本(ben)發(fa)明的實施例涉及(ji)集成電路器(qi)件，更(geng)具體地(di)，涉及(ji)半導體器(qi)件。

背景技術：

對摻雜的(de)半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)料(例如(ru)富有(you)或耗盡載流子電荷(he)的(de)層)的(de)表面(mian)施(shi)加金屬層產生(sheng)具(ju)有(you)與半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)料中的(de)p-n結相當的(de)性能的(de)接觸區域。該(gai)金屬半導(dao)體(ti)(ti)接觸區域的(de)常用名為肖(xiao)(xiao)(xiao)特基(ji)二(er)(er)極(ji)管(guan)。肖(xiao)(xiao)(xiao)特基(ji)二(er)(er)極(ji)管(guan)充分限制電流流動至一個方向的(de)能力是一種嚴重(zhong)依(yi)賴集成電路制造(zao)和設計的(de)性能。當正向偏(pian)置時，肖(xiao)(xiao)(xiao)特基(ji)二(er)(er)極(ji)管(guan)處(chu)于“開(kai)啟”狀(zhuang)態(tai)并(bing)且電流流經二(er)(er)極(ji)管(guan)。當二(er)(er)極(ji)管(guan)反向偏(pian)置時，肖(xiao)(xiao)(xiao)特基(ji)二(er)(er)極(ji)管(guan)處(chu)于“斷開(kai)”狀(zhuang)態(tai)并(bing)且理(li)想地將(jiang)不允許(xu)電流流動。

技術實現要素：

本(ben)發明的實施例提供了一(yi)(yi)(yi)種(zhong)半(ban)(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)(jian)，包括(kuo)：第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)，配(pei)置(zhi)為(wei)所述(shu)(shu)半(ban)(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)(jian)的陽極(ji)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，配(pei)置(zhi)為(wei)所述(shu)(shu)半(ban)(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)(jian)的陰極(ji)；第(di)(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，配(pei)置(zhi)為(wei)所述(shu)(shu)半(ban)(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)(jian)的另(ling)一(yi)(yi)(yi)陰極(ji)；以及導(dao)電區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)，其(qi)中，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)設置(zhi)在所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)和所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)之間，并且所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)配(pei)置(zhi)為(wei)電連接(jie)所述(shu)(shu)導(dao)電區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)。

本(ben)發明的(de)(de)另(ling)一(yi)(yi)(yi)實施例提供了(le)一(yi)(yi)(yi)種半(ban)導(dao)體器(qi)件，包括：第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區，配置(zhi)(zhi)為所(suo)述(shu)半(ban)導(dao)體器(qi)件的(de)(de)陽極(ji)；第(di)一(yi)(yi)(yi)摻雜(za)區域(yu)，配置(zhi)(zhi)為所(suo)述(shu)半(ban)導(dao)體器(qi)件的(de)(de)陰極(ji)；以及導(dao)電(dian)(dian)區域(yu)，設(she)置(zhi)(zhi)在所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區下方并且(qie)與所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區相連(lian)，所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)區域(yu)配置(zhi)(zhi)為當所(suo)述(shu)半(ban)導(dao)體器(qi)件是正向偏置(zhi)(zhi)的(de)(de)時(shi)產生(sheng)電(dian)(dian)流。

本(ben)發明的又一(yi)(yi)(yi)(yi)實施例(li)提供了一(yi)(yi)(yi)(yi)種用于制造(zao)半(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)的方(fang)(fang)法，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)方(fang)(fang)法包括：提供襯(chen)底(di)；在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底(di)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)導(dao)電區(qu)域(yu)；在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底(di)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)阱(jing)；在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)阱(jing)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)以(yi)用作(zuo)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)的陽極(ji)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)配(pei)置(zhi)為(wei)電連接所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)電區(qu)域(yu)；以(yi)及形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻雜區(qu)域(yu)和第(di)(di)二(er)摻雜區(qu)域(yu)以(yi)用作(zuo)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)的陰(yin)極(ji)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)阱(jing)區(qu)設置(zhi)在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)摻雜區(qu)域(yu)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)摻雜區(qu)域(yu)之間(jian)。

附圖說明

當(dang)結合附圖進行閱讀時，根(gen)據下(xia)面(mian)詳細的描述可(ke)以更好地理解本(ben)發明(ming)(ming)的實(shi)(shi)施(shi)例。應該(gai)強調的是，根(gen)據工業中的標準實(shi)(shi)踐，對(dui)各種(zhong)部(bu)(bu)件(jian)沒有按(an)比(bi)例繪制并且僅僅用于說(shuo)明(ming)(ming)的目的。實(shi)(shi)際上，為了(le)清(qing)楚的討論，各種(zhong)部(bu)(bu)件(jian)的尺寸可(ke)以被(bei)任意增大或縮小(xiao)。

圖1A是(shi)根據本發明的(de)(de)一些實施例(li)的(de)(de)半導(dao)體器件的(de)(de)布局(ju)頂(ding)視圖。

圖(tu)1B是根據本發明的(de)(de)一(yi)些實施(shi)例的(de)(de)圖(tu)1A所示的(de)(de)半(ban)導體器件沿線A-A'截取的(de)(de)截面圖(tu)。

圖2是根據本發(fa)明(ming)的(de)一(yi)些實施例的(de)半(ban)導體(ti)器件的(de)圖。

圖3A至圖3F是根據本發明的(de)(de)(de)一些實施(shi)例的(de)(de)(de)示(shi)出制造半導體(ti)器(qi)件的(de)(de)(de)方法的(de)(de)(de)圖。

圖4是根據本發(fa)明的(de)一些(xie)實(shi)施例的(de)示(shi)出(chu)形成半導體器件(jian)的(de)方法的(de)流程(cheng)圖。

具體實施方式

以下公開內(nei)容(rong)提供了許多用于實現所提供主題的(de)(de)不(bu)(bu)同特征(zheng)的(de)(de)不(bu)(bu)同實施(shi)(shi)例或實例。下面描述(shu)了組件(jian)(jian)和(he)(he)(he)布置(zhi)的(de)(de)具(ju)體實例以簡化本發明。當(dang)然，這些(xie)僅(jin)僅(jin)是實例，而(er)不(bu)(bu)旨在(zai)(zai)限(xian)制本發明。例如(ru)，在(zai)(zai)以下描述(shu)中，在(zai)(zai)第(di)二部(bu)(bu)件(jian)(jian)上方(fang)或者(zhe)上形成(cheng)第(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)可(ke)(ke)以包括第(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)和(he)(he)(he)第(di)二部(bu)(bu)件(jian)(jian)形成(cheng)為(wei)直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)的(de)(de)實施(shi)(shi)例，并(bing)且也可(ke)(ke)以包括在(zai)(zai)第(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)和(he)(he)(he)第(di)二部(bu)(bu)件(jian)(jian)之間可(ke)(ke)以形成(cheng)額外(wai)的(de)(de)部(bu)(bu)件(jian)(jian)，從而(er)使得第(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)和(he)(he)(he)第(di)二部(bu)(bu)件(jian)(jian)可(ke)(ke)以不(bu)(bu)直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)的(de)(de)實施(shi)(shi)例。此外(wai)，本發明可(ke)(ke)在(zai)(zai)各(ge)個實例中重復(fu)參考標號和(he)(he)(he)/或字母。該重復(fu)是為(wei)了簡單和(he)(he)(he)清楚(chu)的(de)(de)目的(de)(de)，并(bing)且其本身(shen)不(bu)(bu)指(zhi)示所討論的(de)(de)各(ge)個實施(shi)(shi)例和(he)(he)(he)/或配置(zhi)之間的(de)(de)關系。

