本(ben)發明涉及一(yi)種半導(dao)體封裝(zhuang)體，特(te)別是涉及一(yi)種制造半導(dao)體封裝(zhuang)體的方法。

背景技術：

一般來(lai)說(shuo)(shuo)，制造(zao)(zao)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)需(xu)通過多種(zhong)不同的(de)(de)(de)制造(zao)(zao)技術。在制造(zao)(zao)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)過程(cheng)中(zhong)，有些制造(zao)(zao)技術，像是研磨(mo)工藝(yi)(yi)或(huo)薄形(xing)(xing)化工藝(yi)(yi)，可能(neng)產生應力(li)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)于(yu)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)或(huo)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)成品上(shang)。而(er)使半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)在某(mou)種(zhong)程(cheng)度上(shang)可能(neng)會受(shou)到(dao)破壞或(huo)被卷曲(warpage)。因(yin)此，在半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)制造(zao)(zao)過程(cheng)中(zhong)，需(xu)要額外的(de)(de)(de)結(jie)構提供半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)支撐(cheng)以(yi)及強化的(de)(de)(de)功能(neng)。舉例來(lai)說(shuo)(shuo)，傳統的(de)(de)(de)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)制作(zuo)(zuo)(zuo)方(fang)式常采用(yong)將半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)鑄形(xing)(xing)于(yu)鑄形(xing)(xing)材料內的(de)(de)(de)方(fang)式，以(yi)避免應力(li)作(zuo)(zuo)(zuo)用(yong)于(yu)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)時，半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)受(shou)到(dao)損傷(shang)或(huo)發生卷曲。也即，利用(yong)鑄形(xing)(xing)材料作(zuo)(zuo)(zuo)為半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)支撐(cheng)以(yi)及強化的(de)(de)(de)結(jie)構。

然而，隨著半(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)變得更(geng)加薄型化，且大多數的(de)(de)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)為(wei)增加電性連接的(de)(de)線(xian)路，而常于基底中嵌入更(geng)多的(de)(de)精(jing)細結(jie)構(gou)，像是硅穿孔(kong)(through silicon vias,TSVs)或(huo)重(zhong)分布導線(xian)等(deng)導電結(jie)構(gou)。相(xiang)對地(di)，半(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)對應力的(de)(de)抵抗力被劣化，而使(shi)得半(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)更(geng)易遭(zao)受應力毀損(sun)。由(you)此可見(jian)，上述(shu)現有(you)的(de)(de)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)架構(gou)，顯(xian)然仍(reng)存在不(bu)便與缺陷，而有(you)待加以進一(yi)步改進。為(wei)了解(jie)(jie)決上述(shu)問(wen)題(ti)，相(xiang)關(guan)領域(yu)莫(mo)不(bu)費(fei)盡心思來(lai)謀求解(jie)(jie)決之道，但長(chang)久以來(lai)一(yi)直未見(jian)適用的(de)(de)方(fang)式(shi)被發(fa)(fa)展完成(cheng)。因此，如何能有(you)效解(jie)(jie)決上述(shu)問(wen)題(ti)，實屬(shu)當前(qian)重(zhong)要研發(fa)(fa)課題(ti)之一(yi)，也(ye)成(cheng)為(wei)當前(qian)相(xiang)關(guan)領域(yu)亟(ji)需改進的(de)(de)目(mu)標。

技術實現要素：

本(ben)發明的目的在(zai)于(yu)提供(gong)一種半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)及其制(zhi)作方法，其利用(yong)復合層(ceng)強化半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)，以(yi)(yi)作為(wei)制(zhi)造半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)的工(gong)(gong)藝(yi)中的支撐。舉(ju)例來說，像(xiang)是(shi)進行(xing)研磨工(gong)(gong)藝(yi)等(deng)工(gong)(gong)藝(yi)時，復合層(ceng)可用(yong)以(yi)(yi)抵抗工(gong)(gong)藝(yi)中作用(yong)于(yu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)的應力，使(shi)得半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)可減(jian)少或避免(mian)于(yu)工(gong)(gong)藝(yi)中損毀或卷(juan)曲，讓半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)的良(liang)率(lv)提高，以(yi)(yi)節省(sheng)材(cai)料成(cheng)本(ben)。

本發明提供(gong)一種半(ban)導(dao)體(ti)封裝體(ti)的制作方(fang)法，其包含在(zai)晶圓的上(shang)表面(mian)上(shang)方(fang)設置(zhi)多個(ge)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)；以第一鑄(zhu)形(xing)材料鑄(zhu)形(xing)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)；以及，在(zai)鑄(zhu)形(xing)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)后，在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)的上(shang)方(fang)形(xing)成復合層(ceng)。

在本發明(ming)一個或多個實施方式(shi)中(zhong)，上(shang)述的形(xing)成(cheng)復(fu)合層的步驟可(ke)包(bao)含在半導體晶片(pian)的上(shang)方形(xing)成(cheng)第一中(zhong)間(jian)層；以及在第一中(zhong)間(jian)層上(shang)形(xing)成(cheng)第二(er)鑄形(xing)材料(liao)。

在本發明一個或(huo)多個實施方式(shi)中，上述的(de)形成復合層(ceng)的(de)步驟可還包含在第(di)二(er)鑄(zhu)形材(cai)料上形成第(di)二(er)中間(jian)層(ceng)；以及，在第(di)二(er)中間(jian)層(ceng)上形成第(di)三鑄(zhu)形材(cai)料。

在(zai)本發明一(yi)個或多個實施方式中，上述(shu)的(de)以第一(yi)鑄(zhu)形(xing)材(cai)(cai)料鑄(zhu)形(xing)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)的(de)步驟可包含以第一(yi)鑄(zhu)形(xing)材(cai)(cai)料鑄(zhu)形(xing)半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)，并(bing)包覆半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)于第一(yi)鑄(zhu)形(xing)材(cai)(cai)料內；以及，自第一(yi)鑄(zhu)形(xing)材(cai)(cai)料遠離晶圓(yuan)的(de)表(biao)面，進行薄形(xing)化(hua)工藝。

在本發明一(yi)個(ge)或多個(ge)實施方式(shi)中(zhong)，上(shang)述(shu)的(de)以第一(yi)鑄形材料鑄形半導體晶(jing)片(pian)的(de)步驟中(zhong)，暴露至(zhi)少部分的(de)半導體晶(jing)片(pian)遠(yuan)離(li)晶(jing)圓的(de)表面。

在(zai)本(ben)發明一個或多(duo)個實施方式中，上(shang)述的(de)復合層與半導(dao)體晶(jing)(jing)片(pian)遠離晶(jing)(jing)圓(yuan)的(de)表面的(de)至少部分物理接觸(chu)。

在本發(fa)明一(yi)個(ge)或多個(ge)實(shi)施方式中(zhong)，上述的半導體晶(jing)片與(yu)復合(he)層(ceng)之間設(she)置有第一(yi)鑄形材料。

在(zai)本發明一個或多個實施方(fang)式中(zhong)，上(shang)述的(de)半導體(ti)封裝體(ti)的(de)制作方(fang)法可還包含形成(cheng)多個硅(gui)穿孔于晶(jing)圓(yuan)內。每個硅(gui)穿孔的(de)一端(duan)暴(bao)露于晶(jing)圓(yuan)的(de)上(shang)表面，且配置成(cheng)分(fen)別與半導體(ti)晶(jing)片電(dian)性連(lian)接。

在本發明一個或多個實施方式中，上述的(de)半導體封裝體的(de)制作(zuo)方法可還包含在半導體晶片(pian)與(yu)晶圓之(zhi)間(jian)設置(zhi)中介層。

