專利名稱：半導體封裝和方法
半導體封裝和方法相關美國申請本申請要求以轉讓給本發明的受讓人的申請日為2010年I月19日的，序列號為61/296，471,標題為“包括管芯和L形引線的半導體封裝和制造方法”(SemiconductorPackages Including Die and L-Shaper Lead and Method of Manufacturing)的待審臨時專利申請，以及申請日為2010年3月24日，序列號為12/730，230，標題為“包括管芯和L形引線的半導體封裝和制造方法”(Semiconductor Packages Including Die and L-ShaperLead and Method of Manufacturing)的待審非臨時專利申請的優先權,在此結合其全部內容作為參考。
背景技術：
多個半導體管芯包括在管芯(die)的相反側上的端子。例如，垂直電源MOSFET，無論是平面型的還是溝槽式柵極變型，通常具有在管芯的前側上的源極和柵極端以及在管芯的后側上的漏極端。然而，為了緊湊、容易且經濟地制造包括該半導體管芯的裝置，有利地將管芯封裝成使得所有的端子都位于封裝的同一側。在圖I中示出了傳統的封裝，其包括在上和下引線框之間以倒裝片的方式插入管芯。來自下引線框(未示出)的一個或多個下引線110、115電連接至管芯130底面上的端子。來自上引線框(未示出)的上引線135包括電連接至管芯130的頂側的中心部分，和相對的邊緣，該相對的邊緣圍繞管芯向下彎曲成“u”形或杯形并電連接至多個相應下引線120、125。管芯130的端子通過焊料層的方式電連接至引線110、115、135。然后，管芯130以及上下引線110-125、130的部分被封裝起來。上引線135的向下彎曲邊緣接觸多個下引線120、125，因此所有的外封裝觸點為共面的，允許該封裝被表面安裝在印刷電路板上。

發明內容
概括地，本說明公開了包括管芯和L型引線的半導體封裝及制造方法。參考下文中的說明以及用于示出本發明的實施方式的附圖可更好地理解本發明。在一個實施方式中，半導體封裝包括管芯、多個下引線和一個或多個上引線。一個或多個下引線電連接至管芯的第一側上的管芯觸點。一個或多個上引線具有L形狀，且電連接至管芯的第二側上的相應管芯觸點以及相應的其它下引線，使得封裝觸點位于半導體封裝的第一側。在另一個實施方式中，封裝半導體的方法包括將多個管芯的每一個的第一表面上的一個或多個觸點電連接至下引線框的多個引線的相應引線。上引線框的各相應引線組的相對邊緣彎曲，且接著上引線框的引線電連接在各相應管芯的第二表面上的相應觸點與下引線框的多個引線的另一相應引線之間。上引線框的各相應引線組的彎曲相對邊緣在包封之前支撐上引線框，以實現在封裝半導體中多個管芯在上和下引線框的引線之間的期望位置。在包封管芯被分開后，上引線為L形，且將管芯的上側上的管芯觸點電連接至管芯的下側上的引線，從而封裝觸點位于半導體封裝的同一側。


在附圖的圖中，以示例的方式而不是限制的方式示出本發明的實施方式，且其中相似的附圖標記表示相似的元件，其中圖I示出了根據傳統技術的半導體封裝的側視圖，該半導體封裝包括以倒插的方式插入在上和下引線框之間的管芯。圖2A和2B示出了根據本發明的實施方式的示例性的上和下引線框的平面圖。
圖3A和3B示出了根據本發明的實施方式的將多個管芯連接至下引線框的頂視圖和側視圖。圖4A和4B是根據本發明的實施方式的將上引線框連接至下引線框和多個管芯的頂視圖和側視圖。圖5示出了根據本發明的實施方式的示例性封裝半導體裝置的側視圖。圖6示出了根據本發明的實施方式的制造封裝半導體裝置的方法的流程圖。
