一種掩模板和曝光系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種掩模板和曝光系統。
【背景技術】
[0002]在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)中，薄膜晶體管作為數字電路的開關器件，扮演著十分重要的角色。
[0003]目前，在TFT-1XD陣列基板的生產中，普遍采用單縫衍射掩模板(Single SlitMask)、灰色調掩模板(Gray Tone Mask)或半色調掩模板(Half Tone Mask)進行源漏金屬層掩模(SD Mask)工藝。當采用單縫衍射掩模板進行源漏金屬層掩模工藝時，源漏極溝道區域通過狹縫衍射進行曝光。由于源漏極溝道本身較窄，若曝光光線通過狹縫衍射后光強度太低，曝光不足，經顯影和刻蝕后，很容易導致TFT-LCD陣列基板發生源漏極溝道金屬橋接；若曝光光線通過狹縫衍射后光強度太高，曝光過度，經顯影和刻蝕后，又可能導致發生源漏極溝道半導體缺失。無論發生源漏極溝道金屬橋接還是源漏極溝道半導體缺失，都會導致薄膜晶體管無法正常工作或無法工作。因此，在采用單縫衍射掩模板進行源漏金屬層的掩模生產過程中，需要恰當地控制源漏極溝道區域通過單縫衍射后的光強度。
[0004]TFT-1XD陣列基板上，如圖1所示，由于非顯示區5 (如外圍布線區)薄膜晶體管的分布密度遠高于顯示區6 (即像素區域)，所以在經過曝光后顯影的過程中，非顯示區5單位時間內對顯影液的消耗量遠低于顯示區6，這使得非顯示區5內的局部區域顯影液濃度高于顯示區6，以至于顯影結束后容易導致非顯示區5的薄膜晶體管的溝道區光刻膠偏薄，經刻蝕工藝后易造成源漏極溝道半導體缺失，使源漏極溝道斷開，從而使得TFT-LCD的非顯示區5的薄膜晶體管無法工作，最終導致顯示區6無法正常顯示。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型針對現有技術中存在的上述技術問題，提供一種掩模板和曝光系統。該掩模板能使透過第二區內狹縫的曝光光線的強度相對于透過第一區內狹縫的曝光光線的強度減小，從而使顯示區和非顯示區內的晶體管在經過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區的晶體管的有源區在刻蝕中不會產生半導體缺失，進而確保刻蝕工藝后非顯示區晶體管的有源區不會斷開，最終確保非顯示區的晶體管能夠正常工作，以確保像素區域能夠正常顯示。
[0006]本實用新型提供了一種掩模板，包括透明基板，以及形成于透明基板表面的掩模圖形；其中，所述掩模圖形包括用于對應形成顯示區內膜層圖形的第一區和用于對應形成非顯示區內膜層圖形的第二區；
[0007]所述第一區和所述第二區內均設置有多個圖形化掩模，且所述第一區內圖形化掩模的分布密度小于所述第二區內圖形化掩模的分布密度；
[0008]每個所述圖形化掩模包括用于形成所述晶體管的源極的第一圖形、用于形成所述晶體管的漏極的第二圖形和夾設在所述第一圖形和所述第二圖形之間的狹縫，其中，所述第一區內的所述狹縫的寬度大于所述第二區內的所述狹縫的寬度。
[0009]優選的，設所述第一區內的所述狹縫的寬度為L，所述第二區內的所述狹縫的寬度為M，M = L-LXX%，其中，O < X < 100，且X與所述第二區與所述第一區內所述圖形化掩模的分布密度差值成正比。
[0010]優選的，所述第一圖形和所述第二圖形均由遮光材料構成，所述狹縫底部暴露所述透明基板。
[0011]優選的，所述掩模圖形設置于所述透明基板一側的表面；
[0012]所述第一圖形、第二圖形均由低反射率的遮光材料構成。
[0013]優選的，所述第一區和所述第二區內還設置有用于對應形成布線的布線圖形，所述布線圖形與所述掩模圖形設置于所述透明基板同一側的表面，且與所述第一圖形和所述第二圖形的材料相同。
[0014]本實用新型還提供了一種曝光系統，包括如上所述的掩模板。
