1.一種背接(jie)觸(chu)電池，其特征在(zai)于(yu)，包括：
2.根據權利要(yao)求1所(suo)(suo)述的(de)背接觸電池(chi)，其特征(zheng)在于，所(suo)(suo)述隔離(li)部(bu)(bu)的(de)第(di)一端與所(suo)(suo)述第(di)一半導(dao)體層連接，第(di)二端被所(suo)(suo)述第(di)二半導(dao)體層和所(suo)(suo)述透明(ming)導(dao)電層覆蓋，所(suo)(suo)述漏電通道(dao)的(de)摻雜濃(nong)度大于所(suo)(suo)述隔離(li)部(bu)(bu)的(de)摻雜濃(nong)度；
3.根據權利要求1所(suo)述的背(bei)接觸(chu)電(dian)池，其特征(zheng)在于(yu)，所(suo)述漏電(dian)通道的摻雜濃度(du)大于(yu)所(suo)述第一半(ban)導體層的摻雜濃度(du)；
4.根據(ju)權利要求1所(suo)(suo)述(shu)的背接觸電池(chi)，其特征在于(yu)，所(suo)(suo)述(shu)第一半(ban)導體層的摻雜濃(nong)度大于(yu)所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)離部的摻雜濃(nong)度。
5.根據權利要求1所述的(de)背接觸電(dian)池，其特征(zheng)在于(yu)，所述漏(lou)電(dian)通道的(de)摻雜濃(nong)度大(da)于(yu)等于(yu)8e19?cm-3，且小(xiao)于(yu)等于(yu)5e20cm-3。
6.根據權利(li)要(yao)求1所(suo)述(shu)的背接觸(chu)電池，其特征在于，所(suo)述(shu)漏(lou)電通道在所(suo)述(shu)第一表面(mian)上的正投影(ying)面(mian)積與(yu)所(suo)述(shu)隔離部在所(suo)述(shu)第一表面(mian)上的正投影(ying)面(mian)積之比為0.05～1。
7.根(gen)據權利要求1所述的背接觸電(dian)池，其特征在于，沿(yan)所述漏電(dian)通道(dao)和所述隔(ge)離部(bu)間(jian)隔(ge)設置的方向，多(duo)個所述漏電(dian)通道(dao)均勻(yun)分(fen)布。
8.根據權利要(yao)求1所(suo)述的背接觸電(dian)池(chi)，其特(te)征(zheng)在于，沿所(suo)述漏電(dian)通道(dao)的第一端至第二端的方向，所(suo)述漏電(dian)通道(dao)的寬度為50μm～300μm；和/或，
9.根據權利要求1所述(shu)的背接觸電(dian)池，其特征(zheng)在于，沿所述(shu)漏電(dian)通道和所述(shu)隔離部間隔設置(zhi)的方向(xiang)，每1cm長度內所述(shu)漏電(dian)通道的數(shu)量為1～200個(ge)。
10.根據權利要求1所述的背(bei)接觸(chu)電(dian)(dian)池，其特征(zheng)在于(yu)，沿(yan)所述漏電(dian)(dian)通道(dao)的第(di)二(er)(er)端至(zhi)第(di)一(yi)端的方向(xiang)，所述第(di)二(er)(er)半導(dao)體層和所述透(tou)明導(dao)電(dian)(dian)層延伸覆蓋所述漏電(dian)(dian)通道(dao)的第(di)二(er)(er)端的距離為10μm～150μm。
11.根(gen)據權利要求1所述(shu)的(de)背接觸電(dian)(dian)池，其特征在于，沿(yan)所述(shu)漏電(dian)(dian)通(tong)道的(de)第二端(duan)至第一(yi)端(duan)的(de)方向，所述(shu)第二半導體層和所述(shu)透(tou)明(ming)導電(dian)(dian)層延伸覆蓋所述(shu)漏電(dian)(dian)通(tong)道的(de)第二端(duan)的(de)距(ju)離(li)與所述(shu)漏電(dian)(dian)通(tong)道的(de)寬度之比(bi)為0.03～0.5。
12.根據權利要求(qiu)1所(suo)(suo)述(shu)(shu)的背接(jie)觸電(dian)池，其特征在于，所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)離(li)部的第(di)一(yi)端與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)半(ban)導體層(ceng)接(jie)觸，第(di)二(er)端被(bei)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)半(ban)導體層(ceng)和(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)透明導電(dian)層(ceng)覆蓋，所(suo)(suo)述(shu)(shu)漏電(dian)通(tong)道的摻雜濃度(du)大于所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)離(li)部的摻雜濃度(du)；
13.根(gen)據權(quan)利要(yao)求1所(suo)述的背(bei)接觸電池(chi)，其(qi)特征在(zai)于，所(suo)述第一半導(dao)體(ti)層(ceng)為(wei)摻(chan)雜多晶硅(gui)；所(suo)述第二半導(dao)體(ti)層(ceng)為(wei)摻(chan)雜非晶硅(gui)、摻(chan)雜微晶硅(gui)、摻(chan)雜納米晶硅(gui)中的一種(zhong)或多種(zhong)。
