技術編號：11136627
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本說明書所公開的技術涉及一種半導體裝置及其制造方法。背景技術已知一種具有被形成在硅基板的上表面上的溝槽的二極管。例如，在單一的硅基板上形成有二極管與IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極性晶體管)的半導體裝置(所謂的RC-IGBT(ReverseConductingInsulatedGateBipolarTransistor，反向導通型絕緣柵雙極性晶體管))中，在IGBT區域內形成有溝槽型的柵電極并且在二極管區域內也形成有與柵電極同樣地被配置在溝槽內的...
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