軟性基材的封裝工藝及其結構的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種軟性基材的封裝工藝及其結構，利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，其主要是借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補強板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進行芯片的封裝作業，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低；而本發明所述軟性基材的封裝結構主要具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材上接著有芯片，且覆蓋有熱固性材料。
【專利說明】軟性基材的封裝工藝及其結構
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種軟性基材的封裝工藝及其結構，特別是指一種利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，其主要是借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補強板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進行芯片的封裝作業，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低的軟性基材的封裝工藝及其結構。
【背景技術】
[0002]隨著電子產業的蓬勃發展與信息產品的擴增，對半導體電子元件的需求日益殷切，因此，在科技進步及市場需求下，半導體元件的封裝技術進步迅速，主要是將銅箔經由沖切、蝕刻、沖壓等工藝制作而成導線基材，并在導線基材上進行芯片的封裝作業的封裝技術，迄今，導線基材的封裝技術已漸趨成熟。
[0003]而公知較常見的導線架基材的封裝技術為球狀矩陣(Ball Grid Array,以下簡稱BGA)封裝技術，而公知BGA封裝技術根據使用導線基材材料的不同，分為塑料球柵陣列(Plastic BGA，以下簡稱PBGA)、卷帶球柵陣列(Tape BGA，以下簡稱TBGA)等封裝技術。
[0004]請參閱圖1，圖1為公知卷帶球柵陣列封裝技術的封裝結構；由圖可知，所述導線基材4是由電鍍層40、導電材41以及軟性載板42所組合而成，所述導電材41上、下方分別形成有電鍍層40，所述導電材41上方的電鍍層40上形成有粘著層C，所述導電材41下方的電鍍層40上接著有軟性載板42，所述軟性載板42穿置有錫球A，所述導線基材4中間斷開處連接有絕緣層B，在絕緣層B上設置有芯片E，于芯片E兩側形成有絕緣層B，且于芯片E上方覆蓋有熱固性材料F，其中，于粘著層C、熱固性材料F上方覆蓋有散熱層D。
[0005]所述導線基材4的導電材41為銅箔，而所述軟性載板42為酰胺化合物(Polyimide, PI)，因此，導線基材4既輕且薄，能夠較以往完成更小間距的封裝尺寸，因此被廣泛應用于內存或通訊IC或高附加價值的IC上。
[0006]然，由于TBGA封裝技術是采用可撓性的卷帶式基板(如前述由電鍍層40、導電材41以及軟性載板42所組合而成的導線基材4)，因此，在利用TBGA封裝技術進行芯片封裝時，可撓性的卷帶式基板常有翹曲、變形的情況發生，降低封裝工藝的良品率。

【發明內容】

[0007]有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，主要借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補強板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進行芯片的封裝作業，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低的軟性基材的封裝工藝及其結構。
[0008]根據上述目的，本發明提供一種軟性基材的封裝工藝，大致包含有前工藝、裝載、激光及封裝等步驟；該前工藝主要是將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，其中，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與一為酰胺化合物(Polyimide, PI)的軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆。
[0009]接著，在軟性基材的外框架上方、外框架下方的軟性載板、或者同時在軟性基材的外框架上方及外框架下方的軟性載板上接著承載補強板，以增加軟性基材的結構強度。
[0010]接續，在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔，其中，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有金屬保護層；續再于芯片基材上進行芯片的封裝作業。
[0011]最后，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業；其中，所述激光及封裝步驟可依使用者需求而變換順序，倘若激光步驟在封裝步驟之后，則在與導孔相連通的導線及焊墊表面不形成有金屬保護層；此外，當軟性載板下方為完全接著承載補強板時，使用者必須在激光步驟前先進行卸載步驟移除軟性載板下方的承載補強板，以維持激光質量；據此，本發明可借由承載補強板增加軟性基材的結構強度，有效地提升芯片封裝工藝的良品率，同時使成本降低。
[0012]因此，依據前述的封裝工藝可知，本發明所述軟性基材的封裝結構，主要是具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，其中，所述軟性載板內形成有連通導線的導孔以及連通焊墊的整數個導孔，在焊墊上接著有芯片，所述芯片上是以錫球或金屬線與導線接著導通，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料；而所述軟性基材的外框架上方、或外框架下方的軟性載板上、或者同時在軟性基材的外框架上方及對應外框架下方的軟性載板上接著有承載補強板。
