半導體器件以及半導體封裝體的制作方法
【技術領域】
[0001]本公開的各個實施方式涉及半導體技術領域，并且更具體地涉及一種半導體器件以及半導體封裝體。
【背景技術】
[0002]在現有技術中的一些半導體器件中，需要將半導體裸片通過粘接材料安裝至襯底。圖1示出了根據現有技術的包括這種半導體器件1000的半導體封裝體100。如圖1所示，半導體封裝體100包括半導體器件1000和用于封裝半導體器件1000的模制化合物9。在半導體器件1000中，第一半導體裸片I通過裸片附接膜3(DAF，全稱為Die Attach Film)和粘接膠4而粘接至襯底6，第二半導體裸片2通過導電粘接層5而粘接至襯底6。此外，第一半導體裸片I和第二半導體裸片2還均通過焊線7連接至引線8。
[0003]在圖1所示的實施方式中，DAF3和粘接膠4用于將第一半導體裸片I粘接至襯底6以及提供在第一半導體裸片I與襯底6之間的隔離。然而，第一半導體裸片I和襯底6之間的這種粘接方式存在多個方面的問題。例如，由DAF3和粘接膠4所提供的電氣隔離的可靠性差，因而在第一半導體裸片I與襯底6之間存在發生短路的風險。此外，由于DAF3和粘接膠4均為軟質材料，在采用熱超聲來安裝焊線7時容易產生共振，從而導致焊線7與第一半導體裸片I和引線8 二者之間的連接穩定性差。
【實用新型內容】
[0004]本公開的目的包括提供一種半導體器件以及半導體封裝體，以至少部分解決現有技術中的上述問題。
[0005]根據本公開的一個方面，提供一種半導體器件，包括:半導體裸片；硬質隔離層，形成于所述半導體裸片的表面上；襯底；以及非導電粘接層，位于所述硬質隔離層與所述襯底之間，以用于將所述硬質隔離層粘接至所述襯底。
[0006]根據本公開的一個示例性實施方式，所述半導體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導體裸片的與所述表面相對的另一表面處。
[0007]根據本公開的一個示例性實施方式，所述半導體器件還包括引線，所述引線通過焊線連接至所述接合焊盤。
[0008]根據本公開的一個示例性實施方式，所述半導體器件還包括:另一半導體裸片；以及導電粘接層，用于將所述另一半導體裸片粘接至所述襯底。
[0009]根據本公開的一個示例性實施方式，所述非導電粘接層包括裸片附接膜或粘接膠。
[0010]根據本公開的一個示例性實施方式，所述硬質隔離層為模制的層或旋涂的層。
[0011]根據本公開的另一方面，提供一種半導體封裝體，包括:如上所述的任意一種半導體器件；以及模制化合物，被布置為封裝所述半導體器件。
[0012]根據本公開的又一方面，提供一種用于制造半導體器件的方法，包括:提供半導體晶片；在所述半導體晶片的表面上形成硬質隔離層；將裸片附接膜粘附至所述硬質隔離層；切割所述半導體晶片、所述硬質隔離層和所述裸片附接膜以形成單片化結構，每個所述單片化結構包括半導體裸片；以及將所述單片化結構通過所述裸片附接膜粘接至襯底，其中所述裸片附接膜位于所述硬質隔離層和所述襯底之間。
[0013]根據本公開的一個示例性實施方式，在所述半導體晶片的所述表面上形成所述硬質隔離層包括:通過模制或旋涂工藝在所述半導體晶片的所述表面上形成所述硬質隔離層O
[0014]根據本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括:將另一半導體裸片通過導電粘接層粘接至所述襯底。
[0015]根據本公開的一個示例性實施方式，所述半導體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括:提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。
[0016]根據本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括:利用模制化合物進行封裝以形成封裝體。