具體實施例方式具體地參考本發明的實施方式，在附圖中示出了示例。盡管結合實施方式對本發明進行了說明，然而應該理解本發明不限于這些實施方式。相反地，本發明旨在覆蓋在本發明由所附權利要求所限定的范圍內的替換、修改和等同方式。此外，在本發明的所附具體說明中，提供了多個具體的細節以提供對本發明的透徹的理解。然而，應該理解本發明不需要這些細節也可實施。在其他情況下，沒有對公知的方法、過程、部件和電路進行詳細說明以避免不必要地混淆本發明的技術特征。本發明的實施方式涉及一種倒裝晶片式的半導體封裝和制造方法，該半導體封裝包括管芯、一個或多個下引線以及一個或多個“L”形上引線。現參考圖2A和2B，示出了根據本發明的一個實施方式的示例性上和下引線框(lead frame)的平面圖。針對多個管芯中的每一個，下引線框包括一個或多個引線210-220，其由一個或多個分流條(tie bar)連接。上引線框還包括一個或多個引線230，其由一個或多個分流條235連接。在一個實施方式中，下引線框可包括用于每個管芯的源極引線、柵極引線和漏極引線下部分，且上引線框可包括用于每個管芯的漏極引線的上部分。在下引線框中的每組源極引線、柵極引線和漏極引線下部分通常被稱作板。類似地，上引線框的漏極引線的每個上部通常被稱作板。引線框通常包括大的板陣列。在一個實施方式中，上和下引線框可由約O. 006至O. 012英寸厚的銅合金194片制成。引線和分流條的圖形可通過蝕刻、沖壓(punch)、壓印(stamp)和/或等方式形成。在一個實施方式中，可局部地蝕刻下引線框，以在源極和/或柵極引線上形成多個凸出的臺面。蝕刻處理還可用于在漏極引線的下部分中形成腔。可通過使用化學溶液蝕刻下引線框的銅合金至其初始厚度的大約一半而形成臺面和腔。可選地，可通過級進壓印形成臺面和腔。可在下引線框上形成不同圖案的凸出臺面。在一個實施方式中，可局部地蝕刻上引線框以在下表面上形成一條或多條槽(未示出)。槽可改善上引線與半導體管芯在熱循環過程中的貼合性。在一個實施方式中，槽可被形成為一個或多個平行的和/或垂直的槽。然而，應該注意，由于上引線的平坦中央部分在模制過程中保護管芯不會由可使管芯破裂的力差損壞，所以在上引線中形成過多的槽可增加管芯在模制過程中破裂的風險。參考附圖3A和3B，示出了根據本發明的一個實施方式的將多個管芯連接至下引線框的頂視圖和側視圖。將參考圖6進一步說明半導體封裝技術，圖6示出了制造封裝半導體裝置的方法。在一個實施方式中，管芯可以是垂直溝槽式M0SFET，其漏極端子在管芯的頂面上，而源極端子和柵極端子在管芯的下表面上。在步驟610，通過諸如焊料層的導體將下引線框的一個或多個引線電連接至管芯130上的相應端子。在一個實施方式中，在將焊料膏施加于源極和柵極引線之后，通過焊料回流處理將引線連接至管芯的端子。在一個實施方式中，焊料層從源極和柵極引線上的臺面的頂面延伸至管芯的相應觸點。還可在將焊料層施加到源極和柵極引線的同時將焊料層施加到漏極引線的下部，且當焊料層被回流至將源極和柵極引線連接至管芯的相應端子時焊料層可流入漏極引線的下部中的槽中。現參考圖4A和4B，示出了根據本發明的實施方式的將上引線框連接至下引線框和多個管芯的頂視圖和側視圖。在步驟620，在連接之前，上引線框的引線的一個或多個邊緣被彎曲以形成“L”形引線，用于接觸下引線框的一個或多個引線。在一個實施方式中，將上引線框中通過第二組分流條連接在一起的每對引線的相對邊緣彎曲，以形成漏極引線的“L”形上部。在步驟630，通過諸如焊料層的導體將上引線框的每個引線電連接至一組管芯的相應端子。此外，引線的彎曲邊緣被連接至下引線框上的相應引線。在一個實施方式中，漏極引線的上部的邊緣被電連接至下引線框的漏極引線的相應下部。在一個實施方式中，在將焊料膏施加到管芯的端子以及下引線框的漏極引線的下部之后，通過焊料回流處理將漏極引線的上部連接至管芯的相應端子以及漏極引線的下部。在一個實施方式中，將上引線框連接至管芯的焊料層的相對厚度以及將下引線框 連接至管芯的焊料層的厚度被設置成，使得得到的封裝能夠承受很多熱循環而不會在任一焊料層斷裂或破裂。總而言之，由于上焊料層具有在上引線框的引線與管芯之間的較寬的接觸面積，所以上焊料層比下焊料層薄。上焊料層和下焊料層的厚度之間的相對比例可通過雙回流處理實現。根據該處理，首先將焊料膏的液滴施加在下引線框上，通常是臺面的頂部上。