本(ben)發(fa)明(ming)涉及半導體集成封裝，特(te)別是涉及一種熱電堆紅外傳感器及其(qi)制備方法。

背景技術：

1、熱(re)(re)電(dian)堆(dui)紅(hong)外探測(ce)器(qi)作為最早的熱(re)(re)紅(hong)外探測(ce)器(qi)，最初利(li)用真空鍍(du)膜的方法器(qi)件尺寸(cun)較大(da)，不(bu)易(yi)批量生產，但隨著微機電(dian)系統(tong)(micro-electro-mechanical-system，mems)技術的投入，使(shi)其因成本低廉，適合(he)批量生產，輸出信號(hao)大(da)，靈敏度更高，尺寸(cun)小，易(yi)封(feng)裝等優勢迅速(su)成為研究熱(re)(re)點。

2、微型熱(re)電堆紅(hong)外(wai)(wai)傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)使用(yong)過程(cheng)中都需(xu)要(yao)搭配紅(hong)外(wai)(wai)透鏡，但紅(hong)外(wai)(wai)傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)一般通過金(jin)屬(shu)管(guan)帽或者光機結(jie)構實現和紅(hong)外(wai)(wai)透鏡的(de)集成(cheng)，由于(yu)為(wei)(wei)分離光學器(qi)(qi)件，傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)整體尺(chi)寸(cun)很大(da)。微型熱(re)電堆紅(hong)外(wai)(wai)傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)一般都是采用(yong)to(transistor?outline)、lga(land?gridarray)或者smd(surface?mounted?devices)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)形式，都需(xu)要(yao)通過金(jin)屬(shu)打(da)線(wire?bond)工藝將傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)信號引出(chu)，導致封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)后的(de)尺(chi)寸(cun)比傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)裸芯(xin)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)增(zeng)加很多(duo)(duo)，從而使得智能(neng)穿戴等方(fang)面對傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)尺(chi)寸(cun)要(yao)求極為(wei)(wei)苛刻的(de)領域無法使用(yong)熱(re)電堆紅(hong)外(wai)(wai)傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)，例如tws耳機中的(de)傳(chuan)(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)器(qi)(qi)尺(chi)寸(cun)要(yao)小(xiao)于(yu)2*2mm2。隨(sui)著移動電子產品趨向輕巧、多(duo)(duo)功(gong)能(neng)、低(di)功(gong)耗(hao)發展，為(wei)(wei)了在更小(xiao)的(de)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)面積(ji)下容(rong)納更多(duo)(duo)的(de)引腳數，因而發展出(chu)晶圓(yuan)級芯(xin)片(pian)封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(wafer?levelchip?scale?packaging，wlcsp)，它(ta)最(zui)大(da)特(te)點便(bian)是可以多(duo)(duo)功(gong)能(neng)集成(cheng)，且有效地縮(suo)減封(feng)(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)體積(ji)，但成(cheng)本相對高昂。

3、鑒于以上，有(you)必要提供一種熱電堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感(gan)(gan)器(qi)及其制備方法，用于解決現有(you)技術中熱電堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感(gan)(gan)器(qi)尺寸過大，成(cheng)本過高的(de)問題，使(shi)其在有(you)效控制成(cheng)本的(de)情況(kuang)下，高度集成(cheng)，且能適應(ying)于空間較小的(de)應(ying)用環境。

技術實現思路

1、鑒于以上所(suo)述現有技術(shu)的(de)缺點，本(ben)(ben)發明的(de)目的(de)在于提供一種(zhong)熱(re)電堆紅外傳感(gan)器(qi)及(ji)其制備方法，用于解決現有技術(shu)中(zhong)熱(re)電堆紅外傳感(gan)器(qi)尺寸過大，成(cheng)本(ben)(ben)過高(gao)的(de)問題，使其在有效控制成(cheng)本(ben)(ben)的(de)情(qing)況下(xia)，高(gao)度集成(cheng)，且能適應于空(kong)間較小(xiao)的(de)應用環境。

2、為實現上述目的(de)及(ji)其他相(xiang)關目的(de)，本發明提供一種(zhong)熱電(dian)堆紅外傳感器的(de)制備方(fang)法(fa)，所述熱電(dian)堆紅外傳感器的(de)制備方(fang)法(fa)包括(kuo)：

3、s1：提供(gong)第一(yi)晶圓(yuan)，所(suo)(suo)述(shu)第二晶圓(yuan)包括第一(yi)表(biao)面及與所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)表(biao)面相對的第二表(biao)面，于所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)表(biao)面形成熱(re)電堆(dui)結構及信(xin)號處理電路，所(suo)(suo)述(shu)熱(re)電堆(dui)結構包括位于所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)表(biao)面周側的焊盤區域；

