封裝裝置及其制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種封裝裝置及其制作方法，特別是有關于一種半導體封裝裝置及其 制作方法。
【背景技術】
[0002] 在新一代的電子產品中，不斷追求更輕薄短小，更要求產品具有多功能與高性能， 因此，積體電路（IntegratedCircuitiIC)必須在有限的區域中容納更多電子元件W達到 高密度與微型化的要求，為此電子產業開發新型構裝技術，將電子元件埋入基板中，大幅縮 小構裝體積，也縮短電子元件與基板的連接路徑，另外還可利用增層技術度Uild-Up)增加 布線面積，W符合輕薄短小及多功能的潮流趨勢。
[0003] 圖1為傳統的玻璃纖維基板封裝結構。玻璃纖維基板封裝結構10包括有玻璃纖 維基板100,例如可為玻纖環氧樹脂銅巧基板度ismaleimide化iazine,BT)的FR-4型號或 FR-5型號，其中玻璃纖維基板100系經由機械鉆孔或激光鉆孔化aserVia)而形成復數個 圓形導通孔110,圓形導電柱層（circularconductivepillarlayer)120設置在圓形導通 孔110中，第一導電層132U34分別設置在玻璃纖維基板100上且與圓形導電柱層120電 性導通，絕緣層140覆蓋在玻璃纖維基板100上，并再經由機械鉆孔或激光鉆孔而形成復數 個圓形導通孔110,第二導電層152、154設置在絕緣層150上且經由圓形導電柱層120與第 一導電層132、134電性導通。
[0004] 上述傳統的玻璃纖維基板封裝結構10,其應用機械鉆孔或激光鉆孔的物理機制僅 能形成具圓形導通孔的圓形導電柱層120,然而圓形導電柱層120具有較大的截面積，對于 制作高密度布線的基板將造成一定的限制，使得基板的成本過于昂貴而不具備產業優勢的 競爭。

【發明內容】

[0005] 本發明提出一種封裝裝置，其可使用鑄模化合物層（MoldingCompound Layer)為無核必基板（CorelessSubstrate)的主體材料，并利用電錐非圓形導電 柱層（Non-cir州Iarconductivepillarlayer)形成導通孔與預封包互連系統 (MoldedInterconnectionSyste化MI巧封裝方式于基板制作中順勢將內接元件埋入于基 板的內，形成高密度布線面積的疊層結構。
[0006] 本發明提出一種封裝裝置的制造方法，其可使用較低成本的封膠（Molding Compound)搭配電錐非圓形導電柱層的導通孔方法，W取代憑借對玻璃纖維基板機械鉆孔 或激光鉆孔的導通孔方法，其可提高布線面積，進而提升生產效能。
[0007] 為實現上述目的，本發明采用的技術方案包括：
[0008] -種封裝裝置，其特征在于，其包括：
[0009] -第一導線層，其具有相對的一第一表面與一第二表面；
[0010] 一第一導電柱層，其設置于該第一導線層的該第二表面上，其中該第一導電柱層 是一非圓形導電柱層；
[0011] 一第一鑄模化合物層，其設置于該第一導線層與該第一導電柱層的部分區域內；
[0012] 一第二導線層，其設置于該第一鑄模化合物層與該第一導電柱層的一端上；W及
[0013] 一防焊層，其設置于該第一鑄模化合物層與該第二導線層上。
[0014] 所述的封裝裝置，其中，還包括一金屬層，其中該金屬層設置于該第一導線層的該 第一表面上。
[0015] 所述的封裝裝置，其中，該第一導電柱層與該第一導線層形成一凹型結構。
[0016] 所述的封裝裝置，其中，還包括一內接元件，其中該內接元件設置并電性連結于該 凹型結構內的該第一導線層的該第二表面上，并且嵌設于該第一鑄模化合物層內。
[0017] 所述的封裝裝置，其中，該內接元件是一主動元件、一被動元件或一半導體晶片。
[0018] 所述的封裝裝置，其中，該第一鑄模化合物層不露出于該第一導線層的該第一表 面與該第一導電柱層的一端。
[0019] 所述的封裝裝置，其中，還包括：
