技術特征：

1.一種高選擇性半導體芯片二氧(yang)化硅蝕(shi)刻(ke)液，其(qi)特征在于(yu)，按照重量(liang)份(fen)數(shu)計算，包括如下組分(fen)：

2.根據(ju)權利要求(qiu)1所述的高選擇性半(ban)導體(ti)芯片二氧化硅蝕刻液(ye)，其特征在于：

3.一種權利(li)要求1-2任一項(xiang)所述的高選擇性半(ban)導體芯片二氧(yang)化硅蝕刻液的制備方法，其特征在(zai)于，包括如下(xia)步驟：

4.一(yi)種(zhong)權(quan)利要求1-2任一(yi)項所述的(de)高選擇性(xing)半導(dao)體芯片二氧化硅蝕刻液用來蝕刻半導(dao)體芯片的(de)蝕刻方法，其(qi)特征(zheng)在(zai)于，包括如下步驟(zou)：

5.一種權(quan)利要求1-2任(ren)一項所述的高選(xuan)擇性(xing)半(ban)導(dao)體(ti)芯片二氧化硅蝕刻液在蝕刻半(ban)導(dao)體(ti)芯片中的用途。

技術總結
本發明涉及一種高選擇性半導體芯片二氧化硅蝕刻液，其特征在于，按照重量分數計算，包括如下組分：復合功能劑0.1?0.5份，氫氟酸0.2?10份，氟化銨5?40份，超純水30?80份。本發明的復合功能劑具由以下優良特性：良好的水溶性，高潤濕性和保護基材免受腐蝕的功能。同時，本發明的半導體芯片二氧化硅蝕刻液、制備方法也具有更加優異的性能，其能夠實現受控的蝕刻速率，改善蝕刻均勻性，提高蝕刻的選擇性。本發明中對于蝕刻液蝕刻工藝無特殊要求，僅在浸泡和超純水清洗的工藝下即可完成高質量的蝕刻，易于產業化應用，降本增效。

技術研發人員：侯軍,武文東,趙曉瑩,孫昊然
受保護的技術使用者：浙江奧首材料科技有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19