接著，將管芯放置在焊料膏液滴上，且該焊料膏回流。在將管芯與下引線框連接的焊料回流后，將焊料膏液滴施加在管芯的頂側上。同時，還可將焊料膏放置在將被連接至上引線框引線彎曲部分的下引線框的部分上。上引線框被設置在管芯上方的適當位置處，安置在管芯后側的焊料膏液滴上，且接著進行第二回流處理。隨著焊料膏回流，管芯被從下引線框升至上引線框與下引線框之間的位置。該管芯的升高是由于焊料的表面張力而發生的。通過分別調節施加到下引線框和上引線框的焊料膏的量，可進一步實現管芯的所要求的位置。典型地，上焊料層與下焊料層之間的厚度比例在1:1. 5至1:4的范圍中。例如，在一個實施方式中，上焊料層可以是I. I毫英寸(mil)厚，而下焊料層可以是2. 8毫英寸(mil)厚。在施加焊料后，包括下引線框、多個管芯和上引線框的組件在步驟640被包封。在一個實施方式中，該組件被放置在填充了諸如Nitto 8000CH4的模塑料的模具中。在一個實施方式中，上引線框的板(panel)的上表面被密封劑留出暴露在外，以最大化來自封裝的頭轉移(head transfer)。接著，在步驟650，通過切斷下和上引線框的分流條而將上引線框、管芯和下引線框的包封板分離。各封裝管芯的上引線具有大致“L”形狀。在一個實施方式中，通過切穿密封劑以及管芯之間的上和下引線框的分流條而將管芯分離，以形成封裝的半導體裝置。參考圖5，示出了根據本發明實施方式的示例性封裝半導體裝置。在切割(singulation)之后，每個封裝半導體包括電連接至多個下引線215、220中的一個或多個的管芯130，電連接在管芯130與多個下引線210中另一個下引線之間的“L”形上引線230，密封劑510。該上引線連接至一側的下引線，且不連接至管芯另一側的另一下引線。因此，根據本發明實施方式的半導體裝置與根據傳統技術的類似半導體封裝相比具有較小的封裝尺寸520。還應理解，可使用不同的鋸切配置來產生具有不同引線布局(如，管腳輸出)的不同的成對封裝。所得到的封裝分別在管芯的頂側和底側上的端子與上下引線框之間有利地提供了優良的導電性和導熱性。管芯的頂側和底側上的端子的觸點有利地設置在封裝的單個平面內，以便表面安裝在印刷電路板或其他平坦平面上。可將該封裝有利地制成薄的且緊湊的，且能夠承受很多次熱循環，而焊料或管芯不會裂開。本發明的實施方式有利地支持上引線而不需要在每個封裝中的額外的下引線。優選地包括這里所說明的所有的元件、部件和步驟。應該理解，對本領域的技術人員來說很明顯，這些元件、部件和步驟中的任何一個可 由其它元件、部件和步驟替換，或一起刪掉。已為了示意和說明的目的示出了本發明的具體實施方式
的上述說明。其不用于窮舉或將本發明限于所公開的精確形式，且很明顯在上述公開的基礎上可進行多種修改和改變。選擇和說明所述實施方式以最佳地解釋本發明的原理和其實際應用，從而使得本領域其他技術人員最佳地應用本發明，且具有多種改變的多種實施方式適于預期的實際使用。本發明的范圍意在由這里所附的權利要求及其等同限定。廣泛地，本文公開了通過將多個管芯與上下引線框電連接的半導體封裝。在上引線框中的每個相應弓I線組的相對邊緣被彎曲。在上引線框中的引線電連接在相應管芯上相應接觸點與下引線框中的引線的相應下部分之間。上引線框每個相應引線組的彎曲的相對邊緣在包封之前支撐上引線框，以實現在封裝半導體中的上下引線框的引線之間的多個管芯的期望位置。在將包封管芯分離之后，上引線具有L形狀且將管芯上側上的管芯觸點與管芯下側上的引線電連接，使得封裝觸點位于半導體封裝的同一側。方案本說明公開了至少以下方案。方案I. 一種半導體封裝，包括管芯；第一下引線，其電連接至所述管芯的第一側上的管芯觸點；和具有L形狀的上引線，其電連接至所述管芯的第二側上的管芯觸點和第二下引線，使得封裝觸點位于所述半導體封裝的第一側。方案2.如方案I所述的半導體封裝，還包括密封劑，其包封所述管芯、所述上引線、所述第一下引線的一部分和所述第二下引線的一部分。方案3.如方案I所述的半導體封裝，其中所述第一下引線包括一個或多個臺面。