本(ben)技術涉及無(wu)線充(chong)電(dian)領域，特別(bie)涉及一(yi)種充(chong)電(dian)線圈模(mo)(mo)組(zu)及其相關產(chan)品、充(chong)電(dian)線圈模(mo)(mo)組(zu)的制備方法。

背景技術：

1、目前(qian)，無(wu)線(xian)(xian)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)技(ji)術越來越得(de)到各大(da)廠(chang)商的(de)(de)(de)關注。傳統(tong)的(de)(de)(de)無(wu)線(xian)(xian)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)供電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路徑由充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)通(tong)過線(xian)(xian)圈(quan)(quan)btb(板(ban)(ban)對板(ban)(ban)，board?to?board)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)連接(jie)(jie)至轉接(jie)(jie)小板(ban)(ban)，再通(tong)過轉接(jie)(jie)小板(ban)(ban)和小板(ban)(ban)btb電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)連接(jie)(jie)至充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)fpc(柔性電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)，flexible?printed?circuit)，最后通(tong)過充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)供電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)至需(xu)要電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)能驅動(dong)的(de)(de)(de)器件或者芯片(pian)。傳統(tong)的(de)(de)(de)無(wu)線(xian)(xian)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)供電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路徑較長，損(sun)耗較大(da)，無(wu)線(xian)(xian)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)效(xiao)率較低。

技術實現思路

1、本技術實施例提供(gong)一(yi)(yi)種充電(dian)線(xian)圈模(mo)(mo)組(zu)、包括(kuo)所述充電(dian)線(xian)圈模(mo)(mo)組(zu)的相(xiang)關產品(pin)以及(ji)(ji)包括(kuo)所述充電(dian)線(xian)圈模(mo)(mo)組(zu)的制備(bei)方(fang)法，旨(zhi)在獲得一(yi)(yi)種供(gong)電(dian)路(lu)徑較短(duan)的充電(dian)線(xian)圈模(mo)(mo)組(zu)，以及(ji)(ji)包括(kuo)該充電(dian)線(xian)圈模(mo)(mo)組(zu)的相(xiang)關產品(pin)。

2、第一方面，提(ti)供(gong)了一種充電線(xian)圈模組(zu)。充電線(xian)圈模組(zu)包括(kuo)充電線(xian)圈以及電路板(ban)；

3、所(suo)(suo)(suo)述(shu)充電線(xian)(xian)圈包括(kuo)基(ji)板(ban)、第(di)一(yi)線(xian)(xian)圈以及第(di)二線(xian)(xian)圈，所(suo)(suo)(suo)述(shu)充電線(xian)(xian)圈的(de)基(ji)板(ban)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)線(xian)(xian)圈和所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二線(xian)(xian)圈之間(jian)；

4、所(suo)述電路板(ban)包括基板(ban)、第一走線層(ceng)以及第二走線層(ceng)，所(suo)述電路板(ban)的基板(ban)位于所(suo)述第一走線層(ceng)和所(suo)述第二走線層(ceng)之間；

5、所(suo)述(shu)(shu)電(dian)路板(ban)(ban)的(de)基板(ban)(ban)與所(suo)述(shu)(shu)充電(dian)線(xian)(xian)圈的(de)基板(ban)(ban)為一體化(hua)結(jie)構(gou)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一走(zou)線(xian)(xian)層(ceng)與所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一線(xian)(xian)圈同層(ceng)設(she)置，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二走(zou)線(xian)(xian)層(ceng)與所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二線(xian)(xian)圈同層(ceng)設(she)置。可(ke)以理解的(de)是(shi)，一體化(hua)結(jie)構(gou)可(ke)以是(shi)同一個(ge)板(ban)(ban)件的(de)兩個(ge)部分。相(xiang)較于第(di)(di)一線(xian)(xian)圈與第(di)(di)二線(xian)(xian)圈通過btb連(lian)接(jie)器電(dian)連(lian)接(jie)至(zhi)電(dian)路板(ban)(ban)，本實施(shi)方(fang)式的(de)第(di)(di)一線(xian)(xian)圈與第(di)(di)二線(xian)(xian)圈可(ke)以直(zhi)接(jie)電(dian)連(lian)接(jie)至(zhi)電(dian)路板(ban)(ban)上走(zou)線(xian)(xian)(例如(ru)電(dian)路板(ban)(ban)的(de)第(di)(di)一走(zou)線(xian)(xian)層(ceng)的(de)走(zou)線(xian)(xian)或者第(di)(di)二走(zou)線(xian)(xian)層(ceng)的(de)走(zou)線(xian)(xian))，從而(er)一方(fang)面可(ke)以縮短充電(dian)線(xian)(xian)圈與負載(zai)之(zhi)間的(de)充電(dian)路徑，進而(er)減少(shao)鏈路損(sun)耗(hao)，提(ti)高(gao)無線(xian)(xian)充電(dian)效率(lv)。

6、可以(yi)(yi)理(li)解(jie)的(de)是，通過(guo)設(she)(she)置所述(shu)電(dian)路(lu)板(ban)的(de)基(ji)板(ban)與所述(shu)充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)基(ji)板(ban)為一體化結構，且所述(shu)第一走線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)與所述(shu)第一線(xian)(xian)圈(quan)(quan)同層(ceng)(ceng)設(she)(she)置，所述(shu)第二走線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)與所述(shu)第二線(xian)(xian)圈(quan)(quan)同層(ceng)(ceng)設(she)(she)置，從而使得(de)充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)以(yi)(yi)及電(dian)路(lu)板(ban)形(xing)成(cheng)一個(ge)整體性較強的(de)結構，充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)模組的(de)結構強度較佳。這樣，相(xiang)較于將述(shu)充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)堆(dui)疊于電(dian)路(lu)板(ban)上(shang)的(de)方案，本實施方式(shi)的(de)充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)與電(dian)路(lu)板(ban)在厚(hou)度方向上(shang)有重疊區域，可以(yi)(yi)較大(da)程度地降低(di)充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)模組的(de)厚(hou)度。

