本(ben)發(fa)明(ming)涉(she)及導(dao)電(dian)膜(mo)，具體而言，涉(she)及一(yi)種(zhong)導(dao)電(dian)膜(mo)、極片、電(dian)池、用電(dian)設備(bei)及導(dao)電(dian)膜(mo)制(zhi)備(bei)方法。

背景技術：

1、目前，復合集流(liu)體(ti)主要包(bao)括基膜層和設(she)置于(yu)基膜層相對的(de)兩個側面(mian)的(de)金(jin)屬層，實際制備(bei)時，復合集流(liu)體(ti)的(de)制備(bei)工藝通常包(bao)含如(ru)下幾種方式：

2、1)采用真空磁控濺射(she)或熱蒸發一步成(cheng)型；

3、2)采(cai)用真空磁控濺(jian)射或(huo)(huo)蒸(zheng)鍍(du)或(huo)(huo)者熱蒸(zheng)發鍍(du)膜+水電(dian)鍍(du)鍍(du)膜的兩(liang)步成型；

4、3)采(cai)用磁控濺(jian)射(she)鍍(du)膜+熱蒸(zheng)發(fa)鍍(du)膜+水(shui)電鍍(du)鍍(du)膜三步成型。

5、當采(cai)用(yong)兩步或者三步成型的方式(shi)進行集流體(ti)(ti)制備時，具有較薄(bo)金屬(shu)層(ceng)(ceng)的集流體(ti)(ti)需要(yao)卷(juan)(juan)繞(rao)在(zai)(zai)收卷(juan)(juan)輥上(shang)，然后再從(cong)上(shang)一個(ge)流程(cheng)傳輸至下一個(ge)流程(cheng)。由于卷(juan)(juan)對卷(juan)(juan)方式(shi)鍍(du)膜收卷(juan)(juan)后的基膜兩側(ce)的金屬(shu)層(ceng)(ceng)與金屬(shu)層(ceng)(ceng)容(rong)易產生粘黏情況，從(cong)而導致膜卷(juan)(juan)在(zai)(zai)放卷(juan)(juan)過(guo)程(cheng)中產生金屬(shu)層(ceng)(ceng)與基膜層(ceng)(ceng)的黏附失(shi)效，出現集流體(ti)(ti)脫層(ceng)(ceng)缺陷。

技術實現思路

1、本發明(ming)的(de)主要目的(de)在于提供(gong)一種導(dao)電(dian)(dian)膜、極片、電(dian)(dian)池、用電(dian)(dian)設備及導(dao)電(dian)(dian)膜制備方法，至少解決導(dao)電(dian)(dian)膜生產過程中容易出現(xian)金屬層(ceng)與金屬層(ceng)粘黏，從而容易造成導(dao)電(dian)(dian)膜出現(xian)脫層(ceng)的(de)問題。

2、根(gen)據本發(fa)明(ming)的一(yi)個方(fang)面，提供了(le)一(yi)種導電膜(mo)，包(bao)括：

3、基(ji)膜(mo)層(ceng)，沿第(di)(di)一(yi)方向(xiang)，所述(shu)基(ji)膜(mo)層(ceng)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)表面和(he)第(di)(di)二表面；

4、第一金(jin)屬層，所述第一金(jin)屬層設置于所述第一表面；

5、第二(er)金屬(shu)層，所述第二(er)金屬(shu)層設置(zhi)于(yu)所述第二(er)表面(mian)；

6、隔(ge)離(li)去除(chu)(chu)層(ceng)，所述(shu)隔(ge)離(li)去除(chu)(chu)層(ceng)設置于所述(shu)第一金(jin)屬層(ceng)背(bei)離(li)所述(shu)基膜層(ceng)的表面(mian)和所述(shu)第二金(jin)屬層(ceng)背(bei)離(li)所述(shu)基膜層(ceng)的表面(mian)兩者(zhe)至少之(zhi)一上，并(bing)在所述(shu)導電(dian)膜執行下一制備工藝之(zhi)前(qian)去除(chu)(chu)。

7、進一(yi)步地，所述(shu)(shu)隔(ge)離去除(chu)層(ceng)包括材(cai)質不同于所述(shu)(shu)第(di)一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)和所述(shu)(shu)第(di)二金(jin)屬(shu)層(ceng)的金(jin)屬(shu)層(ceng)或者化合(he)物(wu)層(ceng)。

