本發明(ming)實施例涉及(ji)一種(zhong)半導(dao)體(ti)封裝及(ji)其(qi)制造方法(fa)，且特(te)別是涉及(ji)一種(zhong)具有特(te)定結構的貫(guan)穿絕(jue)緣層孔(throughinsulatorvia，tiv)的半導(dao)體(ti)封裝及(ji)其(qi)制造方法(fa)。

背景技術：

集(ji)成電(dian)(dian)路(“integratedcircuit，ic”)被納入許多(duo)電(dian)(dian)子裝置中。集(ji)成電(dian)(dian)路封裝能夠將多(duo)個(ge)集(ji)成電(dian)(dian)路垂直地(di)堆疊于“三(san)維(wei)(three-dimensional，3d)”封裝中，以節省印刷電(dian)(dian)路板(“printedcircuitboard，pcb”)上的水平面積。替代(dai)性封裝技術(被稱作(zuo)2.5維(wei)封裝(2.5dpackaging))可使(shi)用轉接(jie)板(interposer)將一個(ge)或多(duo)個(ge)半導(dao)體(ti)管芯耦合(he)至印刷電(dian)(dian)路板。所述轉接(jie)板可由例如硅等(deng)半導(dao)體(ti)材料形(xing)成。可在轉接(jie)板上安裝多(duo)個(ge)集(ji)成電(dian)(dian)路或其他半導(dao)體(ti)管芯(其可為(wei)異(yi)構技術(heterogeneoustechnology))。

一(yi)個(ge)或多個(ge)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管芯上的(de)(de)許多裝(zhuang)置(zhi)(zhi)可能(neng)(neng)會(hui)(hui)造(zao)成電(dian)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)(electricalnoise)及(ji)/或通過發(fa)(fa)射(she)(she)電(dian)磁(ci)(ci)發(fa)(fa)射(she)(she)(ememission)而產(chan)生(sheng)(sheng)電(dian)磁(ci)(ci)(“electromagnetic，em”)干擾(rao)。射(she)(she)頻裝(zhuang)置(zhi)(zhi)(rfdevice)及(ji)電(dian)感(gan)器是(shi)會(hui)(hui)產(chan)生(sheng)(sheng)電(dian)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)及(ji)電(dian)磁(ci)(ci)干擾(rao)的(de)(de)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)的(de)(de)實例。帶有噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)源(例如(ru)，射(she)(she)頻裝(zhuang)置(zhi)(zhi))會(hui)(hui)在導(dao)電(dian)結構(例如(ru)，金屬引(yin)線(xian)(metallead))中(zhong)載送的(de)(de)信號(hao)中(zhong)產(chan)生(sheng)(sheng)電(dian)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)。導(dao)電(dian)引(yin)線(xian)中(zhong)的(de)(de)電(dian)噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)可能(neng)(neng)會(hui)(hui)影響封(feng)裝(zhuang)中(zhong)的(de)(de)各種其他信號(hao)及(ji)裝(zhuang)置(zhi)(zhi)。帶有噪(zao)聲(sheng)(sheng)(sheng)的(de)(de)電(dian)信號(hao)會(hui)(hui)在半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)造(zao)成嚴(yan)重問題。

技術實現要素：

根據(ju)本發明(ming)的(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)些實施例，一(yi)(yi)(yi)(yi)種半(ban)導(dao)體(ti)封裝(zhuang)包(bao)括第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)、絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)及第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)包(bao)括至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)及至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)通孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)。絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)位于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)上方且包(bao)括從絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)側延伸(shen)至(zhi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)(di)(di)二(er)側的(de)至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(throughinsulatorvia，tiv)。至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)具有導(dao)電(dian)芯體(ti)，且導(dao)電(dian)芯體(ti)包(bao)含含銅材料。第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)位于絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)上方且包(bao)括至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)及至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)通孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)。至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)將(jiang)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)的(de)至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)通孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)耦合至(zhi)第(di)(di)(di)二(er)半(ban)導(dao)體(ti)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)的(de)至(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)通孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)。

附圖說明

結合附(fu)圖閱讀(du)以下詳細說明，會最好地(di)理解本公(gong)開內容的各個方面。應注意(yi)，根據本行業中的標準慣(guan)例，各種(zhong)(zhong)特(te)征并(bing)非按比例繪制(zhi)。事實上，為論述清晰起見，可任意(yi)增(zeng)大或減(jian)小各種(zhong)(zhong)特(te)征的尺寸。

圖1示(shi)出根據(ju)一些(xie)實施(shi)例的(de)包括轉接(jie)板的(de)2.5維(wei)半導體封(feng)裝的(de)側視圖。

圖2示出根據一(yi)些(xie)實施例的(de)三維(3d)半導體(ti)封裝的(de)側(ce)視圖。

圖3示出根據(ju)一些實施例的(de)包括具有接(jie)地(di)屏(ping)蔽傳(chuan)輸路徑的(de)轉接(jie)板的(de)2.5維半導體封裝。

圖(tu)4示出根(gen)據(ju)一些實施例的(de)形(xing)成包括(kuo)一個(ge)或多個(ge)貫(guan)穿絕緣(yuan)層孔-銅(tong)連接(tiv-cuconnection)的(de)半導(dao)體封裝的(de)方法(fa)的(de)流程圖(tu)。

圖5示(shi)出根據(ju)一些實(shi)施例(li)的具有在(zai)載體襯(chen)底上形成的第一緩沖(chong)層及(ji)光熱轉換(light-to-heatconversion，lthc)層的部分半導體封裝。

圖(tu)6示(shi)出根據一些(xie)實施例的上面沉積(ji)有第一金屬層的圖(tu)5所示(shi)部分半導體封裝。

圖(tu)7示出根據一些實施例的上面沉積(ji)有貫穿(chuan)絕緣(yuan)層通(tong)孔光刻膠圖(tu)案(an)化層(tivholephotoresistpatterninglayer)的圖(tu)6所示部分半導體封裝。

圖8示出根(gen)據一些實(shi)施例的上面(mian)沉(chen)積有鈦(tai)/銅(tong)(ti/cu)種子層(seedlayer)的圖7所(suo)示部(bu)分半導(dao)體封裝(zhuang)。

圖9示出根據一(yi)些實施例的具有(you)在(zai)一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)貫穿絕(jue)緣(yuan)層通孔(tivhole)中沉積的銅(cu)層的圖8所示部(bu)分半導(dao)體封裝(zhuang)。

圖10示出(chu)根據一些實施例的在化學機械(xie)平(ping)面化工藝(chemical-mechanicalplanarizationprocess)之(zhi)后(hou)的圖9所示部分半導體(ti)封裝(zhuang)。

圖11示(shi)出根據一些實施例的(de)在光刻膠(jiao)移除(chu)工藝(photoresistremovalprocess)之后的(de)圖10所示(shi)部分半導體(ti)封裝。

圖12示(shi)出根據一些(xie)實施(shi)例的上面(mian)沉積有絕(jue)緣層的圖11所(suo)示(shi)部分半導體封(feng)裝。

圖13示(shi)出(chu)根據(ju)一些實施(shi)例的上面沉積有接地(di)屏蔽層(groundshieldinglayer)的圖12所示(shi)部(bu)分半導體封裝。

圖14示出(chu)根據一些實(shi)施例的上面(mian)沉積有(you)同軸光刻膠(jiao)圖案化層(ceng)(coaxialphotoresistpatterninglayer)的圖13所示部分半(ban)導體(ti)封裝。

圖15示出根據一些實施(shi)例的在濕蝕刻工藝(yi)(wetetchingprocess)之(zhi)后的圖14所示部分半導體(ti)封裝。

圖(tu)16示出根(gen)據一些(xie)實施例的(de)在光刻(ke)膠移除工藝之后的(de)圖(tu)15所示部分半導體封裝。

圖(tu)17示出根(gen)據一些(xie)實施例的(de)耦合有(you)第一半(ban)(ban)導(dao)體管芯及第二半(ban)(ban)導(dao)體管芯的(de)圖(tu)16所示部分(fen)半(ban)(ban)導(dao)體封裝。

圖18示出根據一些實施(shi)例的(de)上面(mian)沉(chen)積有包覆模制層(ceng)(overmoldinglayer)的(de)圖17所示部分半導體封裝。

圖19示出根據(ju)一些實施(shi)例的在(zai)化學機械平面化(chemical-mechanicalplanarization，cmp)工藝(yi)之后的圖18所示部(bu)分半導體(ti)封裝。

圖(tu)20示(shi)出根據一些實施例(li)的上面沉(chen)積有聚苯并惡唑(pbo)層的圖(tu)19所示(shi)部分半導體封裝(zhuang)。

圖(tu)(tu)21示出根據一(yi)些實(shi)施例(li)的具有多個(ge)導(dao)電層(ceng)及聚苯并惡(e)唑層(ceng)的圖(tu)(tu)20所示部(bu)分半(ban)導(dao)體封裝。

圖22示出(chu)根據一些實施例的具有將(jiang)第一半(ban)導(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)及第二半(ban)導(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)耦合至連接墊(dian)的多(duo)個導(dao)(dao)電(dian)層以及通孔的圖21所示部分(fen)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)封裝。

圖23示(shi)(shi)出根據一些實(shi)施(shi)例(li)的具(ju)有(you)在連接墊上形成的焊(han)料凸塊的圖22所示(shi)(shi)部(bu)分半導體封裝(zhuang)。

圖24示出根據一些實施(shi)例的從玻璃載體分離的圖23所示半導體封裝(zhuang)。

附圖標號說明

2：半導體封裝

4：轉接板

6：第一半導體管芯

8：第二半導體管芯

10：印刷電路板

12：第一表面

14：第二表面

16：封裝襯底

18、20、24、458：焊料球(qiu)

26、102：接地屏(ping)蔽傳輸路徑

50：三維(wei)半(ban)導體封裝

52：中央處理單元

54：緩存存儲器

56：動態(tai)隨(sui)機存取存儲(chu)器/非易失性存儲(chu)器

58：模擬裝置

60：射頻裝置

62：電源

64：傳感器

66：輸入/輸出連接

68a、68b、68c、68d、68e：貫穿(chuan)絕緣層孔

70：硅穿孔

72：貫穿絕緣層孔

72a：第一貫穿絕緣層孔

72b：第(di)二(er)貫穿絕(jue)緣層孔(kong)