7、可(ke)(ke)以(yi)理(li)解(jie)的(de)(de)是，相較于單獨制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)和電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)，再(zai)將充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)通過btb連(lian)接(jie)器連(lian)接(jie)到電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)的(de)(de)方案，本實施方式在(zai)制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)的(de)(de)同時可(ke)(ke)以(yi)將電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)一(yi)同制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)，或者在(zai)制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)的(de)(de)同時可(ke)(ke)以(yi)將充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)一(yi)同制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)，這樣(yang)一(yi)方面(mian)可(ke)(ke)以(yi)省去(qu)制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)或者電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)的(de)(de)一(yi)道工序，從(cong)而減(jian)少充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模組(zu)的(de)(de)成本投入；另一(yi)方面(mian)，充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)和電(dian)(dian)(dian)(dian)路板(ban)(ban)設置成一(yi)個整(zheng)體(ti)的(de)(de)結構，可(ke)(ke)以(yi)省去(qu)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模組(zu)的(de)(de)裝(zhuang)配步驟，降低充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模組(zu)的(de)(de)制(zhi)(zhi)備(bei)(bei)難(nan)度。

8、在一種可能實現的方式中(zhong)，所述(shu)第(di)一走(zou)線(xian)層包括第(di)一走(zou)線(xian)，所述(shu)第(di)一走(zou)線(xian)與所述(shu)第(di)一線(xian)圈為一體(ti)成型結構；

9、和/或(huo)，所述(shu)(shu)第二走線層包括第二走線，所述(shu)(shu)第二走線與所述(shu)(shu)第二線圈為一體成型結構(gou)。

10、可(ke)以理解的(de)(de)是(shi)，第(di)(di)一線圈(quan)可(ke)以直接(jie)(jie)電(dian)(dian)連接(jie)(jie)至電(dian)(dian)路板的(de)(de)第(di)(di)一走線和/或，第(di)(di)二(er)線圈(quan)可(ke)以直接(jie)(jie)電(dian)(dian)連接(jie)(jie)至電(dian)(dian)路板的(de)(de)第(di)(di)二(er)走線，從而較大(da)程(cheng)度地縮短充電(dian)(dian)線圈(quan)與負載(zai)之間的(de)(de)充電(dian)(dian)路徑(jing)，進而減(jian)少鏈路損耗。

11、在(zai)一(yi)種可(ke)能實現的(de)(de)方式中，所(suo)(suo)述充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)(xian)圈包(bao)括第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣層(ceng)，所(suo)(suo)述充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣層(ceng)設置在(zai)所(suo)(suo)述第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈上，且覆蓋所(suo)(suo)述第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈；充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣層(ceng)與第(di)(di)一(yi)線(xian)(xian)(xian)圈位于充(chong)(chong)電(dian)線(xian)(xian)(xian)圈的(de)(de)基板的(de)(de)同(tong)一(yi)側。

12、所述(shu)電(dian)路板(ban)包(bao)括第一(yi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)，所述(shu)電(dian)路板(ban)的(de)第一(yi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)設在所述(shu)第一(yi)走(zou)線層(ceng)(ceng)(ceng)上，且覆(fu)蓋所述(shu)第一(yi)走(zou)線層(ceng)(ceng)(ceng)；

13、所(suo)述(shu)充電線(xian)圈的第一(yi)絕(jue)緣層(ceng)與所(suo)述(shu)電路板的第一(yi)絕(jue)緣層(ceng)同層(ceng)設置，且為(wei)一(yi)體(ti)成型結構。

14、可以(yi)理解的(de)是，充電(dian)線圈(quan)(quan)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)與電(dian)路板(ban)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)同(tong)層(ceng)(ceng)設置，這樣在制(zhi)(zhi)備(bei)充電(dian)線圈(quan)(quan)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)的(de)同(tong)時(shi)可以(yi)將電(dian)路板(ban)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)(yi)(yi)同(tong)制(zhi)(zhi)備(bei)，或者在制(zhi)(zhi)備(bei)電(dian)路板(ban)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)的(de)同(tong)時(shi)可以(yi)將充電(dian)線圈(quan)(quan)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)(yi)(yi)同(tong)制(zhi)(zhi)備(bei)，這樣一(yi)(yi)(yi)(yi)方面可以(yi)省去制(zhi)(zhi)備(bei)充電(dian)線圈(quan)(quan)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)或者電(dian)路板(ban)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)的(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)道工序，從而減少充電(dian)線圈(quan)(quan)模組的(de)成本(ben)投入。

15、在一種可能實現的方式中，在所(suo)(suo)(suo)述電路板的長度(du)方向上(shang)，所(suo)(suo)(suo)述電路板包括依次連(lian)接的第(di)一部(bu)(bu)分、第(di)二(er)部(bu)(bu)分以及第(di)三部(bu)(bu)分；所(suo)(suo)(suo)述第(di)一部(bu)(bu)分與所(suo)(suo)(suo)述第(di)三部(bu)(bu)分相(xiang)對折疊或者(zhe)展開(kai)時(shi)，所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)部(bu)(bu)分發生(sheng)彎折；

16、所述(shu)電路板包括(kuo)第(di)一子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)、第(di)二子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)以及第(di)三(san)子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)，所述(shu)第(di)一子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)設置在第(di)二部(bu)分(fen)的(de)第(di)一走線(xian)層(ceng)上(shang)，所述(shu)第(di)二子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)的(de)設置在第(di)一部(bu)分(fen)的(de)第(di)一走線(xian)層(ceng)上(shang)，所述(shu)第(di)三(san)子絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)設置在所述(shu)第(di)三(san)部(bu)分(fen)的(de)第(di)一走線(xian)層(ceng)上(shang)；

17、所(suo)述第(di)一子(zi)絕(jue)緣(yuan)層的(de)玻璃(li)化轉(zhuan)變溫度(du)大于所(suo)述第(di)二子(zi)絕(jue)緣(yuan)層的(de)玻璃(li)化轉(zhuan)化溫度(du)、所(suo)述第(di)三子(zi)絕(jue)緣(yuan)層的(de)玻璃(li)化轉(zhuan)化溫度(du)。