8、進一步地，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離去除層包(bao)括(kuo)熔(rong)點(dian)低于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一金(jin)屬(shu)層和/或(huo)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)金(jin)屬(shu)層的熔(rong)點(dian)的結(jie)構(gou)層。

9、進一步地，所述隔離去除(chu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包括鎂層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鋁層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鋅(xin)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、錫層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鈣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、銀層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鉛(qian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鎘(ge)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鉍層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、碲(di)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)其對應的合金層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)以(yi)及(ji)三氧化二硼(peng)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中至少之(zhi)一。

10、進一(yi)步地(di)，沿所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)方向，所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔離去(qu)除層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)d1、所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)金屬(shu)層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)d2、所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)膜層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)d3、以及所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二金屬(shu)層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)d4滿足關系(xi)式：

11、d1：d2＝1/500～3/2；和/或，

12、d2：d3＝1/800～1/20；和/或，

13、d1：d3＝1/40000～3/400。

14、進一(yi)步地，沿第一(yi)方向(xiang)，所述隔離去除層的厚度d1為0.2nm至10nm；和/或，

15、所述第一金屬(shu)層的厚度d2為5nm至100nm；和/或，

16、所述基膜(mo)層的厚度d3為2.0μm至8μm；和/或，

17、所述第二金屬層(ceng)的(de)厚度(du)d4為5nm至(zhi)100nm。

18、進(jin)一步地，所述第(di)一金(jin)屬層(ceng)和所述第(di)二金(jin)屬層(ceng)均包括銅層(ceng)；和/或，

19、所述基膜層(ceng)(ceng)(ceng)包括聚(ju)(ju)(ju)(ju)丙烯(xi)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)對苯(ben)二(er)甲(jia)酸乙(yi)(yi)(yi)二(er)醇酯層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)酰(xian)胺(an)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)酰(xian)亞胺(an)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)苯(ben)醚層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)氯乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)層(ceng)(ceng)(ceng)、abs塑(su)料層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)對苯(ben)二(er)甲(jia)酰(xian)對苯(ben)二(er)胺(an)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)甲(jia)醛層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)四氟乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)偏氟乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)碳酸酯層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)乙(yi)(yi)(yi)烯(xi)醇層(ceng)(ceng)(ceng)、聚(ju)(ju)(ju)(ju)乙(yi)(yi)(yi)二(er)醇層(ceng)(ceng)(ceng)和纖(xian)維素層(ceng)(ceng)(ceng)中(zhong)的至少一種。

20、進(jin)一步地，所(suo)述基膜層(ceng)(ceng)與所(suo)述第(di)一金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)之間具有(you)第(di)三金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)，所(suo)述基膜層(ceng)(ceng)與所(suo)述第(di)二金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)之間具有(you)第(di)四金(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)。

21、進一(yi)步地，所(suo)述(shu)第三(san)金屬層(ceng)或所(suo)述(shu)第四金屬層(ceng)包括鉻(ge)層(ceng)、鉻(ge)合金層(ceng)、鉻(ge)合金的氧化(hua)物層(ceng)、氮(dan)化(hua)物層(ceng)、氮(dan)氧化(hua)物層(ceng)、氮(dan)氧化(hua)物層(ceng)、鈦層(ceng)、鈦合金的氧化(hua)物層(ceng)、硅氧化(hua)物層(ceng)、銅層(ceng)、銅合金層(ceng)中至少之一(yi)。

22、另(ling)一方面(mian)，本發(fa)明(ming)還提供了一種極(ji)(ji)片，所述極(ji)(ji)片包(bao)括上(shang)述的導(dao)電(dian)膜。

23、第三方面，本發(fa)明的還(huan)提供了(le)一種電池，所述(shu)電池包括上述(shu)的極片(pian)。

24、第四方(fang)面，本發明還(huan)提供了種用(yong)電設備，所述用(yong)電設備包括上述的電池。

25、第五方(fang)(fang)(fang)面，本發明的還提供了一(yi)種導電膜的制(zhi)備(bei)(bei)(bei)方(fang)(fang)(fang)法(fa)，所(suo)(suo)述導電膜的制(zhi)備(bei)(bei)(bei)方(fang)(fang)(fang)法(fa)用于(yu)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)上述的導電膜，所(suo)(suo)述導電膜的制(zhi)備(bei)(bei)(bei)方(fang)(fang)(fang)法(fa)包括：