74：襯底穿孔

100：半導體封裝

101a：第一半(ban)導(dao)體封裝元件(jian)

101b：第(di)二半導體(ti)封裝元件

104a、104d：金(jin)屬(shu)層

104b：第(di)一金(jin)屬層

104c：第二金屬層

106a：第一通孔(kong)層(ceng)

106b：第二(er)通孔層

106c：第三通(tong)孔層

106d：第四通(tong)孔層

108：貫穿絕緣層孔

110、114：絕(jue)緣層

112、112a：接地(di)屏(ping)蔽層

120：連(lian)續的接地屏蔽層

122：導電金屬(shu)材料

126：絕緣區

128：有源裝置

130：頂蓋層

132：半導體管芯

134：焊料凸塊

140a：第一通孔

140b：第二通孔

146a、146b、146c、146d：信號路徑

156：凸(tu)塊下金屬層

300：方法

302、304、306、308、310、312、314、316、318、320、322、324、326、328、330、332、334、336：步驟

400：半導體封裝

402：第一緩沖層

404：載體襯底

406：光熱轉換離(li)型層(ceng)

408：第一金屬層

408a、408b：金屬跡(ji)線

410：貫穿絕緣層(ceng)通(tong)孔光刻膠圖案化(hua)層(ceng)

412a、412b：貫穿(chuan)絕緣層成(cheng)形孔

414：種子層

416：導電金屬層

418a、418b：導電柱

420：絕緣層

422：同軸接地種子層

424：光刻膠層

426：同軸連接件

428a、428b：半導體管芯

430：管芯貼合膜(mo)層

432：硅層

434：鋁接觸墊

436：金屬通孔

438：包覆模制層

440、446、448：通(tong)孔絕緣層

442：連接性通孔

444：懸伸部

450a、450b、450c：導電層(ceng)

452a、452b、452c：通孔(kong)

454a、454b、454c：導(dao)電線

456：連接墊

具體實施方式

以(yi)下公(gong)開(kai)內容提(ti)(ti)供用于實作所(suo)提(ti)(ti)供主題的(de)(de)(de)不(bu)同特(te)征(zheng)(zheng)的(de)(de)(de)許多不(bu)同的(de)(de)(de)實施例(li)或(huo)實例(li)。以(yi)下闡述(shu)(shu)組件及(ji)排(pai)列的(de)(de)(de)具體實例(li)以(yi)簡化本(ben)公(gong)開(kai)內容。當(dang)然(ran)，這(zhe)些僅為(wei)實例(li)且不(bu)旨(zhi)在(zai)進(jin)(jin)行限制。例(li)如，以(yi)下說(shuo)明(ming)中(zhong)將第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)特(te)征(zheng)(zheng)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)在(zai)第(di)(di)(di)(di)二特(te)征(zheng)(zheng)“之(zhi)(zhi)上”或(huo)第(di)(di)(di)(di)二特(te)征(zheng)(zheng)“上”可(ke)包(bao)括其中(zhong)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)特(te)征(zheng)(zheng)及(ji)第(di)(di)(di)(di)二特(te)征(zheng)(zheng)被形(xing)(xing)(xing)成(cheng)為(wei)直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)的(de)(de)(de)實施例(li)，且也可(ke)包(bao)括其中(zhong)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)特(te)征(zheng)(zheng)與第(di)(di)(di)(di)二特(te)征(zheng)(zheng)之(zhi)(zhi)間可(ke)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)有附(fu)加特(te)征(zheng)(zheng)、進(jin)(jin)而使(shi)得(de)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)特(te)征(zheng)(zheng)與所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二特(te)征(zheng)(zheng)可(ke)能(neng)不(bu)直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)的(de)(de)(de)實施例(li)。另外，本(ben)公(gong)開(kai)內容可(ke)能(neng)在(zai)各種(zhong)(zhong)實例(li)中(zhong)重復使(shi)用參考編號及(ji)/或(huo)字母。這(zhe)種(zhong)(zhong)重復使(shi)用是(shi)出于簡潔(jie)及(ji)清晰的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)，而不(bu)是(shi)自身表示所(suo)論(lun)述(shu)(shu)的(de)(de)(de)各種(zhong)(zhong)實施例(li)及(ji)/或(huo)配置(zhi)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)關系。

此外，為易于說明(ming)，本文中(zhong)(zhong)(zhong)可(ke)能使(shi)用(yong)例如(ru)(ru)“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部(bu)的(de)(de)(lower)”、“上方(above)”、“上部(bu)的(de)(de)(upper)”等(deng)空間(jian)相對(dui)性(xing)用(yong)語來闡述(shu)(shu)圖中(zhong)(zhong)(zhong)所(suo)(suo)示(shi)的(de)(de)一個元件或特(te)征與另(ling)一(其(qi)(qi)他(ta)(ta))元件或特(te)征的(de)(de)關系。所(suo)(suo)述(shu)(shu)空間(jian)相對(dui)性(xing)用(yong)語旨(zhi)在除(chu)(chu)圖中(zhong)(zhong)(zhong)所(suo)(suo)繪示(shi)的(de)(de)取向(xiang)外還囊括裝置在使(shi)用(yong)或步(bu)驟中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)不同取向(xiang)。裝置可(ke)具(ju)有(you)(you)其(qi)(qi)他(ta)(ta)取向(xiang)(旋轉90度或處(chu)于其(qi)(qi)他(ta)(ta)取向(xiang))且本文中(zhong)(zhong)(zhong)所(suo)(suo)用(yong)的(de)(de)空間(jian)相對(dui)性(xing)描述(shu)(shu)語可(ke)同樣相應(ying)地(di)進(jin)行解釋。除(chu)(chu)非(fei)另(ling)有(you)(you)明(ming)確(que)闡述(shu)(shu)，否則(ze)有(you)(you)關貼(tie)(tie)合、耦(ou)合等(deng)的(de)(de)用(yong)語(例如(ru)(ru)，“經(jing)(jing)(jing)連接(jie)(connected)”及(ji)“經(jing)(jing)(jing)內連(interconnected)”)均是指(zhi)其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)各結構(gou)通(tong)過中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)結構(gou)直接(jie)地(di)或間(jian)接(jie)地(di)固定(ding)至或貼(tie)(tie)合至彼此的(de)(de)關系、以及(ji)可(ke)移(yi)動的(de)(de)或剛性(xing)的(de)(de)貼(tie)(tie)合或關系。同樣，除(chu)(chu)非(fei)另(ling)有(you)(you)明(ming)確(que)闡述(shu)(shu)，否則(ze)有(you)(you)關電性(xing)耦(ou)合等(deng)的(de)(de)用(yong)語(例如(ru)(ru)，“經(jing)(jing)(jing)耦(ou)合(coupled)”、“經(jing)(jing)(jing)連接(jie)”、及(ji)“經(jing)(jing)(jing)內連”)均是指(zhi)其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)(zhong)各結構(gou)通(tong)過中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)結構(gou)直接(jie)地(di)或間(jian)接(jie)地(di)彼此相通(tong)的(de)(de)關系。

在各種實施例中(zhong)(zhong)，半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)包(bao)括(kuo)對第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)二金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進行(xing)耦合的(de)至少一(yi)(yi)個(ge)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(throughinsulatorvia，tiv)。半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)包(bao)括(kuo)第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)元件(jian)及(ji)(ji)第(di)(di)二半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)元件(jian)。每一(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)包(bao)括(kuo)多(duo)個(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)對所(suo)述多(duo)個(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)每一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)電金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)(zhong)的(de)各導(dao)(dao)(dao)(dao)電線進行(xing)耦合的(de)多(duo)個(ge)通孔層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在位(wei)于第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)與第(di)(di)二半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)之間(jian)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)(zhong)安置(zhi)有多(duo)個(ge)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯。多(duo)個(ge)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔延伸穿(chuan)過絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)并對第(di)(di)一(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)與第(di)(di)二半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進行(xing)耦合。在一(yi)(yi)些實施例中(zhong)(zhong)，貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔包(bao)括(kuo)內部導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)、絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)外部導(dao)(dao)(dao)(dao)電屏蔽(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)述內部導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)包(bao)含銅(tong)及(ji)(ji)/或銅(tong)合金(jin)。

圖1示出(chu)(chu)根據一(yi)(yi)(yi)些(xie)(xie)(xie)實(shi)施例的(de)具有轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4的(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)2的(de)側視圖。轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4安(an)置(zhi)于襯(chen)底(di)(di)與(yu)一(yi)(yi)(yi)個或多(duo)(duo)個半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(被稱為2.5維半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang))之間。在圖1中所示2.5維半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)中，轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4安(an)置(zhi)于第(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)6及(ji)第(di)二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)8下方且安(an)置(zhi)于封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)襯(chen)底(di)(di)16上方。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)(xie)(xie)實(shi)施例中，轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4包括上面(mian)形成(cheng)有一(yi)(yi)(yi)個或多(duo)(duo)個無源裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)的(de)基礎(chu)襯(chen)底(di)(di)(例如硅(gui))以及(ji)多(duo)(duo)個硅(gui)穿孔(through-siliconvia，tsv)。轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4將第(di)一(yi)(yi)(yi)、第(di)二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)6、8的(de)電性(xing)連接(jie)(jie)耦合(he)至封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)襯(chen)底(di)(di)16及(ji)/或印刷電路板10。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)(xie)(xie)實(shi)施例中，轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4不含有任何有源裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)(xie)(xie)實(shi)施例中，半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)2可(ke)包括集(ji)成(cheng)扇出(chu)(chu)型晶片級封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(integratedfan-outwaferlevelpackaging，info-wlp)。第(di)一(yi)(yi)(yi)、第(di)二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)6、8耦合(he)至轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)表面(mian)12。轉(zhuan)(zhuan)接(jie)(jie)板4的(de)與(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)表面(mian)12相對(dui)的(de)第(di)二(er)表面(mian)14直接(jie)(jie)耦合(he)至封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)襯(chen)底(di)(di)16。