圖(tu)(tu)1A是(shi)根據本發明的(de)一(yi)些實施(shi)例的(de)半(ban)導體器件1的(de)布局頂視圖(tu)(tu)。參(can)照(zhao)圖(tu)(tu)1A，半(ban)導體器件1包括第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)120和(he)第(di)(di)二區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)115。例如，在半(ban)導體器件1用作肖(xiao)特基二極管(guan)的(de)實施(shi)例中(zhong)，第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)120是(shi)陽極區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)并且(qie)第(di)(di)二區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)115是(shi)陰極區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)。

第(di)(di)一區(qu)(qu)域(yu)120由諸如淺溝槽隔(ge)離(STI)結構(gou)的隔(ge)離結構(gou)118限定(ding)。第(di)(di)一區(qu)(qu)域(yu)120包括第(di)(di)一阱(jing)區(qu)(qu)12和多個(ge)阱(jing)區(qu)(qu)18。

第(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)12基本設(she)置在第(di)(di)(di)一區(qu)(qu)域(yu)120的(de)中心部分處。此外，第(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)12是(shi)第(di)(di)(di)一摻雜劑類型的(de)半導(dao)(dao)體阱(jing)(jing)。在實施例(li)中，第(di)(di)(di)一摻雜劑類型是(shi)p型。此外，第(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)12是(shi)深p阱(jing)(jing)。在本實施例(li)中，第(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)12用(yong)作半導(dao)(dao)體器件1的(de)陽極。在圖案(an)化的(de)導(dao)(dao)電層(未示(shi)出)中的(de)第(di)(di)(di)一阱(jing)(jing)區(qu)(qu)12上形(xing)成(cheng)拾取AN(圖1B所示(shi))以用(yong)于電連接。

在(zai)本(ben)實施例中，多個(ge)阱區(qu)(qu)(qu)18相(xiang)對于第一(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12基本(ben)對稱(cheng)地設置。多個(ge)阱區(qu)(qu)(qu)18的每個(ge)是第一(yi)摻雜劑(ji)類型的半(ban)(ban)導(dao)體(ti)阱。在(zai)本(ben)實施例中，多個(ge)阱區(qu)(qu)(qu)18也(ye)用(yong)作半(ban)(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)1的陽極。

在(zai)諸如STI結構(gou)的隔離結構(gou)118和隔離結構(gou)114之間限定第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)115。第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)115包括(kuo)第(di)(di)(di)一摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)141和第(di)(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)142。為了簡潔和方便，圖1A中僅示出兩個(ge)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)141和142，然而(er)第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)115可以(yi)包括(kuo)多個(ge)這樣(yang)的摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)。第(di)(di)(di)一摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)141和第(di)(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)142相對于第(di)(di)(di)一阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)12對稱地設置。第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)115(即，陰極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu))基本圍繞第(di)(di)(di)一區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(陽(yang)極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu))。

第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜區(qu)(qu)域(yu)141包(bao)括與第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜劑(ji)類(lei)型(xing)相(xiang)反的(de)(de)(de)第(di)(di)二摻(chan)(chan)雜劑(ji)類(lei)型(xing)的(de)(de)(de)摻(chan)(chan)雜劑(ji)。在(zai)實施(shi)例中(zhong)，第(di)(di)二摻(chan)(chan)雜劑(ji)類(lei)型(xing)是(shi)(shi)n型(xing)。此(ci)外，第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜區(qu)(qu)域(yu)141是(shi)(shi)重摻(chan)(chan)雜的(de)(de)(de)n型(xing)區(qu)(qu)域(yu)。在(zai)本實施(shi)例中(zhong)，第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜區(qu)(qu)域(yu)141用作半導體器件1的(de)(de)(de)陰極。在(zai)圖(tu)案(an)化的(de)(de)(de)導電層中(zhong)的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜區(qu)(qu)域(yu)141上形成拾取CA1(圖(tu)1B所示)以(yi)用于(yu)電連(lian)接。

同(tong)樣(yang)地，第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)142包(bao)括第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)劑類(lei)型(xing)(xing)的摻(chan)雜(za)(za)劑。此外，第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)142是重(zhong)摻(chan)雜(za)(za)的n型(xing)(xing)區(qu)域(yu)(yu)。在本(ben)實(shi)施例(li)中，第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)142也用(yong)作半導(dao)體(ti)器(qi)件1的陰極。在圖(tu)案化(hua)的導(dao)電層中的第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)142上形成拾取CA2(圖(tu)1B所示)以用(yong)于電連接。

此外，在隔(ge)離結(jie)構114和隔(ge)離結(jie)構110(也包括STI結(jie)構的(de)(de))之(zhi)間(jian)限定(ding)阱(jing)(jing)區(qu)112。在實施例中，阱(jing)(jing)區(qu)112是第(di)一摻(chan)雜劑類型的(de)(de)半導體阱(jing)(jing)。此外，阱(jing)(jing)區(qu)112是重摻(chan)雜的(de)(de)p阱(jing)(jing)。阱(jing)(jing)區(qu)112具(ju)有位(wei)于其中的(de)(de)多個第(di)三摻(chan)雜區(qu)域(yu)16。為了簡(jian)潔(jie)和方(fang)便，圖1A中僅示出兩個第(di)三摻(chan)雜區(qu)域(yu)16。

多(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)三摻(chan)雜(za)(za)(za)區域16的(de)每個(ge)(ge)(ge)均(jun)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)劑類(lei)型的(de)摻(chan)雜(za)(za)(za)劑。此外，多(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)三摻(chan)雜(za)(za)(za)區域16的(de)每個(ge)(ge)(ge)均(jun)是重摻(chan)雜(za)(za)(za)的(de)p型區域。第(di)(di)三摻(chan)雜(za)(za)(za)區域16包括(kuo)用于(yu)阱區112的(de)電連接的(de)拾取(qu)。第(di)(di)三摻(chan)雜(za)(za)(za)區域16通過(guo)隔離(li)結(jie)構(gou)114與第(di)(di)一(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)區域141和第(di)(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)區域142電隔離(li)。此外，多(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)三摻(chan)雜(za)(za)(za)區域16和阱112配置為用于(yu)襯底122的(de)電連接。

由于在(zai)第一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域120(陽極區(qu)(qu)(qu)域)的中心區(qu)(qu)(qu)域處(chu)(chu)設(she)置第一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12，不需(xu)要為(wei)放置第一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12保(bao)留(liu)別處(chu)(chu)的面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，并且(qie)因(yin)此顯著地(di)減少了半導(dao)體(ti)器件1的面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)成本。例如(ru)，假設(she)第一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域120的面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)稱為(wei)總面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)并且(qie)第一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域120的不包(bao)括第一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12的面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)稱為(wei)有效(xiao)面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。在(zai)實施例中，有效(xiao)面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)總面(mian)(mian)積(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的比率相當于約93.8％。

