半導體裝置及其制造方法
【專利摘要】提供一種容易制造且薄型的層疊型半導體裝置。其特征在于，包括：多個半導體芯片1a～1h的芯片層疊體1；支持體20，層疊于這個芯片層疊體1的最上層的半導體芯片1h上；樹脂封裝30，將芯片層疊體1密封，以使這個支持體20的一主面20A全部露出，并且，包圍與這個主面20A相鄰的側面20S。
【專利說明】半導體裝置及其制造方法
[0001]相關申請
[0002]本申請享受以日本申請專利2013-39217號(申請日:2013年2月28日)作為基礎申請的優先權。本申請通過參照這個基礎申請而包含基礎申請的全部內容。
【技術領域】
[0003]本發明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。
【背景技術】
[0004]以前，公開了在形成要求NAND型閃存等的大容量的器件時，對經薄厚加工的半導體芯片進行多個層疊并樹脂密封的層疊型的半導體裝置技術。在這樣的半導體裝置中，要求大容量化、高功能化、薄型化。在實現半導體裝置的薄型化方面，重要的是使最上層的半導體芯片上部直到半導體裝置表面為止的距離(以下稱芯片上樹脂厚度)更薄。
[0005]然而，現有技術中，存在“對半導體裝置表面做標記時由激光引起的半導體芯片的電路破壞”和/或“半 導體芯片上的密封樹脂填充性”的問題。尤其是，作為熱固化性樹脂(塑料)的有代表性的形成方法之一，有壓縮成形方法。壓縮成形方法是將計量的成形材料放入加熱的模具的凹部(腔)，用壓縮成形機加壓硬化的形成方法。在壓縮成形中，半導體芯片上樹脂厚度以100μπι為界限。還有，基于半導體芯片上樹脂厚度的填充性的界限也起因于樹脂填充加工方法，作為廉價的制造方法的轉移(transfer)成形中以220~230 μ m為界限。因而，現有結構中難以更進一步的薄型化。

【發明內容】

[0006]本發明的一實施方式的目的在于提供一種容易制造且薄型的層疊型半導體裝置。
[0007]根據本發明的一實施方式，其特征在于，包括:多個半導體芯片的層疊體；支持體，層疊于上述層疊體的最上層的半導體芯片上；樹脂，密封上述層疊體，以使上述支持體的一主面露出，并且，包圍與上述主面相鄰的側面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是模式地表示第I實施方式的半導體裝置的構成的圖，(a)是剖面圖，(b)是頂視圖，(C)是主要部分的放大剖面圖。
[0009]圖2是表示第I實施方式的半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖，(a)~(C)是表不各步驟的圖。
[0010]圖3是表示第I實施方式的半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖，(a)~(C)是表示繼續圖2(c)的各步驟的圖。
[0011]圖4是表示第I實施方式的半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖，(a)~(b)是表示繼續圖3(c)的各步驟的圖。
[0012]圖5是模式地表示第2實施方式的半導體裝置的構成的圖，(a)是剖面圖，(b)是頂視圖。
[0013]圖6是模式地表示第3實施方式的半導體裝置的構成的圖，(a)是剖面圖，(b)是頂視圖。
[0014]圖7是模式地表示第4實施方式的半導體裝置的構成的圖，(a)是剖面圖，(b)是頂視圖。
[0015]圖8是表示第4實施方式的半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖，(a)~(d)是表不各步驟的圖。
[0016]圖9是模式地表示第5實施方式的半導體裝置的構成的圖，(a)是剖面圖，(b)是頂視圖，(C)是主要部分的放大剖面圖。
[0017]符號的說明