在一(yi)些實施例(li)中(zhong)，第一(yi)、第二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)管(guan)芯6、8包括一(yi)個(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)有(you)源裝(zhuang)(zhuang)置。例(li)如(ru)，在一(yi)些實施例(li)中(zhong)，第一(yi)、第二(er)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)管(guan)芯6、8可(ke)包括gps管(guan)芯、gps基頻帶管(guan)芯(gpsbasebanddie)、處理器(例(li)如(ru)，進階精簡(jian)指令集(ji)(ji)計算(suan)機(advancedriscmachine，arm)處理器)及/或(huo)(huo)任何其(qi)他適合的(de)(de)(de)有(you)源裝(zhuang)(zhuang)置。封(feng)裝(zhuang)(zhuang)襯底16可(ke)包括任何適合的(de)(de)(de)襯底(例(li)如(ru)陶(tao)瓷材料)，并(bing)支(zhi)援位于轉接板(ban)4與(yu)印刷電(dian)路(lu)(lu)板(ban)10之間的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)電(dian)性連接。印刷電(dian)路(lu)(lu)板(ban)10機械地支(zhi)撐兩個(ge)或(huo)(huo)更多(duo)個(ge)集(ji)(ji)成電(dian)路(lu)(lu)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang))2并(bing)利用(yong)一(yi)個(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)導(dao)(dao)電(dian)軌(gui)道(conductivetrack)、導(dao)(dao)電(dian)墊、及/或(huo)(huo)由在非(fei)導(dao)(dao)電(dian)襯底上形成的(de)(de)(de)導(dao)(dao)電(dian)層形成的(de)(de)(de)其(qi)他特征(zheng)對所述兩個(ge)或(huo)(huo)更多(duo)個(ge)集(ji)(ji)成電(dian)路(lu)(lu)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang))2進行電(dian)性內連。

封(feng)(feng)裝(zhuang)襯底16通過焊料球18而接(jie)合(he)(he)(he)至(zhi)(zhi)印刷電(dian)路板10并通過焊料球20而接(jie)合(he)(he)(he)至(zhi)(zhi)轉(zhuan)接(jie)板4。焊料球24將轉(zhuan)接(jie)板4接(jie)合(he)(he)(he)至(zhi)(zhi)第一(yi)(yi)(yi)半導體(ti)(ti)管芯(xin)6及第二半導體(ti)(ti)管芯(xin)8。焊料球雖被(bei)寬泛(fan)地稱(cheng)作“焊料球”，但未(wei)必(bi)如所(suo)說明實施例中(zhong)一(yi)(yi)(yi)樣完全為(wei)“球形(xing)(xing)的(ballshaped)”。焊料球也被(bei)替(ti)代性(xing)(xing)地稱(cheng)作焊料凸塊并在各(ge)種實施例中(zhong)呈各(ge)種形(xing)(xing)狀。焊料球在實體(ti)(ti)上將各(ge)相應組(zu)件(jian)接(jie)合(he)(he)(he)于一(yi)(yi)(yi)起并將所(suo)述(shu)相應組(zu)件(jian)的電(dian)子特征電(dian)性(xing)(xing)耦合(he)(he)(he)于一(yi)(yi)(yi)起。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例中(zhong)，轉(zhuan)接(jie)板4、第一(yi)(yi)(yi)、第二半導體(ti)(ti)管芯(xin)6、8、印刷電(dian)路板10、及/或(huo)(huo)封(feng)(feng)裝(zhuang)襯底16中(zhong)的一(yi)(yi)(yi)者或(huo)(huo)多者包括以下所(suo)進一(yi)(yi)(yi)步詳細論(lun)述(shu)的一(yi)(yi)(yi)個或(huo)(huo)多個接(jie)地屏蔽(bi)傳輸路徑(groundshieldedtransmissionpath)26。

圖(tu)2示出根(gen)據一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例的(de)(de)三(san)維(wei)(wei)(3d)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝50。在(zai)(zai)(zai)如圖(tu)2中所(suo)示的(de)(de)三(san)維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝50中，多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)堆(dui)疊于彼此頂上(shang)(shang)(shang)且包(bao)括(kuo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)硅穿(chuan)孔(tsv)70以使得一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)上(shang)(shang)(shang)部(bu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)能夠與一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)下(xia)部(bu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)相(xiang)通(communicate)。三(san)維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝50包(bao)括(kuo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)，例如中央處理器(cpu)52、緩存(cun)(cun)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器54、動(dong)態隨機存(cun)(cun)取存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(dynamicrandom-accessmemory，dram)/非易失(shi)性(xing)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(non-volatilememory，nvm)56、模(mo)擬裝置(zhi)(analogdevice)58、射(she)頻裝置(zhi)(radiofrequencydevice)60、電源62、一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)傳感器64、及(ji)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)輸入(ru)/輸出(input/output，i/o)連接66。具(ju)有多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔72的(de)(de)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔(tiv)層(ceng)68a-68e耦(ou)合所(suo)述多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)。每一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)可(ke)(ke)包(bao)括(kuo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)襯(chen)底穿(chuan)孔(through-substratevia，tsv)74。在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例中，一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)襯(chen)底穿(chuan)孔74將在(zai)(zai)(zai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)54下(xia)形(xing)成的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔72a耦(ou)合至在(zai)(zai)(zai)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)54上(shang)(shang)(shang)方形(xing)成的(de)(de)第(di)二貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔72b。在(zai)(zai)(zai)其他實施例中，半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)內(nei)部(bu)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)金屬層(ceng)及(ji)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)通孔可(ke)(ke)將第(di)一(yi)(yi)(yi)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔72a耦(ou)合至第(di)二貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔72b。盡(jin)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)本文中論述特定三(san)維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝50，然而應知(zhi)三(san)維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)裝中可(ke)(ke)包(bao)括(kuo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)額外(wai)的(de)(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)、一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)數目減少的(de)(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)、一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)替代性(xing)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)、及(ji)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)2.5維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)排列或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)2維(wei)(wei)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)排列。在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例中，接地屏蔽傳輸路徑包(bao)括(kuo)延伸穿(chuan)過一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)孔及(ji)/或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)硅穿(chuan)孔/襯(chen)底穿(chuan)孔。

圖(tu)3示出(chu)根(gen)據一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)包(bao)(bao)括(kuo)接(jie)地(di)(di)屏蔽傳輸路徑102的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)100。接(jie)地(di)(di)屏蔽傳輸路徑102對第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a與第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101b進行耦合(he)(he)。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a包(bao)(bao)括(kuo)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個金屬層(ceng)104a、至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個通(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)106a及(ji)頂蓋層(ceng)130。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a可(ke)包(bao)(bao)含(han)任何(he)適合(he)(he)的(de)(de)材料，例(li)如硅。第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101b包(bao)(bao)括(kuo)多(duo)個金屬層(ceng)104b-104d、多(duo)個通(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)106b-106d及(ji)頂蓋層(ceng)130。例(li)如，在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101b可(ke)為封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)襯(chen)底，例(li)如結合(he)(he)圖(tu)1所論述的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)襯(chen)底16。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101b與包(bao)(bao)括(kuo)有源裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(有源半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置)128的(de)(de)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管芯(xin)132耦合(he)(he)。在有源裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置128與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a之(zhi)間安置有絕(jue)(jue)緣(yuan)區(qu)126。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，絕(jue)(jue)緣(yuan)區(qu)126包(bao)(bao)含(han)硅材料。絕(jue)(jue)緣(yuan)區(qu)126可(ke)為轉接(jie)板的(de)(de)位于半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管芯(xin)132與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a之(zhi)間的(de)(de)部分(fen)(fen)及(ji)/或絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)114(例(li)如，封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)層(ceng))的(de)(de)位于半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管芯(xin)132與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)101a之(zhi)間的(de)(de)部分(fen)(fen)。

接(jie)(jie)地屏蔽傳輸路(lu)徑102延(yan)伸穿(chuan)(chuan)過第一(yi)半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)元(yuan)件(jian)101a與第二(er)(er)(er)(er)半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)101b之間的(de)(de)(de)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)區126。在一(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，接(jie)(jie)地屏蔽傳輸路(lu)徑102例(li)如利(li)用(yong)在轉接(jie)(jie)板(圖中(zhong)未(wei)示出)中(zhong)形成(cheng)的(de)(de)(de)tsv而延(yan)伸穿(chuan)(chuan)過所述轉接(jie)(jie)板。貫(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)(tiv)108延(yan)伸穿(chuan)(chuan)過絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)114并將(jiang)在第一(yi)半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)元(yuan)件(jian)101a的(de)(de)(de)第一(yi)通孔(kong)層(ceng)(ceng)106a中(zhong)形成(cheng)的(de)(de)(de)第一(yi)通孔(kong)140a耦合至在第二(er)(er)(er)(er)半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)元(yuan)件(jian)101b的(de)(de)(de)第二(er)(er)(er)(er)通孔(kong)層(ceng)(ceng)106b中(zhong)形成(cheng)的(de)(de)(de)第二(er)(er)(er)(er)通孔(kong)140b。貫(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)108包含(han)用(yong)以(yi)將(jiang)信號從第一(yi)通孔(kong)140a傳輸到第二(er)(er)(er)(er)通孔(kong)140b的(de)(de)(de)導(dao)電材料(liao)。在一(yi)些(xie)實施(shi)(shi)例(li)中(zhong)，貫(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)108具有沿縱向軸(zhou)線延(yan)伸的(de)(de)(de)圓柱形形狀。盡管圖中(zhong)僅示出單個(ge)貫(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)，然(ran)而應(ying)知半導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)100可包括任何數目的(de)(de)(de)延(yan)伸穿(chuan)(chuan)過絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)114的(de)(de)(de)貫(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)，且此處于本發明(ming)實施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)(de)范圍(wei)內(nei)。

在(zai)一些實施例中(zhong)，接地屏蔽(bi)傳(chuan)輸路徑102包括絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)110，絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)110圍繞從第一通(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)106a延(yan)(yan)伸(shen)至(zhi)第二通(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)106b的貫穿(chuan)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)108的外(wai)表面(mian)(mian)。絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)110不在(zai)貫穿(chuan)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)108的頂(ding)表面(mian)(mian)或底表面(mian)(mian)上(shang)延(yan)(yan)伸(shen)。絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)110包含絕緣(yuan)(yuan)(yuan)材料，例如聚酰亞(ya)胺材料。在(zai)一些實施例中(zhong)，絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)110以貫穿(chuan)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔(kong)108的縱向長度為中(zhong)心(xin)沿圓周延(yan)(yan)伸(shen)。