26、利用第一制備(bei)工藝(yi)在所(suo)述(shu)基膜層的第一表面和第二表面制備(bei)得到所(suo)述(shu)第一金屬(shu)層和所(suo)述(shu)第二金屬(shu)層；

27、利用第二制(zhi)備工(gong)藝在(zai)所(suo)述第一金屬(shu)層(ceng)遠離(li)所(suo)述基膜層(ceng)的(de)表面或者所(suo)述第二金屬(shu)層(ceng)遠離(li)所(suo)述基膜層(ceng)的(de)表面制(zhi)備得到(dao)所(suo)述隔離(li)去除層(ceng)，并形成抗(kang)粘黏導電(dian)膜；

28、對所(suo)述抗粘黏導電膜進行收(shou)卷(juan)，然后(hou)再下一制備工(gong)藝前將所(suo)述隔(ge)離去(qu)除層(ceng)去(qu)除。

29、進一步(bu)(bu)地，去除(chu)所(suo)述隔(ge)離去除(chu)層(ceng)的步(bu)(bu)驟(zou)包括(kuo)：使(shi)所(suo)述隔(ge)離去除(chu)層(ceng)與腐蝕液接觸。

30、進一步地，所(suo)述腐蝕液(ye)包括酸性溶液(ye)或(huo)者堿(jian)性溶液(ye)。

31、進一步地，所(suo)述第(di)一制備(bei)(bei)工藝(yi)(yi)和所(suo)述第(di)二制備(bei)(bei)工藝(yi)(yi)包括真空磁控濺射鍍膜(mo)或(huo)者熱(re)蒸鍍鍍膜(mo)工藝(yi)(yi)。

32、進一步(bu)地，將所述(shu)隔離去除層(ceng)去除之后(hou)，所述(shu)導電膜的(de)制(zhi)備(bei)方法(fa)還包括：利用第三制(zhi)備(bei)工藝對所述(shu)第一金屬層(ceng)和(he)所述(shu)第二金屬層(ceng)進行(xing)增(zeng)厚，以(yi)使所述(shu)基膜層(ceng)的(de)各側的(de)鍍(du)層(ceng)的(de)總厚度為700nm至1600nm。

33、進(jin)一步地，所述第(di)三制備工(gong)(gong)藝包(bao)括水電(dian)鍍工(gong)(gong)藝。

34、在(zai)本(ben)發(fa)(fa)明(ming)中，由于(yu)第(di)(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)背(bei)(bei)離(li)(li)(li)基膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)表(biao)面或者(zhe)第(di)(di)(di)二(er)(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)背(bei)(bei)離(li)(li)(li)基膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)表(biao)面設置有隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)去(qu)(qu)除層(ceng)(ceng)，如(ru)此，當(dang)對導(dao)電(dian)膜(mo)進(jin)(jin)行(xing)(xing)(xing)收卷(juan)時，第(di)(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)可(ke)以通過該隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)去(qu)(qu)除層(ceng)(ceng)進(jin)(jin)行(xing)(xing)(xing)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)，第(di)(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)不會(hui)發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)粘黏。當(dang)對卷(juan)繞在(zai)一(yi)起的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)膜(mo)進(jin)(jin)行(xing)(xing)(xing)放(fang)卷(juan)時，第(di)(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)或者(zhe)第(di)(di)(di)二(er)(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)不會(hui)從基膜(mo)層(ceng)(ceng)上脫離(li)(li)(li)下來，能(neng)夠(gou)解決導(dao)電(dian)膜(mo)在(zai)制(zhi)備過程中發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)脫層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)問題。與此同時，本(ben)發(fa)(fa)明(ming)中的(de)(de)(de)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)去(qu)(qu)除層(ceng)(ceng)可(ke)以在(zai)導(dao)電(dian)膜(mo)的(de)(de)(de)下一(yi)制(zhi)備工(gong)藝之(zhi)前(qian)，例如(ru)對第(di)(di)(di)一(yi)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)和(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)金(jin)(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)執(zhi)行(xing)(xing)(xing)增厚工(gong)藝之(zhi)前(qian)去(qu)(qu)除，不會(hui)影(ying)響導(dao)電(dian)膜(mo)的(de)(de)(de)制(zhi)備，不僅能(neng)夠(gou)提高(gao)導(dao)電(dian)膜(mo)制(zhi)備過程中的(de)(de)(de)成品率和(he)生(sheng)(sheng)產效率，還能(neng)夠(gou)保證導(dao)電(dian)膜(mo)成品的(de)(de)(de)性能(neng)。