[0017]根據本公開的又一方面，提供一種用于制造半導體器件的方法，包括:提供半導體晶片；在所述半導體晶片的表面上形成硬質隔離層；切割所述半導體晶片和所述硬質隔離層以形成單片化結構，每個所述單片化結構包括半導體裸片；以及將所述單片化結構通過粘接膠粘接至襯底，其中所述粘接膠位于所述硬質隔離層和所述襯底之間。
[0018]根據本公開的一個示例性實施方式，在所述半導體晶片的所述表面上形成所述硬質隔離層包括:通過模制或旋涂工藝在所述半導體晶片的所述表面上形成所述硬質隔離層O
[0019]根據本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括:將另一半導體裸片通過導電粘接層粘接至所述襯底。
[0020]根據本公開的一個示例性實施方式，所述半導體裸片包括接合焊盤，所述接合焊盤位于所述半導體裸片的與所述表面相對的另一表面處，并且其中所述方法還包括:提供引線；以及通過焊線將所述引線連接至所述接合焊盤。
[0021]根據本公開的一個示例性實施方式，所述方法還包括:利用模制化合物進行封裝以形成封裝體。
[0022]在本公開的各個實施方式的技術方案中，由于采用硬質隔離層來提供在半導體裸片和襯底之間的隔離，減小了半導體裸片與襯底之間發生短路的風險，從而提高了在半導體裸片與襯底之間的電氣隔離的可靠性。此外，由于硬質隔離層較為穩定，在采用熱超聲來安裝焊線時能夠避免產生共振，從而增強了半導體裸片和引線二者與焊線之間的連接穩定性。
【附圖說明】
[0023]當結合附圖閱讀下文對示范性實施方式的詳細描述時，這些以及其它目的、特征和優點將變得顯而易見，在附圖中:
[0024]圖1示出了根據現有技術的包括半導體器件的半導體封裝體；
[0025]圖2示出了根據本公開的一個實施方式的包括半導體器件的半導體封裝體；
[0026]圖3A至圖3F示出了用于制造圖2所示的半導體封裝體的過程；
[0027]圖4示出了根據本公開的另一實施方式的包括半導體器件的半導體封裝體；以及
[0028]圖5A至圖5E示出了用于制造圖4所示的半導體封裝體的過程。
【具體實施方式】
[0029]下面將參考附圖中示出的若干示例性實施方式來描述本公開的原理和精神。應當理解，描述這些實施方式僅僅是為了使本領域技術人員能夠更好地理解進而實現本公開，而并非以任何方式限制本公開的范圍。
[0030]圖2示出了根據本公開的一個實施方式的包括半導體器件2000的半導體封裝體200。如圖2所示，半導體封裝體200可以包括半導體器件2000和用于封裝半導體器件2000的模制化合物9。模制化合物9能夠為半導體器件2000提供穩定可靠的工作環境，并且模制化合物9可以包括各種類型的封裝材料，例如環氧樹脂。
[0031]如圖2所示，半導體器件2000可以包括通過粘接材料安裝至襯底6的相同表面601上的兩個半導體裸片，即第一半導體裸片I和第二半導體裸片2。襯底6可以用于提供對于安裝于其上的第一半導體裸片I和第二半導體裸片2的支撐。在半導體器件2000中，第一半導體裸片I可以與襯底6電氣隔離，而第二半導體裸片2可以與襯底6電連接。
[0032]如圖2所不，第一半導體裸片I可以包括第一表面101、與第一表面101相對的第二表面102、以及設置于第二表面102處的接合焊盤103，接合焊盤103用于提供與外部電路的連接。在圖2所示的實施方式中，半導體器件2000還可以包括形成于第一半導體裸片I的第一表面101上的硬質隔離層21。硬質隔離層21可以是通過模制工藝而形成于第一表面101上的模制的層，例如塑料層。硬質隔離層21也可以是通過旋涂工藝而形成于第一表面101上的旋涂的層，例如聚合物材料層。當然，硬質隔離層21還可以是通過其它工藝(例如沉積)形成的硬質材料層，而并不限于如上所述的硬質材料層。
[0033]如圖2所示，半導體器件2000還可以包括位于硬質隔離層21和襯底6之間的DAF3，以用于將硬質隔離層21粘接至襯底6的表面601上。
[0034]如圖2所示，半導體器件2000還可以包括位于第二半導體裸片2和襯底6之間的導電粘接層5。導電粘接層5用于將第二半導體裸片2粘接至襯底6的表面601上，并且提供在第二半導體裸片2與襯底6之間的電連接。
[0035]此外，半導體器件2000還可以包括焊線7和引線8。焊