專利名稱：半導體封裝件及其制造方法
技術領域：
本發明屬于半導體封裝領域，具體地講，涉及一種具有低線弧高度的半導體封裝件及其制造方法。
背景技術：
在半導體封裝過程中，為了將芯片上的焊盤與基板(或引線框架)電連接，通常采用引線鍵合工藝來實現二者的互連。隨著半導體封裝件的高密度、小型化且輕薄化的趨勢，要求弓I線鍵合的線弧高度越來越低。引線鍵合方法包括楔形焊接和球形焊接兩種技術。由于與楔形焊接技術相比，球形焊接技術操作更為靈活且能夠實現更好的精度控制，所以目前廣泛使用的是球形焊接技術。在球形焊接工藝中，劈刀(通常為毛細管劈刀(capillary))移動到芯片焊盤，即，第一 二點焊接包括針腳式鍵合和拉尾線。第二點焊接之后進行拉尾線以為下一個鍵合金屬球的形成做準備。然后，將劈刀升高到合適的高度以控制尾線長度，這時尾端斷裂，然后劈刀上升到形成球的高度。通過上述操作，在芯片上焊料凸起的頸部處形成線弧。圖I示出了根據現有技術的采用引線鍵合形成的線弧的示意圖。根據如上所述的方法，通過在芯片10'上的焊盤11'處采用劈刀對引線鍵合的第一點做一次按壓，使得鍵合引線13'在焊盤11'上形成焊料凸起12'，如圖I所示，因此，芯片10'利用焊盤11'通過鍵合引線13'與基板或引線框架(未示出)電連接。在現有技術中，執行引線鍵合后，鍵合引線13'通常不與保護芯片10'的保護層16'接觸而是分開一定的距離。采用現有技術的引線鍵合法得到的線弧的高度H為從焊盤11'的上表面至鍵合引線13'的遠離芯片的上表面的距離，其至少為保護層16'的高度h與鍵合引線13'的直徑d之和，SP，H ^ h+do圖2示出了根據現有技術的采用引線鍵合形成的線弧的另一示例的示意圖。在圖2中，焊接工具(劈刀)對引線鍵合的第一點進行兩次按壓，從而使芯片10"通過焊盤11"經由兩次按壓的鍵合引線13"與引線框架14"電連接，因此，鍵合引線13"在引線框架14"與鍵合引線相接觸的位置15"將芯片10"與引線框架14"電連接。具體地講，在現有技術的該示例中，在對鍵合引線13"進行兩次按壓后，鍵合引線13"與保護層16"分開一定的距離，其中，在對鍵合引線進行第一次按壓時，鍵合引線13"在焊盤11"上形成焊料凸起12"。因此，采用現有技術的引線鍵合法得到的線弧的高度H至少為保護層16"的高度h與鍵合引線13'的直徑d之和，S卩，H彡h+d。由圖I和圖2可以看出，通過現有技術進行引線鍵合，得到的線弧的高度H至少為鍵合引線的直徑d與保護層的高度之和。因此，在現有技術中，無論采用一次按壓(圖I)還是兩次按壓(圖2)進行引線鍵合，所能實現的最低的線弧高度均受到限制，從而影響到半導體封裝件的小型化。

發明內容
為了解決在現有技術的引線鍵合方法中實現較低的線弧高度受到限制的問題，本發明提供了一種能夠實現低引弧高度的半導體封裝件及其制造方法。本發明的一方面提供了一種具有低線弧高度的半導體封裝件，所述半導體封裝件包括基板；芯片，設置在基板上，芯片包括焊盤，焊盤位于芯片的上表面中；鍵合引線，結合在芯片的焊盤和基板之間，以將芯片電連接到基板，其中，鍵合引線的線弧高度H滿足式子d' +h = H< d+h，其中，d'表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤的表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。根據本發明的一方面，可以通過多次按壓鍵合引線來使鍵合弓I線的線弧高度滿足所述式子。 根據本發明的一方面，鍵合引線的按壓次數可以為3 1000次。根據本發明的一方面，鍵合引線可以包括與芯片上的焊盤接觸的第一鍵合端和從第一鍵合端延伸并位于芯片上的第一部分。根據本發明的一方面，鍵合引線的第一部分可以不與芯片接觸。根據本發明的一方面，鍵合引線的第一部分可以與芯片接觸。根據本發明的一方面，所述半導體封裝件還可以包括保護層，以保護芯片免受外部濕氣或空氣的影響，其中，所述保護層圍繞著焊盤設置在芯片的上表面上且設置在鍵合引線的第一部分下方。