4、s2：提供第(di)(di)二晶圓，所述第(di)(di)二晶圓包括第(di)(di)三表(biao)面及與(yu)所述第(di)(di)三表(biao)面相對的第(di)(di)四表(biao)面，于所述第(di)(di)三表(biao)面形(xing)成凹腔結構，于所述第(di)(di)四表(biao)面形(xing)成透(tou)鏡結構；

5、s3：將(jiang)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓(yuan)的(de)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一表面與所(suo)述(shu)(shu)第(di)二晶(jing)圓(yuan)的(de)所(suo)述(shu)(shu)第(di)三表面進(jin)行(xing)對(dui)準鍵合，形成(cheng)鍵合晶(jing)圓(yuan)，其(qi)中，所(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)(dian)堆(dui)結(jie)構與所(suo)述(shu)(shu)凹腔(qiang)結(jie)構相對(dui)設置，對(dui)所(suo)述(shu)(shu)鍵合晶(jing)圓(yuan)進(jin)行(xing)劃片，并(bing)將(jiang)所(suo)述(shu)(shu)焊盤(pan)區域(yu)暴露，獲得(de)單(dan)個的(de)熱電(dian)(dian)堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感器芯片；

6、s4：于所述熱電(dian)堆紅(hong)外傳感器芯片進行封裝，形成第一封裝層，所述第一封裝層的(de)厚度(du)至少高于所述焊盤區域的(de)高度(du)；

7、s5：于所述(shu)第一封(feng)裝層形成金屬布(bu)線(xian)，所述(shu)金屬布(bu)線(xian)一端(duan)與所述(shu)焊盤區(qu)域連接(jie)，另一端(duan)于所述(shu)第一晶圓的所述(shu)第二表面引(yin)出；

8、s6：于所述熱電堆(dui)紅外(wai)傳(chuan)(chuan)感器芯片(pian)進行二(er)次(ci)封裝，形(xing)成第二(er)封裝層，所述第二(er)封裝層的(de)厚(hou)度高于所述熱電堆(dui)紅外(wai)傳(chuan)(chuan)感器芯片(pian)的(de)高度，將所述熱電堆(dui)紅外(wai)傳(chuan)(chuan)感器芯片(pian)及所述金屬布線包(bao)裹其中，實現(xian)扇出型封裝結(jie)構；

9、s7：刻蝕所述(shu)熱電(dian)堆(dui)紅(hong)(hong)外(wai)傳感器(qi)芯片(pian)上方的(de)所述(shu)第(di)二封裝層，將所述(shu)透鏡結(jie)構暴(bao)露(lu)，獲得所述(shu)熱電(dian)堆(dui)紅(hong)(hong)外(wai)傳感器(qi)。

10、可選地(di)，在步驟s1中(zhong)，形成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)(dian)堆結(jie)構的制備(bei)方(fang)法(fa)包括(kuo)：于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一表面形成熱(re)電(dian)(dian)堆圖(tu)(tu)形，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)(dian)堆圖(tu)(tu)形包括(kuo)絕緣介電(dian)(dian)層、熱(re)電(dian)(dian)偶(ou)結(jie)構及鈍化層；于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)(dian)堆圖(tu)(tu)形中(zhong)央(yang)形成釋放(fang)孔(kong)，并通過所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)釋放(fang)孔(kong)于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)(dian)堆圖(tu)(tu)形下方(fang)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓形成空腔結(jie)構，以懸浮所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)(dian)堆結(jie)構。

11、可(ke)選地，在步(bu)驟s3中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)表面(mian)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三表面(mian)進行對準鍵(jian)合時，還需要在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)表面(mian)或所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三表面(mian)形成鍵(jian)合層。

12、可選地，當在所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一晶(jing)圓的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一表面形(xing)成所(suo)述(shu)(shu)(shu)鍵(jian)合層時，先將所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)晶(jing)圓進行劃(hua)片，獲(huo)得(de)單個的(de)透鏡(jing)芯片，再將所(suo)述(shu)(shu)(shu)透鏡(jing)芯片與所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一晶(jing)圓鍵(jian)合，形(xing)成所(suo)述(shu)(shu)(shu)鍵(jian)合晶(jing)圓。

13、可選地，當在所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)二(er)晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)三(san)表面(mian)形成所(suo)(suo)(suo)述鍵(jian)合層時(shi)，可直接將所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)一晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)一表面(mian)與所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)二(er)晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)三(san)表面(mian)進行(xing)鍵(jian)合，形成所(suo)(suo)(suo)述鍵(jian)合晶圓(yuan)。