[0015]本實用新型的有益效果:本實用新型所提供的掩模板，由于掩模板的第一區內狹縫的寬度大于第二區內狹縫的寬度，使透過第二區內狹縫的曝光光線的強度相對于透過第一區內狹縫的曝光光線的強度減小，從而使顯示區和非顯示區內的晶體管在經過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區的晶體管的有源區在刻蝕中不會產生半導體缺失，進而確保非顯示區晶體管的有源區不會斷開，最終確保非顯示區的晶體管能夠正常工作，以確保像素區域能夠正常顯示。
[0016]本實用新型所提供的曝光系統，通過采用上述掩模板，提高了該曝光系統的曝光質量，從而提高了經該曝光系統曝光的產品的質量。
【附圖說明】
[0017]圖1為現有技術中陣列基板的顯示區與非顯示區的分布結構示意圖；
[0018]圖2為本實用新型實施例1中掩模板的結構剖視示意圖。
[0019]其中的附圖標記說明:
[0020]1.第一區；2.第二區；3.圖形化掩模；31.第一圖形；32.第二圖形；33.狹縫；L.第一區內狹縫的寬度；M.第二區內狹縫的寬度；4.布線圖形；5.非顯示區；6.顯示區。
【具體實施方式】
[0021]為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型所提供的一種掩模板和曝光系統作進一步詳細描述。
[0022]實施例1:
[0023]本實施例提供一種掩模板，如圖2所示，包括透明基板(未標識)，以及形成于透明基板表面的掩模圖形。
[0024]其中，所述掩模圖形包括用于對應形成顯示區內膜層圖形的第一區I和用于對應形成非顯示區內膜層圖形的第二區2 ;
[0025]第一區I和第二區2內均設置有多個圖形化掩模3，且第一區I內圖形化掩模3的分布密度小于第二區2內圖形化掩模3的分布密度；
[0026]每個圖形化掩模3包括用于形成所述晶體管的源極的第一圖形31、用于形成晶體管的漏極的第二圖形32和夾設在第一圖形31和第二圖形32之間的狹縫33 ;第一區I內的狹縫33的寬度L大于第二區2內的狹縫33的寬度M0
[0027]通過使掩模板的第一區I內的狹縫33的寬度大于第二區2內的狹縫33的寬度，使透過第二區2內狹縫33的曝光光線的強度相對于透過第一區I內狹縫33的曝光光線的強度減小，從而使顯示區和非顯示區內的晶體管在經過源漏極曝光和顯影后，保留在有源區膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，從而使非顯示區的晶體管的有源區在刻蝕中不會產生半導體缺失，進而確保非顯示區晶體管的有源區不會斷開，最終確保非顯示區的晶體管能夠正常工作，以確保像素區域能夠正常顯示。
[0028]其中，由于狹縫33夾設于第一圖形31和第二圖形32之間，所以狹縫33的寬度指第一圖形31和第二圖形32之間的距離。
[0029]本實施例中，設第一區I內的狹縫33的寬度為L，第二區2內的狹縫33的寬度為1肩=1^-1^\乂％，其中，0<父< 100，且X與第二區2和第一區I內圖形化掩模3的分布密度差值成正比。如此設置，能使L和M的差值隨著第二區2與第一區I內圖形化掩模3的分布密度差的增大而增大，由于顯示區和非顯示區內的晶體管在經過源漏極曝光后顯影的過程中，非顯示區與顯示區內顯影液的濃度差隨著非顯示區與顯示區內晶體管分布密度差的增大而增大，也即非顯示區與顯示區內顯影液的濃度差隨著第二區2與第一區I內晶體管分布密度差的增大而增大，所以，M相對于L的減小能夠相應地彌補非顯示區內的顯影液濃度高于顯示區內的濃度對非顯示區內晶體管有源區形成的過刻，即對應顯影液濃度高的非顯示區，掩模板上狹縫33的寬度M比較小；對應顯影液濃度低的顯示區，掩模板上狹縫33的寬度L比較大，從而使源漏極曝光時對應透射到非顯示區內有源區的曝光光線的光強度比較小；而對應透射到顯示區內有源區的曝光光線的光強度比較大，最終使源漏極曝光顯影后保留在顯示區和非顯示區內晶體管有源區膜層上的光刻膠的厚度趨于一致，以確保經刻蝕后非顯示區內晶體管的有源區不會因半導體缺失而斷開。
[0030]本實施例中，第一圖形31和第二圖形32均由遮光材料構成，狹縫33底部暴露透明基板。由于通常情況下，顯示區和非顯示區膜層圖形的曝光工藝中通常采用正性光刻膠，所以，掩模板上第一圖形31和第二圖形32為完全不透光圖形，才能在曝光