[0018]I芯片層疊體，Ia~Ih半導體芯片，IE硅貫通電極，pi電極焊盤，2粘接劑，2P粘接樹脂的圖形(感光性粘接劑)，3凸點電極，5再布線，5a絕緣膜，5b線路層，5c保護膜，p電極焊盤，10布線基板，11樹脂基板，IlA第I面，IlB第2面，12外部連接端子，13內部連接端子，20支持體，20A主面，20S側面，21粘接劑，23膜粘接劑，25臺階，26支持基板，26A主面，26S側面，30密封樹脂，40接合線。
【具體實施方式】
[0019]以下，參照附圖，詳細地說明實施方式涉及的半導體裝置及其制造方法。本實施方式中，在半導體裝置中， 在最上層的半導體芯片上，避開接合線(布線)，或者，以埋入的狀態層疊板狀的材料(硅、樹脂片、金屬片、貼合材料等)，并以使半導體裝置表面露出的方式進行樹脂密封。再者，本實施方式中，作為半導體芯片，說明使用如NAND型閃存等的非易失性存儲器的存儲器芯片的半導體存儲裝置，但是本發明受限于這些實施方式。還有，以下所示的附圖中，為了容易理解，存在各部件的比例與實際不同的情況。
[0020](第I實施方式)
[0021]圖1(a)和圖1(b)是模式地表示第I實施方式的半導體裝置的剖面圖及頂視圖。圖1(c)是該半導體裝置的布線基板的主要部分的放大剖面圖。本實施方式的半導體裝置具備:布線基板10 ;芯片層疊體I，在這個布線基板10上將8個半導體芯片Ia~Ih依次層疊；支持體20，層疊于這個芯片層疊體I的最上層的半導體芯片Ih上；和密封樹脂30。密封樹脂30，以使這個支持體20的一主面20A全部露出，并且包圍與這個主面20A相鄰的4個側面20S的方式將這個芯片層疊體I密封。這個支持體20比密封樹脂30的尺寸小。還有，支持體20覆蓋形成用于最上層的半導體芯片Ih的引線接合的接合區域BA的邊Fl以外的至少I邊。另外，布線基板10的尺寸與密封樹脂30相同。
[0022]支持體20具有形成標志M的厚度30 μ m的金屬板，通過粘接劑21貼合在最上層的半導體芯片Ih上。這個支持體20的膜厚，按照芯片層疊體I的物理特性，期望以不發生翹曲的方式決定。這個粘接劑21也可以是液狀材料、膜材料的任一個，期望厚度為60 μ m以下。再者，通過用銅箔等預先形成標志M，能夠避免通過芯片上樹脂厚度變薄而發生的對于電路的損壞。
[0023]布線基板10，如圖1(c)所示，具有包含通孔h的樹脂基板11，在樹脂基板11的第I面11A，形成外部連接端子12。在將半導體裝置作為BGA封裝使用的場合，作為外部連接端子12，能設置焊錫球、焊錫鍍金、鍍Au等的突起端子。在將半導體存儲裝置作為LGA封裝使用的場合，作為外部連接端子12，設置金屬接地(land)。在樹脂基板11的第2面11B，設置內部連接端子13，經由接合線40連接在構成芯片層疊體I的最下層的半導體芯片Ia的電極焊盤Pl。內部連接端子13，在與芯片層疊體I連接時作為連接部(連接焊盤)起作用，經由包括布線基板10的通孔的布線網(未圖示)與外部連接端子12電連接。
[0024]在樹脂基板11的第2面IlB上，具有多個半導體芯片Ia~Ih的芯片層疊體I經由粘接劑2依次貼固。各半導體芯片Ia~Ih留下形成電極焊盤pi的接合區域BA，依次錯開進行層疊。這個例子中，半導體芯片Ia~Ih在折返部向反方向錯開進行層疊。
[0025]還有，除了布線基板10和最下層的半導體芯片Ia間之外,在半導體芯片Ia~Ih相互間，也通過接合線40電連接。在第2層以上的半導體芯片Ib~lh，也能設置電極焊盤pl，通過電極焊盤Pl間的線接合達成半導體芯片Ia~Ih相互間的電連接。再者，圖1(b)中，省略電極焊盤Pl。
[0026]并且，在布線基板10和支持體20間，具備密封樹脂30，以使支持體20的一主面20A全部露出，并且，包圍與這個主面20A相鄰的4個側面20S的方式將該芯片層疊體I密封。
