保護膜以及包括該保護膜的光掩模組件的制作方法
本發(fa)明構思涉及集成電(dian)路(IC)器件制造(zao)裝置(zhi)(zhi)，更具體地(di)，涉及用(yong)于(yu)曝光(guang)裝置(zhi)(zhi)的(de)保護膜(mo)(pellicle)以及包(bao)括該保護膜(mo)的(de)光(guang)掩模組(zu)件，該曝光(guang)裝置(zhi)(zhi)配置(zhi)(zhi)為制造(zao)IC器件。
背景技術：
在制造IC器件的工藝(yi)中(zhong)，光(guang)刻工藝(yi)被用(yong)(yong)于在晶片(pian)上形成電路圖案(an)。在光(guang)刻工藝(yi)中(zhong)，光(guang)掩(yan)模用(yong)(yong)于將期望(wang)的圖案(an)轉移(yi)到晶片(pian)上。當(dang)光(guang)掩(yan)模被來(lai)自周(zhou)圍環境的異(yi)物(wu)諸如顆粒污染或由于周(zhou)圍環境而變形時(shi)，缺陷會出現在光(guang)掩(yan)模的圖案(an)轉移(yi)到其的晶片(pian)上。
技術實現要素：
為了提高在制造(zao)IC器件(jian)的(de)(de)工(gong)藝期間的(de)(de)生產率，至少(shao)一些示例實施(shi)方式公開了一種能夠保護(hu)用(yong)于光刻工(gong)藝的(de)(de)光掩模免受(shou)異物或周邊環境影響的(de)(de)系統。
本(ben)發(fa)明構(gou)思提(ti)(ti)供(gong)了一種(zhong)保護膜，該保護膜可(ke)以(yi)在光掩模(mo)的保存(cun)、運輸和使用(yong)期間保護光掩模(mo)免(mian)受污染。本(ben)發(fa)明構(gou)思還可(ke)以(yi)提(ti)(ti)供(gong)一種(zhong)在保護膜被用(yong)于曝光工藝時(shi)的高分辨率(lv)且(qie)機(ji)械穩定的結構(gou)。
本發明構(gou)思提供(gong)一種包括保(bao)護(hu)膜的(de)光(guang)掩模組件，該保(bao)護(hu)膜可以提供(gong)關于極紫外(wai)(EUV)光(guang)或電(dian)子束(e-beam)的(de)高(gao)分(fen)辨率并具有機械穩定的(de)結構(gou)。
根據本(ben)發明構思的至少一個(ge)示例實(shi)施方式，提供一種包(bao)括(kuo)保(bao)護膜(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)(pellicle membrane)的保(bao)護膜(mo)(mo)(mo)。該保(bao)護膜(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)包(bao)括(kuo)多孔(kong)膜(mo)(mo)(mo)，該多孔(kong)膜(mo)(mo)(mo)包(bao)括(kuo)多個(ge)納米(mi)線，該多個(ge)納米(mi)線彼此交叉地(di)形成圖案。
多(duo)(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)膜(mo)可以(yi)限定(ding)(ding)(ding)沿多(duo)(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)膜(mo)的(de)(de)厚(hou)度方(fang)向(xiang)延伸(shen)的(de)(de)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)。所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納米(mi)(mi)線限定(ding)(ding)(ding)所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)使得所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)可以(yi)沿線性路(lu)徑(jing)和(he)非線性路(lu)徑(jing)中的(de)(de)至少(shao)一種(zhong)延伸(shen)。在一些(xie)示例實施方(fang)式中，所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納米(mi)(mi)線限定(ding)(ding)(ding)所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)使得所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)可以(yi)包(bao)括(kuo)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)不規則圖(tu)案化的(de)(de)通孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)。在至少(shao)一些(xie)示例實施方(fang)式中，所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納米(mi)(mi)線限定(ding)(ding)(ding)所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)使得形成(cheng)在多(duo)(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)膜(mo)中的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)可以(yi)包(bao)括(kuo)多(duo)(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)規則地圖(tu)案化的(de)(de)通孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)。
所述(shu)多個納米線中的至少(shao)一(yi)些可以具有第(di)一(yi)部(bu)分和第(di)二部(bu)分。所述(shu)多個納米線的第(di)一(yi)部(bu)分可以與(yu)第(di)二部(bu)分成一(yi)體，以形成網狀結構。
所述(shu)多個納米線中(zhong)的至(zhi)少一(yi)(yi)些(xie)可(ke)以在壓(ya)力下附(fu)接到彼(bi)此(ci)并且(qie)所述(shu)多個納米線中(zhong)的所述(shu)至(zhi)少一(yi)(yi)些(xie)可(ke)以提供該網(wang)狀結構。
所述多(duo)個(ge)納(na)米線的每(mei)個(ge)可以具有圓形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)、橢圓形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)和多(duo)邊(bian)形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)中的一種。
所述(shu)多個(ge)納米線可以(yi)縱向(xiang)地處于展(zhan)開狀態和折疊狀態中的(de)至(zhi)少一(yi)個(ge)，以(yi)形成網狀結構。
在(zai)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)些示(shi)例(li)實(shi)(shi)施方(fang)式中，所述多(duo)個(ge)納米(mi)線可(ke)以包(bao)括(kuo)(kuo)單一(yi)(yi)元素(su)。在(zai)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)些其它的(de)(de)示(shi)例(li)實(shi)(shi)施方(fang)式中，所述多(duo)個(ge)納米(mi)線的(de)(de)每(mei)個(ge)可(ke)以包(bao)括(kuo)(kuo)異質結構，該異質結構包(bao)括(kuo)(kuo)至(zhi)少(shao)兩種不同(tong)的(de)(de)元素(su)。
所述多個納米線可以包括從由硅(Si)、碳(C)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、釕(Ru)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、硅氮化物(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、釔(yi)鋇銅氧化物(YBCO)和硅碳化物(SiC)以及其組合組成的組選出的材(cai)料。
在至少一些示例(li)實(shi)施方式中，所(suo)述多個納米線的(de)每個可(ke)以包括用n型摻雜(za)劑或p型摻雜(za)劑摻雜(za)的(de)元(yuan)素。
所(suo)述多(duo)個(ge)(ge)納米線的(de)每(mei)個(ge)(ge)可(ke)(ke)以(yi)在所(suo)述多(duo)個(ge)(ge)納米線的(de)每(mei)個(ge)(ge)的(de)厚(hou)度(du)方向上具有(you)約(yue)5nm(納米)至約(yue)100nm的(de)寬度(du)。多(duo)孔(kong)膜可(ke)(ke)以(yi)具有(you)約(yue)50nm至約(yue)4μm(微(wei)米)的(de)厚(hou)度(du)。
所述多個納米線(xian)(xian)中的(de)至少一(yi)些可以(yi)包括芯線(xian)(xian)和殼(ke)線(xian)(xian)，殼(ke)線(xian)(xian)圍繞芯線(xian)(xian)。芯線(xian)(xian)可以(yi)包括第一(yi)材料(liao)(liao)并且(qie)殼(ke)線(xian)(xian)可以(yi)包括第二材料(liao)(liao)，第一(yi)材料(liao)(liao)可以(yi)不(bu)同于(yu)第二材料(liao)(liao)。
保護膜隔膜還可以包括蓋層，該蓋層覆蓋所述多孔膜的至少一個表面。在一些示例實施方式中，蓋層可以覆蓋多孔膜的第一表面和多孔膜的第二表面，并且多孔膜的第一表面和第二表面在多孔膜的相反兩側。在一些示例實施方式中，蓋層可以包括第一材料，多孔膜包括第二材料，其中第一材料不同于第二材料。蓋層可以包括從由碳化硅(SiC)、二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(Si3N4)、硅氮氧化物(SiON)、釔氧化物(Y2O3)、釔氮化物(YN)、硼碳化物(B4C)、鋇氮化物(BaN)、鉬(Mo)、釕(Ru)和銠(Rh)以(yi)及其組(zu)合組(zu)成(cheng)的組(zu)選出(chu)的第(di)一材料。
保護(hu)膜還(huan)可(ke)以(yi)包(bao)括支撐保護(hu)膜隔膜的保護(hu)膜框架。該(gai)保護(hu)膜框架可(ke)以(yi)通過粘合(he)層附(fu)接(jie)到多孔(kong)膜。該(gai)保護(hu)膜隔膜還(huan)可(ke)以(yi)包(bao)括蓋(gai)(gai)層，該(gai)蓋(gai)(gai)層覆蓋(gai)(gai)多孔(kong)膜的第一表面。該(gai)保護(hu)膜框架可(ke)以(yi)通過粘合(he)層附(fu)接(jie)到蓋(gai)(gai)層。
根據本發明構(gou)思的示例實(shi)施方式，提供一種包(bao)括(kuo)(kuo)保(bao)護膜(mo)和光(guang)掩模(mo)(mo)的光(guang)掩模(mo)(mo)組(zu)件。該(gai)保(bao)護膜(mo)可(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)保(bao)護膜(mo)隔膜(mo)，該(gai)保(bao)護膜(mo)隔膜(mo)可(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)多孔膜(mo)，該(gai)多孔膜(mo)包(bao)括(kuo)(kuo)多個納米線(xian)，該(gai)多個納米線(xian)彼此交叉地形(xing)成(cheng)圖案以(yi)形(xing)成(cheng)網狀結(jie)構(gou)。該(gai)光(guang)掩模(mo)(mo)可(ke)以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)一表面(mian)，其中保(bao)護膜(mo)被固定到光(guang)掩模(mo)(mo)的該(gai)表面(mian)。
所述多(duo)個(ge)納米線限定(ding)多(duo)個(ge)孔使得所述多(duo)個(ge)孔沿線性(xing)路徑和非(fei)線性(xing)路徑中的至少一個(ge)延伸。
在至(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一些示例(li)實施方式中，所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個納米線限(xian)定所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個孔使(shi)得(de)(de)所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個孔中的(de)至(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一些可以(yi)不規則地成(cheng)形且不規則地圖案化。可選地，所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個納米線限(xian)定所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個孔使(shi)得(de)(de)所(suo)述(shu)多(duo)(duo)個孔形成(cheng)多(duo)(duo)個規則圖案化的(de)空(kong)間。
在(zai)光掩(yan)模(mo)組件(jian)中，保護膜(mo)隔膜(mo)還可以包括覆(fu)蓋多孔(kong)膜(mo)的第一(yi)表面的蓋層。
保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)還(huan)可(ke)以包(bao)括保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框架(jia)(jia)，該保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框架(jia)(jia)包(bao)括第(di)(di)(di)一端(duan)(duan)和(he)第(di)(di)(di)二(er)端(duan)(duan)，第(di)(di)(di)一端(duan)(duan)可(ke)以被固定(ding)到保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)，第(di)(di)(di)二(er)端(duan)(duan)可(ke)以被固定(ding)到光掩模的所述(shu)表面。
根據至少(shao)一(yi)(yi)(yi)些示例實施方式，一(yi)(yi)(yi)種(zhong)保護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)包(bao)(bao)括(kuo)多(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)膜(mo)(mo)以(yi)(yi)及在多(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)膜(mo)(mo)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)，該多(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)膜(mo)(mo)包(bao)(bao)括(kuo)第(di)一(yi)(yi)(yi)表面(mian)(mian)(mian)(mian)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)可以(yi)(yi)形(xing)成多(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)膜(mo)(mo)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與第(di)二納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)成一(yi)(yi)(yi)體，第(di)一(yi)(yi)(yi)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)和第(di)二納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)可以(yi)(yi)彼此交叉地形(xing)成圖(tu)案(an)。第(di)一(yi)(yi)(yi)表面(mian)(mian)(mian)(mian)可以(yi)(yi)比所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)每個(ge)(ge)厚(hou)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)每個(ge)(ge)可以(yi)(yi)包(bao)(bao)括(kuo)圓形(xing)截面(mian)(mian)(mian)(mian)形(xing)狀(zhuang)(zhuang)、橢圓形(xing)截面(mian)(mian)(mian)(mian)形(xing)狀(zhuang)(zhuang)和多(duo)(duo)(duo)邊形(xing)截面(mian)(mian)(mian)(mian)形(xing)狀(zhuang)(zhuang)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)種(zhong)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)可以(yi)(yi)限定沿(yan)多(duo)(duo)(duo)孔(kong)(kong)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)厚(hou)度方向延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)。可選地，所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)(na)(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)可以(yi)(yi)限定所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)使得所(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)(duo)個(ge)(ge)孔(kong)(kong)沿(yan)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)性路徑(jing)和非線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)性路徑(jing)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)(yi)(yi)種(zhong)延(yan)伸(shen)。
附圖說明
本(ben)發明構(gou)思的(de)以上和其它的(de)特征(zheng)及優點將從本(ben)發明構(gou)思的(de)示例實施方式的(de)更具體描述而(er)明顯，如附(fu)圖(tu)中(zhong)(zhong)示出的(de)，其中(zhong)(zhong)相同(tong)(tong)的(de)附(fu)圖(tu)標記(ji)在(zai)不同(tong)(tong)的(de)視圖(tu)中(zhong)(zhong)始(shi)終表(biao)示相同(tong)(tong)的(de)部(bu)件。附(fu)圖(tu)不必(bi)按比例繪制，而(er)是重點在(zai)于(yu)示出本(ben)發明構(gou)思的(de)原(yuan)理。在(zai)附(fu)圖(tu)中(zhong)(zhong)：
圖(tu)1是根據示例(li)實施(shi)方式的保護膜的截面圖(tu)；
圖2A至2D是可(ke)包括(kuo)在根據示(shi)例實施方式的(de)保護膜中的(de)多孔薄(bo)膜的(de)示(shi)意性(xing)平面(mian)圖；
圖3A至3H是(shi)可(ke)構成根據示例實施方式的保護膜的多孔薄膜的納米線的透(tou)視圖；
圖(tu)4A至4F是可構(gou)成根(gen)據示例實施(shi)方式的(de)(de)保護膜的(de)(de)多孔薄膜的(de)(de)納(na)米線的(de)(de)透視圖(tu)；
圖(tu)5是根據示例實施方式(shi)的保(bao)護(hu)膜的截面圖(tu)；
圖(tu)6是可包括在根(gen)據示(shi)例實施方式的(de)保(bao)護膜中的(de)保(bao)護膜隔膜的(de)制造方法的(de)示(shi)例的(de)流程圖(tu)；
圖7A至7E是(shi)通過使用可包括在根據示(shi)例實(shi)施方(fang)式(shi)的保(bao)護膜(mo)(mo)中的保(bao)護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的制造(zao)方(fang)法(fa)來制造(zao)保(bao)護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的方(fang)法(fa)的工藝操作(zuo)的截(jie)面圖；
圖8是可包括在(zai)根據示(shi)例(li)實施方式的保(bao)護膜中的保(bao)護膜隔膜的制(zhi)造方法的另(ling)一(yi)示(shi)例(li)的流程圖；
圖9A和9B是(shi)通過使用(yong)可(ke)包括在根(gen)據(ju)示例實施方式(shi)的(de)(de)保護膜(mo)中的(de)(de)保護膜(mo)隔膜(mo)的(de)(de)制造方法(fa)(fa)來形(xing)成保護膜(mo)隔膜(mo)的(de)(de)方法(fa)(fa)的(de)(de)工藝(yi)操作的(de)(de)截面圖；
圖10是可包括在根據(ju)示例實施方式的(de)保護膜(mo)中的(de)保護膜(mo)隔(ge)膜(mo)的(de)制造方法的(de)另一示例的(de)流程圖；
圖11是通過使用可(ke)包括在(zai)根據示例實施方(fang)式(shi)的(de)(de)保護膜(mo)(mo)中的(de)(de)保護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的(de)(de)制(zhi)造方(fang)法來(lai)形成保護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的(de)(de)方(fang)法的(de)(de)截面圖；
圖(tu)12A至(zhi)12E是可(ke)被包括在根據示例實施方式的(de)保護膜(mo)中的(de)保護膜(mo)隔膜(mo)的(de)形成方法的(de)工藝(yi)操作的(de)截(jie)面圖(tu)；
圖13是可與(yu)根據示(shi)(shi)例實施(shi)方式(shi)的(de)保護膜(mo)結合的(de)光(guang)掩(yan)模(mo)的(de)示(shi)(shi)例的(de)示(shi)(shi)意性平面圖；
圖14是根據示(shi)例實施方式的光(guang)掩(yan)模組(zu)件(jian)的截面圖；
圖(tu)15是(shi)根(gen)據示例實施方式的(de)光掩模組件的(de)截面圖(tu)；
圖16是根(gen)據示例實(shi)施方(fang)式(shi)的集成電(dian)路(IC)器件制造(zao)裝置的構(gou)造(zao)的示意性截面圖；
圖17是根據示例實施方式(shi)的(de)IC器(qi)件的(de)制造方法的(de)流程圖；
圖18A和18B是示出關于根(gen)據示例實施方式的保(bao)護膜(mo)的保(bao)護膜(mo)隔(ge)膜(mo)中包(bao)括(kuo)的多孔(kong)薄膜(mo)的多個納米線(xian)的密(mi)度和該(gai)多孔(kong)薄膜(mo)的厚(hou)度的極紫外(EUV)透(tou)射率的評估(gu)結果的曲線(xian)；