在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)一些(xie)實(shi)施例中，接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)傳(chuan)輸(shu)路(lu)徑102包括(kuo)安(an)(an)置(zhi)(zhi)于絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)110及(ji)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108上及(ji)/或(huo)(huo)安(an)(an)置(zhi)(zhi)于絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)110及(ji)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108的(de)(de)(de)(de)外表面周圍、且從(cong)第一半導體(ti)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元件101a延伸至(zhi)第二半導體(ti)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元件101b的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112包含與(yu)(yu)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)耦(ou)合(he)的(de)(de)(de)(de)導電材(cai)料。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112通過(guo)(guo)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)110而與(yu)(yu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108電性隔離(li)。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112將貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108與(yu)(yu)由(you)(you)一個或(huo)(huo)多(duo)個有源(yuan)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)(zhi)(有源(yuan)半導體(ti)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)(zhi))128產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)(de)輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)隔離(li)及(ji)/或(huo)(huo)防(fang)止(zhi)(zhi)(zhi)往來于貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108的(de)(de)(de)(de)輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)傳(chuan)輸(shu)。例如(ru)，當在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108附近產生(sheng)(sheng)輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)時，所(suo)述輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)到達(da)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108之前會(hui)遇到接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112將輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)驅動(dong)至(zhi)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)，進而發(fa)散(san)所(suo)述輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)中的(de)(de)(de)(de)能量并防(fang)止(zhi)(zhi)(zhi)因(yin)所(suo)述輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)而在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108內誘(you)發(fa)信(xin)號(hao)(hao)。通過(guo)(guo)防(fang)止(zhi)(zhi)(zhi)輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)傳(chuan)輸(shu)至(zhi)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108中，接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112會(hui)降低或(huo)(huo)消除貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108中由(you)(you)輻射(she)(she)(she)誘(you)發(fa)的(de)(de)(de)(de)噪(zao)聲。相似(si)地(di)(di)(di)(di)，通過(guo)(guo)防(fang)止(zhi)(zhi)(zhi)輻射(she)(she)(she)信(xin)號(hao)(hao)從(cong)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108傳(chuan)出，接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112會(hui)降低或(huo)(huo)消除由(you)(you)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108造成的(de)(de)(de)(de)由(you)(you)輻射(she)(she)(she)誘(you)發(fa)的(de)(de)(de)(de)噪(zao)聲并會(hui)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)108內隔離(li)所(suo)傳(chuan)輸(shu)信(xin)號(hao)(hao)。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112耦(ou)合(he)至(zhi)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)(ground)，例如(ru)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)與(yu)(yu)半導體(ti)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)100耦(ou)合(he)的(de)(de)(de)(de)印刷電路(lu)板10中形成的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)一些(xie)實(shi)施例中，絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)114使接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)屏蔽(bi)(bi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)112與(yu)(yu)周邊的(de)(de)(de)(de)封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)元件及(ji)/或(huo)(huo)在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)114中形成的(de)(de)(de)(de)額(e)外的(de)(de)(de)(de)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)。

在(zai)一(yi)(yi)些實施例(li)中，接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層112完全包圍貫穿(chuan)絕緣層孔(kong)108的(de)(de)(de)(de)各個(ge)(ge)側(ce)。在(zai)其他實施例(li)中，接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層112位(wei)(wei)于(yu)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d上(shang)(shang)方(fang)(fang)或(huo)下方(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)層中，以限制金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)輻射傳(chuan)輸(shu)。例(li)如，在(zai)所說明實施例(li)中，在(zai)第二半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b中形(xing)成有連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層120。所述連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層120包含導(dao)電(dian)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)122，導(dao)電(dian)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)122安置于(yu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)每(mei)(mei)一(yi)(yi)通(tong)(tong)孔(kong)層106b-106d及/或(huo)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d中且位(wei)(wei)于(yu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)每(mei)(mei)一(yi)(yi)通(tong)(tong)孔(kong)層106b-106d及/或(huo)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d之(zhi)間。在(zai)一(yi)(yi)些實施例(li)中，導(dao)電(dian)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)122在(zai)大體(ti)(ti)(ti)垂直的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)向上(shang)(shang)延(yan)伸(shen)穿(chuan)過(guo)(guo)第二半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d并(bing)在(zai)大體(ti)(ti)(ti)水平的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)向上(shang)(shang)延(yan)伸(shen)穿(chuan)過(guo)(guo)通(tong)(tong)孔(kong)層106b-106d，但應知導(dao)電(dian)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)122可在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)各層中的(de)(de)(de)(de)任(ren)一(yi)(yi)層內在(zai)任(ren)何方(fang)(fang)向上(shang)(shang)延(yan)伸(shen)。在(zai)一(yi)(yi)些實施例(li)中，除了通(tong)(tong)孔(kong)140b-140d耦合金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)置以外(wai)，連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層120及導(dao)電(dian)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)材(cai)料(liao)(liao)122隔(ge)離每(mei)(mei)一(yi)(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d。連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層120通(tong)(tong)過(guo)(guo)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件(例(li)如印刷(shua)電(dian)路(lu)板(圖中未示出))而耦合至接地(di)。連(lian)(lian)續(xu)(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接地(di)屏(ping)蔽(bi)(bi)層120防止輻射信號在(zai)第二半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)封(feng)(feng)(feng)裝元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層104b-104d之(zhi)間傳(chuan)輸(shu)。

在(zai)一(yi)些實(shi)施例中(zhong)，連續(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)(ceng)120耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)傳(chuan)輸路徑102的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)(ceng)112及(ji)(ji)/或耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)(ceng)112a。連續(xu)(xu)的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)(ceng)120及(ji)(ji)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽(bi)層(ceng)(ceng)112、112a用(yong)以使以下元(yuan)件與由(you)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)100在(zai)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)100內產生的(de)(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)輻(fu)(fu)射(she)(she)信(xin)(xin)號(hao)(hao)(例如(ru)，由(you)有源半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)128產生的(de)(de)(de)(de)信(xin)(xin)號(hao)(hao)及(ji)(ji)/或經過信(xin)(xin)號(hao)(hao)路徑146a-146d進行的(de)(de)(de)(de)信(xin)(xin)號(hao)(hao)傳(chuan)輸)絕(jue)緣：傳(chuan)輸路徑，例如(ru)在(zai)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)104b-104d中(zhong)及(ji)(ji)在(zai)貫穿絕(jue)緣層(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)108中(zhong)形成的(de)(de)(de)(de)傳(chuan)輸路徑(信(xin)(xin)號(hao)(hao)路徑)146a-146d；有源裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)，例如(ru)有源半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)128；及(ji)(ji)/或半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)100的(de)(de)(de)(de)其(qi)他部分。例如(ru)，在(zai)一(yi)些實(shi)施例中(zhong)，在(zai)第(di)(di)二半(ban)(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)(zhuang)元(yuan)件101b的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)二通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)106b及(ji)(ji)第(di)(di)三通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)106c中(zhong)安(an)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)導(dao)電金(jin)(jin)屬(shu)材料(liao)(導(dao)電金(jin)(jin)屬(shu)材料(liao))122會將第(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)104b與輻(fu)(fu)射(she)(she)信(xin)(xin)號(hao)(hao)隔離。相(xiang)似地(di)(di)，在(zai)第(di)(di)三通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)106c及(ji)(ji)第(di)(di)四通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)106d中(zhong)安(an)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)導(dao)電金(jin)(jin)屬(shu)材料(liao)(導(dao)電金(jin)(jin)屬(shu)材料(liao))122會將第(di)(di)二金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)104c與輻(fu)(fu)射(she)(she)信(xin)(xin)號(hao)(hao)隔離。

在(zai)一(yi)些實(shi)施例(li)中(zhong)(zhong)，接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽層(ceng)112a以與半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝元(yuan)件(jian)(jian)101b耦合(he)(he)的(de)有源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝置(zhi)(zhi)128為圓心安(an)置(zhi)(zhi)。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽層(ceng)112a會阻隔有源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝置(zhi)(zhi)128傳輸(shu)及/或接(jie)(jie)(jie)收輻(fu)(fu)射(she)(she)信號(hao)(hao)。例(li)如，在(zai)一(yi)些實(shi)施例(li)中(zhong)(zhong)，有源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝置(zhi)(zhi)128為射(she)(she)頻發射(she)(she)裝置(zhi)(zhi)(rfemittingdevice)。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽層(ceng)112a以射(she)(she)頻發射(she)(she)裝置(zhi)(zhi)為圓心安(an)置(zhi)(zhi)以防止來(lai)(lai)自(zi)所述裝置(zhi)(zhi)的(de)射(she)(she)頻信號(hao)(hao)傳輸(shu)干(gan)擾(rao)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝100的(de)其(qi)他元(yuan)件(jian)(jian)(舉(ju)例(li)來(lai)(lai)說(shuo)，貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)孔(kong)108)。接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)屏(ping)蔽層(ceng)112a可(ke)通過一(yi)個或多個封(feng)裝元(yuan)件(jian)(jian)(例(li)如印刷電(dian)路(lu)板(圖中(zhong)(zhong)未(wei)示(shi)出))而耦合(he)(he)至(zhi)接(jie)(jie)(jie)地(di)(di)。有源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝置(zhi)(zhi)128可(ke)包括會產(chan)生輻(fu)(fu)射(she)(she)傳輸(shu)及/或對接(jie)(jie)(jie)收輻(fu)(fu)射(she)(she)傳輸(shu)來(lai)(lai)說(shuo)靈敏(min)的(de)任何適合(he)(he)的(de)有源(yuan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)裝置(zhi)(zhi)。關于(yu)(yu)一(yi)個或多個貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)孔(kong)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封(feng)裝的(de)其(qi)他實(shi)施例(li)可(ke)參(can)考于(yu)(yu)2016年(nian)3月22日提出申請(qing)、序(xu)列號(hao)(hao)為15/076,976號(hao)(hao)且標題為“用于(yu)(yu)三維集成電(dian)路(lu)的(de)具有新穎高(gao)隔離度的(de)同軸穿(chuan)孔(kong)交(jiao)叉耦合(he)(he)方法(coaxialthroughviawithnovelhighisolationcrosscouplingmethodfor3dintegratedcircuits)”的(de)美國專利(li)申請(qing)。所述美國專利(li)申請(qing)全文(wen)并入本文(wen)供參(can)考。