方案4.如方案I所述的半導體封裝，其中所述第二下引線包括用于電連接至所述上引線的腔。方案5.如方案I所述的半導體封裝，其中所述上引線包括一個或多個槽，其在所述上引線到所述管芯的所述第二側上的所述管芯觸點的電連接附近。方案6.如方案I所述的半導體封裝，其中所述第一下引線電連接至所述管芯的柵極；所述上引線電連接至所述管芯的漏極；所述第二下引線通過所述上引線電連接至所述管芯的所述漏極；且第三下引線電連接至所述管芯的源極。方案7. —種封裝半導體的方法，包括將多個管芯中的每一個的第一表面上的觸點與下引線框的多個引線的相應第一引線電連接，其中所述下引線框的所述多個引線通過一個或多個分流條連接在一起； 彎曲上引線框的各相應引線組的相對邊緣，其中所述上引線框的引線通過一個或多個分流條連接在一起；及將所述上引線框的引線電連接在各相應管芯的第二表面上的相應觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間，其中所述上引線框的各相應引線組的彎曲的相對邊緣將所述上引線框支撐在相對于所述多個管芯和所述下引線框的期望位置處。方案8.如方案7所述的方法，還包括在所述下引線框和上引線框電連接至所述多個管芯之后，包封所述多個管芯、所述上引線框的至少一部分和所述下引線框的一部分；及在包封后將所述管芯切割成封裝的半導體。方案9.如方案8所述的方法，其中切割所述管芯包括切穿所述密封劑、連接所述下引線框的所述引線的所述分流條和連接所述上引線框的所述引線的所述分流條，以將所述多個管芯分離成封裝的半導體。方案10.如方案7所述的方法，其中將所述多個管芯中每一個的所述第一表面上的觸點與所述下引線框的所述多個引線中的相應第一引線電連接，包括將施加在所述多個管芯中每一個的所述第一表面與所述下引線框的所述多個引線中的相應第一引線之間的焊料回流；及將所述上引線框的所述引線電連接在各相應管芯的所述第二表面上的各觸點與所述下引線框的所述多個引線中的相應第二引線之間，包括將施加在所述上引線框的所述引線與每個相應管芯的所述第二表面和所述下引線框的所述多個引線中的所述相應第二引線之間的焊料回流。方案11.如方案10所述的方法，其中將所述上引線框連接至所述管芯的焊料的厚度與將所述下引線框連接至所述管芯的焊料層的厚度的比例被調節，以提供在所述下引線框和上引線框之間的所述多個管芯的期望位置。方案12.如方案7所述的方法，其中所述上引線框被彎曲成L形狀。方案13.如方案7所述的方法，其中所述下引線框的所述多個下引線的所述第一引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應柵極；所述上引線框的所述上引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應漏極；所述下引線框的所述第二下引線中的每一個引線通過所述相應上引線電連接至所述多個管芯的相應漏極；且所述下引線框的第三下引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應源極。方案14.如方案7所述的方法，其中所述上引線框的所述上引線不連接至所述下引線框的另一個下引線。方案15. —種封裝半島體的方法，包括將多個管芯中的每一個的第一表面上的觸點電連接至下引線框的多個引線的相應第一引線，其中所述下引線框的所述多個引線通過一個或多個分流條連接在一起；在上引線框中形成相對設置的L形引線組，其中所述上引線框的L形引線通過一個或多個分流條連接在一起；及
·
