本發明涉及(ji)電子元件制(zhi)作的領域，尤其涉及(ji)一種基于(yu)圖(tu)像(xiang)識別(bie)的陶瓷(ci)封裝基本表面缺陷(xian)檢(jian)測方法及(ji)系統。

背景技術：

1、芯片(pian)等電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)在(zai)(zai)完成(cheng)(cheng)制作(zuo)后還需(xu)要利用陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)材料進(jin)行(xing)(xing)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)，這(zhe)樣能夠將(jiang)(jiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)與外界(jie)環境進(jin)行(xing)(xing)隔(ge)離(li)。陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)不僅是(shi)(shi)將(jiang)(jiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)與外界(jie)的(de)空氣和水汽進(jin)行(xing)(xing)隔(ge)離(li)，還將(jiang)(jiang)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)與外界(jie)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)磁(ci)干(gan)擾進(jin)行(xing)(xing)隔(ge)離(li)，從而(er)改善電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)耐熱性(xing)、耐蝕性(xing)、耐腐蝕性(xing)和耐電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)磁(ci)干(gan)擾性(xing)。現有對(dui)(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)方式(shi)是(shi)(shi)利用氧(yang)化(hua)鋁、氮化(hua)鋁或碳化(hua)硅(gui)等陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)材料制成(cheng)(cheng)與電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)尺寸匹(pi)配的(de)陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)板，再將(jiang)(jiang)陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)板與電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)一起(qi)放入高溫爐中進(jin)行(xing)(xing)燒(shao)結，從而(er)使兩(liang)者緊密結合(he)在(zai)(zai)一起(qi)形成(cheng)(cheng)一個整(zheng)體。但是(shi)(shi)受燒(shao)結操作(zuo)過程的(de)影(ying)響，并不能保證陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)板在(zai)(zai)整(zheng)個區域均與電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)緊密結合(he)，同時陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)板還可(ke)能手(shou)不當(dang)燒(shao)結操作(zuo)的(de)影(ying)響在(zai)(zai)自身表面形成(cheng)(cheng)裂紋，這(zhe)樣都會影(ying)響陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)板對(dui)(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)密封(feng)(feng)性(xing)，無(wu)法對(dui)(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)形成(cheng)(cheng)良好(hao)的(de)保護。為此(ci)需(xu)要對(dui)(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)表面進(jin)行(xing)(xing)全局化(hua)的(de)非接觸缺陷檢(jian)測(ce)，以此(ci)對(dui)(dui)陶(tao)(tao)(tao)(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)效果進(jin)行(xing)(xing)準確(que)全面的(de)識(shi)別，提高對(dui)(dui)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)良品甄別可(ke)靠性(xing)。

技術實現思路

1、本發明的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)在于提(ti)供一種基于圖像(xiang)識(shi)別(bie)(bie)的(de)(de)(de)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝基本表(biao)面(mian)缺陷(xian)檢測方法及系統，其對(dui)電子元件(jian)與(yu)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)(qu)域(yu)(yu)表(biao)面(mian)進(jin)(jin)行第一視覺采集與(yu)識(shi)別(bie)(bie)，得到兩者(zhe)(zhe)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)空間(jian)(jian)(jian)狀態數據，對(dui)兩者(zhe)(zhe)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)緊(jin)密(mi)程(cheng)度進(jin)(jin)行全局量(liang)化識(shi)別(bie)(bie)，以此確(que)(que)定兩者(zhe)(zhe)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)異(yi)常區(qu)(qu)域(yu)(yu)；再對(dui)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)異(yi)常區(qu)(qu)域(yu)(yu)進(jin)(jin)行圖像(xiang)畫面(mian)提(ti)取(qu)與(yu)識(shi)別(bie)(bie)，更加細化分(fen)析兩者(zhe)(zhe)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)界面(mian)形(xing)貌數據，對(dui)兩者(zhe)(zhe)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)變(bian)化情況進(jin)(jin)行表(biao)征(zheng)，以此確(que)(que)定兩者(zhe)(zhe)之(zhi)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)缺陷(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)，實現對(dui)電子元件(jian)與(yu)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)不(bu)緊(jin)密(mi)區(qu)(qu)域(yu)(yu)進(jin)(jin)行定位；還對(dui)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)進(jin)(jin)行第二視覺采集與(yu)識(shi)別(bie)(bie)，得到陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)缺陷(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)，并基于接(jie)(jie)(jie)觸(chu)缺陷(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)和外(wai)表(biao)面(mian)缺陷(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)的(de)(de)(de)相對(dui)位置關系信(xin)息，確(que)(que)定陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)結構缺陷(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)，從而對(dui)電子元件(jian)的(de)(de)(de)陶(tao)(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)(feng)(feng)(feng)裝層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)結構缺陷(xian)進(jin)(jin)行全局化定位識(shi)別(bie)(bie)，提(ti)高對(dui)電子元件(jian)的(de)(de)(de)良品甄別(bie)(bie)準確(que)(que)性(xing)。

