【技術領域】
本發明(ming)涉及粘(zhan)(zhan)(zhan)合(he)片以及利(li)用(yong)(yong)該粘(zhan)(zhan)(zhan)合(he)片的(de)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)裝(zhuang)置(zhi)的(de)制(zhi)造方(fang)法。進(jin)一步地，本發明(ming)涉及利(li)用(yong)(yong)激(ji)光(guang)對(dui)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)片進(jin)行激(ji)光(guang)切(qie)割時，可從粘(zhan)(zhan)(zhan)合(he)片側照射激(ji)光(guang)的(de)激(ji)光(guang)切(qie)割用(yong)(yong)粘(zhan)(zhan)(zhan)合(he)片，以及具備(bei)利(li)用(yong)(yong)該粘(zhan)(zhan)(zhan)合(he)片對(dui)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)晶(jing)片進(jin)行加工(gong)的(de)工(gong)序的(de)半導(dao)體(ti)(ti)(ti)裝(zhuang)置(zhi)的(de)制(zhi)造方(fang)法。
【現有技術】
半(ban)導體晶(jing)片(pian)是，形成電路(lu)后貼合(he)粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)之(zhi)后，分別供應到切割(ge)(dicing)成元件小片(pian)、洗凈、干燥(zao)、粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)的擴張(zhang)(expanding)、從粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)剝離元件小片(pian)(pickup)、安(an)裝(mounting)等(deng)工(gong)(gong)序。在這(zhe)些工(gong)(gong)序中使用的粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)(dicingtape)，被(bei)期待著具備從切割(ge)工(gong)(gong)序至干燥(zao)工(gong)(gong)序中對于(yu)被(bei)切割(ge)的元件小片(pian)(chip)具有充分的粘(zhan)(zhan)合(he)力，且(qie)在拾取工(gong)(gong)序中粘(zhan)(zhan)合(he)力減小至無殘膠的程度。
另一方面，隨著近年的ic器件的高性能化(hua)以(yi)及小(xiao)型化(hua)，半(ban)導(dao)體芯片(pian)的薄型化(hua)正在推進，將以(yi)往(wang)的厚度(du)為350μm程度(du)的晶片(pian)被要求將厚度(du)降低(di)至100μm以(yi)下(xia)。
但是，由于被用(yong)作半導體晶片(pian)的(de)有機硅為脆性(xing)材料，降(jiang)低(di)(di)厚(hou)度會有在運輸或(huo)加工時損壞的(de)可能。特別是，用(yong)旋轉車刀切割(ge)晶片(pian)時產(chan)生(sheng)的(de)缺口或(huo)者(zhe)碎片(pian)，會顯著地降(jiang)低(di)(di)芯(xin)片(pian)的(de)抗(kang)彎強度。
因此，作(zuo)為(wei)抑(yi)制碎片產生的方法，已(yi)提出使紅外區域的波(bo)長的激光聚集到半導體晶(jing)片的內部而形(xing)成(cheng)改性層，以改性層作(zuo)為(wei)起(qi)點(dian)分(fen)割(ge)(ge)晶(jing)片，所(suo)謂隱形(xing)切割(ge)(ge)的分(fen)割(ge)(ge)方法(專利(li)文獻1)。
此(ci)方法中，一般情況下從(cong)晶(jing)片(pian)的電(dian)路面側入射激光，但電(dian)路面附有的teg(testelementgroup)或(huo)者金屬膜，無法透(tou)過激光而無法在(zai)晶(jing)片(pian)內部形成改性層。
為(wei)了解決(jue)上述問題，透過為(wei)了固定晶片貼附的(de)(de)粘合(he)片照射激光，從晶片的(de)(de)背面(mian)側入射激光，在晶片內部(bu)形成改性部(bu)的(de)(de)方(fang)法被提議。
專利文獻2公開了，在23℃下(xia)的楊氏(shi)模量為30～600mpa，波(bo)長1064nm下(xia)的直線透射率為80％以上，波(bo)長1064nm下(xia)的相(xiang)位(wei)差(cha)為100nm的粘合片。
另(ling)外，專利文(wen)獻3公開了，400～1100nm波長(chang)區域(yu)的平行線透射(she)率(lv)為80％以上，基材(cai)膜的背面(mian)(形成粘(zhan)合(he)劑(ji)層的面(mian)的另(ling)一側(ce)面(mian))的算數平均(jun)粗糙度ra為0.1～0.3μm的粘(zhan)合(he)片。
【現有技術文獻】
【專利文獻】
【專(zhuan)利文(wen)獻1】日本專(zhuan)利第3762409號(hao)
【專利文獻2】日本特(te)開號公報
【專(zhuan)利文獻3】日本專(zhuan)利第5391158號(hao)
技術實現要素：
【發明(ming)所要解決的課題】
通常，透(tou)過粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)照射激(ji)光(guang)時(shi)，以可(ke)見(jian)光(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)進(jin)(jin)行定位，但是，專(zhuan)利文(wen)獻2記載的(de)(de)(de)(de)(de)粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)沒(mei)有對可(ke)見(jian)光(guang)區域(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)透(tou)射率進(jin)(jin)行規(gui)定，故會產生(sheng)定位困難(nan)的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)能。另外，專(zhuan)利文(wen)獻2記載該基材膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)背面的(de)(de)(de)(de)(de)粗糙度曲線的(de)(de)(de)(de)(de)算數平均粗糙度ra小于(yu)0.1μm，但是若(ruo)ra小于(yu)0.1μm，則有可(ke)能在輸出粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)時(shi)粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)彼此產生(sheng)貼合，或者(zhe)擴張粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)來分割(ge)晶片(pian)(pian)時(shi)粘(zhan)(zhan)合片(pian)(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)滑動性降(jiang)低(di)而導致分割(ge)困難(nan)。
另外，專利(li)文獻3記載的粘(zhan)合片，規(gui)定了可見(jian)光(guang)區域的光(guang)的透(tou)射率，但(dan)根據基(ji)材膜的彈性(xing)率不(bu)同，很可能產生(sheng)晶片分割不(bu)太順利(li)的可能性(xing)。