在(zai)一(yi)些實施(shi)例中，貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)孔(kong)108包(bao)含導電材料(liao)，所(suo)述導電材料(liao)與傳統通孔(kong)連接(jie)(jie)相(xiang)比具(ju)有相(xiang)對短(duan)的(de)內(nei)連長度及(ji)時間延遲(timedelay)。例如(ru)，貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)孔(kong)108可包(bao)含銅(tong)(tong)(cu)及(ji)/或銅(tong)(tong)系合金。在(zai)一(yi)些實施(shi)例中，貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)孔(kong)108的(de)接(jie)(jie)地屏蔽層(ceng)112的(de)一(yi)部分是由相(xiang)同(tong)的(de)銅(tong)(tong)及(ji)/或銅(tong)(tong)系合金形成。

在(zai)(zai)一些(xie)實施例(li)中，多(duo)個焊料凸(tu)塊134耦(ou)合(he)至(zhi)在(zai)(zai)凸(tu)塊下(xia)(xia)金(jin)屬(underbumpmetallurgy，ubm)層(ceng)156中形成的金(jin)屬觸(chu)(chu)點(dian)。在(zai)(zai)一些(xie)實施例(li)中，一個或多(duo)個表(biao)面(mian)安裝(zhuang)裝(zhuang)置(surfacemountdevice，smd)的觸(chu)(chu)點(dian)耦(ou)合(he)至(zhi)在(zai)(zai)凸(tu)塊下(xia)(xia)金(jin)屬(umb)層(ceng)156中形成的金(jin)屬觸(chu)(chu)點(dian)(圖中未示出)。焊料凸(tu)塊134及/或表(biao)面(mian)安裝(zhuang)裝(zhuang)置的觸(chu)(chu)點(dian)用(yong)以利用(yong)表(biao)面(mian)安裝(zhuang)技術(shu)(surface-mounttechnology)將半導體(ti)封裝(zhuang)100耦(ou)合(he)至(zhi)一個或多(duo)個額(e)外(wai)的電路(lu)元件(jian)(例(li)如(ru)，電路(lu)板)。

圖4示出(chu)根(gen)據一(yi)(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)的(de)形成(cheng)半(ban)(ban)導(dao)體封裝(zhuang)400(圖5至(zhi)(zhi)圖24)的(de)方(fang)法(fa)300的(de)流程(cheng)圖。圖5至(zhi)(zhi)圖23示出(chu)根(gen)據一(yi)(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)的(de)半(ban)(ban)導(dao)體封裝(zhuang)400在(zai)制(zhi)作(zuo)(zuo)期(qi)間的(de)各個剖視圖。在(zai)步(bu)驟302處(chu)，如圖5中所示，在(zai)載體襯底(di)(di)404上沉積第(di)一(yi)(yi)(yi)緩沖(chong)層402。第(di)一(yi)(yi)(yi)緩沖(chong)層402可包(bao)含任(ren)(ren)何適合的(de)材(cai)料，例(li)(li)如聚(ju)酰亞胺(an)、聚(ju)苯并惡唑(pbo)及/或(huo)(huo)任(ren)(ren)何其(qi)他適合的(de)材(cai)料。載體襯底(di)(di)404為用以在(zai)形成(cheng)期(qi)間支撐半(ban)(ban)導(dao)體封裝(zhuang)400的(de)剛性材(cai)料(rigidmaterial)。例(li)(li)如，在(zai)一(yi)(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)中，載體襯底(di)(di)404包(bao)含玻璃(li)及/或(huo)(huo)其(qi)他用以在(zai)形成(cheng)期(qi)間支撐半(ban)(ban)導(dao)體封裝(zhuang)400但(dan)不與半(ban)(ban)導(dao)體封裝(zhuang)400的(de)任(ren)(ren)何元件相(xiang)互作(zuo)(zuo)用的(de)惰性材(cai)料(inertmaterial)。

在(zai)一些實施(shi)例中(zhong)，在(zai)載體(ti)襯(chen)底(di)404與第一緩沖層402之(zhi)間形成光(guang)熱(re)轉換(lthc)離型層406。光(guang)熱(re)轉換離型層406用以在(zai)完全地(di)形成及/或部分地(di)形成半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)封裝400之(zhi)后將(jiang)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)封裝400從(cong)載體(ti)襯(chen)底(di)404離型。例如(ru)，在(zai)一些實施(shi)例中(zhong)，將(jiang)激光(guang)及/或其他聚光(guang)光(guang)源(concentratedlightsource)施(shi)加(jia)(jia)至光(guang)熱(re)轉換離型層406，從(cong)而加(jia)(jia)熱(re)光(guang)熱(re)轉換離型層406并將(jiang)半(ban)(ban)導(dao)(dao)體(ti)封裝400從(cong)載體(ti)襯(chen)底(di)404分離。

在步驟304處，在第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)緩沖層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)402的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部分上形成(cheng)第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)或銅(tong)重布(bu)線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408(curdl，在本文中(zhong)被(bei)稱作(zuo)第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng))。如圖6中(zhong)所(suo)示(shi)，第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408可包括被(bei)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)間隙分隔開的(de)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)金屬(shu)(shu)跡(ji)線(xian)(traces)408a、408b。例如，在一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實(shi)施例中(zhong)，可通過界定所(suo)述(shu)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)金屬(shu)(shu)跡(ji)線(xian)408a、408b的(de)光(guang)掩模(mo)來沉積第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408，但應知也(ye)可將(jiang)第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408沉積成(cheng)固體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)并使用一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)蝕刻工(gong)藝(yi)及(ji)(ji)/或一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)掩模(mo)來移(yi)除所(suo)述(shu)固體(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)某些部分。可將(jiang)第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408沉積至(zhi)(zhi)(zhi)任何適合(he)的(de)深(shen)度(例如5微(wei)米、6微(wei)米、7微(wei)米、8微(wei)米、9微(wei)米及(ji)(ji)/或大于(yu)9微(wei)米或小于(yu)5微(wei)米的(de)任何其他適合(he)的(de)深(shen)度)。在一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實(shi)施例中(zhong)，第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)408為半(ban)導體(ti)封裝(zhuang)400的(de)后側(backside，b/s)金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。后側金屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)用以(yi)將(jiang)半(ban)導體(ti)封裝(zhuang)400耦合(he)至(zhi)(zhi)(zhi)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)電路(lu)元(yuan)件。

在(zai)(zai)步(bu)驟306處，如(ru)圖(tu)7中所示，在(zai)(zai)第一(yi)(yi)(yi)金屬層(ceng)(ceng)408上方(fang)沉(chen)(chen)積(ji)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)通孔(kong)(kong)光刻(ke)膠(jiao)圖(tu)案化(hua)層(ceng)(ceng)(tivholephotoresistpatterninglayer)410，以界定(ding)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)成形(xing)孔(kong)(kong)412a、412b。貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)成形(xing)孔(kong)(kong)412a、412b具有預(yu)定(ding)直(zhi)徑及預(yu)定(ding)深度(例如(ru)，將貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)通孔(kong)(kong)光刻(ke)膠(jiao)圖(tu)案化(hua)層(ceng)(ceng)410沉(chen)(chen)積(ji)至預(yu)定(ding)高度)。例如(ru)，在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例中，貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)成形(xing)孔(kong)(kong)412a、412b各(ge)自(zi)具有約120微(wei)米的直(zhi)徑及約200-250微(wei)米的深度，但應(ying)知貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)成形(xing)孔(kong)(kong)412a、412b也可具有更(geng)(geng)大的及/或(huo)更(geng)(geng)小的直(zhi)徑及/或(huo)深度。在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例中，通過界定(ding)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)成形(xing)孔(kong)(kong)412a、412b的一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)光掩模來沉(chen)(chen)積(ji)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)通孔(kong)(kong)光刻(ke)膠(jiao)圖(tu)案化(hua)層(ceng)(ceng)410。

在步驟308處，在貫穿絕緣層通孔光刻膠圖案化層410上共形地沉積種子層414。在一些實施例中，例如圖8中所示實施例，種子層414包含鈦-銅(ti-cu)材料。將種子層414沉積成足以產生預定導電性的厚度。例如，在一些實施例中，可將ti/cu種子層414沉積成預定厚度(例如的ti厚度及的(de)cu厚度)，但應知也(ye)可選擇任何其他適(shi)合的(de)導電(dian)性(xing)。

在(zai)(zai)步驟310處，如圖9中所示，在(zai)(zai)種子層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)414上沉積(ji)導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416。在(zai)(zai)一(yi)些實施例中，利用一(yi)個或多個電(dian)化學鍍(du)敷(electrochemicalplating，ecp)工藝來沉積(ji)導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416。例如，導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416可(ke)為經電(dian)化學鍍(du)敷沉積(ji)的(de)(de)銅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。將(jiang)導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416沉積(ji)成(cheng)足以(yi)填充預(yu)先界(jie)定的(de)(de)每一(yi)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)成(cheng)形孔412a、412b的(de)(de)厚度。例如，在(zai)(zai)一(yi)些實施例中，可(ke)將(jiang)導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416沉積(ji)至約(yue)120微米的(de)(de)深度。在(zai)(zai)一(yi)些實施例中，導(dao)電(dian)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)416的(de)(de)一(yi)部分在(zai)(zai)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)成(cheng)形孔412a、412b上方(fang)(fang)及在(zai)(zai)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)通孔光刻膠圖案化層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)410上方(fang)(fang)延(yan)伸。