2、本發明是通(tong)過以(yi)下技術方案實現：

3、一種基(ji)于圖(tu)像識別的陶瓷(ci)封裝基(ji)本(ben)表面(mian)缺(que)陷檢測方法，包(bao)括：

4、對電(dian)子元件與陶(tao)瓷(ci)封(feng)裝層之間的接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)域(yu)表(biao)面進行(xing)第一(yi)視覺采集(ji)，得到(dao)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)域(yu)表(biao)面圖像；對所(suo)述(shu)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)域(yu)表(biao)面圖像進行(xing)識別，得到(dao)所(suo)述(shu)電(dian)子元件與所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)封(feng)裝層之間的接(jie)觸(chu)空(kong)間狀態(tai)數據；對所(suo)述(shu)接(jie)觸(chu)空(kong)間狀態(tai)數據進行(xing)分析，確定所(suo)述(shu)電(dian)子元件與所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)封(feng)裝層之間的接(jie)觸(chu)異(yi)常(chang)區(qu)(qu)域(yu)；

5、基(ji)于所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)異常(chang)區(qu)域(yu)的(de)位置信息(xi)，對(dui)所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)區(qu)域(yu)表面圖(tu)像進(jin)行畫(hua)面提取處理(li)，得(de)到相應的(de)圖(tu)像子(zi)畫(hua)面；對(dui)所(suo)述(shu)(shu)圖(tu)像子(zi)畫(hua)面進(jin)行識別，得(de)到相應的(de)接(jie)觸(chu)界面形貌數(shu)據；對(dui)所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)界面形貌數(shu)據進(jin)行分析，確定所(suo)述(shu)(shu)電(dian)子(zi)元(yuan)件與(yu)所(suo)述(shu)(shu)陶瓷封裝層之(zhi)間(jian)的(de)接(jie)觸(chu)缺陷區(qu)域(yu)；

6、對所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)裝層(ceng)的(de)(de)外表(biao)面進行(xing)第二(er)視(shi)覺(jue)采集(ji)，得到(dao)陶(tao)瓷(ci)(ci)層(ceng)外表(biao)面圖像；對所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)(ci)層(ceng)外表(biao)面圖像進行(xing)識別，得到(dao)所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)裝層(ceng)的(de)(de)外表(biao)面缺(que)陷區(qu)(qu)(qu)(qu)域；基于所(suo)述(shu)接觸缺(que)陷區(qu)(qu)(qu)(qu)域和所(suo)述(shu)外表(biao)面缺(que)陷區(qu)(qu)(qu)(qu)域的(de)(de)相對位(wei)置關系(xi)信息，確定所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)(ci)封(feng)裝層(ceng)的(de)(de)結構缺(que)陷區(qu)(qu)(qu)(qu)域。

7、可(ke)選地，對電(dian)子元件(jian)與陶瓷(ci)封(feng)裝層(ceng)之間的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)域(yu)(yu)(yu)表面(mian)(mian)進行(xing)第(di)一視(shi)覺(jue)采集，得到(dao)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)域(yu)(yu)(yu)表面(mian)(mian)圖(tu)像；對所述(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)域(yu)(yu)(yu)表面(mian)(mian)圖(tu)像進行(xing)識別，得到(dao)所述(shu)電(dian)子元件(jian)與所述(shu)陶瓷(ci)封(feng)裝層(ceng)之間的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)空(kong)間狀態數據(ju)；對所述(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)空(kong)間狀態數據(ju)進行(xing)分析，確定(ding)所述(shu)電(dian)子元件(jian)與所述(shu)陶瓷(ci)封(feng)裝層(ceng)之間的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)異常區(qu)域(yu)(yu)(yu)，包括：