[0013]本發明所述軟性基材的封裝工藝及其結構，具有如下有益效果:
1、使用者可依據軟性載板上所接著的承載補強板，而依需求選擇激光及封裝得先后順
序;
2、借由軟性基材的外框架上方及軟性載板上所接著的承載補強板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進行芯片的封裝作業，提升芯片封裝工藝的良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為公知卷帶球柵陣列封裝技術的封裝結構；
圖2為本發明實施例1的流程及其結構圖；
圖3為本發明實施例2的流程及其結構圖；
圖4為本發明實施例3的流程及其結構圖；
圖5為本發明實施例4的流程及其結構圖；
圖6為本發明實施例5的流程及其結構圖；
圖7為本發明實施例6的流程及其結構圖；
圖8為本發明實施例7的流程及其結構圖；
圖9為本發明實施例8的流程及其結構圖；
圖10為本發明實施例9的流程及其結構圖；
圖11為本發明實施例10的流程及其結構圖； 圖12A為本發明實施例11的流程及其結構圖一； 圖12B為本發明實施例11的流程及其結構圖二。
[0015]附圖標記說明
1軟性基材的封裝工藝
10前工藝
11裝載
12激光
13封裝
14卸載
2軟性基材
20外框架
21芯片基材
210焊墊 2100導孔
211導線
212軟性載板 2120導孔
213芯片
214金屬線
215熱固性材料
216錫球
22錫球
23金屬保護層
24熱球
25防焊漆
3承載補強板
4導線基材
40電鍍層
41導電材
42軟性載板 A錫球
B絕緣層
C粘著層
D散熱層
E芯片
F熱固性材料
G導電材
GO第一導電材
Gl第二導電材。【具體實施方式】
[0016]為便于對本發明的目的、效果以與構造特征能有更詳細明確的了解，列舉出如下所述的較佳實施例并結合附圖進行說明。
[0017]實施例1 請參閱圖2。
[0018]由圖可知，本發明所述軟性基材的封裝工藝1，其包含有下列步驟:
前工藝10:將一由導電材G及軟性載板212上下接著而成的軟性基材2經過薄膜、光罩、蝕刻工藝后形成有外框架20，所述軟性基材2的外框架20內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊墊210及兩個以上相互斷開的導線211與軟性載板212上下相互接著而成；其中，所述軟性載板212為酰胺化合物(Polyimide，PD，所述焊墊210及導線211是由第一導電材GO及第二導電材Gl上下接著而成，所述第一導電材GO為銅箔，而所述第二導電材Gl可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
[0019]裝載11:所述裝載11步驟主要是在軟性基材2的外框架20上方接著承載補強板3(其中，所述承載補強板3為鋁或不銹鋼等的金屬材質，也可為聚對苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate, PET)或聚萘二 甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate, PEN)或酰胺化合物(Polyimide, PI)),借以間接增加軟性基材2的結構強度。
[0020]激光12:在軟性載板212上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板212上形成有與導線211相互連通的導孔2120，而在軟性載板212上可依需求設置與焊墊210相連通的整數個導孔2100 (本發明圖2是以兩個導孔2100為較佳實施)，其中，在分別與導孔2120及導孔2100相連通的導線211及焊墊210表面鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成金屬保護層23。
[0021]封裝13:在芯片基材21上進行芯片213的封裝作業，主要是在焊墊210上接著芯片213后，再進行焊線作業，使得芯片213通過金屬線214或是錫球(圖中未示)與芯片基材21的導線211連接導通，接續，再利用為環氧樹脂、硅膠或陶瓷的熱固性材料215在軟性載板212上方及焊墊210與導線211之間進行封膠作業，以令芯片213和外界隔絕，避免金屬線214被破壞，同時可防止濕氣進入接觸芯片213，避免芯片213遭到腐蝕，也可避免不必要的信號干擾，并且能有效地將芯片213運作時所產生的熱氣排出到外界，提升芯片213散熱效果。
[0022]因此，本發明是將為酰胺化合物(Polyimide，PI)的軟性載板212來當作軟性基材2的組成之一，借以間接增加軟性基材2的結構強度，可精確的在軟性基材2進行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進行芯片213封裝工藝的良品率，使成本降低。
[0023]而依據前述的封裝工藝可知，本發明實施例1所述軟性基材的封裝結構，主要是具有由導電材及軟性載板212上下接著的軟性基材2，所述軟性基材形成有外框架20，在外框架20內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊墊210及兩個以上相互斷開的導線211與為酰胺化合物(Polyimide，PI)的軟性載板212上下相互接著而成，而所述軟性基材2的外框架20上方額外接著有承載補強板3，其中，所述軟性載板212內形成有連通導線211的導孔2120以及連通焊墊210的整數個導孔2100，在焊墊210上接著有芯片213，所述芯片213上是以錫球或金屬線214與導線211接著導通，而在接著有芯片213的芯片基材21上覆蓋有為環氧樹脂、硅膠或陶瓷材質的熱固性材料 215。
[0024]實施例2
請參閱圖3。
[0025]由圖可知，本發明實施例2大致上同于實施例1，其主要差異在于，本發明實施例2可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進行封裝13步驟再進行激光12步驟，倘若激光12步驟在封裝13步驟之后，則在分別與導孔2120及導孔2100相連通的導線211及焊墊210表面不形成有金屬保護層(圖中未示)。
[0026]而本發明實施例2同樣可在外框架20上接著有承載補強板3的軟性基材2上精確的進行芯片213的封裝工藝，而其所能達成的功效如同實施例1，在此不再贅述。
[0027]實施例3
請參閱圖4。
