本發明涉及半(ban)導體(ti)領(ling)域，更具體(ti)地涉及半(ban)導體(ti)器件。

背景技術：

現在，由于微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技術的(de)飛速發展，電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)系統的(de)設計更加復雜(za)。有兩(liang)種主要類(lei)型(xing)的(de)穩壓(ya)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)可用，開關模式(shi)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)和線性電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)。由于開關模式(shi)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)比線性電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)供(gong)電(dian)(dian)(dian)效(xiao)率高，所以開關電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)已(yi)成(cheng)為流行趨(qu)勢，并且已(yi)廣泛應用于電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)器(qi)件(jian)中，諸(zhu)如個人(ren)計算機。

技術實現要素：

本發明的實施例提供了(le)一(yi)種半導體器件，包(bao)括：第(di)(di)(di)(di)一(yi)晶體管(guan)，包(bao)括：第(di)(di)(di)(di)一(yi)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)，位(wei)于具(ju)有第(di)(di)(di)(di)一(yi)濃度的第(di)(di)(di)(di)一(yi)塊(kuai)狀區(qu)域(yu)(yu)中(zhong)；和第(di)(di)(di)(di)一(yi)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)；以及第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶體管(guan)，包(bao)括：第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)，位(wei)于具(ju)有比所述第(di)(di)(di)(di)一(yi)濃度高的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)濃度的第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)域(yu)(yu)中(zhong)，所述第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)與所述第(di)(di)(di)(di)一(yi)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)和所述第(di)(di)(di)(di)一(yi)柵極(ji)(ji)(ji)(ji)連接。

本發明的實施例(li)還提供(gong)了(le)一(yi)(yi)(yi)(yi)種半導體器件，包(bao)(bao)括：第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)晶體管，包(bao)(bao)括：第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)區(qu)域，位(wei)于(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀區(qu)域中；第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)，具有(you)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)厚度(du)；和第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵極(ji)，位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)上(shang)；以及第(di)二(er)(er)晶體管，包(bao)(bao)括：第(di)二(er)(er)源(yuan)極(ji)區(qu)域，位(wei)于(yu)第(di)二(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)域中，所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)源(yuan)極(ji)區(qu)域與所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)區(qu)域和所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)柵極(ji)連(lian)接；第(di)二(er)(er)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)，具有(you)第(di)二(er)(er)厚度(du)，所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)厚度(du)大于(yu)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)厚度(du)；和第(di)二(er)(er)柵極(ji)，位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)上(shang)。

本(ben)發明的(de)(de)實施例還提供了(le)一(yi)(yi)種(zhong)形(xing)成(cheng)半導體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)方法(fa)(fa)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)方法(fa)(fa)包括：提供包括第(di)(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)的(de)(de)襯(chen)底，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)分別(bie)與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體(ti)(ti)管和(he)(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)晶體(ti)(ti)管相(xiang)關聯；在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底中形(xing)成(cheng)阱(jing)；在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)的(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)的(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)具有第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)度；在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)二(er)(er)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)的(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)的(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)具有比所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)度大的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)厚(hou)度；在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)圖(tu)案(an)化(hua)(hua)的(de)(de)絕(jue)緣層(ceng)上形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵極(ji)；在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)阱(jing)中，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)分別(bie)形(xing)成(cheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中；分別(bie)在(zai)(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中形(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)二(er)(er)源極(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)；以及將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵極(ji)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)源極(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)連(lian)接(jie)在(zai)(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)起(qi)。

附圖說明

當結合附圖進行(xing)閱讀(du)時(shi)，根據(ju)下面(mian)詳細(xi)的(de)描述(shu)可以最好地(di)理(li)解本(ben)發明(ming)的(de)各(ge)個方面(mian)。應該指出的(de)是，根據(ju)工業中的(de)標準實(shi)踐，各(ge)種(zhong)部(bu)件(jian)沒有(you)被按比例繪制。實(shi)際上，為了清楚的(de)討論，各(ge)種(zhong)部(bu)件(jian)的(de)尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是根據(ju)一些實施(shi)例(li)的(de)電路(lu)的(de)示圖。

圖(tu)2是根據(ju)一些實施例的(de)半導體器件的(de)截面圖(tu)。

圖(tu)3A至(zhi)圖(tu)3J是根據(ju)一些實施(shi)例的示出制造半導體器件的方法的示圖(tu)。

圖4A是根據一(yi)些(xie)實施例的示(shi)出(chu)形成半導體器(qi)件的方(fang)法的流(liu)程圖。

圖4B是根據一些(xie)實施例(li)的示出(chu)形成半導體器件的另一種(zhong)方法的流程圖。

圖(tu)5是(shi)示出具(ju)有(you)和不具(ju)有(you)圖(tu)1所示的(de)(de)旁路(lu)單元的(de)(de)電路(lu)的(de)(de)仿真結(jie)果的(de)(de)示意圖(tu)。

具體實施方式

為(wei)了(le)實(shi)(shi)施(shi)本(ben)發明(ming)(ming)的(de)(de)不(bu)同(tong)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)，以(yi)下(xia)公開(kai)提供了(le)許(xu)多不(bu)同(tong)的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)或實(shi)(shi)例(li)。在(zai)下(xia)面描述(shu)元件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)布置的(de)(de)特定實(shi)(shi)例(li)以(yi)簡(jian)化(hua)本(ben)發明(ming)(ming)。當然(ran)這(zhe)些(xie)僅(jin)是(shi)實(shi)(shi)例(li)并不(bu)旨在(zai)限(xian)定。例(li)如(ru)，在(zai)下(xia)面的(de)(de)描述(shu)中(zhong)(zhong)(zhong)第(di)(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)在(zai)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)上方或在(zai)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)上的(de)(de)形(xing)成(cheng)可(ke)(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)其中(zhong)(zhong)(zhong)第(di)(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)以(yi)直(zhi)接(jie)(jie)接(jie)(jie)觸形(xing)成(cheng)的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)，并且也(ye)可(ke)(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)其中(zhong)(zhong)(zhong)可(ke)(ke)以(yi)在(zai)第(di)(di)一部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)之間形(xing)成(cheng)附(fu)(fu)加的(de)(de)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)，使得第(di)(di)一和(he)第(di)(di)二(er)(er)部(bu)(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)可(ke)(ke)以(yi)不(bu)直(zhi)接(jie)(jie)接(jie)(jie)觸的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)。另外，本(ben)發明(ming)(ming)可(ke)(ke)以(yi)在(zai)各(ge)個實(shi)(shi)例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)重復附(fu)(fu)圖標(biao)號和(he)/或字(zi)母。這(zhe)種重復是(shi)為(wei)了(le)簡(jian)明(ming)(ming)和(he)清楚(chu)，但是(shi)其本(ben)身(shen)沒(mei)有指明(ming)(ming)所討(tao)論的(de)(de)各(ge)個實(shi)(shi)施(shi)例(li)和(he)/或配置之間的(de)(de)關系。

圖1是(shi)根(gen)據一些實施例的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)10的示圖。參(can)考圖1，在電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)VDD和(he)參(can)考GND(例如(ru)，接地電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)平)之(zhi)間限定的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)域中操(cao)作電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)10。電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)10包括電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)11和(he)旁路(lu)(lu)(lu)單元(yuan)19。如(ru)下文詳細地描述，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)11被(bei)配置(zhi)為(wei)將電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)VDD轉(zhuan)換為(wei)輸出(chu)端(duan)處的電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓Vout，并且旁路(lu)(lu)(lu)單元(yuan)19被(bei)配置(zhi)為(wei)將電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流導向輸出(chu)端(duan)處。

電(dian)源電(dian)路11包(bao)括第(di)一晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)M1、第(di)二體(ti)(ti)管(guan)(guan)M2、電(dian)感器(qi)12、電(dian)容器(qi)14和柵(zha)極驅(qu)(qu)動器(qi)16。柵(zha)極驅(qu)(qu)動器(qi)16用(yong)于輸出脈沖(chong)信號(hao)(hao)至第(di)一晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)M1和第(di)二體(ti)(ti)管(guan)(guan)M2中的每(mei)一個的柵(zha)極，從而改(gai)變它們的導通狀態。電(dian)壓Vout的電(dian)壓電(dian)平取決于脈沖(chong)信號(hao)(hao)的占(zhan)空比。

