一種圓片級封裝結構及其工藝方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種圓片級封裝結構及其工藝方法，屬于半導體封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]現有的圓片級封裝，先對圓片進行劃片，將完成劃片后分離的芯片正面粘貼在載板上，再對載板粘貼芯片的一側進行塑封，去除載板，露出芯片正面，對芯片正面電極進行Fanout重布線制作金屬線路與產品電性的輸出。圓片劃片后單顆芯片排列粘貼在載板上進行包封、制作Fanout金屬線路，一方面芯片排列對位的效率低，而且分離芯片排列對位容易產生位移偏差，這將造成后續芯片正面Fanout金屬線路的偏移；由于圓片Fanout封裝在封裝廠進行，但是對于封裝廠進行Fanout工藝涉及的密間距線路制作，難度比較高，容易出現線路短路、線路剝離的問題，良率偏低。

【發明內容】

[0003]本發明的目的在于克服上述不足，提供一種圓片級封裝結構及其工藝方法，圓片上的圖面設計與引線框的圖面完全對應，實現整片圓片倒裝于引線框，再進行圓片的切割分離以及封裝，實現單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級封裝。
[0004]本發明的目的是這樣實現的:一種圓片級封裝結構，它包括引線框，所述引線框上倒裝有芯片，所述芯片正面設置有金屬凸點，所述金屬凸點與引線框之間通過錫球相連接，所述引線框、金屬凸點和錫球周圍包封有塑封料，所述引腳框背面電鍍有金屬層。
[0005]一種圓片級封裝結構的工藝方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點；
步驟三、在金屬凸點上制作錫球；
步驟四、將圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設備進行回流焊；
步驟六、對完成回流焊的產品進行包封；
步驟七、對完成包封的產品進行引線框背面電鍍；
步驟八、對完成電鍍產品的芯片背面被覆UV膜；
步驟九、對完成電鍍的產品進行切割，分離單個產品；
步驟十、去除芯片背面被覆的UV膜。
[0006]所述圓片正面線路根據引線框圖面進行Fanout設計或引線框圖面根據圓片正面線路進行匹配設計。
[0007]與現有技術相比，本發明具有以下有益效果:
1、芯片重布線制作與封裝分別由各自擅長的晶圓FAB廠與封裝廠完成，產品良率比較尚;
2、引線框單顆Unit尺寸等同于單獨的芯片尺寸，不僅最大化地利用了金屬引線框，而且可以縮小產品尺寸，提高引線框的利用率，降低材料成本；
3、整片圓片一次倒裝完成、大大提高了生產效率，降低了生產成本。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發明一種圓片級封裝結構的結構示意圖。
[0009]圖2~圖11為本發明一種圓片級封裝結構工藝方法的各工序示意圖。
[0010]其中:
引線框I 芯片2
金屬凸點3 錫球4 塑封料5 金屬層6。
【具體實施方式】
[0011]參見圖1，本發明一種圓片級封裝結構，它包括引線框1，所述引線框I上倒裝有芯片2，所述芯片2正面設置有金屬凸點3，所述金屬凸點3與引線框I之間通過錫球4相連接，所述引線框1、金屬凸點3和錫球4周圍包封有塑封料5，所述引腳框I背面電鍍有金屬層6o
[0012]其工藝方法如下:
步驟一、參見圖2，取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸；
步驟二、參見圖3，在圓片正面電極上制作金屬凸點；
步驟三、參見圖4，在金屬凸點上制作錫球；
步驟四、參見圖5，將圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產品尺寸等同于單顆芯片尺寸；
步驟五、參見圖6，將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設備進行回流焊；
步驟六、參見圖7，對完成回流焊的產品進行包封；
步驟七、參見圖8，對完成包封的產品進行引線框背面電鍍；
步驟八、參見圖9，對完成電鍍產品的芯片背面被覆UV膜；
步驟九、參見圖10，對完成電鍍的產品進行切割，分離單個產品；
步驟十、參見圖11，去除芯片背面被覆的UV膜。
[0013]所述圓片正面線路可以根據引線框圖面進行Fanout設計；所述引線框圖面可以根據圓片正面線路進行匹配設計。
【主權項】
1.一種圓片級封裝結構，其特征在于:它包括引線框(1)，所述引線框(I)上倒裝有芯片(2)，所述芯片(2)正面設置有金屬凸點(3)，所述金屬凸點(3)與引線框(I)之間通過錫球(4)相連接，所述引線框(1)、金屬凸點(3)和錫球(4)周圍包封有塑封料(5)，所述引腳框(I)背面電鍍有金屬層(6)。
2.一種圓片級封裝結構的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取一圓片，圓片正面線路設計完全對應于引線框圖面，單顆芯片尺寸等同于封裝尺寸； 步驟二、在圓片正面電極上制作金屬凸點； 步驟三、在金屬凸點上制作錫球； 步驟四、將圓片通過金屬凸點上的錫球倒裝于引線框，引線框單顆產品尺寸等同于單顆芯片尺寸； 步驟五、將完成倒裝的圓片與引線框放入回流焊設備進行回流焊； 步驟六、對完成回流焊的產品進行包封； 步驟七、對完成包封的產品進行引線框背面電鍍； 步驟八、對完成電鍍產品的芯片背面被覆UV膜； 步驟九、對完成電鍍的產品進行切割，分離單個產品； 步驟十、去除芯片背面被覆的UV膜。
3.根據權利要求2所述的一種圓片級封裝結構的工藝方法，其特征在于:所述圓片正面線路根據引線框圖面進行Fanout設計或引線框圖面根據圓片正面線路進行匹配設計。
【專利摘要】本發明涉及一種圓片級封裝結構及其工藝方法，所述結構包括引線框（1），所述引線框（1）上倒裝有芯片（2），所述芯片（2）正面設置有金屬凸點（3），所述金屬凸點（3）與引線框（1）之間通過錫球（4）相連接，所述引線框（1）、金屬凸點（3）和錫球（4）周圍包封有塑封料（5），所述引腳框（1）背面電鍍有金屬層（6）。本發明一種圓片級封裝結構及其工藝方法，圓片上的圖面設計與引線框的圖面完全對應，實現整片圓片倒裝于引線框，再進行圓片的切割分離以及封裝，實現單顆芯片尺寸等同于引線框單顆Unit的晶圓級封裝。
【IPC分類】H01L23-495, H01L21-60
【公開號】CN104538378
【申請號】CN201410827464
【發明人】王亞琴, 梁志忠
【申請人】江蘇長電科技股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月26日