將所述上引線框的L形引線電連接在每個相應管芯的第二表面上的相應觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間。方案16.如方案15所述的方法，其中所述上引線框的相對設置的L形引線組將所述上引線框支撐在相對于所述多個管芯和所述下引線框的期望位置處，而不需要用于每個管芯的下引線框的另一個下引線。方案17.如方案15所述的方法，還包括在所述下引線框和上引線框電連接至所述多個管芯之后，將所述多個管芯、所述上引線框的至少一部分和所述下引線框的一部分包封；及切穿所述密封劑、連接所述下引線框的引線的所述分流條和連接所述上引線框的引線的所述分流條，以將所述多個管芯分離成封裝的半導體。方案18.如方案17所述的方法，還包括以多種方式切穿所述密封劑、連接所述下引線框的所述引線的所述分流條，和連接所述上引線框的所述引線的所述分流條，以產生多種不同的引線布局。方案19.如方案15所述的方法，其中將所述多個管芯中每一個的所述第一表面上的觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第一引線電連接，包括將施加在所述多個管芯中每一個管芯的第一表面與所述下引線框的所述多個引線的相應第一引線之間的焊料回流；及將所述上引線框的引線電連接在每個相應管芯的第二表面上的各自的觸點與所述下引線框的所述多個引線的所述相應第二引線之間，包括將施加在所述上引線框的所述引線與每個相應管芯的第二表面和所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間的焊料回流。方案20.如方案19所述的方法，其中將所述上引線框連接至所述管芯的焊料的厚度與將所述下引線框連接至所述管芯的焊料層的厚度的比例被調節，以提供所述多個管芯在所述下引線框和上引線框之間的期望位置。
權利要求
1.一種半導體封裝，包括 管芯； 第一下引線，其電連接至所述管芯的第一側上的管芯觸點；和具有L形狀的上引線，其電連接至所述管芯的第二側上的管芯觸點和第二下引線，使得封裝觸點位于所述半導體封裝的第一側。
2.如權利要求I所述的半導體封裝，還包括密封劑，其包封所述管芯、所述上引線、所述第一下引線的一部分和所述第二下引線的一部分。
3.如權利要求I所述的半導體封裝，其中所述第一下引線包括一個或多個臺面。
4.如權利要求I所述的半導體封裝，其中所述第二下引線包括用于電連接至所述上引線的腔。
5.如權利要求I所述的半導體封裝，其中所述上引線包括一個或多個槽，其在所述上引線到所述管芯的所述第二側上的所述管芯觸點的電連接附近。
6.如權利要求I所述的半導體封裝，其中 所述第一下引線電連接至所述管芯的柵極； 所述上引線電連接至所述管芯的漏極； 所述第二下引線通過所述上引線電連接至所述管芯的所述漏極；且 第三下引線電連接至所述管芯的源極。
7.一種封裝半導體的方法，包括 將多個管芯中的每一個的第一表面上的觸點與下引線框的多個引線的相應第一引線電連接，其中所述下引線框的所述多個引線通過一個或多個分流條連接在一起； 彎曲上引線框的各相應引線組的相對邊緣，其中所述上引線框的引線通過一個或多個分流條連接在一起；及 將所述上引線框的引線電連接在各相應管芯的第二表面上的相應觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間，其中所述上引線框的各相應引線組的彎曲的相對邊緣將所述上引線框支撐在相對于所述多個管芯和所述下引線框的期望位置處。
8.如權利要求7所述的方法，還包括 在所述下引線框和上引線框電連接至所述多個管芯之后，包封所述多個管芯、所述上引線框的至少一部分和所述下引線框的一部分；及在包封后將所述管芯切割成封裝的半導體。
9.如權利要求8所述的方法，其中切割所述管芯包括切穿所述密封劑、連接所述下引線框的所述引線的所述分流條和連接所述上引線框的所述引線的所述分流條，以將所述多個管芯分離成封裝的半導體。
10.如權利要求7所述的方法，其中 將所述多個管芯中每一個的所述第一表面上的觸點與所述下引線框的所述多個引線中的相應第一引線電連接，包括將施加在所述多個管芯中每一個的所述第一表面與所述下引線框的所述多個引線中的相應第一引線之間的焊料回流；及 將所述上引線框的所述引線電連接在各相應管芯的所述第二表面上的各觸點與所述下引線框的所述多個引線中的相應第二引線之間，包括將施加在所述上引線框的所述引線與每個相應管芯的所述第二表面和所述下引線框的所述多個引線中的所述相應第二引線之間的焊料回流。