此(ci)外，激光(guang)切割(ge)中，分(fen)割(ge)芯片時(shi)產生(sheng)的(de)粉塵(chen)若(ruo)附著(zhu)到芯片，會導致成(cheng)品率降(jiang)低或者需(xu)要增加洗凈工(gong)序。因(yin)此(ci)，要求(qiu)在分(fen)割(ge)晶片時(shi)不使(shi)異物附著(zhu)到芯片的(de)粘(zhan)合(he)片。
本發(fa)明(ming)是為了解決(jue)上(shang)述問題而(er)進(jin)行(xing)的(de)(de)，提(ti)供一種透過粘合片(pian)(pian)(pian)照射激光(guang)而(er)進(jin)行(xing)激光(guang)切(qie)割(ge)時(shi)(shi)，抑制粘合片(pian)(pian)(pian)上(shang)的(de)(de)激光(guang)的(de)(de)散射的(de)(de)同時(shi)(shi)，能夠容(rong)易進(jin)行(xing)通過粘合片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)擴(kuo)張的(de)(de)芯片(pian)(pian)(pian)分割(ge)，且可抑制芯片(pian)(pian)(pian)分割(ge)時(shi)(shi)產生(sheng)的(de)(de)粉塵的(de)(de)附著，并且能夠提(ti)高芯片(pian)(pian)(pian)成(cheng)品率的(de)(de)激光(guang)切(qie)割(ge)用粘合片(pian)(pian)(pian)。
【用于(yu)解決課題(ti)的手段】
根據本發明提供一種在(zai)基材膜的(de)一側(ce)面(mian)(mian)上具有(you)背(bei)面(mian)(mian)層(ceng)，該背(bei)面(mian)(mian)層(ceng)含有(you)減摩劑和抗靜電(dian)劑，在(zai)另一側(ce)面(mian)(mian)具有(you)粘合(he)劑層(ceng)，所述背(bei)面(mian)(mian)層(ceng)表面(mian)(mian)的(de)算數平均粗糙度ra為(wei)0.1μm以下，所述粘合(he)片在(zai)23℃的(de)拉伸(shen)彈性模(mo)量為(wei)50～200mpa，在(zai)400～1400nm波(bo)長區域的(de)平行線透(tou)射率(lv)為(wei)85％以上激光切割用粘合(he)片。
透過粘(zhan)(zhan)合(he)片照(zhao)射激(ji)光(guang)時(shi)，若粘(zhan)(zhan)合(he)片的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面(形成有(you)粘(zhan)(zhan)合(he)劑層的(de)(de)(de)(de)(de)面的(de)(de)(de)(de)(de)另一(yi)側面)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面粗(cu)(cu)糙度(du)(du)大(da)，會導致在粘(zhan)(zhan)合(he)片的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面上的(de)(de)(de)(de)(de)激(ji)光(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)散射增加，損害(hai)其直(zhi)進性(xing)，因此出于(yu)此觀點，優(you)選為背(bei)面的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面粗(cu)(cu)糙度(du)(du)小(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)粘(zhan)(zhan)合(he)片。另一(yi)方(fang)面，粘(zhan)(zhan)合(he)片的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面粗(cu)(cu)糙度(du)(du)越小(xiao)，對粘(zhan)(zhan)合(he)片進行擴張(zhang)來分割(ge)晶片時(shi)，粘(zhan)(zhan)合(he)片的(de)(de)(de)(de)(de)滑動性(xing)降低(di)，影響芯片分割(ge)的(de)(de)(de)(de)(de)進行。在這種情況下，激(ji)光(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)散射的(de)(de)(de)(de)(de)抑制(zhi)以及粘(zhan)(zhan)合(he)片的(de)(de)(de)(de)(de)良好(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)擴張(zhang)性(xing)能是一(yi)種權衡關(guan)系，現有(you)技術中不存在能夠(gou)充分滿足上述兩(liang)方(fang)面要求的(de)(de)(de)(de)(de)激(ji)光(guang)切割(ge)用(yong)粘(zhan)(zhan)合(he)片。
在這種情況下，本發(fa)明的發(fa)明人，為(wei)了(le)得(de)到相(xiang)比以(yi)往的粘(zhan)合(he)片(pian)具有(you)(you)優異的特性(xing)的激光(guang)(guang)切割用粘(zhan)合(he)片(pian)進行(xing)了(le)銳意研究，結果發(fa)現通過在基材(cai)膜的背(bei)面(mian)側形成(cheng)含有(you)(you)減(jian)摩劑和抗靜電(dian)劑的背(bei)面(mian)層，控制背(bei)面(mian)層表面(mian)的算數平均粗糙度ra為(wei)0.1μm以(yi)下，且使粘(zhan)合(he)片(pian)在23℃下的拉(la)伸彈性(xing)模量為(wei)50～200mp，得(de)到能夠抑制激光(guang)(guang)的散射同時具有(you)(you)良好的擴張性(xing)能，還(huan)可抑制異物的附著(zhu)的粘(zhan)合(he)片(pian)，完(wan)成(cheng)了(le)本發(fa)明。
【發明效果】
根據本發明，由于能夠(gou)透過粘合(he)片(pian)在半(ban)導(dao)體(ti)晶片(pian)上照射(she)激光(guang)的(de)(de)同時，能夠(gou)抑制芯片(pian)分割時產(chan)生的(de)(de)粉塵(chen)的(de)(de)附著，因(yin)此能夠(gou)以較高的(de)(de)成品率(lv)生產(chan)半(ban)導(dao)體(ti)芯片(pian)。
【附圖說明】
圖(tu)1是表示本發明的(de)一個實施方式(shi)的(de)激光(guang)切割用(yong)粘合片1的(de)結構的(de)截面(mian)圖(tu)。
【具體實施方式】
以下對本發(fa)明的優(you)選實施方式進行(xing)說明。
如附(fu)圖1所示(shi)，本(ben)發明的(de)一個(ge)實施方式的(de)激光切割(ge)用粘合片1，在基(ji)材膜3的(de)一側面具有(you)背面層5，該背面層5含有(you)減(jian)摩(mo)劑和抗靜電劑，另一側面具有(you)粘合劑層7。
＜粘合片1＞
粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)(pian)1在23℃下的(de)拉(la)伸(shen)彈(dan)性(xing)(xing)模(mo)量為(wei)50～200mpa，優選為(wei)70～180mpa。若粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)(pian)1的(de)拉(la)伸(shen)彈(dan)性(xing)(xing)模(mo)量低于(yu)50mpa，則(ze)粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)(pian)1會變得柔軟，即(ji)使為(wei)了(le)分割芯片(pian)(pian)進行(xing)擴張，也有可能(neng)無(wu)法分割芯片(pian)(pian)。另(ling)外(wai)，若粘(zhan)(zhan)合(he)片(pian)(pian)1的(de)拉(la)伸(shen)彈(dan)性(xing)(xing)模(mo)量高于(yu)200mpa，則(ze)難以進行(xing)擴張。