8、對(dui)電子(zi)(zi)元件(jian)與陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)(ceng)之間(jian)(jian)的(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)區(qu)域表面進行(xing)掃(sao)描視覺采(cai)集，得到接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)區(qu)域表面的(de)(de)全(quan)局圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)；對(dui)所(suo)(suo)述(shu)(shu)全(quan)局圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)進行(xing)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)素(su)紋(wen)理(li)(li)識別(bie)，得到所(suo)(suo)述(shu)(shu)全(quan)局圖(tu)(tu)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)上的(de)(de)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)素(su)紋(wen)理(li)(li)分(fen)布數(shu)(shu)據(ju)，并(bing)基(ji)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)素(su)紋(wen)理(li)(li)分(fen)布數(shu)(shu)據(ju)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)電子(zi)(zi)元件(jian)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)(ceng)各自(zi)對(dui)應的(de)(de)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)素(su)紋(wen)理(li)(li)分(fen)布位置(zhi)數(shu)(shu)據(ju)；基(ji)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)像(xiang)(xiang)(xiang)(xiang)素(su)紋(wen)理(li)(li)分(fen)布位置(zhi)數(shu)(shu)據(ju)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)電子(zi)(zi)元件(jian)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)(ceng)各自(zi)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)區(qu)域表面的(de)(de)邊緣(yuan)輪(lun)廓信息(xi)；并(bing)基(ji)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)邊緣(yuan)輪(lun)廓信息(xi)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)電子(zi)(zi)元件(jian)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)(ceng)之間(jian)(jian)的(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)空間(jian)(jian)間(jian)(jian)隙尺(chi)寸變化(hua)數(shu)(shu)據(ju)；

9、對所(suo)述接觸(chu)空(kong)間(jian)間(jian)隙尺寸(cun)變化數據進行分析，若接觸(chu)空(kong)間(jian)的某一部(bu)分區域的間(jian)隙尺寸(cun)均大于(yu)預設尺寸(cun)閾值，則將對應部(bu)分區域確定所(suo)述電子元件與所(suo)述陶瓷封裝層(ceng)之間(jian)的接觸(chu)異常區域。

10、可選地，基于所述接觸(chu)異常區(qu)域的位(wei)置信息(xi)，對(dui)所述接觸(chu)區(qu)域表面圖(tu)像進(jin)行(xing)(xing)畫面提取處理，得(de)到(dao)相應的圖(tu)像子畫面；對(dui)所述圖(tu)像子畫面進(jin)行(xing)(xing)識別，得(de)到(dao)相應的接觸(chu)界面形(xing)貌數據；對(dui)所述接觸(chu)界面形(xing)貌數據進(jin)行(xing)(xing)分析，確定所述電子元件與所述陶瓷封裝層之間的接觸(chu)缺(que)陷區(qu)域，包括：

11、基于所(suo)(suo)述(shu)接(jie)觸異常區域的位置信息，確(que)定所(suo)(suo)述(shu)接(jie)觸異常區域的邊(bian)界坐(zuo)標信息，以(yi)此對所(suo)(suo)述(shu)接(jie)觸區域表(biao)面(mian)圖像(xiang)進(jin)行匹配邊(bian)界映(ying)射(she)，從而(er)在所(suo)(suo)述(shu)接(jie)觸區域表(biao)面(mian)圖像(xiang)分割提取得到相(xiang)應(ying)的圖像(xiang)子畫面(mian)；

12、對所述(shu)(shu)(shu)圖(tu)像子(zi)畫面(mian)進(jin)行(xing)像素(su)(su)輪廓(kuo)(kuo)識別，得到(dao)所述(shu)(shu)(shu)圖(tu)像子(zi)畫面(mian)的像素(su)(su)輪廓(kuo)(kuo)分(fen)布(bu)特(te)征(zheng)信(xin)息(xi)；基(ji)于所述(shu)(shu)(shu)像素(su)(su)輪廓(kuo)(kuo)分(fen)布(bu)特(te)征(zheng)信(xin)息(xi)，得到(dao)相應的接觸(chu)界面(mian)形貌粗(cu)糙度(du)；將(jiang)所述(shu)(shu)(shu)接觸(chu)界面(mian)形貌粗(cu)糙度(du)與(yu)(yu)預設粗(cu)糙度(du)閾值進(jin)行(xing)對比，若(ruo)所述(shu)(shu)(shu)接觸(chu)界面(mian)形貌粗(cu)糙度(du)大于預設粗(cu)糙度(du)閾值，則(ze)將(jiang)所述(shu)(shu)(shu)接觸(chu)異常區(qu)域確(que)定為(wei)所述(shu)(shu)(shu)電子(zi)元(yuan)件與(yu)(yu)所述(shu)(shu)(shu)陶瓷封裝(zhuang)層之間的接觸(chu)缺陷區(qu)域；否則(ze)，不將(jiang)所述(shu)(shu)(shu)接觸(chu)異常確(que)定為(wei)接觸(chu)缺陷區(qu)域。