技術特征：

1.一種(zhong)導(dao)電膜，其(qi)特(te)征在于，包括：

2.根據權利要求(qiu)1所(suo)述的(de)導電膜(mo)，其特征在(zai)于，所(suo)述隔離(li)去除層(ceng)(ceng)(ceng)(40)包括材(cai)質不同于所(suo)述第一金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(20)和(he)所(suo)述第二金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(30)的(de)金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)或者(zhe)化合物層(ceng)(ceng)(ceng)。

3.根據權利要求2所述的(de)導電(dian)膜，其特(te)征在于，所述隔離去除層(ceng)(40)包括熔點(dian)低于所述第一金屬層(ceng)(20)和(he)/或所述第二金屬層(ceng)(30)的(de)熔點(dian)的(de)結構層(ceng)。

4.根據(ju)權利要求3所(suo)述的導(dao)電(dian)膜，其特(te)征(zheng)在于，所(suo)述隔離去除層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(40)包括鎂(mei)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鋁層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鋅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、錫層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鈣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、銀層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鉛層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鎘層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、鉍層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)、碲層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)及(ji)其對(dui)應(ying)的合(he)金層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)以及(ji)三(san)氧化二硼層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中至少之一。

5.根據權利要(yao)求(qiu)1至(zhi)4中任一項所(suo)(suo)述的(de)導電膜，其特征在于，沿所(suo)(suo)述第(di)一方向(xiang)，所(suo)(suo)述隔(ge)離去除層(ceng)(40)的(de)厚度(du)d1、所(suo)(suo)述第(di)一金(jin)屬層(ceng)(20)的(de)厚度(du)d2、所(suo)(suo)述基(ji)膜層(ceng)(10)的(de)厚度(du)d3、以(yi)及所(suo)(suo)述第(di)二金(jin)屬層(ceng)(30)的(de)厚度(du)d4滿足關系(xi)式：

6.根據權利要(yao)求5所述的導電膜，其特征(zheng)在于，沿第一方(fang)向，所述隔離去(qu)除(chu)層(ceng)(40)的厚度d1為0.2nm至15nm；和(he)/或(huo)，

7.根據(ju)權利要求1至(zhi)6中任(ren)一項所(suo)述的(de)導(dao)電膜，其(qi)特征在于，所(suo)述第一金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(20)和(he)(he)所(suo)述第二金屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)(30)均包(bao)括銅層(ceng)(ceng)(ceng)或(huo)者鋁層(ceng)(ceng)(ceng)；和(he)(he)/或(huo)，

8.根(gen)據權利要求(qiu)1至4、6中任一(yi)項所(suo)述(shu)的導(dao)電膜，其(qi)特征在于，所(suo)述(shu)基膜層(ceng)(ceng)(10)與(yu)所(suo)述(shu)第一(yi)金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(20)之間具有第三金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(50)，所(suo)述(shu)基膜層(ceng)(ceng)(10)與(yu)所(suo)述(shu)第二(er)金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(30)之間具有第四金(jin)(jin)(jin)屬層(ceng)(ceng)(60)。

9.根(gen)據權利要求8所(suo)述的(de)(de)(de)導電膜，其特(te)征在于，所(suo)述的(de)(de)(de)第三金屬層(ceng)(ceng)(ceng)(50)或所(suo)述的(de)(de)(de)第四金屬層(ceng)(ceng)(ceng)(60)包括鉻層(ceng)(ceng)(ceng)、鉻合(he)金層(ceng)(ceng)(ceng)、鉻合(he)金的(de)(de)(de)氧化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、氮化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、氮氧化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、氮氧化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、鈦(tai)層(ceng)(ceng)(ceng)、鈦(tai)合(he)金的(de)(de)(de)氧化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、硅(gui)氧化(hua)(hua)物(wu)(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)、銅(tong)層(ceng)(ceng)(ceng)、銅(tong)合(he)金層(ceng)(ceng)(ceng)中至少之一。

