)(shi)(shi)由(you)本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)具體(ti)實施(shi)方式(shi)來(lai)(lai)限定，而(er)(er)是(shi)(shi)(shi)由(you)權利要(yao)求書來(lai)(lai)限定，該范(fan)圍內的(de)(de)(de)所(suo)(suo)有差(cha)異將被(bei)解釋為包括在(zai)(zai)本發(fa)明(ming)(ming)中。