第(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)M1的(de)(de)柵極(ji)耦(ou)(ou)合至柵極(ji)驅動器16。第(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)M1的(de)(de)源(yuan)極(ji)接收供電(dian)電(dian)壓(ya)VDD。第(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)M1的(de)(de)漏(lou)極(ji)耦(ou)(ou)合至電(dian)感器12的(de)(de)一(yi)(yi)端。在本(ben)實施例(li)中(zhong)的(de)(de)第(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)M1包括p-型金屬氧(yang)化物(wu)半導體(PMOS)晶體管(guan)(guan)(guan)。

第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)柵(zha)極(ji)耦(ou)合(he)(he)至柵(zha)極(ji)驅動器(qi)16。第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)漏極(ji)耦(ou)合(he)(he)至第一(yi)晶體(ti)管(guan)(guan)M1的(de)(de)漏極(ji)，并且還耦(ou)合(he)(he)至電(dian)感器(qi)12的(de)(de)一(yi)端。第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)源極(ji)耦(ou)合(he)(he)至參考GND。此外，第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2包括本(ben)征體(ti)二極(ji)管(guan)(guan)18，其是p-型阱區(qu)域和(he)n-區(qu)域之間的(de)(de)PN結二極(ji)管(guan)(guan)。體(ti)二極(ji)管(guan)(guan)18具(ju)有耦(ou)合(he)(he)至第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)源極(ji)的(de)(de)陽(yang)極(ji)和(he)耦(ou)合(he)(he)至第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)漏極(ji)的(de)(de)陰(yin)極(ji)。在本(ben)實(shi)施(shi)例中，第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2包括n-型MOS(NMOS)晶體(ti)管(guan)(guan)。在一(yi)些實(shi)施(shi)例中，第二晶體(ti)管(guan)(guan)M2包括橫向擴散MOS晶體(ti)管(guan)(guan)(LDMOS)。

耦(ou)(ou)合(he)在第(di)(di)(di)(di)(di)二晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)M2的(de)(de)(de)(de)漏極(ji)(ji)(ji)和參考GND之間(jian)的(de)(de)(de)(de)旁路(lu)單元19被配置為旁路(lu)從參考GND至(zhi)電感器(qi)12和電容器(qi)14的(de)(de)(de)(de)電流。旁路(lu)單元19包括(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb。第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)(de)漏極(ji)(ji)(ji)D耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)第(di)(di)(di)(di)(di)二晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)M2的(de)(de)(de)(de)漏極(ji)(ji)(ji)。第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)G耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)參考GND。第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)(de)源極(ji)(ji)(ji)S耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)參考GND并且(qie)還耦(ou)(ou)合(he)至(zhi)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)G。結果，第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb是二極(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)連(lian)接的(de)(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)。由于第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb柵(zha)極(ji)(ji)(ji)-源極(ji)(ji)(ji)電壓(ya)(VGS)基(ji)本等于零并且(qie)因此小于其閾值電壓(ya)，所以第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb保持為截止(沒有導通(tong))狀(zhuang)態(tai)。更具(ju)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)，在亞閾值區域中操作(zuo)第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb。在本實施例(li)中，第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)Mb包括(kuo)NMOS晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)。在一些實施例(li)中，第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)M3包括(kuo)橫向(xiang)擴散MOS晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(LDMOS)。

為防止電(dian)源(yuan)VDD和(he)參考(kao)GND之間的(de)(de)(de)(de)短路(lu)(lu)，引入稱為“死(si)區(qu)時(shi)(shi)間”的(de)(de)(de)(de)時(shi)(shi)間段，從而(er)使(shi)得第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1和(he)第(di)(di)二(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M2都(dou)保持(chi)為截(jie)止狀(zhuang)(zhuang)態。然而(er)，在(zai)死(si)區(qu)時(shi)(shi)間內，可能會發生(sheng)體(ti)(ti)(ti)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)反(fan)(fan)(fan)(fan)向恢復(fu)問題，這可能不(bu)利地(di)影響電(dian)壓Vout。在(zai)操作中(zhong)，響應于來(lai)自(zi)柵極(ji)(ji)驅(qu)動(dong)器16的(de)(de)(de)(de)脈沖信號，第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1導通而(er)第(di)(di)二(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M2截(jie)止。來(lai)自(zi)電(dian)源(yuan)VDD的(de)(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)沿著第(di)(di)一路(lu)(lu)徑PA1經由第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1的(de)(de)(de)(de)源(yuan)極(ji)(ji)至漏極(ji)(ji)流(liu)(liu)向輸出端，對(dui)電(dian)感器12和(he)電(dian)容器14進行(xing)充(chong)(chong)電(dian)。隨后，柵極(ji)(ji)驅(qu)動(dong)器16反(fan)(fan)(fan)(fan)轉(zhuan)第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1和(he)第(di)(di)二(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M2的(de)(de)(de)(de)導通狀(zhuang)(zhuang)態。在(zai)完全(quan)反(fan)(fan)(fan)(fan)轉(zhuan)第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1和(he)第(di)(di)二(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M2的(de)(de)(de)(de)導通狀(zhuang)(zhuang)態之前，在(zai)死(si)區(qu)時(shi)(shi)間中(zhong)第(di)(di)一晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M1和(he)第(di)(di)二(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)M2截(jie)止。來(lai)自(zi)參考(kao)GND的(de)(de)(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)沿著第(di)(di)二(er)路(lu)(lu)徑PA2對(dui)電(dian)感器12和(he)電(dian)容器14進行(xing)充(chong)(chong)電(dian)。在(zai)一些現有的(de)(de)(de)(de)沒(mei)有旁路(lu)(lu)機(ji)制(zhi)的(de)(de)(de)(de)方法中(zhong)，充(chong)(chong)電(dian)電(dian)流(liu)(liu)會流(liu)(liu)經體(ti)(ti)(ti)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18，并(bing)且發生(sheng)不(bu)希望的(de)(de)(de)(de)體(ti)(ti)(ti)二(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)反(fan)(fan)(fan)(fan)向恢復(fu)。

為了減緩體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管反(fan)向(xiang)恢復(fu)，旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19與體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18并(bing)聯連(lian)接，以旁(pang)路來(lai)(lai)自參考(kao)GND的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19具有比體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓小的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓。例(li)如，旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓近似為0.3伏(fu)(V)，并(bing)且體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18的(de)(de)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓近似為0.7V。因此(ci)(ci)，旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19在(zai)體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18導通(tong)之前先導通(tong)。利用(yong)旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19，在(zai)死(si)區(qu)時間內(nei)，來(lai)(lai)自參考(kao)GND的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)很大(da)部(bu)分(fen)經由電(dian)感(gan)器12和電(dian)容器14流(liu)(liu)(liu)向(xiang)輸出(chu)端，因此(ci)(ci)減少了流(liu)(liu)(liu)經體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)。以這種方式(shi)，體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管反(fan)向(xiang)恢復(fu)問(wen)題(ti)得到減緩。有效地，來(lai)(lai)自參考(kao)GND的(de)(de)基本上(shang)所有的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)(liu)都流(liu)(liu)(liu)經旁(pang)路單(dan)元(yuan)(yuan)19并(bing)且旁(pang)路體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管18，從而(er)消除體(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管反(fan)向(xiang)恢復(fu)問(wen)題(ti)。

用(yong)晶體管(guan)實施旁路單元19，并且因此(ci)有(you)相(xiang)對低的(de)面積成本。在一(yi)些現有(you)的(de)方法中(zhong)，芯片(pian)外旁路器件或肖特基(ji)二(er)極管(guan)用(yong)于解決體二(er)極管(guan)反向恢復的(de)問題(ti)。這樣的(de)方法將(jiang)遭受相(xiang)對高的(de)面積成本。