[0020] -外接元件，其設置并電性連結于該第一導線層的該第一表面上；
[0021] 一第二鑄模化合物層，其設置于該外接元件與該第一導線層的該第一表面上，其 中該外接元件嵌設于該第二鑄模化合物層內；及
[0022] 復數個金屬球，其設置于該第二導線層上。
[0023] 所述的封裝裝置，其中，該外接元件是一主動元件、一被動元件、一半導體晶片或 一軟性電路板。
[0024] 所述的封裝裝置，其中，該第一鑄模化合物層具有酪醒基樹脂（Novolac-Based Resin)、環氧基樹脂巧poxy-BasedResin)、娃基樹脂（Silicone-BasedResin)或其他適當 的鑄模化合物。
[00巧]所述的封裝裝置，其中，該非圓形導電柱層是一矩形導電柱層、一八角形導電柱 層、一楠圓形導電柱層或任意形狀的非圓形導電柱層。
[0026] 為實現上述目的，本發明采用的技術方案還包括：
[0027] -種封裝裝置的制造方法，其特征在于，其步驟包括：
[0028] 提供一金屬承載板，其具有相對的一第一表面與一第二表面；
[0029] 在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一導線層；
[0030] 在該第一導線層上形成一第一導電柱層，其中該第一導電柱層是一非圓形導電柱 層；
[0031] 形成一第一鑄模化合物層包覆該第一導線層與該第一導電柱層并位于該金屬承 載板的該第二表面上，其中該第一導線層與該第一導電柱層嵌設于該第一鑄模化合物層 內；
[0032] 露出該第一導電柱層的一端；
[0033] 在該第一鑄模化合物層與露出的該第一導電柱層的一端上形成一第二導線層；
[0034] 在該第一鑄模化合物層與該第二導線層上形成一防焊層；W及
[0035] 移除該金屬承載板的部分區域W形成一窗口，其中該第一導線層與該第一鑄模化 合物層從該窗口露出。
[0036] 所述的制作方法，其中，該第一導電柱層與該第一導線層形成一凹型結構。
[0037] 所述的制作方法，其中，還包括提供一內接元件，其中該內接元件設置并電性連結 于該凹型結構內的該第一導線層上，并且嵌設于該第一鑄模化合物層內。
[0038] 所述的制作方法，其中，該內接元件是一主動元件、一被動元件或一半導體晶片。
[0039] 所述的制作方法，其中，還包括：
[0040] 提供一外接元件設置并電性連結于該第一導線層的一第一表面上；
[0041] 形成一第二鑄模化合物層包覆該外接元件并位于該第一導線層的該第一表面與 該第一鑄模化合物層上，其中該外接元件嵌設于該第二鑄模化合物層內；及
[0042] 在該第二導線層上形成復數個金屬球。
[0043] 所述的制作方法，其中，在該第一導線層上形成該第一導電柱層之前的步驟包 括：
[0044] 在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一光阻層，W及在該金屬承載板的該第 一表面上形成一第二光阻層；
[0045] 在該金屬承載板的該第二表面上形成該第一導線層；
[0046] 在該第一光阻層與該第一導線層上形成一第H光阻層；
[0047] 移除該第H光阻層的部分區域W露出該第一導線層；
[0048] 在該第一導線層上形成該第一導電柱層；及
[0049] 移除該第一光阻層、該第二光阻層與該第H光阻層。
[0050] 所述的制作方法，其中，形成該第一鑄模化合物層的步驟包括：
[0051]提供一鑄模化合物，其中該鑄模化合物具有樹脂及粉狀的二氧化娃；
[0052] 加熱該鑄模化合物至液體狀態；
[0053] 在該金屬承載板的該第二表面上注入呈液態的該鑄模化合物，該鑄模化合物在高 溫和高壓下包覆該內接元件、該第一導線層與該第一導電柱層；及
[0054]固化該鑄模化合物，使該鑄模化合物形成該第一鑄模化合物層。
[0055] 所述的制作方法，其中，該外接元件是一主動元件、一被動元件、一半導體晶片或 一軟性電路板。