高頻封裝的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種高頻封裝。在多層基板中，作為將所搭載的高頻器件產生的高頻信號從最上層向最下層傳輸而向基板外部輸出并將從基板外部向所述最下層輸入的高頻信號傳輸到所述高頻器件的結構，形成有模擬同軸線路，該模擬同軸線路將對在所述最上層的上表面形成的金屬圖案與在所述最下層的下表面形成的金屬圖案之間進行連接的上下貫通通路作為中心導體、并且將在其周圍對2個以上的層間進行連接且呈環狀配置的多個層間通路作為外導體，其中，使所述上下貫通通路的全部或一部分為不使用通路的使導體焊盤對置的電容器結構。
【專利說明】高頻封裝
【技術領域】
[0001]本發明涉及在微波波段或毫米波波段工作的電子裝置中所使用的高頻封裝。
【背景技術】
[0002]在微波波段或毫米波波段工作的電子裝置中所使用的高頻封裝是對搭載有在微波波段或毫米波波段工作的高頻器件(MMIC:單片微波集成電路)的多層基板進行封裝化而成的，在該多層基板的最下層進行與外部的電連接。
[0003]因此，在構成該高頻封裝的多層基板上，作為將所搭載的高頻器件產生的高頻信號向基板外部輸出并將來自基板外部的高頻信號輸入到高頻器件的結構，在多層基板內形成有將最上層與最下層之間連通的模擬同軸線路。
[0004]該模擬同軸線路是如下結構:例如像專利文獻I所公開的那樣，將對與高頻器件的輸入輸出端口連接且形成在最上層的上表面的金屬圖案與形成在最下層的下表面的金屬圖案之間進行連接的上下貫通通路(via)作為中心導體，將在其周圍對2個以上的層間進行連接并呈環狀配置的多個層間通路作為外導體。在最下層的下表面形成的金屬圖案經由BGA (球柵陣列(ball grid array))與其它的多層基板連接。
[0005]現有技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開平6 - 85099號公報。
【發明內容】
[0006]發明要解決的課題
可是，在制造多層基板時，有時會由于熱應力等而在某個層的基板產生裂縫。這樣，在安裝了高頻器件的運用時，在該裂縫延伸到形成中心導體的上下貫通通路的形成部分的情況下，使上下貫通通路斷線，因此，存在發生高頻信號的通過特性較大地劣化的情況的問題。
[0007]本發明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于得到一種利用即使裂縫以橫穿模擬同軸線路的中心導體形成區域的方式產生，也能抑制高頻信號的通過特性的劣化的結構的多層基板的高頻封裝。
[0008]用于解決課題的方案
為了解決上述的課題并達成目的，本發明提供一種利用了多層基板的高頻封裝，在該多層基板中，作為將所搭載的高頻器件產生的高頻信號從最上層向最下層傳輸而向基板外部輸出并將從基板外部向所述最下層輸入的高頻信號傳輸到所述高頻器件的結構，形成有模擬同軸線路，該模擬同軸線路將對在所述最上層的上表面形成的金屬圖案與在所述最下層的下表面形成的金屬圖案之間進行連接的上下貫通通路作為中心導體、并且將在其周圍對2個以上的層間進行連接且呈環狀配置的多個層間通路作為外導體，所述高頻封裝的特征在于，使所述上下貫通通路的全部或一部分為不使用通路的使導體焊盤對置的電容器結構。
[0009]發明效果
根據本發明，即使在內層的基板產生的裂縫延伸到形成模擬同軸線路的中心導體的區域，作為高頻信號的傳送路徑的模擬同軸線路的結構也被電容器結構維持而繼續存在，因此，起到能抑制高頻信號的通過特性的劣化的效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是示出本發明的一個實施方式的高頻封裝的主要部分結構的截面圖。
【具體實施方式】
[0011]以下，基于附圖詳細地對本發明的高頻封裝的實施方式進行說明。另外，本發明并不被該實施方式所限定。
[0012]實施方式
圖1是示出本發明的一個實施方式的高頻封裝的主要部分結構的截面圖。在圖1中，在構成高頻封裝的多層基板I上搭載有高頻器件(MMIC)2。高頻器件2的輸入輸出端口通過引線3與在多層基板I的最上層的上表面形成的微帶線路4的一端連接。