圖19是示(shi)(shi)出根據示(shi)(shi)例實施方式的(de)(de)保護膜的(de)(de)包括(kuo)多個(ge)納米線的(de)(de)保護膜隔膜的(de)(de)帶外(OoB)反(fan)射率(lv)與比較示(shi)(shi)例的(de)(de)OoB反(fan)射率(lv)之間的(de)(de)比較結果的(de)(de)曲線；
圖(tu)20是(shi)包括通過使用根據(ju)示例(li)實施(shi)方式的IC器(qi)件(jian)制造(zao)裝置制造(zao)的IC器(qi)件(jian)的存儲卡的方框圖(tu)；以及
圖21是包括(kuo)存(cun)儲卡的存(cun)儲系統的方框圖，該(gai)存(cun)儲卡包括(kuo)通(tong)過(guo)根據示例實施方式的制造(zao)IC器件的方法制造(zao)的IC器件。
具體實施方式
現(xian)在(zai)將(jiang)參照附(fu)圖(tu)(tu)(tu)更全面地描述本發(fa)明構(gou)思(si)的(de)(de)示(shi)(shi)(shi)例(li)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)，附(fu)圖(tu)(tu)(tu)中(zhong)示(shi)(shi)(shi)出本發(fa)明構(gou)思(si)的(de)(de)一些(xie)(xie)示(shi)(shi)(shi)例(li)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)。然(ran)而，示(shi)(shi)(shi)例(li)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)可以以許多不同(tong)(tong)的(de)(de)形式(shi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)，而不應被(bei)解釋為(wei)限(xian)于(yu)這里闡述的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)。而是，提供這些(xie)(xie)示(shi)(shi)(shi)例(li)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)使得本公開將(jiang)全面和(he)完(wan)整，并(bing)將(jiang)本發(fa)明構(gou)思(si)的(de)(de)示(shi)(shi)(shi)例(li)實(shi)(shi)施(shi)(shi)方(fang)(fang)式(shi)的(de)(de)范圍充分傳達給本領域(yu)普通(tong)技術人(ren)員。在(zai)附(fu)圖(tu)(tu)(tu)中(zhong)，為(wei)了清(qing)晰，層和(he)區域(yu)的(de)(de)厚度被(bei)夸大(da)。附(fu)圖(tu)(tu)(tu)中(zhong)的(de)(de)相(xiang)同(tong)(tong)的(de)(de)附(fu)圖(tu)(tu)(tu)標記表(biao)示(shi)(shi)(shi)相(xiang)同(tong)(tong)的(de)(de)元件，因此將(jiang)省略(lve)其描述。
將理(li)解，雖然術(shu)語“第一”、“第二”等可以在這(zhe)(zhe)里用于描述各種(zhong)元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)和/或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分，但(dan)是這(zhe)(zhe)些(xie)元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)和/或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分不應受這(zhe)(zhe)些(xie)術(shu)語限制。這(zhe)(zhe)些(xie)術(shu)語僅用于將一個(ge)元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分與另一元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分區(qu)(qu)別開。因此，如(ru)以下討論的(de)第一元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分可以被稱為第二元(yuan)(yuan)件(jian)、部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)件(jian)、區(qu)(qu)域(yu)(yu)、層(ceng)(ceng)和/或部(bu)(bu)(bu)(bu)(bu)分，而沒(mei)有脫離示例(li)實施方式的(de)教導(dao)。
將理解，當(dang)一(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)被稱為“連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)”或(huo)“聯接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)”到另(ling)(ling)一(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)時，它可以直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)或(huo)聯接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)到另(ling)(ling)一(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)，或(huo)者(zhe)可以存在(zai)居間(jian)(jian)元件(jian)(jian)(jian)。相(xiang)反，當(dang)一(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)被稱為“直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)連(lian)(lian)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)”或(huo)“直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)聯接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)”到另(ling)(ling)一(yi)(yi)元件(jian)(jian)(jian)時，不存在(zai)居間(jian)(jian)元件(jian)(jian)(jian)。用于描(miao)述元件(jian)(jian)(jian)或(huo)層之間(jian)(jian)的關系的其它詞語(yu)應(ying)當(dang)以類似的方式(shi)解釋(例如，“在(zai)……之間(jian)(jian)”與“直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)在(zai)……之間(jian)(jian)”，“相(xiang)鄰”與“直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)相(xiang)鄰”，“在(zai)……上”與“直(zhi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)在(zai)……上”)。當(dang)在(zai)這里使(shi)用時，術語(yu)“和/或(huo)”包括(kuo)一(yi)(yi)個或(huo)更多相(xiang)關列舉項目(mu)的任意和所有組合。
為(wei)了便于描(miao)述(shu)(shu)(shu)，這里可以使(shi)用空間關(guan)(guan)系(xi)(xi)術語諸如(ru)“在(zai)(zai)……之(zhi)下(xia)(xia)(xia)”、“在(zai)(zai)……下(xia)(xia)(xia)面(mian)”、“下(xia)(xia)(xia)”、“在(zai)(zai)……之(zhi)上(shang)(shang)”、“上(shang)(shang)”等來(lai)描(miao)述(shu)(shu)(shu)如(ru)附(fu)圖中(zhong)所(suo)示的(de)一個(ge)元件(jian)或特(te)征與另(ling)一個(ge)(些)元件(jian)或特(te)征的(de)關(guan)(guan)系(xi)(xi)。將(jiang)理解，除(chu)了附(fu)圖所(suo)描(miao)繪的(de)取向之(zhi)外，空間關(guan)(guan)系(xi)(xi)術語旨在(zai)(zai)涵(han)(han)蓋裝置在(zai)(zai)使(shi)用或操作中(zhong)的(de)不同(tong)取向。例如(ru)，如(ru)果(guo)附(fu)圖中(zhong)的(de)裝置被(bei)(bei)翻轉，被(bei)(bei)描(miao)述(shu)(shu)(shu)為(wei)“在(zai)(zai)”其(qi)它(ta)元件(jian)或特(te)征“下(xia)(xia)(xia)”或“下(xia)(xia)(xia)面(mian)”的(de)元件(jian)可以取向為(wei)“在(zai)(zai)”所(suo)述(shu)(shu)(shu)其(qi)它(ta)元件(jian)或特(te)征“上(shang)(shang)”。因此，術語“在(zai)(zai)……下(xia)(xia)(xia)面(mian)”可以涵(han)(han)蓋之(zhi)上(shang)(shang)和之(zhi)下(xia)(xia)(xia)兩種取向。裝置可以另(ling)外地取向(旋轉90度(du)或處(chu)于其(qi)它(ta)取向)，這里使(shi)用的(de)空間關(guan)(guan)系(xi)(xi)描(miao)述(shu)(shu)(shu)語被(bei)(bei)相(xiang)應(ying)地解釋(shi)。
這(zhe)里使用的(de)(de)(de)術(shu)(shu)(shu)語(yu)僅是(shi)為(wei)了描述特定(ding)(ding)(ding)實(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)，而不意欲(yu)限制示例實(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)。當(dang)在(zai)(zai)這(zhe)里使用時(shi)，單數形式(shi)(shi)“一(yi)”、“一(yi)個”和“該”旨在(zai)(zai)也包括復數形式(shi)(shi)，除(chu)非(fei)上下(xia)文另外清楚地表示。還將理解(jie)，如(ru)(ru)果在(zai)(zai)這(zhe)里使用，術(shu)(shu)(shu)語(yu)“包括”、“包括……的(de)(de)(de)”、“包含(han)”和/或(huo)(huo)“包含(han)……的(de)(de)(de)”指定(ding)(ding)(ding)所(suo)述特征(zheng)、整(zheng)體、步驟、操作(zuo)、元件和/或(huo)(huo)部件的(de)(de)(de)存在(zai)(zai)，但是(shi)不排除(chu)一(yi)個或(huo)(huo)更(geng)多其它(ta)特征(zheng)、整(zheng)體、步驟、操作(zuo)、元件、部件和/或(huo)(huo)其組的(de)(de)(de)存在(zai)(zai)或(huo)(huo)添(tian)加。表述諸如(ru)(ru)“……中的(de)(de)(de)至少一(yi)個”，當(dang)在(zai)(zai)一(yi)列(lie)元件之(zhi)后時(shi)，修(xiu)飾整(zheng)列(lie)元件而不修(xiu)飾該列(lie)中的(de)(de)(de)單個元件。除(chu)非(fei)另外地限定(ding)(ding)(ding)，這(zhe)里使用的(de)(de)(de)所(suo)有(you)術(shu)(shu)(shu)語(yu)(包括技術(shu)(shu)(shu)術(shu)(shu)(shu)語(yu)和科學術(shu)(shu)(shu)語(yu))都具有(you)與(yu)示例實(shi)施(shi)方(fang)式(shi)(shi)所(suo)屬(shu)的(de)(de)(de)領域(yu)中的(de)(de)(de)普通(tong)技術(shu)(shu)(shu)人員通(tong)常理解(jie)的(de)(de)(de)相同含(han)義(yi)。還將理解(jie)的(de)(de)(de)，術(shu)(shu)(shu)語(yu)，諸如(ru)(ru)在(zai)(zai)通(tong)常使用的(de)(de)(de)字(zi)典中定(ding)(ding)(ding)義(yi)的(de)(de)(de)那(nei)些術(shu)(shu)(shu)語(yu)，應當(dang)被(bei)解(jie)釋為(wei)具有(you)與(yu)它(ta)們在(zai)(zai)相關領域(yu)的(de)(de)(de)背景中和本說明書中的(de)(de)(de)含(han)義(yi)一(yi)致的(de)(de)(de)含(han)義(yi)，而不應被(bei)解(jie)釋為(wei)理想化或(huo)(huo)過度正式(shi)(shi)的(de)(de)(de)意義(yi)，除(chu)非(fei)這(zhe)里明確(que)地如(ru)(ru)此限定(ding)(ding)(ding)。
當(dang)一(yi)些示例實施(shi)方式可(ke)以(yi)(yi)(yi)被(bei)另外地實施(shi)時，這里描(miao)(miao)述的(de)(de)(de)各工藝步(bu)驟(zou)可(ke)以(yi)(yi)(yi)以(yi)(yi)(yi)另外的(de)(de)(de)方式執(zhi)行。也就是，例如，以(yi)(yi)(yi)連續的(de)(de)(de)順序(xu)描(miao)(miao)述的(de)(de)(de)兩個工藝步(bu)驟(zou)可(ke)以(yi)(yi)(yi)大致被(bei)同時執(zhi)行或以(yi)(yi)(yi)相(xiang)反(fan)的(de)(de)(de)順序(xu)執(zhi)行。
由(you)于例(li)如(ru)制造技術(shu)和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)公(gong)差(cha)引起的(de)(de)(de)(de)(de)圖(tu)示形(xing)(xing)(xing)狀的(de)(de)(de)(de)(de)偏離(li)是(shi)(shi)可預期(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)。因此，本發明構(gou)(gou)思(si)的(de)(de)(de)(de)(de)示例(li)實施方(fang)式不應(ying)被解(jie)釋為(wei)(wei)限于本申請中示出的(de)(de)(de)(de)(de)區域的(de)(de)(de)(de)(de)具體形(xing)(xing)(xing)狀。而是(shi)(shi)，本發明構(gou)(gou)思(si)的(de)(de)(de)(de)(de)示例(li)實施方(fang)式將包括由(you)例(li)如(ru)制造引起的(de)(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)狀偏差(cha)。當(dang)在這(zhe)里使(shi)用(yong)時，術(shu)語(yu)“和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)”包括一(yi)個或(huo)(huo)(huo)更多相關列舉項目的(de)(de)(de)(de)(de)任意(yi)和(he)(he)所(suo)有組合。例(li)如(ru)，當(dang)術(shu)語(yu)“基板”在這(zhe)里使(shi)用(yong)時，它應(ying)當(dang)被理(li)解(jie)為(wei)(wei)基板自身(shen)或(huo)(huo)(huo)者(zhe)基板和(he)(he)包括形(xing)(xing)(xing)成在基板上的(de)(de)(de)(de)(de)預定(和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)選擇的(de)(de)(de)(de)(de)(或(huo)(huo)(huo)期(qi)望的(de)(de)(de)(de)(de)))層或(huo)(huo)(huo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)堆疊結(jie)構(gou)(gou)兩者(zhe)。此外，當(dang)表述(shu)“基板的(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)”在這(zhe)里使(shi)用(yong)時，它應(ying)當(dang)被理(li)解(jie)為(wei)(wei)基板自身(shen)的(de)(de)(de)(de)(de)暴露表面(mian)、形(xing)(xing)(xing)成在基板上的(de)(de)(de)(de)(de)預定(和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)選擇的(de)(de)(de)(de)(de)(或(huo)(huo)(huo)者(zhe)期(qi)望的(de)(de)(de)(de)(de)))層和(he)(he)/或(huo)(huo)(huo)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)外表面(mian)。當(dang)術(shu)語(yu)“納米線”在這(zhe)里使(shi)用(yong)時，它應(ying)當(dang)被理(li)解(jie)為(wei)(wei)具有約100nm(納米)或(huo)(huo)(huo)更小的(de)(de)(de)(de)(de)直(zhi)徑以(yi)及幾μm(微米)或(huo)(huo)(huo)更大的(de)(de)(de)(de)(de)長度的(de)(de)(de)(de)(de)納米結(jie)構(gou)(gou)。
為了將(jiang)使(shi)用(yong)極紫外(EUV)光(guang)(guang)或電(dian)子束(shu)(e-beam)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)技(ji)術應用(yong)到大規模(mo)生(sheng)產(chan)，有多個問題需(xu)要被(bei)考慮。一個問題可(ke)以(yi)(yi)是控制在光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)工藝(yi)(yi)期(qi)間產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)異物引(yin)起的(de)(de)(de)損壞。在光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)工藝(yi)(yi)期(qi)間產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)異物會污(wu)染(ran)光(guang)(guang)掩模(mo)，并(bing)且(qie)光(guang)(guang)掩模(mo)的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)會導致曝(pu)光(guang)(guang)工藝(yi)(yi)中的(de)(de)(de)誤(wu)差以(yi)(yi)及光(guang)(guang)掩模(mo)的(de)(de)(de)使(shi)用(yong)壽(shou)命的(de)(de)(de)減(jian)短。具(ju)(ju)體地，例如(ru)，使(shi)用(yong)EUV光(guang)(guang)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)技(ji)術可(ke)以(yi)(yi)表(biao)現(xian)出比使(shi)用(yong)ArF(氟化氬)掃描(miao)器(qi)時高得(de)多的(de)(de)(de)分辨率。然而，由(you)于使(shi)用(yong)EUV光(guang)(guang)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)技(ji)術使(shi)用(yong)具(ju)(ju)有短波長的(de)(de)(de)光(guang)(guang)，所以(yi)(yi)會存在將(jiang)光(guang)(guang)掩模(mo)上的(de)(de)(de)缺(que)陷轉移到將(jiang)被(bei)曝(pu)光(guang)(guang)的(de)(de)(de)晶片上的(de)(de)(de)可(ke)能性。因此，例如(ru)，可(ke)以(yi)(yi)使(shi)用(yong)僅具(ju)(ju)有可(ke)允許的(de)(de)(de)缺(que)陷的(de)(de)(de)EUV光(guang)(guang)掩模(mo)，并(bing)且(qie)光(guang)(guang)掩模(mo)上的(de)(de)(de)顆粒(li)被(bei)管理在可(ke)允許的(de)(de)(de)水平(ping)或更低。
示(shi)例實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)提供一(yi)(yi)種保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)(pellicle)，該保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)可(ke)以(yi)在(zai)(zai)曝光(guang)(guang)工(gong)藝(yi)期間(jian)(jian)保(bao)護(hu)(hu)光(guang)(guang)掩(yan)模免(mian)受外部有(you)(you)缺陷的(de)(de)元件影(ying)響(xiang)，并(bing)限(xian)制(zhi)和/或(huo)防(fang)止(zhi)(zhi)由(you)異物引起的(de)(de)損(sun)壞(huai)。具體(ti)地(di)，至少一(yi)(yi)個(ge)示(shi)例實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)提供一(yi)(yi)種具有(you)(you)保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(pellicle membrane)的(de)(de)保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)，該保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)可(ke)以(yi)確保(bao)結構穩定(ding)性并(bing)具有(you)(you)相對于(yu)(yu)EUV光(guang)(guang)的(de)(de)波(bo)長的(de)(de)高(gao)透射率(lv)。在(zai)(zai)示(shi)例實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)中，保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)可(ke)以(yi)限(xian)制(zhi)和/或(huo)防(fang)止(zhi)(zhi)由(you)于(yu)(yu)曝光(guang)(guang)工(gong)藝(yi)引起的(de)(de)熱損(sun)傷。即(ji)使沒有(you)(you)制(zhi)備用于(yu)(yu)排氣的(de)(de)額外的(de)(de)排氣孔(kong)，保(bao)護(hu)(hu)膜(mo)(mo)也可(ke)以(yi)限(xian)制(zhi)和/或(huo)防(fang)止(zhi)(zhi)污(wu)染(ran)物和/或(huo)外來顆(ke)粒(li)被吸附(fu)并(bing)留在(zai)(zai)光(guang)(guang)掩(yan)模的(de)(de)精細圖案上。污(wu)染(ran)物和/或(huo)外來顆(ke)粒(li)可(ke)能由(you)于(yu)(yu)光(guang)(guang)化(hua)學反(fan)應而在(zai)(zai)光(guang)(guang)掩(yan)模上生長，其中該光(guang)(guang)化(hua)學反(fan)應使用在(zai)(zai)光(guang)(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)期間(jian)(jian)照(zhao)射的(de)(de)紫外(UV)光(guang)(guang)作(zuo)為活化(hua)能，從而引起霾(haze)缺陷到(dao)光(guang)(guang)掩(yan)模的(de)(de)表面。