11.如權利要求10所述的方法，其中將所述上引線框連接至所述管芯的焊料的厚度與將所述下引線框連接至所述管芯的焊料層的厚度的比例被調節，以提供在所述下引線框和上引線框之間的所述多個管芯的期望位置。
12.如權利要求7所述的方法，其中所述上引線框被彎曲成L形狀。
13.如權利要求7所述的方法，其中 所述下引線框的所述多個下引線的所述第一引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應柵極； 所述上引線框的所述上引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應漏極； 所述下引線框的所述第二下引線中的每一個引線通過所述相應上引線電連接至所述多個管芯的相應漏極；且 所述下引線框的第三下引線中的每一個引線電連接至所述多個管芯的相應源極。
14.如權利要求7所述的方法，其中所述上引線框的所述上引線不連接至所述下引線框的另一個下引線。
15.一種封裝半島體的方法，包括 將多個管芯中的每一個的第一表面上的觸點電連接至下引線框的多個引線的相應第一引線，其中所述下引線框的所述多個引線通過一個或多個分流條連接在一起； 在上引線框中形成相對設置的L形引線組，其中所述上引線框的L形引線通過一個或多個分流條連接在一起；及 將所述上引線框的L形引線電連接在每個相應管芯的第二表面上的相應觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間。
16.如權利要求15所述的方法，其中所述上引線框的相對設置的L形引線組將所述上引線框支撐在相對于所述多個管芯和所述下引線框的期望位置處，而不需要用于每個管芯的下引線框的另一個下引線。
17.如權利要求15所述的方法，還包括 在所述下引線框和上引線框電連接至所述多個管芯之后，將所述多個管芯、所述上引線框的至少一部分和所述下引線框的一部分包封；及 切穿所述密封劑、連接所述下引線框的引線的所述分流條和連接所述上引線框的引線的所述分流條，以將所述多個管芯分離成封裝的半導體。
18.如權利要求17所述的方法，還包括以多種方式切穿所述密封劑、連接所述下引線框的所述引線的所述分流條，和連接所述上引線框的所述引線的所述分流條，以產生多種不同的引線布局。
19.如權利要求15所述的方法，其中 將所述多個管芯中每一個的所述第一表面上的觸點與所述下引線框的所述多個引線的相應第一引線電連接，包括將施加在所述多個管芯中每一個管芯的第一表面與所述下引線框的所述多個引線的相應第一引線之間的焊料回流；及 將所述上引線框的引線電連接在每個相應管芯的第二表面上的各自的觸點與所述下引線框的所述多個引線的所述相應第二引線之間，包括將施加在所述上引線框的所述引線與每個相應管芯的第二表面和所述下引線框的所述多個引線的相應第二引線之間的焊料回流。
20.如權利要求19所述的方法，其中將所述上引線框連接至所述管芯的焊料的厚度與將所述下引線框連接至所述管芯的焊料層的厚度的比例被調節，以提供所述多個管芯在所述下引線框和上引線框之間的期望位置。
全文摘要
本發明涉及通過將多個管芯電連接至上和下引線框的半導體封裝。上引線框中的每個相應引線組的相對邊緣是彎曲的。上引線框中的引線電連接在相應管芯上的相應觸點與下引線框中的引線的相應下部分之間。在包封之前，上引線框的每個相應引線組的彎曲的相對邊緣支撐上引線框，將多個管芯設置在封裝半導體中的上和下引線框的引線之間。在將包封的管芯分離之后，上引線為L形，且將管芯上側的管芯觸點電連接至管芯的下側上的引線，使得封裝觸點在同一側上。
文檔編號H01L23/495GK102714201SQ201080061500
公開日2012年10月3日 申請日期2010年12月7日 優先權日2010年1月19日
發明者F.郭, P.王, S.喬內伊, S.毛, S.貝拉尼 申請人:維西埃-硅化物公司