本發明(ming)涉及微機電，特別涉及一(yi)種慣性傳感(gan)器芯片及其制造方法。

背景技術：

1、慣性傳(chuan)感(gan)器(qi)芯片(pian)的種類(lei)包(bao)含加(jia)(jia)速度計或者陀螺(luo)(luo)儀(yi)(yi)以及地磁傳(chuan)感(gan)器(qi)等。集成(cheng)的慣性傳(chuan)感(gan)器(qi)芯片(pian)通(tong)常需要加(jia)(jia)速度計傳(chuan)感(gan)器(qi)和陀螺(luo)(luo)儀(yi)(yi)傳(chuan)感(gan)器(qi)集成(cheng)在一起(qi)，然而在陀螺(luo)(luo)儀(yi)(yi)傳(chuan)感(gan)器(qi)中(zhong)需要非常低(di)的壓力，比(bi)如(ru)1mbar。因為在陀螺(luo)(luo)儀(yi)(yi)傳(chuan)感(gan)器(qi)中(zhong)需要靜(jing)電力等方式驅動(dong)(dong)可(ke)運動(dong)(dong)結(jie)構(gou)的一部分(fen)振(zhen)動(dong)(dong)，所(suo)以陀螺(luo)(luo)儀(yi)(yi)傳(chuan)感(gan)器(qi)腔內(nei)壓力越低(di)，阻(zu)尼越小(xiao)，可(ke)動(dong)(dong)結(jie)構(gou)更容(rong)易振(zhen)動(dong)(dong)。相反的是，在加(jia)(jia)速度計傳(chuan)感(gan)器(qi)中(zhong)則不希(xi)望出現振(zhen)動(dong)(dong)，因此，加(jia)(jia)速度計傳(chuan)感(gan)器(qi)通(tong)常需要在常壓或者高壓的空腔內(nei)運動(dong)(dong)，比(bi)如(ru)960mbar。

2、現有技術(shu)中，在集成的(de)慣性傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)芯片的(de)制(zhi)作工藝過程中，為(wei)了保持加(jia)速度(du)(du)計(ji)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)和陀(tuo)螺儀(yi)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)壓力不(bu)同(tong)，需(xu)要對容納加(jia)速度(du)(du)計(ji)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)腔室開設調(diao)壓孔，將容納加(jia)速度(du)(du)計(ji)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)腔室調(diao)節至常壓或高壓，再(zai)密(mi)封調(diao)壓孔以維持容納加(jia)速度(du)(du)計(ji)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)的(de)腔室的(de)氣壓，但是現有技術(shu)調(diao)節腔室氣壓時會使(shi)得(de)一些(xie)顆粒物或雜質進入傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)芯片內部對腔室容納的(de)傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)造(zao)成損壞(huai)，導致傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)失效。

技術實現思路

1、本發(fa)明(ming)旨在至少解(jie)決現(xian)有技術(shu)中(zhong)存在的技術(shu)問(wen)題，提供一種慣性傳感器芯片及(ji)其制(zhi)造方法。

2、本(ben)發明(ming)的目的采用(yong)以下技術方案實現：

3、第一方(fang)面，本發明提供一種慣性(xing)傳感器芯片的制造(zao)方(fang)法(fa)，所述方(fang)法(fa)包(bao)括：

4、提供襯(chen)底(di)和電連接晶圓；

5、在所述襯底的一側刻蝕(shi)形成(cheng)第(di)一凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)、第(di)二凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)以(yi)及第(di)三凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)，其(qi)中所述第(di)一凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)、第(di)二凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)以(yi)及第(di)三凹(ao)(ao)(ao)槽(cao)之(zhi)間均物理隔(ge)離(li)；

6、在所述襯(chen)底(di)開設(she)凹槽的(de)一(yi)側鍵合(he)硅(gui)晶圓層(ceng)；

7、對所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)晶圓層遠(yuan)離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底的一側(ce)進行(xing)光(guang)刻(ke)，以使所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)硅(gui)晶圓層遠(yuan)離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底的一側(ce)形成(cheng)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一凹槽(cao)相對應(ying)的第(di)四凹槽(cao)和(he)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二凹槽(cao)相對應(ying)的第(di)五凹槽(cao)，其中所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)四凹槽(cao)和(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)五凹槽(cao)之(zhi)間物理隔離(li)；