[0028]由圖可知，本發明實施例3大致上同于實施例1，其主要差異在于，本發明實施例3的前工藝10步驟后的裝載11步驟所使用的承載補強板3接著在軟性基材2的對應外框架20下方的軟性載板212上，同樣可間接增加軟性基材2的結構強度，以精確的進行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進行芯片213封裝工藝的良品率。
[0029]而依據實施例3的封裝工藝可知，本發明實施例3的軟性基材的封裝結構與實施例I的軟性基材的封裝結構差異在于，所述承載補強板3接著于軟性基材2的外框架20下方的軟性載板212上。
[0030]實施例4 請參閱圖5。
[0031]由圖可知，本發明實施例4大致上同于實施例2，其主要差異在于，本發明實施例4可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進行封裝13步驟再進行激光12步驟，同樣可在接著有承載補強板3的軟性基材2上精確的進行芯片213的封裝工藝，而其所能達成的功效如同實施例2，在此不再贅述。
[0032]實施例5 請參閱圖6。
[0033]由圖可知，本發明實施例5大致上同于實施例1及實施例3，其主要差異在于，本發明實施例5的前工藝10步驟后的裝載11步驟主要是在軟性基材2的外框架20上方及對應外框架20下方的軟性載板212上同時接著有承載補強板3，大幅提升軟性基材2的結構強度，可精確的進行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進行芯片213封裝工藝的良品率及產率，使成本降低。
[0034]而依據實施例5的封裝工藝可知，本發明實施例5的軟性基材的封裝結構與實施例I的軟性基材的封裝結構的結構差異在于，所述軟性基材2的外框架20上方及對應外框架20下方的軟性載板212上分別接著有承載補強板3。
[0035]實施例6 請參閱圖7。[0036]由圖可知,本發明實施例6大致上同于實施例5,其主要差異在于,本發明實施例6可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進行封裝13步驟再進行激光12步驟，同樣可利用承載補強板3大幅提升軟性基材2的結構強度，而其封裝工藝所能達成的功效如同實施例5，在此不再贅述。
[0037]實施例7 請參閱圖8。
[0038]由圖可知，本發明實施例7大致上同于實施例4，其主要差異在于，本發明實施例7的前工藝10步驟的裝載11步驟，其主要是在軟性載板212下方完全接著承載補強板3，使得軟性基材2借由承載補強板3而在封裝工藝中減少翹曲、變形，因此，可精確進行芯片213的封裝13作業；而當芯片基材21完成封裝13步驟后，先進一步進行卸載14步驟，其主要是用以移除軟性載板212下方的承載補強板3，使得軟性載板212在進行激光12作業時，不會有任何的承載補強板3碎屑殘留，保有芯片213運作的質量，免除承載補強板3碎屑有阻礙芯片基材21后續與基板(圖中未示)導通的虞慮，有效的維持激光質量，提升芯片封裝工藝的良品率。
[0039]實施例8 請參閱圖9。
[0040]由圖可知，本發明實施例8大致上同于實施例7，其主要差異在于，本發明實施例8在前工藝10步驟后的裝載11步驟時，除了在軟性載板212下方完全接著承載補強板3之夕卜，同時,在軟性基材2的外框架20上方也同時接著有承載補強板3，同樣使得軟性基材2借由承載補強板3而在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進行后續芯片213的封裝工藝，而其封裝工藝所能達成的功效如同實施例7，在此不再贅述。
[0041]實施例9
請參閱圖10,并配合參閱圖2至圖9。
[0042]由圖可知，本發明實施例9所述軟性基材的封裝結構是依據前述軟性基材的封裝工藝所得的軟性基材2成品中的芯片基材21的截面視角來當作較佳實施例，其中，所述芯片213是以焊線方式與導線211相互接著導通。
[0043]而所述具有導孔2120的芯片基材21可進行后續的植球作業，使得芯片基材21上的芯片213可借由錫球22與基板(圖中未示)接著導通。
[0044]實施例10 請參閱圖11。
[0045]由圖可知，本發明實施例10大致上同于實施例9，其主要差異在于，實施例10所述芯片基材21上的導線211可為環繞在焊墊210周緣呈矩形陣列形態，使得芯片213可利用復數條金屬線214分別連接各個導線211，以連結多個導通信號。
[0046]此外，為了防止芯片213運作時有溫度過高的情況發生，可以在焊墊210下方額外設置導孔2100，并且在導孔2100上植上熱球24，以利用熱球24傳導、逸散芯片213的熱量，延長芯片213的使用壽命。
[0047]實施例11
請參閱圖12A及圖12B。
[0048]由圖12A可知，本發明實施例11所述軟性基材的封裝結構大致上同于實施例9及實施例10，其主要差異在于，所述芯片基材21上的兩個以上的導孔2120是環繞在焊墊210周緣呈矩形陣列形態，且所述兩個以上的導線211的一端分別連結兩個以上的導孔2120，而兩個以上的導線211另一端則與芯片213連接導通。
[0049]再由圖12B可知，所述芯片是以錫球216而分別與復數條導線211及焊墊210相互接著，芯片通過錫球216與復數條導線211相互導通，以連結多個信號；其中，所述焊墊210及兩個以上的導線211是由第一導電材GO及第二導電材Gl相互接著而成。
[0050]此外，為了維持兩個以上的導線211有良好的導電性，可依需求在芯片213外圍的芯片基材21上表面涂布防焊漆25，接著，再于芯片213上以熱固型材料215進行封膠作業。
[0051]又，為了防止芯片213運作時有溫度過高的情況發生，可以在焊墊210下方額外設置導孔2100，并且在導孔2100上植上熱球24，以利用熱球24傳導、逸散芯片213的熱量，延長芯片213的使用壽命。
[0052]而借由上述結構，本發明實施例11的芯片基材21可借由導孔2120進行后續的植球作業，使得芯片基材21上的芯片213可借由錫球22與基板(圖中未示)接著導通。
[0053]以上所述，僅為本發明的較佳實施例而已，并非用于限制本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性基材的外框架上方接著承載補強板； 激光:在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有金屬保護層； 封裝:在芯片基材上進行芯片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業。