14、可(ke)選地，在(zai)步(bu)驟s5中，形成所述(shu)(shu)(shu)金屬(shu)布線(xian)的制備方(fang)法(fa)包括：于(yu)所述(shu)(shu)(shu)焊盤區域上方(fang)及旁(pang)側的所述(shu)(shu)(shu)第一封(feng)裝層開孔，并于(yu)所述(shu)(shu)(shu)開孔內電鍍金屬(shu)，連接形成所述(shu)(shu)(shu)金屬(shu)布線(xian)。

15、可選地，提(ti)供基板(ban)，在所(suo)述熱電(dian)堆紅外傳感器芯(xin)(xin)片(pian)進行封(feng)裝(zhuang)前，需要(yao)將所(suo)述熱電(dian)堆紅外傳感器芯(xin)(xin)片(pian)貼裝(zhuang)于所(suo)述基板(ban)上(shang)，在兩次封(feng)裝(zhuang)后，再將所(suo)述基板(ban)去除。

16、可選(xuan)地，所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)包(bao)(bao)括硅晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)及鍺晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)；所(suo)述(shu)(shu)第(di)二晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)包(bao)(bao)括硅晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)及鍺晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)。

17、本發明還提供一種熱(re)電(dian)堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)，所(suo)述(shu)熱(re)電(dian)堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)由上述(shu)任意一項所(suo)述(shu)的熱(re)電(dian)堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的制備(bei)方法所(suo)制備(bei)得到。

18、可選地，所述(shu)熱電堆紅外(wai)傳感(gan)器的尺寸小于(yu)(yu)等于(yu)(yu)4×4mm2。

19、如(ru)上所(suo)述，本發明的熱電(dian)堆(dui)紅(hong)外傳感器及其制備(bei)方法，具(ju)有以下(xia)有益(yi)效果：

20、本(ben)發(fa)明的制備方法通過扇出型晶圓級封(feng)裝方法將熱電(dian)(dian)堆紅外傳感(gan)(gan)器(qi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)進行封(feng)裝，可提高和(he)保障(zhang)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)可靠性(xing)(xing)，高度集(ji)成(cheng)，成(cheng)本(ben)可控，將熱電(dian)(dian)堆紅外傳感(gan)(gan)器(qi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)的電(dian)(dian)信號(hao)從正面引到背面，可以同(tong)時實現多(duo)個紅外熱電(dian)(dian)堆芯(xin)片(pian)(pian)(pian)的封(feng)裝，大(da)大(da)減小(xiao)封(feng)裝尺(chi)寸；本(ben)發(fa)明在晶圓上(shang)集(ji)成(cheng)透鏡結(jie)構(gou)，縮小(xiao)光學尺(chi)寸，使用便(bian)捷，同(tong)時提高封(feng)裝體的應用范圍以及應用靈活性(xing)(xing)；本(ben)發(fa)明的熱電(dian)(dian)堆傳感(gan)(gan)器(qi)芯(xin)片(pian)(pian)(pian)與透鏡芯(xin)片(pian)(pian)(pian)的鍵(jian)合區域作用于信號(hao)處理電(dian)(dian)路上(shang)方，節(jie)省(sheng)空(kong)間，還可以進一步提高芯(xin)片(pian)(pian)(pian)的集(ji)成(cheng)度。

技術特征：

1.一種(zhong)熱(re)電堆(dui)紅外傳感器(qi)的(de)制(zhi)備方(fang)法，其特征在于，所述(shu)熱(re)電堆(dui)紅外傳感器(qi)的(de)制(zhi)備方(fang)法包括：

2.根(gen)據權(quan)利要求1所(suo)(suo)述(shu)(shu)的熱電(dian)堆(dui)紅外傳感器(qi)的制(zhi)備方法，其特征在(zai)于，在(zai)步驟s1中(zhong)，形成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)堆(dui)結構(gou)的制(zhi)備方法包括(kuo)：于所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)晶(jing)圓(yuan)的所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)表面形成(cheng)熱電(dian)堆(dui)圖(tu)形，所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)堆(dui)圖(tu)形包括(kuo)絕緣介(jie)電(dian)層、熱電(dian)偶(ou)結構(gou)及鈍(dun)化層；于所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)堆(dui)圖(tu)形中(zhong)央(yang)形成(cheng)釋放(fang)孔，并通過所(suo)(suo)述(shu)(shu)釋放(fang)孔于所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)堆(dui)圖(tu)形下方的所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)晶(jing)圓(yuan)形成(cheng)空腔(qiang)結構(gou)，以懸浮所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱電(dian)堆(dui)結構(gou)。

3.根據權利要求1所述(shu)的(de)(de)熱電(dian)堆(dui)紅(hong)外傳(chuan)感器(qi)的(de)(de)制備(bei)方法，其特(te)征在于(yu)：在步驟s3中(zhong)，所述(shu)第(di)一晶圓的(de)(de)所述(shu)第(di)一表面與(yu)所述(shu)第(di)二晶圓的(de)(de)所述(shu)第(di)三表面進(jin)行對準鍵合(he)(he)時，還需要在所述(shu)第(di)一晶圓的(de)(de)所述(shu)第(di)一表面或所述(shu)第(di)二晶圓的(de)(de)所述(shu)第(di)三表面形成鍵合(he)(he)層(ceng)。