并且，粘合片1在400～1400nm的(de)波長(chang)區域(yu)的(de)平行線透射率為(wei)85％，優選為(wei)90％以上(shang)。若在400～1400nm的(de)波長(chang)區域(yu)的(de)平行線透射率小于85％，則會導致激光(guang)的(de)直進(jin)性降(jiang)低(di)，成品率降(jiang)低(di)。
＜基材膜3＞
作為基材(cai)膜(mo)3，可(ke)使用例如聚(ju)(ju)氯乙(yi)烯(xi)、聚(ju)(ju)乙(yi)烯(xi)、聚(ju)(ju)丙烯(xi)、聚(ju)(ju)酯、乙(yi)烯(xi)-乙(yi)烯(xi)醇、聚(ju)(ju)氨(an)酯、離聚(ju)(ju)物。這(zhe)些樹(shu)脂(zhi)可(ke)以(yi)是，熔(rong)融混合(he)物、共(gong)聚(ju)(ju)物或(huo)多層(ceng)片材(cai)。基材(cai)膜(mo)3也可(ke)以(yi)具(ju)有多個樹(shu)脂(zhi)層(ceng)。
基(ji)(ji)材(cai)膜(mo)3通(tong)過實施電暈放電或(huo)者(zhe)底涂等處理，能(neng)夠提(ti)高(gao)與(yu)粘合(he)劑層(ceng)1或(huo)者(zhe)背(bei)面層(ceng)5之(zhi)間的密合(he)性。基(ji)(ji)材(cai)膜(mo)3的厚(hou)(hou)度優選為80～100μm。若(ruo)基(ji)(ji)材(cai)膜(mo)3的厚(hou)(hou)度低(di)于80μm，則(ze)在擴張時粘合(he)片有可能(neng)破(po)裂，若(ruo)厚(hou)(hou)度高(gao)于100μm，則(ze)粘合(he)片1的平(ping)行線透(tou)射率降低(di)，或(huo)者(zhe)擴張時的作(zuo)用力無(wu)法(fa)充分傳達(da)到芯(xin)片，有可能(neng)無(wu)法(fa)進行芯(xin)片分割。
另(ling)外，為(wei)(wei)了使背(bei)(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)層5的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)算(suan)數平均粗(cu)(cu)糙(cao)度(du)ra在0.1μm以下(xia)，優(you)選使基(ji)材膜(mo)3的(de)(de)(de)(de)背(bei)(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)粗(cu)(cu)糙(cao)度(du)足夠小(優(you)選ra為(wei)(wei)0.1μm以下(xia))。若(ruo)背(bei)(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)層5的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)算(suan)數平均粗(cu)(cu)糙(cao)度(du)ra大(da)于0.1μm，則(ze)透過粘(zhan)合(he)(he)片1照射(she)激(ji)光(guang)時發(fa)生激(ji)光(guang)的(de)(de)(de)(de)散射(she)，成品率(lv)降低。另(ling)一(yi)方面(mian)(mian)(mian)，若(ruo)背(bei)(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)層5的(de)(de)(de)(de)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)ra變小，則(ze)從卷曲形狀輸出粘(zhan)合(he)(he)片1時，會產生粘(zhan)合(he)(he)片1之間相貼合(he)(he)導致(zhi)操(cao)作(zuo)性差(cha)，或者擴張性惡化(hua)等問題。但(dan)是，本實施(shi)方式的(de)(de)(de)(de)粘(zhan)合(he)(he)片1，其(qi)背(bei)(bei)(bei)面(mian)(mian)(mian)層5中含有減摩劑，因此可(ke)抑制(zhi)上述問題的(de)(de)(de)(de)發(fa)生。
＜背面層5＞
背面層5只要含(han)有(you)減摩劑(ji)和(he)抗(kang)靜(jing)(jing)電劑(ji)，則(ze)對其組成沒有(you)特別的限制(zhi)，其含(han)量(liang)優(you)選為，相對于有(you)機(ji)粘合劑(ji)100質量(liang)份(fen)(fen)、抗(kang)靜(jing)(jing)電劑(ji)0.005～10質量(liang)份(fen)(fen)、以及減摩劑(ji)0.005～10質量(liang)份(fen)(fen)。
(減摩劑)
作(zuo)為(wei)減摩(mo)劑，只要是(shi)能(neng)降低粘合片1和擴(kuo)(kuo)張裝置之(zhi)間的(de)(de)摩(mo)擦系數(shu)的(de)(de)物質(zhi)，例如(ru)，有機硅樹(shu)脂以及氟樹(shu)脂、(變(bian)形(xing))硅油(you)等，就沒有特(te)(te)別的(de)(de)限制。這些減摩(mo)劑也(ye)可(ke)(ke)作(zuo)為(wei)多(duo)個成分(fen)的(de)(de)混合物使用(yong)。特(te)(te)別是(shi)，有機硅類接枝(zhi)共聚物與背面層5的(de)(de)相容(rong)性(xing)良好，可(ke)(ke)實現抗靜電性(xing)和擴(kuo)(kuo)張性(xing)能(neng)之(zhi)間的(de)(de)平衡(heng)，因(yin)此(ci)優選使用(yong)。
作(zuo)為(wei)有機硅(gui)類(lei)接枝共聚(ju)物(wu)，可列舉將在有機硅(gui)分(fen)子鏈的末端具(ju)有(甲基(ji))丙烯(xi)酰基(ji)或者苯乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基(ji)等的單(dan)(dan)體(ti)(以下稱為(wei)“有機硅(gui)類(lei)單(dan)(dan)體(ti)”)與(甲基(ji))丙烯(xi)酸類(lei)單(dan)(dan)體(ti)、苯乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)等具(ju)有乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基(ji)的單(dan)(dan)體(ti)聚(ju)合而成的乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基(ji)聚(ju)合物(wu)等(例如，參照(zhao)日(ri)本專利特(te)開號公報)。
作為用于有(you)機硅類接枝共(gong)聚物的(甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸類單體，可列(lie)舉甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸烷基(ji)(ji)酯、(甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸羥(qian)基(ji)(ji)烷基(ji)(ji)酯、改(gai)性(甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸羥(qian)基(ji)(ji)酯、以及(甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸等，其中(zhong)優選為(甲基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)酸烷基(ji)(ji)酯。