[0027]根據這個構成，通過以使支持體20的主面20A露出并且用密封樹脂覆蓋周圍地形成密封樹脂30，可消除芯片上樹脂厚度，可以實現樹脂封裝的薄型化。還有，通過調整支持體20的構成材料的物理特性值也容易抑制半導體封裝的翹曲。還有，在樹脂密封時，因為必須考慮芯片上樹脂厚度的區域非常小，所以可以不使用壓縮法，通過作為更廉價的樹脂密封方式的轉移方式實現薄型的半導體封裝。
[0028]其次，說明本實施方式的半導體裝置的制造方法。圖2 (a)~(C)、圖3(a)~(C)、圖4(a)~(b)是表示這個半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖。首先，作為布線基板10，準備在玻璃環氧樹脂基板等具有耐熱性的樹脂基板11形成通孔h并且在第I及2面11A、IlB的正面及背面形成布線網的布線基板。此時，在第2面IlB形成電極焊盤13。
[0029]在該布線基板10上的預定位置，由粘接劑2接合成為層疊體的第I層的半導體芯片la。第I層的半導體芯片la，在布線基板10的第2面IlB上，以預定間隔裝載多個排列(圖2 (a))。實際上，在布線基板10上預先形成銅箔等的圖形，以此為記號裝載半導體芯片。這個圖形在切割時也可使用。
[0030]此后，在各半導體芯片Ia上將預定層數的半導體芯片(Ib~Id)順序層疊。此時，半導體芯片Ia~Id依次錯開排列，以避開用于相互間的連接的接合區域BA。并且，在以層疊的半導體芯片Ia~Id的電極焊盤pl側作為正面的背面側，在用于電連接的接合區域BA以外的地方形成粘接劑2，在層疊半導體芯片Ia~Id時，與相對側的半導體芯片相對應的面貼合固定(圖2(b))。
[0031]之后，在布線基板10和最下層的半導體芯片Ia間，半導體芯片Ia~Id相互間，依次進行線接合，通過接合線40進行電連接(圖2 (c))。在第2層以上的半導體芯片Ia~ld，也能設置電極焊盤pl，通過電極焊盤pl間的線接合達成半導體芯片Ia~Id相互間的電連接。
[0032] 此后，在半導體芯片Id上一邊將預定層數的半導體芯片(Ie~Ih)在反方向錯開一邊順時層疊，形成各芯片層疊體I。此時，半導體芯片Ie~Ih與下層的4個依次在反方向錯開排列，以避開用于相互間的連接的接合區域BA。并且，在以層疊的半導體芯片Ie~Ih的電極焊盤Pl側作為正面的背面側，在用于電連接的接合區域BA以外的地方形成粘接劑2，在層疊半導體芯片Ie~Ih時，與相對側的半導體芯片相對應的面貼合固定(圖3(a))。
[0033]之后,在布線基板10和最下層的半導體芯片Ia間，半導體芯片Ie~Ih相互間，依次進行引線接合，通過接合線40進行電連接(圖3 (b))。這樣，在第5層以上的半導體芯片Ie~lh，也能設置電極焊盤pl，通過電極焊盤pl間的線接合達成半導體芯片Ie~Ih相互間的電連接。
[0034]接著，作為支持體20，準備在金屬板表面形成標志M(參照圖1(b))的支持體。并且，在位于芯片層疊體I的最上層的存儲器芯片(半導體芯片Ih)上，用粘接劑21固定所形成的支持體20 (圖3(c))。
[0035]并且，在設有腔的模具(未圖示)內設置布線基板10，通過使用環氧樹脂的轉移成形，形成密封樹脂30 (圖4(a))。此時，在模具的腔的底面貼緊支持體20的主面20A，由此設置，在主面20A幾乎沒有樹脂的摻雜，以包圍側面20S的方式形成密封樹脂30。
[0036]并且，將轉移成型后的布線基板10貼合在切割帶(未圖示)。從支持體20側，以布線基板10上預先形成的識別標志為基準進行位置對合，采用使用刀片的刀片切割法切斷布線基板10，進行個體片化(圖4(b))。切斷的方法不限于通過刀片切割進行的方法，也可以采用使用模具的方法、使用刀具的方法等的任一個。也可在布線基板10的預定位置，預先準備設置有縫隙等的形狀，在其位置進行切斷。
[0037]此時，在進行刀片切割的場合，將布線基板10貼合在切割帶，使其不會凌亂。由此，同時切斷密封樹脂30、布線基板10，能得到能夠最大限度小型化且切割面統一的結構。并且，用夾頭(未圖示)等抓住從切割帶成為個體片的層疊型半導體裝置，從切割帶剝下。這樣，如圖1(a)~圖1(c)表示的半導體裝置完成。