在(zai)步驟312處，如圖(tu)10中所(suo)示，將(jiang)半導(dao)體封裝(zhuang)400平面化(hua)以移(yi)除導(dao)電金(jin)(jin)屬層(ceng)416的(de)(de)(de)在(zai)貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)通孔(kong)光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案(an)化(hua)層(ceng)410上方(fang)延伸的(de)(de)(de)一部(bu)分。可(ke)利用例如化(hua)學機械平面化(hua)(cmp)等任何適合的(de)(de)(de)工(gong)藝來移(yi)除導(dao)電金(jin)(jin)屬層(ceng)416的(de)(de)(de)所(suo)述一部(bu)分。在(zai)一些實施例中，將(jiang)半導(dao)體封裝(zhuang)400平面化(hua)以暴露出沉積于在(zai)貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)通孔(kong)光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案(an)化(hua)層(ceng)410中形成的(de)(de)(de)貫(guan)穿絕緣(yuan)層(ceng)成形孔(kong)412a、412b內的(de)(de)(de)導(dao)電材料。

在(zai)步驟314處，移除(chu)貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)通(tong)孔光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案化層(ceng)410。如(ru)圖(tu)11中所示，移除(chu)貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)通(tong)孔光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案化層(ceng)410會留(liu)下多個導電(dian)柱(zhu)418a、418b。可(ke)利用任(ren)何適(shi)合(he)的工(gong)藝(例(li)如(ru)臭(chou)氧等離子體(ti)灰化工(gong)藝(ozoneplasmaashingprocess)、濕酸清(qing)洗(xi)(wetacidcleaning)、及(ji)/或任(ren)何其他適(shi)合(he)的工(gong)藝、及(ji)/或其組合(he))來(lai)移除(chu)貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)通(tong)孔光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案化層(ceng)410。導電(dian)柱(zhu)418a、418b在(zai)第(di)一緩沖層(ceng)402上方(fang)延(yan)(yan)伸預定(ding)距離。例(li)如(ru)，導電(dian)柱(zhu)418a、418b可(ke)在(zai)導電(dian)層(ceng)(第(di)一金(jin)屬層(ceng))408上方(fang)延(yan)(yan)伸約120微米，但應知導電(dian)柱(zhu)418a、418b也可(ke)具有更大(da)的及(ji)/或更小(xiao)的高(gao)(gao)度。在(zai)一些實施(shi)例(li)中，導電(dian)柱(zhu)418a、418b的高(gao)(gao)度對應于在(zai)貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)通(tong)孔光刻膠(jiao)(jiao)圖(tu)案化層(ceng)410中形成的貫穿(chuan)絕(jue)緣層(ceng)成形孔412a、412b的深度。

在(zai)步驟(zou)316處，如(ru)圖12中(zhong)(zhong)所示(shi)，在(zai)部(bu)分半導(dao)體(ti)封(feng)裝400上共形地沉(chen)積(ji)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)420。絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)420可為使用任(ren)(ren)(ren)何適合(he)的(de)(de)(de)工藝沉(chen)積(ji)的(de)(de)(de)任(ren)(ren)(ren)何適合(he)的(de)(de)(de)高介(jie)(jie)電常數絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(high-kinsulatinglayer)420。在(zai)各(ge)種實施例(li)(li)中(zhong)(zhong)，絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)420包含以下中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)一(yi)者(zhe)或(huo)多者(zhe)：陶瓷材料(liao)(liao)、介(jie)(jie)電材料(liao)(liao)、聚合(he)物材料(liao)(liao)、任(ren)(ren)(ren)何其(qi)他(ta)(ta)適合(he)的(de)(de)(de)材料(liao)(liao)、及(ji)/或(huo)其(qi)任(ren)(ren)(ren)何組合(he)。例(li)(li)如(ru)，在(zai)一(yi)些實施例(li)(li)中(zhong)(zhong)，沉(chen)積(ji)低溫(例(li)(li)如(ru)，180℃)等(deng)離子體(ti)增強(qiang)化(hua)(hua)學氣(qi)相沉(chen)積(ji)(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，pecvd)介(jie)(jie)電質。等(deng)離子體(ti)增強(qiang)化(hua)(hua)學氣(qi)相沉(chen)積(ji)介(jie)(jie)電質可包括但不僅限于硅(gui)系(xi)介(jie)(jie)電質(例(li)(li)如(ru)，sinx、sio2、sioxny)及(ji)/或(huo)任(ren)(ren)(ren)何其(qi)他(ta)(ta)適合(he)的(de)(de)(de)介(jie)(jie)電質。在(zai)其(qi)他(ta)(ta)實施例(li)(li)中(zhong)(zhong)，絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)420為聚合(he)物絕(jue)(jue)(jue)緣材料(liao)(liao)，例(li)(li)如(ru)環氧樹脂(epoxy)、聚苯并惡(e)唑、聚酰亞胺(pi)、苯并環丁烯(bcb)及(ji)/或(huo)任(ren)(ren)(ren)何其(qi)他(ta)(ta)適合(he)的(de)(de)(de)聚合(he)物絕(jue)(jue)(jue)緣材料(liao)(liao)。

在步驟318處，如圖13中所示，在絕緣層420上共形地沉積同軸接地種子層422。在一些實施例中，可利用任何適合的沉積工藝(例如濺鍍(sputtering))來沉積同軸接地種子層422。同軸接地種晶層422包含導電材料，例如銅(cu)、銅合金、及/或任何其他適合的導電材料。同軸接地種晶層422可包含任何適合的材料，例如包含具有厚度的ti/cu的材料。

在(zai)步(bu)驟320處，如圖14中所示，在(zai)同(tong)(tong)(tong)軸接地種子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)422的(de)(de)第一(yi)部分(fen)上沉積(ji)(ji)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424。光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424可包含任(ren)何(he)適合(he)的(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)材(cai)料，例如聚(甲(jia)基丙烯酸甲(jia)酯)(poly(methylmethacrylate)，pmma)，聚(甲(jia)基戊二(er)酰亞胺)(poly(methylglutarimide，pmgi)、酚醛(quan)樹脂(phenolformaldehyderesin)、及/或(huo)任(ren)何(he)其他適合(he)的(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424。沉積(ji)(ji)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424并將(jiang)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424暴露(lu)至(zhi)光(guang)(guang)源以使光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)材(cai)料凝固或(huo)顯影。在(zai)一(yi)些實施(shi)例中，在(zai)界定(ding)用于一(yi)個或(huo)多(duo)個同(tong)(tong)(tong)軸貫穿(chuan)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔的(de)(de)接地屏蔽的(de)(de)同(tong)(tong)(tong)軸接地種子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)422的(de)(de)某些部分(fen)上沉積(ji)(ji)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424。可利用任(ren)何(he)適合(he)的(de)(de)工藝(yi)涂布或(huo)沉積(ji)(ji)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)424。

在步驟322處，如圖(tu)15中(zhong)(zhong)所(suo)示，移(yi)除(chu)同軸接(jie)地(di)種子層(ceng)(ceng)(ceng)422的(de)未被光刻膠層(ceng)(ceng)(ceng)424覆蓋的(de)第(di)二部(bu)分。可利用任何(he)適(shi)合的(de)方(fang)法(例如所(suo)屬領域中(zhong)(zhong)熟(shu)知的(de)濕蝕(shi)刻劑(ji)工藝(wet-etchantprocess))來移(yi)除(chu)同軸接(jie)地(di)種子層(ceng)(ceng)(ceng)422的(de)所(suo)述(shu)第(di)二部(bu)分。光刻膠層(ceng)(ceng)(ceng)424在所(suo)述(shu)濕蝕(shi)刻劑(ji)工藝期間保護同軸接(jie)地(di)種子層(ceng)(ceng)(ceng)422的(de)所(suo)述(shu)第(di)一部(bu)分。

在(zai)(zai)步驟(zou)324處，如圖16中所示(shi)，移(yi)(yi)除光刻(ke)膠層(ceng)(ceng)424。可利用(yong)任何(he)適合的工藝(yi)(例如臭氧等離子(zi)體(ti)灰化工藝(yi)、濕酸清洗工藝(yi)、及/或任何(he)其(qi)他適合的工藝(yi)、及/或其(qi)組合)來(lai)移(yi)(yi)除光刻(ke)膠層(ceng)(ceng)424。在(zai)(zai)移(yi)(yi)除光刻(ke)膠層(ceng)(ceng)424之(zhi)后，部分(fen)半導體(ti)封裝400包括多個同(tong)軸連接件426，所述多個同(tong)軸連接件426具有內導電(dian)層(ceng)(ceng)(導電(dian)金屬層(ceng)(ceng))416、絕(jue)緣層(ceng)(ceng)420、及外導電(dian)層(ceng)(ceng)(同(tong)軸接地種子(zi)層(ceng)(ceng))422。在(zai)(zai)某(mou)些實(shi)施例中，外導電(dian)層(ceng)(ceng)(同(tong)軸接地種子(zi)層(ceng)(ceng))422包括接地屏蔽層(ceng)(ceng)。

在步(bu)驟326處，將多個(ge)(ge)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)(有(you)源半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)或裝(zhuang)置)428a、428b耦合(he)(he)至(zhi)部分半(ban)導(dao)體(ti)(ti)封裝(zhuang)400。所述半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)被預(yu)形成為含有(you)一(yi)(yi)個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)有(you)源半(ban)導(dao)體(ti)(ti)元件(jian)的(de)(de)(de)(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)。如(ru)圖17中所示，將半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)428a、428b耦合(he)(he)至(zhi)或貼合(he)(he)至(zhi)第一(yi)(yi)金(jin)屬層408。在一(yi)(yi)些實施(shi)例中，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)428a、428b各自包(bao)括管(guan)芯(xin)(xin)貼合(he)(he)膜(dieattachfilm，daf)層430、包(bao)含一(yi)(yi)個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)有(you)源元件(jian)的(de)(de)(de)(de)硅層432、鋁接觸墊(dian)434、及金(jin)屬通孔436，但應知半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)428a、428b也可(ke)(ke)具(ju)有(you)任何(he)適合(he)(he)數目(mu)的(de)(de)(de)(de)及/或任何(he)適合(he)(he)類型的(de)(de)(de)(de)層。在一(yi)(yi)些實施(shi)例中，每一(yi)(yi)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)428a、428b的(de)(de)(de)(de)上部部分(例如(ru)，金(jin)屬通孔436)與同軸連接件(jian)426的(de)(de)(de)(de)頂部實質上平行，但應知半(ban)導(dao)體(ti)(ti)管(guan)芯(xin)(xin)428a、428b的(de)(de)(de)(de)高度也可(ke)(ke)延伸至(zhi)同軸連接件(jian)426的(de)(de)(de)(de)頂部上方及/或下方。