取決(jue)于旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19的(de)半導體結構，旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19具有(you)擊(ji)穿(chuan)電壓，諸(zhu)如(ru)12V、16V或20V，這(zhe)將參考圖2進行詳細地描(miao)述。此外，隨著旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19的(de)擊(ji)穿(chuan)電壓減小，旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19的(de)面積減小。由(you)于期望的(de)擊(ji)穿(chuan)電壓并且因此旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19的(de)面積可以預定(ding)，所(suo)以旁路單(dan)(dan)(dan)元(yuan)19在電路設(she)計中提(ti)供了靈活性。

例如，如果在應用中(zhong)期望在相對高的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)VDD(諸如20V)下操(cao)(cao)作(zuo)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路10，那么設計者(zhe)根據電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)VDD的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)平(ping)(即，20V)來(lai)確(que)定旁路單元(yuan)(yuan)19的(de)(de)(de)擊穿(chuan)(chuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)是20V。在操(cao)(cao)作(zuo)中(zhong)，當第一晶體管M1導通并且(qie)(qie)第二晶體管M2截止時，第二晶體管M2的(de)(de)(de)漏(lou)極處的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)平(ping)近(jin)似為(wei)20V。如果旁路單元(yuan)(yuan)19的(de)(de)(de)擊穿(chuan)(chuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)是5V，那么旁路單元(yuan)(yuan)19將不能忍(ren)受旁路單元(yuan)(yuan)19上的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)差(cha)20V，并且(qie)(qie)將會發生旁路單元(yuan)(yuan)19的(de)(de)(de)擊穿(chuan)(chuan)。如果發生旁路單元(yuan)(yuan)19的(de)(de)(de)擊穿(chuan)(chuan)，那么電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路10不能正確(que)地運行。

另一方面(mian),如果(guo)在另一應(ying)用(yong)(yong)(yong)中，期(qi)望(wang)在相對(dui)低(di)的電(dian)(dian)源VDD(諸如5V)下操作電(dian)(dian)路(lu)(lu)10，那么設(she)計者(zhe)根據(ju)5V的電(dian)(dian)源VDD，確定旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19的擊(ji)(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)是5V。由(you)于隨著(zhu)旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19的擊(ji)(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)減小，旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19的面(mian)積減小，所以用(yong)(yong)(yong)于5V應(ying)用(yong)(yong)(yong)的旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19可以設(she)計為具有比(bi)用(yong)(yong)(yong)于20V應(ying)用(yong)(yong)(yong)的旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19更小的面(mian)積。結(jie)果(guo)，取決于應(ying)用(yong)(yong)(yong)，可以優(you)化旁(pang)路(lu)(lu)單元(yuan)19的擊(ji)(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)和面(mian)積。

在(zai)一些(xie)現有的使用(yong)肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管作為旁路器件的方法中，肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管的擊穿(chuan)電壓由(you)肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管的材(cai)料(liao)確定，可以包括金屬和硅。不(bu)改變材(cai)料(liao)就不(bu)能改變肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管的擊穿(chuan)電壓。然而，改變材(cai)料(liao)使半導體制造工藝變得復(fu)雜(za)。結果，肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管的擊穿(chuan)電壓不(bu)是靈(ling)活的，并(bing)且不(bu)能夠優化肖(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)特(te)基(ji)二(er)(er)極(ji)管的面積以用(yong)于不(bu)同的應用(yong)。

圖(tu)(tu)2是(shi)根據一(yi)(yi)(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例的(de)(de)(de)半導體(ti)(ti)器件(jian)20的(de)(de)(de)截面圖(tu)(tu)。參(can)考(kao)圖(tu)(tu)2，半導體(ti)(ti)器件(jian)20包括第一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)21和第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)22。此外(wai)，參(can)考(kao)圖(tu)(tu)1描述和示出(chu)的(de)(de)(de)第三晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)Mb與(yu)第一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)21一(yi)(yi)(yi)(yi)起(qi)實(shi)施(shi)，并且參(can)考(kao)圖(tu)(tu)1描述和示出(chu)的(de)(de)(de)第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)M2與(yu)第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)22一(yi)(yi)(yi)(yi)起(qi)實(shi)施(shi)。為了(le)方(fang)便(bian)，在圖(tu)(tu)2中(zhong)僅示出(chu)了(le)第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)22(對應(ying)于圖(tu)(tu)1中(zhong)的(de)(de)(de)第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)M2)和關聯的(de)(de)(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)21(對應(ying)于圖(tu)(tu)1中(zhong)的(de)(de)(de)作為第二(er)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)M2的(de)(de)(de)旁路單元的(de)(de)(de)第三晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)Mb)，并且沒有示出(chu)圖(tu)(tu)1中(zhong)的(de)(de)(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)M1。

第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)(jing)體管(guan)21包(bao)括(kuo)襯底201上(shang)(shang)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)(yuan)層213、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)(yuan)層213上(shang)(shang)的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)(poly)層214以及襯底201中的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)源極區(qu)(qu)(qu)域(yu)211、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)漏(lou)(lou)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)溝(gou)道(dao)212。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)源極區(qu)(qu)(qu)域(yu)211形成在(zai)襯底201的(de)(de)阱(jing)202的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(bulk)區(qu)(qu)(qu)域(yu)210中。通過阱(jing)202和設置在(zai)阱(jing)202的(de)(de)淺(qian)溝(gou)槽隔(ge)離件(STI)2031和2032之(zhi)間的(de)(de)摻雜區(qu)(qu)(qu)域(yu)204來限(xian)定第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)漏(lou)(lou)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)。在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)210中，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)溝(gou)道(dao)212限(xian)定在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)源極區(qu)(qu)(qu)域(yu)211和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)STI 2031之(zhi)間，并(bing)且(qie)位于(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)(yuan)層213下面。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)210與(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)層214的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)部分重(zhong)疊。在(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實施例(li)中，襯底201包(bao)括(kuo)p-型(xing)襯底，并(bing)且(qie)阱(jing)202包(bao)括(kuo)高壓n-阱(jing)(HVNW)。此外，摻雜區(qu)(qu)(qu)域(yu)204和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)源極區(qu)(qu)(qu)域(yu)211中的(de)(de)每一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個都包(bao)括(kuo)n-型(xing)摻雜劑，而第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)210包(bao)括(kuo)p-型(xing)摻雜劑。結果，隨著第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)層214用作第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)柵極，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)(jing)體管(guan)21包(bao)括(kuo)NMOS晶(jing)(jing)體管(guan)結構。

在一(yi)些實施例(li)中，第(di)一(yi)絕(jue)緣(yuan)層213包括氧化物(wu)層。第(di)一(yi)絕(jue)緣(yuan)層213具有(you)范圍在從約25埃(ai)至約60埃(ai)的第(di)一(yi)厚度W1。第(di)一(yi)厚度W1是(shi)確定第(di)一(yi)晶體管(guan)21的閾值電壓的因素。

第一塊狀區域210用作第一晶體管21的主體。此外，第一塊狀區域210具有范圍從約5*10¹⁵至1*10¹⁶cm^-3的第一(yi)濃(nong)度。第一(yi)濃(nong)度也是確定第一(yi)晶(jing)體(ti)管21的閾值電壓(ya)的因素。

第一(yi)(yi)塊狀區(qu)域(yu)210和(he)摻雜(za)(za)區(qu)域(yu)204之間(jian)的(de)(de)第一(yi)(yi)STI 2031具有在第一(yi)(yi)溝道(dao)212延伸的(de)(de)方向(xiang)上的(de)(de)第一(yi)(yi)長度L1。在一(yi)(yi)些實施例(li)中，隨著第一(yi)(yi)長度L1增(zeng)加，第一(yi)(yi)源極區(qu)域(yu)211和(he)摻雜(za)(za)區(qu)域(yu)204之間(jian)的(de)(de)中心-至-中心的(de)(de)距(ju)離(li)D1增(zeng)加，并且反之亦然。此外，第一(yi)(yi)長度L1和(he)關聯的(de)(de)距(ju)離(li)D1是確定第一(yi)(yi)晶體(ti)管21的(de)(de)擊穿電(dian)壓的(de)(de)因(yin)素。