13、可選(xuan)地，對電子元件(jian)與陶瓷封裝層(ceng)之間(jian)的接觸(chu)區(qu)域表面進行掃描(miao)視覺采集，得(de)到接觸(chu)區(qu)域表面的全(quan)局(ju)圖(tu)像，包括：

14、步驟s1，利用下(xia)面(mian)公式(1)，根據所述電子元件與(yu)所述陶瓷封裝(zhuang)層之間的(de)(de)接觸(chu)區域(yu)表面(mian)的(de)(de)總面(mian)積(ji)大小以及進(jin)行(xing)掃描(miao)(miao)視(shi)覺采(cai)集(ji)的(de)(de)單次掃描(miao)(miao)最(zui)大面(mian)積(ji)，確定(ding)進(jin)行(xing)掃描(miao)(miao)視(shi)覺采(cai)集(ji)的(de)(de)單次掃描(miao)(miao)拍攝面(mian)積(ji)，

15、

16、在(zai)上述公式(1)中，δs表(biao)示(shi)進(jin)行掃(sao)描視覺采集的(de)單次(ci)掃(sao)描拍攝面(mian)積；s0表(biao)示(shi)進(jin)行掃(sao)描視覺采集的(de)單次(ci)掃(sao)描最(zui)大面(mian)積；s表(biao)示(shi)所(suo)述電子(zi)元件與(yu)所(suo)述陶瓷(ci)封裝層之間的(de)接觸區(qu)域表(biao)面(mian)的(de)總面(mian)積；

17、步(bu)驟s2，利用下面公式(2)，根據單(dan)次掃描拍攝面積以及所述電子元件與所述陶(tao)瓷封裝(zhuang)層之間的接觸區域表面的總面積大小，確定進(jin)行掃描視覺采(cai)集的單(dan)次掃描拍攝時長，

18、

19、在上述公式(shi)(2)中(zhong)，t表(biao)示進(jin)行(xing)掃描(miao)(miao)(miao)視覺采(cai)集的單次(ci)掃描(miao)(miao)(miao)拍(pai)(pai)攝(she)時長(chang)(chang)；tmax表(biao)示進(jin)行(xing)掃描(miao)(miao)(miao)視覺采(cai)集的單次(ci)掃描(miao)(miao)(miao)拍(pai)(pai)攝(she)時長(chang)(chang)的最大值(zhi)；tmin表(biao)示進(jin)行(xing)掃描(miao)(miao)(miao)視覺采(cai)集的單次(ci)掃描(miao)(miao)(miao)拍(pai)(pai)攝(she)時長(chang)(chang)的最小(xiao)值(zhi)；

20、步驟s3，利(li)用(yong)下面(mian)公式(3)，根據單次掃描拍(pai)(pai)攝面(mian)積(ji)以及(ji)單次掃描拍(pai)(pai)攝時長(chang)，控制進行掃描視覺(jue)采(cai)集時每次的(de)重疊拍(pai)(pai)攝面(mian)積(ji)，

21、

22、在上(shang)述公式(3)中(zhong)，sc表(biao)示(shi)進行(xing)掃(sao)描視覺采集時(shi)每次的重疊(die)拍攝面積。

23、可選地，對(dui)所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)封裝層(ceng)的(de)外(wai)表(biao)面(mian)進行(xing)(xing)第二視(shi)覺(jue)采(cai)集，得到陶(tao)瓷(ci)層(ceng)外(wai)表(biao)面(mian)圖像(xiang)；對(dui)所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)層(ceng)外(wai)表(biao)面(mian)圖像(xiang)進行(xing)(xing)識別，得到所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)封裝層(ceng)的(de)外(wai)表(biao)面(mian)缺(que)陷(xian)區域(yu)；基于所(suo)述(shu)接觸缺(que)陷(xian)區域(yu)和所(suo)述(shu)外(wai)表(biao)面(mian)缺(que)陷(xian)區域(yu)的(de)相(xiang)對(dui)位置關系信息，確定所(suo)述(shu)陶(tao)瓷(ci)封裝層(ceng)的(de)結構缺(que)陷(xian)區域(yu)，包括：