根據本發明的一方面，鍵合引線的第一部分可以不與保護層接觸。根據本發明的一方面，鍵合引線的第一部分可以與保護層接觸。本發明的另一方面提供了一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括下述步驟:A、準備安裝有芯片的基板，其中，在芯片的上表面中設置有焊盤；B、通過引線鍵合方法將鍵合引線從焊盤結合到基板，以將芯片電連接到基板，其中，向下按壓鍵合引線，使得鍵合引線的線弧高度H滿足式子d' +!![!!〈(!+!!，其中，^表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤的表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。根據本發明的另一方面，在步驟B中，在通過引線鍵合方法將鍵合引線從焊盤結合到基板之后，可以在鍵合引線的上方通過平板對鍵合引線施加向下的壓力來按壓鍵合引線。根據本發明的另一方面，可以通過管芯連接設備或材料測試系統設備來操作平板，以使平板對鍵合引線施加向下的壓力。根據本發明的另一方面，在步驟B中，可以在將鍵合引線結合到焊盤之后，使劈刀先后沿水平方向和豎直方向移動多次來按壓鍵合引線，其中，在劈刀跨過焊盤之后沿豎直方向向下移動的過程中，劈刀朝向芯片按壓鍵合引線。根據本發明的另一方面，鍵合引線被按壓的次數可以為3 1000次。根據本發明的另一方面，鍵合引線可以包括與芯片上的焊盤接觸的第一鍵合端和從第一鍵合端延伸并位于芯片上的第一部分。根據本發明的另一方面，鍵合引線的第一部分可以不與芯片接觸。根據本發明的另一方面，鍵合引線的第一部分可以與芯片接觸。
根據本發明的另一方面，所述方法還可以包括在芯片上圍繞著焊盤設置保護層，其中，保護層位于鍵合引線的第一部分的下方。根據本發明的另一方面，鍵合引線的第一部分可以不與保護層接觸。根據本發明的另一方面，鍵合引線的第一部分可以與保護層接觸。根據本發明，可以實現較低的線弧高度，從而利于半導體封裝件的高度集成和小型化。


圖I示出了根據現有技術的采用引線鍵合形成的線弧的示意圖。圖2示出了根據現有技術的采用引線鍵合形成的線弧的另一示例的示意圖。 圖3示出了根據本發明一個實施例的具有低線弧高度的半導體封裝件的結構示意圖。圖4A至圖41示出了根據本發明一個實施例的引線鍵合方法的各步驟的剖視圖。圖5是示出了通過圖4A至圖41所示的方法制造出的半導體封裝件的結構示意圖。圖6A至圖6C示出了根據本發明另一實施例的引線鍵合方法的各步驟的剖視圖。圖7是示出了根據本發明又一實施例的具有低線弧高度的半導體封裝件的結構示意圖。
具體實施例方式下文中，將參照附圖來更充分地描述本發明，附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的，在全都不脫離用于本發明的原理的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改描述的實施例。要認識到，為了更好地理解和便于描述，附圖中示出的組成構件的尺寸和厚度是任意給出的，本發明不受圖示的尺寸和厚度的限制。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、區域等的厚度。在整個說明書中相同的標號表示相同的元件。應該理解，當諸如層、區域或基底的元件被稱作在另一元件上時，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。可選擇地，當元件被稱作直接在另一元件上時，不存在中間元件。下面將結合附圖來詳細地描述根據本發明的具有低線弧高度的半導體封裝件。圖3示出了根據本發明的具有低線弧高度的半導體封裝件的結構示意圖。