各實施方(fang)式總體上涉(she)及半導體技術，更具體地(di)，涉(she)及一種堆疊封裝及其制造方(fang)法。

背景技術：

近來，電子工業(ye)的(de)趨勢是以更低的(de)成本制造具有高可靠性的(de)產品(pin)(pin)(pin)(pin)，并且還能(neng)制造重量輕(qing)、體積小、速(su)度快、多(duo)功(gong)能(neng)且高性能(neng)的(de)產品(pin)(pin)(pin)(pin)。設(she)計這些(xie)產品(pin)(pin)(pin)(pin)時考(kao)慮的(de)重要技術之一(yi)涉及(ji)關于產品(pin)(pin)(pin)(pin)的(de)封裝組裝技術。

由于電子產品(pin)的等比例縮(suo)小(xiao)和封裝(zhuang)減(jian)小(xiao)，因此對(dui)將(jiang)多個半導體芯(xin)片安裝(zhuang)在有(you)限封裝(zhuang)內的各種(zhong)方法進行了研究。

技術實現要素：

在實施方式中，可提供堆(dui)(dui)(dui)疊封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。堆(dui)(dui)(dui)疊封(feng)裝(zhuang)(zhuang)可包括基(ji)(ji)板以(yi)及安裝(zhuang)(zhuang)在基(ji)(ji)板上(shang)方的(de)第一(yi)半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)。堆(dui)(dui)(dui)疊封(feng)裝(zhuang)(zhuang)可包括設置在基(ji)(ji)板和第一(yi)半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)上(shang)方并與基(ji)(ji)板和第一(yi)半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)分開的(de)支(zhi)承(cheng)構件(jian)。堆(dui)(dui)(dui)疊封(feng)裝(zhuang)(zhuang)可包括堆(dui)(dui)(dui)疊在支(zhi)承(cheng)構件(jian)上(shang)方的(de)多個第二半(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片(pian)。

在(zai)實施方(fang)式中，可(ke)(ke)(ke)提供制(zhi)造堆(dui)疊(die)封裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法。制(zhi)造堆(dui)疊(die)封裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)將第(di)一半(ban)導(dao)體芯(xin)片分別安(an)裝(zhuang)到(dao)多(duo)個單(dan)元(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板(ban)上方(fang)，所述多(duo)個單(dan)元(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板(ban)形成在(zai)帶(dai)狀基(ji)(ji)板(ban)上方(fang)。制(zhi)造堆(dui)疊(die)封裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)在(zai)帶(dai)狀基(ji)(ji)板(ban)上方(fang)設(she)置壩(dam)。制(zhi)造堆(dui)疊(die)封裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)在(zai)壩的(de)(de)(de)(de)上方(fang)設(she)置支承構件，使得支承構件與(yu)帶(dai)狀基(ji)(ji)板(ban)和第(di)一半(ban)導(dao)體芯(xin)片分開，并(bing)且(qie)跨過單(dan)元(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板(ban)延伸。制(zhi)造堆(dui)疊(die)封裝(zhuang)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)在(zai)單(dan)元(yuan)(yuan)基(ji)(ji)板(ban)上方(fang)的(de)(de)(de)(de)支承構件上方(fang)堆(dui)疊(die)多(duo)個第(di)二半(ban)導(dao)體芯(xin)片。

附圖說明

圖1是示出根據實施方式的堆疊封裝的示例代表(biao)的俯(fu)視(shi)圖；

圖(tu)2是沿圖(tu)1的(de)線(xian)A-A’截取(qu)的(de)截面(mian)圖(tu)；

圖(tu)3是沿圖(tu)1的(de)線B-B’截取的(de)截面圖(tu)；

圖(tu)4是示(shi)出圖(tu)1所示(shi)的(de)基板(ban)的(de)頂表面的(de)示(shi)例代表的(de)俯視圖(tu)；

圖(tu)5是示(shi)出根據實施方式的(de)堆疊封(feng)裝的(de)示(shi)例(li)代表(biao)的(de)截(jie)面圖(tu)；

圖6是示出根據實施方式(shi)的堆疊封裝的示例代表(biao)的截面圖；

圖(tu)7是示出(chu)根據實施方(fang)式(shi)的(de)堆疊封裝的(de)示例代表的(de)截面圖(tu)；

圖8-17是輔(fu)助(zhu)說明(ming)制造根據實施方式(shi)的堆(dui)疊(die)封(feng)裝的方法的圖；

圖18是示(shi)出包括根(gen)據實施方式的(de)堆疊封裝的(de)電子(zi)系統的(de)示(shi)例(li)代(dai)表的(de)框圖；

圖(tu)19是示出包括根據實施方式的(de)堆(dui)疊封裝的(de)存儲(chu)卡(ka)的(de)示例(li)代表(biao)的(de)框圖(tu)。

具體實施方式

以下(xia)將參照(zhao)附圖，通過實施方(fang)式的各示例對堆疊(die)封(feng)裝及其制造方(fang)法進行描述。

參照圖1至圖3，根據實(shi)施(shi)方(fang)式(shi)的堆(dui)疊封裝(zhuang)SP1可(ke)包括基板10、第(di)一(yi)半(ban)導體(ti)(ti)芯片20、支(zhi)承構件(jian)(jian)(jian)(jian)30以(yi)(yi)及多個第(di)二半(ban)導體(ti)(ti)芯片40A和(he)40B。在一(yi)個實(shi)施(shi)方(fang)式(shi)中，除堆(dui)疊封裝(zhuang)SP1以(yi)(yi)外(wai)，還可(ke)設置第(di)一(yi)粘合構件(jian)(jian)(jian)(jian)50、第(di)二粘合構件(jian)(jian)(jian)(jian)61和(he)62、第(di)一(yi)半(ban)導體(ti)(ti)連(lian)接(jie)構件(jian)(jian)(jian)(jian)71、第(di)二半(ban)導體(ti)(ti)連(lian)接(jie)構件(jian)(jian)(jian)(jian)72、成(cheng)型(xing)(xing)部件(jian)(jian)(jian)(jian)80以(yi)(yi)及外(wai)部連(lian)接(jie)端(duan)子90。為了(le)便于理解，在圖1中省略了(le)成(cheng)型(xing)(xing)部件(jian)(jian)(jian)(jian)80的例示。

基板(ban)10可以是印(yin)刷電(dian)路板(ban)。基板(ban)10可具有頂表面10A和(he)底(di)表面10B，并可包括底(di)表面10B上(shang)的(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)極11。外(wai)(wai)部(bu)連(lian)接(jie)端(duan)子(zi)90(例如焊料(liao)球、導(dao)電(dian)凸塊和(he)導(dao)電(dian)柱)可分別附接(jie)到(dao)(dao)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)極11。在圖2和(he)圖3所示的(de)(de)實施方式(shi)中，例如采用焊料(liao)球作為外(wai)(wai)部(bu)連(lian)接(jie)端(duan)子(zi)90。堆(dui)疊封裝(zhuang)(zhuang)SP1可借助于(yu)外(wai)(wai)部(bu)連(lian)接(jie)端(duan)子(zi)90安裝(zhuang)(zhuang)到(dao)(dao)例如主板(ban)的(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)裝(zhuang)(zhuang)置(未示出)。

參照圖(tu)2至圖(tu)4，基板10的(de)頂表面10A可劃分為第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)FR和位于(yu)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)FR外(wai)的(de)第(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)SR。第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)FR可沿著圖(tu)4中定義的(de)第(di)(di)一(yi)方(fang)向FD跨過基板10的(de)頂表面10A延伸，并且第(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)SR可設置成當在(zai)第(di)(di)二方(fang)向SD上觀察時在(zai)第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)FR的(de)一(yi)側(ce)或兩側(ce)上與第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)FR并排。