[0038]根據上述方法，使用金屬板作為支持體20。還有，在構成芯片層疊體I的最上層的半導體芯片Ih上，避開接合線40經由粘接劑21將支持體20貼合，從密封樹脂30表面露出。因此，在支持體20上能容易地形成不存在密封樹脂30的薄型結構，通過更廉價的樹脂密封方式即轉移成形，能夠以極高效率容易地進行樹脂密封。
[0039]再者，在本實施方式的半導體裝置中，支持體20比密封樹脂30的尺寸小，配置成將半導體芯片間及半導體芯片和布線基板10等由接合線40接線的邊以外的至少I邊覆蓋即可。
[0040]還有，在本實施方式的半導體裝置中，支持體20不限于金屬板，也可采用硅、金屬、樹脂片、或半硬化樹脂等任一個形態。并且，作為將這個支持體20固定在最上層的半導體芯片Ih的粘接劑21，可以是液狀材料、膜材料的任一個。粘接劑21的厚度期望在60 μ m以下。若粘接劑21的厚度超過60 μ m，則層疊型半導體裝置的厚變大。還有，粘接劑21和支持體20的合計厚度期望在200 μ m以下。這是通過轉移成形進行樹脂密封的場合的芯片上的樹脂厚度的下限，如本實施方式，是去除芯片上樹脂厚度而能達成的厚度。
[0041]還有，可以在大部分的區域去除芯片上樹脂厚度，能夠實現半導體封裝的薄型化，并且，也容易通過板狀材料的物理特性值調整來進行半導體裝置的彎曲的控制。
[0042](第2實施方式)
[0043]圖5(a)和圖5(b)是模式地表示第2實施方式的半導體裝置的構成的剖面圖及頂視圖。本實施方式的半導體裝置中，支持體20比芯片尺寸大。支持體20配置為覆蓋最上層的半導體芯片Ih。與最上層的半導體芯片Ih連接的接合線40埋入粘接劑21中。除這點以外，與上述實施方式I的半導體裝置相同地形成。本實施方式中，作為粘接劑21需要使用絕緣性高的粘接劑。
[0044]本實施方式中，由于在粘接劑21中埋入接合線40并由支持體20保護，所以電連接變得可靠，可靠性提高。還有，由于是接合線40由粘接劑21保護的構成，所以也可以減小支持體20的厚度，實際上，能減小密封樹脂30全部的厚度。
[0045](第3實施方式)
[0046]圖6(a)和圖6(b)是模式地表示第3實施方式的半導體裝置的構成的剖面圖及頂視圖。本實施方式的半導體裝置中，取代使用第2實施方式中采用的金屬板的支持體20及粘接劑21，配置比芯片尺寸更大地切斷的膜粘接劑23，以覆蓋最上層的半導體芯片lh。與最上層的半導體芯片Ih連接的接合線40埋入膜粘接劑23中，將膜粘接劑23硬化。除這點以外，與上述實施方式2的半導體裝置相同地形成。本實施方式中，作為膜粘接劑23也需要使用絕緣性高的膜粘接劑。
[0047]本實施方式中，由于在膜粘接劑23中埋入接合線40，成為由硬化的膜粘接劑23保護的結構，所以電連接變得可靠，可靠性提高。還有，由于是接合線40僅由膜粘接劑231層保護的構成，所以實際上能減小密封樹脂30全部的厚度。再者，在形成密封樹脂30的轉移模塑步驟之前，容易受到進一步轉移模塑樹脂的流動阻抗，由于固定最上層的接合線40，所以樹脂密封步驟的制造成品率提高。
[0048](第4實施方式) [0049]圖7 (a)和圖7(b)是模式地表示第4實施方式的半導體裝置的構成的剖面圖及頂視圖。本實施方式的半導體裝置中，取代使用第2實施方式中采用的金屬板的支持體20，具備支持基板26。使用比芯片尺寸更大地切斷的且在周邊部以3 μ m左右的臺階(階差)25設置的硅基板，作為支持基板26。除這點以外，與上述實施方式2的層疊型半導體裝置相同地形成。在這個例子中，支持基板26配置為覆蓋最上層的半導體芯片lh。與最上層的半導體芯片Ih連接的接合線40埋入用于連接支持基板26的粘接劑21中，以此狀態將粘接劑21硬化。
[0050]其次，說明本實施方式的半導體裝置的制造方法。圖8(a)~圖8(d)是表示這個半導體裝置的制造步驟的步驟剖面圖。如圖2(a)~圖4(b)所示，與實施方式I的層疊型半導體裝置的制造步驟大體上相同，但是，本實施方式中首先準備支持基板26。