類(lei)(lei)似(si)地，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)22包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)襯底201上(shang)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)223、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)223上(shang)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)(ceng)224以及襯底201中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)源極區(qu)(qu)域(yu)221、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)漏(lou)(lou)極區(qu)(qu)域(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)溝道222。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)源極區(qu)(qu)域(yu)211形成(cheng)在襯底201的(de)(de)(de)(de)阱202的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)域(yu)220中(zhong)(zhong)。與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)漏(lou)(lou)極區(qu)(qu)域(yu)類(lei)(lei)似(si)，也通過(guo)阱202和(he)設置(zhi)在阱202中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)STI 2031和(he)2032之間的(de)(de)(de)(de)摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)204來(lai)限定第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)漏(lou)(lou)極。摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)204用于作(zuo)為第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)21和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)22的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)漏(lou)(lou)極。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)域(yu)220中(zhong)(zhong)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)溝道222限定在第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)源極區(qu)(qu)域(yu)221和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)STI 2032之間，并(bing)且位于第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)223下面。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)域(yu)220與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)(ceng)224的(de)(de)(de)(de)一(yi)部分重疊。如(ru)先前(qian)討論的(de)(de)(de)(de)，襯底201包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)p-型(xing)襯底，并(bing)且阱202包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)高壓n-阱(HVNW)。此外，摻(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)域(yu)204和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)源極區(qu)(qu)域(yu)221中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)每(mei)一(yi)個都包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)n-型(xing)摻(chan)雜(za)(za)劑，而(er)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)域(yu)220包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)p-型(xing)摻(chan)雜(za)(za)劑。結果，隨著第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)(ceng)224用作(zuo)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)柵極，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)(er)晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)22包(bao)(bao)(bao)括(kuo)(kuo)NMOS晶(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)結構。

在一些實(shi)施例中，第二絕(jue)緣層(ceng)(ceng)223包括(kuo)氧(yang)化物層(ceng)(ceng)。第二絕(jue)緣層(ceng)(ceng)223具有范圍從約100埃至(zhi)約350埃的(de)(de)第二厚(hou)度W2。第二厚(hou)度W2是確定第二晶體管22的(de)(de)閾值電壓的(de)(de)因素。

第二塊狀區域220用作第一晶體管22的主體。此外，第二塊狀區域220具有第二濃度，該第二濃度的范圍從約1.5*10¹⁶至2*10¹⁷cm^-3。第(di)二(er)濃度也是確定(ding)第(di)二(er)晶(jing)體(ti)管(guan)22的(de)閾值電壓的(de)因素。

第(di)二塊狀(zhuang)區域(yu)220和(he)摻雜區域(yu)204之間的(de)(de)(de)(de)第(di)二STI 2032具(ju)有在第(di)二溝道(dao)222延伸的(de)(de)(de)(de)方向上的(de)(de)(de)(de)第(di)二長度(du)L2。在一(yi)些實(shi)施例中，隨著(zhu)第(di)二長度(du)L2增加，第(di)二源極區域(yu)221和(he)摻雜區域(yu)204之間的(de)(de)(de)(de)中心-至-中心的(de)(de)(de)(de)距離D2增加，并且反之亦(yi)然。此外，第(di)二長度(du)L2和(he)關聯的(de)(de)(de)(de)距離D2是確(que)定第(di)二晶體管22的(de)(de)(de)(de)擊穿(chuan)電(dian)壓的(de)(de)(de)(de)因素(su)。

為(wei)了緩解體二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)恢復問題(ti)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)晶體管(guan)(guan)(guan)22的(de)閾(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓設計為(wei)大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)21。在(zai)(zai)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)濃(nong)(nong)度高于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)(nong)度，從而(er)(er)使得第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)晶體管(guan)(guan)(guan)22的(de)閾(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)(guan)(guan)21的(de)閾(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓。在(zai)(zai)另一(yi)(yi)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚度W2大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度W1，導致更大(da)(da)(da)的(de)閾(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓。在(zai)(zai)又一(yi)(yi)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚度W2大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度W1，并且第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)濃(nong)(nong)度大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)(nong)度。在(zai)(zai)又一(yi)(yi)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚度W2大(da)(da)(da)于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度W1，而(er)(er)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)濃(nong)(nong)度等于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)(nong)度。在(zai)(zai)又一(yi)(yi)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)濃(nong)(nong)度高于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)(nong)度，而(er)(er)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚度W2等于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度W1。有效地，緩解了體二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)恢復問題(ti)，或者甚(shen)至消除了體二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)恢復問題(ti)，而(er)(er)且不用像肖特基(ji)二(er)(er)(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)需要(yao)犧牲(sheng)面積損耗。

此外，如上所述(shu)，設計(ji)(ji)者能夠根據電(dian)源VDD確(que)定第(di)(di)一晶(jing)體管(guan)21和第(di)(di)二(er)晶(jing)體管(guan)22中(zhong)的(de)(de)每一個的(de)(de)期望的(de)(de)擊穿電(dian)壓(ya)。因為(wei)第(di)(di)一晶(jing)體管(guan)21的(de)(de)擊穿電(dian)壓(ya)與第(di)(di)一長(chang)度L1(或(huo)(huo)距(ju)離(li)D1)關聯，并且第(di)(di)二(er)晶(jing)體管(guan)22的(de)(de)擊穿電(dian)壓(ya)與第(di)(di)二(er)長(chang)度L2(或(huo)(huo)距(ju)離(li)D2)關聯，所以(yi)通過調(diao)整第(di)(di)一長(chang)度L1或(huo)(huo)第(di)(di)二(er)長(chang)度L2或(huo)(huo)兩者，設計(ji)(ji)者可(ke)以(yi)在制造之前設計(ji)(ji)半導體器件20。以(yi)這種方式，優化了第(di)(di)一晶(jing)體管(guan)21和第(di)(di)二(er)晶(jing)體管(guan)22消(xiao)耗的(de)(de)面(mian)積(ji)。

導電(dian)組件206形(xing)成在(zai)第一源(yuan)極區(qu)域(yu)211、第二源(yuan)極區(qu)域(yu)221、第一多晶硅(gui)層(ceng)214、第二多晶硅(gui)層(ceng)224和摻雜區(qu)域(yu)204上(shang)，以用作電(dian)連接(jie)(jie)的(de)(de)連接(jie)(jie)點(pick-up)。此外，還(huan)參考圖1中的(de)(de)晶體管(guan)Mb和M2，第一源(yuan)極區(qu)域(yu)211、第一多晶硅(gui)層(ceng)214和第二源(yuan)極區(qu)域(yu)221電(dian)連接(jie)(jie)至互連件207。

圖3A到3J是根據一(yi)些(xie)實(shi)施例的(de)示出的(de)制造半導體(ti)器(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)方(fang)法(fa)的(de)示圖。參考圖3A，提供(gong)了襯(chen)底(di)301。襯(chen)底(di)301包括(kuo)(kuo)第(di)(di)(di)一(yi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(yu)和第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(yu)，其(qi)中分別形成(cheng)第(di)(di)(di)一(yi)晶(jing)體(ti)管和第(di)(di)(di)二(er)(er)晶(jing)體(ti)管。第(di)(di)(di)一(yi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(yu)和第(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)(qi)件(jian)(jian)區(qu)域(yu)分別與(yu)第(di)(di)(di)一(yi)晶(jing)體(ti)管和第(di)(di)(di)二(er)(er)晶(jing)體(ti)管關聯。在一(yi)些(xie)實(shi)施例中，襯(chen)底(di)301包括(kuo)(kuo)p-型襯(chen)底(di)。

參(can)考圖(tu)3B，第一STI 3031和(he)第二(er)STI 3032形成(cheng)在襯(chen)底(di)301中，例如，通過按順序依次執行沉(chen)積工(gong)藝(yi)、刻蝕工(gong)藝(yi)、回調工(gong)藝(yi)、退火(huo)工(gong)藝(yi)和(he)化學(xue)機械平坦化工(gong)藝(yi)。STI 3031和(he)3032分(fen)別設置在第一器件區(qu)域(yu)和(he)第二(er)器件區(qu)域(yu)中。

參考(kao)圖3C，阱302形(xing)成在(zai)襯底301中(zhong)，例(li)如(ru)，通過推進(drive-in)工(gong)藝之(zhi)前的離子注入工(gong)藝。在(zai)一些實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，阱302包括高壓n-阱(HVNW)。