在一些現(xian)有的(de)(de)(de)半(ban)導體(ti)器(qi)(qi)件中，類似(si)(si)于(yu)(yu)第(di)一阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)不(bu)放置在第(di)一區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)120的(de)(de)(de)中心(xin)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)處。取(qu)而代之(zhi)，兩(liang)個或更多這樣的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)放置在類似(si)(si)于(yu)(yu)第(di)一區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)120的(de)(de)(de)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)外(wai)部，其中，阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)18設置在第(di)一區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)120。此(ci)外(wai)，類似(si)(si)于(yu)(yu)第(di)一阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)不(bu)配置為用作陽極。相應地，需要額外(wai)的(de)(de)(de)面積用于(yu)(yu)類似(si)(si)于(yu)(yu)第(di)一阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。結果，與(yu)半(ban)導體(ti)器(qi)(qi)件1相比，現(xian)有半(ban)導體(ti)器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)面積成本相對較高。例如，現(xian)有半(ban)導體(ti)器(qi)(qi)件中的(de)(de)(de)有效面積和總面積的(de)(de)(de)比率(lv)僅約64％，這顯著地低于(yu)(yu)半(ban)導體(ti)器(qi)(qi)件1的(de)(de)(de)93.8％。

圖(tu)1B是(shi)根據本發明(ming)的(de)一(yi)(yi)些(xie)實施例的(de)圖(tu)1A所示的(de)半(ban)導(dao)體器件1沿線A-A'截取的(de)截面(mian)圖(tu)。參照圖(tu)1B，示出(chu)了第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)12、第(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域141、第(di)二(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域142、襯底(di)(di)122中(zhong)的(de)第(di)三摻(chan)雜(za)(za)區(qu)域16、以及阱116、襯底(di)(di)122中(zhong)的(de)導(dao)電區(qu)域13和另一(yi)(yi)導(dao)電區(qu)域17。

阱區(qu)(qu)(qu)18具有(you)(you)Y的(de)(de)(de)深度。第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12用作半(ban)導(dao)(dao)體器件1的(de)(de)(de)陽極，并(bing)且具有(you)(you)相(xiang)關聯的(de)(de)(de)拾取(qu)"AN"。此外，第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12具有(you)(you)X的(de)(de)(de)深度。此外，配(pei)置(zhi)為電(dian)連接導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12與導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13相(xiang)連。由于在阱區(qu)(qu)(qu)18下(xia)方形成導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13，所以第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)深度X長于阱區(qu)(qu)(qu)18的(de)(de)(de)深度Y。

額(e)外地，在(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)141與第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)142之間(jian)限定(ding)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12。在(zai)一(yi)(yi)些實施例中，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12與第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)141和第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)142的(de)(de)距(ju)離基本(ben)相等(deng)。結(jie)果，從第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12至第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)141的(de)(de)距(ju)離W2等(deng)于從第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12至第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)142的(de)(de)距(ju)離W1。因(yin)此，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12和第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)141之間(jian)的(de)(de)寄生(sheng)電阻基本(ben)等(deng)于第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)阱(jing)區(qu)(qu)12和第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)142之間(jian)的(de)(de)寄生(sheng)電阻，導致半(ban)導體器(qi)件1的(de)(de)更好的(de)(de)性能。

在陰極(ji)區(qu)域(yu)(yu)(yu)115中設置第(di)一(yi)摻(chan)雜區(qu)域(yu)(yu)(yu)141和第(di)二(er)(er)摻(chan)雜區(qu)域(yu)(yu)(yu)142。具(ju)體地，第(di)一(yi)摻(chan)雜區(qu)域(yu)(yu)(yu)141用(yong)作(zuo)半導(dao)體器件(jian)1的第(di)一(yi)陰極(ji)并且具(ju)有相關聯的拾取(qu)"CA1"。相似地，第(di)二(er)(er)摻(chan)雜區(qu)域(yu)(yu)(yu)142用(yong)作(zuo)半導(dao)體器件(jian)1的第(di)二(er)(er)陰極(ji)并且具(ju)有相關聯的拾取(qu)"CA2"。

在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122輕摻(chan)雜(za)(za)有第一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)劑(ji)類(lei)型的(de)(de)摻(chan)雜(za)(za)劑(ji)并且設定(ding)為地面參(can)考電壓(ya)。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122包括硅(gui)(gui)鍺、砷化(hua)(hua)鎵、碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)或(huo)(huo)其(qi)它合(he)適(shi)的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)材料。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122還(huan)(huan)包括諸(zhu)(zhu)如P阱(jing)(jing)和(he)/或(huo)(huo)N阱(jing)(jing)的(de)(de)摻(chan)雜(za)(za)區域(未示出)。在一(yi)(yi)些(xie)其(qi)它實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122還(huan)(huan)包括諸(zhu)(zhu)如掩埋(mai)層(ceng)或(huo)(huo)外延(yan)層(ceng)的(de)(de)其(qi)他(ta)部件。此外，在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122是(shi)諸(zhu)(zhu)如絕(jue)緣體(ti)上硅(gui)(gui)(SOI)的(de)(de)絕(jue)緣體(ti)上半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)。在其(qi)它實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122包括摻(chan)雜(za)(za)的(de)(de)epi層(ceng)、梯度半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)層(ceng)或(huo)(huo)還(huan)(huan)包括覆蓋不同(tong)類(lei)型的(de)(de)另一(yi)(yi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)層(ceng)的(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)層(ceng)(諸(zhu)(zhu)如，硅(gui)(gui)鍺層(ceng)上的(de)(de)硅(gui)(gui)層(ceng))。在一(yi)(yi)些(xie)其(qi)它實(shi)(shi)(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，化(hua)(hua)合(he)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)包括多層(ceng)硅(gui)(gui)結(jie)構，或(huo)(huo)硅(gui)(gui)襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)可(ke)以包括多層(ceng)化(hua)(hua)合(he)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)結(jie)構。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122可(ke)以包括諸(zhu)(zhu)如鍺和(he)金剛(gang)石的(de)(de)其(qi)他(ta)元素半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)(di)122包括諸(zhu)(zhu)如碳化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、砷化(hua)(hua)鎵、砷化(hua)(hua)銦(yin)或(huo)(huo)磷化(hua)(hua)銦(yin)的(de)(de)化(hua)(hua)合(he)物半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)。

在實施例中，阱(jing)116是(shi)第(di)二摻雜劑(ji)類型的半導體(ti)(ti)阱(jing)并且因此(ci)形成n阱(jing)。阱(jing)116用作半導體(ti)(ti)器件1的有源區域(yu)。在阱(jing)116中形成第(di)一(yi)阱(jing)區12、第(di)一(yi)摻雜區域(yu)141、第(di)二摻雜區域(yu)142以及多個阱(jing)區18。