18、可以理(li)解的(de)(de)(de)是，通(tong)過設置所述第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)玻(bo)璃化(hua)轉(zhuan)變(bian)(bian)溫度(du)大于所述第(di)(di)二(er)(er)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)玻(bo)璃化(hua)轉(zhuan)化(hua)溫度(du)、所述第(di)(di)三子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)玻(bo)璃化(hua)轉(zhuan)化(hua)溫度(du)，從(cong)而(er)一(yi)(yi)方面第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)不(bu)容易在電路板(ban)的(de)(de)(de)后續工序中(zhong)因(yin)為(wei)高溫加工而(er)發生(sheng)玻(bo)璃化(hua)轉(zhuan)變(bian)(bian)，進而(er)避(bi)免導致(zhi)電路板(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)(de)彎折(zhe)應力中(zhong)性線(xian)偏移，第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)失去對(dui)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)保護；另一(yi)(yi)方面，第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)不(bu)容易在電路板(ban)的(de)(de)(de)折(zhe)疊或者展平的(de)(de)(de)過程中(zhong)發生(sheng)玻(bo)璃化(hua)轉(zhuan)變(bian)(bian)，進而(er)避(bi)免導致(zhi)電路板(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)(de)彎折(zhe)應力中(zhong)性線(xian)偏移，第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)失去對(dui)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)保護。

19、在一種可能實現的方(fang)式中，所(suo)述充電線(xian)圈(quan)包括第(di)一絕(jue)緣層，所(suo)述充電線(xian)圈(quan)的第(di)一絕(jue)緣層設置在所(suo)述第(di)一線(xian)圈(quan)上，且覆蓋所(suo)述第(di)一線(xian)圈(quan)；

20、所(suo)述(shu)充(chong)電線圈的第一絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)與所(suo)述(shu)第二子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)為一體成型結構；或者，所(suo)述(shu)充(chong)電線圈的第一絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)與所(suo)述(shu)第三子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)為一體成型結構。

21、可(ke)以(yi)(yi)(yi)理解的(de)(de)(de)是(shi)，通過設置充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)為一(yi)(yi)體成型結構；或(huo)(huo)者，所(suo)(suo)(suo)述(shu)充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)三子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)為一(yi)(yi)體成型結構，從而在制備充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)同時可(ke)以(yi)(yi)(yi)將(jiang)(jiang)電(dian)路(lu)板的(de)(de)(de)第(di)二子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)或(huo)(huo)者第(di)三子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)同制備，或(huo)(huo)者在制備電(dian)路(lu)板的(de)(de)(de)第(di)二子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)或(huo)(huo)者第(di)三子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)同時可(ke)以(yi)(yi)(yi)將(jiang)(jiang)充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)同制備，這樣一(yi)(yi)方(fang)面可(ke)以(yi)(yi)(yi)省去制備充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)或(huo)(huo)者電(dian)路(lu)板的(de)(de)(de)第(di)二子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)或(huo)(huo)者第(di)三子(zi)(zi)絕(jue)(jue)(jue)(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)道工序，從而減少充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)(quan)模組(zu)的(de)(de)(de)成本投(tou)入。

22、在一(yi)(yi)種可能(neng)實現的方式中，所(suo)述第(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)的玻(bo)璃(li)化轉變溫(wen)度(du)大于或等(deng)于90℃，所(suo)述第(di)二子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)和所(suo)述第(di)三(san)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)的玻(bo)璃(li)化轉變溫(wen)度(du)均小(xiao)于90℃。

23、可以(yi)理解(jie)的(de)(de)(de)是，通過(guo)設(she)置第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)玻(bo)璃化轉變(bian)溫度(du)大于或(huo)等(deng)于90℃，從(cong)而一(yi)(yi)方(fang)面(mian)(mian)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)不(bu)容易在電路(lu)板的(de)(de)(de)后續工序中(zhong)因為高溫加工而發生(sheng)玻(bo)璃化轉變(bian)，進而避免(mian)導致電路(lu)板的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)彎折應(ying)力中(zhong)性線(xian)偏移(yi)(yi)，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)失去(qu)(qu)對(dui)第(di)(di)(di)(di)(di)二部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)走線(xian)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)保護；另一(yi)(yi)方(fang)面(mian)(mian)，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)不(bu)容易在電路(lu)板的(de)(de)(de)折疊或(huo)者展平的(de)(de)(de)過(guo)程中(zhong)發生(sheng)玻(bo)璃化轉變(bian)，進而避免(mian)導致電路(lu)板的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)彎折應(ying)力中(zhong)性線(xian)偏移(yi)(yi)，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)失去(qu)(qu)對(dui)第(di)(di)(di)(di)(di)二部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)走線(xian)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)保護。

24、此外，由于電路(lu)板的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一部(bu)分(fen)和(he)第(di)(di)三(san)(san)部(bu)分(fen)在電路(lu)板的(de)(de)(de)(de)折(zhe)疊或者展(zhan)開過(guo)程中(zhong)可(ke)(ke)以(yi)(yi)不(bu)彎折(zhe)，因此可(ke)(ke)以(yi)(yi)不(bu)用考慮電路(lu)板的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一部(bu)分(fen)和(he)第(di)(di)三(san)(san)部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)(de)中(zhong)心線偏移問題。本實(shi)施方式通過(guo)設置第(di)(di)二(er)子絕(jue)緣層和(he)所述第(di)(di)三(san)(san)子絕(jue)緣層的(de)(de)(de)(de)玻璃化(hua)轉變溫度(du)(du)均小(xiao)于90℃，這樣(yang)，第(di)(di)二(er)子絕(jue)緣層和(he)所述第(di)(di)三(san)(san)子絕(jue)緣層可(ke)(ke)以(yi)(yi)不(bu)用通過(guo)較高的(de)(de)(de)(de)溫度(du)(du)處理來分(fen)別(bie)設置在第(di)(di)一部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一走線層上和(he)第(di)(di)三(san)(san)部(bu)分(fen)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)一走線層上，從而降(jiang)低(di)第(di)(di)二(er)子絕(jue)緣層和(he)第(di)(di)三(san)(san)子絕(jue)緣層的(de)(de)(de)(de)覆蓋難(nan)度(du)(du)。

