半導體裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001 ]本說明書所記載的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0002]半導體裝置之中，有的很容易受到外部磁場的影響。這樣的受到磁場影響的半導體裝置，通過磁屏蔽件來降低外部磁場的影響，由此可以良好地工作。作為半導體裝置所使用的磁屏蔽件，已知例如通過使樹脂中含有磁導率高的材料作為填料的電磁波吸收模型樹月旨，來覆蓋半導體芯片的上表面和側面，由此降低外部磁場對于半導體裝置的影響。
[0003]在先技術文獻
[0004]專利文獻1:日本特開號

【發明內容】

[0005]本說明書所記載的實施方式提供一種磁屏蔽效果更高的半導體裝置及其制造方法。
[0006]實施方式涉及的半導體裝置具備:基板、下部屏蔽板、半導體芯片、連接件、上部屏蔽板和側部屏蔽材料。基板上形成有第1接觸部。下部屏蔽板使用在基板上以避開第1接觸部的方式設置的磁性體。半導體芯片在下部屏蔽板上設置，并具有與第1接觸部電連接的第2接觸部。連接件將第1接觸部和第2接觸部電連接。上部屏蔽板使用在半導體芯片上以避開第2接觸部和連接件的方式設置的磁性體。側部屏蔽材料使用將下部屏蔽板和上部屏蔽板的沒有配置連接件的側部連接的磁性體。
【附圖說明】
[0007]圖1是第1實施方式涉及的半導體裝置的概略俯視圖。
[0008]圖2是該半導體裝置的概略側面圖。
[0009]圖3是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0010]圖4是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0011 ]圖5是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0012]圖6是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0013]圖7是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0014]圖8是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0015]圖9是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0016]圖10是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0017]圖11是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0018]圖12是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0019]圖13是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0020]圖14是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。[0021 ]圖15是第2實施方式涉及的半導體裝置的概略俯視圖。
[0022]圖16是該半導體裝置的概略側面圖。
[0023]圖17是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0024]圖18是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0025]圖19是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0026]圖20是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0027]圖21是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0028]圖22是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0029]圖23是第3實施方式涉及的半導體裝置的概略俯視圖。
[0030]圖24是該半導體裝置的概略側面圖。
[0031 ]圖25是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0032]圖26是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0033]圖27是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0034]圖28是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0035]圖29是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0036]圖30是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0037]圖31是第4實施方式涉及的半導體裝置的概略側面圖。
[0038]圖32是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0039]圖33是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0040]圖34是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0041 ]圖35是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0042]圖36是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0043]圖37是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0044]圖38是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0045]圖39是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0046]圖40是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0047]圖41是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0048]圖42是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0049]圖43是表示該半導體裝置的制造方法的概略側面圖。
[0050]圖44是表示其他實施方式涉及的半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
[0051 ]圖45是表示該半導體裝置的制造方法的概略俯視圖。
【具體實施方式】
[0052]以下，參照附圖，對實施方式涉及的半導體裝置進行說明。再者，附圖是示意圖，厚度與平面尺寸的關系、各層厚度的比率等與實際不同。說明中的上下等的表示方向的用語，是指在以后述的半導體芯片的電路形成面側為上時的相對方向，與以重力加速度方向為基準的實際方向不同。
[0053][第1實施方式涉及的半導體裝置的結構]
[0054]首先，參照圖1和圖2，對第1實施方式涉及的半導體裝置的結構進行說明。圖1是第1實施方式涉及的半導體裝置的概略俯視圖，圖2(a)是圖1的Ι-ν切斷截面圖，圖2(b)是圖1的I1-1V切斷截面圖。
[0055]如圖1和圖2所示，本實施方式涉及的半導體裝置具備:基板1;在該基板1之上隔著具有絕緣性的第1粘結材料2貼附的下部屏蔽板3;在該下部屏蔽板3之上隔著具有絕緣性的第2粘結材料4搭載的半導體芯片5;在該半導體芯片5的上表面隔著具有絕緣性的第3粘結材料6貼附的上部屏蔽板7;和將下部屏蔽板3與上部屏蔽板7在側部接合的側部屏蔽材料8。另外，該第1粘結材料2、下部屏蔽板3、第2粘結材料4、半導體芯片5、第3粘結材料6、上部屏蔽板7和側部屏蔽材料8的至少一部分被絕緣性樹脂9填埋。再者，在圖1中，為了說明，將絕緣性樹脂9省略圖示。
[0056]在本實施方式中，基板1使用陶瓷、樹脂、表面被氧化了的硅(Si)等的絕緣材料。在基板1的表面形成有未圖示的配線和與該配線連接的接觸部11(第1接觸部)。配線和接觸部11使用銅等的金屬并采用印刷、蒸鍍等方法形成。接觸部11利用與半導體芯片5連接的接合用墊，沿著下部屏蔽板3的兩側面在下部屏蔽板3的延伸方向(以下，稱為“第1方向”)以預定節距排列。
[0057]下部屏蔽板3是在下表面貼附第1粘結材料2，以第1方向為長度方向的長方形。第1方向的長度比半導體芯片5的第1方向的長度長。另外，下部屏蔽板3的與第1方向正交的方向(以下稱為“第2方向”)的寬度比接觸部11彼此的間隔窄，與半導體芯片5的第2方向上的寬度大致相同。另外，作為下部屏蔽板3使用磁導率高的材料。在本實施方式中使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含鐵的磁性合金。再者，在本實施方式中下部屏蔽板3的厚度為50μm?150ym左右。
[0058]半導體芯片5包含集成電路，在本實施方式中搭載有將多個數據通過磁來存儲的存儲裝置。該存儲裝置可以是例如通過自旋注入來進行數據寫入，通過隧道磁阻效應帶來的電阻變化來進行寫入了的數據的判別。但是，作為半導體芯片5可以搭載不同的存儲裝置，也可以搭載存儲裝置以外的結構。
[0059]半導體芯片5在下表面貼附第2粘結材料4，在上表面的第2方向的兩側具有接觸部12(第2接觸部)。接觸部12經由多個作為連接件的接合線51與接觸部11電連接。
[0060]上部屏蔽板7在下表面貼附第1絕緣性樹脂6，形成以第1方向為長度方向的長方形。第2方向上的寬度比接觸部12的第2方向的寬度窄，第1方向的長度與下部屏蔽板3相同。另外，作為上部屏蔽板7，與下部屏蔽板3同樣地使用磁導率高的材料。本實施方式中，使用PC坡莫合金(N1-Mo、Cu-Fe)等的含鐵的磁性合金。上部屏蔽板7的厚度在本實施方式中為50μπι?150ym左右。
[0061]側部屏蔽材料8與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7—同作為磁屏蔽件發揮功能，所述磁屏蔽件保護半導體芯片5不受外部磁場影響。側部屏蔽材料8從第1方向與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7接觸。與下部屏蔽板3和上部屏蔽板7同樣地，側部屏蔽材料8也使用磁導率高的材料。在本實施方式中，作為側部屏蔽材料8使用鍍層、含有磁性體的樹