實施(shi)方(fang)式的一個(ge)公開方(fang)面涉及光電轉換(huan)設備、光電轉換(huan)系(xi)統和移動體(ti)。

背景技術：

1、通(tong)過分別形成(cheng)其上形成(cheng)有受(shou)光(guang)(guang)(guang)元件的(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極管基(ji)板(ban)和其上形成(cheng)有信號(hao)處理回(hui)路的(de)回(hui)路基(ji)板(ban)，并將光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)二極管基(ji)板(ban)與回(hui)路基(ji)板(ban)接(jie)(jie)合來(lai)制(zhi)造(zao)一種(zhong)堆(dui)(dui)疊(die)(die)型光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)轉(zhuan)換設備(bei)。如(ru)日本特開2013-33786號(hao)公報中所(suo)論述的(de)，已知(zhi)采用了cu-cu連接(jie)(jie)的(de)堆(dui)(dui)疊(die)(die)型光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)轉(zhuan)換設備(bei)。在cu-cu連接(jie)(jie)型光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)轉(zhuan)換設備(bei)中，cu連接(jie)(jie)端子形成(cheng)在基(ji)板(ban)的(de)接(jie)(jie)合界面處，并且以使(shi)得cu連接(jie)(jie)端子彼(bi)此重疊(die)(die)的(de)方式通(tong)過接(jie)(jie)合基(ji)板(ban)來(lai)電(dian)(dian)連接(jie)(jie)基(ji)板(ban)。

2、隨(sui)著(zhu)光電(dian)轉(zhuan)換設備復雜(za)化，形成在(zai)基(ji)板上的(de)配線(xian)層的(de)數量趨于增(zeng)加。這種影(ying)響使得基(ji)板的(de)翹曲增(zeng)大。在(zai)基(ji)板有大翹曲的(de)情況下，當基(ji)板接合時可能發(fa)生(sheng)缺陷，諸如(ru)產生(sheng)空洞(dong)或錯位(wei)。

3、為了防(fang)止當堆疊(die)型光電轉換設備的基(ji)板接(jie)合(he)(he)時發生缺陷，期(qi)望(wang)的是通(tong)過cu-cu連接(jie)來接(jie)合(he)(he)的多個基(ji)板中的至少一個基(ji)板的翹(qiao)曲小(xiao)。然而，日本特(te)開2013-33786號(hao)公(gong)報中未考慮減小(xiao)翹(qiao)曲的構造。

技術實現思路

1、本公開提(ti)供(gong)了(le)一(yi)(yi)種可以減小cu-cu連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)型光(guang)電(dian)(dian)轉換設備中的(de)(de)(de)至少一(yi)(yi)個(ge)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)(de)(de)翹曲的(de)(de)(de)技術。根據實施(shi)方式的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)方面(mian)，光(guang)電(dian)(dian)轉換設備包(bao)括第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)。在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)和(he)(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)之(zhi)(zhi)間布置(zhi)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)、第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)、第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)層(ceng)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)底部(bu)和(he)(he)(he)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)包(bao)括的(de)(de)(de)配(pei)線層(ceng)中最接(jie)(jie)近(jin)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)底部(bu)的(de)(de)(de)配(pei)線層(ceng)利(li)用(yong)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)通(tong)路電(dian)(dian)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)。在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)和(he)(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)之(zhi)(zhi)間布置(zhi)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)、第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)、第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)絕緣(yuan)層(ceng)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)底部(bu)和(he)(he)(he)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)包(bao)括的(de)(de)(de)配(pei)線層(ceng)中最接(jie)(jie)近(jin)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)(de)底部(bu)的(de)(de)(de)配(pei)線層(ceng)利(li)用(yong)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)通(tong)路電(dian)(dian)連(lian)(lian)(lian)接(jie)(jie)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合(he)(he)電(dian)(dian)極(ji)接(jie)(jie)合(he)(he)，并且所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)層(ceng)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)絕緣(yuan)層(ceng)在(zai)(zai)(zai)接(jie)(jie)合(he)(he)面(mian)上接(jie)(jie)合(he)(he)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)布置(zhi)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)合(he)(he)面(mian)之(zhi)(zhi)間，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)布置(zhi)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)配(pei)線結(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)構(gou)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)合(he)(he)面(mian)之(zhi)(zhi)間，并且所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)膜(mo)的(de)(de)(de)壓縮應力不同。

