專利名稱：用于電子應用的氮雜芘的制作方法
用于電子應用的氮雜芘本發明涉及電子器件，特別是電致發光器件，其包含氮雜芘，特別是作為主體用于 磷光發射體、電子傳輸材料或發射材料。主體可與磷光材料共同起作用以向電致發光器件 提供改進的效率、穩定性、可制造性或光譜特性。氮雜芘(azapyrene)及其合成描述在例如如下出版物中 Α. V. Aksenov 等，Tetrahedron Letters (2008) 1808-18 11 ；Α. V. Aksenov 等， TetrahedronLetters (2008) 707-709 ；I. V. Aksenova 等，Chemistry of HeterocyclicCom pounds(2007)665-666 ；Till Riehm 等，Chemistry-Α EuropeanJournal(2007)7317-7329 ； I. V. Borovlev φ, Chemistry of Heterocyc 1 icCompounds (2002) 968—973 禾口 (2003)1417-1442。US200407685涉及有機發光器件，其包括基底、沉積在基底上的陽極和陰極，和沉 積在陽極和陰極之間的發光層，其中所述發光層包含主體和至少一種摻雜劑。選擇發光層 的主體以包含含有至少兩種組分的混合物的固體有機材料，其中一種組分既能形成單體態 又能形成聚集態。所列作為用于發光層的第一主體組分的材料的優選雜環化合物特別地包含苯并[1mn][3,8]菲咯啉(2,7二氮雜芘)
權利要求
1.一種電子器件，其包含下式的化合物
2.根據權利要求1所述的電子器件，其包含下式的化合物其中
3.根據權利要求2所述的電子器件，其包含下式的化合物R5和R6和/或R7和R8 —起形成基團-g· Ι-μ J^206> J^208> J^205 j^206 j^207
4.根據權利要求3所述的電子器件，其包含式IIa的化合物，其中R5、R6、R7和R8為氫，R1、R2和R3相互獨立地為基團
5.根據權利要求3所述的電子器件，其包含式IIb的化合物，其中R5、R6、R7和R8為氫，r11Wr117 r116 r116R1、R2，和R3’相互獨立地為基團 0
6.根據權利要求4或5所述的電子器件，其包含下式的化合物
7.根據權利要求1所述的電子器件，其包含下式的化合物
8.根據權利要求7所述的電子器件，其包含下式的化合物
9.根據權利要求8所述的電子器件，其包含下式的化合物
10.根據權利要求1-9中任一項所述的電子器件，其中所述電子器件為電致發光器件。
11.根據權利要求10所述的電子器件，其包含陰極、陽極，和其間的的發光層，所述發 光層包含主體材料和磷光發光材料，其中所述主體材料為根據權利要求1所述的式I或III 的化合物。
12.根據權利要求10所述的電子器件，其包含陰極、陽極和電子傳輸材料，其中所述電 子傳輸材料為或包含根據權利要求1所述的式I或III的化合物。
13.根據權利要求10所述的電子器件，其包含陰極、陽極和發光層，其中所述發光層由 根據權利要求1所述的式I或III的化合物組成，或包含根據權利要求1所述的式I或III 的化合物。
14.根據權利要求1所述的式I或III的化合物在電子照相光感受器、光電轉換器、太 陽能電池、圖像傳感器、染料激光器和電致發光器件中的用途。
15.一種下式的化合物
16. 一種下式的化合物
全文摘要
本發明涉及電子器件，特別是電致發光器件，其包含式(I)或式(III)的氮雜芘，其中Y1、Y2、Y3、Y4、X1、X2和X3相互獨立地為N或CR4，條件是基團X1、X2和X3中的至少一個為基團CR4，R1為氫、F、-SiR100R101R102或有機取代基，R4為氫、F、-SiR100R101R102或有機取代基或取代基R1、R1’和R4中的任意個，所述取代基相互相鄰，一起形成芳族環或雜芳族環或環體系，它們可任選地被取代，m為1-6的整數，和R100、R101和R102相互獨立地為C1-C8烷基、C6-C24芳基或C7-C12芳烷基，其可任選地被取代，和Q為連接基團；條件是在式(III)的化合物中，取代基R1’或R4中的至少一個為基團Q；特別是作為主體用于磷光發射體、電子傳輸材料或發射材料。主體可與磷光材料共同起作用以向電致發光器件提供改進的效率、穩定性、可制造性或光譜特性。
文檔編號C09K11/06GK102099435SQ200980127590
公開日2011年6月15日 申請日期2009年6月23日 優先權日2008年7月18日
發明者A·里奇, K·巴爾東, N·舍博塔萊瓦, T·沙福爾, T·艾肯伯格 申請人:巴斯夫歐洲公司