1.一種(zhong)制(zhi)造gam值(zhi)大于2.0的引線(xian)框架的方法，所述(shu)方法包括以(yi)下步驟：
2.根據權利(li)要求1所述的(de)方法(fa)，其中(zhong)(zhong)，在(zai)進行(xing)步驟(b)之前，在(zai)酸(suan)(suan)浴中(zhong)(zhong)對步驟(a)的(de)鍍銅引線框架(jia)或fpc進行(xing)浸(jin)泡步驟，以提(ti)供(gong)酸(suan)(suan)洗清潔鍍銅引線框架(jia)或fpc，可(ke)選地(di)，其中(zhong)(zhong)，酸(suan)(suan)選自硫酸(suan)(suan)、多硫酸(suan)(suan)、連(lian)二硫酸(suan)(suan)和過氧(yang)硫酸(suan)(suan)中(zhong)(zhong)的(de)一種或多種。
3.根據權利要求1或2所述的(de)(de)(de)方法，其中，在步驟(c)中使(shi)用時(shi)，微蝕刻(ke)工序(xu)包括(kuo)向經電解清(qing)潔的(de)(de)(de)引(yin)線框(kuang)架或fpc上噴(pen)(pen)射微蝕刻(ke)溶(rong)液(ye)，噴(pen)(pen)射的(de)(de)(de)量和時(shi)間足夠從鍍銅層上去除0.5至1.3μm的(de)(de)(de)銅。
4.根據(ju)權利要求3所述(shu)的(de)方法，其中，所述(shu)微蝕(shi)刻(ke)溶(rong)液包含濃(nong)度為(wei)(wei)60g/l至(zhi)90g/l的(de)有機過氧化物(例如過硫酸銨)以及(ji)濃(nong)度為(wei)(wei)1至(zhi)2體積百分比的(de)硫酸，可選(xuan)地，其中微蝕(shi)刻(ke)溶(rong)液與經電解(jie)清潔的(de)引線框(kuang)架(jia)或(huo)fpc的(de)接觸(chu)時間(jian)為(wei)(wei)30到60秒。
5.根據(ju)前述權(quan)利要(yao)求中的(de)任(ren)一項所述的(de)方法，其(qi)中，在(zai)步驟(zou)(c)中，鍍銅(tong)步驟(zou)使用氰化(hua)銅(tong)浴，并(bing)且在(zai)約50℃至(zhi)約55℃的(de)溫度下使用約3.0a/dm2至(zhi)約4.0a/dm2的(de)電流密(mi)度進行。
6.根(gen)據前(qian)述權利要求中的任一項所述的方法(fa)，其中，在(zai)步驟(d)中，鍍鎳工(gong)序使用(yong)包括以下成分的鎳電(dian)解溶液：
7.根據權利要(yao)求6所(suo)述的(de)(de)方法，其中，在步(bu)驟(zou)(d)中，為補充消(xiao)耗的(de)(de)添加(jia)劑a和(he)添加(jia)劑b而(er)進一步(bu)添加(jia)：
8.根據權利要求6所述的(de)方法，其中(zhong)，鍍鎳工序在(zai)50℃至65℃的(de)溫(wen)度(du)下(xia)使用(yong)(yong)約5.0a/dm2至約6.5a/dm2的(de)電流密度(du)進行(xing)(xing)，其中(zhong)利用(yong)(yong)可溶(rong)性的(de)鎳陽(yang)極(ji)，并(bing)且進行(xing)(xing)陰極(ji)移動(dong)或空氣攪(jiao)動(dong)。
9.根據前述權(quan)利要求中的任一項所述的方法，其中，在步(bu)驟(e)中，銀觸擊(ji)(ji)電(dian)鍍(du)工序使(shi)用包括(kuo)以下成分的銀觸擊(ji)(ji)電(dian)解溶液：
10.根據權利要求9所述的方法(fa)，其(qi)中，銀觸擊電(dian)鍍工序(xu)使用(yong)約2.0a/dm2的電(dian)流密度以及20至60秒的沉積(ji)時(shi)間。
11.根據前述權(quan)利要(yao)求中(zhong)的(de)任(ren)一項所述的(de)方法，其中(zhong)，在(zai)步驟(zou)(f)中(zhong)，亮銀(yin)電鍍工序使用包括以下成分的(de)亮銀(yin)電鍍電解溶(rong)液(ye)：
12.根據權利要求11所述的方法(fa)，其中，亮銀電鍍工序在20至40℃的溫(wen)度下使用約(yue)5.0a/dm2至約(yue)6.5a/dm2的電流(liu)密度進行。
13.根(gen)據前(qian)述權(quan)利要求中的(de)任一(yi)項(xiang)所述的(de)方法，其中，在步(bu)驟(f)之(zhi)后以及(ji)步(bu)驟(g)之(zhi)前(qian)，進行(xing)第二電解清潔工(gong)序(xu)。
14.根據前述(shu)權利(li)要(yao)求(qiu)中的任一項(xiang)所述(shu)的方(fang)法(fa)，其中，電解清(qing)潔工(gong)序(xu)使用包(bao)括以下成(cheng)分(fen)的電解清(qing)潔溶液：
15.根(gen)據權利要(yao)求(qiu)14所(suo)述的(de)方法，其中(zhong)，堿(jian)性物質(zhi)為硅酸(suan)鈉。
16.根據權利要求14或15所(suo)述的(de)方法，其中，使用引線框(kuang)架或fpc作為(wei)陰極，在50℃至60℃的(de)溫度下使用1a/dm2至5a/dm2的(de)直(zhi)流(liu)電流(liu)進行電解(jie)清潔(jie)。
17.一種(zhong)led引線框架(jia)或fpc，其通(tong)過(guo)或者能夠通(tong)過(guo)前(qian)述權利要求中的(de)(de)任一項所述的(de)(de)方法而獲得，其中引線框架(jia)或fpc的(de)(de)gam值大于(yu)2.0。
18.一種制造led的(de)方(fang)法(fa)，其包括使用(yong)通過(guo)或者(zhe)能夠通過(guo)權利要求(qiu)1至16中(zhong)的(de)任一項所(suo)述的(de)方(fang)法(fa)而獲得的(de)led引線(xian)框架或fpc，其中(zhong)引線(xian)框架或fpc的(de)gam值(zhi)大于2.0。