[0013]此外，在多層基板I中，在最上層與最下層之間形成有模擬同軸線路5。模擬同軸線路5的中心導體由一端與微帶線路3連接且另一端貫通多個內層的層間通路6和配置在層間通路6的另一端與最下層之間的電容器結構7構成。此外，模擬同軸線路5的外導體由在中心導體(層間通路6+電容器結構7)的周圍對2個以上的層間進行連接并呈環狀配置的多個層間通路8構成。
[0014]一般來說，嵌入在多層基板中的模擬同軸線路的中心導體由貫通最上層與最下層之間而進行連接的上下貫通通路構成，但是，在圖1中示出了使該上下貫通通路的一部分為電容器結構7的情況。
[0015]在圖1中，電容器結構7是在連續的三個層使導體焊盤9a、9b、9c對置的結構。導體焊盤9a與層間通路6的另一端連接，導體焊盤9b形成在最下層的下表面。導體焊盤9c配置在導體焊盤9a與導體焊盤9b之間。S卩，圖1所示的電容器結構7是將兩個電容器以串聯方式配置的結構。
[0016]多層基板I的最下層隔著構成BGA的焊料球10a、10b安裝在其它的多層基板11的上表面。焊料球IOa將構成模擬同軸線路5的中心導體的另一端的導體焊盤9b與在其它的多層基板11的上表面形成的微帶線路12之間連接。焊料球IOb將構成模擬同軸線路5的外導體的層間通路8與在其它的多層基板11的上表面形成的接地導體13之間連接。
[0017]在以上的結構中，在由于制造基板時的熱應力等而在多層基板I的內層產生了裂縫14的情況下，在安裝了高頻器件2的運用時，即使該裂縫14延伸到形成中心導體的區域，作為高頻信號的傳送路徑的模擬同軸線路5的結構也被電容器結構7維持而繼續存在，因此，能抑制高頻信號的通過特性的劣化。
[0018]雖然在圖1中示出了在形成電容器結構7的層的基板產生裂縫14的情況，但是，裂縫14會在內層的任意的基板產生。例如，裂縫14有時也會產生在形成有層間通路6的多個層內的任意層。在該情況下，不能利用電容器結構7進行補救，中心導體發生斷線。因此，可以說優選使模擬同軸線路5的中心導體的整體為電容器結構。是在最上層與最下層之間以串聯方式配置有多個電容器的結構。而且，可以說在圖1中示出了能從經驗上特別確定由于熱應力而產生裂縫的內層的基板的情況。
[0019]像這樣，根據本實施方式，即使以橫穿模擬同軸線路的中心導體形成區域的方式產生裂縫，作為高頻信號的傳送路徑的模擬同軸線路的結構也被電容器結構維持而繼續存在，因此，能抑制高頻信號的通過特性的劣化。
[0020]產業上的可利用性
像以上那樣，本發明的高頻封裝作為利用即使以橫穿中心導體形成區域的方式產生裂縫也能抑制高頻信號的通過特性的劣化的多層基板的高頻封裝是有用的。
[0021]附圖標記說明
1:多層基板；
2:高頻器件(麗IC)；
3:引線;
4、12:微帶線路；
5:模擬同軸線路；
6、8:層間通路；
7:電容器結構；
9a、9b、9c:導體焊盤；
IOaUOb:焊料球；
11:其它的多層基板；
13:接地導體；
14:裂縫。
【權利要求】
1.一種利用了多層基板的高頻封裝，在該多層基板中，作為將所搭載的高頻器件產生的高頻信號從最上層向最下層傳輸而向基板外部輸出并將從基板外部向所述最下層輸入的高頻信號傳輸到所述高頻器件的結構，形成有模擬同軸線路，該模擬同軸線路將對在所述最上層的上表面形成的金屬圖案與在所述最下層的下表面形成的金屬圖案之間進行連接的上下貫通通路作為中心導體、并且將在其周圍對2個以上的層間進行連接且呈環狀配置的多個層間通路作為外導體，所述高頻封裝的特征在于， 使所述上下貫通通路的全部或一部分為不使用通路的使導體焊盤對置的電容器結構。
【文檔編號】H01P5/08GK103563072SQ201280024505
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2012年1月12日 優先權日:2011年5月24日
【發明者】海野友幸, 稻見和喜, 八十岡興祐 申請人:三菱電機株式會社