25、在一(yi)(yi)種可能實現(xian)的(de)(de)(de)方式中，所述(shu)第(di)一(yi)(yi)部分的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)、所述(shu)第(di)三部分的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)均(jun)大于所述(shu)第(di)二部分的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)走(zou)線(xian)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)。

26、可以(yi)理(li)解的(de)是，通過(guo)設置第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)第(di)(di)(di)一走(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)的(de)厚度較小(xiao)，從而(er)調整電(dian)(dian)(dian)路(lu)板(ban)的(de)第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)應(ying)(ying)力中性線(xian)，以(yi)使(shi)電(dian)(dian)(dian)路(lu)板(ban)的(de)第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)應(ying)(ying)力中性線(xian)位于(yu)(yu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)板(ban)的(de)第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)上，也即避免電(dian)(dian)(dian)路(lu)板(ban)的(de)第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)應(ying)(ying)力中性線(xian)位于(yu)(yu)第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)第(di)(di)(di)一走(zou)線(xian)層(ceng)(ceng)，從而(er)保證(zheng)第(di)(di)(di)一子(zi)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)可以(yi)保護第(di)(di)(di)二部(bu)(bu)分(fen)(fen)的(de)第(di)(di)(di)一走(zou)線(xian)層(ceng)(ceng),進而(er)提高充電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈模組的(de)使(shi)用壽命。

27、在一種可能實現的方式中，所述(shu)第一部分的第一走(zou)線層由三層金(jin)屬(shu)層構成(cheng)，所述(shu)第二(er)部分的第二(er)走(zou)線由兩層金(jin)屬(shu)層構成(cheng)；

28、所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)部分的第(di)一(yi)(yi)(yi)走線層(ceng)的第(di)一(yi)(yi)(yi)層(ceng)金(jin)屬與所(suo)述(shu)第(di)二(er)部分的第(di)一(yi)(yi)(yi)走線層(ceng)的第(di)一(yi)(yi)(yi)層(ceng)金(jin)屬同層(ceng)設置，且為一(yi)(yi)(yi)體成型結構，

29、所述(shu)第(di)一(yi)(yi)部分的第(di)一(yi)(yi)走線(xian)層的第(di)二(er)層金(jin)(jin)屬與(yu)所述(shu)第(di)二(er)部分的第(di)一(yi)(yi)走線(xian)層的第(di)二(er)層金(jin)(jin)屬同層設置，且為(wei)一(yi)(yi)體成(cheng)型(xing)結(jie)構。

30、可以理(li)解的(de)(de)是，由于所(suo)述第(di)(di)(di)二(er)部(bu)分的(de)(de)第(di)(di)(di)一走線層(ceng)不包括第(di)(di)(di)三層(ceng)金(jin)屬，所(suo)述第(di)(di)(di)一部(bu)分的(de)(de)第(di)(di)(di)一走線層(ceng)的(de)(de)第(di)(di)(di)三層(ceng)金(jin)屬相對(dui)所(suo)述第(di)(di)(di)二(er)部(bu)分的(de)(de)第(di)(di)(di)一走線層(ceng)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)層(ceng)金(jin)屬凸出。

31、在一(yi)種可能(neng)實現的(de)方式中，所述第(di)(di)(di)一(yi)子絕緣層與(yu)第(di)(di)(di)一(yi)部(bu)分(fen)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)走(zou)線(xian)層的(de)第(di)(di)(di)三層金屬之間的(de)距離d1滿足：0.2毫米(mi)≤d1≤0.5毫米(mi)。這樣，可以保(bao)證電(dian)路(lu)板的(de)第(di)(di)(di)二(er)部(bu)分(fen)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)走(zou)線(xian)層和第(di)(di)(di)二(er)走(zou)線(xian)層不(bu)容易因應力(li)過于(yu)集中而導致走(zou)線(xian)斷裂，從而保(bao)證充電(dian)線(xian)圈模組具有(you)較佳的(de)使用壽命。

32、在(zai)一(yi)種可(ke)能實現的(de)(de)方(fang)式中，所(suo)述第二子絕緣(yuan)層(ceng)的(de)(de)一(yi)部分搭(da)接在(zai)所(suo)述第一(yi)子絕緣(yuan)層(ceng)上；

33、所述第(di)二子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)設置在所述第(di)一(yi)子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的部(bu)(bu)分(fen)的寬度l1滿足(zu)：l1≥0.05毫米(mi)。這樣(yang)，在電(dian)路(lu)板(ban)的第(di)二部(bu)(bu)分(fen)發生彎折的過程中，第(di)一(yi)子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)與第(di)二子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)的連(lian)接處不(bu)容(rong)(rong)易發生分(fen)離，電(dian)路(lu)板(ban)的第(di)二部(bu)(bu)分(fen)的第(di)一(yi)走線層(ceng)(ceng)能夠被第(di)一(yi)子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)與第(di)二子(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)覆蓋，電(dian)路(lu)板(ban)的第(di)二部(bu)(bu)分(fen)的第(di)一(yi)走線層(ceng)(ceng)不(bu)容(rong)(rong)易發生斷裂，從而保證充電(dian)線圈(quan)模組具有較(jiao)佳的使用壽命。

34、在一(yi)種可能實現(xian)的(de)方式(shi)中(zhong)，所述(shu)第(di)(di)一(yi)子絕(jue)緣層的(de)第(di)(di)一(yi)粘(zhan)(zhan)接膠層的(de)厚度(du)小(xiao)于所述(shu)第(di)(di)二子絕(jue)緣層的(de)第(di)(di)二粘(zhan)(zhan)接膠層、所述(shu)第(di)(di)三(san)子絕(jue)緣層的(de)第(di)(di)三(san)粘(zhan)(zhan)接膠層的(de)厚度(du)。