基板10可具有第(di)一(yi)(yi)區域FR中(zhong)的(de)第(di)一(yi)(yi)接(jie)合(he)指(zhi)12，并可具有第(di)二(er)區域SR中(zhong)的(de)第(di)二(er)接(jie)合(he)指(zhi)13。第(di)一(yi)(yi)接(jie)合(he)指(zhi)12可與(yu)第(di)一(yi)(yi)半導(dao)(dao)體芯(xin)片20電連接(jie)，并且第(di)二(er)接(jie)合(he)指(zhi)13可與(yu)第(di)二(er)半導(dao)(dao)體芯(xin)片40A和(he)40B電連接(jie)。下文將(jiang)會描述這種(zhong)構造(zao)。

雖然(ran)沒有(you)示出，但基(ji)(ji)板10可包括形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)不(bu)同(tong)層中(zhong)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)路(lu)線，以及與形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)不(bu)同(tong) 層中(zhong)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)路(lu)線電(dian)(dian)連(lian)接的(de)(de)(de)導電(dian)(dian)通孔(kong)。形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)基(ji)(ji)板10的(de)(de)(de)頂表面10A上的(de)(de)(de)第一接合(he)指12和(he)第二(er)接合(he)指13可經(jing)由電(dian)(dian)路(lu)線和(he)導電(dian)(dian)通孔(kong)與形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)基(ji)(ji)板10的(de)(de)(de)底表面10B上的(de)(de)(de)外部電(dian)(dian)極11電(dian)(dian)連(lian)接。

雖然實(shi)施方式示(shi)(shi)出了基板10由印刷電路板構造(zao)的示(shi)(shi)例(li)(li)，但是應當注意，本公(gong)開的技術概念(nian)不限于該(gai)示(shi)(shi)例(li)(li)。例(li)(li)如基板10可(ke)以(yi)是(例(li)(li)如但不限于)引(yin)線框架、柔(rou)性基板和(he)中(zhong)介(jie)層中(zhong)的任何一個。

再來參照(zhao)圖(tu)2和圖(tu)3，第(di)一半(ban)導體芯片(pian)20可(ke)具有位(wei)于其有源表(biao)面上(shang)的(de)(de)(de)(de)第(di)一接(jie)(jie)合(he)焊(han)盤(pan)(pan)21。可(ke)在第(di)一半(ban)導體芯片(pian)20中(zhong)形成(cheng)由(you)集成(cheng)電路(lu)(lu)構造(zao)的(de)(de)(de)(de)電路(lu)(lu)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)(未示出)，在該電路(lu)(lu)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)中(zhong)芯片(pian)操作所需的(de)(de)(de)(de)單(dan)(dan)個(ge)元(yuan)(yuan)(yuan)件(例(li)如(ru)晶體管、電阻(zu)器(qi)、電容(rong)器(qi)、熔絲等)相互(hu)電連(lian)接(jie)(jie)。第(di)一接(jie)(jie)合(he)焊(han)盤(pan)(pan)21是用(yong)于與外部進行電連(lian)接(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)電路(lu)(lu)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)外部觸點并且可(ke)以與電路(lu)(lu)單(dan)(dan)元(yuan)(yuan)(yuan)電連(lian)接(jie)(jie)。

可(ke)將第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)20安裝到基板10的(de)(de)(de)頂表面10A的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)區域FR。例如，由(you)膠(jiao)帶(dai)或樹脂型粘合(he)(he)(he)劑構(gou)成的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)粘合(he)(he)(he)構(gou)件50可(ke)形成在第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)20的(de)(de)(de)與有源(yuan)表面相反(fan)的(de)(de)(de)非有源(yuan)表面上。第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)20可(ke)借(jie)助于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)粘合(he)(he)(he)構(gou)件50附接(jie)到基板10的(de)(de)(de)頂表面10A的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)區域FR。第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)20的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)合(he)(he)(he)焊盤21可(ke)借(jie)助于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)(dian)連接(jie)構(gou)件71與基板10的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)合(he)(he)(he)指12電(dian)(dian)連接(jie)。第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)(dian)連接(jie)構(gou)件71可(ke)包(bao)括導(dao)線。

雖然圖中沒有示(shi)出，但第(di)一半導體芯片20可具(ju)有與形成有第(di)一接(jie)合(he)焊盤21的有源表(biao)面(mian)上的第(di)一接(jie)合(he)焊盤21電連接(jie)的多個凸塊，并可借(jie)助(zhu)于凸塊而倒(dao)裝芯片接(jie)合(he)至基板10的第(di)一接(jie)合(he)指12。

支承(cheng)構件30設置(zhi)在基(ji)板(ban)10和第(di)一半導體(ti)芯片20上方，從而(er)與基(ji)板(ban)10和第(di)一半導體(ti)芯片20分開(kai)。

再來參照圖(tu)1至圖(tu)3，支承構件30可在基(ji)(ji)板(ban)10和(he)第一半導體芯(xin)片20上(shang)方沿第一方向(xiang)FD跨(kua)過基(ji)(ji)板(ban)10延伸。支承構件30可覆蓋基(ji)(ji)板(ban)10的(de)(de)頂表面(mian)10A的(de)(de)第一區域FR和(he)安裝到(dao)第一區域FR的(de)(de)第一半導體芯(xin)片20，并可暴露基(ji)(ji)板(ban)10的(de)(de)第二區域SR。

支承(cheng)構件30可(ke)(ke)具有(you)(you)與基板(ban)10的第(di)一(yi)區(qu)域FR相對應(ying)的面(mian)積，并(bing)可(ke)(ke)具有(you)(you)大于安裝(zhuang)到(dao)基板(ban)10的第(di)一(yi)區(qu)域FR的第(di)一(yi)半導體芯片20的面(mian)積。

支(zhi)承構件(jian)30的(de)厚(hou)度范圍可(ke)以(yi)是100μm-120μm，并(bing)可(ke)使用(yong)核心基板或金(jin)屬合金(jin)板作為支(zhi)承構件(jian)30。核心基板可(ke)包括浸有(you)樹(shu)脂的(de)玻璃纖維基板，并(bing)且金(jin)屬合金(jin)板可(ke)包 括含有(you)FeC和MnCr中的(de)至少一種的(de)合金(jin)板。

第(di)二半導體(ti)芯片(pian)40A和40B中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)每(mei)一個(ge)(ge)(ge)均可具(ju)有位于其有源表面上的(de)(de)(de)第(di)二接(jie)合焊盤41。可在(zai)第(di)二半導體(ti)芯片(pian)40A和40B中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)每(mei)一個(ge)(ge)(ge)中(zhong)(zhong)形成(cheng)(cheng)由(you)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)構(gou)造的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)路(lu)單元(yuan)(未示(shi)出)，在(zai)該電(dian)(dian)(dian)路(lu)單元(yuan)中(zhong)(zhong)芯片(pian)操作所需的(de)(de)(de)單個(ge)(ge)(ge)元(yuan)件(例如晶(jing)體(ti)管、電(dian)(dian)(dian)阻(zu)器(qi)、電(dian)(dian)(dian)容(rong)器(qi)、熔絲等)相互電(dian)(dian)(dian)連接(jie)。第(di)二接(jie)合焊盤41是(shi)用于與(yu)(yu)外部(bu)進(jin)行(xing)(xing)電(dian)(dian)(dian)連接(jie)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)路(lu)單元(yuan)的(de)(de)(de)外部(bu)觸點，并可與(yu)(yu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)單元(yuan)電(dian)(dian)(dian)連接(jie)。第(di)二接(jie)合焊盤41可設置為一行(xing)(xing)或包括沿第(di)二半導體(ti)芯片(pian)40A和40B的(de)(de)(de)有源表面的(de)(de)(de)各(ge)個(ge)(ge)(ge)側部(bu)的(de)(de)(de)至少兩行(xing)(xing)的(de)(de)(de)多行(xing)(xing)。