8、在所述(shu)硅晶圓(yuan)層(ceng)遠(yuan)離所述(shu)襯底的一側制作電(dian)連接層(ceng)；

9、對(dui)(dui)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)硅晶圓層進行對(dui)(dui)圖形化刻蝕，以在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)對(dui)(dui)應(ying)的區(qu)域(yu)形成通(tong)(tong)氣孔(kong)，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)對(dui)(dui)應(ying)的區(qu)域(yu)形成第(di)(di)(di)一慣性(xing)(xing)敏感(gan)(gan)結(jie)(jie)(jie)構(gou)，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)對(dui)(dui)應(ying)的區(qu)域(yu)形成第(di)(di)(di)二慣性(xing)(xing)敏感(gan)(gan)結(jie)(jie)(jie)構(gou)，其中所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)通(tong)(tong)氣孔(kong)連通(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)和(he)第(di)(di)(di)四(si)(si)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一慣性(xing)(xing)敏感(gan)(gan)結(jie)(jie)(jie)構(gou)連通(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)四(si)(si)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二慣性(xing)(xing)敏感(gan)(gan)結(jie)(jie)(jie)構(gou)連通(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)五凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)；

10、將(jiang)所述(shu)電(dian)連(lian)接(jie)晶圓與所述(shu)電(dian)連(lian)接(jie)層鍵合；

11、貫通(tong)所(suo)(suo)述(shu)襯底(di)的厚度，在所(suo)(suo)述(shu)襯底(di)上形(xing)成與所(suo)(suo)述(shu)第三凹(ao)槽(cao)相連通(tong)的調壓孔，以(yi)通(tong)過(guo)所(suo)(suo)述(shu)調壓孔、所(suo)(suo)述(shu)第三凹(ao)槽(cao)以(yi)及所(suo)(suo)述(shu)通(tong)氣(qi)孔調節所(suo)(suo)述(shu)第一凹(ao)槽(cao)和所(suo)(suo)述(shu)第四凹(ao)槽(cao)內的氣(qi)壓；

12、熔(rong)融(rong)所述調壓(ya)孔(kong)遠離所述第三凹槽的一端，以(yi)密(mi)封所述調壓(ya)孔(kong)。

13、除了上述(shu)(shu)公開的(de)一個或多個特征(zheng)之外，或者作為替代，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底厚(hou)度方向上，所(suo)述(shu)(shu)通(tong)(tong)氣(qi)孔(kong)(kong)(kong)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)位于所(suo)述(shu)(shu)第(di)三凹(ao)槽(cao)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)范圍內，所(suo)述(shu)(shu)調壓(ya)孔(kong)(kong)(kong)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)位于所(suo)述(shu)(shu)第(di)三凹(ao)槽(cao)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)范圍內，所(suo)述(shu)(shu)通(tong)(tong)氣(qi)孔(kong)(kong)(kong)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)與所(suo)述(shu)(shu)調壓(ya)孔(kong)(kong)(kong)的(de)投(tou)(tou)(tou)(tou)影(ying)不重疊。

14、除了上述(shu)公(gong)開的一個或(huo)(huo)多(duo)個特征(zheng)之(zhi)外(wai)，或(huo)(huo)者作為替代(dai)，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)和(he)(he)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)五凹(ao)(ao)槽(cao)之(zhi)間(jian)具有第(di)(di)(di)一隔離(li)(li)(li)凸(tu)起，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一隔離(li)(li)(li)凸(tu)起用于對(dui)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)和(he)(he)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)五凹(ao)(ao)槽(cao)物(wu)理隔離(li)(li)(li)，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)內和(he)(he)所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)五凹(ao)(ao)槽(cao)內均具有第(di)(di)(di)一連(lian)接(jie)凸(tu)起，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一連(lian)接(jie)凸(tu)起用于支(zhi)撐相對(dui)應的所(suo)述(shu)慣(guan)性敏感(gan)結構。