圖(tu)1是(shi)根據(ju)示例實施方式的保護膜100的截面圖(tu)。
參(can)照圖1，保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)100可以(yi)(yi)包括保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)140和保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)框架(jia)(jia)150。保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)框架(jia)(jia)150可以(yi)(yi)支撐保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)140。保護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)140可以(yi)(yi)包括多(duo)孔薄膜(mo)(mo)120。
保護(hu)膜框架150可(ke)以(yi)通過粘合層160附接(jie)到多孔薄膜120。保護(hu)膜隔(ge)膜140可(ke)以(yi)被均勻地保持以(yi)在保護(hu)膜框架150上具有自支撐(free-standing)結構。
多孔薄膜120可以具(ju)有(you)約50nm(納米(mi))至約4μm(微米(mi))的厚度D。
傳統地，使(shi)用(yong)極(ji)紫(zi)外(wai)(EUV)光的(de)(de)(de)光刻工藝可(ke)以通過使(shi)用(yong)具(ju)(ju)有足夠薄的(de)(de)(de)厚度的(de)(de)(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)來(lai)透射EUV光而(er)進行。保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)可(ke)以具(ju)(ju)有約(yue)幾(ji)nm至約(yue)20nm的(de)(de)(de)小厚度。然(ran)而(er)，在(zai)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)包括薄的(de)(de)(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)情況下(xia)，會(hui)難以在(zai)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)上穩定(ding)(ding)地固定(ding)(ding)具(ju)(ju)有自支撐結構(gou)的(de)(de)(de)保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)。因(yin)此(ci)，為了改善保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)結構(gou)不穩定(ding)(ding)性，可(ke)以使(shi)用(yong)額外(wai)的(de)(de)(de)支撐結構(gou)，諸如網狀結構(gou)和/或格柵(grid)。然(ran)而(er)，可(ke)形成保(bao)(bao)護(hu)(hu)(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)支撐結構(gou)的(de)(de)(de)網狀結構(gou)和/或格柵會(hui)在(zai)曝光工藝期間(jian)導致圖像誤差。
相(xiang)反地，根據示例實(shi)施方(fang)式的保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)(mo)140中包括的多(duo)孔(kong)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)120可以(yi)具(ju)有約50nm至約4μm的相(xiang)對(dui)大的厚度(du)D(與常(chang)規(gui)保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)(mo)相(xiang)比)。由于多(duo)孔(kong)薄膜(mo)(mo)(mo)(mo)120具(ju)有相(xiang)對(dui)大的厚度(du)D，所以(yi)保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)(mo)140可以(yi)向保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)100提供機械穩定(ding)(ding)性和結構(gou)穩定(ding)(ding)性。因此，可以(yi)不需要用于在(zai)保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)框架150上穩定(ding)(ding)地支(zhi)(zhi)撐(cheng)保(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)(mo)(mo)140的額外支(zhi)(zhi)撐(cheng)結構(gou)。
根據至少一些示例實施方式，多孔薄膜120可(ke)以(yi)包括可(ke)彼此交叉(cha)布置以(yi)形(xing)成網(wang)狀(zhuang)結構的(de)多個(ge)納米線。
圖2A至2D是根據示(shi)例實施(shi)方式(shi)的(de)具有各種(zhong)結(jie)構的(de)多(duo)孔薄(bo)膜(mo)120A、120B、120C和(he)120D的(de)示(shi)意性(xing)平(ping)面圖，多(duo)孔薄(bo)膜(mo)120A、120B、120C和(he)120D的(de)每個可以被(bei)包括在圖1中示(shi)出的(de)保(bao)護膜(mo)100中。
圖(tu)2A至(zhi)2D示(shi)出(chu)具有特(te)定形(xing)(xing)狀的(de)(de)多(duo)(duo)(duo)孔(kong)薄(bo)膜120A、120B、120C和120D以(yi)及多(duo)(duo)(duo)孔(kong)薄(bo)膜120的(de)(de)各種平(ping)面構造(zao)。然而，根(gen)據本發明(ming)構思(si)，圖(tu)1中示(shi)出(chu)的(de)(de)多(duo)(duo)(duo)孔(kong)薄(bo)膜120的(de)(de)構造(zao)不限于(yu)圖(tu)2A至(zhi)2D中示(shi)出(chu)的(de)(de)示(shi)例。替代地，多(duo)(duo)(duo)孔(kong)薄(bo)膜120的(de)(de)形(xing)(xing)狀和平(ping)面形(xing)(xing)狀可以(yi)在本發明(ming)構思(si)的(de)(de)范圍內(nei)被(bei)不同地改變(bian)。
參照圖2A至2D，多(duo)個孔(kong)(kong)(kong)H1、H2、H3和H4可以(yi)分別形(xing)成在多(duo)孔(kong)(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)120A、120B、120C和120D中。例(li)如，圖2A中示出的孔(kong)(kong)(kong)H1可以(yi)在厚度方(fang)向(即Z方(fang)向)上穿過(guo)多(duo)孔(kong)(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)120A。如圖2A至2D所示的多(duo)孔(kong)(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)120A、120B、120C和120D可以(yi)分別由(you)多(duo)個納米線NW1、NW2、NW3和NW4形(xing)成。
由于(yu)可分別(bie)形(xing)成多孔薄(bo)膜120A、120B、120C和120D的多個(ge)納(na)米線NW1、NW2、NW3和NW4如圖2A至2D所(suo)示彼此交(jiao)叉(cha)地布置以(yi)(yi)形(xing)成網狀結(jie)構，多個(ge)孔H1、H2、H3和H4可以(yi)(yi)分別(bie)通(tong)過由多個(ge)納(na)米線NW1、NW2、NW3和NW4限(xian)定的空間制備。
多(duo)(duo)個孔(kong)(kong)H1、H2、H3和(he)(he)H4可(ke)以(yi)(yi)在厚度方向(xiang)上(shang)分別穿過(guo)多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)120A、120B、120C和(he)(he)120D。多(duo)(duo)個孔(kong)(kong)H1、H2、H3和(he)(he)H4可(ke)以(yi)(yi)每個具有(you)被多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)120A、120B、120C和(he)(he)120D的(de)前側表面暴露(lu)的(de)第一端部以(yi)(yi)及被多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)120A、120B、120C和(he)(he)120D的(de)背側表面暴露(lu)的(de)第二端部。多(duo)(duo)個孔(kong)(kong)H1、H2、H3和(he)(he)H4可(ke)以(yi)(yi)分別在多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)120A、120B、120C和(he)(he)120D的(de)厚度方向(xiang)上(shang)沿線(xian)性路(lu)徑和(he)(he)非線(xian)性路(lu)徑中的(de)至少一個穿過(guo)多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)120A、120B、120C和(he)(he)120D。
在一(yi)些示例實施方(fang)式(shi)中，如圖2A和2C所示，多(duo)個納(na)米線NW1和NW3可以以各(ge)種斜率(lv)緩和地(di)彎曲(qu)并彼此交叉(cha)布置(zhi)以形成(cheng)網狀結構。分別由多(duo)個納(na)米線NW1和NW3提供(gong)的(de)多(duo)個孔(kong)H1和H3可以不規則(ze)(ze)地(di)成(cheng)形和/或不規則(ze)(ze)地(di)布置(zhi)。
在至少(shao)一些示例實施方(fang)式中，如(ru)圖2B和(he)(he)2D所示，多個納米線(xian)(xian)NW2和(he)(he)NW4可以(yi)不規(gui)則地(di)布(bu)置(zhi)成(cheng)彼此(ci)交叉的(de)直線(xian)(xian)(諸(zhu)如(ru)針(zhen))以(yi)形(xing)成(cheng)網狀結構。分別由多個納米線(xian)(xian)NW2和(he)(he)NW4提供的(de)多個孔H2和(he)(he)H4可以(yi)不規(gui)則地(di)成(cheng)形(xing)和(he)(he)/或不規(gui)則地(di)布(bu)置(zhi)。
在至(zhi)少一(yi)些示例(li)(li)實(shi)施方式中，如圖2C和(he)(he)(he)(he)2D所示，多(duo)個(ge)孔(kong)H3和(he)(he)(he)(he)H4中的(de)(de)至(zhi)少一(yi)些可(ke)(ke)以(yi)(yi)分別布(bu)置為(wei)形成多(duo)個(ge)規(gui)則(ze)布(bu)置的(de)(de)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)，例(li)(li)如空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)SP1和(he)(he)(he)(he)SP2。多(duo)個(ge)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)SP1和(he)(he)(he)(he)SP2可(ke)(ke)以(yi)(yi)分別具有約0.01μm(微米)至(zhi)約0.1μm的(de)(de)寬(kuan)度(du)W1和(he)(he)(he)(he)W2，并(bing)以(yi)(yi)規(gui)則(ze)間(jian)(jian)距布(bu)置。然而，圖2C和(he)(he)(he)(he)2D中示出的(de)(de)多(duo)個(ge)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)SP1和(he)(he)(he)(he)SP2可(ke)(ke)以(yi)(yi)是非限制的(de)(de)示例(li)(li)，多(duo)個(ge)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)SP1和(he)(he)(he)(he)SP2的(de)(de)尺寸以(yi)(yi)及多(duo)個(ge)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)SP1和(he)(he)(he)(he)SP2之間(jian)(jian)的(de)(de)距離可(ke)(ke)以(yi)(yi)被不同(tong)地改變。
在至少一些示例實施方式中，分別構成多孔薄膜120A、120B、120C和120D的多個納米線NW1、NW2、NW3和NW4可以以約0.01g/cm3至約2g/cm3的(de)(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度彼此交叉(cha)布置。多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120A、120B、120C和(he)120D中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)每單(dan)位面(mian)積的(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)NW4的(de)(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度可(ke)以分(fen)別在多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120A、120B、120C和(he)120D的(de)(de)(de)(de)(de)(de)整個(ge)(ge)區域上是相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。可(ke)選地(di)，多(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)NW4的(de)(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度可(ke)以分(fen)別在多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120A、120B、120C和(he)120D的(de)(de)(de)(de)(de)(de)各(ge)區域中是不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。在多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120A、120B、120C和(he)120D中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)每單(dan)位面(mian)積的(de)(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)NW4的(de)(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度可(ke)以是體材料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)密(mi)(mi)度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)約20％或更少，該體材料(liao)(liao)為(wei)與(yu)多(duo)個(ge)(ge)納(na)(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)NW4中包括的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)(liao)相(xiang)同(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)(liao)。
在多(duo)(duo)孔(kong)薄膜120A、120B、120C和120D中，多(duo)(duo)個納米(mi)(mi)線NW1、NW2、NW3和NW4可以具有均勻的(de)寬(kuan)度和/或(huo)直(zhi)徑(jing)，或(huo)不同的(de)寬(kuan)度和/或(huo)直(zhi)徑(jing)。在至(zhi)少一些(xie)示(shi)例實(shi)施方式中，多(duo)(duo)個納米(mi)(mi)線NW1、NW2、NW3和NW4可以在多(duo)(duo)個納米(mi)(mi)線的(de)每個的(de)厚度方向上具有在約5nm(納米(mi)(mi))至(zhi)約100nm的(de)范圍內選(xuan)擇的(de)寬(kuan)度和/或(huo)直(zhi)徑(jing)。
在(zai)至(zhi)(zhi)少一(yi)些示(shi)例實(shi)(shi)施(shi)方式(shi)中(zhong)，多(duo)個(ge)(ge)(ge)納(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)(he)(he)(he)NW4中(zhong)的(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)些可(ke)以分(fen)別(bie)彼(bi)此(ci)成一(yi)體并在(zai)多(duo)孔(kong)薄膜120A、120B、120C和(he)(he)(he)(he)120D中(zhong)提供(gong)網(wang)狀結(jie)(jie)構(gou)。在(zai)一(yi)些示(shi)例實(shi)(shi)施(shi)方式(shi)中(zhong)，多(duo)個(ge)(ge)(ge)納(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)(he)(he)(he)NW4中(zhong)的(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)些可(ke)以分(fen)別(bie)在(zai)壓力下附著到彼(bi)此(ci)，并分(fen)別(bie)在(zai)多(duo)孔(kong)薄膜120A、120B、120C和(he)(he)(he)(he)120D中(zhong)提供(gong)網(wang)狀結(jie)(jie)構(gou)。在(zai)至(zhi)(zhi)少一(yi)些其(qi)它(ta)示(shi)例實(shi)(shi)施(shi)方式(shi)中(zhong)，多(duo)個(ge)(ge)(ge)納(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和(he)(he)(he)(he)NW4可(ke)以在(zai)多(duo)個(ge)(ge)(ge)納(na)米線(xian)的(de)每個(ge)(ge)(ge)的(de)縱長方向上處于展開狀態、折疊狀態和(he)(he)(he)(he)/或其(qi)組合，并分(fen)別(bie)為(wei)多(duo)孔(kong)薄膜120A、120B、120C和(he)(he)(he)(he)120D提供(gong)網(wang)狀結(jie)(jie)構(gou)。
根據一些示例實施方式(shi)，多(duo)個納米線(xian)NW1、NW2、NW3和NW4可以具有各種截面形(xing)狀(zhuang)，例如包(bao)括但是不限于圓(yuan)形(xing)截面形(xing)狀(zhuang)、橢圓(yuan)形(xing)截面形(xing)狀(zhuang)或多(duo)邊形(xing)截面形(xing)狀(zhuang)。
圖3A至(zhi)3H是(shi)根據示(shi)例(li)實(shi)施(shi)方式的具有各種形狀的納米線的透視圖，其可以構成圖1的多(duo)(duo)孔薄膜120中包括的多(duo)(duo)個(ge)納米線。
如(ru)圖3A至(zhi)3H所示，圖1的(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)孔(kong)薄膜120中包(bao)括的(de)(de)(de)(de)多(duo)(duo)個納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)可以(yi)(yi)具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)等同于(yu)和/或類似于(yu)從(cong)由(包(bao)括但(dan)是不限(xian)于(yu))具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)圓形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWA、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)方(fang)形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWB、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)六邊(bian)形(xing)(xing)截(jie)面形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWC、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)管形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWD、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)帶形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NEW、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)多(duo)(duo)個孔(kong)隙PO的(de)(de)(de)(de)介孔(kong)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWF、具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)交叉(cha)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWG、以(yi)(yi)及具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)分支結(jie)構(gou)(例如(ru)四腳錐體結(jie)構(gou))的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)NWH組成的(de)(de)(de)(de)組選擇的(de)(de)(de)(de)至(zhi)少一(yi)種(zhong)的(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)。然而，本(ben)發(fa)明構(gou)思的(de)(de)(de)(de)示例實施方(fang)式(shi)不限(xian)于(yu)圖3A至(zhi)3H中示出的(de)(de)(de)(de)示例，多(duo)(duo)孔(kong)薄膜120可以(yi)(yi)包(bao)括具(ju)(ju)有(you)(you)(you)(you)各種(zhong)形(xing)(xing)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)納(na)米(mi)(mi)線(xian)(xian)。