第二半導(dao)體(ti)芯(xin)片40A和40B可(ke)(ke)以(yi)是(shi)在(zai)相同的(de)晶片上制(zhi)造然后(hou)再(zai)被個體(ti)化的(de)半導(dao)體(ti)芯(xin)片，或者可(ke)(ke)以(yi)是(shi)從相同的(de)生產線上經由相同的(de)制(zhi)造工藝制(zhi)造的(de)不同晶片而獲得的(de)半導(dao)體(ti)芯(xin)片，并可(ke)(ke)具(ju)有相同的(de)厚度。

第(di)二(er)半導體(ti)芯(xin)片40A和40B中的每一個均可具(ju)有大于第(di)一半導體(ti)芯(xin)片20的面積，并均可具(ju)有等(deng)于或小于支承構件30的面積。

第(di)(di)二半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)40A和(he)40B可(ke)以是與(yu)第(di)(di)一半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)20不同類型(xing)的芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。例如，第(di)(di)二半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)40A和(he)40B可(ke)以是諸(zhu)如DRAM的易失(shi)性存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)或(huo)諸(zhu)如閃(shan)存(cun)的非(fei)易失(shi)性存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)，并且第(di)(di)一半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)20可(ke)以是控制第(di)(di)二半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)40A和(he)40B的邏輯芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。第(di)(di)二半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)40A和(he)40B可(ke)以是與(yu)第(di)(di)一半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)20相同類型(xing)的芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。例如，第(di)(di)一半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)20以及(ji)第(di)(di)二半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)40A和(he)40B可(ke)以是諸(zhu)如DRAM的易失(shi)性存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)或(huo)諸(zhu)如閃(shan)存(cun)的非(fei)易失(shi)性存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)片(pian)(pian)。

第(di)(di)二(er)粘合(he)構件61和62可(ke)分別形成在第(di)(di)二(er)半導(dao)體芯片40A和40B的(de)(de)非(fei)有源表面。第(di)(di)二(er)粘合(he)構件61和62可(ke)以是膠帶或樹脂型粘合(he)劑，并可(ke)具有20μm-40μm的(de)(de)厚(hou)度。

第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40A和(he)40B可借助于第(di)(di)(di)二(er)粘合構(gou)件(jian)(jian)61和(he)62堆疊在(zai)支(zhi)承(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30上。附(fu)(fu)接支(zhi)承(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30和(he)最(zui)低(di)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40A的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)粘合構(gou)件(jian)(jian)61可插置在(zai)支(zhi)承(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30的(de)(de)(de)頂(ding)表面(mian)與最(zui)低(di)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40A的(de)(de)(de)底(di)表面(mian)之間，并且(qie)附(fu)(fu)接第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40A和(he)40B的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)粘合構(gou)件(jian)(jian)62可插置在(zai)最(zui)低(di)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40A的(de)(de)(de)頂(ding)表面(mian)與上方的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)(ban)導體(ti)芯(xin)片(pian)40B的(de)(de)(de)底(di)表面(mian)之間。

在(zai)(zai)實(shi)施方(fang)式中，第(di)(di)(di)(di)(di)二半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B堆疊為曲(qu)折圖案，使(shi)得當(dang)從第(di)(di)(di)(di)(di)二方(fang)向SD觀看(kan)時(shi)，第(di)(di)(di)(di)(di)二半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B的第(di)(di)(di)(di)(di)二接合焊盤41暴露(lu)于左(zuo)側(ce)部分(fen)和(he)右側(ce)部分(fen)。雖然在(zai)(zai)實(shi)施方(fang)式中圖示和(he)描述了(le)第(di)(di)(di)(di)(di)二半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B堆疊為曲(qu)折圖案，但是應(ying)當(dang)注意，第(di)(di)(di)(di)(di)二半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B可豎直(zhi)堆疊，或可堆疊為臺(tai)階形狀 使(shi)得在(zai)(zai)臺(tai)階部分(fen)上暴露(lu)第(di)(di)(di)(di)(di)二接合焊盤41。

第(di)(di)二(er)連接(jie)構(gou)(gou)件72可與第(di)(di)二(er)半導體芯片(pian)40A和40B的(de)(de)第(di)(di)二(er)接(jie)合(he)焊(han)盤41以及基板(ban)10的(de)(de)第(di)(di)二(er)接(jie)合(he)指13電連接(jie)。第(di)(di)二(er)連接(jie)構(gou)(gou)件72可包括導線(xian)。

成(cheng)型(xing)部件80可(ke)保護(hu)安裝(zhuang)到基板(ban)10的(de)(de)元件免(mian)受外部裝(zhuang)置和(he)外部環(huan)境的(de)(de)影(ying)響。成(cheng)型(xing)部件80可(ke)以以填充基板(ban)10、第(di)一(yi)半導(dao)體(ti)芯(xin)(xin)片20和(he)支承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30之間的(de)(de)空(kong)間的(de)(de)方式形成(cheng)在基板(ban)10的(de)(de)頂表面(mian)10A上(shang)，并可(ke)包住(zhu)第(di)一(yi)半導(dao)體(ti)芯(xin)(xin)片20、支承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30、第(di)二半導(dao)體(ti)芯(xin)(xin)片40A和(he)40B以及第(di)一(yi)導(dao)電連接(jie)構(gou)(gou)(gou)件71和(he)第(di)二導(dao)電連接(jie)構(gou)(gou)(gou)件72。當(dang)從圖1中(zhong)定義的(de)(de)第(di)一(yi)方向FD上(shang)觀(guan)看時，支承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30的(de)(de)彼此相反(fan)的(de)(de)兩個端部可(ke)暴露于外部，并可(ke)與成(cheng)型(xing)部件80的(de)(de)側表面(mian)基本齊平(ping)。

成型部件80可由具(ju)有填(tian)料的環氧樹脂(zhi)、具(ju)有填(tian)料的環氧丙烯酸(suan)酯以及聚合(he)物復合(he)材料(例如具(ju)有填(tian)料的聚合(he)物)中的一個或至(zhi)少(shao)兩(liang)個構成。

雖然在實(shi)施方式中(zhong)圖(tu)示(shi)(shi)和(he)描述了附接支承構件30和(he)最低的第二(er)半導(dao)體(ti)芯(xin)片40A的第二(er)粘合構件61插(cha)置在支承構件30的頂(ding)表面與最低的第二(er)半導(dao)體(ti)芯(xin)片40A的底表面之間(jian)，但(dan)是應當注意，本公開的技(ji)術概念不限于該示(shi)(shi)例，并且(qie)可修改成(cheng)下文將參照圖(tu)5至(zhi)圖(tu)7所描述的各種變型。

圖(tu)(tu)5至(zhi)圖(tu)(tu)7是分別(bie)示出根據各實施方式的(de)堆疊封(feng)裝SP2、SP3、SP4的(de)截(jie)面(mian)圖(tu)(tu)。在下(xia)面(mian)參照5-圖(tu)(tu)7描(miao)述(shu)的(de)實施方式中，將(jiang)使(shi)用相同的(de)技術術語和相同的(de)附圖(tu)(tu)標記來表示與上述(shu)參照圖(tu)(tu)1至(zhi)圖(tu)(tu)4所述(shu)的(de)實施方式中的(de)部件基本(ben)相同的(de)部件，并且本(ben)文省(sheng)略重復的(de)描(miao)述(shu)。