24、對所述(shu)陶(tao)瓷封裝層(ceng)(ceng)的(de)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)進行(xing)雙(shuang)(shuang)目(mu)(mu)視覺采集，得到(dao)(dao)雙(shuang)(shuang)目(mu)(mu)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)圖(tu)像(xiang)(xiang)；基于(yu)所述(shu)雙(shuang)(shuang)目(mu)(mu)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)圖(tu)像(xiang)(xiang)的(de)雙(shuang)(shuang)目(mu)(mu)視差，生(sheng)成陶(tao)瓷層(ceng)(ceng)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)三(san)維圖(tu)像(xiang)(xiang)；對所述(shu)陶(tao)瓷層(ceng)(ceng)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)三(san)維圖(tu)像(xiang)(xiang)進行(xing)識(shi)別，得到(dao)(dao)所述(shu)陶(tao)瓷封裝層(ceng)(ceng)的(de)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)裂(lie)紋分布信(xin)息(xi)；基于(yu)所述(shu)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)裂(lie)紋分布信(xin)息(xi)，確定所述(shu)陶(tao)瓷封裝層(ceng)(ceng)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)裂(lie)紋分布密度，以此識(shi)別所述(shu)陶(tao)瓷封裝層(ceng)(ceng)的(de)外(wai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)缺陷區域；

25、將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)外(wai)(wai)表面缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)各自在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)陶瓷封裝層(ceng)(ceng)對(dui)應的三維空間的位置信息進行對(dui)比，確定所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)外(wai)(wai)表面缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)的最近相對(dui)距(ju)(ju)離；若所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)最近相對(dui)距(ju)(ju)離小于預設距(ju)(ju)離閾值(zhi)，則將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)外(wai)(wai)表面缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)占(zhan)據的區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)作(zuo)為(wei)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)陶瓷封裝層(ceng)(ceng)的結(jie)構缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)；否則，不將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)外(wai)(wai)表面缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)確定為(wei)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)陶瓷封裝層(ceng)(ceng)的結(jie)構缺(que)(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)(yu)。

26、一種基于圖像識別的陶瓷封裝(zhuang)基本表面缺(que)陷檢測系統，包(bao)括：

27、第一視覺采集(ji)(ji)與識別模(mo)塊，用于對(dui)電子元(yuan)件與陶(tao)瓷封裝(zhuang)層之間(jian)的接(jie)觸區域表(biao)面(mian)(mian)進(jin)(jin)行第一視覺采集(ji)(ji)，得到接(jie)觸區域表(biao)面(mian)(mian)圖像；對(dui)所述接(jie)觸區域表(biao)面(mian)(mian)圖像進(jin)(jin)行識別，得到所述電子元(yuan)件與所述陶(tao)瓷封裝(zhuang)層之間(jian)的接(jie)觸空間(jian)狀態數據(ju)；

28、接(jie)(jie)觸(chu)異常區域(yu)確(que)定模(mo)塊，用于對(dui)所(suo)(suo)述(shu)接(jie)(jie)觸(chu)空間狀態數據進行(xing)分析，確(que)定所(suo)(suo)述(shu)電(dian)子元件與所(suo)(suo)述(shu)陶(tao)瓷封裝層(ceng)之間的(de)接(jie)(jie)觸(chu)異常區域(yu)；

29、接觸(chu)界(jie)(jie)面(mian)形貌確定(ding)模塊，用(yong)于(yu)基(ji)于(yu)所述接觸(chu)異(yi)常區域的(de)位置(zhi)信息(xi)，對(dui)所述接觸(chu)區域表面(mian)圖像(xiang)進行畫面(mian)提取處理，得(de)到相應的(de)圖像(xiang)子(zi)畫面(mian)；對(dui)所述圖像(xiang)子(zi)畫面(mian)進行識別(bie)，得(de)到相應的(de)接觸(chu)界(jie)(jie)面(mian)形貌數(shu)據；