10.一種極片(pian)，其(qi)特征在于(yu)，所述極片(pian)包括權利要求1至(zhi)9中任一項所述的導電膜。

11.一種(zhong)電(dian)池，其特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)(shu)電(dian)池包括權利(li)要求10中所(suo)述(shu)(shu)的(de)極(ji)片。

12.一(yi)種用(yong)電(dian)設備(bei)，其特征在于，所(suo)述用(yong)電(dian)設備(bei)包括權利要求(qiu)11中所(suo)述的電(dian)池(chi)。

13.一種導電(dian)膜(mo)的(de)制備方(fang)法(fa)(fa)，其特(te)征在于，所述導電(dian)膜(mo)的(de)制備方(fang)法(fa)(fa)用于制備權利(li)要求1至9中任一項所述的(de)導電(dian)膜(mo)，所述導電(dian)膜(mo)的(de)制備方(fang)法(fa)(fa)包括(kuo)：

14.根據(ju)權利要求13所(suo)述的導電(dian)膜(mo)的制備(bei)方(fang)法，其特征在于，去(qu)除所(suo)述隔(ge)(ge)離去(qu)除層(ceng)的步驟包括(kuo)：使(shi)所(suo)述隔(ge)(ge)離去(qu)除層(ceng)與腐蝕液接觸。

15.根據權利要求(qiu)14所(suo)述(shu)的(de)導(dao)電(dian)膜的(de)制備方法(fa)，其(qi)特征(zheng)在(zai)于，所(suo)述(shu)腐(fu)蝕液包(bao)括酸性溶(rong)(rong)液或者(zhe)堿(jian)性溶(rong)(rong)液。

16.根據權利(li)要求(qiu)13至15中任一項所述(shu)的導(dao)電膜的制(zhi)備(bei)方法，其特征(zheng)在(zai)于，所述(shu)第(di)一制(zhi)備(bei)工(gong)藝和所述(shu)第(di)二(er)制(zhi)備(bei)工(gong)藝包(bao)括(kuo)真空(kong)磁控濺射(she)鍍(du)膜或者熱(re)蒸(zheng)發(fa)鍍(du)膜工(gong)藝。

17.根據權利(li)要求13至(zhi)15中任(ren)一項所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)導電膜(mo)的(de)制備(bei)方法，其特(te)征在于，將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)隔離去(qu)除層(ceng)(ceng)(40)去(qu)除之后，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)導電膜(mo)的(de)制備(bei)方法還包括：利(li)用第三制備(bei)工(gong)藝(yi)對所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一金(jin)屬層(ceng)(ceng)(20)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二金(jin)屬層(ceng)(ceng)(30)進行增厚，以使所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)膜(mo)層(ceng)(ceng)(10)各側的(de)鍍(du)層(ceng)(ceng)總厚度為(wei)700nm至(zhi)1600nm。

18.根據權利要求(qiu)17所述的(de)導電膜的(de)制備方法(fa)，其特征(zheng)在于，所述第三(san)制備工(gong)藝包括水電鍍(du)工(gong)藝。

技術總結
本發明公開了一種導電膜、極片、電池、用電設備及導電膜制備方法。其中，導電膜包括基膜層、第一金屬層、第二金屬層以及隔離去除層。沿第一方向，所述基膜層包括第一表面和第二表面；所述第一金屬層設置于所述第一表面；所述第二金屬層設置于所述第二表面；所述隔離去除層設置于所述第一金屬層背離所述基膜層的表面和所述第二金屬層背離所述基膜層的表面兩者至少之一上，并在所述導電膜執行下一制備工藝之前去除。本發明至少解決導電膜生產過程中容易出現金屬層與金屬層粘黏，從而容易造成導電膜出現脫層的問題。

技術研發人員：臧世偉,請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名,請求不公布姓名
受保護的技術使用者：重慶金美新材料科技有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19