14.根據權利要求1-13中(zhong)任(ren)一(yi)項所(suo)述(shu)(shu)的背接觸電池，其(qi)特征在于，所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)半(ban)導體(ti)層包(bao)括多個(ge)沿第一(yi)方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)延伸(shen)(shen)的第一(yi)叉指(zhi)部，所(suo)述(shu)(shu)第二半(ban)導體(ti)層包(bao)括多個(ge)沿第一(yi)方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)延伸(shen)(shen)的第二叉指(zhi)部；所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)叉指(zhi)部和(he)所(suo)述(shu)(shu)第二叉指(zhi)部沿第二方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)交替排列；其(qi)中(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)和(he)所(suo)述(shu)(shu)第二方向(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)相交；
15.根(gen)據權利(li)要求1-13中任一(yi)項(xiang)所述(shu)(shu)的背接觸(chu)電池，其特征在于，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)半導體層包(bao)括多個沿第(di)(di)(di)一(yi)方(fang)向(xiang)延(yan)伸的第(di)(di)(di)一(yi)叉指部，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)半導體層包(bao)括多個沿第(di)(di)(di)一(yi)方(fang)向(xiang)延(yan)伸的第(di)(di)(di)二(er)叉指部；所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)叉指部和所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)叉指部沿第(di)(di)(di)二(er)方(fang)向(xiang)交替排列；其中，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)方(fang)向(xiang)和所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)方(fang)向(xiang)相交；
16.根據權利要求1-13中任一(yi)項所述(shu)(shu)的背(bei)接觸電(dian)池，其特(te)征在于(yu)，所述(shu)(shu)半導體基底的第(di)一(yi)表面至(zhi)少位于(yu)所述(shu)(shu)第(di)二半導體層的區域設置有紋理結(jie)構(gou)。
17.根據權利要求1-13中任一項所述的(de)背接觸電池，其特征(zheng)在于，
18.一種光(guang)伏組件，其特征在于，如權利(li)要求1-17中任(ren)一項所述的背接觸電池。
19.一種(zhong)背(bei)接觸電池的制備方(fang)法，其特征(zheng)在于，包括：
20.根據權利要(yao)求19所(suo)(suo)述的(de)背(bei)接觸電(dian)池的(de)制備方法(fa)，其特征在于，所(suo)(suo)述隔離部的(de)第(di)一端與(yu)所(suo)(suo)述第(di)一半導(dao)體(ti)層接觸，第(di)二端被所(suo)(suo)述第(di)二半導(dao)體(ti)層和所(suo)(suo)述透明導(dao)電(dian)層覆蓋，所(suo)(suo)述漏電(dian)通(tong)道的(de)摻(chan)雜(za)濃度(du)大于所(suo)(suo)述隔離部的(de)摻(chan)雜(za)濃度(du)；
21.根據權利要求20所(suo)述(shu)(shu)的背接觸電池的制(zhi)備方法，其(qi)特(te)征在于，對未被所(suo)述(shu)(shu)第(di)一掩(yan)膜層覆蓋(gai)的本(ben)征半導(dao)體(ti)層進(jin)行摻雜(za)，形(xing)成所(suo)述(shu)(shu)第(di)一半導(dao)體(ti)層和所(suo)述(shu)(shu)漏電通道包括：
22.根(gen)據權(quan)利要(yao)求20所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)背接觸(chu)電池(chi)的(de)制備方法，其特征在于，所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔離部的(de)第(di)一(yi)端(duan)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)半導體層(ceng)接觸(chu)，第(di)二端(duan)被所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二半導體層(ceng)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)透(tou)明導電層(ceng)覆蓋，所(suo)(suo)述(shu)(shu)漏(lou)電通道的(de)摻(chan)雜濃(nong)度(du)(du)大于所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔離部的(de)摻(chan)雜濃(nong)度(du)(du)；