2.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
3.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成，而所述金屬保護層為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
4.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹月旨、硅膠或陶瓷。
5.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時，在對應外框架下方的軟性載板上同時接著有承載補強板。`
6.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
7.如權利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
8.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在對應外框架下方的軟性載板上接著承載補強板； 激光:在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有金屬保護層； 封裝:在芯片基材上進行芯片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業。
9.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
10.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成，而所述金屬保護層為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
11.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料環氧樹月旨、硅膠或陶瓷。
12.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時，在外框架上方同時接著有承載補強板。
13.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
14.如權利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
15.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性基材的外框架上方接著承載補強板； 封裝:在芯片基材上進行芯片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業； 激光:在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔。
16.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
17.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
18.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
19.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時，在對應外框架下方的軟性載板上同時接著有承載補強板。
20.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
21.如權利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
22.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆；裝載:在對應外框架下方的軟性載板上接著承載補強板； 封裝:在芯片基材上進行芯片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業； 激光:在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔。
23.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
24.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
25.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
26.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時，在外框架上方同時接著有承載補強板。
27.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
28.如權利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
29.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材經過薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而在導線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性載板下方接著承載補強板； 封裝:在芯片基材上進行芯片的封裝作業，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進行封膠作業； 卸載:移除軟性載板下方的承載補強板； 激光:在軟性載板上進行激光鉆孔作業，使得軟性載板上形成有與導線相互連通的導孔，而在軟性載板上可依需求設置與焊墊相連通的整數個導孔。
30.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
31.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