在至(zhi)少(shao)(shao)一些示例(li)實(shi)施方式中，多(duo)孔薄膜(mo)120中包括的(de)(de)(de)多(duo)個納米線可以(yi)具有(you)如(ru)圖3A至(zhi)3H所(suo)示的(de)(de)(de)納米線NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG以(yi)及NWH中的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)(shao)一種的(de)(de)(de)結(jie)構。圖3A至(zhi)3H中示出的(de)(de)(de)納米線可以(yi)在本發明構思的(de)(de)(de)范圍內改變(bian)和變(bian)化(hua)。
在至少一些示例實施方式中，圖1的多孔薄膜120中包括的多個納米線可以包括從由(包括但是不限于)硅(Si)、碳(C)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、釕(Ru)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、硅氮化物(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、釔鋇銅氧化(hua)物(wu)(YBCO)、硅碳化(hua)物(wu)(SiC)和(he)/或其組合組成(cheng)的組選出的材料。
可(ke)形成圖1的(de)(de)多(duo)孔薄膜(mo)120的(de)(de)多(duo)個納(na)米線(xian)(例(li)如圖2A至2D中(zhong)分(fen)別示出(chu)的(de)(de)多(duo)個納(na)米線(xian)NW1、NW2、NW3和NW4)可(ke)以包括單一元素和/或具有包括至少兩種(zhong)不同元素的(de)(de)異質結(jie)構。
圖(tu)4A至4F是可構(gou)(gou)成圖(tu)1的(de)(de)(de)多孔薄膜(mo)120的(de)(de)(de)納米線的(de)(de)(de)結構(gou)(gou)的(de)(de)(de)示例實(shi)施方式的(de)(de)(de)圖(tu)示。具體地，例如，圖(tu)4A至4F示出異質納米線，其包括至少兩種不同的(de)(de)(de)元素。
參(can)照圖(tu)4A，圖(tu)1中(zhong)示出(chu)的(de)多孔薄膜(mo)120可以包(bao)(bao)括含(han)有(you)兩種材料的(de)異質納米線220A。納米線220A可以包(bao)(bao)括其中(zhong)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)222A包(bao)(bao)含(han)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)材料并且(qie)第(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)224A包(bao)(bao)含(han)第(di)(di)(di)(di)二(er)材料的(de)結構。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分(fen)(fen)222A和第(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)224A在納米線220A的(de)縱(zong)長方向上交替地布置。第(di)(di)(di)(di)二(er)材料可以不(bu)同(tong)于第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)材料。
在至(zhi)少一些示(shi)例(li)實施方式(shi)中(zhong)，第(di)一部(bu)分(fen)222A可(ke)以(yi)包(bao)括與納米線220A的(de)第(di)二部(bu)分(fen)224A中(zhong)包(bao)括的(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)不同的(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)。第(di)一部(bu)分(fen)222A和(he)第(di)二部(bu)分(fen)224A的(de)每個可(ke)以(yi)包(bao)括從由(包(bao)括但是不限于)Si、C、Ni、Pt、Au和(he)Ru組成的(de)組選擇的(de)材(cai)(cai)(cai)料(liao)。也就是，例(li)如，第(di)一部(bu)分(fen)222A可(ke)以(yi)包(bao)括硅(Si)，第(di)二部(bu)分(fen)224A可(ke)以(yi)包(bao)括碳(C)。
參照圖4B，圖1中示(shi)出的(de)(de)多孔薄膜120可以(yi)包(bao)括包(bao)含(han)(han)兩種材(cai)料(liao)的(de)(de)異(yi)質納米線220B。納米線220B可以(yi)包(bao)括圓(yuan)形(xing)或橢(tuo)圓(yuan)形(xing)的(de)(de)芯(xin)線222B以(yi)及殼(ke)線224B。圓(yuan)形(xing)或橢(tuo)圓(yuan)形(xing)的(de)(de)芯(xin)線222B包(bao)含(han)(han)第一(yi)材(cai)料(liao)，殼(ke)線224B包(bao)含(han)(han)第二材(cai)料(liao)。殼(ke)線224B圍繞芯(xin)線222B。第二材(cai)料(liao)可以(yi)不同于第一(yi)材(cai)料(liao)。
在至(zhi)少一些(xie)示例(li)實施方式中(zhong)，納米線(xian)220B的(de)圓形或橢(tuo)圓形的(de)芯線(xian)222B和殼線(xian)224B的(de)每個可(ke)以包括(kuo)從由(包括(kuo)但是不限于)Si、C、Ni、Pt、Au以及Ru組成(cheng)的(de)組選出的(de)材料。也就是，例(li)如，圓形或橢(tuo)圓形的(de)芯線(xian)222B可(ke)以包含硅(Si)，殼線(xian)224B可(ke)以包含碳(C)。
參照(zhao)圖4C，圖1中(zhong)示出(chu)的多孔薄膜(mo)120可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)含有(you)兩(liang)種材(cai)(cai)料的異(yi)質納米線(xian)220C。納米線(xian)220C可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)多邊形芯線(xian)222C以(yi)及殼線(xian)224C。芯線(xian)222C可(ke)(ke)(ke)以(yi)包含第(di)一材(cai)(cai)料；殼線(xian)224C可(ke)(ke)(ke)以(yi)包含第(di)二材(cai)(cai)料。殼線(xian)224C圍繞芯線(xian)222C。第(di)二材(cai)(cai)料可(ke)(ke)(ke)以(yi)不同于第(di)一材(cai)(cai)料。
在至少一(yi)些(xie)示例(li)實施(shi)方式中，納米線(xian)(xian)220C的芯(xin)線(xian)(xian)222C和殼線(xian)(xian)224C的每個可(ke)以包括從由(you)(包括但是(shi)不限于)Si、C、Ni、Pt、Au以及Ru組成的組選出的材(cai)料。也就是(shi)，例(li)如，芯(xin)線(xian)(xian)222C可(ke)以包括用n型(xing)摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)摻(chan)(chan)雜(za)(za)的氮化(hua)鎵(GaN)，殼線(xian)(xian)224C可(ke)以包括用p型(xing)摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)摻(chan)(chan)雜(za)(za)的氮化(hua)鎵(GaN)。這里，n型(xing)摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)可(ke)以是(shi)磷(P)和/或砷(As)，而p型(xing)摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)可(ke)以是(shi)硼(B)。
圖(tu)4D、4E和(he)4F分別示出具(ju)有三(san)重芯-殼結(jie)構(gou)的納米線220D、220E和(he)220F。
參(can)照(zhao)圖4D至4F，納米(mi)線(xian)(xian)220D、220E和(he)220F可以分(fen)別(bie)包括p型(xing)芯線(xian)(xian)222D、222E和(he)222F。納米(mi)線(xian)(xian)220D、220E和(he)220F還可以包括配置(zhi)為分(fen)別(bie)圍(wei)繞(rao)p型(xing)芯線(xian)(xian)222D、222E和(he)222F的本征殼線(xian)(xian)224D、224E和(he)224F。納米(mi)線(xian)(xian)220D、220E和(he)220F還可以包括配置(zhi)為分(fen)別(bie)圍(wei)繞(rao)本征殼線(xian)(xian)224D、224E和(he)224F的n型(xing)殼線(xian)(xian)226D、226E和(he)226F。
參照圖4D，納米線220D可(ke)以包括六邊形(xing)的p型芯線222D、六邊形(xing)的本征(zheng)殼線224D以及六邊形(xing)的n型殼線226D。
參(can)照圖(tu)4E，納米線(xian)220E可以(yi)(yi)包括圓形(xing)(xing)(xing)或橢圓形(xing)(xing)(xing)的(de)p型芯線(xian)222E、六(liu)邊(bian)形(xing)(xing)(xing)的(de)本征殼線(xian)224E以(yi)(yi)及六(liu)邊(bian)形(xing)(xing)(xing)的(de)n型殼線(xian)226E。
參(can)照圖4F，納米(mi)線(xian)(xian)220F可以包(bao)括(kuo)圓(yuan)形或橢圓(yuan)形的p型(xing)芯線(xian)(xian)222F、六邊形的本(ben)征殼(ke)線(xian)(xian)224F以及四邊形的n型(xing)殼(ke)線(xian)(xian)226F。
在至少一些示例實施方式中，納(na)米線220D、220E和220F可以由硅(gui)(Si)形成(cheng)。
圖(tu)3A至(zhi)3H中(zhong)(zhong)示出(chu)(chu)的納(na)米(mi)線(xian)NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG和(he)NWH、圖(tu)4A至(zhi)4F中(zhong)(zhong)示出(chu)(chu)的納(na)米(mi)線(xian)220A、220B、220C、220D和(he)220F、以及(ji)具有與其類似的結(jie)構(gou)的納(na)米(mi)線(xian)可以通過(guo)使用如在本申請中(zhong)(zhong)討(tao)論的各種方法合成。
在至少一些示(shi)例(li)實施(shi)方(fang)式中(zhong)，所述(shu)多個納米線(xian)可以(yi)通過使(shi)用(yong)(包(bao)括但是不限于(yu))氣體(ti)顆(ke)粒生長(chang)方(fang)法(fa)(fa)(fa)、液體(ti)生長(chang)方(fang)法(fa)(fa)(fa)、固體(ti)顆(ke)粒制造方(fang)法(fa)(fa)(fa)、氣-液-固(VLS)生長(chang)方(fang)法(fa)(fa)(fa)或氧化(hua)物輔(fu)助(zhu)生長(chang)(OAG)方(fang)法(fa)(fa)(fa)來合成。
在至少一些示例實施方式中，為了(le)合成單元素納(na)米(mi)線，用(yong)于一維(wei)(wei)(1D)生長(chang)的化學反應可(ke)以通過(guo)使(shi)用(yong)1D板(ban)諸如多孔(kong)膜或(huo)納(na)米(mi)纖(xian)維(wei)(wei)引起。1D生長(chang)可(ke)以通過(guo)使(shi)用(yong)金屬催化劑、激光和/或(huo)其組合被(bei)引起。1D生長(chang)可(ke)以通過(guo)使(shi)用(yong)氣(qi)液固(gu)(VLS)生長(chang)方法(fa)、溶液-液-固(gu)(SLS)生長(chang)方法(fa)和/或(huo)氣(qi)-固(gu)(VL)生長(chang)方法(fa)引起。
在(zai)制(zhi)造二維(wei)(2D)硅納(na)米線(xian)的示例(li)中，光致抗蝕劑(ji)材料可(ke)以通過(guo)使用電子束光刻裝置在(zai)納(na)米尺度的水(shui)平上(shang)被圖案(an)化，并(bing)且(qie)硅材料可(ke)以通過(guo)使用圖案(an)化的光致抗蝕劑(ji)作為掩模在(zai)納(na)米尺度的水(shui)平上(shang)被蝕刻。
在形成多個納米線的方法的至少另一示例實施方式中，可以進行VLS生長方法。例如，可以形成納米尺度的金屬催化劑，并且2D硅納米線可以通過在保持約900℃至約1000℃的相對高的溫度的同時注入反應氣體(例如SiH4(硅(gui)烷(wan))氣體)而生長。
在形成(cheng)圖3F中(zhong)示出(chu)的(de)介孔納米線NWF的(de)方法的(de)示例中(zhong)，可(ke)以使用在HF(氟化(hua)氫)水溶液或(huo)有機溶液中(zhong)電化(hua)學(xue)地蝕刻(ke)硅基板的(de)工藝。
在形成介孔納米線NWF的方法的另一示例實施方式中，可以使用在HNO3/HF(硝酸/氟化氫(qing))溶液(ye)中蝕(shi)刻硅基板的工藝。
在形成介孔納米線NWF的方法的另一示例實施方式中，例如銀(Ag)顆粒可以通過使用AgNO3(硝酸銀)和氫氟(HF)酸的混合物在硅基板的表面上形成為蝕刻催化劑，并且銀顆粒形成在其上的硅基板可以通過使用包括HF/H2O2/H2O(分別(bie)為氟化氫/過氧化氫/水)的溶液(ye)混合物蝕刻。
為了制造如(ru)圖4A至(zhi)(zhi)4F所示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)包(bao)含至(zhi)(zhi)少兩(liang)種元素的(de)(de)(de)(de)(de)(de)異質納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)，可(ke)以使用在金屬催(cui)化(hua)劑(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)顆粒上(shang)生長(chang)(chang)晶體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)VLS生長(chang)(chang)方(fang)(fang)法。例(li)(li)如(ru)，異質納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)可(ke)以通過(guo)在生長(chang)(chang)納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工藝(yi)期間改(gai)(gai)變前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)(ti)材料(liao)(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)種類而(er)被合成。在此(ci)情形下，例(li)(li)如(ru)，當新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)(gai)變后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)(ti)材料(liao)(liao)通過(guo)正生長(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)和催(cui)化(hua)劑(ji)之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面(mian)生長(chang)(chang)并且沒有被吸附(fu)在納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)上(shang)時(shi)，新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)(gai)變后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)(ti)材料(liao)(liao)可(ke)以在納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)軸向(xiang)(xiang)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)上(shang)生長(chang)(chang)。因此(ci)，可(ke)以獲得(de)具(ju)有與(yu)如(ru)圖4A所示(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)220A類似(si)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)軸向(xiang)(xiang)異質納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)。在至(zhi)(zhi)少另(ling)一(yi)示(shi)例(li)(li)實施方(fang)(fang)式中(zhong)，當新的(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)(gai)變后的(de)(de)(de)(de)(de)(de)前(qian)(qian)驅(qu)(qu)體(ti)(ti)材料(liao)(liao)容(rong)易吸附(fu)在正生長(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)上(shang)時(shi)，可(ke)以獲得(de)圖4B至(zhi)(zhi)4F中(zhong)示(shi)出的(de)(de)(de)(de)(de)(de)納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)220B、220C、220D、220E和220F、或具(ju)有類似(si)結(jie)構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)環(huan)繞異質納(na)(na)米(mi)線(xian)(xian)(xian)。
在制造具(ju)有芯-殼結構的(de)(de)納(na)米線的(de)(de)方(fang)法的(de)(de)至少一示例中，可以使用(yong)通過(guo)用(yong)于形(xing)成殼的(de)(de)材料替換形(xing)成芯的(de)(de)納(na)米線的(de)(de)表面的(de)(de)工藝。
在制造包括芯-殼結構的納米線的工藝的至少一示例中，通過在極性溶劑中分散金屬納米線形成的金屬納米線分散溶液以及通過將金屬前驅體溶解在非極性溶劑中形成的金屬前驅體溶液可以被制備，并且金屬納米線分散溶液可以與金屬前驅體溶液混合。極性溶劑可以包括(包括但不限于)水(H2O)、甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H6O)、異丙醇(C3H8O)、二甲基亞砜(C2H6OS)、二氯甲烷(CH2Cl2)以及四氫呋喃(C4H8O)中的至少一種。非極性溶劑可以包括二甲苯(C8H10)、甲苯(C7H8)、苯(C6H6)以及己烷(C6H14)中的至少一種。金屬(shu)納米(mi)線(xian)可以(yi)包括鎳(Ni)，但是不(bu)限(xian)于此。
在至少一些示例實施方式中，包括碳納米管(CNT)-硅納米線的芯-殼結構和/或包括硅納米線-CNT的芯-殼結構可以通過使用激光燒蝕工藝、VLS合成工藝、無電蝕刻工藝、熱化學氣相沉積(CVD)工藝和/或其組合形成。也就是，例如，熱CVD工藝可以在供應氫(H2)氣體和CH4(甲烷(wan))氣體到硅(gui)納米線的同時(shi)在約1100℃的反應溫度(du)進行(xing)約五分鐘(zhong)。此后(hou)，合(he)成的納米復(fu)合(he)物可(ke)以(yi)被熱處理以(yi)去除非晶(jing)碳層(ceng)并改善納米復(fu)合(he)物的結晶(jing)性。
在至少一些示例實施方式中，SiC(碳化硅或金剛砂)納米線可以通過使用CNT(碳納米管)作為基質并使用SiH4(硅烷)和C3H8(丙烷)作為主源氣體而形成。金屬催化劑可以形成在硅基板上，并且其上形成金屬催化劑的硅基板可以通過使用NH3(氨)被表面處理。之后，CNT可以通過在約700℃的溫度供應碳源例如C2H2(乙炔)而生長。此后，獲得的所得結構可以被傳輸到射頻(RF)-感應CVD(化學氣相沉積)系統，氫(H2)氣體可以(yi)供應到RF-感應CVD系統，并且所得結構(gou)可以(yi)在約1000℃的(de)溫度被表面處理(li)約五分鐘，從而可以(yi)生長SiC納米線。
返回參照圖1，形(xing)(xing)(xing)成(cheng)在保護膜框架(jia)150的(de)(de)(de)(de)中心的(de)(de)(de)(de)開(kai)口(kou)150H可以(yi)(yi)具(ju)有(you)約(yue)50mm(毫米)至(zhi)約(yue)150mm的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)150W。也就是(shi)，例如(ru)開(kai)口(kou)150H可以(yi)(yi)具(ju)有(you)約(yue)50mm×50mm的(de)(de)(de)(de)正方(fang)形(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)狀、約(yue)50mm×80mm的(de)(de)(de)(de)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)狀和/或約(yue)110mm×140mm的(de)(de)(de)(de)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)狀；然而，開(kai)口(kou)150H的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)狀不限于上述尺(chi)寸。
多孔(kong)薄膜(mo)120可以(yi)具(ju)(ju)(ju)有足夠大的(de)尺(chi)寸(cun)以(yi)完(wan)全覆(fu)蓋開口150H。也就(jiu)是，例如多孔(kong)薄膜(mo)120可以(yi)具(ju)(ju)(ju)有比開口150H的(de)平面尺(chi)寸(cun)大的(de)平面尺(chi)寸(cun)。例如，多孔(kong)薄膜(mo)120可以(yi)具(ju)(ju)(ju)有約60mm×60mm、約60mm×90mm和/或約120mm×150mm的(de)平面尺(chi)寸(cun)；然而，多孔(kong)薄膜(mo)120的(de)配置不限于上述(shu)尺(chi)寸(cun)。