作為(wei)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)烷基(ji)(ji)(ji)酯(zhi)，可列(lie)舉(ju)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)甲(jia)(jia)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)乙酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)正丙(bing)(bing)(bing)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)正丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)異(yi)丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)叔(shu)丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)-2-乙基(ji)(ji)(ji)己基(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)月桂酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)硬脂(zhi)基(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、以及(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)異(yi)冰片酯(zhi)、以及(甲(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)羥(qian)基(ji)(ji)(ji)烷基(ji)(ji)(ji)酯(zhi)等。
作(zuo)為(wei)(甲(jia)(jia)基)丙烯(xi)酸羥基烷基酯(zhi)(zhi)，可列(lie)舉(甲(jia)(jia)基)丙烯(xi)酸羥基乙(yi)酯(zhi)(zhi)、(甲(jia)(jia)基)丙烯(xi)酸羥基丙酯(zhi)(zhi)、以及(甲(jia)(jia)基)丙烯(xi)酸羥基丁酯(zhi)(zhi)等。
作為改(gai)性(xing)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸羥(qian)基(ji)(ji)酯(zhi)，可列舉(ju)環(huan)氧乙烷改(gai)性(xing)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸羥(qian)基(ji)(ji)酯(zhi)以及內酯(zhi)改(gai)性(xing)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸羥(qian)基(ji)(ji)酯(zhi)等。
有(you)(you)機(ji)硅(gui)類單體(ti)和(he)其(qi)他具(ju)有(you)(you)乙烯基的單體(ti)的比率沒有(you)(you)特別的限定，優選在(zai)有(you)(you)機(ji)硅(gui)類接枝共聚(ju)物100質量份(fen)(fen)中使有(you)(you)機(ji)硅(gui)類單體(ti)為(wei)15～50質量份(fen)(fen)。若有(you)(you)機(ji)硅(gui)類單體(ti)的含量少，則在(zai)擴張(zhang)時粘(zhan)合(he)片無法充分且均(jun)勻地擴張(zhang)，含量過(guo)多(duo)會導致成本增加。
減摩劑(ji)的(de)添加量(liang)沒(mei)有特別(bie)的(de)限制，優選相對(dui)于(yu)有機(ji)粘(zhan)合(he)劑(ji)100質量(liang)份為0.005～10質量(liang)份。若(ruo)減摩劑(ji)的(de)添加量(liang)少，則(ze)無法充分擴(kuo)張(zhang)粘(zhan)合(he)片，若(ruo)添加量(liang)過多則(ze)導致抗靜電效(xiao)果降(jiang)低。
(抗靜電劑)
抗(kang)靜(jing)電劑沒有特別的限(xian)制(zhi)，可使用季銨鹽(yan)單(dan)體等。
作為(wei)季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)單體，可(ke)列舉(甲(jia)基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)酸二甲(jia)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)乙(yi)(yi)酯(zhi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)、(甲(jia)基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)酸二乙(yi)(yi)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)乙(yi)(yi)酯(zhi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)、(甲(jia)基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)酸甲(jia)基(ji)(ji)乙(yi)(yi)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)乙(yi)(yi)酯(zhi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)、對二甲(jia)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)苯(ben)乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)、以及對二乙(yi)(yi)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)苯(ben)乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)等，優選使用甲(jia)基(ji)(ji)丙(bing)烯(xi)(xi)酸二甲(jia)基(ji)(ji)氨(an)(an)基(ji)(ji)乙(yi)(yi)酯(zhi)的季(ji)銨(an)(an)鹽(yan)。
抗(kang)靜電(dian)劑的添加(jia)(jia)量(liang)沒有特(te)別的限制，優選相對于有機粘(zhan)合劑100質(zhi)(zhi)量(liang)份(fen)為0.005～10質(zhi)(zhi)量(liang)份(fen)。若抗(kang)靜電(dian)劑的添加(jia)(jia)量(liang)不足，則無法(fa)發揮抗(kang)靜電(dian)效果，若添加(jia)(jia)量(liang)過多則有可能導(dao)致基材膜3與(yu)背面層5之間的密合性降低(di)。
(有機粘合劑)
作為有機(ji)粘合劑沒有特別的限制(zhi)，可列(lie)舉(甲基(ji))丙烯(xi)酸(suan)酯類(lei)(lei)(lei)(lei)聚(ju)(ju)合物、丙烯(xi)酸(suan)類(lei)(lei)(lei)(lei)、聚(ju)(ju)氨酯類(lei)(lei)(lei)(lei)、聚(ju)(ju)酯類(lei)(lei)(lei)(lei)、環氧(yang)類(lei)(lei)(lei)(lei)、聚(ju)(ju)氯乙烯(xi)類(lei)(lei)(lei)(lei)、三聚(ju)(ju)氰胺類(lei)(lei)(lei)(lei)、聚(ju)(ju)酰(xian)亞胺類(lei)(lei)(lei)(lei)、以及有機(ji)硅類(lei)(lei)(lei)(lei)等(deng)。