參(can)考圖(tu)3D，通(tong)過刻蝕工藝之前的沉積工藝，在襯底301上形成圖(tu)案化(hua)的絕緣層303，在第一器件(jian)區(qu)域(yu)中暴露阱302。在一些實施例中，圖(tu)案化(hua)的絕緣層303包括氧化(hua)物層。

參(can)考圖(tu)3E，例(li)(li)如(ru)，通(tong)過沉(chen)積工(gong)藝，在(zai)第(di)一(yi)器件(jian)區域(yu)中(zhong)，圖(tu)案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304形(xing)成(cheng)襯底(di)301上。在(zai)一(yi)些實(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)中(zhong)，圖(tu)案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304包括氧(yang)化物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。如(ru)先前討論的(de)(de)(de)(de)和本(ben)實(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)所示，作為緩解(jie)體(ti)(ti)二極管反向恢復問題的(de)(de)(de)(de)方法(fa)，圖(tu)案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)303的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度大于圖(tu)案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)304的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度。在(zai)其他的(de)(de)(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)(li)中(zhong)，例(li)(li)如(ru)，通(tong)過利用沉(chen)積工(gong)藝在(zai)襯底(di)301上形(xing)成(cheng)單(dan)個絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)來代替(ti)在(zai)圖(tu)3D和圖(tu)3E中(zhong)形(xing)成(cheng)不(bu)同厚(hou)(hou)度的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)工(gong)藝。在(zai)這種情況下，絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)在(zai)第(di)一(yi)器件(jian)區域(yu)和第(di)二器件(jian)區域(yu)具有均勻的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度。為了緩解(jie)體(ti)(ti)二極管反向恢復問題，隨后以不(bu)同的(de)(de)(de)(de)濃度摻雜形(xing)成(cheng)在(zai)第(di)一(yi)和第(di)二器件(jian)區域(yu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)塊(kuai)狀(zhuang)區域(yu)。

參(can)考圖3F，例如，通過刻蝕工(gong)藝之(zhi)前的(de)沉積(ji)工(gong)藝，在絕緣層(ceng)303和304上形成圖案化(hua)的(de)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)，結果在第一(yi)器件(jian)區域中(zhong)形成第一(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)305，以及在第二(er)(er)(er)器件(jian)區域中(zhong)形成第二(er)(er)(er)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)306。第一(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)305與(yu)(yu)第一(yi)STI3031的(de)一(yi)部(bu)分重疊并(bing)且(qie)用作(zuo)第一(yi)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管的(de)第一(yi)柵(zha)極(ji)。與(yu)(yu)第一(yi)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)305分離的(de)第二(er)(er)(er)多晶(jing)(jing)硅(gui)層(ceng)306與(yu)(yu)第二(er)(er)(er)STI 3032的(de)一(yi)部(bu)分重疊，并(bing)且(qie)用作(zuo)第二(er)(er)(er)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管的(de)第二(er)(er)(er)柵(zha)極(ji)。

參考圖3G，例如，通過(guo)離子注(zhu)入工藝，在(zai)(zai)阱302中，第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)307限定在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)件區(qu)域(yu)中，并(bing)(bing)且(qie)在(zai)(zai)阱302中，第(di)(di)二塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)308限定在(zai)(zai)第(di)(di)二器(qi)件區(qu)域(yu)中。如先前所討(tao)論的，作為緩解體(ti)二極(ji)管反向(xiang)恢復問題的另一(yi)(yi)方法(fa)，第(di)(di)二塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)308的濃度大于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)307的濃度。具體(ti)地，通過(guo)在(zai)(zai)阱302中摻(chan)(chan)雜(za)(za)第(di)(di)一(yi)(yi)預(yu)(yu)定次(ci)(ci)數(shu)(shu)的摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)類型的摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)以限定第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)307，并(bing)(bing)在(zai)(zai)阱302中摻(chan)(chan)雜(za)(za)第(di)(di)二預(yu)(yu)定次(ci)(ci)數(shu)(shu)的摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)類型的摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)以限定第(di)(di)二塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)308，從而在(zai)(zai)阱302中，第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)307形(xing)成在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)器(qi)件區(qu)域(yu)中，并(bing)(bing)且(qie)在(zai)(zai)阱302中，第(di)(di)二塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)域(yu)308形(xing)成在(zai)(zai)第(di)(di)二器(qi)件區(qu)域(yu)中。第(di)(di)二預(yu)(yu)定次(ci)(ci)數(shu)(shu)大于(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)預(yu)(yu)定次(ci)(ci)數(shu)(shu)。

可選地，通過(guo)在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)307中(zhong)(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)具(ju)(ju)有(you)(you)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一濃度(du)(du)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)和具(ju)(ju)有(you)(you)比(bi)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一濃度(du)(du)小的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)濃度(du)(du)的(de)與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)相(xiang)反的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)，并且在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)308中(zhong)(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)，從而在(zai)(zai)(zai)(zai)阱302中(zhong)(zhong)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)307形(xing)成在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一器件區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)，并且在(zai)(zai)(zai)(zai)阱302中(zhong)(zhong)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)308形(xing)成在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)器件區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)。因為在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)307中(zhong)(zhong)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)的(de)一部分被第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)平(ping)衡，所以(yi)只有(you)(you)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)保留在(zai)(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)307中(zhong)(zhong)。結果，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)307中(zhong)(zhong)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)的(de)濃度(du)(du)小于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)308中(zhong)(zhong)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)的(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)(za)(za)劑(ji)(ji)(ji)的(de)濃度(du)(du)。以(yi)這種方式，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)濃度(du)(du)大于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一濃度(du)(du)。

參考圖(tu)3H，例(li)如，通(tong)過(guo)刻蝕(shi)工藝暴露第(di)一(yi)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域307的(de)(de)一(yi)部分、第(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域308的(de)(de)一(yi)部分以(yi)及(ji)第(di)一(yi)器件區(qu)域與第(di)二(er)(er)器件區(qu)域之間的(de)(de)邊(bian)界(jie)，從而在襯(chen)底301上(shang)形成第(di)一(yi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)309和(he)第(di)二(er)(er)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)310。第(di)一(yi)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)309和(he)第(di)二(er)(er)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)310分別用(yong)作第(di)一(yi)晶體(ti)管和(he)第(di)二(er)(er)晶體(ti)管的(de)(de)柵極氧化物。

參考(kao)圖3I，第(di)(di)一(yi)源(yuan)極(ji)區(qu)(qu)(qu)域311限定在第(di)(di)一(yi)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域307中(zhong)，并(bing)且(qie)在阱302中(zhong)，摻雜區(qu)(qu)(qu)域312限定在STI 3031與3032之間，以及例如(ru)，通過離子注入工藝，第(di)(di)二源(yuan)極(ji)區(qu)(qu)(qu)域313限定在第(di)(di)二塊狀(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域308中(zhong)。

參考圖3J，例如，通過刻蝕(shi)工藝(yi)之(zhi)前(qian)的沉積工藝(yi)，在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)(ji)區域(yu)311、摻雜區域(yu)312、第(di)(di)(di)二源(yuan)極(ji)(ji)區域(yu)313、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)多(duo)晶(jing)硅(gui)層(ceng)305和(he)第(di)(di)(di)二多(duo)晶(jing)硅(gui)層(ceng)306上形成導(dao)電(dian)組件(jian)(jian)314。導(dao)電(dian)組件(jian)(jian)314用作電(dian)連(lian)接(jie)至互連(lian)件(jian)(jian)315的連(lian)接(jie)區域(yu)。此外，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)(ji)區域(yu)311、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)多(duo)晶(jing)硅(gui)層(ceng)305和(he)第(di)(di)(di)二源(yuan)極(ji)(ji)區域(yu)313一(yi)(yi)(yi)起連(lian)接(jie)至互連(lian)件(jian)(jian)315。

圖(tu)4A是根據一些實施例(li)的示(shi)出形成半導體(ti)器件(jian)(jian)的方法(fa)400A的流程圖(tu)。參(can)考圖(tu)4A，在操作401中，提供襯(chen)(chen)底。襯(chen)(chen)底包括第一器件(jian)(jian)區域和第二器件(jian)(jian)區域，其中分(fen)別形成第一晶(jing)(jing)體(ti)管和第二晶(jing)(jing)體(ti)管。襯(chen)(chen)底類(lei)似于分(fen)別參(can)考圖(tu)2和3A描述和示(shi)出的襯(chen)(chen)底201或襯(chen)(chen)底301。