參照圖3，半導體封裝件包括基板100和設置在基板100上的芯片10，芯片10包括位于芯片10的上表面中的焊盤11以及圍繞著焊盤11設置在芯片10的上表面上的保護層16。根據本發明的半導體封裝件100還包括結合在芯片10的焊盤11和基板100之間的鍵合引線13，以將芯片10電連接到基板100。與圖I和圖2所示的現有技術的半導體封裝件中的焊料凸起12'和12"相似，焊料凸起12是在執行引線鍵合時對鍵合引線進行第一次按壓而在焊盤11上形成的，屬于鍵合引線13的一部分。根據本發明，基板100可以為印刷電路板(PCB)或引線框架。與現有技術的半導體封裝件(如圖I和圖2所示)不同的是，根據本發明的該實施例形成的線弧的高度小于鍵合引線13的原始直徑與保護層16的高度之和。在根據本發明該實施例的半導體封裝件中，鍵合引線13與保護層16相接觸，并且在執行引線鍵合的過程中經多次按壓鍵合引線13而使保護層16凸進到鍵合引線13中，如圖3所示。具體地講，鍵合引線13與保護層16相接觸，并且保護層16的上部凸出到鍵合引線13中，使得保護層16的凸出到鍵合引線13中的部分嵌入在鍵合引線13中。在下文中將對此進行更詳細地描述。然而，本發明不限于此。例如，雖然圖中未示出，但是鍵合引線13可以不與保護層16相接觸，在這種情況下，鍵合引線13的線弧高度H仍滿足H小于鍵合引線的原始直徑與焊盤的高度之和的關系，從而實現了低的線弧高度。對此，本領域技術人員在本發明的教導下能夠明白鍵合引線不與保護層相接觸的情形。因此，根據本發明的半導體封裝件的線弧的高度小于根據現有技術的半導體封裝件的線弧的高度(如圖I和圖2所示)，從而利于實現半導體封裝件的微型化。這里，線弧的高度是指從焊盤的表面到鍵合引線的遠離芯片的表面之間的距離。
根據本發明的該實施例，保護層16圍繞著焊盤11設置在芯片10的上表面，用來保護芯片10免受外部濕氣或空氣的影響。根據本發明的一個實施例，保護層16可以由光敏聚酰亞胺(PSPI)形成。參照圖3，鍵合引線13包括與芯片10上的焊盤11接觸的第一鍵合端(或稱作“鍵合點”)、從第一鍵合端延伸并位于芯片11上的第一部分、從第一部分延伸超出芯片10并在基板100上方的第二部分以及從第二部分延伸并與基板100的焊盤接觸的第二鍵合端，其中，鍵合引線的第一部分的直徑小于鍵合引線的第二部分的直徑。在圖3中，在芯片10上設置有保護層16，并且鍵合引線13的第一部分與保護層16接觸。然而，本發明不限于此。在不設置保護層16的情況下，鍵合引線13的第一部分可以與芯片10接觸或者不與芯片10接觸。根據本發明的一個實施例，鍵合引線13可以在被按壓兩次以上而結合到基板100，以與保護層16接觸。優選地，鍵合引線13被按壓的次數可以為3 1000次，以使保護層16的上部嵌入在鍵合引線13中。下面將描述根據本發明的具有低線弧高度的半導體封裝件的制造方法。根據本發明，具有低線弧高度的半導體封裝件的制造方法包括以下步驟(I)準備安裝有芯片的基板，其中，在芯片的上表面中設置有焊盤；(2)通過引線鍵合方法將鍵合引線結合在焊盤和基板之間，以將芯片電連接到基板，其中，向下按壓鍵合引線，使得鍵合引線的線弧高度H滿足下式a d' +h = H < d+h,式中，d'表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。根據本發明，在上面的步驟(2)中，可以由具有光敏聚酰亞胺(PSPI)形成保護層。這里，可以采用本領域公知的方法為芯片設置焊盤和保護層。因此，這里不再對其進行贅述。根據本發明，在上面的步驟(2)中，可以采用不同的方法使得鍵合引線的線弧高度H滿足上面的式a，下面將對其進行詳細的描述。下面將參照圖4A至圖41詳細地描述根據本發明一個實施例的引線鍵合方法。圖4A至圖41示出了根據本發明一個實施例的引線鍵合方法的各步驟的剖視圖。根據本發明的該實施例，在位于基板上的芯片上設置焊盤之后，利用用于提供鍵合引線的劈刀首先將鍵合引線結合到焊盤，然后使劈刀先后沿水平方向和垂直方向移動多次來按壓鍵合引線，其中，在劈刀跨過焊盤之后沿垂直方向向下移動的過程中，劈刀朝向芯片按壓鍵合引線，以使鍵合引線的線弧高度減小。