本實用(yong)新(xin)型(xing)涉及一種新(xin)型(xing)C-Mount單發射腔半導體激(ji)光(guang)器(qi)(qi)，主要應用(yong)于半導體激(ji)光(guang)器(qi)(qi)泵浦，夜視(shi)照明(ming)，激(ji)光(guang)測距等領域。

背景技術：

C-Mount半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)是工業標準的(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)封(feng)裝結(jie)構，其特(te)點是在熱沉(chen)上(shang)鍍(du)上(shang)薄膜金屬焊料，直接焊接半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)芯片(pian)，然后金絲鍵(jian)合到負極(ji)引線(xian)。現有的(de)C-Mount半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)多為(wei)單引線(xian)結(jie)構的(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)，熱沉(chen)為(wei)正極(ji)，飄帶(dai)為(wei)負極(ji)，這樣產生的(de)問題就是半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)只能實現特(te)定的(de)功用(yong)，每當(dang)對半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)提(ti)出(chu)新的(de)使用(yong)要求(qiu)后都(dou)得進行重(zhong)新設計和改(gai)變，所以亟待發明一種(zhong)新的(de)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)結(jie)構來解決上(shang)述產生的(de)問題。

技術實現要素：

本實用新型的(de)(de)目的(de)(de)是提供一種新型C-Mount單發(fa)射腔半(ban)(ban)導體(ti)激光器(qi)，其結構簡(jian)單，易于(yu)制造(zao)，性能穩定可靠，能滿足對C-Mount封裝半(ban)(ban)導體(ti)激光器(qi)的(de)(de)不同(tong)功用的(de)(de)需求。

本實(shi)用新型(xing)的(de)(de)技術(shu)方案是這樣實(shi)現的(de)(de)：一種新型(xing)C-Mount單發射腔(qiang)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)(ti)激光(guang)器，其特征在于(yu)：主(zhu)體(ti)(ti)(ti)(ti)頂面(mian)兩側(ce)為(wei)凸(tu)(tu)起的(de)(de)左側(ce)凸(tu)(tu)臺(tai)和(he)右(you)側(ce)凸(tu)(tu)臺(tai)，左側(ce)凸(tu)(tu)臺(tai)與(yu)(yu)左側(ce)電極(ji)之間(jian)以及右(you)側(ce)凸(tu)(tu)臺(tai)與(yu)(yu)右(you)側(ce)電極(ji)之間(jian)均留有(you)實(shi)現絕緣(yuan)的(de)(de)縫隙，主(zhu)體(ti)(ti)(ti)(ti)中間(jian)平面(mian)上焊(han)接有(you)陶瓷襯底，陶瓷襯底表面(mian)覆(fu)蓋(gai)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層，金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層分為(wei)左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層、中心(xin)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層和(he)右(you)側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層三部分，每部分的(de)(de)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層之間(jian)相互絕緣(yuan)，中心(xin)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層的(de)(de)方框區域覆(fu)有(you)一層金(jin)(jin)錫焊(han)料，焊(han)料區中心(xin)位置(zhi)焊(han)接有(you)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)(ti)芯片，左側(ce)電極(ji)與(yu)(yu)左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵(jian)(jian)合(he)，左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層與(yu)(yu)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵(jian)(jian)合(he)，本體(ti)(ti)(ti)(ti)中心(xin)位置(zhi)的(de)(de)半(ban)導體(ti)(ti)(ti)(ti)芯片上表面(mian)與(yu)(yu)右(you)側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵(jian)(jian)合(he)，右(you)側(ce)電極(ji)與(yu)(yu)右(you)側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)層金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵(jian)(jian)合(he)。

所述的左(zuo)側(ce)電(dian)極(ji)在與(yu)左(zuo)側(ce)金屬層(ceng)金絲鍵合的基礎上與(yu)左(zuo)側(ce)凸臺金絲鍵合。

所述(shu)的右(you)側(ce)電極(ji)在右(you)側(ce)金屬層金絲(si)鍵合(he)的基礎上(shang)與右(you)側(ce)凸(tu)臺(tai)金絲(si)鍵合(he)。

所述的主體中心位置的半導(dao)體芯片上表面可由與右側金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵合，替換(huan)為與左(zuo)側金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵合，左(zuo)側金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)與襯(chen)底金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵合替換(huan)為右側金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)與襯(chen)底金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)絲(si)(si)鍵合。

本實用(yong)新(xin)型的(de)積極效果(guo)是其(qi)結構(gou)簡單，易于制造，性能穩(wen)定可靠，能滿(man)足對C-Mount封(feng)裝半(ban)導體激光器(qi)的(de)不同功用(yong)的(de)需求(qiu)。