參照(zhao)圖5，支(zhi)(zhi)承構件30可(ke)以是具(ju)有(you)多個(ge)開口31的(de)網格形(xing)狀，在所述開口31中(zhong)容納了附接支(zhi)(zhi)承構件30和最(zui)低的(de)第(di)二半導體芯片40A的(de)第(di)二粘合構件61，并且第(di)二粘合構件61可(ke)被部分(fen)地容納在支(zhi)(zhi)承構件30的(de)開口31中(zhong)。

在實施方式中(zhong)，第(di)二粘(zhan)合構件61可包(bao)括插置在支承(cheng)構件30的頂表面與(yu)最(zui)低的第(di)二半導體芯片40A的底表面之(zhi)間的第(di)一部分(fen)(fen)61A，以及容納在開口(kou)31中(zhong)的第(di)二部分(fen)(fen)61B。

支承構件30的(de)厚度(du)可以是100μm-120μm，并且第(di)二粘合構件61可以具有小于支承構件30的(de)厚度(du)，例如(ru)20μm-40μm的(de)厚度(du)。雖然沒(mei)有示出，但(dan)開口31的(de)俯(fu)視的(de)截面形(xing)(xing)狀例如(ru)可以是但(dan)不限于圓(yuan)形(xing)(xing)、橢圓(yuan)形(xing)(xing)或多邊形(xing)(xing)。

根據圖5所示的(de)(de)實施方式，由于支(zhi)承構(gou)件(jian)30具有多個開(kai)口(kou)31，所以第(di)(di)(di)二粘(zhan)合構(gou) 件(jian)61的(de)(de)第(di)(di)(di)二部分61B被(bei)容納在開(kai)口(kou)31中。因(yin)此(ci)，隨(sui)著第(di)(di)(di)二粘(zhan)合構(gou)件(jian)61與支(zhi)承構(gou)件(jian)30之間的(de)(de)接觸面(mian)積(ji)增(zeng)大，粘(zhan)合力也(ye)會增(zeng)大。由于第(di)(di)(di)二粘(zhan)合構(gou)件(jian)61的(de)(de)第(di)(di)(di)二部分61B被(bei)容納在開(kai)口(kou)31中，所以可提供如下優點：設置在支(zhi)承構(gou)件(jian)30的(de)(de)頂表面(mian)的(de)(de)第(di)(di)(di)二粘(zhan)合構(gou)件(jian)61的(de)(de)體(ti)積(ji)和厚(hou)度減小，因(yin)此(ci)堆疊封裝SP2的(de)(de)總厚(hou)度減小。

參照圖6，支(zhi)承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30可以是具有多個(ge)開(kai)(kai)口(kou)(kou)31的(de)(de)網(wang)格形(xing)狀，在(zai)該開(kai)(kai)口(kou)(kou)31中容納(na)了附接支(zhi)承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30和最低的(de)(de)第二(er)半導體芯片40A的(de)(de)第二(er)粘合(he)構(gou)(gou)(gou)件61，并且第二(er)粘合(he)構(gou)(gou)(gou)件61可被完全容納(na)在(zai)支(zhi)承(cheng)構(gou)(gou)(gou)件30的(de)(de)開(kai)(kai)口(kou)(kou)31中。

第二(er)粘(zhan)合構件(jian)61的(de)頂表(biao)面可與支(zhi)承構件(jian)30的(de)頂表(biao)面基(ji)本齊平，并且最低的(de)第二(er)半(ban)導體(ti)芯片40A的(de)底表(biao)面與支(zhi)承構件(jian)30的(de)頂表(biao)面可彼此直接接觸(chu)。

支(zhi)(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)30的(de)厚度(du)可以是(shi)100μm-120μm，并且第(di)二(er)粘(zhan)合構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)61可以具有小于支(zhi)(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)30的(de)厚度(du)，例如20μm-40μm的(de)厚度(du)。由于第(di)二(er)粘(zhan)合構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)61的(de)頂(ding)(ding)表面(mian)(mian)與支(zhi)(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)30的(de)頂(ding)(ding)表面(mian)(mian)基本齊平(ping)，并且第(di)二(er)粘(zhan)合構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)61具有小于支(zhi)(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)30的(de)厚度(du)，所以第(di)二(er)粘(zhan)合構(gou)(gou)件(jian)(jian)(jian)61的(de)底(di)表面(mian)(mian)位(wei)于開口31中(zhong)。

根(gen)據圖6所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)一個實施(shi)方式，由于(yu)第二粘合(he)構(gou)(gou)件61完(wan)全(quan)容納在支承構(gou)(gou)件30的(de)(de)(de)開(kai)口31中，所(suo)以(yi)不需要用于(yu)設置第二粘合(he)構(gou)(gou)件61的(de)(de)(de)額外的(de)(de)(de)空間，因此可減小堆(dui)疊封(feng)裝SP3的(de)(de)(de)厚度。

參照圖7，支承(cheng)構(gou)件30可以(yi)是具有多個開口(kou)31的(de)網(wang)格形狀(zhuang)，在該開口(kou)31中(zhong)容納了附接(jie)支承(cheng)構(gou)件30和(he)最低的(de)第(di)二半導體芯片40A的(de)第(di)二粘合(he)構(gou)件61，并且(qie)支承(cheng)構(gou)件30的(de)厚度小(xiao)于第(di)二粘合(he)構(gou)件61的(de)厚度。

第二(er)粘合構件(jian)(jian)61可包括：插置在(zai)支承構件(jian)(jian)30的頂(ding)表面(mian)與最(zui)低的第二(er)半導(dao)體芯片40A的底(di)表面(mian)之間的第一部(bu)分(fen)61A、容納在(zai)開口31中的第二(er)部(bu)分(fen)61B以(yi)及設置在(zai)支承構件(jian)(jian)30的底(di)表面(mian)下方的第三部(bu)分(fen)61C。

下面將描述制造(zao)根據各個(ge)實(shi)施方(fang)式的堆疊封裝的方(fang)法的示例。

參照圖8，制備(bei)形(xing)成有多(duo)個單元基(ji)板(ban)10的帶狀(zhuang)基(ji)板(ban)100。

單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10可(ke)形(xing)成在(zai)帶狀基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)100上(shang)以經由(you)鋸線SL相互分隔。鋸線SL表示(shi)(shi)相鄰的(de)(de)單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)空間(jian)(jian)。例如(ru)，通過形(xing)成行和列并且(qie)使鋸線SL插置(zhi)(zhi)在(zai)行之(zhi)間(jian)(jian)以及列之(zhi)間(jian)(jian)，可(ke)將單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10設置(zhi)(zhi)成矩陣形(xing)式(shi)(shi)。例如(ru)作為示(shi)(shi)例，在(zai)實(shi)施方(fang)式(shi)(shi)中例示(shi)(shi)了(le)將75個單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10設置(zhi)(zhi)成15(第(di)一方(fang)向(xiang)FD)×5(第(di)二(er)方(fang)向(xiang)SD)的(de)(de)矩陣形(xing)式(shi)(shi)。然而(er)應當注意，本公開(kai)的(de)(de)技術概念不限于該示(shi)(shi)例，并且(qie)在(zai)帶狀基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)100上(shang)形(xing)成的(de)(de)單(dan)元(yuan) 基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10的(de)(de)數量以及單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10的(de)(de)布置(zhi)(zhi)形(xing)式(shi)(shi)可(ke)以按各(ge)種方(fang)式(shi)(shi)變(bian)化。圖(tu)(tu)9是(shi)沿著圖(tu)(tu)8的(de)(de)線C-C’截(jie)取的(de)(de)截(jie)面圖(tu)(tu)，其示(shi)(shi)出(chu)了(le)單(dan)元(yuan)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)10。