30、接觸(chu)缺(que)陷(xian)區域(yu)確定(ding)模塊，用于對所述(shu)接觸(chu)界面(mian)形貌數據進行(xing)分析，確定(ding)所述(shu)電子元件與所述(shu)陶瓷(ci)封裝層之間的接觸(chu)缺(que)陷(xian)區域(yu)；

31、第二視覺(jue)采集與(yu)識別(bie)模塊，用(yong)于(yu)對(dui)(dui)所述(shu)陶(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)的(de)外(wai)表(biao)面進行第二視覺(jue)采集，得到(dao)陶(tao)瓷層(ceng)外(wai)表(biao)面圖(tu)像；對(dui)(dui)所述(shu)陶(tao)瓷層(ceng)外(wai)表(biao)面圖(tu)像進行識別(bie)，得到(dao)所述(shu)陶(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)的(de)外(wai)表(biao)面缺陷區(qu)域；

32、結構(gou)缺陷(xian)區(qu)域(yu)確定模塊，用于基于所(suo)述接觸缺陷(xian)區(qu)域(yu)和所(suo)述外表(biao)面缺陷(xian)區(qu)域(yu)的相(xiang)對位置關系信(xin)息，確定所(suo)述陶瓷封裝(zhuang)層的結構(gou)缺陷(xian)區(qu)域(yu)。

33、可選地，所述第(di)一視覺采(cai)集(ji)與識別(bie)模塊用(yong)于對電子元件與陶瓷封(feng)裝(zhuang)(zhuang)層之(zhi)間的接觸區(qu)域(yu)表面(mian)進行第(di)一視覺采(cai)集(ji)，得到接觸區(qu)域(yu)表面(mian)圖像(xiang)；對所述接觸區(qu)域(yu)表面(mian)圖像(xiang)進行識別(bie)，得到所述電子元件與所述陶瓷封(feng)裝(zhuang)(zhuang)層之(zhi)間的接觸空間狀態數(shu)據，包(bao)括：

34、對(dui)電子(zi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)與陶瓷(ci)封裝層之間的接觸(chu)區(qu)(qu)域表面(mian)進(jin)行(xing)掃描(miao)視覺采集，得到接觸(chu)區(qu)(qu)域表面(mian)的全局圖像(xiang)(xiang)；對(dui)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)全局圖像(xiang)(xiang)進(jin)行(xing)像(xiang)(xiang)素紋(wen)(wen)理(li)(li)識別，得到所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)全局圖像(xiang)(xiang)上(shang)的像(xiang)(xiang)素紋(wen)(wen)理(li)(li)分(fen)布(bu)數(shu)據(ju)(ju)，并基于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)像(xiang)(xiang)素紋(wen)(wen)理(li)(li)分(fen)布(bu)數(shu)據(ju)(ju)，確(que)定所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)電子(zi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)陶瓷(ci)封裝層各自對(dui)應的像(xiang)(xiang)素紋(wen)(wen)理(li)(li)分(fen)布(bu)位置數(shu)據(ju)(ju)；基于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)像(xiang)(xiang)素紋(wen)(wen)理(li)(li)分(fen)布(bu)位置數(shu)據(ju)(ju)，確(que)定所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)電子(zi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)陶瓷(ci)封裝層各自在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)接觸(chu)區(qu)(qu)域表面(mian)的邊緣輪廓信息(xi)；并基于所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)邊緣輪廓信息(xi)，確(que)定所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)電子(zi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)陶瓷(ci)封裝層之間的接觸(chu)空間間隙(xi)尺(chi)寸變化數(shu)據(ju)(ju)；

35、所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)異常區域(yu)確(que)定模塊用于對所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)空間(jian)狀態(tai)數據進行分析，確(que)定所(suo)述(shu)(shu)電子元(yuan)件與所(suo)述(shu)(shu)陶瓷封裝層之間(jian)的接(jie)觸(chu)(chu)異常區域(yu)，包括：

36、對所(suo)述(shu)接觸(chu)空間(jian)(jian)間(jian)(jian)隙(xi)(xi)尺寸(cun)變化數據進行分(fen)析，若接觸(chu)空間(jian)(jian)的某一部分(fen)區(qu)域的間(jian)(jian)隙(xi)(xi)尺寸(cun)均大于預(yu)設尺寸(cun)閾值，則(ze)將對應部分(fen)區(qu)域確定所(suo)述(shu)電子元件(jian)與所(suo)述(shu)陶瓷封裝層之間(jian)(jian)的接觸(chu)異(yi)常區(qu)域。