根(gen)據(ju)本發明構思的(de)(de)(de)示例實施方式，形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成在保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框(kuang)架(jia)150的(de)(de)(de)中心的(de)(de)(de)開口(kou)150H的(de)(de)(de)平(ping)(ping)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)不限于四(si)邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)和(he)/或矩形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)。包(bao)括各(ge)種平(ping)(ping)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)構造的(de)(de)(de)保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框(kuang)架(jia)150可以(yi)根(gen)據(ju)光掩模(mo)基板(ban)的(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)和(he)結構使用。也就是，例如，開口(kou)150H的(de)(de)(de)平(ping)(ping)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)可以(yi)具有各(ge)種形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)構造，諸如(包(bao)括但是不限于)三角形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)、四(si)邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)、六邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)或八邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)。因此，保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框(kuang)架(jia)150還可以(yi)具有與(yu)保護(hu)(hu)膜(mo)(mo)框(kuang)架(jia)150的(de)(de)(de)開口(kou)150H的(de)(de)(de)平(ping)(ping)面(mian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)相對(dui)應的(de)(de)(de)各(ge)種形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)構造(例如三角形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)、四(si)邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)、六邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)和(he)/或八邊(bian)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)狀(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang))。
在(zai)至少一些示例實施方式中，保護膜框(kuang)架150可以包括金(jin)屬和(he)(he)/或聚合(he)物(wu)。例如，保護膜框(kuang)架150可以包括但是不(bu)限(xian)于碳、類金(jin)剛石(shi)碳(DLC)、鋁(lv)、不(bu)銹鋼和(he)(he)/或聚乙烯；然而，本發(fa)明構思不(bu)限(xian)于上述(shu)金(jin)屬和(he)(he)/或聚合(he)物(wu)。
在至少一(yi)些示例(li)實施方(fang)式(shi)中，粘合(he)層160可(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)粘合(he)劑，諸如(包括(kuo)但(dan)是不限于(yu)(yu))丙烯酸樹脂、環氧樹脂和/或(huo)氟(fu)樹脂；然而，本(ben)發(fa)明構思關于(yu)(yu)粘合(he)層可(ke)(ke)包括(kuo)的粘合(he)劑的類(lei)型不限于(yu)(yu)此。
在至(zhi)少一(yi)些示例(li)實施方式中，多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120可以通過使用粘合層160被人工地附(fu)接(jie)到保(bao)護膜框架150。在至(zhi)少一(yi)些其它示例(li)實施方式中，將(jiang)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜120附(fu)接(jie)到保(bao)護膜框架150上的工藝(yi)可以通過使用機器的自(zi)動化(hua)工藝(yi)進(jin)行。
如上所(suo)述，在(zai)保(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)100中，根(gen)據示例實施(shi)方式(shi)，多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)120可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括彼此(ci)交叉布置以(yi)(yi)(yi)(yi)形(xing)成(cheng)網狀結(jie)構(gou)(gou)的(de)多(duo)個納米(mi)(mi)線(xian)。因而(er)，多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)120可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)確保(bao)(bao)對(dui)于(yu)(yu)(yu)(yu)結(jie)構(gou)(gou)穩定性足夠的(de)相(xiang)對(dui)大的(de)厚(hou)度并(bing)提(ti)供相(xiang)對(dui)低的(de)光(guang)(guang)密度。結(jie)果(guo)，具(ju)(ju)有例如在(zai)140nm(納米(mi)(mi))或(huo)(huo)約(yue)140nm(納米(mi)(mi))至(zhi)在(zai)300nm或(huo)(huo)約(yue)300nm的(de)波長的(de)光(guang)(guang)的(de)帶外(wai)(OoB)反射率，除(chu)了具(ju)(ju)有約(yue)6.75nm至(zhi)約(yue)13.5nm的(de)波長的(de)EUV光(guang)(guang)或(huo)(huo)電子(zi)束(shu)的(de)OoB反射率之外(wai)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)被減小(xiao)，并(bing)且(qie)分辨度可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)提(ti)高(gao)。此(ci)外(wai)，由(you)于(yu)(yu)(yu)(yu)保(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)隔(ge)膜(mo)(mo)(mo)140包(bao)括多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)120，其包(bao)括彼此(ci)交叉布置以(yi)(yi)(yi)(yi)形(xing)成(cheng)網狀結(jie)構(gou)(gou)的(de)多(duo)個納米(mi)(mi)線(xian)，所(suo)以(yi)(yi)(yi)(yi)由(you)于(yu)(yu)(yu)(yu)曝(pu)光(guang)(guang)工藝引(yin)起的(de)熱損(sun)壞可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)被限(xian)制和/或(huo)(huo)防止，并(bing)且(qie)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)不必(bi)在(zai)保(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)框架150中形(xing)成(cheng)用于(yu)(yu)(yu)(yu)除(chu)氣的(de)額外(wai)的(de)排氣孔(kong)(kong)。因此(ci)，關于(yu)(yu)(yu)(yu)本發(fa)明構(gou)(gou)思的(de)示例實施(shi)方式(shi)，保(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)100的(de)制造可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)是簡(jian)單且(qie)容易(yi)的(de)，并(bing)且(qie)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)限(xian)制和/或(huo)(huo)防止霾(mai)缺陷在(zai)曝(pu)光(guang)(guang)工藝期間發(fa)生在(zai)光(guang)(guang)掩模的(de)表(biao)面中。
圖(tu)5是根(gen)據示例實施(shi)方(fang)式的保(bao)護膜(mo)300的截面圖(tu)。在圖(tu)5中，相同的附圖(tu)標記用(yong)于表(biao)示與圖(tu)1中相同的元件(jian)，并(bing)且其(qi)詳細描述被省略。
參照圖5，保(bao)護(hu)膜(mo)300可以包(bao)(bao)括多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120和(he)保(bao)護(hu)膜(mo)隔膜(mo)340。保(bao)護(hu)膜(mo)隔膜(mo)340包(bao)(bao)括覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120的(de)(de)(de)至少一側(ce)(ce)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)蓋(gai)層(ceng)(ceng)330。圖5示出其(qi)中蓋(gai)層(ceng)(ceng)330包(bao)(bao)括覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120的(de)(de)(de)兩側(ce)(ce)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第一蓋(gai)層(ceng)(ceng)330A和(he)第二蓋(gai)層(ceng)(ceng)330B的(de)(de)(de)示例實施方式；然(ran)而，本發明構思不限于上(shang)述結構配置(zhi)。在必要時，保(bao)護(hu)膜(mo)300可以僅包(bao)(bao)括覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120的(de)(de)(de)面(mian)(mian)對保(bao)護(hu)膜(mo)框架150的(de)(de)(de)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第一覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)330A和(he)/或僅包(bao)(bao)括覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120的(de)(de)(de)另一表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)第二覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)330B。第二覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)層(ceng)(ceng)330B是(shi)多(duo)孔(kong)薄(bo)膜(mo)120的(de)(de)(de)面(mian)(mian)對保(bao)護(hu)膜(mo)框架150的(de)(de)(de)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)相反(fan)側(ce)(ce)。
蓋層330可以包括與多孔薄膜120中包括的材料不同的材料。在一些示例實施方式中，蓋層330可以包括從由(包括但是不限于)硅碳化物(SiC)、二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(Si3N4)、硅氮氧化物(SiON)、釔氧化物(Y2O3)、釔氮化物(YN)、硼碳化物(B4C)、鋇氮化物(BaN)、鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)及其組(zu)合組(zu)成的組(zu)選出的材料。
保(bao)護膜框架(jia)150可以通過(guo)粘合(he)層160附接到蓋層330。保(bao)護膜隔膜340可以被均(jun)勻地保(bao)持在保(bao)護膜框架(jia)150上以具有自支撐結(jie)構。
圖6是可包(bao)括在根據示例實施方(fang)式的(de)(de)保(bao)(bao)護膜(mo)中的(de)(de)保(bao)(bao)護膜(mo)隔膜(mo)的(de)(de)制(zhi)造方(fang)法的(de)(de)示例的(de)(de)流程圖。
圖7A至7E是通過使用圖6中示出的(de)(de)方法(fa)(fa)形成保(bao)護膜隔膜的(de)(de)方法(fa)(fa)的(de)(de)工(gong)藝(yi)操作(zuo)的(de)(de)截面圖。
參照圖(tu)6和7A，在(zai)(zai)P402，犧(xi)牲層(ceng)504可以(yi)形成在(zai)(zai)基板502上。
當基(ji)(ji)板(ban)(ban)502的材(cai)料在用于去(qu)除犧(xi)牲層(ceng)504的蝕(shi)刻氣氛中相(xiang)對(dui)于犧(xi)牲層(ceng)504具有蝕(shi)刻選(xuan)擇性時(shi)，基(ji)(ji)板(ban)(ban)502的材(cai)料可以沒有任(ren)何特別(bie)限(xian)制(zhi)地使用。也就是，例如基(ji)(ji)板(ban)(ban)502可以包(bao)括硅(gui)基(ji)(ji)板(ban)(ban)；然(ran)而，本發明構思不限(xian)于關于基(ji)(ji)板(ban)(ban)502的上述(shu)特征(zheng)。
犧(xi)牲層504可(ke)以包括(kuo)但是不限于光致抗蝕劑材料、聚合物(wu)、鎳(Ni)箔、銅(Cu)箔和/或鎳/銅(Ni/Cu)箔。
參照圖6和7B，在P404，通過在溶劑510中分散多個納(na)米(mi)線(xian)NW形成的(de)納(na)米(mi)線(xian)分散溶液512可(ke)以被涂覆在犧牲層504上(shang)。
納(na)米(mi)線分散溶液(ye)512可(ke)以例如通過使用(yong)旋涂(tu)工藝被涂(tu)覆在犧牲層(ceng)504上。
在至少一些示例實施方式中，形成納米線分散溶液512的溶劑510可以是去離子水(DIW)、有機溶劑、水溶劑和/或其組合。在至少一些示例實施方式中，溶劑510可以包括DIW和有機溶劑的混合物。在至少一些示例實施方式中，溶劑510可以包括：水；酒精，諸如，包括但不限于，甲醇、乙醇、異丙醇、丙醇、丁醇、和/或萜品醇；氨化物，諸如，包括但不限于，二甲基甲酰胺(C3H7NO)和(he)二甲(jia)(jia)替乙(yi)酰胺(an)；吡(bi)(bi)咯烷(wan)(wan)酮，諸(zhu)(zhu)如，包(bao)括(kuo)但(dan)是(shi)不限(xian)于，N-甲(jia)(jia)基-2-吡(bi)(bi)咯烷(wan)(wan)酮和(he)N-乙(yi)基吡(bi)(bi)咯烷(wan)(wan)酮；羥基酯，諸(zhu)(zhu)如，包(bao)括(kuo)但(dan)是(shi)不限(xian)于，二甲(jia)(jia)基亞砜、γ-丁(ding)內酯、乳(ru)酸(suan)甲(jia)(jia)酯、乳(ru)酸(suan)乙(yi)酯，β-甲(jia)(jia)氧基異(yi)丁(ding)酸(suan)甲(jia)(jia)基、α-羥基異(yi)丁(ding)酸(suan)甲(jia)(jia)基；有機鹵化(hua)物，諸(zhu)(zhu)如，包(bao)括(kuo)但(dan)是(shi)不限(xian)于，二氯乙(yi)烷(wan)(wan)、二氯苯(ben)以(yi)及(ji)三氯乙(yi)烷(wan)(wan)；硝基化(hua)合物，諸(zhu)(zhu)如，包(bao)括(kuo)但(dan)是(shi)不限(xian)于，硝基甲(jia)(jia)烷(wan)(wan)和(he)硝基乙(yi)烷(wan)(wan)；以(yi)及(ji)丁(ding)腈膠(jiao)料，諸(zhu)(zhu)如，包(bao)括(kuo)但(dan)是(shi)不限(xian)于，乙(yi)腈以(yi)及(ji)苯(ben)基氰(qing)；和(he)/或其組合。
多個納(na)米線(xian)NW可以(yi)(yi)具有從由如圖(tu)3A至3H所示的(de)(de)納(na)米線(xian)NWA、NWB、NWC、NWD、NWE、NWF、NWG和(he)NWH、如圖(tu)4A至4F所示的(de)(de)異質納(na)米線(xian)220A、220B、220C、220D、220E和(he)220F、以(yi)(yi)及在本發明構思(si)的(de)(de)示例實施方(fang)式的(de)(de)范圍內改變和(he)變化的(de)(de)各種納(na)米線(xian)組成(cheng)的(de)(de)組選(xuan)出的(de)(de)至少一種結構。
參照圖(tu)6和7C，在(zai)P406，例(li)如溶劑510可以從納米線(xian)分散溶液512去除。
溶劑(ji)510的(de)去(qu)除可以包(bao)括加(jia)熱溶劑(ji)510和(he)/或保(bao)持溶劑(ji)510放置直(zhi)到(dao)溶劑(ji)510揮發(fa)和(he)/或蒸發(fa)。在(zai)(zai)至少一些示例實(shi)施方式(shi)中，用(yong)于去(qu)除溶劑(ji)510的(de)退火工藝可以在(zai)(zai)約(yue)750℃至約(yue)1100℃的(de)溫度進行，但是本(ben)發(fa)明構思(si)不限(xian)于在(zai)(zai)本(ben)段中敘述(shu)的(de)上述(shu)特征。
在至(zhi)少一些示例實施方式中，通過使用在P406的工藝(yi)去除溶劑510的操作可以被省略。
參照圖6和(he)7D，在P408，多(duo)個納(na)米(mi)線(xian)(xian)NW可以被熱(re)處理(T)以形成(cheng)具(ju)有(you)包括多(duo)個納(na)米(mi)線(xian)(xian)NW的網狀(zhuang)結構的多(duo)孔薄膜520A。
在至少(shao)一(yi)些示例實施方式中，多(duo)個(ge)納米線NW的熱處理(T)可以在約750℃至約1100℃的溫度進行(xing)；然而，本發明構思不(bu)限于在本段中敘述(shu)的上述(shu)特征。
當通過使(shi)用(yong)在P406的工藝去除溶劑510的操作被(bei)省略時，溶劑510(參照圖(tu)7B)可以(yi)(yi)在使(shi)用(yong)P408的工藝的熱(re)處理(li)T期間去除。此外(wai)，在多(duo)個納米線(xian)NW(參照圖(tu)7B和7C)當中，彼此相(xiang)鄰的納米線(xian)NW可以(yi)(yi)由于在P408的工藝而在熱(re)處理(li)工藝期間成一體。因此，可以(yi)(yi)形(xing)成多(duo)孔(kong)薄膜(mo)520A，該多(duo)孔(kong)薄膜(mo)520A包括成一體以(yi)(yi)形(xing)成網狀結構的多(duo)個納米線(xian)NW。
形成在犧牲(sheng)層504上(shang)的多孔薄膜520A中包括的多個(ge)納米(mi)線NW可(ke)以(yi)彼此交叉布(bu)置以(yi)形成如圖2A或圖2B所示的網狀結構。
參照圖6和7E，在P410，多孔薄膜(mo)520A可以(yi)通過去除犧牲層504而(er)與基板502分離。
當犧牲層504包括光致抗蝕劑材料或聚合物時，例如犧牲層504可以通過使用能夠選擇性地去除犧牲層504的溶液(諸如，包括但是不限于顯影溶液或有機溶劑)被濕法去除。當犧牲層504包括鎳(Ni)箔、銅(Cu)箔或鎳/銅(Ni/Cu)箔時，犧牲層504可以通過使用蝕刻劑去除。也就是，例如，三氯化鐵(FeCl3)水溶液、過硫酸銨((NH4)2S2O8)水溶液或硝酸鈰銨(H8N8CeO18)水溶液可以被用作蝕刻劑(ji)；然而，本發明構思不限于(yu)在(zai)本段中敘述(shu)的上述(shu)特(te)征(zheng)。
在至少(shao)一些(xie)示例(li)實施方式中，多(duo)孔薄膜520A可以(yi)通(tong)過(guo)去(qu)(qu)除犧牲(sheng)層504而與基板502分(fen)離(li)。此(ci)后，保留(liu)在多(duo)孔薄膜520A中的金屬雜(za)質可以(yi)通(tong)過(guo)使用(yong)蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)劑去(qu)(qu)除并通(tong)過(guo)使用(yong)有機溶劑(例(li)如(ru)丙酮)或去(qu)(qu)離(li)子水(shui)(DIW)被(bei)清洗。在至少(shao)一些(xie)示例(li)實施方式中，用(yong)于(yu)去(qu)(qu)除金屬雜(za)質的蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)劑可以(yi)包括，但是不限(xian)于(yu)，鹽(yan)酸、硝酸、硫酸、乙酸、氫氟酸、王水(shui)和/或其組合，但是蝕(shi)(shi)刻(ke)(ke)劑的種(zhong)類不限(xian)于(yu)此(ci)。
在多孔薄(bo)膜(mo)520A與基板502分離之后(hou)，多孔薄(bo)膜(mo)520A可以通過使用(yong)轉移膜(mo)(未示出(chu))轉移，并可以進(jin)行用(yong)于完成(cheng)根據(ju)示例實施方式的(de)保(bao)護膜(mo)的(de)形成(cheng)的(de)隨后(hou)工藝。
為了制(zhi)造保(bao)護(hu)膜(mo)100，如圖1所示(shi)，保(bao)護(hu)膜(mo)框架(jia)150可(ke)以通過使用(yong)粘合層(ceng)160附接到多(duo)孔薄膜(mo)520A的(de)一個(ge)表(biao)面。
圖8是可包括在根(gen)據示(shi)例實施方(fang)式的保(bao)護膜(mo)中的保(bao)護膜(mo)隔(ge)膜(mo)的形成方(fang)法的另一(yi)示(shi)例的流(liu)程圖。
圖(tu)9A和9B是(shi)通過使用圖(tu)8中示出(chu)的方法(fa)(fa)形成保(bao)護膜隔膜的方法(fa)(fa)的工(gong)藝操作(zuo)的截面(mian)圖(tu)。
現在(zai)將(jiang)參照圖(tu)8、9A和(he)9B描述(shu)(shu)形成保(bao)護膜(mo)隔膜(mo)的方法。在(zai)此情形下(xia)，相(xiang)(xiang)同的附圖(tu)標記用于表示與圖(tu)6和(he)圖(tu)7A至7E相(xiang)(xiang)同的元件，并(bing)且相(xiang)(xiang)同元件的重復描述(shu)(shu)被省略。