在(zai)(zai)步驟328處，如(ru)圖(tu)18中(zhong)所示，在(zai)(zai)部分(fen)半(ban)導體封裝400上(shang)沉積(ji)包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)(overmolding)層(ceng)(ceng)(ceng)438。包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)438用以(yi)填充(chong)各半(ban)導體管芯(xin)428a、428b與各所述(shu)多個(ge)同軸(zhou)連(lian)接件426之間的一個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)間隙。在(zai)(zai)一些(xie)實(shi)(shi)施例(li)(li)中(zhong)，包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)438包(bao)含絕(jue)緣(或(huo)(huo)非(fei)導電)材料。例(li)(li)如(ru)，在(zai)(zai)各種實(shi)(shi)施例(li)(li)中(zhong)，包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)438可包(bao)含絕(jue)緣材料，例(li)(li)如(ru)聚合物(wu)材料。在(zai)(zai)一些(xie)實(shi)(shi)施例(li)(li)中(zhong)，將(jiang)包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)438沉積(ji)至足以(yi)填充(chong)各半(ban)導體管芯(xin)428a、428b及/或(huo)(huo)各同軸(zhou)連(lian)接件426之間的間隙的深度。例(li)(li)如(ru)，在(zai)(zai)一些(xie)實(shi)(shi)施例(li)(li)中(zhong)，將(jiang)包(bao)覆模(mo)制(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)438沉積(ji)成(cheng)足以(yi)在(zai)(zai)半(ban)導體管芯(xin)428a、428b的及/或(huo)(huo)同軸(zhou)連(lian)接件426的頂部上(shang)方延伸約50微米的厚度。

在步驟330處，如圖19中所(suo)示，將部(bu)(bu)分(fen)(fen)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)封裝400平面(mian)化以移(yi)除(chu)(chu)包覆模制層(ceng)438安置于(yu)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)428a、428b上(shang)方的(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)。可使用任(ren)何適(shi)合的(de)(de)工藝(yi)(例(li)如，在化學機械平面(mian)化工藝(yi)之前進行的(de)(de)研磨工藝(yi)、及/或任(ren)何其他(ta)適(shi)合的(de)(de)工藝(yi))來移(yi)除(chu)(chu)包覆模制層(ceng)438的(de)(de)所(suo)述一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)施例(li)中，移(yi)除(chu)(chu)每一(yi)(yi)同(tong)軸連(lian)接件426的(de)(de)絕緣層(ceng)420的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)部(bu)(bu)分(fen)(fen)及外導(dao)(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(同(tong)軸接地種子層(ceng))422的(de)(de)上(shang)部(bu)(bu)部(bu)(bu)分(fen)(fen)，以暴露出內導(dao)(dao)(dao)電(dian)層(ceng)(導(dao)(dao)(dao)電(dian)金屬層(ceng))416。也可移(yi)除(chu)(chu)每一(yi)(yi)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)428a、428b的(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)，例(li)如鋁(lv)接觸(chu)墊(dian)434的(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)。

在(zai)步驟332處，如圖(tu)20中(zhong)(zhong)(zhong)所示，在(zai)部(bu)分半(ban)導(dao)(dao)體封裝(zhuang)400上沉積通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440。通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440包(bao)含用(yong)以(yi)隔離(li)每(mei)一(yi)半(ban)導(dao)(dao)體管芯(xin)(xin)428a、428b及同軸(zhou)連(lian)接(jie)件(jian)426的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)材(cai)料(liao)(liao)，例如聚酰亞胺(an)、聚苯并惡唑(zuo)(pbo)、及/或(huo)(huo)任(ren)何(he)其他適合的(de)(de)(de)(de)材(cai)料(liao)(liao)。在(zai)通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440中(zhong)(zhong)(zhong)形成多個連(lian)接(jie)性(xing)通(tong)孔(kong)442以(yi)對每(mei)一(yi)半(ban)導(dao)(dao)體管芯(xin)(xin)428a、428b及同軸(zhou)連(lian)接(jie)件(jian)426提供電性(xing)連(lian)接(jie)點。連(lian)接(jie)性(xing)通(tong)孔(kong)442可(ke)(ke)包(bao)含任(ren)何(he)適合的(de)(de)(de)(de)導(dao)(dao)電材(cai)料(liao)(liao)，例如銅及/或(huo)(huo)銅合金。在(zai)一(yi)些(xie)實施例中(zhong)(zhong)(zhong)，通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440包(bao)括位于每(mei)一(yi)同軸(zhou)連(lian)接(jie)件(jian)426處的(de)(de)(de)(de)懸伸部(bu)(overhang)444，以(yi)隔離(li)內導(dao)(dao)電材(cai)料(liao)(liao)(導(dao)(dao)電金屬(shu)層)416及外導(dao)(dao)電接(jie)地屏(ping)蔽(bi)層(同軸(zhou)接(jie)地種(zhong)子層)422。可(ke)(ke)將通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440沉積至(zhi)任(ren)何(he)適合的(de)(de)(de)(de)深(shen)(shen)度(du)，例如等于或(huo)(huo)小于約(yue)4.5微米的(de)(de)(de)(de)深(shen)(shen)度(du)，但應知通(tong)孔(kong)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層440也(ye)可(ke)(ke)具有大于或(huo)(huo)小于4.5微米的(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)適合的(de)(de)(de)(de)深(shen)(shen)度(du)。

在(zai)(zai)(zai)(zai)步驟334處，在(zai)(zai)(zai)(zai)部(bu)分(fen)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)400上形成(cheng)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)額(e)外的(de)(de)層(ceng)(ceng)(例(li)如，一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)通(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)及(ji)/或導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng))。例(li)如，如圖21及(ji)圖22中(zhong)所示(shi)，在(zai)(zai)(zai)(zai)通(tong)孔(kong)(kong)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)440上方形成(cheng)通(tong)孔(kong)(kong)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)446、448及(ji)/或導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a-450c。額(e)外的(de)(de)通(tong)孔(kong)(kong)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(聚苯并惡唑層(ceng)(ceng))446包括多(duo)個(ge)(ge)通(tong)孔(kong)(kong)452a-452c，所述多(duo)個(ge)(ge)通(tong)孔(kong)(kong)452a-452c將同軸連接(jie)件426及(ji)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)(xin)(xin)428a、428b耦(ou)(ou)合(he)至導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a。在(zai)(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)實施例(li)中(zhong)，額(e)外的(de)(de)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(例(li)如，導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a-450c)用以(yi)將半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)400的(de)(de)兩個(ge)(ge)或更多(duo)個(ge)(ge)元件耦(ou)(ou)合(he)于一(yi)起(qi)。例(li)如，在(zai)(zai)(zai)(zai)圖21中(zhong)所示(shi)實施例(li)中(zhong)，導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a將第(di)(di)一(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)(xin)(xin)428a耦(ou)(ou)合(he)至第(di)(di)二半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)(xin)(xin)428b。在(zai)(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)實施例(li)中(zhong)，導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a-450c用以(yi)將半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)400的(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)或多(duo)個(ge)(ge)元件耦(ou)(ou)合(he)至外部(bu)連接(jie)點(dian)。例(li)如，如圖23中(zhong)所示(shi)，通(tong)過在(zai)(zai)(zai)(zai)多(duo)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a-450c中(zhong)形成(cheng)的(de)(de)多(duo)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)線454a-454c將第(di)(di)一(yi)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)(xin)(xin)428a及(ji)第(di)(di)二半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)管芯(xin)(xin)(xin)428b耦(ou)(ou)合(he)至連接(jie)墊456。應知，可(ke)在(zai)(zai)(zai)(zai)部(bu)分(fen)半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)封(feng)(feng)裝(zhuang)400上沉積任(ren)何(he)數目的(de)(de)通(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)(ceng)446、448及(ji)/或導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)450a-450c。

在步(bu)驟(zou)336處，如(ru)圖21中所示，在半導體封裝的(de)一個(ge)或多個(ge)連接(jie)性點處形成焊(han)料球(qiu)458。例(li)如(ru)，在一些實施例(li)中，在連接(jie)墊(dian)456上形成焊(han)料球(qiu)。焊(han)料球(qiu)458可(ke)包含任何適合的(de)材料，例(li)如(ru)錫(sn)、銀(ag)、銅(tong)(cu)、鉛(pb)及/或其(qi)組合。

在步驟338處，將光(guang)(guang)源(yuan)施加至光(guang)(guang)熱轉換(huan)離型層(ceng)406以加熱光(guang)(guang)熱轉換(huan)離型層(ceng)406，從而(er)使(shi)半(ban)導體(ti)封裝400從載(zai)體(ti)襯底(玻璃(li)(li)載(zai)體(ti)層(ceng))404脫離。所述(shu)光(guang)(guang)源(yuan)可為任何適合的(de)(de)光(guang)(guang)源(yuan)，例如(ru)激光(guang)(guang)或其他定向光(guang)(guang)源(yuan)。圖24示出(chu)在從玻璃(li)(li)載(zai)體(ti)層(ceng)404被(bei)移除之后的(de)(de)制作完成(cheng)的(de)(de)半(ban)導體(ti)封裝400。

在各(ge)種實施例中(zhong)，公開一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種半導(dao)(dao)體(ti)封裝(zhuang)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)半導(dao)(dao)體(ti)封裝(zhuang)包(bao)(bao)(bao)括(kuo)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件、絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及第(di)二半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件。所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件包(bao)(bao)(bao)括(kuo)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件上方且包(bao)(bao)(bao)括(kuo)從所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)延(yan)伸至所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的第(di)二側(ce)(ce)的至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)貫(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(throughinsulatorvia，tiv)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)貫(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)具有導(dao)(dao)電芯體(ti)，且所(suo)(suo)述(shu)(shu)導(dao)(dao)電芯體(ti)包(bao)(bao)(bao)含含銅材料。所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上方且包(bao)(bao)(bao)括(kuo)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)貫(guan)穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件的所(suo)(suo)述(shu)(shu)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)耦合至所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二半導(dao)(dao)體(ti)元(yuan)(yuan)件的所(suo)(suo)述(shu)(shu)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