[0051]如圖8(a)所示，準備作為用于形成支持基板26的材料的硅基板。并且，采用光刻法，如圖8(b)所示，在支持基板26的周邊部形成臺階25。
[0052]并且，通過在第I實施方式的圖2(a)~圖3(b)的步驟，在各半導體芯片Ia上順時層疊預定層數的半導體芯片(Ib~Ih)和支持基板26，并且，通過接合線40電連接(圖8(c))。在這里，在第2層以上的半導體芯片Ib~Ih也能設置電極焊盤pl，通過電極焊盤pl間的線接合達成半導體芯片Ia~Ih相互間的電連接。還有,支持基板26通過粘接劑21固定在最上層的半導體芯片Ih上。
[0053]并且，設有腔的模具(未圖示)內設置布線基板10，通過使用環氧樹脂的轉移成形，形成密封樹脂30(圖8(d))。此時，在模具的腔的底面貼緊支持基板26的主面26A，由此設置，在主面26A幾乎沒有樹脂的摻雜，以包圍側面26S的方式形成密封樹脂30。這個例子中，由于在支持基板26的周邊部設置臺階25，在轉移成形中，通過在臺階25中掛上樹脂中包含的填充物，根據停止效應，能緩和溶融樹脂的侵入，降低向支持基板26主面26A的樹脂遺漏。因此，能得到有極少樹脂不均且外觀良好的層疊型半導體裝置。
[0054]再者，這個臺階可以是任何形狀，可以是錐形面，但是臺階最好為30μπι以下。若超越30 μ m,則緩和溶融樹脂的流動這樣的效果變弱。
[0055](第5實施方式)
[0056]圖9(a)和圖9(b)是模式地表示第5實施方式的半導體裝置的構成的剖面圖及頂視圖。圖9(c)是這個主要部分的放大剖面圖。第I至第4實施方式中，說明了使用線接合進行半導體芯片相互間的電連接，錯開接合區域BA進行層疊的例子，但是，本實施方式的半導體裝置使用貫通電極，所謂硅貫通電極(TSV)進行倒裝晶片連接，并非很大地錯開半導體芯片進行層疊，能夠更小型化、薄型化。
[0057]本實施方式的半導體裝置，與布線基板10相對配置，采用使用與半導體芯片I相同尺寸的金屬板的支持體20。具有多個層的半導體芯片Ia~Ih的芯片層疊體1，通過倒裝晶片相互連接。多個層的半導體芯片Ia~Ih相互的電連接，如圖9(c)表示的主要部分的放大剖面圖，通過具有電極焊盤P的硅貫通電極1E、在各半導體芯片Ia~Ih表面的再布線5、和與這個再布線5連接的凸點電極3實現。另一方面，物理的連接用感光性粘接劑2P的圖形來實現。再布線5具備:絕緣膜5a ；由在這個絕緣膜5a形成的開口連接的線路層5b ;和保護線路層5b的保護膜5c。因此，不錯開線接合區域，按I列進行層疊，達成電及物理的連接。再者，這個例子中，半導體芯片Ia~Ih互相之間的物理的連接用感光性粘接劑2P的圖形來實現，但是，在層疊后在他們之間填充使用液狀樹脂的密封樹脂31。并且，進而通過轉移成形由密封樹 脂30覆蓋其外側。
[0058]因此，本實施方式的半導體裝置中，在布線基板10上，將芯片層疊體I和支持體20進行層疊，以達成電及物理的連接的狀態，由密封樹脂30密封。這個密封樹脂30密封支持體20及布線基板10間，構成芯片層疊體I的半導體芯片Ia~Ih間，支持體20、布線基板10和上述芯片層疊體I間，以露出支持體20的主面，包圍與這個主面20A相鄰的4個側面20S。這個密封樹脂30的外緣與布線基板10的外緣垂直地交叉。
[0059]本實施方式中，作為支持體20，使用切斷容易的樹脂基板等，在布線基板10上，將半導體芯片Ia~Ih的層疊體進行層疊。在粘接樹脂的圖形2P間供給液狀樹脂。此后，在最上層的半導體芯片Ih上將支持體20進行層疊。這樣，將各半導體芯片Ia~Ih間及在芯片層疊體I和上述布線基板10間進行樹脂密封，繼續由切割刀片切斷并個體片化。
[0060]布線基板10使用樹脂基板11，在樹脂基板11的第2面11B，設置內部連接端子13，連接在最下層的半導體芯片Ia的電極焊盤。內部連接端子13，在與芯片層疊體I連接時，作為連接部(連接焊盤)起作用，經由布線基板10的布線網(未圖示)與外部連接端子12電連接。