參(can)照(zhao)圖(tu)8和9A，可(ke)以(yi)如參(can)照(zhao)圖(tu)6和圖(tu)7A至(zhi)7C的從(cong)P402至(zhi)P406的工(gong)藝(yi)描(miao)述的進(jin)行工(gong)藝(yi)。因此，在從(cong)納米(mi)線(xian)分散溶(rong)液512去除溶(rong)劑510的工(gong)藝(yi)之(zhi)后，在P420的工(gong)藝(yi)中(zhong)，壓(ya)力(li)P可(ke)以(yi)被施(shi)加到(dao)保(bao)留在犧牲(sheng)層504上(shang)的多(duo)(duo)個納米(mi)線(xian)NW，使得多(duo)(duo)個納米(mi)線(xian)NW中(zhong)的相鄰納米(mi)線(xian)可(ke)以(yi)在壓(ya)力(li)下附(fu)接到(dao)彼此。
壓(ya)力(li)P可以在(zai)基板502的厚度方向上施(shi)加。按(an)壓(ya)構件570可以用(yong)于施(shi)加壓(ya)力(li)P到多個納米線(xian)NW。當按(an)壓(ya)構件570能夠傳輸外部(bu)施(shi)加的壓(ya)力(li)P到多個納米線(xian)NW時，按(an)壓(ya)構件570的材料可以在(zai)沒有任何特(te)別限(xian)制的情況下使用(yong)。
由(you)于壓力P施(shi)加(jia)到多個納米線NW，如圖9B所示(shi)，可以形(xing)(xing)成(cheng)多孔薄膜520B，該(gai)多孔薄膜520B包括在(zai)壓力下附接(jie)到彼此而形(xing)(xing)成(cheng)網狀(zhuang)結(jie)構的多個納米線NW。
形(xing)成在(zai)犧牲(sheng)層504上的(de)多孔薄膜520B中包括的(de)多個納米線NW例如可(ke)以彼此(ci)交叉布(bu)置以形(xing)成如圖2A或圖2B所示的(de)網(wang)狀(zhuang)結構。
此后，多孔薄(bo)膜(mo)520B可以(yi)通過使(shi)用(yong)在圖(tu)6的(de)(de)P410的(de)(de)工藝和參照(zhao)圖(tu)7E描述的(de)(de)方法去除犧牲層(ceng)504而與基板502分離。之后，為了制造圖(tu)1中示出的(de)(de)保護(hu)膜(mo)100，保護(hu)膜(mo)框架150可以(yi)通過使(shi)用(yong)粘合層(ceng)160附(fu)接到(dao)多孔薄(bo)膜(mo)520B的(de)(de)一個表面。
圖10是可包括在(zai)根據示(shi)例(li)實(shi)施方(fang)(fang)式的保(bao)護膜(mo)(mo)中的保(bao)護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的制造方(fang)(fang)法的另一示(shi)例(li)的流(liu)程圖。
圖(tu)11是通(tong)過使(shi)用圖(tu)10中示出的(de)(de)方法形成保護膜隔膜的(de)(de)方法的(de)(de)示例的(de)(de)截面圖(tu)。
現(xian)在(zai)將參照圖10和圖11描述形成保(bao)護膜隔膜的(de)方(fang)法。在(zai)此情形下，相同(tong)的(de)附圖標(biao)記用于表示與圖1至(zhi)9B中相同(tong)的(de)元件，并且(qie)省略其(qi)重復描述。
參(can)照圖(tu)(tu)10和(he)(he)11，可(ke)以如以上參(can)照圖(tu)(tu)6和(he)(he)圖(tu)(tu)7A至7C的(de)(de)從P402至P406的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)描(miao)述的(de)(de)進(jin)行工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)。因(yin)此，在進(jin)行從納米線(xian)分(fen)散(san)溶液512去除溶劑(ji)510的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)之后，在P430的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)中，可(ke)以形成包(bao)括多個納米線(xian)NW的(de)(de)多孔薄膜520C。
多孔薄膜520C可以通過使用在圖6的P408的工(gong)藝(yi)或在圖8的P420的工(gong)藝(yi)形成。
此后，在P410的(de)工藝(yi)中，多孔薄膜520C可以(yi)通過去除犧牲層(ceng)504而與基板502分(fen)離。接著，在P432的(de)工藝(yi)中，蓋(gai)層(ceng)330可以(yi)形成在多孔薄膜520C的(de)至少一個表(biao)面上(shang)。
圖11示出(chu)其中蓋(gai)(gai)層330包括覆(fu)蓋(gai)(gai)多孔薄膜520C的(de)兩個表面(mian)的(de)第一蓋(gai)(gai)層330A和(he)第二蓋(gai)(gai)層330B的(de)示例實施方式；然而，本發明(ming)構思不限于圖11中示出(chu)的(de)示例。必要(yao)時(shi)，可以形成第一覆(fu)蓋(gai)(gai)層330A和(he)第二覆(fu)蓋(gai)(gai)層330B中的(de)僅一個。
此(ci)后，圖(tu)5中示出的保護膜300例如可以(yi)通(tong)過(guo)使用覆蓋(gai)有(you)蓋(gai)層330的多(duo)孔薄(bo)膜520C制造。為此(ci)，保護膜框架150可以(yi)通(tong)過(guo)使用粘合層160附(fu)接到蓋(gai)層330上。
圖(tu)(tu)12A至(zhi)(zhi)12E是可包括在(zai)根據示(shi)例實施方式的(de)(de)保(bao)護膜(mo)中(zhong)的(de)(de)保(bao)護膜(mo)隔膜(mo)的(de)(de)形成(cheng)方法的(de)(de)工藝操作的(de)(de)截面圖(tu)(tu)。在(zai)圖(tu)(tu)12A至(zhi)(zhi)12E中(zhong)，相同的(de)(de)附(fu)圖(tu)(tu)標記用于(yu)表示(shi)與圖(tu)(tu)1至(zhi)(zhi)11中(zhong)相同的(de)(de)元件(jian)，并且省(sheng)略其重(zhong)復(fu)描述。
參(can)照圖12A，犧牲引導圖案584可以形(xing)成(cheng)在基板502上。
犧牲(sheng)引(yin)導圖案(an)584可以具(ju)有(you)與(yu)參(can)照(zhao)圖7A描(miao)述的犧牲(sheng)層504基本(ben)上類似的構造(zao)，除了犧牲(sheng)引(yin)導圖案(an)584包(bao)括向(xiang)上突(tu)出并(bing)規則地布置(zhi)的多(duo)個引(yin)導柱586之外。多(duo)個引(yin)導柱586可以布置(zhi)為對應于參(can)照(zhao)圖2C和2D描(miao)述的多(duo)個空間SP1和SP2。
參照(zhao)圖(tu)12B，如(ru)參照(zhao)圖(tu)7B所述的(de)，通(tong)過例如(ru)在(zai)溶(rong)劑510中分散多(duo)個納米(mi)線NW形成的(de)納米(mi)線分散溶(rong)液(ye)512可以(yi)涂覆在(zai)犧牲引(yin)導圖(tu)案584上。
例如(ru)，旋涂(tu)工藝可以(yi)(yi)用(yong)于在犧牲引(yin)導(dao)圖案584上涂(tu)覆納(na)(na)米(mi)線分散溶(rong)液512。納(na)(na)米(mi)線分散溶(rong)液512可以(yi)(yi)用(yong)納(na)(na)米(mi)線分散溶(rong)液512涂(tu)覆以(yi)(yi)具有比形成在犧牲引(yin)導(dao)圖案584上的(de)多個引(yin)導(dao)柱586的(de)高度低(di)的(de)高度。
參照(zhao)圖12C，溶劑510可以以與參照(zhao)圖7C描述的相同(tong)的方式(shi)從納米線分散(san)溶液512去除。
參(can)照(zhao)圖12D，多個(ge)(ge)納米(mi)線NW可以以與(yu)參(can)照(zhao)圖7B描述(shu)的(de)(de)方(fang)式類(lei)似的(de)(de)方(fang)式被熱處理(li)。可選地，壓(ya)力可以以與(yu)參(can)照(zhao)圖9A描述(shu)的(de)(de)方(fang)式類(lei)似的(de)(de)方(fang)式施加到保留在犧牲引導(dao)圖案584上的(de)(de)多個(ge)(ge)納米(mi)線NW。因此(ci)，可以形成具有(you)包括多個(ge)(ge)納米(mi)線NW的(de)(de)網(wang)狀結構的(de)(de)多孔薄膜(mo)520D。
多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄膜(mo)520D可以具有與圖(tu)2C中(zhong)示出的多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄膜(mo)120C或圖(tu)2D中(zhong)示出的多(duo)(duo)孔(kong)(kong)薄膜(mo)120D類似(si)的構(gou)造。
參照圖(tu)(tu)12E，犧(xi)牲引導(dao)圖(tu)(tu)案584可以通過使用(yong)與(yu)參照圖(tu)(tu)7E描(miao)述的去(qu)除(chu)犧(xi)牲層504的方(fang)法(fa)相同(tong)的方(fang)法(fa)從圖(tu)(tu)12D的所得結(jie)構去(qu)除(chu)，使得多孔薄膜(mo)520D可以與(yu)基板502分(fen)離。
此后，保留在多孔薄膜(mo)520D中的金屬(shu)雜質可以通(tong)過(guo)使用蝕刻(ke)劑(ji)去除并通(tong)過(guo)使用有機溶劑(ji)(例如丙(bing)酮)或去離子水(DIW)漂洗(xi)。
在(zai)多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)520D與基(ji)板502分離之后，多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)520D可以(yi)(yi)通過使用(yong)轉移(yi)膜(mo)(mo)(未(wei)示出(chu))轉移(yi)，并(bing)可以(yi)(yi)進行(xing)用(yong)于完(wan)成根據示例實施方式的保(bao)護膜(mo)(mo)的形成的隨后工藝。在(zai)一(yi)些示例實施方式中(zhong)，類似于圖1和(he)5中(zhong)示出(chu)的保(bao)護膜(mo)(mo)100和(he)300的制造工藝，保(bao)護膜(mo)(mo)框架150可以(yi)(yi)通過使用(yong)粘合(he)層160附接到多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)520D的一(yi)個表面，從而制造包括多(duo)孔(kong)(kong)薄(bo)膜(mo)(mo)520D的保(bao)護膜(mo)(mo)。
圖13是(shi)可與根(gen)據示(shi)例(li)實施(shi)方(fang)式(shi)的(de)保護膜結合的(de)光掩模(mo)PM的(de)示(shi)例(li)的(de)示(shi)意性平面圖。
圖13中示(shi)出的(de)(de)光(guang)(guang)掩(yan)模PM可(ke)以(yi)是配置(zhi)為通過使用曝光(guang)(guang)工藝將(jiang)圖案轉移到晶(jing)片(未(wei)示(shi)出)上(shang)并制造集成(cheng)電路(IC)器(qi)(qi)件(例(li)如半導體器(qi)(qi)件)的(de)(de)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)掩(yan)模。在一些示(shi)例(li)實施(shi)方(fang)式中，光(guang)(guang)掩(yan)模PM可(ke)以(yi)是基于多反(fan)射(she)(she)鏡結構的(de)(de)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)掩(yan)模，其用于使用EUV波(bo)長范圍(例(li)如約13.5nm的(de)(de)曝光(guang)(guang)波(bo)長)的(de)(de)光(guang)(guang)刻工藝。
光掩(yan)模PM的(de)(de)前側表(biao)面FR可(ke)以(yi)(yi)包括例如配置(zhi)為將期(qi)望用(yong)于形(xing)成(cheng)構成(cheng)IC的(de)(de)單元器件的(de)(de)主(zhu)圖(tu)案轉(zhuan)移到晶片的(de)(de)芯(xin)片區(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)(de)主(zhu)圖(tu)案區(qu)域(yu)(yu)(yu)MP。前側表(biao)面FR還可(ke)以(yi)(yi)包括配置(zhi)為將輔(fu)(fu)助圖(tu)案轉(zhuan)移到晶片的(de)(de)劃線(xian)道(dao)區(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)(de)輔(fu)(fu)助圖(tu)案區(qu)域(yu)(yu)(yu)AP以(yi)(yi)及圍繞主(zhu)圖(tu)案區(qu)域(yu)(yu)(yu)MP和輔(fu)(fu)助圖(tu)案區(qu)域(yu)(yu)(yu)AP的(de)(de)黑邊(bian)界區(qu)域(yu)(yu)(yu)BB。
主圖(tu)案(an)元(yuan)件(jian)(jian)P1可(ke)以(yi)形成在主圖(tu)案(an)區域MP中。主圖(tu)案(an)元(yuan)件(jian)(jian)P1可(ke)以(yi)構(gou)成配置為將期(qi)望用于形成IC的(de)圖(tu)案(an)轉移到(dao)晶片的(de)芯片區域的(de)主圖(tu)案(an)。
輔(fu)助(zhu)(zhu)圖(tu)(tu)案(而(er)不是構(gou)成(cheng)期望(wang)IC的(de)圖(tu)(tu)案)可(ke)以形成(cheng)在輔(fu)助(zhu)(zhu)圖(tu)(tu)案區(qu)域AP中。輔(fu)助(zhu)(zhu)圖(tu)(tu)案可(ke)以被期望(wang)用于制造IC的(de)工藝中，但是可(ke)以不保(bao)留在最(zui)終(zhong)的(de)IC中。也就是，例如輔(fu)助(zhu)(zhu)圖(tu)(tu)案可(ke)以包括配置為(wei)將對準標記圖(tu)(tu)案轉移到晶片的(de)劃(hua)線道區(qu)域的(de)輔(fu)助(zhu)(zhu)圖(tu)(tu)案元件P2。
黑邊界區域BB可以是沒有用于將圖(tu)案(an)(an)轉(zhuan)移到晶片上的圖(tu)案(an)(an)元(yuan)件的無圖(tu)案(an)(an)區域。
圖(tu)14是根據示例實施(shi)方式的(de)光掩模組(zu)件600A的(de)截面圖(tu)。
參(can)照圖(tu)14，光掩模組件600A可(ke)以包括光掩模PM和保護膜(mo)100。保護膜(mo)100被固定到(dao)光掩模PM的前表面(mian)FR上的黑(hei)邊(bian)界區域BB。
為(wei)了將(jiang)保護(hu)膜(mo)100固定到(dao)光掩模PM的(de)黑(hei)邊界區域BB，粘合層530可以插(cha)置在保護(hu)膜(mo)100的(de)保護(hu)膜(mo)框架(jia)(jia)150的(de)一表(biao)面與光掩模PM的(de)黑(hei)邊界區域BB之(zhi)間，該保護(hu)膜(mo)框架(jia)(jia)150的(de)表(biao)面與保護(hu)膜(mo)框架(jia)(jia)150的(de)附接有(you)保護(hu)膜(mo)隔膜(mo)140的(de)表(biao)面相反。
保護膜(mo)(mo)框架150可以具有通過(guo)粘(zhan)合層160固(gu)定到(dao)保護膜(mo)(mo)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)140以支撐保護膜(mo)(mo)隔(ge)(ge)膜(mo)(mo)140的一端以及通過(guo)粘(zhan)合層530固(gu)定到(dao)光掩模PM的表面(mian)的另一端。
保護(hu)膜100的(de)詳細描述可(ke)以從參照圖(tu)1提供的(de)描述推知。
在至少(shao)一(yi)些示例實施方式中，粘合層530可以包括但(dan)是不限于硅酮樹(shu)脂、氟(fu)樹(shu)脂、丙烯(xi)酸樹(shu)脂或聚(苯乙烯(xi)-乙烯(xi)-丁(ding)二(er)烯(xi)-苯乙烯(xi))基樹(shu)脂；然而(er)，本發明構(gou)思不限于在本段中敘(xu)述的上(shang)述特征。
圖15是根據另(ling)一(yi)示例實施(shi)方式的光掩模組件600B的截面圖。
參(can)照(zhao)(zhao)圖15，光掩(yan)模組件可(ke)以包括例如光掩(yan)模PM以及(ji)固定到光掩(yan)模PM的(de)(de)前側表面FR上的(de)(de)黑邊界區(qu)域BB的(de)(de)保護膜300。保護膜300的(de)(de)詳(xiang)細描(miao)述(shu)可(ke)以從參(can)照(zhao)(zhao)圖5提供的(de)(de)描(miao)述(shu)推知。
為了將保(bao)(bao)護膜(mo)300固定到(dao)光(guang)掩(yan)模PM的(de)黑邊界(jie)區域BB，粘合(he)層530可以插置在(zai)保(bao)(bao)護膜(mo)框架150的(de)附接保(bao)(bao)護膜(mo)隔膜(mo)340的(de)表面的(de)相反表面與光(guang)掩(yan)模PM的(de)黑邊界(jie)區域BB之間。
圖14和15示出其中圖14和15中示出的光掩模組件600A和600B的每個包括用于如圖13所示的使用約13.5nm的曝光波長的光刻工藝的反射光掩模PM；然而本發明構思不限于此。例如，包括但是不限于，可以采用透射光掩模(例如用于使用KrF(氟化氪)準分子激光(248nm)、ArF(氟化氬)準分子激光(193nm)或氟(F2)準分(fen)子激光(guang)(157nm)的(de)曝(pu)光(guang)工(gong)藝的(de)光(guang)掩模)來(lai)代(dai)替(ti)反射光(guang)掩模PM。
圖(tu)16是根據示(shi)例(li)實施(shi)方式的(de)(de)IC器件(jian)制造(zao)裝置(zhi)800的(de)(de)構(gou)造(zao)的(de)(de)示(shi)意性(xing)截面(mian)圖(tu)。圖(tu)16示(shi)出包括配(pei)置(zhi)為在真空中(zhong)通(tong)過使用EUV光(guang)將形成在光(guang)掩模上的(de)(de)圖(tu)案(an)(或被稱為“標線”)的(de)(de)圖(tu)像縮小并(bing)轉錄到投影光(guang)學(xue)系統中(zhong)的(de)(de)晶片的(de)(de)曝光(guang)裝置(zhi)。
參(can)照圖16，IC器(qi)件(jian)制(zhi)造裝置800可以(yi)包括掩模臺區域800A、投影光學系(xi)統區域800B以(yi)及(ji)晶片臺區域800C。
掩(yan)(yan)模臺區(qu)域800A中(zhong)包括的(de)掩(yan)(yan)模臺810可(ke)以(yi)包括掩(yan)(yan)模臺支撐結構812以(yi)及固定(ding)到掩(yan)(yan)模臺支撐結構812的(de)掩(yan)(yan)模保(bao)(bao)(bao)持系(xi)(xi)統(tong)818。掩(yan)(yan)模保(bao)(bao)(bao)持系(xi)(xi)統(tong)818可(ke)以(yi)用于固定(ding)光(guang)掩(yan)(yan)模PM。在一些示例實施方式(shi)中(zhong)，掩(yan)(yan)模保(bao)(bao)(bao)持系(xi)(xi)統(tong)818可(ke)以(yi)包括靜電吸盤，并且掩(yan)(yan)模保(bao)(bao)(bao)持系(xi)(xi)統(tong)818可(ke)以(yi)由(you)于電磁力而吸附并保(bao)(bao)(bao)持光(guang)掩(yan)(yan)模PM。
保(bao)(bao)護膜820可以被固定到光掩模PM上。保(bao)(bao)護膜820可以包(bao)括參(can)照(zhao)圖(tu)1和5描述(shu)的(de)保(bao)(bao)護膜100和300中的(de)一(yi)個或在本發明構(gou)思(si)的(de)范圍(wei)內變形和變化的(de)保(bao)(bao)護膜。
掩(yan)模(mo)(mo)臺810可(ke)以(yi)被(bei)掩(yan)模(mo)(mo)臺支撐(cheng)結構812支撐(cheng)，并在(zai)(zai)由(you)箭(jian)頭(tou)A1指示(shi)的(de)掃描方(fang)向上(shang)移動被(bei)固定的(de)光掩(yan)模(mo)(mo)PM。投(tou)影光學系(xi)統840可(ke)以(yi)位于(yu)投(tou)影光學系(xi)統區域(yu)800B中并配置(zhi)為將形成在(zai)(zai)光掩(yan)模(mo)(mo)PM上(shang)的(de)圖案(an)轉移到(dao)晶片(pian)(pian)臺區域(yu)800C中的(de)晶片(pian)(pian)W。晶片(pian)(pian)W可(ke)以(yi)被(bei)固定到(dao)晶片(pian)(pian)臺850上(shang)的(de)晶片(pian)(pian)吸盤(pan)852。晶片(pian)(pian)吸盤(pan)852可(ke)以(yi)在(zai)(zai)由(you)箭(jian)頭(tou)A2指示(shi)的(de)掃描方(fang)向上(shang)移動晶片(pian)(pian)W。
包(bao)括(kuo)掩模臺810的(de)掩模臺區域(yu)800A、包(bao)括(kuo)投影光學(xue)系(xi)統(tong)840的(de)投影光學(xue)系(xi)統(tong)區域(yu)800B以及(ji)包(bao)括(kuo)晶(jing)片臺850的(de)晶(jing)片臺區域(yu)800C可以通過閘閥(gate valve)862A和(he)(he)862B彼(bi)此分(fen)離(li)。真空排氣系(xi)統(tong)864A、864B和(he)(he)864C可以分(fen)別連接到掩模臺區域(yu)800A、投影光學(xue)系(xi)統(tong)區域(yu)800B和(he)(he)晶(jing)片臺區域(yu)800C，并獨立地控(kong)制壓力。
傳(chuan)送(song)(song)手(shou)871可以安裝(zhuang)在(zai)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)臺區(qu)域800C與(yu)加(jia)載(zai)(zai)鎖(suo)定室(loadlock chamber)800D之(zhi)(zhi)間以加(jia)載(zai)(zai)或卸載(zai)(zai)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)W。真空排氣(qi)系統(tong)864D可以連(lian)接到加(jia)載(zai)(zai)鎖(suo)定室800D。晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)W可以在(zai)大氣(qi)壓(ya)力下(xia)被暫時地保(bao)持在(zai)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)加(jia)載(zai)(zai)端口800E中。傳(chuan)送(song)(song)手(shou)872可以安裝(zhuang)在(zai)加(jia)載(zai)(zai)鎖(suo)定室800D與(yu)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)加(jia)載(zai)(zai)端口800E之(zhi)(zhi)間以加(jia)載(zai)(zai)和(he)/或卸載(zai)(zai)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)W。閘閥876A可以插置在(zai)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)臺空間800C與(yu)加(jia)載(zai)(zai)鎖(suo)定室800D之(zhi)(zhi)間。閘閥876B可以插置在(zai)加(jia)載(zai)(zai)鎖(suo)定室800D和(he)晶(jing)片(pian)(pian)(pian)(pian)加(jia)載(zai)(zai)端口800E之(zhi)(zhi)間。