35、可以(yi)(yi)理解的(de)是，通過設置第(di)一(yi)子絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)第(di)一(yi)粘(zhan)接膠(jiao)層(ceng)(ceng)的(de)厚度較(jiao)小，從而(er)利(li)用較(jiao)薄(bo)的(de)第(di)一(yi)子絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)第(di)一(yi)粘(zhan)接膠(jiao)層(ceng)(ceng)來覆(fu)蓋厚度較(jiao)薄(bo)的(de)第(di)二(er)部分(fen)的(de)第(di)一(yi)走線層(ceng)(ceng)，以(yi)(yi)保(bao)證(zheng)在不(bu)會較(jiao)大程度增加電(dian)路(lu)板(ban)(ban)的(de)厚度的(de)同(tong)時，還可以(yi)(yi)較(jiao)好地(di)覆(fu)蓋電(dian)路(lu)板(ban)(ban)的(de)第(di)二(er)部分(fen)的(de)第(di)一(yi)走線層(ceng)(ceng)，較(jiao)好地(di)保(bao)護第(di)二(er)部分(fen)的(de)第(di)一(yi)走線層(ceng)(ceng)。

36、此外，通過設置(zhi)第(di)(di)(di)二(er)(er)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)粘(zhan)接(jie)膠層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚度較(jiao)厚，從而利用(yong)較(jiao)厚的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)粘(zhan)接(jie)膠層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)來覆(fu)蓋厚度較(jiao)厚的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)部(bu)分(fen)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)走線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，以(yi)保證(zheng)第(di)(di)(di)二(er)(er)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可以(yi)較(jiao)好地(di)覆(fu)蓋電路板(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)部(bu)分(fen)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)走線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，也即第(di)(di)(di)二(er)(er)子(zi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)能(neng)夠(gou)很(hen)好地(di)填充在第(di)(di)(di)一(yi)部(bu)分(fen)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)走線(xian)(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中相鄰兩根走線(xian)(xian)的(de)(de)間隙中。

37、此(ci)外，通過(guo)設置第(di)(di)三(san)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的第(di)(di)三(san)粘接膠(jiao)層(ceng)(ceng)的厚(hou)度較(jiao)厚(hou)，從而(er)利用較(jiao)厚(hou)的第(di)(di)三(san)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的第(di)(di)三(san)粘接膠(jiao)層(ceng)(ceng)來覆蓋厚(hou)度較(jiao)厚(hou)的第(di)(di)三(san)部(bu)分的第(di)(di)一走線(xian)層(ceng)(ceng)，以保(bao)證第(di)(di)三(san)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)可以較(jiao)好地覆蓋電路(lu)板的第(di)(di)三(san)部(bu)分的第(di)(di)一走線(xian)層(ceng)(ceng)，也(ye)即第(di)(di)三(san)子(zi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)能夠(gou)很好地填(tian)充在第(di)(di)三(san)部(bu)分的第(di)(di)一走線(xian)層(ceng)(ceng)中相(xiang)鄰兩根走線(xian)的間(jian)隙中。

38、在一(yi)種可能(neng)實現的方式中(zhong)，所述(shu)(shu)第一(yi)子絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)的第一(yi)粘接(jie)膠層(ceng)(ceng)(ceng)的厚度小于(yu)25微米，所述(shu)(shu)第二子絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)的第二粘接(jie)膠層(ceng)(ceng)(ceng)、所述(shu)(shu)第三子絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)的第三粘接(jie)膠層(ceng)(ceng)(ceng)的厚度大(da)于(yu)25微米。

39、在一(yi)(yi)種可能實現的方式(shi)中(zhong)，所(suo)(suo)述充電(dian)(dian)線(xian)圈包括第一(yi)(yi)納(na)米晶(jing)層(ceng)以(yi)及第一(yi)(yi)石(shi)墨層(ceng)，所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)納(na)米晶(jing)層(ceng)與所(suo)(suo)述第一(yi)(yi)石(shi)墨層(ceng)依次(ci)堆疊于所(suo)(suo)述充電(dian)(dian)線(xian)圈的第一(yi)(yi)絕緣層(ceng)。

40、在(zai)一(yi)種可(ke)能(neng)實現(xian)的方式中，所述第一(yi)線圈的匝(za)數大于(yu)或者等于(yu)2，所述第一(yi)線圈中的相鄰兩匝(za)之(zhi)間的距離在(zai)40微米至100微米的范圍內。

41、可以(yi)理(li)解的(de)是，充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)中(zhong)的(de)第一線(xian)圈(quan)可以(yi)實(shi)(shi)現窄間距設置。在(zai)尺寸相同的(de)條件下，相較于沒有(you)實(shi)(shi)現窄間距設置的(de)充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)，本實(shi)(shi)施方式(shi)中(zhong)的(de)充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)單位(wei)面積內(nei)的(de)金屬(例如銅)含量更(geng)高(gao)，從而(er)有(you)效減(jian)小充(chong)電(dian)(dian)(dian)損耗，有(you)利(li)于延長(chang)充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)在(zai)充(chong)電(dian)(dian)(dian)過程中(zhong)維(wei)持50w峰值(zhi)的(de)時(shi)間，提高(gao)充(chong)電(dian)(dian)(dian)效率。

42、此外，在充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)(de)外徑相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)(de)條(tiao)件(jian)下(xia)，相(xiang)較于沒有(you)實(shi)(shi)現(xian)窄間距(ju)設(she)置的(de)(de)(de)(de)充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)模組，本實(shi)(shi)施(shi)方式中的(de)(de)(de)(de)充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)可(ke)以(yi)在不減小(xiao)第(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(quan)中的(de)(de)(de)(de)走線(xian)的(de)(de)(de)(de)體積的(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)，充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)中的(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(quan)可(ke)以(yi)實(shi)(shi)現(xian)窄間距(ju)設(she)置，從而減薄(bo)第(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)(du)，以(yi)減薄(bo)充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)(de)整體厚度(du)(du)。換(huan)言之(zhi)，本實(shi)(shi)施(shi)方式的(de)(de)(de)(de)充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)可(ke)以(yi)通過縮小(xiao)第(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(quan)中的(de)(de)(de)(de)相(xiang)鄰兩匝(za)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)距(ju)離，實(shi)(shi)現(xian)充(chong)(chong)(chong)電(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)(de)(de)小(xiao)型化設(she)置。