32.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
33.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時，在外框架上方同時接著有承載補強板。
34.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
35.如權利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
36.一種軟性基材的封裝結構，主要是具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而所述軟性基材的外框架上接著有承載補強板，其特征在于， 所述軟性載板內形成有連通導線的導孔以及連通焊墊的整數個導孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
37.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
38.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
39.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
40.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
41.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
42.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護層。
43.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導線接著導通。
44.如權利要求36所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導線接著導通。
45.一種軟性基材的封裝結構，主要是具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而所述外框架下方的軟性載板上接著有承載補強板，其特征在于， 所述軟性載板內形成有連通導線的導孔以及連通焊墊的整數個導孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
46.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
47.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
48.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
49.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
50.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
51.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護層。
52.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導線接著導通。
53.如權利要求45所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導線接著導通。
54.一種軟性基材的封裝結構，主要是具有由導電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內形成有由兩個以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個以上相互斷開的導線與軟性載板上下相互接著而成，而所述軟性基材的外框架上方與對應外框架下方的軟性載板分別接著有承載補強板，其特征在于， 所述軟性載板內形成有連通導線的導孔以及連通焊墊的整數個導孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
55.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物 Polyimide, PI。
56.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述焊墊及導線是由一第一導電材及一第二導電材 上下接著而成，所述第一導電材為銅箔，而所述第二導電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
57.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述熱固性材料為環氧樹脂、硅膠或陶瓷。
58.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為金屬材質。
59.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述承載補強板為聚對苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
60.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，在與導孔相連通的導線及焊墊表面鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護層。
61.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導線接著導通。
62.如權利要求54所述的軟性基材的封裝結構，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導線接著導通。
【文檔編號】H01L21/50GK103594425SQ201210289832
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月15日 優先權日:2012年8月15日
【發明者】黃嘉能, 楊順卿, 陳子仁 申請人:長華電材股份有限公司