傳(chuan)送(song)手(shou)(shou)873可(ke)(ke)以安裝在掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模臺區(qu)域800A的(de)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模臺810與掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)鎖(suo)(suo)定(ding)室(shi)800F之間(jian)以加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)和/或卸載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)光掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模PM。真(zhen)空排氣系統864E可(ke)(ke)以連接到掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)鎖(suo)(suo)定(ding)室(shi)800F。光掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模PM可(ke)(ke)以在大氣壓力下被暫時地保持在掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)端口800G中。傳(chuan)送(song)手(shou)(shou)874可(ke)(ke)以安裝在掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)鎖(suo)(suo)定(ding)室(shi)800F與掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)端口800G之間(jian)以加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)和/或卸載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)光掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模PM。閘閥886A可(ke)(ke)以被插入在掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模臺區(qu)域800A與掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)鎖(suo)(suo)定(ding)室(shi)800F之間(jian)。閘閥886B可(ke)(ke)以被插入在掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)鎖(suo)(suo)定(ding)室(shi)800F與掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模加(jia)載(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)端口800G之間(jian)。
光(guang)(guang)掩(yan)模(mo)PM可以容納在光(guang)(guang)掩(yan)模(mo)載體880中(zhong)(zhong)并從外(wai)部傳(chuan)輸(shu)到IC器件制造裝置800。此外(wai)，光(guang)(guang)掩(yan)模(mo)PM可以容納在光(guang)(guang)掩(yan)模(mo)載體880中(zhong)(zhong)并傳(chuan)輸(shu)到掩(yan)模(mo)加(jia)載端口800G。因此，可以有效(xiao)地限制和/或防(fang)止(zhi)光(guang)(guang)掩(yan)模(mo)PM與外(wai)部環境的不必要的接(jie)觸以及(ji)被外(wai)部顆粒(li)污染。
光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)載體880可(ke)以(yi)包括內盒(he)(he)(inner pod)882和(he)配置為提供(gong)容納內盒(he)(he)882的(de)(de)空(kong)(kong)間的(de)(de)外盒(he)(he)(outer pod)884。內盒(he)(he)882和(he)外盒(he)(he)884的(de)(de)每個可(ke)以(yi)是(shi)基于標準(zhun)(zhun)(SEMI標準(zhun)(zhun)E152-0709)的(de)(de)標準(zhun)(zhun)機(ji)械接(jie)口(kou)(SMIF)盒(he)(he)。外盒(he)(he)884可(ke)以(yi)被稱為“SMIF光(guang)罩盒(he)(he)”。當(dang)(dang)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM在(zai)不同的(de)(de)制造臺(tai)(tai)之(zhi)間和(he)/或在(zai)不同的(de)(de)位置之(zhi)間傳(chuan)送時(shi)，外盒(he)(he)884可(ke)以(yi)用(yong)于保護(hu)(hu)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM。內盒(he)(he)882可(ke)以(yi)用(yong)于在(zai)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM在(zai)真(zhen)空(kong)(kong)氣(qi)(qi)氛中、傳(chuan)輸(shu)到(dao)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)810和(he)/或在(zai)其附(fu)近時(shi)保護(hu)(hu)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM。當(dang)(dang)周圍(wei)環境的(de)(de)壓(ya)力(li)從(cong)(cong)大氣(qi)(qi)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)降低到(dao)真(zhen)空(kong)(kong)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)和(he)/或從(cong)(cong)真(zhen)空(kong)(kong)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)升高到(dao)大氣(qi)(qi)狀(zhuang)(zhuang)態(tai)(tai)時(shi)，污(wu)染顆粒(li)(li)可(ke)以(yi)在(zai)渦流中流動。結(jie)果(guo)，光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM周圍(wei)漂浮的(de)(de)污(wu)染顆粒(li)(li)可(ke)能污(wu)染光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM。內盒(he)(he)882可(ke)以(yi)保護(hu)(hu)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM免(mian)受上(shang)述環境影響，并保護(hu)(hu)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM直到(dao)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM在(zai)真(zhen)空(kong)(kong)氣(qi)(qi)氛中或直到(dao)光(guang)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)PM被傳(chuan)輸(shu)到(dao)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)810和(he)/或在(zai)掩(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)810附(fu)近。
在(zai)半導體器件制(zhi)造工藝(yi)的(de)(de)曝(pu)光(guang)(guang)工藝(yi)中，形成在(zai)光(guang)(guang)掩模(或光(guang)(guang)罩)上(shang)的(de)(de)圖(tu)案可(ke)以(yi)在(zai)其上(shang)形成抗蝕劑(ji)膜的(de)(de)晶片(pian)上(shang)被投影曝(pu)光(guang)(guang)，使得潛(qian)在(zai)的(de)(de)圖(tu)案可(ke)以(yi)形成在(zai)抗蝕劑(ji)膜上(shang)。抗蝕劑(ji)圖(tu)案可(ke)以(yi)通過使用顯影工藝(yi)形成在(zai)晶片(pian)上(shang)。然而(er)，當異(yi)物例如顆粒存在(zai)于(yu)光(guang)(guang)掩模上(shang)時，異(yi)物可(ke)能(neng)與圖(tu)案一起(qi)被轉移到(dao)晶片(pian)上(shang)并導致圖(tu)案故障。
使用超精細圖案制造半導體器件的工藝(例如大規模集成(LSI)或超大規模集成(VLSI))可以通過使用縮小投影曝光裝置進行，形成在光掩模上的圖案可以通過該縮小投影曝光裝置被縮小投影到形成在晶片上的抗蝕劑膜上以在抗蝕劑膜上形成潛像圖案。隨著半導體器件的安裝密度增大，已經期望電路圖案的小型化。因此，在曝光工藝中對曝光線寬的縮小的需求增加。結果，已經發展了使用具有進一步減小的波長的曝光光線的曝光技術以提高曝光裝置的分辨率。迄今，已經發展了i線(365nm)、KrF(氪二氟化物)準分子激光(248nm)、ArF(氟化氬)準分子激光(193nm)以及氟(F2)準分子激光(157nm)曝光技術。近年來，已經發展了使用具有用于從在6.75nm或約6.75nm至在13.5nm或約13.5nm的軟X射線范圍的波長的EUV光或電子束的曝光裝置。當曝光光線的波長減小至EUV光或電子束的波長水平時，由于空氣在大氣壓力下不透射光，所以會需要將曝光的光路安置在高真空環境中。因此，光學系統、掩模臺和晶片臺可以在具有比F2曝光(guang)裝(zhuang)置高的(de)密(mi)封性的(de)真(zhen)空(kong)(kong)室中(zhong)，并且加(jia)載鎖定室可以安裝(zhuang)在(zai)用(yong)于晶片和光(guang)掩模(mo)的(de)每個(ge)的(de)入口/出口端口處，使得在(zai)保(bao)持真(zhen)空(kong)(kong)度的(de)同時，晶片或光(guang)掩模(mo)可以被加(jia)載到真(zhen)空(kong)(kong)室中(zhong)或被從(cong)真(zhen)空(kong)(kong)室卸載。
EUV曝光工藝可以通過使(shi)用反(fan)射(she)光掩模進行，該(gai)反(fan)射(she)光掩模包括提供(gong)在(zai)前(qian)部層(ceng)的其(qi)上形(xing)成圖案區(qu)域的表(biao)面上的多層(ceng)反(fan)射(she)層(ceng)。
當(dang)曝(pu)(pu)光(guang)光(guang)線的(de)(de)(de)(de)(de)(de)波長被(bei)減小(xiao)(xiao)到EUV光(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)波長范圍時(shi)，迄今(jin)在(zai)(zai)不(bu)使(shi)用保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下進(jin)行曝(pu)(pu)光(guang)工藝(yi)，因為(wei)選擇用于(yu)(yu)EUV的(de)(de)(de)(de)(de)(de)透明材料受(shou)到限制。可選地(di)，已經通(tong)過使(shi)用包(bao)括薄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)進(jin)行了曝(pu)(pu)光(guang)工藝(yi)，該(gai)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)由(you)于(yu)(yu)在(zai)(zai)曝(pu)(pu)光(guang)工藝(yi)期間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱而(er)被(bei)嚴重地(di)損(sun)壞并(bing)(bing)具(ju)(ju)有(you)(you)低拉伸強度(du)(du)。此(ci)外(wai)，為(wei)了滿(man)足(zu)EUV的(de)(de)(de)(de)(de)(de)透射(she)率(lv)，會需要具(ju)(ju)有(you)(you)幾十nm或(huo)(huo)更小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)非(fei)常(chang)(chang)(chang)小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)作為(wei)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)。然而(er)，由(you)于(yu)(yu)具(ju)(ju)有(you)(you)非(fei)常(chang)(chang)(chang)小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)具(ju)(ju)有(you)(you)非(fei)常(chang)(chang)(chang)低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)物理硬度(du)(du)并(bing)(bing)相對于(yu)(yu)深(shen)紫外(wai)(DUV)光(guang)具(ju)(ju)有(you)(you)相對高的(de)(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)射(she)率(lv)，所以保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)會在(zai)(zai)曝(pu)(pu)光(guang)工藝(yi)期間使(shi)分辨率(lv)退(tui)化(hua)。此(ci)外(wai)，當(dang)使(shi)用包(bao)括具(ju)(ju)有(you)(you)小(xiao)(xiao)厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)時(shi)，由(you)于(yu)(yu)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)弱的(de)(de)(de)(de)(de)(de)拉伸強度(du)(du)，會很難使(shi)保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)隔(ge)(ge)(ge)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)處于(yu)(yu)自支撐狀態(tai)。此(ci)外(wai)，保(bao)(bao)(bao)護(hu)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)可能在(zai)(zai)曝(pu)(pu)光(guang)工藝(yi)期間非(fei)常(chang)(chang)(chang)容易受(shou)到熱損(sun)傷，并(bing)(bing)且不(bu)能限制和/或(huo)(huo)防(fang)止光(guang)掩模被(bei)顆粒污(wu)染(ran)。
根據(ju)示例(li)的(de)(de)(de)IC器件制造(zao)(zao)裝置800可(ke)(ke)以(yi)在(zai)使用(yong)EUV光源(yuan)的(de)(de)(de)曝(pu)(pu)光工(gong)藝期間通(tong)過使用(yong)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)820來保(bao)(bao)護光掩模PM。根據(ju)示例(li)實施方(fang)式(shi)的(de)(de)(de)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)820可(ke)(ke)以(yi)包括多(duo)(duo)孔薄(bo)膜(mo)(mo)120(參(can)照(zhao)圖1和(he)5)，該多(duo)(duo)孔薄(bo)膜(mo)(mo)120包括彼此(ci)交叉布置以(yi)形(xing)成網(wang)狀結構的(de)(de)(de)多(duo)(duo)個納米線。因(yin)此(ci)，根據(ju)示例(li)實施方(fang)式(shi)的(de)(de)(de)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)820可(ke)(ke)以(yi)確(que)保(bao)(bao)對(dui)(dui)于(yu)結構穩定(ding)性(xing)足夠的(de)(de)(de)相對(dui)(dui)大的(de)(de)(de)厚(hou)度并(bing)具(ju)有(you)相對(dui)(dui)低的(de)(de)(de)光密度。結果，具(ju)有(you)例(li)如(ru)約(yue)140nm至約(yue)300nm的(de)(de)(de)波長的(de)(de)(de)光的(de)(de)(de)OoB反射(she)率(lv)可(ke)(ke)以(yi)降低以(yi)提高曝(pu)(pu)光工(gong)藝的(de)(de)(de)分(fen)辨率(lv)。此(ci)外(wai)，由于(yu)采用(yong)了多(duo)(duo)孔薄(bo)膜(mo)(mo)120，所以(yi)可(ke)(ke)以(yi)不(bu)需要(yao)在(zai)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)框(kuang)架150中形(xing)成額外(wai)的(de)(de)(de)排氣孔。因(yin)此(ci)，制造(zao)(zao)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)工(gong)藝可(ke)(ke)以(yi)是簡單且容(rong)易的(de)(de)(de)。因(yin)此(ci)，在(zai)曝(pu)(pu)光工(gong)藝期間，可(ke)(ke)以(yi)有(you)效地限制和(he)/或(huo)防止(zhi)由于(yu)保(bao)(bao)護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)退(tui)化引起的(de)(de)(de)故(gu)障的(de)(de)(de)發生，并(bing)且具(ju)有(you)期望形(xing)狀的(de)(de)(de)圖案可(ke)(ke)以(yi)被有(you)效地轉移(yi)到將(jiang)被曝(pu)(pu)光的(de)(de)(de)晶片W的(de)(de)(de)精確(que)位置。
圖17是根(gen)據(ju)示例實施方式的制造(zao)IC器件的方法的流程圖。
參照圖(tu)17，在P902的(de)工(gong)藝中，可以提(ti)供(gong)包括特征層的(de)晶片。
在至少一(yi)些示例實施方式中，特征層(ceng)(ceng)可以是(shi)形成在晶片(pian)上(shang)的(de)導(dao)電層(ceng)(ceng)和/或絕緣層(ceng)(ceng)。例如，特征層(ceng)(ceng)可以包括金(jin)屬、半(ban)導(dao)體(ti)或絕緣材料。在一(yi)些其它的(de)示例實施方式，特征層(ceng)(ceng)可以是(shi)晶片(pian)的(de)一(yi)部分。
在P904，光致抗蝕劑膜可以形成在特征層上。在至少一些示例實施方式中，光致抗蝕劑膜可以包括EUV(6.75nm或13.5nm)抗蝕劑材料。在至少一些其它的示例實施方式中，光致抗蝕劑膜可以包括F2準分子激光(157nm)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)材料、ArF準分子激光(193nm)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)材料或KrF準分子激光(248nm)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)材料。光致(zhi)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)膜可以包括(kuo)正性(xing)光致(zhi)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)和/或負性(xing)光致(zhi)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)(ji)。
在至少(shao)一些(xie)示(shi)例(li)實施方式中，為(wei)了形成包括(kuo)正性(xing)光(guang)致抗(kang)(kang)蝕(shi)劑(ji)的光(guang)致抗(kang)(kang)蝕(shi)劑(ji)膜，以(yi)下可以(yi)被旋涂在特征(zheng)層上：包括(kuo)具有酸不穩定(ding)基團的光(guang)敏聚合(he)物的光(guang)致抗(kang)(kang)蝕(shi)劑(ji)成分、潛(qian)性(xing)酸和溶(rong)劑(ji)。
在至少一些示例實施方式中，光敏聚合物可以包括(甲基)丙烯酸基聚合物。(甲基)丙烯酸基聚合物可以是脂肪族(甲基)丙烯酸基聚合物。例如，光敏聚合物可以是(包括但是不限于)聚甲基丙烯酸甲酯((CC5O2H8)n)、聚(t-丁基(ji)(ji)甲(jia)基(ji)(ji)丙烯(xi)酸甲(jia)酯)、聚(甲(jia)基(ji)(ji)丙烯(xi)酸)、聚(降(jiang)冰片基(ji)(ji)甲(jia)基(ji)(ji)丙烯(xi)酸)、(甲(jia)基(ji)(ji))丙烯(xi)酸基(ji)(ji)聚合(he)物的重(zhong)復單元(yuan)的二元(yuan)或三元(yuan)共(gong)聚物、和(he)/或其(qi)混合(he)物。此(ci)外(wai)，上述光敏聚合(he)物可(ke)以(yi)被各種酸不穩(wen)定保護(hu)基(ji)(ji)團取(qu)代(dai)。保護(hu)基(ji)(ji)團可(ke)以(yi)包括但是(shi)不限于叔(shu)丁氧(yang)基(ji)(ji)羰(tang)基(ji)(ji)(t-BOC)、四氫吡喃基(ji)(ji)、三甲(jia)代(dai)甲(jia)硅烷基(ji)(ji)、苯氧(yang)乙基(ji)(ji)、環己(ji)烯(xi)基(ji)(ji)、叔(shu)丁氧(yang)基(ji)(ji)羰(tang)基(ji)(ji)甲(jia)基(ji)(ji)、叔(shu)丁基(ji)(ji)、金剛烷基(ji)(ji)或降(jiang)冰片基(ji)(ji)基(ji)(ji)團，但是(shi)本發明構(gou)思不限于此(ci)。
在至少一些示例實施方式中，潛性酸可以包括但是不限于光生酸劑(PAG)、熱生酸劑(TAG)和/或其組合。在至少一些示例實施方式中，PAG可以包括能夠在暴露到從EUV光(1nm至31nm)、F2準分子激光(157nm)、ArF準分子激光(193nm)以及KrF準分子激光器(248nm)中選出的任一種光時產生酸的材料。PAG可以包括但是不限于鎓鹽、鹵化物、硝基芐基酯、烷基磺酸鹽、重氮萘醌(C10H6N2O)、亞氨基(ji)磺酸鹽、二砜、重氮甲(jia)烷(wan)和/或磺酰氧基(ji)酮。