15、除了上述公開的(de)一(yi)個或多個特征之外，或者作(zuo)為替(ti)代，所述在所述硅晶圓層(ceng)遠離所述襯底的(de)一(yi)側制作(zuo)電(dian)連(lian)接層(ceng)包括：

16、在所(suo)述(shu)硅晶圓層遠(yuan)離所(suo)述(shu)襯底的(de)(de)一側(ce)的(de)(de)表面沉積金(jin)屬層；

17、光刻刻蝕所(suo)述金屬(shu)層，以使所(suo)述金屬(shu)層僅覆蓋所(suo)述第一隔離(li)凸起(qi)和所(suo)述第一連(lian)接(jie)凸起(qi)遠離(li)所(suo)述硅(gui)晶圓層一側的(de)表面；

18、其中，覆蓋所(suo)述隔離(li)凸(tu)(tu)起和(he)所(suo)述連(lian)接凸(tu)(tu)起的金屬(shu)層為(wei)所(suo)述電(dian)連(lian)接層。

19、除了(le)上(shang)述(shu)公開的一(yi)(yi)個或多個特征(zheng)之外，或者作為替代，所述(shu)第一(yi)(yi)隔離(li)(li)(li)凸起遠離(li)(li)(li)所述(shu)硅晶圓層的一(yi)(yi)側與(yu)所述(shu)第一(yi)(yi)連接凸起遠離(li)(li)(li)所述(shu)硅晶圓層的一(yi)(yi)側持平。

20、除了上述(shu)公開的一個(ge)或(huo)多個(ge)特征之外，或(huo)者作為(wei)替代，所(suo)述(shu)貫通(tong)所(suo)述(shu)襯底(di)的厚(hou)度，在所(suo)述(shu)襯底(di)上形(xing)成與所(suo)述(shu)第三凹槽相連通(tong)的調壓孔包括：

21、通過深硅刻蝕的(de)方(fang)式刻蝕所述(shu)襯(chen)(chen)底遠(yuan)離所述(shu)硅晶圓層的(de)一側(ce)表面，以在所述(shu)襯(chen)(chen)底上形成(cheng)與所述(shu)第三凹槽相連通的(de)調壓(ya)孔；

22、或，通(tong)過物理(li)切(qie)割(ge)的方式(shi)切(qie)割(ge)所(suo)述(shu)襯底(di)遠離所(suo)述(shu)硅晶圓層的一側(ce)表面，以在所(suo)述(shu)襯底(di)上形成與所(suo)述(shu)第三(san)凹槽(cao)相(xiang)連通(tong)的調壓孔。

23、除了上述(shu)公開的一(yi)個(ge)或多(duo)個(ge)特征(zheng)之外，或者作(zuo)為替(ti)代，所述(shu)將所述(shu)電連(lian)接晶圓與所述(shu)電連(lian)接層鍵合(he)包括(kuo)：

24、所述電(dian)(dian)連接晶(jing)(jing)圓通過金屬共(gong)晶(jing)(jing)鍵合與所述電(dian)(dian)連接層(ceng)進行鍵合。

25、除了上述(shu)(shu)公(gong)開的一(yi)個或多個特征之(zhi)外，或者作為替(ti)代，所(suo)述(shu)(shu)在所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底開設(she)凹槽的一(yi)側鍵合(he)硅晶圓層之(zhi)前(qian)，所(suo)述(shu)(shu)方法(fa)包括：

26、在所述襯底開設(she)凹槽的(de)一面形(xing)成氧(yang)化硅層。

27、除了上述公開(kai)的一(yi)個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)特(te)征之(zhi)外，或(huo)(huo)者(zhe)作為(wei)替代(dai)，在所(suo)述將所(suo)述電(dian)(dian)連(lian)接(jie)晶圓與所(suo)述電(dian)(dian)連(lian)接(jie)層鍵(jian)合(he)之(zhi)后，所(suo)述方(fang)法還包(bao)括(kuo)：