在本(ben)發明一個(ge)或(huo)多(duo)個(ge)實(shi)施方式中(zhong)(zhong)，上(shang)述的(de)設置(zhi)中(zhong)(zhong)介層的(de)步驟包含在中(zhong)(zhong)介層內(nei)設置(zhi)多(duo)個(ge)內(nei)連(lian)線(xian)結構，且(qie)每個(ge)內(nei)連(lian)線(xian)結構電性(xing)連(lian)接于(yu)半導(dao)體晶片(pian)其中(zhong)(zhong)一個(ge)與對應的(de)硅穿孔其中(zhong)(zhong)一個(ge)之間。

在本發明(ming)一個或多個實施方(fang)(fang)式中，上述的(de)晶圓還(huan)具有相對于上表(biao)面的(de)下表(biao)面。半導體(ti)封裝體(ti)的(de)制作(zuo)方(fang)(fang)法可(ke)還(huan)包含(han)在晶圓的(de)下表(biao)面形成(cheng)多個導電突塊。

在本(ben)發(fa)明一(yi)個(ge)或多(duo)個(ge)實施(shi)方式中(zhong)，上述(shu)的形成導電突塊(kuai)的步驟可還(huan)包含自晶圓的下表面，對(dui)晶圓進行(xing)研磨工藝(yi)，直到(dao)至少暴露(lu)硅穿孔遠離(li)上表面的一(yi)端為(wei)止；以及(ji)在晶圓的下表面設(she)置(zhi)多(duo)個(ge)焊球，其中(zhong)焊球與半導體晶片電性(xing)連接。

在本發明(ming)一個或多個實施方式中，上述(shu)的形成導電突塊(kuai)的步驟可(ke)還包含形成重分(fen)布(bu)層連接于晶圓以及焊(han)球之間。

本發明提供一(yi)種半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)，其包含基底(di)、至(zhi)少一(yi)個(ge)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)、第(di)一(yi)鑄形材料(liao)以及(ji)復(fu)合(he)層。半(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)設置于基底(di)的上表面。第(di)一(yi)鑄形材料(liao)環(huan)繞半(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)。復(fu)合(he)層設置于半(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)上。復(fu)合(he)層包含第(di)一(yi)中間(jian)層以及(ji)第(di)二鑄形材料(liao)。第(di)二鑄形材料(liao)設置于第(di)一(yi)中間(jian)層遠離半(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)的表面。

在(zai)本發明一個或(huo)多個實施方式中(zhong)(zhong)(zhong)，上(shang)述的復合層可還包含第二中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)層以及第三鑄形(xing)(xing)材(cai)料。第二中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)層設(she)置于(yu)第二鑄形(xing)(xing)材(cai)料上(shang)。第三鑄形(xing)(xing)材(cai)料設(she)置于(yu)第二中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)層遠離半導體晶(jing)片的表面。

在本(ben)發(fa)明一(yi)個或多個實施(shi)方式中(zhong)，上(shang)述的(de)第(di)一(yi)中(zhong)間(jian)層物理接觸半導體(ti)晶片(pian)遠離晶圓的(de)表面的(de)至少(shao)部分。

在本發明(ming)一(yi)(yi)個或多個實施方式中，上述的(de)第一(yi)(yi)鑄形材料設置于(yu)第一(yi)(yi)中間(jian)層與半導體晶片之(zhi)間(jian)。

在本(ben)發明(ming)一個(ge)或多個(ge)實(shi)施方式(shi)中(zhong)，上述(shu)的基底包含(han)多個(ge)硅穿孔。硅穿孔嵌入于基底內，且與半導(dao)體晶(jing)片電性(xing)連接。

在本(ben)發明一個或多個實施方式(shi)中，上述(shu)的半導體(ti)封裝體(ti)還包含中介(jie)層(ceng)設置于基(ji)底以及半導體(ti)晶(jing)片之(zhi)間(jian)。中介(jie)層(ceng)可(ke)包含多個內連(lian)線結(jie)構。內連(lian)線結(jie)構設置于中介(jie)層(ceng)內，且電(dian)性(xing)連(lian)接(jie)于半導體(ti)晶(jing)片以及硅穿(chuan)孔之(zhi)間(jian)。

在(zai)本發明一個或多(duo)個實施方式中，上述的(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體封裝(zhuang)體還包含多(duo)個導(dao)(dao)電突(tu)塊(kuai)(kuai)。導(dao)(dao)電突(tu)塊(kuai)(kuai)設置于基(ji)底遠(yuan)離(li)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片(pian)(pian)的(de)表(biao)面(mian)。導(dao)(dao)電突(tu)塊(kuai)(kuai)包含重(zhong)(zhong)分布(bu)層(ceng)以及多(duo)個焊(han)球(qiu)。重(zhong)(zhong)分布(bu)層(ceng)設置于基(ji)底遠(yuan)離(li)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片(pian)(pian)的(de)表(biao)面(mian)。焊(han)球(qiu)設置于重(zhong)(zhong)分布(bu)層(ceng)遠(yuan)離(li)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片(pian)(pian)的(de)表(biao)面(mian)，且(qie)通(tong)過重(zhong)(zhong)分布(bu)層(ceng)與硅穿孔(kong)電性連接(jie)。

與現(xian)有技(ji)術相比，本(ben)發明具有如下(xia)有益效(xiao)果：本(ben)發明的(de)半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)及(ji)其(qi)制作方法，其(qi)利用復(fu)合(he)層(ceng)強化半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)，以作為制造半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)的(de)工(gong)藝(yi)中的(de)支(zhi)撐。舉(ju)例(li)來說，像是(shi)進行研磨工(gong)藝(yi)等工(gong)藝(yi)時，復(fu)合(he)層(ceng)可(ke)(ke)用以抵(di)抗工(gong)藝(yi)中作用于半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)的(de)應力(li)，使得半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)可(ke)(ke)減少或(huo)避免于工(gong)藝(yi)中損(sun)毀(hui)或(huo)卷(juan)曲，讓半導體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)(ti)的(de)良(liang)率提高(gao)，以節(jie)省(sheng)材料成本(ben)。

附圖說明

本發(fa)明的上(shang)述和其(qi)他目的、特征(zheng)、優點與實施例，通過下方(fang)的實施例搭(da)配(pei)相對應的圖式(shi)(shi)能(neng)更明顯易懂(dong)，必須要強調的是圖式(shi)(shi)的繪示(shi)(shi)為(wei)本于實務，圖式(shi)(shi)繪示(shi)(shi)的不同特征(zheng)并非(fei)該特征(zheng)的實際尺(chi)寸(cun)比例，必須了解到這些不同特征(zheng)可能(neng)會因為(wei)解說(shuo)的方(fang)便而放(fang)大或縮小其(qi)尺(chi)寸(cun)：

圖1繪示依據本發明多個實施方式的半導(dao)體封裝(zhuang)體的側視剖面(mian)圖。

圖(tu)(tu)2至圖(tu)(tu)8繪示依據本(ben)發明多(duo)個實施方(fang)式的(de)半導體封裝體在不同制作階(jie)段(duan)的(de)簡單(dan)側視剖面圖(tu)(tu)。

圖(tu)9至圖(tu)12繪示(shi)依據本(ben)發明另外(wai)的多個實(shi)施方式的半導體封裝體在不(bu)同制作階段(duan)的簡單側視(shi)剖面圖(tu)。

圖13繪示(shi)依據(ju)本發明(ming)多個實施方(fang)式的(de)(de)示(shi)例的(de)(de)半導體封裝體的(de)(de)側視剖面圖。

圖(tu)14繪示(shi)依據本發明另(ling)外的(de)多個實施方式的(de)示(shi)例的(de)半(ban)導體封裝體的(de)側視(shi)剖面圖(tu)。