附圖說明

圖1為本(ben)實用新型的結構圖。

圖2為本實用(yong)新型的第二種結構圖。

圖(tu)3為本實用(yong)新型的第三種(zhong)結構圖(tu)。

圖4為本實(shi)用新(xin)型的第四(si)種結(jie)構圖。

具體實施方式

下面結合(he)附(fu)圖(tu)對本實用(yong)新型做進一步說明：如圖(tu)1-4所示，一種新型C-Mount單發(fa)射腔半導(dao)體(ti)激光器，其特征在于(yu)：主體(ti)頂面兩側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)為(wei)凸起的(de)(de)左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)凸臺(tai)2和右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)凸臺(tai)6，左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)凸臺(tai)2與左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)電極(ji)1之間以及(ji)右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)凸臺(tai)6與右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)電極(ji)7之間均(jun)留有實現絕緣的(de)(de)縫隙(xi)，主體(ti)中間平面上焊(han)(han)接有陶瓷襯底(di)，陶瓷襯底(di)表面覆(fu)蓋金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)，金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)分為(wei)左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)3、中心金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)4和右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)5三部分，每(mei)部分的(de)(de)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)之間相互絕緣，中心金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)4的(de)(de)方(fang)框區域覆(fu)有一層(ceng)(ceng)金(jin)錫(xi)焊(han)(han)料(liao)，焊(han)(han)料(liao)區中心位置(zhi)焊(han)(han)接有半導(dao)體(ti)芯片(pian)，左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)電極(ji)1與左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)3金(jin)絲鍵(jian)合(he)，左(zuo)(zuo)側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)3與金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)4金(jin)絲鍵(jian)合(he)，本體(ti)中心位置(zhi)的(de)(de)半導(dao)體(ti)芯片(pian)上表面與右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)5金(jin)絲鍵(jian)合(he)，右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)電極(ji)7與右側(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)金(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)5金(jin)絲鍵(jian)合(he)。

所述(shu)的左側電極(ji)1在與(yu)左側金(jin)屬層(ceng)3金(jin)絲(si)鍵合(he)的基礎上與(yu)左側凸臺2金(jin)絲(si)鍵合(he)。

所述的右側(ce)電極7在右側(ce)金屬層5金絲鍵合(he)的基礎上(shang)與右側(ce)凸臺6金絲鍵合(he)。

所述的主體(ti)中心位置的半(ban)導(dao)體(ti)芯片上表(biao)面可由與(yu)右側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)5金(jin)(jin)絲(si)鍵合，替換為(wei)與(yu)左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)3金(jin)(jin)絲(si)鍵合，左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)3與(yu)襯底金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)4金(jin)(jin)絲(si)鍵合替換為(wei)右側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)5與(yu)襯底金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)(ceng)4金(jin)(jin)絲(si)鍵合。

可改(gai)變(bian)電(dian)極正負位置的(de)C-Mount封裝(zhuang)半導體激(ji)(ji)光器包括熱沉、襯(chen)底和半導體芯片(pian)三部分(fen)，先在(zai)貼(tie)片(pian)機(ji)上(shang)把(ba)半導體芯片(pian)貼(tie)在(zai)襯(chen)底的(de)覆焊料區域的(de)中(zhong)心(xin)，然后再用回(hui)流(liu)爐把(ba)貼(tie)好芯片(pian)的(de)襯(chen)底焊在(zai)熱沉上(shang)，最后根據不(bu)同的(de)需(xu)求(qiu)將(jiang)上(shang)述三部分(fen)進行(xing)金絲鍵合，鍵合不(bu)同的(de)位置就生產(chan)出不(bu)同的(de)半導體激(ji)(ji)光器。

如圖(tu)(tu)(tu)1所(suo)示，若將主體(ti)表面(mian)的(de)(de)中心金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)4與左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)3，半(ban)導體(ti)芯片上(shang)表面(mian)與右(you)側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)5進行金(jin)(jin)絲(si)鍵合，然(ran)后再將左側(ce)電(dian)極(ji)1和左側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)3，右(you)側(ce)電(dian)極(ji)7和右(you)側(ce)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)5分別進行金(jin)(jin)絲(si)鍵合，就可得到熱(re)沉不帶電(dian)的(de)(de)左側(ce)正極(ji)右(you)側(ce)負極(ji)的(de)(de)C-Mount封裝半(ban)導體(ti)激光器，如果需要熱(re)沉帶正電(dian)則需要在圖(tu)(tu)(tu)1所(suo)示的(de)(de)半(ban)導體(ti)激光器的(de)(de)基礎(chu)上(shang)再把左側(ce)電(dian)極(ji)1與左側(ce)凸臺2進行金(jin)(jin)絲(si)鍵合即可，結構(gou)示意圖(tu)(tu)(tu)如圖(tu)(tu)(tu)2所(suo)示。

若(ruo)將主體(ti)表面的(de)中心金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)4與(yu)(yu)右(you)(you)側(ce)(ce)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)5，半(ban)導體(ti)芯片(pian)上表面與(yu)(yu)右(you)(you)側(ce)(ce)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)3進(jin)行金(jin)(jin)(jin)絲鍵合，然后再將左(zuo)側(ce)(ce)電(dian)極1和(he)左(zuo)側(ce)(ce)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)3，右(you)(you)側(ce)(ce)電(dian)極7和(he)右(you)(you)側(ce)(ce)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層(ceng)5分別(bie)進(jin)行金(jin)(jin)(jin)絲鍵合，就可得(de)到熱沉不帶(dai)電(dian)的(de)右(you)(you)側(ce)(ce)正極左(zuo)側(ce)(ce)負極的(de)C-Mount封裝半(ban)導體(ti)激光器，該方(fang)案的(de)結(jie)構示(shi)意圖(tu)(tu)(tu)如圖(tu)(tu)(tu)3所示(shi)，如果(guo)需要(yao)熱沉帶(dai)正電(dian)則需要(yao)在圖(tu)(tu)(tu)3所示(shi)的(de)半(ban)導體(ti)激光器的(de)基礎上再把右(you)(you)側(ce)(ce)電(dian)極7與(yu)(yu)右(you)(you)側(ce)(ce)凸臺6進(jin)行金(jin)(jin)(jin)絲鍵合即可，結(jie)構示(shi)意圖(tu)(tu)(tu)如圖(tu)(tu)(tu)4所示(shi)。