(甲基(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酸酯(zhi)類(lei)聚(ju)合(he)物是指，具有(甲基(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酸酯(zhi)單體單元的(de)乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)基(ji)化合(he)物的(de)聚(ju)合(he)物。(甲基(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酸酯(zhi)類(lei)聚(ju)合(he)物也可(ke)以具有，來(lai)自含(han)有官(guan)能團的(de)單體、苯乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)、乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)基(ji)甲苯、乙(yi)(yi)酸烯(xi)(xi)(xi)(xi)丙(bing)酯(zhi)、(甲基(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)(xi)(xi)腈、乙(yi)(yi)酸乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酯(zhi)、丙(bing)酸乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酯(zhi)、丁酸乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酯(zhi)、叔碳酸乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)酯(zhi)、乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)基(ji)乙(yi)(yi)基(ji)醚、乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)基(ji)丙(bing)基(ji)醚、乙(yi)(yi)烯(xi)(xi)(xi)(xi)基(ji)異丁基(ji)醚等的(de)單體單元。
作為(甲(jia)基)丙烯(xi)酸酯(zhi)類聚(ju)合物，優選(xuan)使用(甲(jia)基)丙烯(xi)酸酯(zhi)單(dan)體(ti)與含(han)有官能(neng)團的單(dan)體(ti)的共聚(ju)物。
含有官(guan)能(neng)團(tuan)的單(dan)體是指，具有羥基(ji)、羧基(ji)、環氧(yang)基(ji)、酰(xian)胺基(ji)、氨基(ji)、羥甲基(ji)、磺(huang)酸(suan)基(ji)、氨基(ji)磺(huang)酸(suan)基(ji)、(亞)磷酸(suan)酯基(ji)等(deng)官(guan)能(neng)團(tuan)的單(dan)體。
(甲基)丙烯酸酯類聚合物(wu)，從(1)抗靜電(dian)劑(ji)(ji)或(huo)者減摩劑(ji)(ji)之間的(de)相(xiang)容性良(liang)好，(2)可(ke)強(qiang)化背面層5與基材膜3之間的(de)密合性等的(de)觀點，作(zuo)為有機粘合劑(ji)(ji)優選(xuan)使用。
(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)酯(zhi)單(dan)(dan)體可(ke)列舉例如，(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)異丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)叔丁(ding)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)戊酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)辛酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)2-乙(yi)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)己酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)壬(ren)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)癸酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)月桂(gui)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)乙(yi)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)異丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)十(shi)(shi)三烷基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)十(shi)(shi)四(si)烷基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)十(shi)(shi)六烷基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)十(shi)(shi)八烷基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)環己基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)芐(xia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)酯(zhi)等。(甲(jia)(jia)(jia)(jia)(jia)基(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji))丙(bing)(bing)(bing)(bing)(bing)烯(xi)(xi)(xi)酸(suan)(suan)(suan)酯(zhi)單(dan)(dan)體也可(ke)以并(bing)用多個成分。
作為具有羥(qian)基(ji)(ji)的單體，可列舉2-羥(qian)乙基(ji)(ji)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸(suan)酯(zhi)、2-羥(qian)丙基(ji)(ji)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸(suan)酯(zhi)、2-羥(qian)丁基(ji)(ji)(甲(jia)(jia)基(ji)(ji))丙烯酸(suan)酯(zhi)等。
作為具(ju)有羧(suo)基(ji)的(de)單體，可列(lie)舉(甲(jia)基(ji))丙烯(xi)酸(suan)(suan)、丁(ding)烯(xi)酸(suan)(suan)、馬來(lai)酸(suan)(suan)、馬來(lai)酸(suan)(suan)酐、亞甲(jia)基(ji)丁(ding)二酸(suan)(suan)、反(fan)丁(ding)烯(xi)二酸(suan)(suan)、丙烯(xi)酰胺n-乙醇酸(suan)(suan)、肉桂(gui)酸(suan)(suan)等
作為具有環氧基(ji)的單(dan)體，可列舉丙基(ji)縮水甘油(you)醚、(甲基(ji))丙烯酸縮水甘油(you)醚等。