圖(tu)15繪(hui)示依據本發明(ming)多個實施(shi)方式(shi)的部(bu)分的半導體(ti)封裝體(ti)在接續的制作階段的簡單側(ce)視(shi)剖面圖(tu)。

圖16繪示依據本發(fa)明多個實施方(fang)式的半導體(ti)封裝體(ti)的制作方(fang)法(fa)的流程圖。

除非有其他表示(shi)，在(zai)不同圖式(shi)中相同的號碼與符號通(tong)常(chang)被(bei)當作相對應的部件。該些圖示(shi)的繪(hui)(hui)示(shi)為清楚表達該些實施方式(shi)的相關(guan)關(guan)聯而非繪(hui)(hui)示(shi)該實際(ji)尺寸(cun)。

具體實施方式

以(yi)(yi)下將(jiang)以(yi)(yi)圖式(shi)公(gong)開本(ben)發(fa)(fa)明的(de)(de)多(duo)個(ge)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式(shi)，為(wei)明確說明起見，許(xu)多(duo)實(shi)(shi)(shi)務上(shang)(shang)的(de)(de)細(xi)節(jie)(jie)將(jiang)在以(yi)(yi)下敘述(shu)中(zhong)(zhong)一并(bing)說明。然(ran)而，應了解(jie)到，這些(xie)(xie)實(shi)(shi)(shi)務上(shang)(shang)的(de)(de)細(xi)節(jie)(jie)不應用以(yi)(yi)限制(zhi)本(ben)發(fa)(fa)明。也就(jiu)是(shi)說，在本(ben)發(fa)(fa)明部分實(shi)(shi)(shi)施方(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)，這些(xie)(xie)實(shi)(shi)(shi)務上(shang)(shang)的(de)(de)細(xi)節(jie)(jie)是(shi)非必要的(de)(de)。此(ci)外，當一個(ge)元(yuan)(yuan)(yuan)件被稱(cheng)為(wei)在…上(shang)(shang)時，它可泛指該元(yuan)(yuan)(yuan)件直接在其他(ta)元(yuan)(yuan)(yuan)件上(shang)(shang)，也可以(yi)(yi)是(shi)有其他(ta)元(yuan)(yuan)(yuan)件存(cun)在于兩(liang)者之中(zhong)(zhong)。相反地，當一個(ge)元(yuan)(yuan)(yuan)件被稱(cheng)為(wei)直接在另一元(yuan)(yuan)(yuan)件，它是(shi)不能有其他(ta)元(yuan)(yuan)(yuan)件存(cun)在于兩(liang)者的(de)(de)中(zhong)(zhong)間。如本(ben)文(wen)所用，詞匯(hui)及/或(huo)包含了列(lie)出的(de)(de)關聯(lian)項目(mu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)一個(ge)或(huo)多(duo)個(ge)的(de)(de)任(ren)何組(zu)合。

圖1繪示依據本發明多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)的(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)100的(de)側視(shi)剖面圖。如圖1所示，半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)100包(bao)含晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110、半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120、第一(yi)(yi)鑄(zhu)形(xing)材料(liao)130以(yi)及復合(he)層140。在(zai)多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)中，晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110也可(ke)(ke)(ke)視(shi)做基(ji)底(di)110。在(zai)多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)中，晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110可(ke)(ke)(ke)由(you)硅(gui)基(ji)基(ji)底(di)、鍺基(ji)基(ji)底(di)或其他合(he)適的(de)基(ji)底(di)。在(zai)多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)中，晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110(基(ji)底(di)110)可(ke)(ke)(ke)包(bao)含多(duo)個硅(gui)穿孔嵌入(ru)于(yu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110(基(ji)底(di)110)內。半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120被設置于(yu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)110(基(ji)底(di)110)的(de)上(shang)表面。值得注意(yi)的(de)是(shi)，此處所述及繪示的(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)100雖僅包(bao)含單一(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120，然其并非用(yong)以(yi)限(xian)制半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)100的(de)實(shi)施(shi)例(li)。在(zai)多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)中，半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)100內也可(ke)(ke)(ke)包(bao)含多(duo)個半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120。接(jie)續地，第一(yi)(yi)鑄(zhu)形(xing)材料(liao)130被形(xing)成(cheng)，且(qie)環繞半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120。在(zai)多(duo)個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式(shi)(shi)(shi)中，第一(yi)(yi)鑄(zhu)形(xing)材料(liao)130可(ke)(ke)(ke)將半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120包(bao)覆于(yu)其內。

復(fu)合(he)層140被設置(zhi)(zhi)于半導(dao)體晶(jing)(jing)片(pian)120上。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，復(fu)合(he)層140可包(bao)含第(di)(di)(di)(di)一(yi)中間層142以及第(di)(di)(di)(di)二鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)中間層142可為薄板、薄膜、金屬(shu)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)或其他(ta)合(he)適(shi)的(de)(de)(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。在(zai)其他(ta)的(de)(de)(de)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)中間層142也可包(bao)含金屬(shu)軌線(圖未(wei)繪示(shi))，配置(zhi)(zhi)成電性(xing)連接半導(dao)體晶(jing)(jing)片(pian)120，將(jiang)如(ru)后詳述。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)二鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144被設置(zhi)(zhi)于第(di)(di)(di)(di)一(yi)中間層142遠離半導(dao)體晶(jing)(jing)片(pian)120的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130與第(di)(di)(di)(di)二鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144可使(shi)用(yong)相(xiang)同的(de)(de)(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130與第(di)(di)(di)(di)二鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144可使(shi)用(yong)不相(xiang)同的(de)(de)(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。在(zai)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方式(shi)(shi)中，第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130的(de)(de)(de)熱膨脹系數與第(di)(di)(di)(di)二鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144的(de)(de)(de)熱膨脹系數可經選擇，以互相(xiang)匹(pi)配。

由(you)于半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)100的(de)(de)(de)(de)新(xin)結(jie)構(gou)可(ke)(ke)視為將(jiang)第(di)一(yi)(yi)中間層142夾于第(di)一(yi)(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)料(liao)130以及(ji)第(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)料(liao)144之間，使得半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)100可(ke)(ke)借由(you)復合層140提供(gong)支撐以及(ji)強(qiang)化的(de)(de)(de)(de)功能，同(tong)時，第(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)料(liao)144也可(ke)(ke)配置成與第(di)一(yi)(yi)中間層142共同(tong)平衡第(di)一(yi)(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)料(liao)130所造成的(de)(de)(de)(de)應(ying)力，像(xiang)是因熱(re)膨脹而(er)產生的(de)(de)(de)(de)應(ying)力。如此(ci)一(yi)(yi)來，復合層140的(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)可(ke)(ke)讓半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)100在多(duo)種不同(tong)的(de)(de)(de)(de)情況下，避免因受應(ying)力而(er)毀損或(huo)卷(juan)曲。也即，復合層140可(ke)(ke)確保對半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)100的(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)強(qiang)化，并(bing)維持薄型化的(de)(de)(de)(de)趨勢(shi)。同(tong)時，相(xiang)較將(jiang)半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)完全(quan)包覆于鑄形(xing)(xing)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)，本案的(de)(de)(de)(de)半(ban)導體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)100可(ke)(ke)較為節省使用(yong)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)數量與材(cai)料(liao)成本，且具有(you)更小(xiao)的(de)(de)(de)(de)體(ti)積。