43、在一種可能實(shi)現的(de)方(fang)式中，所(suo)述(shu)(shu)第一線圈中的(de)每一匝包括第一導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(bu)以及第二導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(bu)，所(suo)述(shu)(shu)第一導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(bu)設置在所(suo)述(shu)(shu)充電(dian)線圈的(de)基(ji)板上，所(suo)述(shu)(shu)第二導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(bu)通過電(dian)鍍形成在所(suo)述(shu)(shu)第一導(dao)(dao)電(dian)部(bu)(bu)(bu)上。

44、在一種可能實(shi)現(xian)的(de)(de)方式中，所述第一線圈的(de)(de)線寬(kuan)大于或者等于50微(wei)米。示(shi)例性(xing)地，第一線圈的(de)(de)線寬(kuan)在50微(wei)米至100微(wei)米之間(jian)。這樣，有利于降低充電線圈的(de)(de)充電阻抗。

45、在一(yi)種(zhong)可能實現(xian)的方(fang)式中，所述第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)的厚度大于或者等于50微米。示例(li)性地(di)，第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)的厚度在50微米至100微米之間。這樣(yang)，有利于降低充電(dian)線(xian)(xian)圈(quan)的充電(dian)阻抗。

46、在(zai)一(yi)(yi)種可能(neng)實現的方式(shi)中，所述第一(yi)(yi)導電部還包(bao)括兩層(ceng)金(jin)屬(shu)，其中，第二層(ceng)金(jin)屬(shu)通(tong)過(guo)電鍍形成在(zai)第一(yi)(yi)層(ceng)金(jin)屬(shu)上(shang)，第一(yi)(yi)層(ceng)金(jin)屬(shu)設置在(zai)所述充電線圈的基板上(shang)。

47、第(di)二方面，提(ti)供(gong)了(le)一種(zhong)電(dian)(dian)(dian)子設(she)(she)備，電(dian)(dian)(dian)子設(she)(she)備包括電(dian)(dian)(dian)池以(yi)及如上(shang)所(suo)述(shu)的充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模(mo)(mo)組(zu)(zu)，所(suo)述(shu)充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模(mo)(mo)組(zu)(zu)用(yong)(yong)于對所(suo)述(shu)電(dian)(dian)(dian)池充(chong)電(dian)(dian)(dian)。通過(guo)將充(chong)電(dian)(dian)(dian)效率(lv)較高(gao)的充(chong)電(dian)(dian)(dian)線(xian)圈(quan)模(mo)(mo)組(zu)(zu)應用(yong)(yong)于電(dian)(dian)(dian)子設(she)(she)備，電(dian)(dian)(dian)子設(she)(she)備也可(ke)以(yi)實(shi)現較高(gao)的充(chong)電(dian)(dian)(dian)效率(lv)。

48、第(di)三方面，提供了一種充電(dian)(dian)器，充電(dian)(dian)器包(bao)括如上所述的(de)充電(dian)(dian)線圈(quan)模組(zu)。通過將充電(dian)(dian)效率(lv)較高的(de)充電(dian)(dian)線圈(quan)模組(zu)應用于充電(dian)(dian)器，充電(dian)(dian)器也可以實現較高的(de)充電(dian)(dian)效率(lv)。

49、第四方面，提供了一(yi)種(zhong)充電(dian)系(xi)統，充電(dian)系(xi)統包括電(dian)子設(she)備(bei)以及充電(dian)器，所(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)子設(she)備(bei)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)充電(dian)器中的至少一(yi)者包括如上(shang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)的充電(dian)線圈(quan)模組，所(suo)(suo)述(shu)(shu)充電(dian)器用于對所(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)子設(she)備(bei)充電(dian)。

50、第五方(fang)面，提供了(le)一種充電線圈模組的(de)制備方(fang)法，所述(shu)方(fang)法包括(kuo)：

51、制備雙面(mian)(mian)板(ban)，其中，所述雙面(mian)(mian)板(ban)包括基板(ban)、第一刻蝕(shi)層(ceng)(ceng)(ceng)以及第二刻蝕(shi)層(ceng)(ceng)(ceng)，所述雙面(mian)(mian)板(ban)的基板(ban)位于第一刻蝕(shi)層(ceng)(ceng)(ceng)以及第二刻蝕(shi)層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)；

52、加(jia)工雙(shuang)面(mian)板的第一刻蝕層，形成充電(dian)線(xian)(xian)圈的第一線(xian)(xian)圈和電(dian)路板的第一走線(xian)(xian)層；

53、加(jia)工雙面(mian)板(ban)的第(di)二刻蝕層，形(xing)成充電線圈(quan)的第(di)二線圈(quan)和電路(lu)板(ban)的第(di)二走線層。

54、可以理解的(de)是，所(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)路板的(de)基板與所(suo)(suo)述(shu)(shu)充電(dian)線(xian)(xian)圈的(de)基板采(cai)用同一(yi)(yi)道工(gong)序(xu)(xu)形成(cheng)(cheng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)走(zou)線(xian)(xian)層與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)線(xian)(xian)圈采(cai)用同一(yi)(yi)道工(gong)序(xu)(xu)形成(cheng)(cheng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二走(zou)線(xian)(xian)層與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二線(xian)(xian)圈采(cai)用同一(yi)(yi)道工(gong)序(xu)(xu)形成(cheng)(cheng)，從而使(shi)得充電(dian)線(xian)(xian)圈以及電(dian)路板形成(cheng)(cheng)一(yi)(yi)個整體性較強(qiang)的(de)結構。

55、可(ke)以理解的(de)(de)是，相較(jiao)于(yu)單獨制(zhi)備(bei)充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)和電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)，再(zai)將充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)通過btb連(lian)接器連(lian)接到電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)方(fang)案，本實施方(fang)式(shi)在制(zhi)備(bei)充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)的(de)(de)同時(shi)可(ke)以將電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)一(yi)(yi)同制(zhi)備(bei)，或(huo)者在制(zhi)備(bei)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)同時(shi)可(ke)以將充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)一(yi)(yi)同制(zhi)備(bei)，這樣一(yi)(yi)方(fang)面可(ke)以省去(qu)制(zhi)備(bei)充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)或(huo)者電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)一(yi)(yi)道工(gong)序，從(cong)而減少充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)模組的(de)(de)成本投入；另一(yi)(yi)方(fang)面，充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)和電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)設置成一(yi)(yi)個整體(ti)的(de)(de)結構，可(ke)以省去(qu)充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)模組的(de)(de)裝配步驟(zou)，降低充電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)線圈(quan)模組的(de)(de)制(zhi)備(bei)難度(du)。