作(zuo)(zuo)為(wei)具有酰(xian)胺(an)基(ji)(ji)的單(dan)體(ti)(ti)(ti)，可(ke)列舉(ju)例如(甲(jia)基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)酰(xian)胺(an)等。作(zuo)(zuo)為(wei)具有氨(an)基(ji)(ji)的單(dan)體(ti)(ti)(ti)，可(ke)列舉(ju)例如(甲(jia)基(ji)(ji))丙(bing)烯(xi)(xi)酸n，n-二甲(jia)基(ji)(ji)氨(an)基(ji)(ji)乙酯等。作(zuo)(zuo)為(wei)具有羧甲(jia)基(ji)(ji)的單(dan)體(ti)(ti)(ti)，可(ke)舉(ju)例為(wei)，n-羥甲(jia)基(ji)(ji)丙(bing)烯(xi)(xi)酰(xian)胺(an)等。含有官能團的單(dan)體(ti)(ti)(ti)，也可(ke)以并用(yong)多個(ge)成分。
作(zuo)為(甲(jia)(jia)基)丙(bing)烯(xi)酸(suan)(suan)(suan)酯(zhi)類聚合物，作(zuo)為上述以外的單體，還(huan)可適用(yong)例如(ru)，苯(ben)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)、乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基甲(jia)(jia)苯(ben)、乙(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)烯(xi)丙(bing)酯(zhi)、(甲(jia)(jia)基)丙(bing)烯(xi)腈、乙(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)酯(zhi)、丙(bing)酸(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)酯(zhi)、丁(ding)酸(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)酯(zhi)、叔(shu)碳酸(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)酯(zhi)、乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基乙(yi)(yi)(yi)基醚(mi)、乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基丙(bing)基醚(mi)、乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)基異丁(ding)基醚(mi)等。
背面層5中可適(shi)當添加各種添加劑(ji)(ji)，例如固化劑(ji)(ji)、增塑劑(ji)(ji)、抗老化劑(ji)(ji)、填(tian)料、無機潤滑(hua)劑(ji)(ji)等。
形(xing)成背(bei)面層5的(de)方法(fa)(fa)沒有特(te)別的(de)限制，例如，可列舉利用凹印(yin)涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)機(ji)、逗號涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)機(ji)、線棒涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)機(ji)、刮刀涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)機(ji)或輥(gun)涂(tu)(tu)機(ji)等涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)機(ji)在基材膜3上直(zhi)接涂(tu)(tu)布(bu)(bu)(bu)的(de)方法(fa)(fa)，或者可利用凸板印(yin)刷(shua)、凹版印(yin)刷(shua)、平版印(yin)刷(shua)、柔性版印(yin)刷(shua)、膠版印(yin)刷(shua)或者絲網(wang)印(yin)刷(shua)等印(yin)刷(shua)方法(fa)(fa)。
形(xing)成的(de)背(bei)面層5的(de)厚度優選為(wei)干燥后的(de)厚度呈(cheng)0.1～20μm。若太薄則(ze)無法發揮(hui)抗靜電效果，若過(guo)度涂布也很難期(qi)待更好的(de)效果，因此不經(jing)濟。
＜粘合劑層7＞
粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)層7通(tong)過在基材膜(mo)3上涂布粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)形成。粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)沒有(you)特別(bie)的(de)限(xian)定(ding)，例如可以使用橡(xiang)膠類粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)、丙(bing)(bing)烯(xi)酸(suan)(suan)類粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)、聚(ju)氨酯(zhi)類粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)、有(you)機硅類粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)等(deng)。本實施(shi)方式優選紫外線(xian)固化(hua)型粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)，因此優選使用丙(bing)(bing)烯(xi)酸(suan)(suan)類粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)。在此情況(kuang)下(xia)，使用例如含有(you)(甲基)丙(bing)(bing)烯(xi)酸(suan)(suan)酯(zhi)共聚(ju)物、分子中具有(you)2個(ge)以上的(de)光(guang)聚(ju)合(he)(he)(he)性碳-碳雙鍵結構的(de)光(guang)聚(ju)合(he)(he)(he)性化(hua)合(he)(he)(he)物、多(duo)官能異氰酸(suan)(suan)酯(zhi)固化(hua)劑(ji)(ji)以及(ji)光(guang)聚(ju)合(he)(he)(he)引(yin)發劑(ji)(ji)的(de)粘(zhan)(zhan)合(he)(he)(he)劑(ji)(ji)。
粘合劑中也可以適當添加各種添加劑，例如(ru)增粘劑、固化(hua)劑、增塑劑、光聚合性化(hua)合物、光引發(fa)劑、發(fa)泡劑、阻(zu)聚劑、抗老化(hua)劑、填(tian)料等。