在多(duo)個實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中，晶圓110(基底110)可包含多(duo)個硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112(through silicon vias,TSVs)。硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112設置(zhi)(zhi)或嵌入于(yu)晶圓110(基底110)內，其中每個硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112的(de)一端(duan)暴露于(yu)晶圓110的(de)上表(biao)面，且配置(zhi)(zhi)成與半導體晶片120分別(bie)電(dian)(dian)性連(lian)接(jie)。更(geng)精確(que)地來(lai)說(shuo)，半導體晶片120可包含多(duo)個接(jie)觸墊122，且接(jie)觸墊122配置(zhi)(zhi)成通過(guo)導電(dian)(dian)柱124與硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112暴露于(yu)晶圓110的(de)上表(biao)面的(de)一端(duan)電(dian)(dian)性連(lian)接(jie)。應了解到，此處所述的(de)連(lian)接(jie)于(yu)硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112以及半導體晶片120之間(jian)的(de)導電(dian)(dian)路徑，僅為(wei)示例，并非用(yong)以限制硅穿(chuan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)112以及半導體晶片120之間(jian)的(de)連(lian)接(jie)方(fang)式(shi)(shi)。

在多個實施方式(shi)中，半導(dao)(dao)體(ti)封(feng)裝體(ti)100可(ke)還(huan)包(bao)(bao)含中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150。中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150設(she)(she)置于(yu)晶圓110(基(ji)底110)以及半導(dao)(dao)體(ti)晶片(pian)120之間(jian)。中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150可(ke)包(bao)(bao)含多個內(nei)連線結構152。內(nei)連線結構152設(she)(she)置于(yu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150內(nei)，且(qie)電(dian)性連接于(yu)對應的半導(dao)(dao)體(ti)晶片(pian)120以及對應的硅穿(chuan)孔112之間(jian)。中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)150可(ke)還(huan)包(bao)(bao)含鈍(dun)化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)154(passivation layer)。鈍(dun)化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)154設(she)(she)置于(yu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)基(ji)底156上，且(qie)位于(yu)內(nei)連線結構152之間(jian)，使得(de)鈍(dun)化(hua)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)154可(ke)用以避免內(nei)連線結構152間(jian)彼此互相連接。

在多(duo)個(ge)實施方(fang)式(shi)(shi)中，半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)封裝體(ti)100可還包(bao)含(han)多(duo)個(ge)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)突(tu)(tu)塊(kuai)。導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)突(tu)(tu)塊(kuai)設置(zhi)于晶(jing)圓(yuan)110(基(ji)(ji)底(di)110)遠(yuan)離半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片120的表面(mian)(mian)(mian)，其中導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)突(tu)(tu)塊(kuai)通過(guo)硅(gui)(gui)穿(chuan)孔(kong)112與半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片120電(dian)(dian)(dian)性連接。在多(duo)個(ge)實施方(fang)式(shi)(shi)中，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)突(tu)(tu)塊(kuai)可包(bao)含(han)多(duo)個(ge)焊(han)球(qiu)170。在其他的多(duo)個(ge)實施方(fang)式(shi)(shi)中，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)突(tu)(tu)塊(kuai)可包(bao)含(han)重分(fen)(fen)(fen)布層160以及(ji)多(duo)個(ge)焊(han)球(qiu)170。重分(fen)(fen)(fen)布層160設置(zhi)于晶(jing)圓(yuan)110(基(ji)(ji)底(di)110)遠(yuan)離半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片120的表面(mian)(mian)(mian)。重分(fen)(fen)(fen)布層160可包(bao)含(han)基(ji)(ji)底(di)164以及(ji)多(duo)個(ge)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)墊162。在多(duo)個(ge)實施方(fang)式(shi)(shi)中，焊(han)球(qiu)170設置(zhi)于重分(fen)(fen)(fen)布層160遠(yuan)離晶(jing)圓(yuan)110(基(ji)(ji)底(di)110)的表面(mian)(mian)(mian)，且(qie)通過(guo)重分(fen)(fen)(fen)布層160與硅(gui)(gui)穿(chuan)孔(kong)112電(dian)(dian)(dian)性連接。更進一步(bu)來說，焊(han)球(qiu)170設置(zhi)于導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)墊162上，使得焊(han)球(qiu)170可電(dian)(dian)(dian)性連接至硅(gui)(gui)穿(chuan)孔(kong)112，且(qie)形成導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)路(lu)徑于焊(han)球(qiu)170以及(ji)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片120之間。

圖(tu)2至圖(tu)8為依據本發明多(duo)(duo)個實施方(fang)(fang)式(shi)繪(hui)示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)(ti)(ti)100在(zai)不同制(zhi)(zhi)(zhi)作階段的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)簡單(dan)側視剖面(mian)圖(tu)。參(can)照(zhao)圖(tu)2，半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)(ti)(ti)100的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)作，自提供(gong)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110以及中介(jie)層(ceng)150開始。中介(jie)層(ceng)150設(she)(she)置于(yu)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110上，在(zai)多(duo)(duo)個實施方(fang)(fang)式(shi)中，晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110可(ke)包含(han)多(duo)(duo)個硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112設(she)(she)置于(yu)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110內(nei)。值得(de)注意的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)是，此(ci)(ci)處(chu)所提供(gong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110可(ke)不需包含(han)中介(jie)層(ceng)150或(huo)任(ren)何嵌(qian)入于(yu)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構，舉例來(lai)說，硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112，且此(ci)(ci)處(chu)所述(shu)關于(yu)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)(ti)(ti)100的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)流程(cheng)僅(jin)為示(shi)例，其并非(fei)用(yong)以限制(zhi)(zhi)(zhi)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構。在(zai)多(duo)(duo)個實施方(fang)(fang)式(shi)中，在(zai)目(mu)前制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)(ti)(ti)100的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)步(bu)驟中，硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112僅(jin)暴露(lu)于(yu)靠近(jin)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110上側的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)。換(huan)句話(hua)說，每個硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112具有兩端(duan)，在(zai)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)作方(fang)(fang)法1600(參(can)照(zhao)圖(tu)16)中，在(zai)此(ci)(ci)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)步(bu)驟，僅(jin)硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112靠近(jin)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110上側表面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)被暴露(lu)，而硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)另一(yi)端(duan)仍包覆于(yu)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110內(nei)，將在(zai)后續(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工藝步(bu)驟被暴露(lu)。晶圓(yuan)(yuan)(yuan)110內(nei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)硅穿孔(kong)(kong)(kong)(kong)112可(ke)通過一(yi)個或(huo)多(duo)(duo)個工藝來(lai)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)。

在(zai)多(duo)個(ge)實(shi)施方式中，中介(jie)層(ceng)150可包含多(duo)個(ge)內連(lian)(lian)(lian)線結構152、鈍化層(ceng)154以及中介(jie)層(ceng)基底(di)156。在(zai)多(duo)個(ge)實(shi)施方式中，中介(jie)層(ceng)150可通(tong)過(guo)一(yi)個(ge)或多(duo)個(ge)工藝(yi)被(bei)形(xing)成(cheng)于晶圓110的(de)上(shang)表面。在(zai)多(duo)個(ge)實(shi)施方式中，中介(jie)層(ceng)150的(de)內連(lian)(lian)(lian)線結構152配置成(cheng)與硅(gui)穿孔112電性連(lian)(lian)(lian)接。