56、另外，相較于第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈與第(di)(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈通(tong)過btb連接器電連接至電路板(ban)(ban)，本實施方式(shi)的(de)第(di)(di)一線(xian)(xian)(xian)圈與第(di)(di)二(er)(er)線(xian)(xian)(xian)圈可以直接電連接至電路板(ban)(ban)上走線(xian)(xian)(xian)(例(li)如電路板(ban)(ban)的(de)第(di)(di)一走線(xian)(xian)(xian)層(ceng)的(de)走線(xian)(xian)(xian)或者第(di)(di)二(er)(er)走線(xian)(xian)(xian)層(ceng)的(de)走線(xian)(xian)(xian))，從而可以節省(sheng)btb連接器，簡(jian)化充電線(xian)(xian)(xian)圈模組的(de)結(jie)構，減少充電線(xian)(xian)(xian)圈模組的(de)成本投入。

57、在(zai)一(yi)種可能實現的方式(shi)中(zhong)，所述(shu)第一(yi)走線(xian)(xian)層包括第一(yi)走線(xian)(xian)，所述(shu)第一(yi)走線(xian)(xian)與所述(shu)第一(yi)線(xian)(xian)圈(quan)為一(yi)體成型結構；

58、和/或，所(suo)述(shu)第(di)(di)二走(zou)線層(ceng)包括第(di)(di)二走(zou)線，所(suo)述(shu)第(di)(di)二走(zou)線與所(suo)述(shu)第(di)(di)二線圈為一體成型結構。

59、可以(yi)理解的(de)是，第一(yi)線圈(quan)可以(yi)直接(jie)電(dian)連(lian)接(jie)至電(dian)路板的(de)第一(yi)走線和(he)/或，第二線圈(quan)可以(yi)直接(jie)電(dian)連(lian)接(jie)至電(dian)路板的(de)第二走線，從而較大程度(du)地縮短充電(dian)線圈(quan)與負載之間的(de)充電(dian)路徑，進而減(jian)少鏈路損耗(hao)。

60、在(zai)一種可能實現(xian)的方(fang)(fang)式中，在(zai)制(zhi)備雙面(mian)板(ban)的步驟(zou)中，所述方(fang)(fang)法包括：

61、將第一(yi)柔性覆(fu)銅板(ban)的(de)(de)第一(yi)基底和第二(er)柔性覆(fu)銅板(ban)的(de)(de)第二(er)基底粘(zhan)接(jie)在粘(zhan)接(jie)片的(de)(de)兩(liang)個表面；

62、壓合第一柔性(xing)覆(fu)銅板、粘接片以(yi)及第二(er)柔性(xing)覆(fu)銅板；

63、在第(di)(di)一(yi)柔性覆(fu)銅(tong)板的第(di)(di)一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)上電鍍形成第(di)(di)三金(jin)屬(shu)層(ceng)，所述第(di)(di)一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)與所述第(di)(di)三金(jin)屬(shu)層(ceng)構成第(di)(di)一(yi)刻蝕層(ceng)；

64、在第(di)(di)二(er)(er)(er)柔性覆銅(tong)板(ban)的(de)第(di)(di)二(er)(er)(er)金屬層(ceng)(ceng)上電鍍形成(cheng)第(di)(di)四金屬層(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)金屬層(ceng)(ceng)與所(suo)述(shu)第(di)(di)四金屬層(ceng)(ceng)構成(cheng)第(di)(di)二(er)(er)(er)刻蝕層(ceng)(ceng)。

65、在(zai)一種可能(neng)實現(xian)的方(fang)式中，所述方(fang)法(fa)還包括：

66、在(zai)充(chong)電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)線(xian)圈(quan)(quan)和(he)電(dian)(dian)路(lu)板(ban)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)走線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)上形(xing)成第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)覆(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)，以(yi)及在(zai)充(chong)電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)線(xian)圈(quan)(quan)和(he)電(dian)(dian)路(lu)板(ban)的第(di)(di)(di)(di)二(er)走線(xian)層(ceng)(ceng)(ceng)上形(xing)成第(di)(di)(di)(di)二(er)覆(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)，其中，所述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)覆(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)包括充(chong)電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)所述(shu)電(dian)(dian)路(lu)板(ban)的第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)，所述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)覆(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)包括充(chong)電(dian)(dian)線(xian)圈(quan)(quan)的第(di)(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)所述(shu)電(dian)(dian)路(lu)板(ban)的第(di)(di)(di)(di)二(er)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)。

67、可(ke)(ke)以理解的(de)(de)(de)是，充電線圈的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)與電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)采(cai)用(yong)同(tong)(tong)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)道(dao)工序形(xing)成(cheng)，也即在制(zhi)備充電線圈的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)同(tong)(tong)時可(ke)(ke)以將(jiang)電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)同(tong)(tong)制(zhi)備，或(huo)者(zhe)在制(zhi)備電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)同(tong)(tong)時可(ke)(ke)以將(jiang)充電線圈的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)同(tong)(tong)制(zhi)備，這樣一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)面可(ke)(ke)以省去制(zhi)備充電線圈的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)或(huo)者(zhe)電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)道(dao)工序，從而(er)減少充電線圈模組的(de)(de)(de)成(cheng)本投入。

68、可(ke)以(yi)(yi)理解的(de)(de)是，充電線(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)和所述電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)采用同(tong)一(yi)(yi)道(dao)工(gong)序(xu)形成，也即在制(zhi)(zhi)備充電線(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)同(tong)時(shi)可(ke)以(yi)(yi)將(jiang)電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)同(tong)制(zhi)(zhi)備，或(huo)者在制(zhi)(zhi)備電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)同(tong)時(shi)可(ke)以(yi)(yi)將(jiang)充電線(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)一(yi)(yi)同(tong)制(zhi)(zhi)備，這樣(yang)一(yi)(yi)方面可(ke)以(yi)(yi)省去制(zhi)(zhi)備充電線(xian)圈的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)或(huo)者電路(lu)板(ban)(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)的(de)(de)一(yi)(yi)道(dao)工(gong)序(xu)，從而減少充電線(xian)圈模組(zu)的(de)(de)成本投(tou)入。