在(zai)操作(zuo)402中，在(zai)襯底中限(xian)定阱(jing)(jing)(jing)(jing)。阱(jing)(jing)(jing)(jing)類似(si)于分(fen)別(bie)參考圖2和3C描述和示(shi)出的阱(jing)(jing)(jing)(jing)202或(huo)阱(jing)(jing)(jing)(jing)302。在(zai)實施例中，阱(jing)(jing)(jing)(jing)包括HVNW。隨(sui)后(hou)，在(zai)阱(jing)(jing)(jing)(jing)中，第(di)一STI和第(di)二(er)STI分(fen)別(bie)形成在(zai)第(di)一器件區域(yu)(yu)和第(di)二(er)器件區域(yu)(yu)中。

在(zai)操作403中(zhong)，分(fen)別在(zai)第(di)(di)一(yi)器件(jian)(jian)區域(yu)和第(di)(di)二器件(jian)(jian)區域(yu)中(zhong)，第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)和第(di)(di)二圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)形成(cheng)在(zai)襯(chen)底(di)上。第(di)(di)二圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚(hou)度大(da)于(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)厚(hou)度。第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)類似于(yu)(yu)參(can)考圖(tu)(tu)3E描(miao)(miao)述(shu)和示出的(de)(de)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)304，并(bing)且第(di)(di)二圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)類似于(yu)(yu)參(can)考圖(tu)(tu)3D描(miao)(miao)述(shu)和示出的(de)(de)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)303。在(zai)實施例中(zhong)，第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括用(yong)于(yu)(yu)核心器件(jian)(jian)的(de)(de)氧化(hua)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)，并(bing)且第(di)(di)二圖(tu)(tu)案(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括用(yong)于(yu)(yu)I/O器件(jian)(jian)的(de)(de)氧化(hua)物(wu)層(ceng)(ceng)(ceng)。

在操作404中，第(di)(di)一(yi)(yi)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)形成(cheng)在第(di)(di)一(yi)(yi)圖案化的(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)上，并(bing)且第(di)(di)二(er)(er)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)形成(cheng)在第(di)(di)二(er)(er)圖案化的(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)上。第(di)(di)一(yi)(yi)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)用作第(di)(di)一(yi)(yi)晶(jing)體管的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)柵極(ji)，并(bing)且第(di)(di)二(er)(er)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)用作第(di)(di)二(er)(er)晶(jing)體管的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)柵極(ji)。

在操(cao)作405中，在阱中，第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)限定在第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器件區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)中，并且(qie)在阱中，第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)限定在第(di)(di)二(er)(er)器件區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)中。第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)用(yong)作第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶體管(guan)的主體，并且(qie)第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)作為第(di)(di)二(er)(er)晶體管(guan)的主體。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例(li)中，第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的濃(nong)度大于第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的濃(nong)度。在一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施(shi)例(li)中，第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的濃(nong)度等(deng)于第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的濃(nong)度。第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)和第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)分別(bie)類似于參考圖3G描述和示出的第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)307和第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)(kuai)(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)308。

在操作406中，第(di)一源極區域(yu)(yu)(yu)、摻(chan)雜區域(yu)(yu)(yu)和(he)(he)(he)第(di)二(er)源極區域(yu)(yu)(yu)分別限(xian)定(ding)(ding)在第(di)一塊狀(zhuang)區域(yu)(yu)(yu)、阱(jing)和(he)(he)(he)第(di)二(er)塊狀(zhuang)區域(yu)(yu)(yu)中。通(tong)過(guo)阱(jing)和(he)(he)(he)摻(chan)雜區域(yu)(yu)(yu)限(xian)定(ding)(ding)第(di)一晶體(ti)管的第(di)一漏(lou)(lou)極區域(yu)(yu)(yu)，并且也(ye)通(tong)過(guo)阱(jing)和(he)(he)(he)摻(chan)雜區域(yu)(yu)(yu)限(xian)定(ding)(ding)第(di)二(er)晶體(ti)管的第(di)二(er)漏(lou)(lou)極區域(yu)(yu)(yu)。

在操作407中，導(dao)電組(zu)件形成在第一(yi)(yi)源(yuan)(yuan)極(ji)區域、第二(er)(er)源(yuan)(yuan)極(ji)區域、摻雜(za)區域、第一(yi)(yi)多(duo)晶硅(gui)層和第二(er)(er)多(duo)晶硅(gui)層上。導(dao)電組(zu)件用作電連(lian)接至互連(lian)件的連(lian)接區域。

在操作408中，第一源極區域(yu)、第一多晶硅層和第二源極區域(yu)一起連接至互連件。

圖(tu)(tu)(tu)4B是根據一(yi)(yi)些實施例的(de)(de)(de)示出(chu)形成半導(dao)體(ti)器(qi)(qi)件的(de)(de)(de)另一(yi)(yi)方法(fa)400B的(de)(de)(de)流程圖(tu)(tu)(tu)。參考圖(tu)(tu)(tu)4B，圖(tu)(tu)(tu)4B示出(chu)的(de)(de)(de)方法(fa)400B類似于(yu)圖(tu)(tu)(tu)4A示出(chu)的(de)(de)(de)方法(fa)400A，但是例如，操(cao)作(zuo)410代(dai)替了操(cao)作(zuo)403，操(cao)作(zuo)411代(dai)替了操(cao)作(zuo)405。在(zai)(zai)操(cao)作(zuo)410中，分別在(zai)(zai)第一(yi)(yi)器(qi)(qi)件區(qu)域(yu)和(he)(he)第二(er)器(qi)(qi)件區(qu)域(yu)中，第一(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)和(he)(he)第二(er)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)形成襯底上。在(zai)(zai)一(yi)(yi)些實施例中，第二(er)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度大于(yu)第一(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度。在(zai)(zai)其他的(de)(de)(de)實施例中，第二(er)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度等(deng)于(yu)第一(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)的(de)(de)(de)厚(hou)度。

在操作411中(zhong)，在阱中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)限(xian)定在第(di)(di)(di)(di)一器(qi)件區(qu)(qu)域(yu)中(zhong)，并且在阱中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)二塊(kuai)狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)限(xian)定在第(di)(di)(di)(di)二器(qi)件區(qu)(qu)域(yu)中(zhong)。第(di)(di)(di)(di)二塊(kuai)狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)的(de)濃(nong)度大于第(di)(di)(di)(di)一塊(kuai)狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)的(de)濃(nong)度。

圖(tu)5是(shi)有(you)(you)和沒(mei)有(you)(you)第(di)三(san)(san)晶體(ti)管(guan)(guan)Mb作(zuo)為(wei)旁路單元的(de)(de)(de)電路的(de)(de)(de)仿(fang)真結(jie)果的(de)(de)(de)示(shi)意圖(tu)。參考圖(tu)5，橫軸表(biao)示(shi)第(di)二晶體(ti)管(guan)(guan)M2的(de)(de)(de)源極-漏極電壓(VSD)，并(bing)且縱軸表(biao)示(shi)以微安(μA)為(wei)單位(wei)的(de)(de)(de)電流(liu)的(de)(de)(de)幅值。曲線(xian)601表(biao)示(shi)當電路沒(mei)有(you)(you)第(di)三(san)(san)晶體(ti)管(guan)(guan)Mb時流(liu)經體(ti)二極管(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)電流(liu)。曲線(xian)602表(biao)示(shi)當電路具有(you)(you)第(di)三(san)(san)晶體(ti)管(guan)(guan)Mb時流(liu)經第(di)三(san)(san)晶體(ti)管(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)反向(xiang)電流(liu)。