28、刻蝕所述襯底和所述硅晶圓層，以(yi)露出(chu)所述電(dian)(dian)連接(jie)晶圓的電(dian)(dian)連接(jie)結構(gou)，形成電(dian)(dian)連接(jie)引(yin)出(chu)端(duan)，所述電(dian)(dian)連接(jie)引(yin)出(chu)端(duan)用(yong)于傳輸電(dian)(dian)信(xin)號。

29、除了(le)上(shang)述(shu)(shu)(shu)公開的(de)一(yi)個或(huo)多個特征之(zhi)外(wai)，或(huo)者作為替代，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)凹槽(cao)(cao)(cao)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)凹槽(cao)(cao)(cao)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)三(san)凹槽(cao)(cao)(cao)之(zhi)間，相(xiang)鄰的(de)凹槽(cao)(cao)(cao)具有(you)第(di)(di)二(er)隔離(li)(li)凸(tu)(tu)起，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔離(li)(li)凸(tu)(tu)起用(yong)于對所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)相(xiang)鄰的(de)凹槽(cao)(cao)(cao)物理隔離(li)(li)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)凹槽(cao)(cao)(cao)內和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)凹槽(cao)(cao)(cao)內均具有(you)第(di)(di)二(er)連接(jie)(jie)凸(tu)(tu)起，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)連接(jie)(jie)凸(tu)(tu)起用(yong)于固定(ding)相(xiang)對應的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)慣性敏(min)感結構。

30、除了上述(shu)公開(kai)的一個或(huo)多個特征之外，或(huo)者作為替代，所述(shu)第二(er)隔離(li)(li)凸(tu)(tu)起遠離(li)(li)所述(shu)襯底(di)的一側(ce)與所述(shu)連接凸(tu)(tu)起遠離(li)(li)所述(shu)襯底(di)的一側(ce)持(chi)平。

31、除了上述公開的(de)一個或(huo)多個特征之外，或(huo)者作為(wei)替代，所述硅晶圓層的(de)厚度為(wei)10-70μm。

32、除了上述(shu)(shu)公開的一個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)特征之外，或(huo)(huo)者作為替代(dai)，所述(shu)(shu)第(di)四凹槽和所述(shu)(shu)第(di)五(wu)凹槽的深度(du)大于(yu)1.5μm且(qie)小于(yu)3μm。

33、第二方面，本發明提供一種慣性傳感(gan)器芯片，包括(kuo)：

34、襯(chen)底，所述襯(chen)底的一側開(kai)設有相互(hu)物理隔離的第一凹槽(cao)、第二凹槽(cao)以及(ji)第三凹槽(cao)；

35、硅(gui)晶(jing)圓層，所(suo)(suo)述(shu)(shu)硅(gui)晶(jing)圓層與所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底(di)開設有凹槽(cao)的(de)一(yi)(yi)側(ce)鍵合，所(suo)(suo)述(shu)(shu)硅(gui)晶(jing)圓層遠離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底(di)的(de)一(yi)(yi)側(ce)開設有相(xiang)互物理隔離(li)的(de)第(di)四(si)凹槽(cao)和第(di)五凹槽(cao)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)四(si)凹槽(cao)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)凹槽(cao)相(xiang)對(dui)應，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)五凹槽(cao)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二凹槽(cao)相(xiang)對(dui)應；

36、電(dian)連(lian)接晶(jing)(jing)圓,所述電(dian)連(lian)接晶(jing)(jing)圓通(tong)過電(dian)連(lian)接層與所述硅晶(jing)(jing)圓層電(dian)連(lian)接；