參(can)照(zhao)圖(tu)3，在(zai)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的上側的表(biao)(biao)面上方(fang)(fang)設置多個(ge)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120。在(zai)多個(ge)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120可(ke)具有主動表(biao)(biao)面朝向晶(jing)(jing)圓(yuan)110。在(zai)多個(ge)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120可(ke)包含接(jie)觸(chu)墊122設置于(yu)(yu)主動表(biao)(biao)面上。接(jie)觸(chu)墊122配置成供(gong)其(qi)他(ta)元件通過主動表(biao)(biao)面與半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120電(dian)性(xing)連接(jie)。在(zai)多個(ge)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，導(dao)(dao)電(dian)柱124被設置于(yu)(yu)晶(jing)(jing)圓(yuan)110以(yi)(yi)及半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120之間(jian)，且電(dian)性(xing)連接(jie)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120至晶(jing)(jing)圓(yuan)110的導(dao)(dao)電(dian)特(te)征，像(xiang)是硅穿孔(kong)112等(deng)。在(zai)多個(ge)實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，導(dao)(dao)電(dian)柱124以(yi)(yi)及內連線結構152可(ke)共同形成導(dao)(dao)電(dian)路徑(jing)，電(dian)性(xing)連接(jie)于(yu)(yu)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120與對(dui)應的硅穿孔(kong)112之間(jian)。值得(de)注(zhu)意(yi)的是，此處所述的位(wei)于(yu)(yu)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120與對(dui)應的硅穿孔(kong)112之間(jian)的導(dao)(dao)電(dian)路徑(jing)僅為示例，并非用以(yi)(yi)限制(zhi)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120與對(dui)應的硅穿孔(kong)112之間(jian)的連接(jie)關(guan)系。

參照圖(tu)4，在接(jie)續(xu)的(de)(de)步(bu)(bu)驟(zou)，以(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120。在多個實(shi)(shi)施方式中，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130可(ke)將半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120完(wan)全包覆于內(nei)。在其他的(de)(de)實(shi)(shi)施方式中，至(zhi)少(shao)部分(fen)的(de)(de)半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120遠離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的(de)(de)表面可(ke)暴露于第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130外，將如后詳述。在多個實(shi)(shi)施方式中，以(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120的(de)(de)步(bu)(bu)驟(zou)可(ke)以(yi)多個不(bu)同的(de)(de)工(gong)藝方法(fa)達致。舉例來說，鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)工(gong)藝、部分(fen)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)工(gong)藝以(yi)及研磨工(gong)藝。也即，可(ke)在進(jin)行以(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120的(de)(de)步(bu)(bu)驟(zou)后，選擇性地，自(zi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130遠離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的(de)(de)表面的(de)(de)方向，進(jin)行研磨工(gong)藝或薄形(xing)(xing)化工(gong)藝，以(yi)移除半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120上方的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130，讓第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料(liao)(liao)130的(de)(de)厚度縮減，或者，更進(jin)一(yi)(yi)(yi)步(bu)(bu)地，暴露半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120至(zhi)少(shao)部分(fen)的(de)(de)半導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)(jing)片(pian)120遠離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的(de)(de)表面。

值得(de)注(zhu)意的是，即使(shi)對第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130進(jin)行研磨工藝(yi)(yi)或(huo)薄形(xing)(xing)(xing)化工藝(yi)(yi)，半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120仍被第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130環繞(rao)，使(shi)得(de)第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130可保(bao)護半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120。舉例來說，其中(zhong)(zhong)一種實施方式(shi)中(zhong)(zhong)，以第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120的步(bu)驟可為部分鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)工藝(yi)(yi)，其中(zhong)(zhong)在進(jin)行部分鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)工藝(yi)(yi)后，至(zhi)少部分的半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120遠(yuan)離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的表(biao)(biao)(biao)面仍暴露于第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130外。換句話說，形(xing)(xing)(xing)成的第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130覆蓋(gai)部分的半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120遠(yuan)離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的表(biao)(biao)(biao)面。如圖(tu)4所示(shi)，在本實施方式(shi)中(zhong)(zhong)，半(ban)導體晶(jing)(jing)片(pian)(pian)120遠(yuan)離(li)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的表(biao)(biao)(biao)面仍被第(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料(liao)(liao)(liao)130覆蓋(gai)，以接續進(jin)行后續的步(bu)驟。

參(can)照圖5，接續地，當第(di)(di)一(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130鑄形(xing)(xing)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120后，在(zai)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120的上方(fang)形(xing)(xing)成(cheng)復合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140。在(zai)多(duo)個實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，半(ban)導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120與(yu)復合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140之間(jian)(jian)可(ke)(ke)(ke)設置(zhi)有第(di)(di)一(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130。復合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140可(ke)(ke)(ke)包(bao)含(han)第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142以及第(di)(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)144。在(zai)多(duo)個實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，形(xing)(xing)成(cheng)復合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140的步(bu)(bu)驟(zou)可(ke)(ke)(ke)包(bao)含(han)在(zai)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120的上方(fang)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142以及在(zai)第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142上形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)144。在(zai)多(duo)個實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142可(ke)(ke)(ke)與(yu)第(di)(di)一(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130遠離晶(jing)圓(yuan)(yuan)110的表(biao)面互相固(gu)定或(huo)貼(tie)合(he)。而(er)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)144在(zai)第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142遠離第(di)(di)一(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130的表(biao)面的步(bu)(bu)驟(zou)，可(ke)(ke)(ke)優先于或(huo)接續于進(jin)行第(di)(di)一(yi)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142固(gu)定或(huo)貼(tie)合(he)至第(di)(di)一(yi)鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130遠離晶(jing)圓(yuan)(yuan)110的表(biao)面上的步(bu)(bu)驟(zou)。在(zai)多(duo)個實(shi)(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)144可(ke)(ke)(ke)包(bao)含(han)對第(di)(di)二鑄形(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)144遠離晶(jing)圓(yuan)(yuan)110的表(biao)面進(jin)行研磨工藝或(huo)拋光工藝。

參照圖6，自相(xiang)對(dui)于晶(jing)(jing)圓(yuan)110上表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)下表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)側，進行研(yan)磨(mo)工(gong)藝(yi)或薄(bo)型化(hua)工(gong)藝(yi)，以(yi)減少(shao)晶(jing)(jing)圓(yuan)110的(de)(de)(de)(de)厚度，直到(dao)嵌入于晶(jing)(jing)圓(yuan)110中的(de)(de)(de)(de)硅穿孔(kong)112遠離上表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)于晶(jing)(jing)圓(yuan)110的(de)(de)(de)(de)下表(biao)(biao)(biao)面(mian)被暴露為(wei)止。如此一(yi)來，半(ban)導體晶(jing)(jing)片120可通過(guo)硅穿孔(kong)112遠離上表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)端(duan)與(yu)其他元件電(dian)性連接。在多個實施(shi)方式中，作為(wei)半(ban)導體封裝(zhuang)體100的(de)(de)(de)(de)強化(hua)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)復(fu)合層(ceng)140可在研(yan)磨(mo)工(gong)藝(yi)或薄(bo)型化(hua)工(gong)藝(yi)進行的(de)(de)(de)(de)過(guo)程中，對(dui)半(ban)導體封裝(zhuang)體100的(de)(de)(de)(de)半(ban)成品提供(gong)強化(hua)與(yu)支撐。

參照(zhao)圖7，在晶(jing)圓110的下方形成重分布(bu)層160。重分布(bu)層160可(ke)包(bao)含(han)基(ji)底164以(yi)及導電(dian)墊(dian)162或(huo)導電(dian)軌線。導電(dian)墊(dian)162可(ke)電(dian)性連接至半導體(ti)晶(jing)片120。