在實(shi)施(shi)例中，導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13包括(kuo)第(di)(di)一(yi)摻雜(za)劑(ji)類(lei)型的(de)摻雜(za)劑(ji)并且因(yin)此(ci)形成(cheng)p型區(qu)域(yu)。此(ci)外，導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13形成(cheng)為(wei)與(yu)第(di)(di)一(yi)阱區(qu)12相(xiang)連的(de)掩埋層，并且在橫(heng)向(xiang)方(fang)向(xiang)上具有長度L1。導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13配置(zhi)為(wei)與(yu)第(di)(di)一(yi)阱區(qu)12電接觸。以(yi)這樣的(de)方(fang)式，可以(yi)通(tong)過(guo)第(di)(di)一(yi)阱區(qu)12對導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13施(shi)加電壓。此(ci)外，導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13基(ji)本在第(di)(di)一(yi)摻雜(za)區(qu)域(yu)141和第(di)(di)二摻雜(za)區(qu)域(yu)142下方(fang)的(de)阱116中延(yan)伸(shen)。此(ci)外，導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)13和隔離結構118之間的(de)距離是(shi)H1。

導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17包括第二摻(chan)雜劑類型(xing)的(de)(de)摻(chan)雜劑并且因(yin)此(ci)形成n型(xing)區(qu)(qu)(qu)域(yu)。此(ci)外，在導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13下(xia)方形成與導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13相連的(de)(de)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17，并且導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17配置為(wei)與導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13電(dian)接(jie)觸。導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17配置為(wei)將阱116與襯底122隔離。此(ci)外，導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17和導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)13確定半導(dao)(dao)體(ti)器件1的(de)(de)擊穿電(dian)壓，這將更詳細地描述(shu)。

如之前所(suo)述，在(zai)一些實施(shi)例中(zhong)，襯(chen)底122是p型(xing)(xing)襯(chen)底，導電區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)17是n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)，導電區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)13是p型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)，阱116是n阱，第(di)(di)一阱區(qu)(qu)(qu)(qu)12是p型(xing)(xing)阱區(qu)(qu)(qu)(qu)，第(di)(di)一和(he)(he)第(di)(di)二摻雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)141和(he)(he)142是n型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)，多個(ge)阱區(qu)(qu)(qu)(qu)18是p阱區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)，阱區(qu)(qu)(qu)(qu)112是p型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)以及多個(ge)第(di)(di)三摻雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)16是p型(xing)(xing)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)。鑒于(yu)上述，在(zai)操作(zuo)中(zhong)，當對(dui)第(di)(di)一阱區(qu)(qu)(qu)(qu)12和(he)(he)對(dui)多個(ge)阱區(qu)(qu)(qu)(qu)18施(shi)加(jia)(jia)第(di)(di)一電壓(ya)電平(ping)(ping)，而通過(guo)第(di)(di)一摻雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)141和(he)(he)第(di)(di)二摻雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)142對(dui)阱116施(shi)加(jia)(jia)低于(yu)第(di)(di)一電壓(ya)電平(ping)(ping)的第(di)(di)二電壓(ya)電平(ping)(ping)時，發生正(zheng)(zheng)向偏(pian)置(zhi)情況(kuang)并且半導體是正(zheng)(zheng)向偏(pian)置(zhi)的。

由(you)于(yu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)13和導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17之間相(xiang)反的(de)摻雜劑類型，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)13和導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17之間的(de)界面處存(cun)在(zai)(zai)耗(hao)盡區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(未示(shi)(shi)出(chu))。耗(hao)盡區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)是半導(dao)(dao)(dao)體(ti)器(qi)件1的(de)擊穿電(dian)(dian)(dian)壓的(de)一(yi)(yi)個(ge)因數(shu)。相(xiang)似地，由(you)于(yu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17和襯底122之間相(xiang)反的(de)摻雜劑類型，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17和襯底122之間的(de)界面處存(cun)在(zai)(zai)另一(yi)(yi)耗(hao)盡區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(未示(shi)(shi)出(chu))。另一(yi)(yi)耗(hao)盡區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)也是半導(dao)(dao)(dao)體(ti)器(qi)件1的(de)擊穿電(dian)(dian)(dian)壓的(de)一(yi)(yi)個(ge)因數(shu)。

當半(ban)導(dao)體(ti)1是正向(xiang)偏置的(de)(de)(de)時，電(dian)流(liu)(liu)(liu)從(cong)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12(陽極)朝向(xiang)第(di)一(yi)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)141(陰極)和第(di)二摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)142(陰極)流(liu)(liu)(liu)動。由于(yu)多(duo)個(ge)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)18和阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116之間(jian)相反的(de)(de)(de)摻(chan)雜劑(ji)類型，阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)18和阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116產(chan)生促成得(de)到(dao)(dao)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。以相似的(de)(de)(de)方式，由于(yu)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12和阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116之間(jian)相反的(de)(de)(de)摻(chan)雜劑(ji)類型，第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12和阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116也產(chan)生促成得(de)到(dao)(dao)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。此外，由于(yu)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)深度(du)X長于(yu)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)18的(de)(de)(de)深度(du)Y，流(liu)(liu)(liu)經(jing)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)大于(yu)流(liu)(liu)(liu)經(jing)任何(he)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)18的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。在一(yi)些實施例中，盡管(guan)不放置在中心區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)中，如果第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)12配(pei)置為(wei)電(dian)連(lian)接放置在阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116中的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)之間(jian)的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)13，半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件1的(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)仍然能夠增加。

在上述現(xian)有的半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)件中(zhong)，阱(jing)區(qu)(類(lei)似(si)于(yu)第一(yi)阱(jing)區(qu)12)配置為電(dian)(dian)連接(jie)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)(類(lei)似(si)于(yu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)13)并且不用(yong)作陽極。此外，阱(jing)區(qu)(類(lei)似(si)于(yu)第一(yi)阱(jing)區(qu)12)不放置在阱(jing)(類(lei)似(si)于(yu)阱(jing)116)(其(qi)中(zhong)放置阱(jing)區(qu)(類(lei)似(si)于(yu)阱(jing)區(qu)18))中(zhong)。因(yin)此，當現(xian)有半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)件是正(zheng)向偏置的時，阱(jing)區(qu)(類(lei)似(si)于(yu)第一(yi)阱(jing)區(qu)12)和阱(jing)(類(lei)似(si)于(yu)阱(jing)116)不產生電(dian)(dian)流(liu)。結(jie)果，現(xian)有半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)件的電(dian)(dian)流(liu)相對較小。

仍以相(xiang)(xiang)似(si)的方(fang)式，由于(yu)導電(dian)(dian)區(qu)域(yu)13和(he)阱(jing)116之間相(xiang)(xiang)反(fan)的摻雜(za)劑類型，導電(dian)(dian)區(qu)域(yu)13和(he)阱(jing)116產生促成得(de)到的電(dian)(dian)流的電(dian)(dian)流。

在上述現(xian)有半導(dao)(dao)體(ti)器件(jian)中(zhong)，阱(jing)區(qu)(qu)(類(lei)似于第(di)一阱(jing)區(qu)(qu)12)配置(zhi)為電連(lian)接不放置(zhi)在阱(jing)(類(lei)似于阱(jing)116)(其中(zhong)放置(zhi)阱(jing)區(qu)(qu)(類(lei)似于阱(jing)區(qu)(qu)18))中(zhong)的導(dao)(dao)電區(qu)(qu)域(類(lei)似于導(dao)(dao)電區(qu)(qu)域13)。因此，當現(xian)有半導(dao)(dao)體(ti)器件(jian)是正向(xiang)偏(pian)置(zhi)的時，導(dao)(dao)電區(qu)(qu)域(類(lei)似于導(dao)(dao)電區(qu)(qu)域13)不產生電流(liu)。結果，現(xian)有半導(dao)(dao)體(ti)器件(jian)的電流(liu)相對較小。