37、其(qi)中，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述襯底還開設有(you)(you)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)相(xiang)連通(tong)(tong)(tong)的(de)(de)調(diao)壓孔(kong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述硅晶圓層與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)相(xiang)對應(ying)的(de)(de)區(qu)域(yu)開設有(you)(you)連通(tong)(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)的(de)(de)通(tong)(tong)(tong)氣(qi)孔(kong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述硅晶圓層與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)對應(ying)的(de)(de)區(qu)域(yu)具有(you)(you)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)慣(guan)(guan)性(xing)敏感結(jie)構(gou)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述硅晶圓層與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)二(er)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)對應(ying)的(de)(de)區(qu)域(yu)具有(you)(you)第(di)(di)(di)(di)二(er)慣(guan)(guan)性(xing)敏感結(jie)構(gou)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)慣(guan)(guan)性(xing)敏感結(jie)構(gou)連通(tong)(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)二(er)慣(guan)(guan)性(xing)敏感結(jie)構(gou)連通(tong)(tong)(tong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)二(er)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)五(wu)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)四凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)內的(de)(de)氣(qi)壓通(tong)(tong)(tong)過所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述調(diao)壓孔(kong)、所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述第(di)(di)(di)(di)三凹(ao)(ao)槽(cao)(cao)(cao)(cao)以及所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述通(tong)(tong)(tong)氣(qi)孔(kong)調(diao)節，調(diao)壓后，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述調(diao)壓孔(kong)遠(yuan)離所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述硅晶圓層的(de)(de)一(yi)(yi)端(duan)密封。

38、除了上述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)公開(kai)的(de)(de)(de)一個或多個特征(zheng)之外，或者作為替(ti)代，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底厚度方向上，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)通氣孔(kong)的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)凹(ao)槽的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)范圍內，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)調壓(ya)孔(kong)的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)凹(ao)槽的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)范圍內，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)通氣孔(kong)的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)調壓(ya)孔(kong)的(de)(de)(de)投(tou)(tou)影(ying)不重疊。

39、除(chu)了上(shang)述(shu)公(gong)開的一個或多個特(te)征之(zhi)外，或者作為替代，?所(suo)(suo)述(shu)第(di)四凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)五(wu)凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)之(zhi)間(jian)具(ju)(ju)有(you)第(di)一隔(ge)離(li)凸(tu)(tu)起，所(suo)(suo)述(shu)第(di)一隔(ge)離(li)凸(tu)(tu)起用于對(dui)所(suo)(suo)述(shu)第(di)四凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)五(wu)凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)物理隔(ge)離(li)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)四凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)內和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)五(wu)凹(ao)槽(cao)(cao)(cao)內均具(ju)(ju)有(you)第(di)一連接(jie)凸(tu)(tu)起，所(suo)(suo)述(shu)第(di)一連接(jie)凸(tu)(tu)起用于支撐(cheng)相對(dui)應的所(suo)(suo)述(shu)慣(guan)性敏感結構。

40、除了上述公(gong)開(kai)的一(yi)個或(huo)多(duo)個特征之外，或(huo)者作為替代，所(suo)述電連接(jie)層位于所(suo)述隔離凸(tu)起和(he)所(suo)述連接(jie)凸(tu)起遠(yuan)離所(suo)述硅(gui)晶圓層一(yi)側的表面。

41、除(chu)了上述(shu)公開的一個(ge)或多個(ge)特(te)征(zheng)之外，或者作為替代，所(suo)述(shu)第(di)一隔離(li)凸起(qi)遠(yuan)離(li)所(suo)述(shu)硅晶(jing)圓層的一側與所(suo)述(shu)第(di)一連接凸起(qi)遠(yuan)離(li)所(suo)述(shu)硅晶(jing)圓層的一側持平。

42、除了上(shang)述(shu)(shu)(shu)公開(kai)的(de)一(yi)個(ge)或多(duo)個(ge)特征(zheng)之外，或者作為替代，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)凹槽(cao)、所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二凹槽(cao)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)凹槽(cao)之間，相(xiang)鄰(lin)的(de)凹槽(cao)具有(you)第(di)二隔(ge)離凸(tu)(tu)起(qi)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二隔(ge)離凸(tu)(tu)起(qi)用于(yu)對所(suo)述(shu)(shu)(shu)相(xiang)鄰(lin)的(de)凹槽(cao)物理(li)隔(ge)離，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)凹槽(cao)內和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二凹槽(cao)內均具有(you)第(di)二連接凸(tu)(tu)起(qi)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二連接凸(tu)(tu)起(qi)用于(yu)固定相(xiang)對應的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)慣(guan)性敏感結構。