在(zai)一些實施例中(zhong)，所述(shu)至少一個貫穿絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)孔包括圍繞(rao)(rao)所述(shu)導電芯體安置的(de)第一絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)及圍繞(rao)(rao)所述(shu)第一絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)安置的(de)接地(di)屏蔽層(ceng)(ceng)。

在一些實施例中，所述接地屏(ping)蔽層包含(han)含(han)銅材料(liao)。

在一(yi)些(xie)實施例中，所述絕緣層包(bao)含低溫等(deng)離子體增強(qiang)化學氣相沉積(pecvd)介電質。

在一些實施例中，所述等(deng)離(li)子體增強化學(xue)氣(qi)相(xiang)沉積介電(dian)質包括硅(gui)系介電(dian)質。

在一些(xie)實施例中，所述至少(shao)一個(ge)貫穿(chuan)絕(jue)緣(yuan)層孔(kong)還包括圍繞所述接地屏蔽層安置的第二絕(jue)緣(yuan)層。

在一些(xie)實施例中，所述(shu)第二絕緣層包含選自由(you)聚苯(ben)并惡唑(pbo)、聚酰亞胺(pi)及苯(ben)并環丁(ding)烯(bcb)組(zu)成的(de)群組(zu)的(de)聚合(he)物絕緣材料。

在一些實施例(li)中，所(suo)述含銅(tong)材(cai)料包括鈦/銅(tong)(ti/cu)材(cai)料。

在一些實施例中，所述絕緣層包括(kuo)轉(zhuan)接板(interposer)，所述轉(zhuan)接板包括(kuo)一個(ge)或(huo)多個(ge)有源半導(dao)體裝置(zhi)。

在(zai)各種(zhong)實施例中(zhong)，公開一(yi)(yi)種(zhong)半導(dao)(dao)體封(feng)裝的(de)形(xing)(xing)成(cheng)方(fang)法。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述方(fang)法至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)包(bao)(bao)括以下(xia)步驟。在(zai)襯底上(shang)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)方(fang)形(xing)(xing)成(cheng)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)方(fang)形(xing)(xing)成(cheng)通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)方(fang)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)二(er)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)跡(ji)線(xian)(xian)(trace)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)側延(yan)伸至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)(di)(di)二(er)側的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(throughinsulatorvia，tiv)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)具有(you)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)芯體，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)芯體耦(ou)合(he)至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)跡(ji)線(xian)(xian)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)側延(yan)伸至(zhi)(zhi)(zhi)第(di)(di)(di)二(er)側的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)通孔(kong)(kong)(kong)(kong)，且所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)耦(ou)合(he)至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)貫(guan)穿絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)二(er)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)跡(ji)線(xian)(xian)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)跡(ji)線(xian)(xian)耦(ou)合(he)至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)(shao)(shao)一(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)通孔(kong)(kong)(kong)(kong)。

在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例中，形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)絕(jue)緣層(ceng)至(zhi)(zhi)少包括以(yi)(yi)下步驟。在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)上(shang)沉積(ji)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠層(ceng)(tivholephotoresistlayer)，其中所(suo)(suo)(suo)述(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠層(ceng)界(jie)定(ding)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)(tivhole)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)至(zhi)(zhi)少部(bu)分地(di)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)層(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)導(dao)電通(tong)(tong)孔(kong)(kong)上(shang)方。在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠層(ceng)上(shang)沉積(ji)第一(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)電含銅材料(liao)，其中所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)電含銅材料(liao)被沉積(ji)至(zhi)(zhi)足以(yi)(yi)填充所(suo)(suo)(suo)述(shu)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)的(de)深度。移除所(suo)(suo)(suo)述(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)通(tong)(tong)孔(kong)(kong)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠層(ceng)，以(yi)(yi)使所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)電含銅材料(liao)的(de)柱界(jie)定(ding)所(suo)(suo)(suo)述(shu)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)貫(guan)(guan)(guan)穿絕(jue)緣層(ceng)孔(kong)(kong)的(de)導(dao)電芯體。

在一(yi)(yi)些實施例中，形(xing)成所(suo)(suo)述絕緣層(ceng)進一(yi)(yi)步(bu)包括以下步(bu)驟。在所(suo)(suo)述第(di)一(yi)(yi)導電含(han)銅材(cai)料的(de)所(suo)(suo)述柱上(shang)(shang)沉(chen)積第(di)一(yi)(yi)絕緣層(ceng)。在所(suo)(suo)述第(di)一(yi)(yi)絕緣層(ceng)上(shang)(shang)沉(chen)積第(di)二(er)導電含(han)銅材(cai)料，其中所(suo)(suo)述第(di)一(yi)(yi)導電含(han)銅材(cai)料的(de)所(suo)(suo)述柱、所(suo)(suo)述第(di)一(yi)(yi)絕緣層(ceng)及(ji)所(suo)(suo)述第(di)二(er)導電含(han)銅材(cai)料界定所(suo)(suo)述至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)個貫穿(chuan)絕緣層(ceng)孔(kong)。

在一(yi)些(xie)實施例中，沉(chen)積(ji)所(suo)述第一(yi)絕緣層包(bao)括沉(chen)積(ji)低(di)溫等離子體增(zeng)強化學氣相沉(chen)積(ji)(pecvd)介電材料。

在(zai)一些實施例中，形成所(suo)述(shu)絕緣層(ceng)包括執行平面化(planarizing)步(bu)驟以暴露出所(suo)述(shu)導(dao)電芯體。

在一些實施例中，還包(bao)括在所(suo)述(shu)至少一個貫穿絕緣層孔(kong)上形成第二(er)絕緣層。

在(zai)一些實施例中，所述第二絕緣層包(bao)含(han)選自(zi)由聚(ju)苯并惡唑(pbo)、聚(ju)酰亞胺(an)(pi)及苯并環丁烯(bcb)組(zu)成的群組(zu)的材料。

在(zai)一(yi)些(xie)實施例中，還包括將至少一(yi)個有(you)源半導體管芯耦合(he)至所述絕(jue)緣層。

在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實施例中(zhong)，還包(bao)括以下步(bu)驟。在(zai)(zai)(zai)所述(shu)第(di)二(er)導(dao)電(dian)層上(shang)方(fang)形成(cheng)(cheng)連接墊，其(qi)中(zhong)所述(shu)連接墊耦合至在(zai)(zai)(zai)所述(shu)第(di)二(er)導(dao)電(dian)層中(zhong)形成(cheng)(cheng)的所述(shu)至少一(yi)(yi)個(ge)導(dao)電(dian)跡(ji)線。在(zai)(zai)(zai)所述(shu)連接墊上(shang)形成(cheng)(cheng)焊料球。

在(zai)各種實施例(li)中，公開(kai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)封裝包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)元(yuan)件、絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)第(di)二(er)(er)(er)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)元(yuan)件。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)元(yuan)件包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)具有(you)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電跡(ji)(ji)線(trace)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)具有(you)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)耦合至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電跡(ji)(ji)線。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)垂直地位(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)元(yuan)件上方(fang)且(qie)包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)有(you)源(yuan)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)裝置、貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(throughinsulatorvia，tiv)及(ji)(ji)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)材(cai)料。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)延伸至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)第(di)二(er)(er)(er)側(ce)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)(ti)(ti)、至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)部(bu)分地圍繞(rao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)圍繞(rao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)接地屏蔽層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)(ti)(ti)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)端處耦合至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)(ti)(ti)及(ji)(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接地屏蔽層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)各自包(bao)(bao)含(han)(han)含(han)(han)銅材(cai)料。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)材(cai)料位(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)有(you)源(yuan)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)裝置與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)之間。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)(ti)元(yuan)件位(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上方(fang)且(qie)包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)第(di)二(er)(er)(er)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)(ji)第(di)二(er)(er)(er)導(dao)(dao)(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)第(di)二(er)(er)(er)端處耦合至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)貫(guan)(guan)(guan)穿(chuan)(chuan)絕(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)孔(kong)(kong)(kong)(kong)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電芯體(ti)(ti)(ti)(ti)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)導(dao)(dao)(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電跡(ji)(ji)線(trace)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電跡(ji)(ji)線耦合至(zhi)(zhi)(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)(er)通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)導(dao)(dao)(dao)(dao)電通(tong)(tong)(tong)孔(kong)(kong)(kong)(kong)。

在一些實施(shi)例中，所述(shu)第一含銅材料是鈦(tai)-銅材料。

以(yi)上概述了若干(gan)實(shi)施(shi)例的(de)(de)(de)特征，以(yi)使所(suo)(suo)屬(shu)領域(yu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)技術人(ren)員可更好地(di)理解本(ben)發(fa)明的(de)(de)(de)各(ge)(ge)個方面。所(suo)(suo)屬(shu)領域(yu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)技術人(ren)員應知，其(qi)可容易地(di)使用本(ben)發(fa)明作為設計或修改其(qi)他工藝及(ji)結構(gou)的(de)(de)(de)基礎來施(shi)行(xing)與本(ben)文中(zhong)(zhong)所(suo)(suo)介紹的(de)(de)(de)實(shi)施(shi)例相(xiang)同的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)及(ji)/或實(shi)現與本(ben)文中(zhong)(zhong)所(suo)(suo)介紹的(de)(de)(de)實(shi)施(shi)例相(xiang)同的(de)(de)(de)優(you)點。所(suo)(suo)屬(shu)領域(yu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)技術人(ren)員還(huan)應認識到，這(zhe)些等效構(gou)造并不背離(li)本(ben)發(fa)明的(de)(de)(de)精(jing)神(shen)及(ji)范(fan)圍，而(er)且他們可在不背離(li)本(ben)發(fa)明的(de)(de)(de)精(jing)神(shen)及(ji)范(fan)圍的(de)(de)(de)條(tiao)件(jian)下對其(qi)作出(chu)各(ge)(ge)種改變、代替(ti)、及(ji)變更。