37、可選(xuan)地，所述(shu)接觸(chu)界(jie)面形(xing)貌確定(ding)模塊用于基(ji)于所述(shu)接觸(chu)異常區(qu)域(yu)的(de)位置信(xin)息，對(dui)所述(shu)接觸(chu)區(qu)域(yu)表面圖(tu)像(xiang)進(jin)行畫面提取(qu)處理，得到(dao)相應(ying)(ying)的(de)圖(tu)像(xiang)子畫面；對(dui)所述(shu)圖(tu)像(xiang)子畫面進(jin)行識別(bie)，得到(dao)相應(ying)(ying)的(de)接觸(chu)界(jie)面形(xing)貌數據，包括：

38、基(ji)于(yu)所述接(jie)觸(chu)異常(chang)區域(yu)的(de)位置信息，確定(ding)所述接(jie)觸(chu)異常(chang)區域(yu)的(de)邊(bian)界坐標信息，以此對所述接(jie)觸(chu)區域(yu)表(biao)面圖(tu)像(xiang)進行匹配(pei)邊(bian)界映射，從而在所述接(jie)觸(chu)區域(yu)表(biao)面圖(tu)像(xiang)分割提取得到相應(ying)的(de)圖(tu)像(xiang)子畫面；

39、對所(suo)述圖像子畫面進行像素(su)輪廓識(shi)別，得到所(suo)述圖像子畫面的像素(su)輪廓分(fen)布特征(zheng)信(xin)息(xi)；基于所(suo)述像素(su)輪廓分(fen)布特征(zheng)信(xin)息(xi)，得到相應的接(jie)觸界面形貌粗糙(cao)度；

40、所(suo)述(shu)接(jie)觸(chu)缺陷區(qu)域確(que)定(ding)(ding)模塊用于對所(suo)述(shu)接(jie)觸(chu)界面形貌數(shu)據進行分析，確(que)定(ding)(ding)所(suo)述(shu)電子元(yuan)件(jian)與所(suo)述(shu)陶瓷封裝層之間的接(jie)觸(chu)缺陷區(qu)域，包括(kuo)：

41、將所(suo)(suo)述(shu)(shu)接觸界(jie)面形貌粗(cu)糙度與(yu)預設粗(cu)糙度閾(yu)值進行對比，若所(suo)(suo)述(shu)(shu)接觸界(jie)面形貌粗(cu)糙度大于預設粗(cu)糙度閾(yu)值，則將所(suo)(suo)述(shu)(shu)接觸異常(chang)(chang)區域確定(ding)為(wei)所(suo)(suo)述(shu)(shu)電子(zi)元件(jian)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶瓷封裝(zhuang)層(ceng)之間的接觸缺陷區域；否(fou)則，不將所(suo)(suo)述(shu)(shu)接觸異常(chang)(chang)確定(ding)為(wei)接觸缺陷區域。

42、可選地(di)，所(suo)述(shu)第二視覺采集與識(shi)別(bie)模塊用于對所(suo)述(shu)陶瓷封裝(zhuang)層的(de)外表(biao)(biao)(biao)面進(jin)行第二視覺采集，得到陶瓷層外表(biao)(biao)(biao)面圖像；對所(suo)述(shu)陶瓷層外表(biao)(biao)(biao)面圖像進(jin)行識(shi)別(bie)，得到所(suo)述(shu)陶瓷封裝(zhuang)層的(de)外表(biao)(biao)(biao)面缺(que)陷區域，包括：

43、對所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)層的(de)(de)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)進(jin)(jin)行(xing)雙(shuang)目(mu)視(shi)覺采集，得到(dao)雙(shuang)目(mu)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)圖像(xiang)；基(ji)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)雙(shuang)目(mu)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)圖像(xiang)的(de)(de)雙(shuang)目(mu)視(shi)差(cha)，生成陶(tao)(tao)瓷(ci)層外(wai)(wai)表(biao)面(mian)三(san)維(wei)圖像(xiang)；對所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)層外(wai)(wai)表(biao)面(mian)三(san)維(wei)圖像(xiang)進(jin)(jin)行(xing)識別，得到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)層的(de)(de)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)裂紋分(fen)(fen)布(bu)信息(xi)；基(ji)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)裂紋分(fen)(fen)布(bu)信息(xi)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)層外(wai)(wai)表(biao)面(mian)的(de)(de)裂紋分(fen)(fen)布(bu)密度(du)，以此識別所(suo)(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)(feng)裝(zhuang)層的(de)(de)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)缺陷區域；