參(can)照圖(tu)8至圖(tu)9，每個(ge)單(dan)元基板10可具(ju)有頂表面10A和底(di)表面10B。每個(ge)單(dan)元基板10的(de)頂表面10A可劃分為第(di)(di)(di)(di)一(yi)區域(yu)(yu)(yu)FR和位于第(di)(di)(di)(di)一(yi)區域(yu)(yu)(yu)FR外的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)區域(yu)(yu)(yu)SR。第(di)(di)(di)(di)一(yi)區域(yu)(yu)(yu)FR可沿著在圖(tu)8中定義的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)方向FD跨過(guo)單(dan)元基板10的(de)頂表面10A延伸，并(bing)(bing)且(qie)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)區域(yu)(yu)(yu)SR可設置成在第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)方向SD上(shang)觀(guan)察時在第(di)(di)(di)(di)一(yi)區域(yu)(yu)(yu)FR的(de)一(yi)側或兩側上(shang)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)區域(yu)(yu)(yu)FR并(bing)(bing)排。

每個單元(yuan)基板(ban)10可具有(you)頂表面(mian)(mian)10A的(de)第一區(qu)域(yu)FR中的(de)第一接合指12，并可具有(you)頂表面(mian)(mian)10A的(de)第二(er)區(qu)域(yu)SR上(shang)的(de)第二(er)接合指13。每個單元(yuan)基板(ban)10可具有(you)底表面(mian)(mian)10B上(shang)的(de)外部電極11。

雖然圖中沒(mei)有(you)示出，但每個單元基板10可包括形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)不同層(ceng)(ceng)中的(de)(de)電(dian)路(lu)線(xian)，以及電(dian)連接(jie)(jie)形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)不同層(ceng)(ceng)中的(de)(de)電(dian)路(lu)線(xian)的(de)(de)導(dao)電(dian)通孔。形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)單元基板10的(de)(de)頂表面10A上(shang)的(de)(de)第(di)一接(jie)(jie)合(he)指12和(he)第(di)二接(jie)(jie)合(he)指13可經由電(dian)路(lu)線(xian)和(he)導(dao)電(dian)通孔與(yu)形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)單元基板10的(de)(de)底表面10B上(shang)的(de)(de)外部電(dian)極11電(dian)連接(jie)(jie)。

參照圖10，第(di)一(yi)半導體芯(xin)片(pian)20的(de)非有源表(biao)面借助于第(di)一(yi)粘(zhan)合(he)(he)(he)構件50附(fu)接(jie)到單元基板(ban)10的(de)頂表(biao)面10A的(de)第(di)一(yi)區域FR。可采用膠帶或樹(shu)脂型粘(zhan)合(he)(he)(he)劑作為第(di)一(yi)粘(zhan)合(he)(he)(he)構件50。

第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電連(lian)接(jie)(jie)構件71形(xing)成為將第(di)(di)(di)一(yi)(yi)半導(dao)(dao)體芯片20的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)合焊盤21和(he)單(dan)元基板10的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)合指12電連(lian)接(jie)(jie)。可采(cai)用導(dao)(dao)線(xian)作為第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電連(lian)接(jie)(jie)構件71。

雖然沒有示出，但可在(zai)具有第(di)一(yi)接合(he)(he)焊盤21的(de)第(di)一(yi)半(ban)導體(ti)芯片20的(de)有源(yuan)表面上形(xing)成與(yu)第(di)一(yi)接合(he)(he)焊盤21電連接的(de)多(duo)個凸(tu)塊，并且第(di)一(yi)半(ban)導體(ti)芯片20可借(jie)助于凸(tu)塊而倒裝芯片接合(he)(he)到單元基(ji)板10的(de)第(di)一(yi)接合(he)(he)指(zhi)12。

參照圖11，在帶狀基板100上設置壩200。

壩200的(de)作(zuo)用是支承(cheng)隨后將要(yao)設置(zhi)的(de)支承(cheng)構件(jian)，并可(ke)設置(zhi)于帶狀基板100的(de)在第(di)(di)一方(fang)向FD上(shang)彼此相(xiang)反的(de)兩(liang)端。可(ke)采用在與(yu)第(di)(di)一方(fang)向FD垂直的(de)第(di)(di)二方(fang)向SD上(shang)延伸的(de)線型結(jie)構或(huo)在第(di)(di)二方(fang)向SD上(shang)設置(zhi)的(de)多個(ge)結(jie)構作(zuo)為(wei)壩200。例(li)如，可(ke)采用阻焊(han)膜或(huo)多個(ge)虛擬芯片(dummy chip)作(zuo)為(wei)壩200。

在采用虛擬芯片(pian)作為(wei)(wei)壩200的(de)示例中，壩200可借助于粘合(he)構件(諸如雙面膠(jiao)帶或樹(shu)脂型粘合(he)劑)附接(jie)到帶狀基(ji)板(ban)100。在采用阻(zu)焊膜作為(wei)(wei)壩200的(de)示例中，壩200 可以在不使用單獨的(de)粘合(he)構件的(de)情(qing)況下(xia)直接(jie)附接(jie)到帶狀基(ji)板(ban)100。

壩200可(ke)具有預定高度(du)，使得在(zai)后續處理(li)中將要被設置在(zai)壩200上的支承構(gou)件(jian)可(ke)與(yu)帶(dai)狀基板(ban)100、第一(yi)半(ban)導(dao)體(ti)芯片(pian)20和第一(yi)導(dao)電連(lian)接構(gou)件(jian)71分開至少預定距離。例如(ru)，壩200的高度(du)可(ke)以是90μm-120μm。

參(can)照圖12，壩200可設置在(zai)帶狀(zhuang)基(ji)板(ban)100的(de)兩個端部之間的(de)一(yi)個或(huo)多(duo)個位置處，使得支(zhi)承構件也(ye)可被(bei)支(zhi)承在(zai)帶狀(zhuang)基(ji)板(ban)100的(de)內(nei)部部件上方。作為(wei)參(can)考，在(zai)圖11和(he)圖12中，為(wei)了(le)簡化(hua)附圖，省(sheng)略了(le)對第一(yi)接合指12、第二接合指13、第一(yi)半導體芯片(pian)20以及第一(yi)導電連接構件71的(de)圖示。

參照圖13，支承構件30以在第(di)一方向FD上跨過帶狀基板100延伸的方式設置在壩200上。

在采用虛(xu)擬(ni)芯(xin)片形成壩200的(de)示(shi)例(li)中，支承構件(jian)30可借助于(yu)粘合(he)(he)構件(jian)(例(li)如雙面膠帶(dai)或樹脂型(xing)粘合(he)(he)劑)附(fu)接到壩200。在采用阻焊(han)膜形成壩200的(de)示(shi)例(li)中，支承構件(jian)30可以在不使用單獨的(de)粘合(he)(he)構件(jian)的(de)情況下直接附(fu)接到壩200。

支承(cheng)構件(jian)30的(de)厚(hou)度范(fan)圍可(ke)(ke)以是100μm-120μm，可(ke)(ke)采用核心(xin)基(ji)板或(huo)金屬合(he)金板作為支承(cheng)構件(jian)30。核心(xin)基(ji)板可(ke)(ke)包括(kuo)浸有樹脂的(de)玻璃纖(xian)維(wei)基(ji)板，并且(qie)金屬合(he)金板可(ke)(ke)包括(kuo)含(han)有FeC和MnCr中的(de)至少一(yi)種的(de)合(he)金板。雖然沒有示(shi)出，但支承(cheng)構件(jian)30各(ge)自可(ke)(ke)以是具(ju)有多(duo)個開口的(de)網格形狀。