[0061]再者，在本實施方式5中，同樣沒有將支持體20限定于金屬板，也可以采用樹脂等的絕緣性基板、硅基板等的半導體基板。再者，如實施方式4，也可在支持體20的周邊部設置臺階25。還有，也可以使用具有硅貫通電極的硅基板作為支持體，連接在最上層的半導體芯片lh，在這個硅基板連接BGA或者LGA等的外部連接端子，在支持體20側也能實現信號的外部取出。
[0062]還有，在實施方式I~5中，因為構成芯片層疊體的半導體芯片很薄，所以從回避來自里面的光的摻雜引起的誤操作這樣的觀點，在作為支持體20及支持基板26使用樹脂的場合，期望使用遮光性樹脂。
[0063]雖然說明本發明的幾個實施例，但是這些實施例只是作為例示，而不是限定發明的范圍。這些實施例可以各種各樣的形態實施，在不脫離發明的要旨的范圍，可進行各種省略、置換、變更。這些實施例及其變形也是發明的范圍、要旨所包含的，同時也是權利要求的范圍所述的發 明及其均等的范圍所包含的。
【權利要求】
1.一種半導體裝置，其特征在于，包括: 層疊體，將多個半導體芯片依次層疊； 支持體，層疊于上述層疊體的最上層的半導體芯片； 樹脂，以使上述支持體的一主面露出，并且，包圍與上述主面相鄰的側面的側面的方式密封上述層疊體； 其中，上述支持體，在上述主面側的端面具有臺階，并且比上述樹脂的尺寸小， 覆蓋形成用于上述最上層的上述半導體芯片的引線接合的接合區域的邊以外的至少I邊。
2.—種半導體裝置，其特征在于，包括: 層疊體，將多個半導體芯片依次層疊； 支持體，層疊于上述層疊體的最上層的半導體芯片； 樹脂，以使上述支持體的一主面露出，并且，包圍與上述主面相鄰的側面的方式密封上述層疊體。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，比上述樹脂的尺寸小， 配置為覆蓋形成用于上述最上層的上述半導體芯片的引線接合的接合區域的邊以外的至少I邊。
4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，比上述樹脂的尺寸小， 以覆蓋上述最上層的上述半導體芯片的4邊的方式，經由粘接劑進行層疊， 通過上述粘接劑埋入與上述最上層的上述半導體芯片的接合區域接線的接合線。
5.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，比上述半導體芯片的尺寸大，埋入與上述最上層的上述半導體芯片的接合區域接線的接合線， 還包括以覆蓋上述最上層的上述半導體芯片的4邊的方式層疊的膜粘接劑。
6.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，在上述主面側的端面具有臺階。
7.如權利要求2~4和6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，具有金屬基板和粘接劑。
8.如權利要求2~4和6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于， 上述支持體，具有絕緣性基板和粘接劑。
9.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 將多個半導體芯片在基板上層疊； 將支持體層疊于被層疊的多個上述半導體芯片中最上層的上述半導體芯片上； 以使上述支持體的一主面露出，并且，包圍與上述主面相鄰的側面的方式，將上述層疊體進行樹脂密封。
【文檔編號】H01L21/8247GK104022117SQ201310349323
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年8月12日 優先權日:2013年2月28日
【發明者】前田竹識 申請人:株式會社 東芝