44、所述結構(gou)缺陷區(qu)域確定模(mo)塊用(yong)于(yu)(yu)基于(yu)(yu)所述接觸缺陷區(qu)域和所述外(wai)表面缺陷區(qu)域的(de)相對位置關系信息，確定所述陶瓷封裝層的(de)結構(gou)缺陷區(qu)域，包括(kuo)：

45、將所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)和所(suo)述(shu)(shu)外(wai)(wai)(wai)表(biao)(biao)面(mian)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)各(ge)自在所(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)裝(zhuang)層(ceng)對應的(de)三維空間的(de)位(wei)置信息進行對比，確定所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)與所(suo)述(shu)(shu)外(wai)(wai)(wai)表(biao)(biao)面(mian)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)的(de)最近(jin)(jin)相對距(ju)離；若所(suo)述(shu)(shu)最近(jin)(jin)相對距(ju)離小(xiao)于(yu)預設距(ju)離閾值，則將所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)和所(suo)述(shu)(shu)外(wai)(wai)(wai)表(biao)(biao)面(mian)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)占據的(de)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)作為所(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)裝(zhuang)層(ceng)的(de)結(jie)構(gou)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)；否則，不將所(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)和所(suo)述(shu)(shu)外(wai)(wai)(wai)表(biao)(biao)面(mian)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)確定為所(suo)述(shu)(shu)陶(tao)(tao)瓷(ci)封(feng)裝(zhuang)層(ceng)的(de)結(jie)構(gou)缺(que)(que)陷(xian)(xian)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)。

46、與現有技術相比，本(ben)發(fa)明具(ju)有如下有益效果：

47、本技術提供的(de)(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)于圖像識(shi)(shi)別(bie)(bie)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)基(ji)本表面(mian)(mian)缺(que)(que)陷檢測方法及系(xi)統對(dui)(dui)(dui)電子(zi)(zi)元(yuan)件(jian)與陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)區(qu)(qu)域表面(mian)(mian)進(jin)行(xing)第一視(shi)覺采集與識(shi)(shi)別(bie)(bie)，得(de)到兩(liang)(liang)者之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)空間(jian)狀(zhuang)態數(shu)據，對(dui)(dui)(dui)兩(liang)(liang)者之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)緊密(mi)程(cheng)度進(jin)行(xing)全局量化(hua)識(shi)(shi)別(bie)(bie)，以此(ci)確(que)定兩(liang)(liang)者之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)異常區(qu)(qu)域；再對(dui)(dui)(dui)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)異常區(qu)(qu)域進(jin)行(xing)圖像畫面(mian)(mian)提取(qu)與識(shi)(shi)別(bie)(bie)，更加細化(hua)分(fen)析兩(liang)(liang)者的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)界面(mian)(mian)形貌數(shu)據，對(dui)(dui)(dui)兩(liang)(liang)者的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)變化(hua)情況(kuang)進(jin)行(xing)表征，以此(ci)確(que)定兩(liang)(liang)者之(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)陷區(qu)(qu)域，實現對(dui)(dui)(dui)電子(zi)(zi)元(yuan)件(jian)與陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)不緊密(mi)區(qu)(qu)域進(jin)行(xing)定位；還對(dui)(dui)(dui)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)外表面(mian)(mian)進(jin)行(xing)第二(er)視(shi)覺采集與識(shi)(shi)別(bie)(bie)，得(de)到陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)外表面(mian)(mian)缺(que)(que)陷區(qu)(qu)域，并基(ji)于接(jie)(jie)觸(chu)(chu)缺(que)(que)陷區(qu)(qu)域和外表面(mian)(mian)缺(que)(que)陷區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)相對(dui)(dui)(dui)位置關(guan)系(xi)信息，確(que)定陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構缺(que)(que)陷區(qu)(qu)域，從而對(dui)(dui)(dui)電子(zi)(zi)元(yuan)件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)陶(tao)(tao)瓷封(feng)裝(zhuang)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構缺(que)(que)陷進(jin)行(xing)全局化(hua)定位識(shi)(shi)別(bie)(bie)，提高對(dui)(dui)(dui)電子(zi)(zi)元(yuan)件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)良品甄(zhen)別(bie)(bie)準確(que)性。