形成粘(zhan)(zhan)(zhan)合劑層(ceng)(ceng)7的(de)(de)(de)方法(fa)(fa)(fa)(fa)沒有(you)特別(bie)的(de)(de)(de)限制，可(ke)列舉例如(ru)以凹印涂(tu)布(bu)(bu)機(ji)、逗號涂(tu)布(bu)(bu)機(ji)、線棒涂(tu)布(bu)(bu)機(ji)、刮刀涂(tu)布(bu)(bu)機(ji)、或輥(gun)涂(tu)機(ji)等涂(tu)布(bu)(bu)機(ji)在基材膜3上(shang)直接涂(tu)布(bu)(bu)的(de)(de)(de)方法(fa)(fa)(fa)(fa)，或者采用(yong)凸板印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷、或絲網印刷等的(de)(de)(de)印刷方法(fa)(fa)(fa)(fa)。粘(zhan)(zhan)(zhan)合劑層(ceng)(ceng)7的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)，優(you)選為(wei)干燥后的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)呈2～30μm。若(ruo)粘(zhan)(zhan)(zhan)合劑層(ceng)(ceng)小于(yu)2μm，則(ze)無(wu)(wu)法(fa)(fa)(fa)(fa)發揮(hui)充分的(de)(de)(de)粘(zhan)(zhan)(zhan)結(jie)力。另(ling)一方面，若(ruo)粘(zhan)(zhan)(zhan)合劑層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)大于(yu)30μm，則(ze)粘(zhan)(zhan)(zhan)合片(pian)的(de)(de)(de)平行線透(tou)射率(lv)則(ze)會下(xia)降，或者擴(kuo)張時的(de)(de)(de)作用(yong)力無(wu)(wu)法(fa)(fa)(fa)(fa)充分傳(chuan)達到芯(xin)片(pian)上(shang)，可(ke)能會使芯(xin)片(pian)無(wu)(wu)法(fa)(fa)(fa)(fa)切(qie)割。
＜半導體裝置的制造方(fang)法＞
本實施方式的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)切(qie)割(ge)用(yong)粘(zhan)合片(pian)(pian)1，優選(xuan)用(yong)于(yu)對于(yu)在表面形成(cheng)有半(ban)(ban)導體(ti)晶片(pian)(pian)，透過粘(zhan)合片(pian)(pian)照(zhao)射激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)進(jin)行激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)切(qie)割(ge)的(de)(de)用(yong)途。激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)切(qie)割(ge)優選(xuan)為如專利文獻(xian)1所公開的(de)(de)那(nei)樣，通過激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)的(de)(de)照(zhao)射在半(ban)(ban)導體(ti)晶片(pian)(pian)內部形成(cheng)改(gai)性部，以(yi)該改(gai)性部為起點進(jin)行半(ban)(ban)導體(ti)晶片(pian)(pian)的(de)(de)分割(ge)的(de)(de)隱形切(qie)割(ge)，但本發明不限(xian)于(yu)此，可用(yong)于(yu)使(shi)用(yong)激(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)的(de)(de)任意的(de)(de)切(qie)割(ge)。
在(zai)此說明使用粘合片(pian)(pian)1的(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)裝置(zhi)的(de)制造方(fang)法(fa)中的(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)晶片(pian)(pian)的(de)加工(gong)工(gong)藝。
首先，表面(mian)形(xing)成有電路的半導體晶片的背面(mian)或者表面(mian)上貼附(fu)粘合片1(貼附(fu)工序(xu))。
接(jie)著，透過粘(zhan)合片1，對半導(dao)體(ti)晶(jing)片照射可見(jian)區域的波長(chang)的激光，對半導(dao)體(ti)晶(jing)體(ti)片進(jin)行定位(定位工(gong)序)。
接著(zhu)，透過粘合片1，對半導體(ti)晶片照(zhao)射紅外區域的波長(chang)的激(ji)光(guang)，在半導體(ti)晶片內部(bu)(bu)形成改性部(bu)(bu)(改性部(bu)(bu)形成工序)
接著(zhu)，通過對(dui)粘合片(pian)1進行擴(kuo)張來分割半導(dao)體晶片(pian)使其芯片(pian)化(擴(kuo)張工序)。
如上所(suo)述(shu)，粘(zhan)合片1為(wei)(wei)，形(xing)成于(yu)基材膜3的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面(mian)側的(de)(de)(de)(de)(de)背(bei)面(mian)層5的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)算(suan)數(shu)平(ping)均粗糙度ra為(wei)(wei)0.1μm以(yi)(yi)下，且400～1400nm波長區域的(de)(de)(de)(de)(de)平(ping)行(xing)線透(tou)射(she)率為(wei)(wei)85％以(yi)(yi)上，因此，透(tou)過粘(zhan)合片1照射(she)可(ke)視(shi)區域或者紅外區域的(de)(de)(de)(de)(de)波長的(de)(de)(de)(de)(de)激光時，直(zhi)進性高的(de)(de)(de)(de)(de)激光以(yi)(yi)高透(tou)射(she)率透(tou)過粘(zhan)合片1。由此，容易適(shi)當(dang)地(di)進行(xing)定位工序以(yi)(yi)及改性部形(xing)成工序。
并(bing)且，粘(zhan)合片(pian)(pian)1在23℃的(de)拉(la)伸彈性模量為50～200mpa，且基(ji)材膜(mo)3的(de)背面側形(xing)成有含有減摩(mo)劑(ji)和抗(kang)靜(jing)電劑(ji)的(de)背面層(ceng)5，而使(shi)粘(zhan)合片(pian)(pian)1易(yi)于(yu)適度地(di)伸張，且粘(zhan)合片(pian)(pian)1對擴(kuo)張裝置容易(yi)滑動，而易(yi)于(yu)適當地(di)進行擴(kuo)張工序。另(ling)外，由(you)于(yu)背面層(ceng)5含有抗(kang)靜(jing)電層(ceng)，分割后的(de)芯(xin)片(pian)(pian)上的(de)異物的(de)附著會被抑制。
【実施例】
以(yi)下，通過實施(shi)例說明本發明，但本發明不(bu)限(xian)于(yu)這(zhe)些實施(shi)例。
(使用原料)
有機粘合(he)劑(ji)：甲(jia)基丙烯酸(suan)甲(jia)酯和甲(jia)基丙烯酸(suan)正(zheng)丁酯的共聚物，市售品。
抗靜電劑：甲(jia)基丙烯酸二甲(jia)基氨(an)基乙酯的(de)季銨(an)鹽(季銨(an)類乙烯基單(dan)體)，市售品。
減摩劑：含有(you)在有(you)機(ji)(ji)硅(gui)分子鏈(lian)的(de)(de)末端具有(you)(甲基)丙烯(xi)(xi)酰基的(de)(de)有(you)機(ji)(ji)硅(gui)類(lei)低聚物單(dan)元(yuan)30質(zhi)量份的(de)(de)，且將丙烯(xi)(xi)酸類(lei)乙烯(xi)(xi)基單(dan)元(yuan)70質(zhi)量份聚合而(er)成的(de)(de)有(you)機(ji)(ji)硅(gui)類(lei)接枝共聚物；市售品(pin)。
丙(bing)烯酸(suan)(suan)酯共聚物：2-乙烯己酯/丙(bing)烯酸(suan)(suan)甲酯/丙(bing)烯酸(suan)(suan)/丙(bing)烯酸(suan)(suan)2-羥基乙酯＝22/71.5/6/0.5(質量比)，mw＝18萬，tg＝－10℃)，市售(shou)品(pin)。
光聚合性(xing)化(hua)合物：六亞甲基二異氰酸(suan)(suan)(suan)酯與二季戊(wu)四醇(chun)五(wu)丙烯酸(suan)(suan)(suan)而成的(de)氨基甲酸(suan)(suan)(suan)酯丙烯酸(suan)(suan)(suan)酯，市售品。