具體地講，首先，準備好其上安裝有芯片的基板，其中，在芯片的上表面中設置有焊盤。根據本發明的一個實施例，可以在芯片上設置焊盤的同時，在芯片的上表面上設置圍繞著焊盤布置的保護層。根據本發明的另一實施例，可以僅在芯片上設置焊盤而不設置保護層。為了便于描述，下面將針對在芯片上形成了焊盤和保護層的情形來進行描述。接著，參照圖4A，將劈刀1(優選地為毛細管劈刀)與芯片(未示出)中的焊盤11 對準，使劈刀I的尖點與焊盤11接觸，而鍵合引線13的末端在焊盤11上形成焊料凸起12，用來與芯片10上的焊盤11結合。然后，抬起劈刀1，使其沿豎直方向(即，y軸方向)向上移動距離yl (即，使劈刀I的尖點分別移動到Al、BI兩點)，如圖4B所示；接著，使劈刀I沿水平方向(即，沿圖4B中的X軸)向右移動距離xl(即，使劈刀I的尖點分別移動到A2、B2兩點)，使得鍵合引線13在劈刀I的作用下向右彎曲，如圖4C所示；接著，使劈刀I沿豎直方向向下移動距離y2(即，使劈刀I的尖點分別移動到A3、B3兩點)，從而使鍵合引線13在劈刀I的作用下被向下按壓，如圖4D所示；然后，如圖4E所示，再次抬起劈刀I (即，使劈刀I的尖點分別移動到A4、B4兩點)，從而在芯片10上形成鍵合引線13的第一個線弧。這里，可以根據芯片的大小和實際需要來確定鍵合引線13的線弧的長短和高度；也就是說，劈刀的水平移動距離Xl和豎直移動距離yl、y2可以根據實際需要來確定。接下來，重復圖4B至圖4E所示的步驟，使鍵合引線13再次形成線弧。具體地講，如圖4F所示，使劈刀I沿水平方向(即，X軸方向)再次向右移動(即，使劈刀I的尖點分別移動到A5、B5兩點)，然后參照圖4G，使劈刀沿豎直方向(即，y軸方向)向下移動(即，使劈刀I的尖點分別移動到A6、B6兩點)按壓鍵合引線13，從而對鍵合引線13進行二次按壓，形成線弧P1-A3-P2-A6。這里，進行二次按壓時，根據實際情況，劈刀I的水平移動距離和豎直移動距離可以根據實際情況而與圖4B至圖4D的距離相同或不同。然后，再次或多次重復圖4B至圖4E所示的步驟，使鍵合引線再次或多次形成線弧(如圖4H所示)，最后移走劈刀以進行下一點的引線鍵合，得到如圖41所示的結構。具體地講，再次或多次重復劈刀抬起-水平移動-按壓的動作，使鍵合引線13以按壓的形式與保護層16接觸并且將芯片10電連接到基板(或引線框架)10。劈刀I的水平移動距離和豎直移動距離可以與圖4B至圖4D的距離可以相同或不同。根據本發明，可以使用劈刀沿引線鍵合第一點至第二點的方向進行多次(不少于兩次)按壓。根據本發明的優選實施例，多次按壓的次數可以是3次至1000次。如果按壓兩次，則得不到期望的效果；如果按壓的次數太多(多于1000次)，則會增加制造成本。圖5是示出了通過圖4A至圖41所示的方法制造出的半導體封裝件的結構示意圖。芯片10形成在基底100上，焊盤11形成在芯片10中。鍵合引線13將芯片10電連接到基板100，具體地講，鍵合引線13經多次按壓與保護層16接觸而結合到基板100。參照圖5，鍵合引線13包括與芯片10上的焊盤11接觸的第一鍵合端、從第一鍵合端延伸并位于芯片11上的第一部分、從第一部分延伸超出芯片10并在基板100上方的第二部分以及從第二部分延伸并與基板100的焊盤接觸的第二鍵合端，其中，鍵合引線的第一部分的直徑d'小于鍵合引線的第二部分的直徑。因此，通過本發明的引線鍵合方法得到的線弧高度H為按壓后的鍵合引線13的直徑d' (d'小于鍵合引線13的原始直徑d)與保護層16的高度h之和。與圖I和圖2所示的根據現有技術進行引線鍵合得到的線弧相比，根據本發明的方法得到的線弧高度明顯較小，因此易于實現半導體封裝件的微型化。因此，根據本發明的該實施例，從芯片上焊料凸起引線鍵合第一點開始到引線鍵合第二點方向進行多次按壓，可以實現低線弧高度的引線鍵合。