參照圖8，在(zai)(zai)晶圓(yuan)110遠離半導(dao)體(ti)晶片120的(de)(de)(de)下(xia)表(biao)面的(de)(de)(de)下(xia)方設(she)置(zhi)多(duo)個焊(han)球(qiu)(qiu)170，且焊(han)球(qiu)(qiu)170與(yu)半導(dao)體(ti)晶片120電性(xing)連(lian)接。舉例(li)來說，焊(han)球(qiu)(qiu)170可(ke)設(she)置(zhi)于重分布(bu)(bu)層(ceng)160所形(xing)成的(de)(de)(de)導(dao)電墊162上(shang)，但不限于此(ci)。在(zai)(zai)其他的(de)(de)(de)多(duo)個實施(shi)方式(shi)中，焊(han)球(qiu)(qiu)170可(ke)設(she)置(zhi)于與(yu)其他元件(jian)接腳相對(dui)應的(de)(de)(de)位置(zhi)，并(bing)通過重分布(bu)(bu)層(ceng)160所形(xing)成的(de)(de)(de)導(dao)電軌線電性(xing)連(lian)接重分布(bu)(bu)層(ceng)160。換(huan)句話說，重分布(bu)(bu)層(ceng)160被(bei)設(she)置(zhi)或形(xing)成于晶圓(yuan)110以及焊(han)球(qiu)(qiu)170之間，且在(zai)(zai)晶圓(yuan)110遠離半導(dao)體(ti)晶片120的(de)(de)(de)下(xia)表(biao)面的(de)(de)(de)下(xia)方與(yu)焊(han)球(qiu)(qiu)170共同形(xing)成多(duo)個導(dao)電突塊。

圖(tu)9至圖(tu)12為依(yi)據本發明另(ling)外的(de)多(duo)個(ge)實施(shi)方式(shi)繪示的(de)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)100’在不同(tong)制作(zuo)階段的(de)簡單(dan)側視(shi)剖面圖(tu)。繪示在圖(tu)9至圖(tu)12中(zhong)的(de)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝體(ti)(ti)100’，接續圖(tu)4所(suo)(suo)示關于(yu)(yu)形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130的(de)步驟，其中(zhong)所(suo)(suo)形(xing)成(cheng)的(de)第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130可環繞或(huo)(huo)包覆(fu)(fu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120，如(ru)圖(tu)9所(suo)(suo)示，在形(xing)成(cheng)復合層140于(yu)(yu)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120上方前，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120遠(yuan)離晶圓(yuan)(yuan)110的(de)表面僅部份被第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130給(gei)覆(fu)(fu)蓋。甚或(huo)(huo)，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120遠(yuan)離晶圓(yuan)(yuan)110的(de)表面可完全暴露于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130外。在多(duo)個(ge)實施(shi)方式(shi)中(zhong)，在進行以第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130鑄形(xing)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120的(de)步驟后，可接續地，自第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130遠(yuan)離晶圓(yuan)(yuan)110的(de)表面進行研磨工(gong)(gong)(gong)藝(yi)或(huo)(huo)薄形(xing)化工(gong)(gong)(gong)藝(yi)，以移除半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120上方的(de)第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130。如(ru)此一來(lai)，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120遠(yuan)離晶圓(yuan)(yuan)110的(de)表面可被部分或(huo)(huo)完全暴露。值得注意(yi)的(de)是，即便(bian)在進行研磨工(gong)(gong)(gong)藝(yi)或(huo)(huo)薄形(xing)化工(gong)(gong)(gong)藝(yi)后，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)120仍被第(di)(di)(di)一鑄形(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)130給(gei)圍繞。

接(jie)續地(di)，復(fu)(fu)合(he)層140可形成在半導體(ti)晶(jing)片(pian)120以(yi)及第(di)一鑄形材料(liao)130上方(fang)。甚或(huo)，更精(jing)確地(di)來說，復(fu)(fu)合(he)層140可直(zhi)接(jie)形成在半導體(ti)晶(jing)片(pian)120以(yi)及第(di)一鑄形材料(liao)130上方(fang)。換句話說，復(fu)(fu)合(he)層140可與半導體(ti)晶(jing)片(pian)120遠離(li)晶(jing)圓(yuan)110的表面的至少部分物(wu)理接(jie)觸。也即，如果任(ren)何應(ying)力(li)作用于(yu)半導體(ti)晶(jing)片(pian)120，應(ying)力(li)會直(zhi)接(jie)傳遞并作用到復(fu)(fu)合(he)層140上，以(yi)防止或(huo)阻止半導體(ti)晶(jing)片(pian)120受到毀損。

在多(duo)個實施方式中(zhong)，復合層(ceng)140的(de)(de)第一中(zhong)間(jian)層(ceng)142可(ke)(ke)包含金屬軌(gui)線(圖未繪(hui)示(shi))嵌入于(yu)中(zhong)間(jian)層(ceng)142內。同(tong)時，半導體(ti)(ti)晶片(pian)120可(ke)(ke)還包含其他(ta)的(de)(de)主(zhu)動表面(mian)(圖未繪(hui)示(shi))，此處所(suo)述的(de)(de)主(zhu)動表面(mian)位于(yu)半導體(ti)(ti)晶片(pian)120遠(yuan)離晶圓的(de)(de)表面(mian)，使得主(zhu)動表面(mian)可(ke)(ke)與中(zhong)間(jian)層(ceng)142的(de)(de)金屬軌(gui)線電(dian)性連接(jie)(jie)，以創造與半導體(ti)(ti)晶片(pian)120電(dian)性連接(jie)(jie)的(de)(de)其他(ta)可(ke)(ke)能的(de)(de)導電(dian)路徑。

參照圖10，自晶(jing)圓110的(de)下表(biao)面的(de)一側，進(jin)行研磨(mo)工(gong)藝(yi)或(huo)薄型(xing)(xing)化(hua)工(gong)藝(yi)，以(yi)減(jian)少晶(jing)圓110的(de)厚度，直到嵌入(ru)于晶(jing)圓110中的(de)硅(gui)穿(chuan)孔112遠(yuan)離上(shang)表(biao)面的(de)一端(duan)于晶(jing)圓110的(de)下表(biao)面被暴露(lu)為止(zhi)。在多(duo)個實施方(fang)式中，與(yu)半(ban)導(dao)體(ti)晶(jing)片120直接接觸(chu)的(de)復合層140可(ke)在研磨(mo)工(gong)藝(yi)或(huo)薄型(xing)(xing)化(hua)工(gong)藝(yi)進(jin)行的(de)過程中，對半(ban)導(dao)體(ti)封裝體(ti)100’的(de)半(ban)成品提供強化(hua)與(yu)支撐。

參照圖(tu)(tu)11以(yi)及圖(tu)(tu)12，多個導電突塊被形(xing)成于(yu)晶圓110遠(yuan)離半(ban)導體晶片120的(de)下表(biao)面(mian)的(de)一側(ce)，為半(ban)導體晶片120創造(zao)與(yu)其(qi)他(ta)元件的(de)電性接點。此處所述的(de)制(zhi)造(zao)過程，可與(yu)圖(tu)(tu)7以(yi)及圖(tu)(tu)8中(zhong)所述的(de)制(zhi)造(zao)過程相對(dui)應。

圖13為依據本(ben)發明多個實(shi)施方(fang)式繪(hui)示(shi)的(de)(de)示(shi)例性的(de)(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100在進行(xing)后續的(de)(de)步驟中的(de)(de)側(ce)視剖面圖。雖(sui)然并未在此處繪(hui)示(shi)，應了解到，晶(jing)圓110可具有(you)切(qie)割(ge)線區域(yu)，配置(zhi)成自切(qie)割(ge)線區域(yu)切(qie)割(ge)晶(jing)圓110，將半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100與(yu)鄰近的(de)(de)另一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100分割(ge)。如圖13所繪(hui)示(shi)的(de)(de)虛線，僅(jin)為示(shi)例，用以顯示(shi)分割(ge)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100與(yu)鄰近的(de)(de)另一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100的(de)(de)制造流程。在圖13所示(shi)的(de)(de)沿(yan)著切(qie)割(ge)線區域(yu)切(qie)割(ge)的(de)(de)方(fang)法，可避免半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)片(pian)120或半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)體(ti)(ti)100內的(de)(de)其他(ta)結構受(shou)到毀(hui)損(sun)。