固化(hua)劑(ji)：甲苯二(er)異氰酸酯(zhi)以(yi)及三(san)羥(qian)甲基丙烷三(san)丙烯酸酯(zhi)的加合物，市售品。
光聚(ju)合引發(fa)劑：苯偶(ou)酰二(er)甲基縮(suo)酮(tong)，市售品。
基材膜：厚度(du)為80μm的離(li)聚物樹脂，市(shi)售品(pin)。
＜實施例1＞
粘合片1由如下方式(shi)制成(cheng)。
(背面層5)
利用凹版涂布機將有機粘(zhan)合劑100質量份、抗靜電劑10質量份、減(jian)摩劑10質量份的(de)(de)混合溶液(ye)涂布于基材膜(mo)3上(shang)，形(xing)成厚度為1μm的(de)(de)背面(mian)層5。
(粘合劑)
作為粘(zhan)合(he)劑，相對于丙烯酸酯(zhi)共聚物(wu)(wu)100質量(liang)(liang)份(fen)，使用了混合(he)光(guang)聚合(he)性(xing)化合(he)物(wu)(wu)50質量(liang)(liang)份(fen)、固(gu)化劑3質量(liang)(liang)份(fen)、光(guang)聚合(he)引發劑3質量(liang)(liang)份(fen)的粘(zhan)合(he)劑。
(粘合片的制造)
將(jiang)紫外線固化型粘合劑涂(tu)布(bu)于聚對苯二酸乙二醇酯制的(de)分離膜上(shang)，使干燥后的(de)粘合劑層7的(de)厚度(du)(du)呈10μm。將(jiang)該粘合劑層7涂(tu)布(bu)于預先設有厚度(du)(du)為1μm的(de)背(bei)(bei)面(mian)(mian)層5的(de)基材膜3的(de)，與背(bei)(bei)面(mian)(mian)層5相反側的(de)面(mian)(mian)上(shang)，之后，在(zai)40℃熟化7日，得到粘合片1。
(評價方法)
算(suan)術(shu)平均(jun)粗糙(cao)度(du)ra：背面層5表面的(de)算(suan)術(shu)平均(jun)粗糙(cao)度(du)ra依(yi)據jisb0601:2001，利用三(san)豐(mitutoyo)公司制的(de)表面粗糙(cao)度(du)測定儀(surftestsj-310)，n＝10的(de)條(tiao)件下(xia)測定，求出其平均(jun)值(zhi)。
拉(la)(la)(la)伸(shen)(shen)彈(dan)性模(mo)量(liang)：粘(zhan)合(he)片1的(de)(de)拉(la)(la)(la)伸(shen)(shen)彈(dan)性模(mo)量(liang)為(wei)，利用萬能拉(la)(la)(la)張(zhang)試驗機(orientec公(gong)司制(zhi)tensilonrta-t-2m)，遵照jisk7161：1994，在23℃，濕度50％的(de)(de)環境下，以(yi)張(zhang)拉(la)(la)(la)速(su)度5mm/分(fen)的(de)(de)條(tiao)件測定。應予說(shuo)明，粘(zhan)合(he)片的(de)(de)拉(la)(la)(la)伸(shen)(shen)彈(dan)性模(mo)量(liang)為(wei)紫外線照射前的(de)(de)粘(zhan)合(he)片的(de)(de)拉(la)(la)(la)伸(shen)(shen)彈(dan)性模(mo)量(liang)。
平行線(xian)透(tou)射率：粘(zhan)合片1的(de)平行線(xian)透(tou)射率是利用(yong)村上(shang)色彩研(yan)究所制的(de)光(guang)譜霧度計hsp-150v，依據jisk7361-1:1999來(lai)測定。400～1400nm的(de)波長區域的(de)測定范圍(wei)中，將最低的(de)透(tou)射率記于表。
動摩(mo)(mo)擦(ca)(ca)系(xi)數：在23℃，濕度50％的(de)環境下的(de)粘合片1的(de)背面層(ceng)5的(de)動摩(mo)(mo)擦(ca)(ca)系(xi)數是(shi)依據jisk7125，利(li)用(yong)摩(mo)(mo)擦(ca)(ca)測定儀tr-2(東(dong)洋精機制作所制)來(lai)測定。
抗靜電(dian)性能：在23℃，濕度50％的(de)(de)環境下(xia)的(de)(de)粘合片1的(de)(de)背(bei)面層(ceng)5的(de)(de)表面電(dian)阻率是(shi)依(yi)據(ju)jisk6911，利用電(dian)位計(愛德萬測(ce)(ce)試(shi)公司制r8340a)以(yi)及(ji)電(dian)阻率·樣品室(愛德萬測(ce)(ce)試(shi)公司制r12704a)來測(ce)(ce)定。
芯(xin)片(pian)分割(ge)性(xing)(xing)：在(zai)直徑為(wei)8英寸，厚度為(wei)100μm的磨削完的硅晶片(pian)上貼附粘(zhan)合片(pian)1，透過粘(zhan)合片(pian)1照射(she)激光，使在(zai)硅晶片(pian)內部形成改性(xing)(xing)層。之后，利用擴(kuo)(kuo)張裝置(zhi)，以拉(la)伸量為(wei)20mm，擴(kuo)(kuo)張速度為(wei)10mm/s的條件下，將粘(zhan)合片(pian)擴(kuo)(kuo)張，分割(ge)芯(xin)片(pian)。根據(ju)芯(xin)片(pian)分割(ge)率，由以下基準評價。
a：芯片分割(ge)率為95％以上
b：芯片分割率為90％以上且(qie)小于95％
c：芯片(pian)分(fen)割率為小于(yu)90％
激光的照射條件(jian)如下(xia)。
·光源：nd-yag激光
·波長(chang)：1064nm
·重復頻率：100khz
·脈沖寬度：30ns
·切割(ge)速(su)度：100mm/秒
·晶片大小(xiao)：50mm×50mm(正方(fang)形)
·切(qie)割(ge)芯片大小：5mm×5mm
異(yi)物附(fu)著(zhu)(zhu)與否：用光學顯微鏡觀察10個已(yi)分割(ge)的芯片，確(que)認是否附(fu)著(zhu)(zhu)有2μm以上的粉塵。將(jiang)結果示于表(biao)1。
＜實(shi)施例2～11以及比較例1～4＞
將抗(kang)靜電劑以及(ji)(ji)減摩劑的(de)添加量，基材膜3的(de)種類(lei)以及(ji)(ji)厚度，如(ru)表(biao)1～表(biao)2所示改(gai)變背面(mian)層5的(de)表(biao)面(mian)的(de)表(biao)面(mian)粗糙度之外(wai)，與實施(shi)例1同樣地制作(zuo)粘合(he)片，進行評價(jia)。將結果(guo)示于表(biao)1～表(biao)2。
【表1】
【表2】
實(shi)施例1～11的(de)(de)(de)粘合片1的(de)(de)(de)平(ping)行線透(tou)射率為85％，且示出適當的(de)(de)(de)拉伸彈性模量(liang)以及抗靜電(dian)性能，芯(xin)(xin)片分(fen)割(ge)(ge)率高，且可抑(yi)制(zhi)分(fen)割(ge)(ge)后(hou)的(de)(de)(de)異物附著。并且，對(dui)于可視光也(ye)顯示出高透(tou)射率，硅片的(de)(de)(de)定位也(ye)容(rong)易(yi)。另一(yi)方(fang)面，比(bi)較例1～4中，芯(xin)(xin)片分(fen)割(ge)(ge)率低，或者分(fen)割(ge)(ge)后(hou)的(de)(de)(de)芯(xin)(xin)片有異物附著。
在比較例1，背面層5上未(wei)添加抗(kang)靜電劑，導致分割后的芯片上附著有異物。
在(zai)比較例2，背面層5上未(wei)添加減(jian)摩(mo)劑，導(dao)致芯片分割性(xing)惡化。
在比較例3，背面層(ceng)5表(biao)面的表(biao)面粗糙度過大，導致芯(xin)片分割性(xing)惡化。
在比較(jiao)例(li)4，基材膜3的拉伸彈性模量過大，導致芯片(pian)分割性惡化。