圖6A至圖6C示出了根據本發明另一實施例的引線鍵合方法的各步驟的剖視圖。根據本發明的另一實施例，在安裝在基板上的芯片100上設置焊盤11和圍繞著焊盤11設置在芯片10的上表面上的保護層16。然后，可以利用現有的引線鍵合方法在芯片 10的焊盤11上將鍵合引線13結合到基板(或引線框架)，如圖6A所示。然后，利用平板M向鍵合引線13施加向下的壓力，如圖6B中所示，以使鍵合引線13的與保護層16接觸的部分被按壓而變形，從而使保護層16的上部凸出到鍵合引線13中，從而得到如圖6C所示的結構。根據本發明的一個實施例，可以通過管芯連接(dieattaching)設備或材料測試系統(material test system, MTS)設備使平板M對鍵合引線施加向下的壓力。然而，本發明不限于此；在本發明的教導下，本領域技術人員可以采用其它適合的方法來對鍵合弓I線施加向下的壓力。因此，對于通過本發明該實施例得到的半導體封裝件，其線弧高度H為按壓后的鍵合引線13的直徑d'與保護層16的高度h之和。與圖I和圖2所示的根據現有技術進行引線鍵合得到的線弧相比，根據本發明的方法得到的線弧高度明顯較小，因此易于實現半導體封裝件的微型化。圖7是示出了根據本發明又一實施例的具有低線弧高度的半導體封裝件的結構示意圖。與前面的實施例不同，在圖7中的半導體封裝件中，芯片上沒有設置保護層，除此之外，圖7的半導體封裝件與前面的實施例的半導體封裝件基本相同。參照圖7，半導體封裝件包括基板100、設置在基板100上且包括焊盤11的芯片以及結合在芯片的焊盤11和基板100之間的鍵合引線13，其中，焊盤11位于芯片的上表面中，鍵合引線13將芯片電連接到基板100。根據本發明，鍵合引線的線弧高度H小于鍵合引線13的原始直徑與焊盤的高度之和，即，根據本發明的鍵合引線的線弧高度小于現有技術中的鍵合引線的線弧高度(如圖I和圖2所示)。在圖7中，鍵合引線13不與芯片接觸。然而，本發明不限于此，鍵合引線13可以與芯片接觸。可以采用圖4A至圖41中所示的方法或者圖6A至圖6C中所示的方法來制造圖7的半導體封裝件，因此，對此不再進行贅述。此外，雖然在附圖中未示出，但是可以在完成對半導體封裝件的引線鍵合并且形成低線弧高度的鍵合引線后，可以執行包封工藝來對芯片進行密封。因此，根據本發明，通過壓縮芯片上的鍵合引線使其橫截面變寬，使得線弧的高度變小，從而有利于實現半導體封裝件的微型化。
雖然已經結合本發明的附圖描述了本發明，但是應該理解的是，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，可以對本發明做出變型和修改。
權利要求
1.一種半導體封裝件，其特征在于所述半導體封裝件包括 基板； 芯片，設置在基板上，芯片包括焊盤，焊盤位于芯片的上表面中；以及 鍵合引線，結合在芯片的焊盤和基板之間，以將芯片電連接到基板， 其中，鍵合引線的線弧高度H滿足式子 d' +h = H < d+h, 其中，d'表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤的表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。
2.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于通過多次按壓鍵合引線來使鍵合弓I線的線弧高度滿足所述式子。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線的按壓次數為3 1000次。
4.根據權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線包括與芯片上的焊盤接觸的第一鍵合端和從第一鍵合端延伸并位于芯片上的第一部分。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線的第一部分不與芯片接觸。