圖14為(wei)依(yi)據本發明另(ling)外(wai)的(de)(de)多(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式(shi)(shi)繪示的(de)(de)示例的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝體(ti)(ti)1400的(de)(de)側視剖面(mian)圖。如同圖14所示，在多(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝體(ti)(ti)1400可包含(han)晶(jing)圓110(基底110)、半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)片120、第(di)(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130、復(fu)合層(ceng)140’、中(zhong)(zhong)介層(ceng)150、重(zhong)分布層(ceng)160以(yi)(yi)及焊球(qiu)170。第(di)(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130設(she)置于半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)片120以(yi)(yi)及復(fu)合層(ceng)140’之間(jian)(jian)。復(fu)合層(ceng)140’可包含(han)第(di)(di)一中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)142、第(di)(di)二(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144、第(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)146以(yi)(yi)及第(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)148。層(ceng)疊第(di)(di)一中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)142、第(di)(di)二(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144、第(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)146以(yi)(yi)及第(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)148，以(yi)(yi)形(xing)(xing)(xing)(xing)成復(fu)合層(ceng)140’。第(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)146設(she)置于第(di)(di)二(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144上。第(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)148設(she)置于第(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)146遠離(li)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)片120的(de)(de)表面(mian)。在多(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，第(di)(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130、第(di)(di)二(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144以(yi)(yi)及第(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)148可使用相同的(de)(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。在多(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式(shi)(shi)中(zhong)(zhong)，第(di)(di)一鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)130、第(di)(di)二(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)144以(yi)(yi)及第(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)148可使用不相同的(de)(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)。

圖15依(yi)據本發明另外(wai)的(de)多(duo)個實(shi)施方(fang)式(shi)繪示的(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)(ti)1500在(zai)接續(xu)的(de)制作階段的(de)簡單側視剖面圖。如同圖15所示，在(zai)多(duo)個實(shi)施方(fang)式(shi)中(zhong)，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝體(ti)(ti)(ti)(ti)1500可(ke)包含(han)晶(jing)圓(yuan)(yuan)110(基底110)、半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120、第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)130、復(fu)合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’、中(zhong)介層(ceng)(ceng)(ceng)150、重分布層(ceng)(ceng)(ceng)160以及焊球170。半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120遠(yuan)離晶(jing)圓(yuan)(yuan)110的(de)表面的(de)至(zhi)少部(bu)分與第(di)(di)(di)(di)一(yi)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142物理接觸。復(fu)合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’可(ke)包含(han)第(di)(di)(di)(di)一(yi)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)144、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)146以及第(di)(di)(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)148。層(ceng)(ceng)(ceng)疊第(di)(di)(di)(di)一(yi)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)142、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)144、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)146以及第(di)(di)(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)148，以形(xing)(xing)成復(fu)合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)146設置(zhi)于第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)144上。第(di)(di)(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)148設置(zhi)于第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)中(zhong)間(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)146遠(yuan)離半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)片(pian)(pian)120的(de)表面。在(zai)多(duo)個實(shi)施方(fang)式(shi)中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)130、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)144以及第(di)(di)(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)148可(ke)使用相同的(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)。在(zai)多(duo)個實(shi)施方(fang)式(shi)中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)130、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)144以及第(di)(di)(di)(di)三鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)148可(ke)使用不相同的(de)鑄(zhu)(zhu)(zhu)(zhu)形(xing)(xing)材(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)。

由(you)于此(ci)處所述的(de)(de)(de)復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’可(ke)提(ti)供半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)1400以(yi)(yi)及半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)1500支撐以(yi)(yi)及強(qiang)化(hua)的(de)(de)(de)功能(neng)。進一步來說，復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’包含的(de)(de)(de)額外層(ceng)(ceng)(ceng)，像是(shi)第二中(zhong)間層(ceng)(ceng)(ceng)146以(yi)(yi)及第三鑄形(xing)材料148。復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’可(ke)提(ti)供半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)1400以(yi)(yi)及半(ban)(ban)導體(ti)(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)1500更多(duo)變動的(de)(de)(de)彈(dan)性，并(bing)(bing)進一步加強(qiang)結(jie)(jie)構的(de)(de)(de)強(qiang)度。舉例來說，若(ruo)第一中(zhong)間層(ceng)(ceng)(ceng)142內嵌入有金屬(shu)軌線，則(ze)復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’內其他(ta)層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)提(ti)供足(zu)夠的(de)(de)(de)結(jie)(jie)構強(qiang)度，以(yi)(yi)抵抗應力。值得(de)注意的(de)(de)(de)是(shi)，此(ci)處所述的(de)(de)(de)復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’僅為示例，并(bing)(bing)非用以(yi)(yi)限(xian)制本發明，本領(ling)域(yu)具有通常(chang)知(zhi)識者可(ke)根(gen)據實際需求調整(zheng)復(fu)(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)140’的(de)(de)(de)堆(dui)疊(die)層(ceng)(ceng)(ceng)數。

圖16為依據本發明多(duo)個實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式繪示(shi)的(de)半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)的(de)制作方(fang)(fang)(fang)法1600的(de)流程圖。如(ru)圖16所示(shi)，半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)的(de)制作方(fang)(fang)(fang)法1600從步驟(zou)1610開始，在(zai)(zai)(zai)(zai)晶(jing)(jing)(jing)(jing)圓的(de)上(shang)表面上(shang)方(fang)(fang)(fang)設置多(duo)個半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)。接續地，在(zai)(zai)(zai)(zai)步驟(zou)1620，半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)被鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)于鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)料(liao)中(zhong)。接著，在(zai)(zai)(zai)(zai)鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)后(hou)，在(zai)(zai)(zai)(zai)半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)的(de)上(shang)方(fang)(fang)(fang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)復(fu)合層。在(zai)(zai)(zai)(zai)多(duo)個實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式中(zhong)，在(zai)(zai)(zai)(zai)半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)的(de)上(shang)方(fang)(fang)(fang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)復(fu)合層的(de)步驟(zou)可(ke)(ke)包含設置中(zhong)間(jian)層于半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)上(shang)方(fang)(fang)(fang)以及(ji)(ji)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)料(liao)于中(zhong)間(jian)層上(shang)。在(zai)(zai)(zai)(zai)另外的(de)多(duo)個實(shi)(shi)(shi)施方(fang)(fang)(fang)式中(zhong)，在(zai)(zai)(zai)(zai)半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)的(de)上(shang)方(fang)(fang)(fang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)復(fu)合層的(de)步驟(zou)可(ke)(ke)包含設置第(di)(di)一中(zhong)間(jian)層于半導(dao)體(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)(jing)片(pian)上(shang)方(fang)(fang)(fang)、形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)二鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)料(liao)于第(di)(di)一中(zhong)間(jian)層上(shang)、在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)二鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)料(liao)上(shang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)二中(zhong)間(jian)層以及(ji)(ji)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)二中(zhong)間(jian)層上(shang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)三鑄(zhu)形(xing)(xing)(xing)(xing)材(cai)料(liao)。如(ru)此(ci)一來，復(fu)合層可(ke)(ke)提供半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)的(de)半成(cheng)(cheng)(cheng)品在(zai)(zai)(zai)(zai)后(hou)續工藝過程中(zhong)的(de)強化(hua)以及(ji)(ji)支撐。