43、除了上(shang)述(shu)公開的(de)一(yi)個或多(duo)個特征之外，或者作為(wei)替代，所述(shu)第二(er)隔離凸(tu)起遠離所述(shu)襯(chen)底(di)的(de)一(yi)側與所述(shu)第二(er)連接(jie)凸(tu)起遠離所述(shu)襯(chen)底(di)的(de)一(yi)側持平。

44、除了上述(shu)公開的一個或(huo)多(duo)個特征(zheng)之外，或(huo)者(zhe)作為替代，所述(shu)電(dian)連接晶圓靠近所述(shu)硅晶圓層的一側設置(zhi)有(you)電(dian)連接引(yin)出(chu)端(duan)，所述(shu)電(dian)連接引(yin)出(chu)端(duan)用于傳輸電(dian)信號(hao)。

45、采用本發明(ming)提供的(de)(de)(de)技術方案，通(tong)(tong)過(guo)調壓(ya)孔(kong)能(neng)(neng)夠(gou)調節(jie)(jie)第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)壓(ya)，因(yin)為(wei)第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)與(yu)(yu)(yu)通(tong)(tong)氣(qi)(qi)孔(kong)連(lian)(lian)(lian)通(tong)(tong)，通(tong)(tong)氣(qi)(qi)孔(kong)與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)四(si)凹(ao)槽(cao)(cao)連(lian)(lian)(lian)通(tong)(tong)，第(di)(di)四(si)凹(ao)槽(cao)(cao)與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)槽(cao)(cao)連(lian)(lian)(lian)通(tong)(tong)，因(yin)此第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)壓(ya)與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)槽(cao)(cao)和(he)第(di)(di)四(si)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)壓(ya)相(xiang)等，通(tong)(tong)過(guo)調節(jie)(jie)第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)壓(ya)即可調節(jie)(jie)第(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)槽(cao)(cao)和(he)第(di)(di)四(si)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)壓(ya)，使得(de)第(di)(di)一(yi)(yi)慣性敏(min)感(gan)結(jie)(jie)構與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)二慣性敏(min)感(gan)結(jie)(jie)構處(chu)于氣(qi)(qi)壓(ya)不同的(de)(de)(de)空間(jian)中。同時(shi)，開設與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)相(xiang)連(lian)(lian)(lian)通(tong)(tong)的(de)(de)(de)調壓(ya)孔(kong)，能(neng)(neng)夠(gou)使得(de)開設過(guo)程(cheng)中引入的(de)(de)(de)顆粒(li)物和(he)雜(za)質掉落于第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)內(nei)(nei)(nei)(nei)，不會(hui)進入第(di)(di)一(yi)(yi)凹(ao)槽(cao)(cao)和(he)第(di)(di)四(si)凹(ao)槽(cao)(cao)中，且(qie)不會(hui)掉落于第(di)(di)一(yi)(yi)慣性敏(min)感(gan)結(jie)(jie)構上，對(dui)第(di)(di)一(yi)(yi)慣性敏(min)感(gan)結(jie)(jie)構的(de)(de)(de)造(zao)成(cheng)(cheng)損壞。且(qie)，密(mi)封調壓(ya)孔(kong)時(shi)，可能(neng)(neng)會(hui)導(dao)致襯底(di)局部(bu)溫度過(guo)高(gao)，造(zao)成(cheng)(cheng)硅晶圓層(ceng)應(ying)(ying)力不均(jun)(jun)，通(tong)(tong)過(guo)調壓(ya)孔(kong)與(yu)(yu)(yu)第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)連(lian)(lian)(lian)通(tong)(tong)，第(di)(di)三(san)(san)(san)凹(ao)槽(cao)(cao)能(neng)(neng)夠(gou)便(bian)于密(mi)封調壓(ya)孔(kong)過(guo)程(cheng)中的(de)(de)(de)應(ying)(ying)力釋(shi)放，避免應(ying)(ying)力不均(jun)(jun)對(dui)傳感(gan)器造(zao)成(cheng)(cheng)影(ying)響。