4.根據權利(li)要求3所(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)(de)(de)熱電堆紅外(wai)傳感器的(de)(de)(de)制備方法，其特(te)征(zheng)在(zai)于：當在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓(yuan)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一表面形成所(suo)(suo)述(shu)(shu)鍵合層時，先(xian)將所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二晶(jing)圓(yuan)進(jin)行(xing)劃片，獲得單個的(de)(de)(de)透(tou)鏡芯片，再將所(suo)(suo)述(shu)(shu)透(tou)鏡芯片與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓(yuan)鍵合，形成所(suo)(suo)述(shu)(shu)鍵合晶(jing)圓(yuan)。

5.根據權利要求(qiu)3所(suo)(suo)(suo)述(shu)的熱電堆紅外傳感器的制(zhi)備方(fang)法，其特征在(zai)于：當在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)三表(biao)面形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)鍵(jian)(jian)(jian)合層時，可直接將所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一表(biao)面與所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二晶圓(yuan)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)三表(biao)面進行鍵(jian)(jian)(jian)合，形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)鍵(jian)(jian)(jian)合晶圓(yuan)。

6.根據權利要(yao)求1所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)的(de)(de)熱電堆紅外(wai)傳感器的(de)(de)制(zhi)備(bei)方(fang)(fang)法(fa)，其特征在于，在步驟(zou)s5中，形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)金屬(shu)(shu)布線(xian)的(de)(de)制(zhi)備(bei)方(fang)(fang)法(fa)包括：于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)焊盤區(qu)域上方(fang)(fang)及旁側(ce)的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一封裝(zhuang)層(ceng)開(kai)孔，并于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)開(kai)孔內(nei)電鍍(du)金屬(shu)(shu)，連接形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)金屬(shu)(shu)布線(xian)。

7.根據(ju)權利要(yao)求1所(suo)(suo)述(shu)(shu)的熱(re)電(dian)堆紅外(wai)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)的制(zhi)備方法，其特征在(zai)于(yu)：提供基(ji)板(ban)(ban)(ban)，在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)堆紅外(wai)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)芯片進(jin)行封裝前，需(xu)要(yao)將所(suo)(suo)述(shu)(shu)熱(re)電(dian)堆紅外(wai)傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)芯片貼(tie)裝于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)板(ban)(ban)(ban)上，在(zai)兩(liang)次封裝后，再將所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)板(ban)(ban)(ban)去除。

8.根據權(quan)利(li)要求1所(suo)(suo)述的熱電堆紅(hong)外傳感器的制備方法，其(qi)特征在于：所(suo)(suo)述第一(yi)晶(jing)(jing)(jing)圓包括(kuo)硅晶(jing)(jing)(jing)圓及鍺晶(jing)(jing)(jing)圓；所(suo)(suo)述第二晶(jing)(jing)(jing)圓包括(kuo)硅晶(jing)(jing)(jing)圓及鍺晶(jing)(jing)(jing)圓。

9.一種(zhong)熱(re)電堆(dui)紅(hong)外(wai)傳感(gan)器(qi)，其特征在(zai)于：所述熱(re)電堆(dui)紅(hong)外(wai)傳感(gan)器(qi)是由權利要求1～8中(zhong)任意一項所述的熱(re)電堆(dui)紅(hong)外(wai)傳感(gan)器(qi)的制(zhi)備方法所制(zhi)備得到。

10.根據權利要求(qiu)1所述(shu)的熱電堆紅外(wai)(wai)傳(chuan)感器的制備方法(fa)，其特征在于(yu)：所述(shu)熱電堆紅外(wai)(wai)傳(chuan)感器的尺寸小于(yu)等于(yu)4×4mm2。

技術總結
本發明提供一種熱電堆紅外傳感器及其制備方法，熱電堆紅外傳感器的制備方法通過扇出型晶圓級封裝方法將熱電堆紅外傳感器芯片進行封裝，可提高和保障芯片可靠性，成本可控，將熱電堆紅外傳感器芯片的電信號從正面引到背面，可以同時實現多個紅外熱電堆芯片的封裝，大大減小封裝尺寸；本發明在晶圓上集成透鏡結構，縮小光學尺寸，使用便捷，同時提高封裝體的應用范圍以及應用靈活性；本發明的熱電堆傳感器芯片與透鏡芯片的鍵合區域作用于信號處理電路上方，節省空間，還可以進一步提高芯片的集成度。

技術研發人員：徐德輝
受保護的技術使用者：上海燁映微電子科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/12