在(zai)多個(ge)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，鑄(zhu)形(xing)(xing)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片的(de)(de)步驟可(ke)(ke)包(bao)含鑄(zhu)形(xing)(xing)工(gong)藝以及部(bu)(bu)分鑄(zhu)形(xing)(xing)工(gong)藝。而部(bu)(bu)分鑄(zhu)形(xing)(xing)工(gong)藝中(zhong)(zhong)所形(xing)(xing)成的(de)(de)鑄(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料仍(reng)圍繞半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片。在(zai)多個(ge)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)自鑄(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料遠(yuan)離晶(jing)圓的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)，進行研磨工(gong)藝或薄(bo)形(xing)(xing)化工(gong)藝，以薄(bo)化鑄(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料高于(yu)(yu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片的(de)(de)部(bu)(bu)分。在(zai)多個(ge)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，鑄(zhu)形(xing)(xing)材(cai)料設置于(yu)(yu)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片與復合層(ceng)之間。在(zai)其他(ta)的(de)(de)多個(ge)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，至(zhi)少(shao)部(bu)(bu)分的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片遠(yuan)離晶(jing)圓的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)被暴露。在(zai)其他(ta)的(de)(de)多個(ge)實(shi)施(shi)方(fang)(fang)式中(zhong)(zhong)，復合層(ceng)可(ke)(ke)與至(zhi)少(shao)部(bu)(bu)分的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體晶(jing)片遠(yuan)離晶(jing)圓的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)物理接觸。

在多(duo)(duo)個(ge)(ge)實施方(fang)式中，晶(jing)圓(yuan)(yuan)還具有下表(biao)面，相對(dui)于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面。晶(jing)圓(yuan)(yuan)包(bao)含(han)多(duo)(duo)個(ge)(ge)硅穿(chuan)孔(kong)，設(she)置于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)內(nei)。每個(ge)(ge)硅穿(chuan)孔(kong)的(de)(de)(de)一端(duan)暴(bao)露于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面，且配置成(cheng)與半(ban)導(dao)體晶(jing)片(pian)電(dian)性連接。在多(duo)(duo)個(ge)(ge)實施方(fang)式中，半(ban)導(dao)體封裝體的(de)(de)(de)制作方(fang)法1600可(ke)還包(bao)含(han)形成(cheng)多(duo)(duo)個(ge)(ge)硅穿(chuan)孔(kong)于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)內(nei)。形成(cheng)多(duo)(duo)個(ge)(ge)硅穿(chuan)孔(kong)于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)內(nei)的(de)(de)(de)步驟可(ke)包(bao)含(han)前側工(gong)藝(yi)，像是自晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面蝕刻晶(jing)圓(yuan)(yuan)形成(cheng)穿(chuan)孔(kong)(via)、沉(chen)積介電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)于(yu)(yu)(yu)晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面、沉(chen)積阻障層(ceng)(ceng)(ceng)及/或晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)、填滿(man)穿(chuan)孔(kong)、自晶(jing)圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)表(biao)面進(jin)行拋光工(gong)藝(yi)以(yi)及沉(chen)積基屬化層(ceng)(ceng)(ceng)以(yi)及鈍化層(ceng)(ceng)(ceng)等步驟，包(bao)含(han)但不限于(yu)(yu)(yu)此(ci)。

在(zai)(zai)多(duo)個(ge)(ge)(ge)實施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，半導(dao)(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)體(ti)(ti)的制(zhi)作(zuo)方(fang)(fang)法1600可(ke)還包含在(zai)(zai)半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)與晶圓之間設(she)置中(zhong)(zhong)(zhong)介層(ceng)(ceng)。在(zai)(zai)多(duo)個(ge)(ge)(ge)實施方(fang)(fang)式(shi)中(zhong)(zhong)(zhong)，設(she)置中(zhong)(zhong)(zhong)介層(ceng)(ceng)的步驟可(ke)包含通過一個(ge)(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)工藝，在(zai)(zai)中(zhong)(zhong)(zhong)介層(ceng)(ceng)內(nei)形(xing)成或(huo)設(she)置多(duo)個(ge)(ge)(ge)內(nei)連(lian)線(xian)結構(gou)。每(mei)個(ge)(ge)(ge)內(nei)連(lian)線(xian)結構(gou)可(ke)電性連(lian)接于半導(dao)(dao)體(ti)(ti)晶片(pian)與硅穿孔之間。

在(zai)(zai)多(duo)(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式中，半導體封(feng)裝體的制作方法1600可還(huan)包(bao)(bao)含在(zai)(zai)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)遠離半導體晶(jing)(jing)片(pian)的下(xia)(xia)表(biao)面形(xing)成(cheng)多(duo)(duo)(duo)個(ge)導電突塊。在(zai)(zai)多(duo)(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式中，形(xing)成(cheng)導電突塊的步驟可包(bao)(bao)含自晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)的下(xia)(xia)表(biao)面，對晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)進行研(yan)磨(mo)工藝，直到至少暴露硅(gui)穿(chuan)孔遠離上表(biao)面的一端為止；以及在(zai)(zai)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)的下(xia)(xia)表(biao)面設置多(duo)(duo)(duo)個(ge)焊球。在(zai)(zai)多(duo)(duo)(duo)個(ge)實(shi)施(shi)(shi)方式中，半導體封(feng)裝體的制作方法1600可還(huan)包(bao)(bao)含形(xing)成(cheng)重分布層連接于晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)以及焊球之間。

綜上(shang)所(suo)述，本(ben)發(fa)明提(ti)供(gong)一種半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)制(zhi)作方法包(bao)(bao)含(han)(han)在(zai)晶(jing)(jing)(jing)圓的(de)上(shang)表(biao)面(mian)上(shang)方設(she)置(zhi)(zhi)多個半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)；以(yi)第一鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)；以(yi)及(ji)，在(zai)鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)后，在(zai)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)的(de)上(shang)方形(xing)(xing)(xing)成復合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)。根據前述半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)制(zhi)作方法所(suo)形(xing)(xing)(xing)成的(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)可包(bao)(bao)含(han)(han)基(ji)底、至少(shao)一個半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)、第一鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料以(yi)及(ji)復合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)。半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)設(she)置(zhi)(zhi)于基(ji)底的(de)上(shang)表(biao)面(mian)。第一鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料環繞半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)。復合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)設(she)置(zhi)(zhi)于半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)上(shang)。復合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)含(han)(han)第一中間(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)以(yi)及(ji)第二鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料。第二鑄(zhu)(zhu)形(xing)(xing)(xing)材料設(she)置(zhi)(zhi)于第一中間(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)遠(yuan)離半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)晶(jing)(jing)(jing)片(pian)(pian)的(de)表(biao)面(mian)。由于復合(he)(he)層(ceng)(ceng)(ceng)可提(ti)供(gong)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)在(zai)制(zhi)造過程中的(de)強(qiang)化(hua)與支撐(cheng)，舉例來說(shuo)，進行研磨工(gong)藝(yi)或薄型化(hua)工(gong)藝(yi)時，對(dui)抗應力(li)的(de)支撐(cheng)。所(suo)以(yi)本(ben)發(fa)明公開(kai)的(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)制(zhi)作方法可提(ti)升制(zhi)造的(de)良率，并讓(rang)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)對(dui)應力(li)具有更強(qiang)的(de)抵抗能力(li)。

雖然本發(fa)(fa)明已經以(yi)實施方(fang)式公開如上，然其(qi)并非用以(yi)限(xian)定本發(fa)(fa)明，任何本領域技(ji)術人(ren)員，在(zai)不脫(tuo)離本發(fa)(fa)明的(de)(de)精神和(he)范圍(wei)內，當(dang)可(ke)作各種(zhong)變動(dong)與潤飾，因(yin)此本發(fa)(fa)明的(de)(de)保護范圍(wei)當(dang)視(shi)權利要求所(suo)界定者(zhe)為(wei)準。