69、在一(yi)種可能實現的(de)(de)方(fang)式中(zhong)，在所述電路(lu)板的(de)(de)長度方(fang)向(xiang)上，所述電路(lu)板包括(kuo)依次連接的(de)(de)第(di)一(yi)部(bu)分、第(di)二部(bu)分以及第(di)三(san)部(bu)分；所述第(di)一(yi)部(bu)分與所述第(di)三(san)部(bu)分相對折(zhe)疊或者展(zhan)開時(shi)，所述第(di)二部(bu)分發生彎折(zhe)。

70、所述方法還(huan)包括：

71、在電(dian)路板的(de)第(di)二部(bu)分的(de)第(di)一(yi)走線(xian)層(ceng)上形(xing)成第(di)一(yi)子絕緣層(ceng)；

72、在電路(lu)板的第(di)(di)一(yi)(yi)部分的第(di)(di)一(yi)(yi)走線層(ceng)上形(xing)成第(di)(di)二(er)子(zi)(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣層(ceng)，且第(di)(di)二(er)子(zi)(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣層(ceng)的一(yi)(yi)部分搭接在第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣層(ceng)上，其中，所述第(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣層(ceng)的玻璃化轉變溫度大于所述第(di)(di)二(er)子(zi)(zi)(zi)(zi)絕(jue)緣層(ceng)的玻璃化轉化溫度。

73、在電路板(ban)的(de)第(di)三(san)部分(fen)的(de)第(di)一走(zou)線層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)形成第(di)三(san)子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)，且第(di)三(san)子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)一部分(fen)搭接在第(di)一子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)上(shang)，其中，所(suo)述第(di)一子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)玻(bo)璃化轉(zhuan)(zhuan)變(bian)溫(wen)度大于所(suo)述第(di)三(san)子絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)玻(bo)璃化轉(zhuan)(zhuan)化溫(wen)度。

74、壓合所述(shu)第一子絕(jue)緣層、所述(shu)第二(er)子絕(jue)緣層和所述(shu)第三子絕(jue)緣層。

75、可以理解(jie)的(de)(de)是(shi)，通過(guo)設置所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)玻璃(li)(li)(li)化(hua)(hua)轉(zhuan)變溫(wen)度(du)大于所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)玻璃(li)(li)(li)化(hua)(hua)轉(zhuan)化(hua)(hua)溫(wen)度(du)、所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)(di)三(san)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)玻璃(li)(li)(li)化(hua)(hua)轉(zhuan)化(hua)(hua)溫(wen)度(du)，從而(er)(er)一(yi)(yi)方面(mian)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)不容易在電(dian)路板(ban)的(de)(de)后續工序中(zhong)因為高溫(wen)加工而(er)(er)發生玻璃(li)(li)(li)化(hua)(hua)轉(zhuan)變，進而(er)(er)避免導(dao)致(zhi)(zhi)電(dian)路板(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)分(fen)的(de)(de)彎折應(ying)力(li)中(zhong)性線偏移(yi)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)失去對第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)分(fen)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)走線層(ceng)的(de)(de)保護；另一(yi)(yi)方面(mian)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)不容易在電(dian)路板(ban)的(de)(de)折疊或者展平(ping)的(de)(de)過(guo)程中(zhong)發生玻璃(li)(li)(li)化(hua)(hua)轉(zhuan)變，進而(er)(er)避免導(dao)致(zhi)(zhi)電(dian)路板(ban)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)分(fen)的(de)(de)彎折應(ying)力(li)中(zhong)性線偏移(yi)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)子(zi)(zi)絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)失去對第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)分(fen)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)走線層(ceng)的(de)(de)保護。

76、在(zai)(zai)一種可能實現的(de)方式(shi)中，所(suo)述(shu)壓合為熱(re)(re)(re)壓工(gong)藝，所(suo)述(shu)熱(re)(re)(re)壓工(gong)藝的(de)熱(re)(re)(re)壓溫度在(zai)(zai)150℃至200℃的(de)范圍(wei)內，所(suo)述(shu)熱(re)(re)(re)壓工(gong)藝的(de)熱(re)(re)(re)壓時(shi)(shi)間在(zai)(zai)0.5小(xiao)時(shi)(shi)至3小(xiao)時(shi)(shi)的(de)范圍(wei)內；

77、或(huo)者，所述(shu)壓(ya)(ya)合(he)為傳壓(ya)(ya)工(gong)藝(yi)，所述(shu)傳壓(ya)(ya)工(gong)藝(yi)的(de)傳壓(ya)(ya)溫度在(zai)170℃至190℃的(de)范(fan)圍內，所述(shu)傳壓(ya)(ya)工(gong)藝(yi)的(de)熱(re)壓(ya)(ya)時間在(zai)0.5小時至3小時的(de)范(fan)圍內；

78、或者，所(suo)述(shu)(shu)壓(ya)(ya)合為快(kuai)壓(ya)(ya)工藝，所(suo)述(shu)(shu)快(kuai)壓(ya)(ya)工藝的快(kuai)壓(ya)(ya)溫度在170℃至190℃的范(fan)圍內(nei)，所(suo)述(shu)(shu)快(kuai)壓(ya)(ya)工藝的快(kuai)壓(ya)(ya)時間(jian)在1分鐘(zhong)(zhong)至8分鐘(zhong)(zhong)的范(fan)圍內(nei)。

79、可以(yi)理解的(de)(de)(de)是，本實施(shi)方式采用一次壓(ya)合工藝，可以(yi)避(bi)(bi)免(mian)第一子(zi)絕緣層在多次高溫下發生玻璃化轉變，從而避(bi)(bi)免(mian)電路板的(de)(de)(de)第二部分(fen)的(de)(de)(de)應力中性線因偏移(yi)而失去對第二部分(fen)的(de)(de)(de)第一走線層在運動折疊下的(de)(de)(de)保護。