1.一(yi)種半導體器件，包括：
第一晶體管，包括：
第一(yi)(yi)源(yuan)極區(qu)域(yu)，位(wei)于具有第一(yi)(yi)濃(nong)度的第一(yi)(yi)塊狀區(qu)域(yu)中；和
第一柵極；以及
第二晶體管，包括：
第(di)二(er)(er)源極區(qu)域，位于具有比所述第(di)一(yi)濃度高(gao)的第(di)二(er)(er)濃度的第(di)二(er)(er)塊狀區(qu)域中，所述第(di)二(er)(er)源極區(qu)域與所述第(di)一(yi)源極區(qu)域和所述第(di)一(yi)柵極連接。
2.根據權利要(yao)求1所述的(de)半導體(ti)器件，其中(zhong)，所述第(di)(di)(di)一(yi)晶體(ti)管包(bao)括具有(you)第(di)(di)(di)一(yi)厚(hou)度(du)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)絕緣層，并(bing)且(qie)所述第(di)(di)(di)二晶體(ti)管包(bao)括具有(you)第(di)(di)(di)二厚(hou)度(du)的(de)第(di)(di)(di)二絕緣層，所述第(di)(di)(di)二厚(hou)度(du)大于(yu)所述第(di)(di)(di)一(yi)厚(hou)度(du)。
3.根據(ju)權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的(de)半導體器件，其中，所(suo)述(shu)第(di)一(yi)晶(jing)體管包(bao)括(kuo)具(ju)有(you)第(di)一(yi)厚(hou)度的(de)第(di)一(yi)絕緣(yuan)層(ceng)，并(bing)且所(suo)述(shu)第(di)二(er)晶(jing)體管包(bao)括(kuo)具(ju)有(you)第(di)二(er)厚(hou)度的(de)第(di)二(er)絕緣(yuan)層(ceng)，所(suo)述(shu)第(di)二(er)厚(hou)度等于所(suo)述(shu)第(di)一(yi)厚(hou)度。
4.根據權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的(de)半導(dao)體器件(jian)，還包括：第一(yi)淺溝(gou)槽隔(ge)離(li)件(jian)(STI)和(he)第二淺溝(gou)槽隔(ge)離(li)件(jian)以及所(suo)述(shu)第一(yi)淺溝(gou)槽隔(ge)離(li)件(jian)和(he)所(suo)述(shu)第二淺溝(gou)槽隔(ge)離(li)件(jian)之間的(de)摻(chan)雜區域。
5.根據權(quan)利要(yao)求4所述的半導體(ti)(ti)器(qi)件，其(qi)中，所述摻雜(za)區域用作所述第一晶(jing)體(ti)(ti)管和(he)所述第二晶(jing)體(ti)(ti)管的漏極。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一濃度的范圍從5×1015cm-3到1×1016cm-3，并且所述第二濃度的范圍從1.5×1016cm-3到2×1017cm-3。
7.根據(ju)權利要求1所(suo)述的半導體器件，其(qi)中，所(suo)述第(di)一塊狀區域與(yu)所(suo)述第(di)一柵(zha)極(ji)的一部分(fen)重(zhong)疊(die)，并且所(suo)述第(di)二塊狀區域與(yu)所(suo)述第(di)二柵(zha)極(ji)的一部分(fen)重(zhong)疊(die)，還(huan)包括：
限定在(zai)所(suo)述(shu)第一(yi)塊狀區(qu)域中(zhong)的第一(yi)溝(gou)道(dao)和(he)限定在(zai)所(suo)述(shu)第二(er)塊狀區(qu)域中(zhong)的第二(er)溝(gou)道(dao)。
8.一種半導體器件，包括：
第一晶體管，包括：
第一源極(ji)區域(yu)，位于第一塊狀(zhuang)區域(yu)中；
第一(yi)絕緣層(ceng)，具有第一(yi)厚度；和
第一柵極，位于所述第一絕緣層(ceng)上；以(yi)及(ji)
第二晶體管，包括：
第(di)二源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)區(qu)域，位于第(di)二塊狀區(qu)域中，所(suo)述第(di)二源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)區(qu)域與(yu)所(suo)述第(di)一(yi)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)區(qu)域和所(suo)述第(di)一(yi)柵極(ji)(ji)連接(jie)；
第(di)二絕緣層，具有第(di)二厚(hou)度，所述第(di)二厚(hou)度大于所述第(di)一厚(hou)度；和
第二柵極，位于所述(shu)第二絕緣層上。
9.根(gen)據(ju)權利(li)要求8所(suo)述的(de)半導(dao)體(ti)器件，其(qi)中，所(suo)述第(di)一塊狀區(qu)(qu)域(yu)具有(you)第(di)一濃度(du)，并(bing)且(qie)所(suo)述第(di)二塊狀區(qu)(qu)域(yu)具有(you)比所(suo)述第(di)一濃度(du)高的(de)第(di)二濃度(du)。
10.一(yi)種形成半導體器件的方(fang)法(fa)，所(suo)述方(fang)法(fa)包括(kuo)：
提供包括第一器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域和(he)第二器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域的襯底，所(suo)述(shu)第一器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域和(he)所(suo)述(shu)第二器(qi)(qi)件(jian)區(qu)域分別與第一晶(jing)體(ti)管和(he)第二晶(jing)體(ti)管相關聯；
在所述襯(chen)底中形成阱；
在所(suo)述第(di)一(yi)(yi)器件區域中形成第(di)一(yi)(yi)圖案化的(de)絕緣(yuan)層，所(suo)述第(di)一(yi)(yi)圖案化的(de)絕緣(yuan)層具有第(di)一(yi)(yi)厚度；
在(zai)所述第(di)(di)二(er)器件區域中形成第(di)(di)二(er)圖(tu)案化(hua)的(de)絕緣層，所述第(di)(di)二(er)圖(tu)案化(hua)的(de)絕緣層具(ju)有(you)比(bi)所述第(di)(di)一厚(hou)(hou)度大的(de)第(di)(di)二(er)厚(hou)(hou)度；
在(zai)所述第一圖案(an)化的(de)絕(jue)緣層上形(xing)成第一柵極；
在所述(shu)阱中(zhong)，第一塊狀(zhuang)(zhuang)區域(yu)和第二塊狀(zhuang)(zhuang)區域(yu)分別形成(cheng)在所述(shu)第一器(qi)件(jian)區域(yu)和所述(shu)第二器(qi)件(jian)區域(yu)中(zhong)；
分(fen)別(bie)在所述第一塊狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)和所述第二塊狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)中形成第一源極(ji)區(qu)(qu)域(yu)和第二源極(ji)區(qu)(qu)域(yu)；以及
將所(suo)述第一源(yuan)極(ji)區域、所(suo)述第一柵(zha)極(ji)和所(suo)述第二源(yuan)極(ji)區域連接在一起(qi)。