另一方面(mian)，在本發明(ming)中(zhong)，由于(yu)配置為電(dian)連(lian)接(jie)(jie)導電(dian)層13的第一阱(jing)區(qu)12放置在阱(jing)116中(zhong)，所(suo)以(yi)阱(jing)116(以(yi)及第一摻雜區(qu)域(yu)141和第二摻雜區(qu)域(yu)142)還(huan)配置為電(dian)連(lian)接(jie)(jie)導電(dian)層17。結果，不(bu)需要額外地保留放置僅為了(le)電(dian)連(lian)接(jie)(jie)導電(dian)層17的阱(jing)區(qu)的面(mian)積。實際上(shang)，進一步減少了(le)半導體(ti)器件1的面(mian)積成本。

在上(shang)述(shu)現有的(de)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)器件中，由于(yu)阱(jing)(jing)區(qu)配置為電(dian)(dian)(dian)連接(jie)不放置在阱(jing)(jing)(類似于(yu)阱(jing)(jing)116)(其中放置阱(jing)(jing)區(qu)(類似于(yu)阱(jing)(jing)區(qu)))中的(de)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)(類似于(yu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)13)，以(yi)(yi)及由于(yu)在不同電(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)平(ping)下，第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)(類似于(yu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)13)和第(di)(di)二導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)(類似于(yu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)17)需要被偏置，所以(yi)(yi)需要保留面積(ji)以(yi)(yi)用于(yu)第(di)(di)二導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)(類似于(yu)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)域(yu)(yu)17)的(de)電(dian)(dian)(dian)連接(jie)。結果，現有的(de)半導(dao)(dao)(dao)(dao)體(ti)器件消耗相對較大的(de)面積(ji)。

由(you)于第一阱(jing)區12、阱(jing)116和阱(jing)區112之間的(de)摻雜(za)劑類型，限定了不(bu)(bu)期望的(de)寄(ji)生雙極(ji)結型晶體管(BJT)19。為了簡潔(jie)和方便，圖1B中僅示出寄(ji)生BJT19。寄(ji)生BJT19可以(yi)是指至襯底122的(de)泄漏(lou)(lou)路徑(jing)，其將(jiang)不(bu)(bu)利地(di)(di)影響(xiang)半導體器件1的(de)性能。BJT19的(de)泄漏(lou)(lou)電流(liu)的(de)一個(ge)因(yin)數是阱(jing)116的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)W。具體地(di)(di)，隨(sui)著寬(kuan)(kuan)度(du)W減小，不(bu)(bu)期望的(de)泄漏(lou)(lou)電流(liu)增加。大體地(di)(di)，可以(yi)導致泄漏(lou)(lou)電流(liu)的(de)阱(jing)(諸如阱(jing)116)的(de)寬(kuan)(kuan)度(du)相(xiang)對較寬(kuan)(kuan)，從(cong)而使(shi)得泄漏(lou)(lou)電流(liu)能夠(gou)被抑制。

在上述現(xian)有的(de)(de)(de)半導體器件(jian)中，配(pei)置(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(類似于導電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)13)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(類似于第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12)是p阱(jing)(jing)。配(pei)置(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)第(di)(di)(di)(di)(di)二導電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(類似于導電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)17)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)是n阱(jing)(jing)。此外，配(pei)置(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)襯底(類似于襯底122)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)三區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)是p阱(jing)(jing)。由于第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)、第(di)(di)(di)(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)三區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)摻雜(za)劑類型，通(tong)過(guo)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)、第(di)(di)(di)(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)三區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)限(xian)定寄生BJT。如前所述，寄生BJT的(de)(de)(de)泄漏(lou)電(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)因數是第(di)(di)(di)(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)。但是，當半導體器件(jian)是正向偏置(zhi)的(de)(de)(de)時，配(pei)置(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)顯著地(di)小于配(pei)置(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)(dian)流傳導的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)的(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)。因此，導致寄生BJT的(de)(de)(de)現(xian)有的(de)(de)(de)半導體器件(jian)的(de)(de)(de)泄漏(lou)電(dian)(dian)(dian)流相對較大。

由(you)于(yu)(yu)(yu)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區12放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116(其中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區18)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，當(dang)半導(dao)(dao)(dao)體器件1是正向偏置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)時，第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區12能夠提(ti)(ti)供(gong)電(dian)流(liu)(liu)。此外，由(you)于(yu)(yu)(yu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)區域(yu)(yu)13與放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區12電(dian)接觸，其中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區18放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，當(dang)半導(dao)(dao)(dao)體器件1是正向偏置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)時，導(dao)(dao)(dao)電(dian)區域(yu)(yu)13也能夠提(ti)(ti)供(gong)電(dian)流(liu)(liu)。此外，由(you)于(yu)(yu)(yu)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區12放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)116(其中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區18)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)，由(you)寄生(sheng)BJT19產生(sheng)的(de)(de)(de)泄漏電(dian)流(liu)(liu)減小。此外，由(you)于(yu)(yu)(yu)在(zai)第(di)一(yi)摻雜區域(yu)(yu)141和第(di)二摻雜區域(yu)(yu)142之間放(fang)(fang)(fang)置(zhi)(zhi)第(di)一(yi)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區12，不需(xu)要為否則(ze)將配(pei)置(zhi)(zhi)為電(dian)連接導(dao)(dao)(dao)電(dian)區域(yu)(yu)13的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區保留(liu)任(ren)何面積(ji)，或(huo)不需(xu)要為否則(ze)將配(pei)置(zhi)(zhi)為電(dian)連接導(dao)(dao)(dao)電(dian)區域(yu)(yu)17的(de)(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)區保留(liu)任(ren)何面積(ji)。實際上，半導(dao)(dao)(dao)體器件1消耗了相對較(jiao)小的(de)(de)(de)面積(ji)。

圖2是根據(ju)本發明(ming)的(de)(de)(de)一些實施例的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體器(qi)件(jian)(jian)(jian)2的(de)(de)(de)圖。參(can)(can)考(kao)圖2，例如(ru)，除了(le)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體器(qi)件(jian)(jian)(jian)2用導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)23替換(huan)了(le)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)13，半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體器(qi)件(jian)(jian)(jian)2與(yu)參(can)(can)考(kao)圖1B所(suo)述和(he)所(suo)示的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體器(qi)件(jian)(jian)(jian)1類(lei)似。此外，例如(ru)，除了(le)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)23具(ju)有比(bi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)13的(de)(de)(de)長(chang)度L1短(duan)的(de)(de)(de)長(chang)度L2，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)23與(yu)參(can)(can)考(kao)圖1B所(suo)述和(he)所(suo)示的(de)(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)13類(lei)似。在由隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)118限定(ding)的(de)(de)(de)阱(jing)區(qu)18下方設置導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)23。此外，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)23橫(heng)跨(kua)阱(jing)區(qu)18延(yan)伸而不(bu)超(chao)過隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)118。結(jie)果，隔(ge)離(li)(li)結(jie)構(gou)118和(he)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)區(qu)域(yu)17之間的(de)(de)(de)距(ju)離(li)(li)是H2，H2比(bi)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體器(qi)件(jian)(jian)(jian)1中的(de)(de)(de)H1長(chang)。