6.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線的第一部分與芯片接觸。
7.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于所述半導體封裝件還包括保護層，以保護芯片免受外部濕氣或空氣的影響，其中，所述保護層圍繞著焊盤設置在芯片的上表面上且設置在鍵合引線的第一部分下方。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線的第一部分不與保護層接觸。
9.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于鍵合引線的第一部分與保護層接觸。
10.一種制造半導體封裝件的方法，其特征在于所述方法包括下述步驟 A、準備安裝有芯片的基板，其中，在芯片的上表面中設置有焊盤； B、通過引線鍵合方法將鍵合引線從焊盤結合到基板，以將芯片電連接到基板， 其中，向下按壓鍵合弓I線，使得鍵合弓I線的線弧高度H滿足式子d' +h = H < d+h, 其中，d'表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤的表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于在步驟B中，在通過引線鍵合方法將鍵合引線從焊盤結合到基板之后，在鍵合引線的上方通過平板對鍵合引線施加向下的壓力來按壓鍵合引線。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于通過管芯連接設備或材料測試系統設備來操作平板，以使平板對鍵合引線施加向下的壓力。
13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于在步驟B中，在將鍵合引線結合到焊盤之后，使劈刀先后沿水平方向和豎直方向移動多次來按壓鍵合引線，其中，在劈刀跨過焊盤之后沿豎直方向向下移動的過程中，劈刀朝向芯片按壓鍵合引線。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于鍵合引線被按壓的次數為3 1000次。
15.根據權利要求10至14中任一項權利要求所述的方法，其特征在于鍵合引線包括與芯片上的焊盤接觸的第一鍵合端和從第一鍵合端延伸并位于芯片上的第一部分。
16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于鍵合引線的第一部分不與芯片接觸。
17.根據權利要求15所述的方法，其特征在于鍵合引線的第一部分與芯片接觸。
18.根據權利要求15所述的方法，其特征在于所述方法還包括在芯片上圍繞著焊盤設置保護層，其中，保護層位于鍵合引線的第一部分的下方。
19.根據權利要求18所述的方法，其特征在于鍵合引線的第一部分不與保護層接觸。
20.根據權利要求18所述的方法，其特征在于鍵合引線的第一部分與保護層接觸。
全文摘要
本發明提供了一種半導體封裝件及其制造方法。該半導體封裝件包括基板；芯片，設置在基板上，芯片包括焊盤，焊盤位于芯片的上表面中；以及鍵合引線，結合在芯片的焊盤和基板之間，以將芯片電連接到基板，其中，鍵合引線的線弧高度H滿足式子d′+h＝H＜d+h，其中，d′表示鍵合引線的位于芯片上的部分的直徑，h表示鍵合引線的下表面到焊盤的表面的距離，d表示鍵合引線的原始直徑。根據本發明，可以實現較低的線弧高度，從而利于半導體封裝件的高度集成和小型化。
文檔編號H01L21/603GK102856281SQ20121003903
公開日2013年1月2日 申請日期2012年2月17日 優先權日2012年2月17日
發明者劉海 申請人:三星半導體(中國)研究開發有限公司, 三星電子株式會社