在圖17的P906，根(gen)據示例實(shi)施(shi)方式的光掩模組(zu)件(jian)可以被加載到曝光裝置中。
在(zai)至少一些(xie)示(shi)例實施(shi)(shi)方(fang)(fang)式中，光(guang)掩模組(zu)件可以(yi)是參照圖14和(he)15描述(shu)的(de)光(guang)掩模組(zu)件600A和(he)600B以(yi)及在(zai)本發明構(gou)思的(de)示(shi)例實施(shi)(shi)方(fang)(fang)式的(de)范(fan)圍內改變(bian)和(he)/或變(bian)化的(de)光(guang)掩模組(zu)件中的(de)任一個。
在至(zhi)少(shao)一些示例實(shi)施方式中，光掩模組(zu)件(jian)可以被加載(zai)(zai)到(dao)圖(tu)16中示出的(de)IC器(qi)件(jian)制造裝置800的(de)掩模加載(zai)(zai)端口800G中。
在圖17的P908，光掩模組件可以被(bei)固定到掩模臺(tai)。
在至少一些示例實施方式中(zhong)，掩模臺可以(yi)是圖(tu)16中(zhong)示出的IC器件制造裝置(zhi)800的掩模臺810。
在(zai)P910，形成在(zai)晶片上的光(guang)致抗蝕劑(ji)膜可(ke)以(yi)通過(guo)使用光(guang)掩模(mo)曝光(guang)。
在至少一些示例實施方式中，曝(pu)光(guang)工藝可(ke)以在反射(she)曝(pu)光(guang)系(xi)統(tong)中進(jin)行，但是本發明構(gou)思不限(xian)于此(ci)。例如，曝(pu)光(guang)工藝可(ke)以通過使用透射(she)曝(pu)光(guang)系(xi)統(tong)進(jin)行。
在P912，光(guang)致抗蝕劑圖案可以通過(guo)顯影被曝光(guang)的光(guang)致抗蝕劑膜形成。
在(zai)P914，特征層可以通過光致(zhi)抗蝕劑圖(tu)案(an)被處理(li)。
在至少一(yi)些示(shi)例實施方式(shi)中(zhong)，為了(le)通過使用(yong)在P914的工藝(yi)處理(li)特征(zheng)層，特征(zheng)層可(ke)以通過使用(yong)光致抗蝕(shi)劑圖案(an)(an)作為蝕(shi)刻掩模被(bei)蝕(shi)刻以形成精細(xi)特征(zheng)圖案(an)(an)。
在(zai)至(zhi)少(shao)一些(xie)示例實(shi)施方式中，為(wei)了(le)通過(guo)使(shi)用在(zai)P914的工(gong)藝處理特征層(ceng)，雜質離子可以通過(guo)使(shi)用光致抗(kang)蝕劑圖案作(zuo)為(wei)離子注入掩模而被注入到(dao)特征層(ceng)中。
在(zai)至(zhi)少一些(xie)示例實(shi)施方式中(zhong)，為了通(tong)過(guo)使用在(zai)P914的(de)工(gong)藝(yi)(yi)(yi)形(xing)成(cheng)特征層(ceng)，額外的(de)工(gong)藝(yi)(yi)(yi)膜(mo)可以形(xing)成(cheng)在(zai)通(tong)過(guo)在(zai)P912的(de)工(gong)藝(yi)(yi)(yi)中(zhong)形(xing)成(cheng)的(de)光(guang)致抗蝕劑圖案曝光(guang)的(de)特征層(ceng)上。工(gong)藝(yi)(yi)(yi)膜(mo)可以包括(kuo)導電膜(mo)、絕緣膜(mo)、半導體膜(mo)和/或其組合。
圖18A和18B是示出關于根據示例實施方式的(de)(de)保護膜(mo)中包括(kuo)(kuo)的(de)(de)保護膜(mo)隔膜(mo)中包括(kuo)(kuo)的(de)(de)多(duo)個納米線(xian)的(de)(de)密度和該保護膜(mo)隔膜(mo)中包括(kuo)(kuo)的(de)(de)多(duo)孔薄膜(mo)的(de)(de)厚度的(de)(de)極紫外(EUV)透(tou)射率的(de)(de)評(ping)估結(jie)果(guo)的(de)(de)曲線(xian)。
圖(tu)18A示出在多(duo)孔薄(bo)膜(mo)中包括(kuo)(kuo)的(de)(de)多(duo)個(ge)納米線包括(kuo)(kuo)碳(Carbon,C)的(de)(de)情(qing)形(xing)下EUV透射率(lv)的(de)(de)評估(gu)結果。圖(tu)18B示出在多(duo)孔薄(bo)膜(mo)中包括(kuo)(kuo)的(de)(de)多(duo)個(ge)納米線包括(kuo)(kuo)硅(gui)(Silicon,Si)的(de)(de)情(qing)形(xing)下EUV透射率(lv)的(de)(de)評估(gu)結果。
一般地，由于EUV光具有約13.5nm的(de)(de)(de)相(xiang)對(dui)短的(de)(de)(de)波長，所以(yi)大部(bu)分材(cai)料可(ke)以(yi)表現出高的(de)(de)(de)EUV光吸收(shou)率。然而，由于保護膜隔(ge)膜中包括的(de)(de)(de)多個納米線彼此(ci)交叉布置以(yi)形(xing)成規則或不規則的(de)(de)(de)網狀結構，所以(yi)根(gen)據(ju)示例實施方(fang)式的(de)(de)(de)保護膜隔(ge)膜可(ke)以(yi)具有非(fei)常低(di)的(de)(de)(de)表面密度和高的(de)(de)(de)透光率。
從圖18A和18B的(de)(de)(de)結果可以確(que)定(ding)，當保(bao)護膜(mo)隔(ge)膜(mo)具有約1μm的(de)(de)(de)相對大的(de)(de)(de)厚度時，通過根據示例實施(shi)方式的(de)(de)(de)方法使用包括碳(C)或硅(Si)的(de)(de)(de)多個納米線制造(zao)的(de)(de)(de)保(bao)護膜(mo)隔(ge)膜(mo)具有非常高的(de)(de)(de)EUV透射(she)率。
圖19是示(shi)出在根(gen)據示(shi)例實施方式的(de)(de)(de)(de)保護膜中包(bao)括的(de)(de)(de)(de)包(bao)含多個納米線的(de)(de)(de)(de)保護膜隔膜的(de)(de)(de)(de)帶外(OoB)反射率與(yu)比較(jiao)示(shi)例1和(he)2的(de)(de)(de)(de)OoB反射率之間的(de)(de)(de)(de)比較(jiao)結果的(de)(de)(de)(de)曲(qu)線。
在(zai)圖19中，“實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)”示(shi)出在(zai)保護膜(mo)(mo)隔膜(mo)(mo)包括通過根據示(shi)例(li)(li)實施(shi)方(fang)式(shi)(shi)的(de)方(fang)法(fa)使用多個(ge)硅(gui)(gui)納米(mi)線(xian)制造(zao)的(de)多孔薄膜(mo)(mo)的(de)情形下(xia)具有(you)約1μm(微米(mi))的(de)相對大的(de)厚度(du)(du)的(de)硅(gui)(gui)多孔薄膜(mo)(mo)的(de)評估結(jie)果。“比(bi)較(jiao)示(shi)例(li)(li)1”示(shi)出具有(you)約16nm(納米(mi))的(de)厚度(du)(du)的(de)體碳(C)膜(mo)(mo)的(de)評估結(jie)果，“比(bi)較(jiao)示(shi)例(li)(li)2”示(shi)出具有(you)約57nm的(de)厚度(du)(du)的(de)體硅(gui)(gui)膜(mo)(mo)的(de)評估結(jie)果。
從圖19的(de)結果可(ke)以(yi)看(kan)出，DUV光(約190nm至約300nm)的(de)反射率在“實施(shi)方式(shi)”中(zhong)比在“比較示(shi)例(li)1”和“比較示(shi)例(li)2”中(zhong)低(di)。因此(ci)，可(ke)以(yi)看(kan)出，由于根據示(shi)例(li)實施(shi)方式(shi)的(de)保護(hu)膜(mo)包(bao)(bao)括包(bao)(bao)含多孔薄膜(mo)的(de)保護(hu)膜(mo)隔膜(mo)，該多孔薄膜(mo)具有彼此(ci)交叉布置以(yi)形成網(wang)狀結構的(de)多個納米線，所(suo)以(yi)可(ke)以(yi)在使(shi)(shi)用EUV光的(de)曝(pu)光工藝中(zhong)獲得比在使(shi)(shi)用包(bao)(bao)括體(ti)材料的(de)保護(hu)膜(mo)隔膜(mo)時高的(de)分(fen)辨(bian)率。
圖20是(shi)包括通過使用(yong)根據示(shi)例(li)實施方(fang)式(shi)的(de)IC器件(jian)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)裝置制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)的(de)IC器件(jian)的(de)存儲卡1200的(de)方(fang)框圖。
存(cun)(cun)儲(chu)(chu)卡1200可以(yi)包括(kuo)配置(zhi)為(wei)產生命令(ling)和(he)地(di)址(zhi)(zhi)信號C/A的存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控制器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1220以(yi)及存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1210例(li)如(ru)快閃存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(包括(kuo)但(dan)是不限于一個快閃存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)或多個快閃存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian))。存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控制器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1220可以(yi)包括(kuo)配置(zhi)為(wei)發(fa)送(song)命令(ling)和(he)地(di)址(zhi)(zhi)信號C/A到主(zhu)機或從(cong)主(zhu)機接收命令(ling)和(he)地(di)址(zhi)(zhi)信號C/A的主(zhu)機接口(kou)1223、以(yi)及配置(zhi)為(wei)再次發(fa)送(song)命令(ling)和(he)地(di)址(zhi)(zhi)信號C/A到存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1210或從(cong)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1210接收命令(ling)和(he)地(di)址(zhi)(zhi)信號C/A的存(cun)(cun)儲(chu)(chu)接口(kou)1225。主(zhu)機接口(kou)1223、控制器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)1224和(he)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)接口(kou)1225可以(yi)經由公(gong)共總線1228而與控制器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(例(li)如(ru)SRAM)1221和(he)處理(li)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(例(li)如(ru)CPU)1222通信。
存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器1210可(ke)(ke)以(yi)(yi)從(cong)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)控(kong)制器1220接(jie)收命令(ling)和(he)地(di)址信(xin)(xin)號(hao)，響應該(gai)命令(ling)和(he)地(di)址信(xin)(xin)號(hao)而(er)在存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器1210中的至(zhi)少一(yi)個存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器件中存(cun)(cun)儲(chu)(chu)數據，以(yi)(yi)及從(cong)至(zhi)少一(yi)個存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器件搜索數據。每個存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器件可(ke)(ke)以(yi)(yi)包括多個可(ke)(ke)尋(xun)址的存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器單元以(yi)(yi)及解碼(ma)器，該(gai)解碼(ma)器配置為在編(bian)程和(he)讀取(qu)操作(zuo)期間接(jie)收命令(ling)和(he)地(di)址信(xin)(xin)號(hao)并(bing)產生行信(xin)(xin)號(hao)和(he)列信(xin)(xin)號(hao)以(yi)(yi)訪問可(ke)(ke)尋(xun)址的存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器單元中的至(zhi)少一(yi)個。
包括(kuo)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1220和存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)1210的(de)(de)(de)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)卡1200的(de)(de)(de)每(mei)個部件(jian)可(ke)以包括(kuo)通(tong)過使用(yong)根據(ju)示例實(shi)(shi)施方式(shi)的(de)(de)(de)保(bao)護膜、根據(ju)示例實(shi)(shi)施方式(shi)的(de)(de)(de)光掩(yan)(yan)模組件(jian)、或(huo)包括(kuo)該(gai)保(bao)護膜和光掩(yan)(yan)模組件(jian)的(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)制(zhi)(zhi)(zhi)造裝置制(zhi)(zhi)(zhi)造的(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)，其(qi)中(zhong)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1220包括(kuo)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)1221、處理(li)器(qi)(qi)(qi)1222、主(zhu)機接(jie)口1223、控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1224、存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)接(jie)口1225。此外，包括(kuo)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1220和存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)1210的(de)(de)(de)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)卡1200的(de)(de)(de)每(mei)個部件(jian)可(ke)以包括(kuo)通(tong)過如參照圖17描述的(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)造IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)方法制(zhi)(zhi)(zhi)造的(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)，其(qi)中(zhong)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1220包括(kuo)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)1221、處理(li)器(qi)(qi)(qi)1222、主(zhu)機接(jie)口1223、控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)(zhi)器(qi)(qi)(qi)1224、存儲(chu)(chu)(chu)(chu)(chu)接(jie)口1225。
圖21是采用存儲(chu)卡(ka)1310的(de)存儲(chu)系統1300的(de)方(fang)框圖，該存儲(chu)卡(ka)1310包括(kuo)通過使用根(gen)據示例實施方(fang)式的(de)制造IC器件的(de)方(fang)法制造的(de)IC器件。
存儲(chu)(chu)(chu)系(xi)統1300可以(yi)包(bao)括(kuo)可經(jing)由(you)公(gong)共總(zong)線1360相互通信(xin)的(de)(de)(de)(de)處(chu)理器(qi)(qi)(qi)1330(例如CPU)、隨機存取存儲(chu)(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)(RAM)1340、用(yong)戶接(jie)口1350以(yi)及(ji)調制(zhi)解(jie)調器(qi)(qi)(qi)1320。存儲(chu)(chu)(chu)系(xi)統1300的(de)(de)(de)(de)每個元件(jian)(jian)可以(yi)經(jing)由(you)公(gong)共總(zong)線1360發送信(xin)號(hao)(hao)到(dao)存儲(chu)(chu)(chu)卡(ka)1310和(he)從存儲(chu)(chu)(chu)卡(ka)1310接(jie)收(shou)信(xin)號(hao)(hao)。包(bao)括(kuo)存儲(chu)(chu)(chu)卡(ka)1310、處(chu)理器(qi)(qi)(qi)1330、RAM 1340、用(yong)戶接(jie)口1350以(yi)及(ji)調制(zhi)解(jie)調器(qi)(qi)(qi)1320的(de)(de)(de)(de)存儲(chu)(chu)(chu)系(xi)統1300的(de)(de)(de)(de)每個部件(jian)(jian)可以(yi)包(bao)括(kuo)通過使用(yong)根據(ju)示例實施(shi)方(fang)式的(de)(de)(de)(de)保護膜、根據(ju)示例實施(shi)方(fang)式的(de)(de)(de)(de)光掩(yan)模組件(jian)(jian)、或包(bao)括(kuo)該保護膜和(he)光掩(yan)模組件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)制(zhi)造(zao)裝置制(zhi)造(zao)的(de)(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)。存儲(chu)(chu)(chu)系(xi)統1300可以(yi)包(bao)括(kuo)通過使用(yong)參照圖17描述的(de)(de)(de)(de)制(zhi)造(zao)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法(fa)制(zhi)造(zao)的(de)(de)(de)(de)IC器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)。
存儲系統1300可以應用(yong)(yong)(yong)在各(ge)種電子應用(yong)(yong)(yong)的領域中。例(li)如，存儲系統1300可以應用(yong)(yong)(yong)于固態(tai)驅動器(SSD)、CMOS圖像傳感器(CIS)以及計算機應用(yong)(yong)(yong)芯(xin)片組(zu)。
存儲系(xi)統1300可以(yi)通過使用具有各種形狀的(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)中的(de)任一種來封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)，例如所述封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)包括(kuo)但是不限(xian)于球柵陣列(BGA)、芯(xin)(xin)片級封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(CSP)、帶引線的(de)塑料芯(xin)(xin)片載體(PLCC)、塑料雙列直插(cha)式封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(PDIP)、多芯(xin)(xin)片封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(MCP)、晶片級制造的(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(WFP)以(yi)及晶片級處理的(de)堆疊(die)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(WSP)，但是本(ben)發明構思不限(xian)于此。
應當(dang)理解，這里描(miao)(miao)述的(de)(de)(de)示例性實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)應當(dang)僅以說明性的(de)(de)(de)含義(yi)來理解，而不是(shi)為(wei)了限制(zhi)的(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)。對根據示例實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)的(de)(de)(de)每個器(qi)件(jian)或方(fang)(fang)(fang)法內的(de)(de)(de)特征或方(fang)(fang)(fang)面(mian)的(de)(de)(de)描(miao)(miao)述應當(dang)通常被認為(wei)可用于根據示例實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)的(de)(de)(de)其它(ta)器(qi)件(jian)或方(fang)(fang)(fang)法中的(de)(de)(de)其它(ta)類(lei)似的(de)(de)(de)特征或方(fang)(fang)(fang)面(mian)。盡(jin)管已經參照示例實(shi)施(shi)方(fang)(fang)(fang)式(shi)(shi)具體示出并描(miao)(miao)述了本發(fa)明構思，但是(shi)本領域(yu)普通技術人員將理解，可以在形式(shi)(shi)和細節上進行各種(zhong)改變(bian)而沒(mei)有脫離權利(li)要求書限定的(de)(de)(de)精神(shen)和范圍。
本申請要求于2015年(nian)8月3日(ri)在韓(han)國(guo)知識產權(quan)(quan)局提交的第10-號韓(han)國(guo)專(zhuan)利申請的優先權(quan)(quan)，其公(gong)開內容通過引用被整體結合于此。
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