隔(ge)離(li)(li)結構118和(he)導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)17之間的(de)(de)(de)距離(li)(li)也是確定從(cong)第(di)一阱區(qu)12(陽極)至第(di)一摻雜區(qu)域(yu)141和(he)142(陰極)的(de)(de)(de)電流(liu)(liu)的(de)(de)(de)因數(shu)。具(ju)體(ti)地，電流(liu)(liu)隨著隔(ge)離(li)(li)結構118和(he)導(dao)(dao)電區(qu)域(yu)17之間的(de)(de)(de)距離(li)(li)增加而增加。由于(yu)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件2中的(de)(de)(de)討(tao)論(lun)(lun)的(de)(de)(de)距離(li)(li)H2比半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件1中的(de)(de)(de)討(tao)論(lun)(lun)的(de)(de)(de)距離(li)(li)H1長，所以當(dang)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件1和(he)2是正向偏置(zhi)的(de)(de)(de)時，半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件2產生的(de)(de)(de)電流(liu)(liu)比半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器(qi)(qi)件1產生的(de)(de)(de)電流(liu)(liu)多。

由(you)(you)于(yu)(yu)圖1B的(de)(de)實施例中(zhong)(zhong)提供的(de)(de)類似的(de)(de)原(yuan)因，由(you)(you)于(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)116(其(qi)中(zhong)(zhong)放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)18)中(zhong)(zhong)，當半導體(ti)器件(jian)2是正(zheng)(zheng)向(xiang)偏置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)時(shi)，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12能夠(gou)產生電(dian)(dian)流。此(ci)外(wai)，由(you)(you)于(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)116(其(qi)中(zhong)(zhong)放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)18)中(zhong)(zhong)，當半導體(ti)器件(jian)2是正(zheng)(zheng)向(xiang)偏置(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)時(shi)，導電(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)23也能夠(gou)產生電(dian)(dian)流。此(ci)外(wai)，由(you)(you)于(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)在(zai)阱(jing)(jing)(jing)116(其(qi)中(zhong)(zhong)放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)18)中(zhong)(zhong)，由(you)(you)寄(ji)生BJT19導致的(de)(de)泄漏電(dian)(dian)流減小。此(ci)外(wai)，由(you)(you)于(yu)(yu)在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)域(yu)141和第(di)(di)二摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)(qu)域(yu)142之間放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)12，不(bu)需(xu)要(yao)為(wei)(wei)否則(ze)將配置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)連(lian)接導電(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)23的(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)保留任(ren)(ren)何面積，或(huo)不(bu)需(xu)要(yao)為(wei)(wei)否則(ze)將配置(zhi)(zhi)(zhi)為(wei)(wei)電(dian)(dian)連(lian)接導電(dian)(dian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)17的(de)(de)阱(jing)(jing)(jing)區(qu)(qu)(qu)保留任(ren)(ren)何面積。實際上(shang)，半導體(ti)器件(jian)2消耗(hao)了(le)相對(dui)較(jiao)小的(de)(de)面積。

圖3A至圖3F是(shi)根據本發明一(yi)些實施例(li)的示出制造半導(dao)體器(qi)件(jian)的方(fang)法的圖。參(can)照(zhao)圖3A，提(ti)供了襯底(di)122。在一(yi)些實施例(li)中，襯底(di)122包括p型摻雜劑(ji)。

參照圖3B，例如，通過(guo)注入工藝注入n型摻雜劑來在襯底(di)122中限定導電(dian)區域17。

參照圖3C，例(li)如(ru)，通過按順序地實施沉積工(gong)(gong)藝(yi)(yi)、蝕(shi)刻工(gong)(gong)藝(yi)(yi)、拉回工(gong)(gong)藝(yi)(yi)、退(tui)火工(gong)(gong)藝(yi)(yi)以(yi)及化(hua)學(xue)機械平坦化(hua)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)，在(zai)襯底122中形成隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)110、114和118。在(zai)實施例(li)中，隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)110、114和118包括(kuo)STI結(jie)(jie)構(gou)。此外，隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)118基(ji)本(ben)由(you)(you)隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)114圍(wei)繞，隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)114進而基(ji)本(ben)由(you)(you)隔(ge)(ge)離(li)(li)結(jie)(jie)構(gou)110圍(wei)繞。

參照圖3D，例如，通過(guo)離(li)子注(zhu)入(ru)工(gong)藝和(he)之后(hou)的驅入(ru)工(gong)藝，在(zai)襯(chen)底122中形(xing)成(cheng)導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)23。具體地(di)(di)，良好地(di)(di)控制注(zhu)入(ru)深度從而使得在(zai)導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17上(shang)方形(xing)成(cheng)與導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)17相(xiang)連的導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)23。此外，在(zai)本(ben)實施例中，在(zai)由隔離(li)結構(gou)(gou)(gou)118限(xian)定(ding)的面積(ji)(ji)下(xia)方設置(zhi)導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)23而不(bu)超過(guo)隔離(li)結構(gou)(gou)(gou)118。但是，在(zai)一(yi)些實施例中，在(zai)由隔離(li)結構(gou)(gou)(gou)114限(xian)定(ding)的面積(ji)(ji)下(xia)方設置(zhi)導(dao)電區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)23而不(bu)超過(guo)隔離(li)結構(gou)(gou)(gou)114。

參照(zhao)圖(tu)3E，例(li)如(ru)，通過離子注入工(gong)藝(yi)和(he)之后的驅入工(gong)藝(yi)，在襯底122中(zhong)限定阱(jing)116。具體地，良好地控制注入深度從而使得阱(jing)116包含導電區域(yu)23并(bing)且基本形成在導電區域(yu)17上方。在一些實施例(li)中(zhong)，阱(jing)116用作(zuo)高(gao)壓n阱(jing)(HVNW)。

參(can)照圖3F，例如(ru)，通(tong)過(guo)離子注入工藝(yi)和之后的驅入工藝(yi)，在阱116中(zhong)形成第(di)一(yi)阱區12。具體地(di)，良好地(di)控制(zhi)注入深度從而使得第(di)一(yi)阱區12與導電區域23相連。

此外(wai)，例如(ru)，通(tong)過離子注入工藝和之后的驅(qu)入工藝，在阱116中形成多個阱區18。

額外地，例(li)如，通過離子注入(ru)工藝和之后的驅(qu)入(ru)工藝，在(zai)襯底(di)122中形成多個阱(jing)(jing)區112。在(zai)隔(ge)離結構(gou)114和110之間限定阱(jing)(jing)區112。

此外，例(li)如，通過離子注(zhu)入工(gong)藝，在阱116中(zhong)形成(cheng)第(di)一摻雜區域(yu)(yu)141和第(di)二摻雜區域(yu)(yu)142。

此外(wai)，例(li)如，通過離子注(zhu)入(ru)工藝，在阱區112中形成多個第三摻雜區域16。

圖(tu)4是根(gen)據一些實(shi)施例的示(shi)出形(xing)成半導體器件的方(fang)法(fa)400的流程圖(tu)。參照圖(tu)4，在操作(zuo)402中，提(ti)供(gong)了襯(chen)底(di)(di)。該襯(chen)底(di)(di)與(yu)參照圖(tu)2所述和所示(shi)的襯(chen)底(di)(di)122相(xiang)似。

