專利名稱：含氧化胺基團的有機半導體材料及其在oled器件中的應用的制作方法
技術領域：
本發明涉及有機半導體光電材料領域，尤其涉及一種含氧化胺基團的有機半導體材料，及其在OLED器件的空穴注入層中的應用。
背景技術：
如

圖1所示，OLED器件主要由 陰極1、發光層2、空穴注入層(HIL)3、陽極4、襯底5順次層疊構成，電源6連接陰極I與陽極4。所述發光層2為有機材料。制備OLED器件時，通常是在襯底5上先設置氧化銦錫(ITO)作為陽極4，然后在ITO陽極4上設置空穴注入層(HIL) 3，接著在空穴注入層3上設置發光層2，最后在發光層2上再蒸鍍金屬陰極1，例如依次真空蒸鍍一層CsF和一層金屬Al共同作為陰極I。設置發光層2的方法通常利用旋涂法，具體做法是將有機發光材料溶解在甲苯等溶劑中制得有機發光材料溶液，然后將有機發光材料溶液旋轉涂覆在空穴注入層3上，為了避免有機發光材料溶液中的甲苯等溶劑將空穴注入層3溶解或侵蝕，從而影響OLED器件的工作效果，所以只能選用不溶或難溶于甲苯等溶劑的有機材料作為空穴注入層3的材料。目前，可選擇的空穴注入層有機材料很少，常用的空穴注入層材料主要有兩種，一種是聚(3，4-乙撐二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸鹽的混合物水溶液(PED0T:PSS)，另一種是聚乙烯基咔唑(PVK)。其中又以PEDOT: PSS最為常用，但是PEDOT: PSS其實是一種酸性溶液，對ITO陽極有一定的腐蝕作用，所以采用PED0T:PSS作為空穴注入層會降低OLED器件的壽命和穩定性。而由于PVK是一種主鏈非共軛的聚合物，其電導率并不高，所以PVK的空穴注入/傳輸性能并不太好，這也是影響OLED器件性能的不利因素之一。

發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種能夠作為OLED器件的空穴注入層材料的有機半導體材料。本發明的技術解決方案是一種含氧化胺基團的有機半導體材料，其結構式為
權利要求
1.一種含氧化胺基團的有機半導體材料，其特征在于結構式為
2.根據權利要求1所述含氧化胺基團的有機半導體材料，其特征在于，所述R1、R2、R3、 R4為乙基。
3.根據權利要求1所述含氧化胺基團的有機半導體材料，其特征在于，所述R5為-CH(Ch2ch2ch2ch2ch2ch2ch2ch3) 2。
4.權利要求f3任一項所述含氧化胺基團的有機半導體材料在0LED器件的空穴注入 層中的應用。
全文摘要
本發明公開了一種含氧化胺基團的有機半導體材料，及其在OLED器件中的應用。本發明所述含氧化胺基團的有機半導體材料的聚合物主鏈是共軛的，聚合物主鏈由具有良好空穴注入/傳輸性能的咔唑基團組成，具有較高的電導率，有利于OLED器件中空穴的注入與傳輸。
文檔編號C08G61/12GK103012754SQ201210542410
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月14日 優先權日2012年12月14日
發明者不公告發明人 申請人:東莞市后博科技服務有限公司