通(tong)常(chang)，反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)總量(liang)是(shi)(shi)流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)和流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)第(di)(di)三(san)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)和。因此，隨著(zhu)流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)第(di)(di)三(san)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)量(liang)增(zeng)加(jia)，流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)量(liang)減(jian)少(shao)(shao)。例如(ru)，假(jia)設(she)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)總量(liang)是(shi)(shi)1安培(A)。當(dang)流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)第(di)(di)三(san)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)是(shi)(shi)0.6毫(hao)安(mA)時(shi)，流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)是(shi)(shi)0.4mA。此外，當(dang)流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)第(di)(di)三(san)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)增(zeng)加(jia)到0.8mA時(shi)，流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)減(jian)少(shao)(shao)到0.2mA。結果，當(dang)流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)量(liang)減(jian)少(shao)(shao)時(shi)，體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)恢(hui)復(fu)問題(ti)得到緩(huan)解。有(you)(you)效(xiao)地(di)，流(liu)經(jing)(jing)(jing)(jing)第(di)(di)三(san)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)(guan)(guan)Mb的(de)(de)(de)基本上所(suo)有(you)(you)的(de)(de)(de)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)流(liu)都旁路體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)18，從而(er)消(xiao)除(chu)了體(ti)二(er)(er)極(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)反向(xiang)(xiang)恢(hui)復(fu)問題(ti)。

如(ru)圖5所(suo)示(shi)，曲(qu)線602所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)流(liu)經(jing)第三(san)晶(jing)體管(guan)Mb的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)幅(fu)值明(ming)顯(xian)大于曲(qu)線601所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)流(liu)經(jing)體二極(ji)管(guan)18的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)幅(fu)值。特別地，在VSD約(yue)為0.6V(這是體二極(ji)管(guan)18的(de)(de)(de)(de)(de)導通電(dian)(dian)壓)時，點P1處流(liu)經(jing)三(san)晶(jing)體管(guan)Mb的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)幅(fu)值大約(yue)是流(liu)經(jing)體二極(ji)管(guan)18的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)(de)幅(fu)值的(de)(de)(de)(de)(de)1000倍。即，只(zhi)有很少的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)電(dian)(dian)流(liu)流(liu)經(jing)體二極(ji)管(guan)18。所(suo)以，顯(xian)著緩解了體二極(ji)管(guan)方向(xiang)恢復(fu)問題(ti)。

一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)施(shi)例具(ju)有(you)(you)以下特點和/或(huo)優點一(yi)(yi)個(ge)或(huo)組合。在一(yi)(yi)些(xie)實(shi)(shi)施(shi)例中，半導體(ti)(ti)器件包(bao)括(kuo)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體(ti)(ti)管(guan)和第(di)(di)(di)二(er)(er)晶體(ti)(ti)管(guan)。第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體(ti)(ti)管(guan)包(bao)括(kuo)具(ju)有(you)(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)度(du)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)塊狀(zhuang)區(qu)域(yu)中的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極區(qu)域(yu)以及具(ju)有(you)(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極。第(di)(di)(di)二(er)(er)晶體(ti)(ti)管(guan)包(bao)括(kuo)具(ju)有(you)(you)比(bi)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)濃(nong)度(du)高(gao)的(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)濃(nong)度(du)的(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)塊狀(zhuang)區(qu)域(yu)中的(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)源極區(qu)域(yu)。第(di)(di)(di)二(er)(er)源極區(qu)域(yu)連接至第(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極區(qu)域(yu)和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極。

在一(yi)(yi)些(xie)實施例中(zhong)(zhong)，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)器件包括第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體(ti)(ti)管(guan)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶體(ti)(ti)管(guan)。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶體(ti)(ti)管(guan)包括第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)狀區(qu)域中(zhong)(zhong)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極區(qu)域、具有第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度(du)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)上的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶體(ti)(ti)管(guan)包括第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)塊(kuai)狀區(qu)域中(zhong)(zhong)的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)源極區(qu)域、具有比第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度(du)大的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)厚度(du)的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)上的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)柵(zha)極。第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)源極區(qu)域連接至第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)源極區(qu)域和(he)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極區(qu)域。

在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施例(li)中(zhong)，形成(cheng)半導體器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)方法包(bao)括(kuo)：提供包(bao)括(kuo)分別與(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶體管和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)晶體管相(xiang)關聯的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)的(de)(de)襯底；在(zai)(zai)(zai)襯底中(zhong)形成(cheng)阱(jing)；在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)形成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)具有第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚(hou)(hou)度(du)；在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)二(er)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)形成(cheng)第(di)(di)(di)(di)二(er)圖(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)，第(di)(di)(di)(di)二(er)圖(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)具有比(bi)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚(hou)(hou)度(du)大的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)厚(hou)(hou)度(du)；在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)絕(jue)(jue)緣層(ceng)上形成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵極(ji)(ji)(ji)；在(zai)(zai)(zai)阱(jing)中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)分別形成(cheng)在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)器(qi)件(jian)(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)；分別在(zai)(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)塊(kuai)狀區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)形成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)；以及將第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)、第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵極(ji)(ji)(ji)和(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)連在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)起。

本(ben)發明(ming)的(de)實施(shi)例提供了一(yi)(yi)(yi)種半(ban)導(dao)體器件，包括(kuo)(kuo)：第一(yi)(yi)(yi)晶體管(guan)，包括(kuo)(kuo)：第一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極區(qu)(qu)域(yu)(yu)，位于具有第一(yi)(yi)(yi)濃度(du)的(de)第一(yi)(yi)(yi)塊狀區(qu)(qu)域(yu)(yu)中；和第一(yi)(yi)(yi)柵極；以及第二(er)(er)晶體管(guan)，包括(kuo)(kuo)：第二(er)(er)源(yuan)極區(qu)(qu)域(yu)(yu)，位于具有比(bi)所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)濃度(du)高的(de)第二(er)(er)濃度(du)的(de)第二(er)(er)塊狀區(qu)(qu)域(yu)(yu)中，所(suo)述(shu)第二(er)(er)源(yuan)極區(qu)(qu)域(yu)(yu)與所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極區(qu)(qu)域(yu)(yu)和所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)柵極連接(jie)。

根據本發(fa)明的一(yi)(yi)個實施例，其中(zhong)，所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)晶體管(guan)包(bao)括(kuo)具有第(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)(hou)度(du)的第(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣層(ceng)，并且所述(shu)第(di)(di)二晶體管(guan)包(bao)括(kuo)具有第(di)(di)二厚(hou)(hou)度(du)的第(di)(di)二絕(jue)緣層(ceng)，所述(shu)第(di)(di)二厚(hou)(hou)度(du)大于所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)(hou)度(du)。

根據本發明(ming)的一(yi)(yi)個實(shi)施例，其中，所(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)晶(jing)體管包括具(ju)有第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度(du)(du)(du)的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣層，并(bing)且(qie)所(suo)述第(di)(di)(di)二(er)晶(jing)體管包括具(ju)有第(di)(di)(di)二(er)厚度(du)(du)(du)的第(di)(di)(di)二(er)絕(jue)緣層，所(suo)述第(di)(di)(di)二(er)厚度(du)(du)(du)等(deng)于所(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚度(du)(du)(du)。

根據本發(fa)明的(de)一個實(shi)施(shi)例，半導(dao)體(ti)器(qi)件還包括：第一淺(qian)溝(gou)槽(cao)隔離(li)件(STI)和第二淺(qian)溝(gou)槽(cao)隔離(li)件以及所述(shu)第一淺(qian)溝(gou)槽(cao)隔離(li)件和所述(shu)第二淺(qian)溝(gou)槽(cao)隔離(li)件之間的(de)摻雜區域。

根據本發明的一(yi)個實施例，其中(zhong)，所述(shu)(shu)摻雜區(qu)域用作所述(shu)(shu)第一(yi)晶體(ti)管和(he)所述(shu)(shu)第二晶體(ti)管的漏極。

根據本發明的一個實施例，其中，所述第一濃度的范圍從5×10¹⁵cm^-3到1×10¹⁶cm^-3，并且所述第二濃度的范圍從1.5×10¹⁶cm^-3到2×10¹⁷cm^-3。

根據(ju)本發明(ming)的(de)一(yi)(yi)個(ge)實施(shi)例，其中，所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域與所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)極的(de)一(yi)(yi)部(bu)分重疊，并(bing)且(qie)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域與所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)極的(de)一(yi)(yi)部(bu)分重疊，還(huan)包括(kuo)：限定在所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域中的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)溝道(dao)和(he)限定在所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)(kuai)狀區(qu)域中的(de)第(di)(di)二(er)(er)溝道(dao)。