在操作404中，在襯底中形(xing)成第(di)(di)一導電(dian)區域(yu)。第(di)(di)一導電(dian)區域(yu)與(yu)參考圖2所述和所示的導電(dian)層17類(lei)似。

在操作406中，在襯(chen)底中形成(cheng)第(di)一、第(di)二和(he)第(di)三隔離結(jie)構(gou)。第(di)一、第(di)二和(he)第(di)三隔離結(jie)構(gou)分(fen)別與參考圖3所述和(he)所示的(de)隔離結(jie)構(gou)118、114和(he)110類似。

在操(cao)作408中(zhong)，在襯底(di)中(zhong)的第(di)一導電區域(yu)上方(fang)形成第(di)二(er)(er)導電區域(yu)。此外，第(di)二(er)(er)導電區域(yu)與(yu)第(di)一導電區域(yu)相連，并且在由第(di)一隔(ge)離結(jie)構限定的面積下方(fang)延伸而不超過第(di)一隔(ge)離結(jie)構。第(di)二(er)(er)導電區域(yu)與(yu)參(can)考(kao)圖(tu)3所(suo)述和所(suo)示的導電區域(yu)23類似。

在(zai)(zai)操作410中，在(zai)(zai)襯底中形成(cheng)阱(jing)(jing)。阱(jing)(jing)提供由第(di)二(er)隔離結構限定的有源區域(yu)。此外，阱(jing)(jing)包含第(di)二(er)導(dao)電區域(yu)并且(qie)基本設置(zhi)在(zai)(zai)第(di)一(yi)導(dao)電區域(yu)上方(fang)。阱(jing)(jing)與(yu)參考圖(tu)3所述和(he)所示的阱(jing)(jing)116類(lei)似。

在操作412中(zhong)(zhong)，在阱(jing)中(zhong)(zhong)形成(cheng)第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)。此外，第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)與第(di)二導電區(qu)域相連并且基(ji)本(ben)設(she)置在第(di)一(yi)隔離(li)結(jie)構和第(di)二隔離(li)結(jie)構之間的阱(jing)的中(zhong)(zhong)心區(qu)域處。第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)與參考圖(tu)3所述和所示的第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)12類似。

在操作414中(zhong)(zhong)，在由第一(yi)隔離區(qu)(qu)(qu)(qu)域限定(ding)的面積處的阱(jing)中(zhong)(zhong)形成第二阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)。第二阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)可以相對于第一(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)對稱地布置，并且配置為與第一(yi)阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)限定(ding)陽極區(qu)(qu)(qu)(qu)域。第二阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)與參(can)考圖3所述和所示的阱(jing)區(qu)(qu)(qu)(qu)18類似(si)。

在(zai)操作416中，在(zai)阱中的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離結構和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)二隔(ge)(ge)離結構之間形(xing)成第(di)(di)(di)一(yi)(yi)摻(chan)(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)(yu)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)(yu)。此外，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)(yu)配(pei)置(zhi)為限定陰(yin)極區(qu)域(yu)(yu)。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)(yu)分(fen)別與參考圖3所(suo)述和(he)(he)(he)所(suo)示的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)二摻(chan)(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)(yu)141和(he)(he)(he)142類似。

操作412、414和416的順序可(ke)以互換。可(ke)選地，可(ke)以同時實施操作412、414和416。

一(yi)(yi)些實(shi)施例具有下文中的特征和/或優點的一(yi)(yi)個或組合。在一(yi)(yi)些實(shi)施例中，提(ti)供了一(yi)(yi)種半(ban)(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)(jian)(jian)。該半(ban)(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)(jian)(jian)包括(kuo)配(pei)(pei)(pei)置(zhi)為半(ban)(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)(jian)(jian)的陽極的第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)、配(pei)(pei)(pei)置(zhi)為半(ban)(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)(jian)(jian)的陰極的第(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)、配(pei)(pei)(pei)置(zhi)為半(ban)(ban)導(dao)(dao)體器件(jian)(jian)(jian)的另(ling)一(yi)(yi)陰極的第(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)以及導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)。第(di)一(yi)(yi)阱區(qu)(qu)設置(zhi)在第(di)一(yi)(yi)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)和第(di)二(er)(er)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)(yu)之間，并且配(pei)(pei)(pei)置(zhi)為電(dian)(dian)(dian)連(lian)接導(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)。

在(zai)上述半導(dao)體器(qi)件中，其中，所(suo)述第(di)(di)(di)一阱區設置在(zai)第(di)(di)(di)一區域(yu)(yu)(yu)中，并(bing)且所(suo)述第(di)(di)(di)一摻(chan)雜(za)(za)區域(yu)(yu)(yu)和所(suo)述第(di)(di)(di)二摻(chan)雜(za)(za)區域(yu)(yu)(yu)設置在(zai)第(di)(di)(di)二區域(yu)(yu)(yu)中，所(suo)述第(di)(di)(di)一區域(yu)(yu)(yu)由所(suo)述第(di)(di)(di)二區域(yu)(yu)(yu)圍繞。

在上述半導體器件中，其中，所述第一阱(jing)區設置在所述第一區域(yu)的中心(xin)面積處。

在上述(shu)半導體(ti)器件中，其(qi)中，所(suo)述(shu)導電區域與所(suo)述(shu)第一阱區相(xiang)連。

在上述(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件中，還包括阱(jing)，其中，所述(shu)(shu)(shu)阱(jing)和所述(shu)(shu)(shu)第一阱(jing)區配置(zhi)為當所述(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件是正向偏置(zhi)的(de)時(shi)產生電流。

在上述(shu)(shu)半導(dao)體器件中，還包括：襯底(di)；隔離結(jie)構(gou)；以(yi)及第三摻雜(za)(za)區域(yu)，配置為電連接所述(shu)(shu)襯底(di)并且(qie)通過(guo)所述(shu)(shu)隔離結(jie)構(gou)與所述(shu)(shu)第一摻雜(za)(za)區域(yu)隔離。

在上(shang)述(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件中(zhong)，還(huan)包括：襯底；所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底中(zhong)的阱，所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱配置為當所(suo)(suo)述(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件是正(zheng)向偏置的時產生電流(liu)；以及第三(san)摻雜區(qu)域(yu)(yu)，配置為電連接所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底，其(qi)中(zhong)，寄(ji)生雙極結型晶體(ti)管(guan)由所(suo)(suo)述(shu)(shu)阱、所(suo)(suo)述(shu)(shu)第三(san)摻雜區(qu)域(yu)(yu)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一阱區(qu)限定。

在(zai)上述半導(dao)(dao)體(ti)器(qi)件(jian)中，其(qi)中，所(suo)(suo)(suo)述導(dao)(dao)電(dian)區(qu)域(yu)是第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)域(yu)，并且所(suo)(suo)(suo)述半導(dao)(dao)體(ti)器(qi)件(jian)還包括：位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)域(yu)下(xia)方的第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)域(yu)，其(qi)中，所(suo)(suo)(suo)述第(di)一(yi)摻雜區(qu)域(yu)和所(suo)(suo)(suo)述第(di)二摻雜區(qu)域(yu)配置為電(dian)連(lian)接所(suo)(suo)(suo)述第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)域(yu)。