支承構(gou)件30由(you)壩200支承，并且與單元基板(ban)10以及安(an)裝到單元基板(ban)10的第(di)一半導體(ti)芯片20分開至少預定距離，該構(gou)造(zao)如(ru)圖14所示，該圖14是沿圖13的線E-E’截取的截面圖。

參照圖15，在形成(cheng)有多個第二接合焊盤41的有源表面上制(zhi)備多個第二半導體芯(xin)片(pian)40A和40B。

第(di)二半(ban)導體芯片(pian)40A和40B可以是在(zai)相(xiang)(xiang)同(tong)(tong)的晶片(pian)上制造(zao)然(ran)后再被個體化(hua)的半(ban)導體芯片(pian)，或者從在(zai)相(xiang)(xiang)同(tong)(tong)的生產線上以相(xiang)(xiang)同(tong)(tong)的制造(zao)工(gong)藝制造(zao)的不同(tong)(tong)晶片(pian)獲(huo)得，并可具(ju)有相(xiang)(xiang)同(tong)(tong)的厚度。

第二半(ban)導體(ti)芯(xin)片40A和40B可(ke)分別具有大于(yu)第一(yi)半(ban)導體(ti)芯(xin)片20的面(mian)積，并可(ke)具有小于(yu)支承構(gou)件30的面(mian)積。

第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)40A和(he)40B可以(yi)是與第(di)(di)(di)(di)一半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)20不同(tong)類型的(de)(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)。例如，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)40A和(he)40B可以(yi)是諸(zhu)如DRAM的(de)(de)(de)易(yi)(yi)失性(xing)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)或諸(zhu)如閃存(cun)(cun)的(de)(de)(de)非(fei) 易(yi)(yi)失性(xing)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)，并且第(di)(di)(di)(di)一半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)20可以(yi)是控制第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)40A和(he)40B的(de)(de)(de)邏輯芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)40A和(he)40B可以(yi)是與第(di)(di)(di)(di)一半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)20相同(tong)類型的(de)(de)(de)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)。例如，第(di)(di)(di)(di)一半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)20以(yi)及第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)40A和(he)40B可以(yi)是諸(zhu)如DRAM的(de)(de)(de)易(yi)(yi)失性(xing)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)或諸(zhu)如閃存(cun)(cun)的(de)(de)(de)非(fei)易(yi)(yi)失性(xing)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)。

第(di)二粘(zhan)合構件61和(he)62可形成在第(di)二半導體芯片40A和(he)40B的非有源表面上。第(di)二粘(zhan)合構件61和(he)62可包(bao)括膠帶或樹脂型粘(zhan)合劑，并(bing)可具有20μm-40μm的厚(hou)度。

第(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)片40A和40B可借(jie)助(zhu)于(yu)第(di)二(er)粘合構(gou)件(jian)61和62堆疊在設置于(yu)單元基板(ban)10上方(fang)的支承構(gou)件(jian)30上。在圖15所示的實施(shi)方(fang)式中，第(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)片40A和40B堆疊為曲(qu)折(zhe)圖案(an)，使得沿第(di)二(er)方(fang)向(xiang)SD觀看時，第(di)二(er)接合焊(han)盤41暴露于(yu)左側部分(fen)和右側部分(fen)。

在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)其它(ta)實施方(fang)式(shi)中，第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B可(ke)(ke)豎直堆疊(die)，并(bing)且(qie)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)40A和(he)40B可(ke)(ke)堆疊(die)為臺階形(xing)(xing)狀以(yi)使第(di)(di)(di)二(er)接(jie)合焊盤(pan)41暴露在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)臺階部分上(shang)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)實施方(fang)式(shi)中，最低的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)40A可(ke)(ke)以(yi)以(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)最低的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)40A的(de)(de)(de)(de)底(di)表(biao)面(mian)上(shang)形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)粘合構(gou)件(jian)(jian)61的(de)(de)(de)(de)下(xia)表(biao)面(mian)與(yu)支(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30的(de)(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面(mian)接(jie)觸的(de)(de)(de)(de)方(fang)式(shi)附接(jie)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)支(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30上(shang)方(fang)。雖然沒有示出，但支(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30可(ke)(ke)以(yi)具有包括多個開(kai)口31的(de)(de)(de)(de)網格形(xing)(xing)狀，并(bing)且(qie)最低的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)40A可(ke)(ke)以(yi)以(yi)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)最低的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)底(di)表(biao)面(mian)下(xia)方(fang)形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)粘合構(gou)件(jian)(jian)61的(de)(de)(de)(de)部分或整體被容納(na)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)開(kai)口中的(de)(de)(de)(de)方(fang)式(shi)附接(jie)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)支(zhi)承(cheng)(cheng)構(gou)件(jian)(jian)30上(shang)方(fang)。

第(di)(di)二(er)導電連(lian)接(jie)構(gou)件72形成為使第(di)(di)二(er)半導體芯(xin)片40A和40B的(de)第(di)(di)二(er)接(jie)合(he)焊(han)盤41與單元基板10的(de)第(di)(di)二(er)接(jie)合(he)指(zhi)13電連(lian)接(jie)。可采用(yong)導線作(zuo)為第(di)(di)二(er)導電連(lian)接(jie)構(gou)件72。

參照圖16，成(cheng)型部(bu)件(jian)(jian)80通過成(cheng)型工藝形成(cheng)在單元(yuan)基板10的(de)(de)(de)頂表面10A上，使得成(cheng)型部(bu)件(jian)(jian)80填(tian)充(chong)支承構(gou)(gou)件(jian)(jian)30與(yu)單元(yuan)基板10之(zhi)間的(de)(de)(de)空間以(yi)及支承構(gou)(gou)件(jian)(jian)30與(yu)第(di)一(yi)(yi)半導(dao)體芯(xin)片(pian)20之(zhi)間的(de)(de)(de)空間，并且包住第(di)一(yi)(yi)半導(dao)體芯(xin)片(pian)20、支承構(gou)(gou)件(jian)(jian)30、第(di)二(er)半導(dao)體芯(xin)片(pian)40A和(he)40B以(yi)及第(di)一(yi)(yi)導(dao)電連接構(gou)(gou)件(jian)(jian)71和(he)第(di)二(er)導(dao)電連接構(gou)(gou)件(jian)(jian)72。成(cheng)型部(bu)件(jian)(jian)80的(de)(de)(de)材料可采用具有(you)填(tian)料的(de)(de)(de)環氧樹脂、具有(you)填(tian)料的(de)(de)(de)環氧丙烯酸酯以(yi)及聚合(he)物復合(he)材料(例如(ru)具有(you)填(tian)料的(de)(de)(de)聚合(he)物)中(zhong)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)種(zhong)或至少兩種(zhong)。

參照(zhao)圖(tu)17，外(wai)(wai)部(bu)連接端子90形成在(zai)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)極11上，該外(wai)(wai)部(bu)電(dian)極11形成在(zai)單元基板(ban)10的底(di)表面10B上。可采(cai)(cai)用(yong)焊(han)料(liao)球(qiu)、導電(dian)凸塊(kuai)或導電(dian)柱作為外(wai)(wai)部(bu)連接端子90。圖(tu)17所(suo)示(shi)的實施方式示(shi)出了采(cai)(cai)用(yong)焊(han)料(liao)球(qiu)作為外(wai)(wai)部(bu)連接端子90的示(shi)例。

以下，雖然(ran)圖中沒有示(shi)出，但(dan)通過切割帶狀基(ji)板100、支(zhi)承構件30、成型(xing)部(bu)件 80使得單元基(ji)板10彼此分開，可形(xing)成圖2所示(shi)的堆(dui)疊封裝SP1。