2、從以(yi)下參照附圖對(dui)示例性實施(shi)方式的(de)說明，實施(shi)方式的(de)其它特征將變得(de)明顯。

1.一種光電轉(zhuan)換設(she)備(bei)，包括：

2.根據權利要求1所述的光電(dian)轉換設(she)備，

3.根據權(quan)利要求2所(suo)述(shu)的光電轉換設(she)備(bei)，其中，至少(shao)部分所(suo)述(shu)第二結合電極布置(zhi)在所(suo)述(shu)第三氧化硅膜內部。

4.根據權利要求1所述(shu)的光電轉換設備，其中，至少部分所述(shu)第(di)二(er)結合(he)電極(ji)布置在所述(shu)第(di)二(er)氮化(hua)硅膜內(nei)部。

5.根據權利要求4所(suo)(suo)述(shu)(shu)的光電(dian)轉(zhuan)換設備，其中，從所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)基(ji)板的接(jie)近所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)基(ji)板的表面(mian)到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)結合電(dian)極的底(di)部的距離長于(yu)從所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)基(ji)板的接(jie)近所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)基(ji)板的表面(mian)到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)氮化硅膜的接(jie)近所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)基(ji)板的表面(mian)的距離。

6.根據(ju)權利(li)要求5所述(shu)的(de)光電(dian)轉換設(she)備，其(qi)中，從所述(shu)第二結(jie)合電(dian)極的(de)底面到所述(shu)第二氮化硅(gui)膜的(de)接(jie)近所述(shu)第二基(ji)板(ban)的(de)表面的(de)距離的(de)范圍為(wei)50nm至600nm、包括(kuo)50nm和600nm。

7.根據(ju)權(quan)利(li)要求6所述(shu)的(de)光(guang)電(dian)轉換設備，其中，從所述(shu)第(di)(di)二結合(he)電(dian)極的(de)底面到所述(shu)第(di)(di)二氮化硅膜的(de)接近所述(shu)第(di)(di)二基板的(de)表面的(de)距離的(de)范圍為(wei)90nm至600nm、包括90nm和600nm。

8.根(gen)據權利要求4所述的光電轉換設備，其中，所述第二氮化硅膜布置在所述第二結合(he)電極的底部和所述接(jie)合(he)面之間。

9.根據權利要求1所述的光電(dian)轉換設備，其中(zhong)，所述第(di)二氮化硅膜具有比所述第(di)一氮化硅膜的膜厚(hou)厚(hou)的膜厚(hou)。

10.根(gen)據權利要求1所述(shu)的(de)光電轉換設(she)備，其中，所述(shu)第二氮(dan)化硅膜具(ju)有比所述(shu)第一氮(dan)化硅膜的(de)壓縮應(ying)力高的(de)壓縮應(ying)力。

11.根據權利(li)要求1所述(shu)的(de)光電(dian)轉換設備，其中，所述(shu)第(di)二(er)氮(dan)化硅(gui)膜(mo)具有比所述(shu)第(di)一氮(dan)化硅(gui)膜(mo)的(de)si-n鍵(jian)含(han)量(liang)密(mi)度高的(de)si-n鍵(jian)含(han)量(liang)密(mi)度。

12.根據(ju)權利(li)要求1所(suo)述的(de)光電轉換設備，其中，所(suo)述第(di)(di)二氮(dan)化硅(gui)膜具(ju)有比所(suo)述第(di)(di)一氮(dan)化硅(gui)膜的(de)膜密度高的(de)膜密度。

13.根據權利要求1所述(shu)的光電轉換設備，其中(zhong)，所述(shu)第一氮化硅膜具有比所述(shu)第二氮化硅膜的氫(qing)鍵含量密度(du)高(gao)的氫(qing)鍵含量密度(du)。

14.根(gen)據(ju)權利要(yao)求1所述(shu)的光電(dian)轉換設備(bei)，

15.根(gen)據權利要求(qiu)1所述的光電轉換設備，

16.根據權利要(yao)求1所述的光(guang)電轉換設(she)備(bei)，

17.根據權利要求1所述的(de)光(guang)電(dian)轉換(huan)設備，

18.一種(zhong)光電轉換設備，包括：

19.根據權利要求18所(suo)述的光(guang)電轉換設(she)備，其中，所(suo)述第二氮(dan)化硅膜具(ju)有比所(suo)述第一(yi)氮(dan)化硅膜厚150nm或更多的膜厚。

20.根據(ju)權利要求1所述(shu)的(de)光電轉換設(she)備，

21.一種裝置，包括：