在上述(shu)(shu)半(ban)導體器(qi)件(jian)中(zhong)，其中(zhong)，所述(shu)(shu)第一阱(jing)區的摻(chan)(chan)雜劑類型與(yu)所述(shu)(shu)第一摻(chan)(chan)雜區域和所述(shu)(shu)第二摻(chan)(chan)雜區域的摻(chan)(chan)雜劑類型相反。

在上述(shu)半導(dao)體器件中，其中，所述(shu)第(di)(di)一(yi)阱(jing)區(qu)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)劑類型與所述(shu)第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)和(he)所述(shu)第(di)(di)二摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)的(de)摻(chan)(chan)雜(za)劑類型相反(fan)，所述(shu)第(di)(di)一(yi)阱(jing)區(qu)包括(kuo)p型摻(chan)(chan)雜(za)劑，并(bing)且所述(shu)第(di)(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜(za)區(qu)域(yu)包括(kuo)n型摻(chan)(chan)雜(za)劑。

在上述(shu)(shu)半導體器件中，其中，所述(shu)(shu)第一阱區的(de)摻(chan)雜劑(ji)類型與所述(shu)(shu)導電(dian)區域相同。

在一(yi)(yi)(yi)些實(shi)施例中，提供了(le)一(yi)(yi)(yi)種半導(dao)體(ti)器件。半導(dao)體(ti)器件包括配(pei)置(zhi)(zhi)為半導(dao)體(ti)器件的陽極的第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區、配(pei)置(zhi)(zhi)為半導(dao)體(ti)器件的陰極的第(di)一(yi)(yi)(yi)摻雜(za)區域(yu)以及設置(zhi)(zhi)在第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區下(xia)方(fang)且與(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)阱(jing)區相連(lian)的導(dao)電區域(yu)，并且當(dang)半導(dao)體(ti)器件是正向偏置(zhi)(zhi)時，導(dao)電區域(yu)配(pei)置(zhi)(zhi)為產生電流。

在上述(shu)(shu)半(ban)導體器件中，還包(bao)括：第(di)二摻雜(za)區(qu)域，配置為所述(shu)(shu)半(ban)導體器件的另一陰(yin)極，其(qi)中，所述(shu)(shu)導電區(qu)域在所述(shu)(shu)第(di)一摻雜(za)區(qu)域和所述(shu)(shu)第(di)二摻雜(za)區(qu)域下(xia)方的面積之間延伸。

在上述半(ban)導體器件中，還包括：第二(er)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域，配置(zhi)(zhi)為所(suo)(suo)述半(ban)導體器件的(de)另一陰(yin)極，其中，所(suo)(suo)述導電區(qu)(qu)(qu)(qu)域在所(suo)(suo)述第一摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域和所(suo)(suo)述第二(er)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域下方的(de)面積之間延伸，所(suo)(suo)述第一阱區(qu)(qu)(qu)(qu)設置(zhi)(zhi)在所(suo)(suo)述第一摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域和所(suo)(suo)述第二(er)摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)(qu)域之間。

在上述(shu)半(ban)導體器件(jian)中，還包括：隔(ge)離結構(gou)；以及第(di)二阱(jing)區，配置為(wei)當所(suo)述(shu)半(ban)導體器件(jian)是正向(xiang)偏置的時產生(sheng)電流(liu)，并且通(tong)過(guo)所(suo)述(shu)隔(ge)離區域與所(suo)述(shu)第(di)一摻雜(za)區域隔(ge)離。

在(zai)上述(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件中(zhong)，其中(zhong)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)域是第一導(dao)電(dian)區(qu)(qu)域，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件還包括：所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底中(zhong)的阱；隔離結構(gou)；第二阱區(qu)(qu)，配置(zhi)為當所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)半導(dao)體(ti)器件是正向(xiang)偏置(zhi)的時產生電(dian)流，并(bing)且通過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離結構(gou)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一摻(chan)雜(za)區(qu)(qu)域隔離；以及第二導(dao)電(dian)區(qu)(qu)域，位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一導(dao)電(dian)區(qu)(qu)域下方(fang)。

在上述(shu)(shu)半導體器件中，其中，所述(shu)(shu)導電區(qu)域的(de)摻雜劑(ji)類(lei)(lei)型(xing)與所述(shu)(shu)第一摻雜區(qu)域的(de)摻雜劑(ji)類(lei)(lei)型(xing)相反。

在一(yi)些實施例(li)中(zhong)，提供了一(yi)種制造半導體器(qi)(qi)件(jian)的(de)方(fang)法(fa)。該方(fang)法(fa)包括(kuo)提供襯(chen)(chen)底(di)，在襯(chen)(chen)底(di)中(zhong)形(xing)成導電區(qu)域(yu)(yu)，在襯(chen)(chen)底(di)中(zhong)形(xing)成阱(jing)，在阱(jing)中(zhong)形(xing)成第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)以(yi)用作(zuo)半導體器(qi)(qi)件(jian)的(de)陽極(ji)，第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)配置為電連接(jie)導電區(qu)域(yu)(yu)以(yi)及形(xing)成第(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)和第(di)二摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)以(yi)用作(zuo)半導體器(qi)(qi)件(jian)的(de)陰極(ji)。在第(di)一(yi)摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)與第(di)二摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)域(yu)(yu)之(zhi)間設置第(di)一(yi)阱(jing)區(qu)。

在(zai)上述(shu)(shu)(shu)方法中，還包括：在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)阱(jing)中形成作(zuo)為(wei)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)半導體器(qi)件的陽(yang)極的第(di)(di)二阱(jing)區(qu)；以及在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一摻雜區(qu)域和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二阱(jing)區(qu)之間形成隔離結(jie)構，其(qi)中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)導電區(qu)域在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離結(jie)構下(xia)方的面積中延伸(shen)而不超過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一摻雜區(qu)域。

在上述方(fang)法中(zhong)(zhong)，其中(zhong)(zhong)，所述第一阱區(qu)設(she)置(zhi)在所述阱的中(zhong)(zhong)心區(qu)域處。

上面概述了若干實(shi)施(shi)例的(de)(de)(de)部件(jian)、使(shi)得本(ben)(ben)領域(yu)技術(shu)人員(yuan)(yuan)可以更好地(di)理(li)(li)解本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)方(fang)面。本(ben)(ben)領域(yu)技術(shu)人員(yuan)(yuan)應(ying)(ying)該(gai)理(li)(li)解，他(ta)們(men)可以容易地(di)使(shi)用本(ben)(ben)發(fa)明(ming)作為(wei)基(ji)礎(chu)來(lai)設(she)計或修改用于實(shi)現與(yu)在此所介紹實(shi)施(shi)例相同(tong)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)和/或實(shi)現相同(tong)優(you)勢的(de)(de)(de)其他(ta)工藝和結構。本(ben)(ben)領域(yu)技術(shu)人員(yuan)(yuan)也應(ying)(ying)該(gai)意識(shi)到，這種等同(tong)構造并(bing)不背離本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)精神(shen)和范圍(wei)、并(bing)且在不背離本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)精神(shen)和范圍(wei)的(de)(de)(de)情(qing)況下，在此他(ta)們(men)可以做出多(duo)種變(bian)化、替換以及(ji)改變(bian)。