上述實(shi)施方式實(shi)現的效果可舉例如下。

作為在小尺寸(cun)(cun)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)上方堆疊(die)大(da)尺寸(cun)(cun)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)的(de)(de)方式(shi)，采用懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)引(yin)(yin)(yin)線(xian)接(jie)合(he)(he)結構，在該懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)引(yin)(yin)(yin)線(xian)接(jie)合(he)(he)結構中(zhong)，上半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)的(de)(de)端部(bu)(bu)(bu)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)在下(xia)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)之上以提供懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)，并且(qie)接(jie)合(he)(he)引(yin)(yin)(yin)線(xian)連接(jie)到(dao)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)。由(you)(you)于(yu)(yu)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)基本被自由(you)(you)地保(bao)持在空(kong)氣中(zhong)，因此(ci)在采用引(yin)(yin)(yin)線(xian)接(jie)合(he)(he)工藝中(zhong)的(de)(de)引(yin)(yin)(yin)線(xian)毛細管將引(yin)(yin)(yin)線(xian)連接(jie)到(dao)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)的(de)(de)過程中(zhong)，可能出現(xian)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)在由(you)(you)引(yin)(yin)(yin)線(xian)毛細管施加到(dao)懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)的(de)(de)壓力的(de)(de)作用下(xia)而(er)上下(xia)彈(dan)跳的(de)(de)現(xian)象。這種彈(dan)跳現(xian)象會使引(yin)(yin)(yin)線(xian)的(de)(de)連接(jie)不夠(gou)精(jing)確，并可造(zao)成(cheng)諸(zhu)如懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)開(kai)裂(lie)的(de)(de)缺陷(xian)。在上述(shu)實施方式(shi)中(zhong)，由(you)(you)于(yu)(yu)引(yin)(yin)(yin)入了用于(yu)(yu)牢固地支(zhi)承上半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)的(de)(de)支(zhi)承構件來防止上半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)外懸(xuan)(xuan)(xuan)，因此(ci)能夠(gou)有(you)效抑(yi)制上半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯片(pian)彈(dan)跳現(xian)象的(de)(de)發生(sheng)(sheng)，從(cong)而(er)能夠(gou)防止發生(sheng)(sheng)引(yin)(yin)(yin)線(xian)連接(jie)故障、諸(zhu)如懸(xuan)(xuan)(xuan)掛(gua)(gua)(gua)(gua)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)(fen)(fen)開(kai)裂(lie)的(de)(de)缺陷(xian)等。

采用(yong)如(ru)(ru)(ru)下(xia)方(fang)(fang)法(fa)作為另(ling)一種在(zai)小(xiao)尺寸(cun)(cun)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)方(fang)(fang)堆(dui)(dui)疊(die)(die)大(da)(da)尺寸(cun)(cun)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)式，在(zai)該方(fang)(fang)法(fa)中(zhong)(zhong)，形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)小(xiao)尺寸(cun)(cun)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，并(bing)在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)堆(dui)(dui)疊(die)(die)大(da)(da)尺寸(cun)(cun)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)。為了掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)，介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)應(ying)具有可(ke)(ke)(ke)流動(dong)性。就此(ci)(ci)而(er)(er)言(yan)，如(ru)(ru)(ru)果介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)(ke)流動(dong)性較(jiao)小(xiao)，則會(hui)(hui)產生下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)不能(neng)(neng)(neng)(neng)被正確(que)掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)缺陷。此(ci)(ci)外，如(ru)(ru)(ru)果介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)(ke)流動(dong)性較(jiao)小(xiao)，則由(you)(you)于(yu)(yu)階梯(ti)覆蓋特性較(jiao)差(cha)，所以(yi)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)頂表面(mian)會(hui)(hui)沿(yan)掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輪廓(kuo)以(yi)凸(tu)狀向(xiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)伸出。也就是說(shuo)會(hui)(hui)在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)弓(gong)形(xing)(xing)。如(ru)(ru)(ru)果上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)附(fu)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到該介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，則會(hui)(hui)出現(xian)(xian)如(ru)(ru)(ru)下(xia)現(xian)(xian)象(xiang)，即上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)沿(yan)其中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)了弓(gong)形(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輪廓(kuo)扭(niu)曲(qu)或上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)未能(neng)(neng)(neng)(neng)正確(que)地(di)附(fu)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，而(er)(er)是從(cong)(cong)(cong)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)被抬高。隨(sui)著將(jiang)要堆(dui)(dui)疊(die)(die)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量(liang)(liang)增多(duo)，這(zhe)種扭(niu)曲(qu)或抬高現(xian)(xian)象(xiang)趨于(yu)(yu)嚴重。因(yin)(yin)此(ci)(ci)，由(you)(you)于(yu)(yu)將(jiang)要堆(dui)(dui)疊(die)(die)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量(liang)(liang)受限，可(ke)(ke)(ke)能(neng)(neng)(neng)(neng)難以(yi)制造大(da)(da)容(rong)(rong)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)封裝。此(ci)(ci)外，在(zai)隨(sui)后(hou)(hou)執(zhi)行引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下(xia)，由(you)(you)于(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)已(yi)經扭(niu)曲(qu)，容(rong)(rong)易在(zai)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)陰影，因(yin)(yin)此(ci)(ci)難以(yi)得出接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)(zhi)，從(cong)(cong)(cong)而(er)(er)無法(fa)執(zhi)行引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)。此(ci)(ci)外，由(you)(you)于(yu)(yu)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)已(yi)經扭(niu)曲(qu)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)(zhi)可(ke)(ke)(ke)能(neng)(neng)(neng)(neng)會(hui)(hui)發(fa)生變化(hua)，由(you)(you)于(yu)(yu)這(zhe)個(ge)事實(shi)，在(zai)隨(sui)后(hou)(hou)執(zhi)行引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下(xia)，引(yin)線(xian)(xian)(xian)毛(mao)細管和(he)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤不能(neng)(neng)(neng)(neng)相互對(dui)齊，從(cong)(cong)(cong)而(er)(er)可(ke)(ke)(ke)能(neng)(neng)(neng)(neng)產生引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)故(gu)障(zhang)。在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)堆(dui)(dui)疊(die)(die)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)之(zhi)后(hou)(hou)，執(zhi)行用(yong)于(yu)(yu)硬(ying)化(hua)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)硬(ying)化(hua)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)，在(zai)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)(ke)(ke)流動(dong)性較(jiao)大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下(xia)，則會(hui)(hui)出現(xian)(xian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)根據在(zai)硬(ying)化(hua)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)中(zhong)(zhong)流動(dong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)流動(dong)而(er)(er)移(yi)位(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)現(xian)(xian)象(xiang)。如(ru)(ru)(ru)果上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)已(yi)經移(yi)位(wei)，則接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)(zhi)會(hui)(hui)發(fa)生變化(hua)，在(zai)隨(sui)后(hou)(hou)執(zhi)行引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下(xia)，引(yin)線(xian)(xian)(xian)毛(mao)細管和(he)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)焊盤不能(neng)(neng)(neng)(neng)相互對(dui)齊，因(yin)(yin)此(ci)(ci) 可(ke)(ke)(ke)能(neng)(neng)(neng)(neng)發(fa)生引(yin)線(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)(he)(he)故(gu)障(zhang)。在(zai)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)述實(shi)施方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，由(you)(you)于(yu)(yu)引(yin)入了將(jiang)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)支(zhi)持在(zai)下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)方(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)支(zhi)承構件(jian)，因(yin)(yin)此(ci)(ci)不必(bi)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。因(yin)(yin)此(ci)(ci)，可(ke)(ke)(ke)從(cong)(cong)(cong)源頭上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)防止(zhi)由(you)(you)于(yu)(yu)使用(yong)具有可(ke)(ke)(ke)流動(dong)性的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)(jie)(jie)電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)來(lai)掩(yan)(yan)埋(mai)(mai)下(xia)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)而(er)(er)引(yin)起(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)現(xian)(xian)象(xiang)，即，上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)扭(niu)曲(qu)或抬高的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)現(xian)(xian)象(xiang)或上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)移(yi)位(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)現(xian)(xian)象(xiang)。因(yin)(yin)此(ci)(ci)，可(ke)(ke)(ke)防止(zhi)引(yin)線(xian)(xian)(xian)連接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)故(gu)障(zhang)，并(bing)可(ke)(ke)(ke)增加(jia)將(jiang)要堆(dui)(dui)疊(die)(die)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)(shang)半(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量(liang)(liang)，以(yi)對(dui)大(da)(da)容(rong)(rong)量(liang)(liang)封裝的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制造做出貢獻。