本發(fa)明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：第(di)(di)(di)(di)(di)一晶體管，包括：第(di)(di)(di)(di)(di)一源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)，位(wei)(wei)于第(di)(di)(di)(di)(di)一塊狀(zhuang)區(qu)域(yu)(yu)中(zhong)；第(di)(di)(di)(di)(di)一絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)，具有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)一厚(hou)度；和第(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)極(ji)(ji)(ji)，位(wei)(wei)于所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)一絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)上；以及第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)晶體管，包括：第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)，位(wei)(wei)于第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)塊狀(zhuang)區(qu)域(yu)(yu)中(zhong)，所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)與所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)一源(yuan)極(ji)(ji)(ji)區(qu)域(yu)(yu)和所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)一柵(zha)極(ji)(ji)(ji)連(lian)接；第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)，具有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚(hou)度，所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)厚(hou)度大于所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)一厚(hou)度；和第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)，位(wei)(wei)于所(suo)述第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)上。

根據本發明的一(yi)個(ge)實施例，其中(zhong)，所述第一(yi)塊狀區(qu)域具有第一(yi)濃度(du)，并且所述第二塊狀區(qu)域具有比所述第一(yi)濃度(du)高的第二濃度(du)。

根(gen)據(ju)本發明的一(yi)個實施例，其中，所述第(di)(di)一(yi)塊(kuai)狀(zhuang)區域(yu)具(ju)有第(di)(di)一(yi)濃(nong)度，并且(qie)所述第(di)(di)二(er)塊(kuai)狀(zhuang)區域(yu)具(ju)有與所述第(di)(di)一(yi)濃(nong)度相等的第(di)(di)二(er)濃(nong)度。

根(gen)據本發明的(de)(de)一(yi)個實施例，半導(dao)體(ti)器件(jian)還包(bao)括：第(di)一(yi)淺(qian)(qian)(qian)溝(gou)槽(cao)隔(ge)離(li)(li)件(jian)(STI)和第(di)二淺(qian)(qian)(qian)溝(gou)槽(cao)隔(ge)離(li)(li)件(jian)以及所(suo)述第(di)一(yi)淺(qian)(qian)(qian)溝(gou)槽(cao)隔(ge)離(li)(li)件(jian)與所(suo)述第(di)二淺(qian)(qian)(qian)溝(gou)槽(cao)隔(ge)離(li)(li)件(jian)之間的(de)(de)摻雜(za)區(qu)域。

根據本發明的一(yi)個實施例，其(qi)中(zhong)，所述摻雜(za)區域用(yong)作所述第一(yi)晶體管(guan)和所述第二晶體管(guan)的漏極。

根據本發明的一個(ge)實(shi)施例，其中，所述第一厚(hou)度的范圍(wei)從25埃(ai)到60埃(ai)，并且所述第二厚(hou)度的范圍(wei)從100埃(ai)到350埃(ai)。

根據本發明(ming)的(de)一(yi)(yi)個實施例(li)，其中(zhong)，所(suo)述第一(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)區域與(yu)所(suo)述第一(yi)(yi)柵(zha)極(ji)的(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)重疊，并且所(suo)述第二(er)塊(kuai)狀(zhuang)區域與(yu)所(suo)述第二(er)柵(zha)極(ji)的(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)重疊，還包括：限(xian)定(ding)在所(suo)述第一(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)區域中(zhong)的(de)第一(yi)(yi)溝道和(he)限(xian)定(ding)在所(suo)述第二(er)塊(kuai)狀(zhuang)區域中(zhong)的(de)第二(er)溝道。

本發明(ming)的(de)實施例還提供(gong)了一(yi)(yi)(yi)種形(xing)(xing)成(cheng)半導體(ti)器(qi)件(jian)的(de)方法，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)方法包(bao)括(kuo)：提供(gong)包(bao)括(kuo)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)的(de)襯底(di)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)分(fen)別(bie)與第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)體(ti)管(guan)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)晶(jing)體(ti)管(guan)相關聯；在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底(di)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)阱(jing)；在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖案化(hua)(hua)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖案化(hua)(hua)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)具(ju)有(you)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚(hou)度；在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)圖案化(hua)(hua)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)圖案化(hua)(hua)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)具(ju)有(you)比所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚(hou)度大的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)厚(hou)度；在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)圖案化(hua)(hua)的(de)絕(jue)緣(yuan)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)極；在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)阱(jing)中(zhong)(zhong)，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)分(fen)別(bie)形(xing)(xing)成(cheng)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)器(qi)件(jian)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)；分(fen)別(bie)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)塊(kuai)狀(zhuang)(zhuang)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)源(yuan)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)；以及將(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)源(yuan)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)極和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)源(yuan)極區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)(yu)連接在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)起。

根據本發明(ming)的(de)一個實(shi)施(shi)例，方法還包括：在(zai)(zai)所(suo)(suo)述襯(chen)底中形成第一淺(qian)槽隔離(li)件(STI)和(he)第二淺(qian)槽隔離(li)件；以及在(zai)(zai)所(suo)(suo)述阱中，摻雜區域形成在(zai)(zai)所(suo)(suo)述第一淺(qian)槽隔離(li)件和(he)所(suo)(suo)述第二淺(qian)槽隔離(li)件之間(jian)。

根據本發明的(de)一個實施例，其中，所(suo)述(shu)摻(chan)雜(za)區域用(yong)作所(suo)述(shu)第一晶體管(guan)和所(suo)述(shu)第二晶體管(guan)的(de)漏極(ji)。

根據(ju)本發明的一(yi)個(ge)實施例，其中，所述第(di)(di)一(yi)塊狀區域(yu)具有第(di)(di)一(yi)濃度(du)，并且所述第(di)(di)二塊狀區域(yu)具有比(bi)所述第(di)(di)一(yi)濃度(du)高的第(di)(di)二濃度(du)。

根據本(ben)發明的(de)一(yi)(yi)個實施例，其中(zhong)，所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)塊(kuai)狀區域具(ju)有第(di)(di)一(yi)(yi)濃度(du)，并(bing)且所述(shu)第(di)(di)二塊(kuai)狀區域具(ju)有與所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)濃度(du)相等的(de)第(di)(di)二濃度(du)。

根據(ju)本發明的(de)(de)(de)(de)一(yi)個實施例，其(qi)中，所述(shu)第一(yi)塊狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)與(yu)(yu)所述(shu)第一(yi)圖案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣層的(de)(de)(de)(de)一(yi)部分(fen)重疊，并且所述(shu)第二塊狀(zhuang)區(qu)(qu)域(yu)(yu)與(yu)(yu)所述(shu)第二圖案化的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣層的(de)(de)(de)(de)一(yi)部分(fen)重疊。

上面論述(shu)了若(ruo)干(gan)實施例的(de)(de)(de)部件(jian)，使(shi)得本(ben)領(ling)域(yu)普通技(ji)術(shu)(shu)(shu)人員(yuan)可(ke)(ke)以(yi)(yi)更好地理解本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)各(ge)個(ge)方面。本(ben)領(ling)域(yu)技(ji)術(shu)(shu)(shu)人員(yuan)應(ying)(ying)該理解，可(ke)(ke)以(yi)(yi)很容易地使(shi)用(yong)本(ben)發(fa)明(ming)(ming)作為基礎(chu)來(lai)設(she)計或更改(gai)其他的(de)(de)(de)處理和(he)(he)結構以(yi)(yi)用(yong)于達到與本(ben)發(fa)明(ming)(ming)所介紹實施例相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)和(he)(he)/或實現相(xiang)同(tong)優(you)點。本(ben)領(ling)域(yu)技(ji)術(shu)(shu)(shu)人員(yuan)也應(ying)(ying)該意識到，這種等效構造并不(bu)背離本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)精神和(he)(he)范(fan)圍，并且(qie)在不(bu)背離本(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)精神和(he)(he)范(fan)圍的(de)(de)(de)情況下(xia)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)進行(xing)多種變(bian)化、替換以(yi)(yi)及(ji)改(gai)變(bian)。