上述堆疊(die)封裝可應用于(yu)各種(zhong)半導(dao)體裝置和(he)封裝模塊。

參照圖(tu)18，根據各實施方(fang)式的堆疊封裝可應(ying)用(yong)于(yu)電(dian)子系統(tong)(tong)710。電(dian)子系統(tong)(tong)710可包括控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)(qi)711、輸(shu)入(ru)/輸(shu)出單元(yuan)712(即，I/O單元(yuan))以(yi)及存儲器(qi)(qi)713。控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)(qi)711、輸(shu)入(ru)/輸(shu)出單元(yuan)712以(yi)及存儲器(qi)(qi)713可經由總(zong)線715彼此電(dian)連接，總(zong)線715提供數據移動(dong)路徑(jing)。

例如，控(kong)制(zhi)器(qi)711可(ke)包括至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)微處理器(qi)、至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)數(shu)字信號處理器(qi)、至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)微控(kong)制(zhi)器(qi)以(yi)及(ji)能夠實現與這些部件相同功能的(de)(de)(de)邏輯(ji)電路中的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)邏輯(ji)電路。存(cun)儲(chu)器(qi)713可(ke)包括根據(ju)實施(shi)方(fang)式的(de)(de)(de)堆疊封裝中的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)堆疊封裝。輸入/輸出單元712可(ke)包括選(xuan)自按鍵(jian)、鍵(jian)盤、顯示(shi)裝置、觸摸屏等(deng)中的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)種。作為存(cun)儲(chu)數(shu)據(ju)的(de)(de)(de)裝置，存(cun)儲(chu)器(qi)713可(ke)存(cun)儲(chu)將要由控(kong)制(zhi)器(qi)711等(deng)執(zhi)行的(de)(de)(de)數(shu)據(ju)或/和命令。

存(cun)儲(chu)器713可包(bao)括諸如DRAM的(de)易失性(xing)存(cun)儲(chu)裝置或(huo)/和諸如閃存(cun)的(de)非易失存(cun)儲(chu)裝置。例如，可將閃存(cun)安(an)裝至諸如移動終端或(huo)臺式計算(suan)機的(de)信息(xi)處(chu)理系(xi)統(tong)。可將閃存(cun)構造成固態硬盤(SSD)。在此情(qing)況下(xia)，電子(zi)系(xi)統(tong)710可在閃存(cun)系(xi)統(tong)中穩(wen)定地(di)存(cun)儲(chu)大量數據(ju)。

電子系統710還(huan)可包(bao)括接口(kou)714，該(gai)接口(kou)714被設置成能(neng)夠向通(tong)信網絡發(fa)(fa)送數(shu)據以及能(neng)夠從通(tong)信網絡接收(shou)(shou)數(shu)據。接口(kou)714可以是有(you)線(xian)(xian)型或(huo)無線(xian)(xian)型。例如，接口(kou)714可包(bao)括天(tian)線(xian)(xian)、有(you)線(xian)(xian)收(shou)(shou)發(fa)(fa)器或(huo)無線(xian)(xian)收(shou)(shou)發(fa)(fa)器。

電子系(xi)(xi)統(tong)710可被理(li)解為(wei)移動(dong)系(xi)(xi)統(tong)、個人計(ji)算(suan)機(ji)(ji)、工業用計(ji)算(suan)機(ji)(ji)或執行各種(zhong)功能的邏(luo)輯系(xi)(xi)統(tong)。例(li)如，移動(dong)系(xi)(xi)統(tong)可以是個人數字(zi)助理(li)(PDA)、便攜(xie)式計(ji)算(suan)機(ji)(ji)、平板(ban)計(ji)算(suan)機(ji)(ji)、移動(dong)電話、智能電話、無線電話、膝上型計(ji)算(suan)機(ji)(ji)、存儲卡、數字(zi)音樂系(xi)(xi)統(tong)以及信息(xi)發送/接收(shou)系(xi)(xi)統(tong)中的任一種(zhong)。

在(zai)電(dian)子(zi)系(xi)統710是能夠執行無(wu)線(xian)通(tong)(tong)信(xin)的(de)(de)裝置的(de)(de)情況下，電(dian)子(zi)系(xi)統710可用(yong)于諸(zhu)如CDMA(碼(ma)分(fen)多(duo)(duo)(duo)址(zhi))、GSM(全球(qiu)移動通(tong)(tong)信(xin)系(xi)統)、NADC(北美數(shu)字(zi)蜂(feng)窩)、E-TDMA(增強時分(fen)多(duo)(duo)(duo)址(zhi))、WCDMA(寬(kuan)(kuan)帶(dai)(dai)碼(ma)分(fen)多(duo)(duo)(duo)址(zhi))、CDMA2000、LTE(長期演(yan)進)以及 Wibro(無(wu)線(xian)寬(kuan)(kuan)帶(dai)(dai)互聯網(wang))的(de)(de)通(tong)(tong)信(xin)系(xi)統。

參照圖19，根據(ju)(ju)實(shi)施方式(shi)的(de)堆疊封裝可提供為存(cun)(cun)儲(chu)(chu)卡800的(de)形式(shi)。例(li)如(ru)，存(cun)(cun)儲(chu)(chu)卡800可包括諸如(ru)非(fei)易失性存(cun)(cun)儲(chu)(chu)裝置的(de)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器810以(yi)及存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控(kong)制器820。存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器810以(yi)及存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控(kong)制器820可存(cun)(cun)儲(chu)(chu)數據(ju)(ju)或讀取存(cun)(cun)儲(chu)(chu)的(de)數據(ju)(ju)。

存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器810可包括應用了(le)根據(ju)實(shi)施方(fang)式的(de)堆疊封裝的(de)非(fei)易(yi)失性存(cun)(cun)儲(chu)(chu)裝置(zhi)中的(de)至少一種(zhong)，并且存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控(kong)制器820可控(kong)制存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器810響應于(yu)主機(ji)830的(de)讀(du)/寫請求(qiu)來(lai)讀(du)取(qu)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)的(de)數據(ju)或存(cun)(cun)儲(chu)(chu)數據(ju)。

雖然(ran)上文描(miao)述了各個實(shi)施方式(shi)(shi)，但本領域技術人員(yuan)應(ying)當(dang)理解，所描(miao)述的(de)實(shi)施方式(shi)(shi)僅(jin)作為示例(li)。因此(ci)，本文描(miao)述的(de)堆疊封裝及其制造方法不應(ying)基(ji)于描(miao)述的(de)實(shi)施方式(shi)(shi)而受到限制。

相關申請的交叉引用

本(ben)申請(qing)要(yao)求于(yu)2015年7月31日向韓(han)國(guo)知識產權局提交的韓(han)國(guo)專利申請(qing)第10-號(hao)的優先(xian)權，其全(quan)部(bu)內容通(tong)過引用合(he)并(bing)于(yu)此。