中文字幕无码日韩视频无码三区

顯示面板及其制備方法與流程

文檔序(xu)號:39426894發(fa)布(bu)日期(qi):2024-09-20 22:24閱讀:12來(lai)源:國知(zhi)局
顯示面板及其制備方法與流程

本發(fa)明實施(shi)例涉(she)及(ji)顯(xian)示(shi)的,尤其(qi)涉(she)及(ji)一種顯(xian)示(shi)面(mian)板板及(ji)其(qi)制備方法。


背景技術:

1、有機(ji)發光二(er)極管(organic?light?emitting?diode,oled)顯示(shi)面板由于具有薄、輕、寬視角(jiao)、低成本(ben)等優點(dian),已經(jing)成為顯示(shi)領域(yu)中一種重要的顯示(shi)面板。

2、空氣(qi)(qi)中的(de)水(shui)汽和氧(yang)氣(qi)(qi)等成(cheng)分(fen)對oled顯(xian)示(shi)面(mian)板(ban)(ban)中的(de)發(fa)(fa)光(guang)元(yuan)(yuan)件的(de)壽命影(ying)響很大,因此(ci)在形(xing)(xing)成(cheng)oled顯(xian)示(shi)面(mian)板(ban)(ban)時會在襯底基(ji)板(ban)(ban)形(xing)(xing)成(cheng)發(fa)(fa)光(guang)元(yuan)(yuan)件的(de)一(yi)側形(xing)(xing)成(cheng)封裝結構以覆(fu)蓋發(fa)(fa)光(guang)元(yuan)(yuan)件,用于(yu)阻(zu)隔水(shui)汽和氧(yang)氣(qi)(qi)等成(cheng)分(fen)進入顯(xian)示(shi)面(mian)板(ban)(ban),避(bi)免(mian)水(shui)汽和氧(yang)氣(qi)(qi)等成(cheng)分(fen)對發(fa)(fa)光(guang)元(yuan)(yuan)件的(de)損壞。現有技術中,顯(xian)示(shi)面(mian)板(ban)(ban)的(de)封裝效果比較差,降低了顯(xian)示(shi)面(mian)板(ban)(ban)的(de)可(ke)靠性。


技術實現思路

1、本(ben)發明提(ti)供(gong)一種顯示(shi)面板(ban)及(ji)其制備方法,以提(ti)高(gao)顯示(shi)面板(ban)的可靠性(xing)。

2、第(di)一(yi)方(fang)面(mian),本(ben)發明實施例提供(gong)了一(yi)種顯示(shi)面(mian)板,包括(kuo)相鄰設(she)置的(de)顯示(shi)區(qu)(qu)和(he)(he)邊框區(qu)(qu),所(suo)(suo)述(shu)邊框區(qu)(qu)包括(kuo)封裝區(qu)(qu)和(he)(he)第(di)一(yi)子區(qu)(qu),所(suo)(suo)述(shu)封裝區(qu)(qu)設(she)置于所(suo)(suo)述(shu)顯示(shi)區(qu)(qu)和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)子區(qu)(qu)之間,所(suo)(suo)述(shu)顯示(shi)面(mian)板還包括(kuo):

3、基板;

4、信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)層,所述(shu)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)層設置于所述(shu)基板(ban)上、且至(zhi)少(shao)位于所述(shu)第(di)一(yi)子(zi)區,所述(shu)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)層包括至(zhi)少(shao)一(yi)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結(jie)構,所述(shu)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結(jie)構被(bei)配置驅(qu)動信(xin)號(hao);

5、導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層,所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層設置于所(suo)(suo)述(shu)基板上(shang)、且在所(suo)(suo)述(shu)顯示區(qu)(qu)和所(suo)(suo)述(shu)邊框區(qu)(qu)連(lian)續延(yan)伸,所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層包(bao)括(kuo)至少一導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)結構;所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)結構與所(suo)(suo)述(shu)信(xin)號傳輸結構電(dian)(dian)連(lian)接。

6、可選地所(suo)述(shu)(shu)顯示區具有多個(ge)像素開(kai)口(kou),所(suo)述(shu)(shu)導電(dian)(dian)層還包(bao)括(kuo)多個(ge)陽極(ji)(ji)結構(gou),所(suo)述(shu)(shu)多個(ge)陽極(ji)(ji)結構(gou)與所(suo)述(shu)(shu)至少一導電(dian)(dian)結構(gou)電(dian)(dian)隔離,各所(suo)述(shu)(shu)陽極(ji)(ji)結構(gou)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)基板(ban)上的正(zheng)投(tou)影與對(dui)應的所(suo)述(shu)(shu)像素開(kai)口(kou)的底(di)壁在(zai)所(suo)述(shu)(shu)基板(ban)上的正(zheng)投(tou)影至少部分交疊。

7、可(ke)選地,所述(shu)陽(yang)極(ji)結構(gou)包括第(di)(di)一陽(yang)極(ji)部和(he)第(di)(di)二陽(yang)極(ji)部,所述(shu)第(di)(di)二陽(yang)極(ji)部設置于所述(shu)第(di)(di)一陽(yang)極(ji)部遠離所述(shu)基板的一側,所述(shu)第(di)(di)二陽(yang)極(ji)部完全覆蓋所述(shu)第(di)(di)一陽(yang)極(ji)部;和(he)/或(huo),

8、所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)結(jie)構(gou)包括第(di)一導(dao)電(dian)(dian)部(bu)和第(di)二(er)導(dao)電(dian)(dian)部(bu),所(suo)述(shu)第(di)二(er)導(dao)電(dian)(dian)部(bu)設置于所(suo)述(shu)第(di)一導(dao)電(dian)(dian)部(bu)遠離所(suo)述(shu)基板(ban)的一側,所(suo)述(shu)第(di)二(er)導(dao)電(dian)(dian)部(bu)完全覆蓋所(suo)述(shu)第(di)一導(dao)電(dian)(dian)部(bu)。

9、可選(xuan)地,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)陽極(ji)結構包括所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一陽極(ji)部和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二陽極(ji)部,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)導電結構與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一陽極(ji)部或所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二陽極(ji)部同層設(she)置;或者,

10、所述(shu)導電(dian)結(jie)構包括所述(shu)第一(yi)導電(dian)部(bu)和(he)所述(shu)第二導電(dian)部(bu),所述(shu)陽極結(jie)構與所述(shu)第一(yi)導電(dian)部(bu)或所述(shu)第二導電(dian)部(bu)同層設(she)置;或者(zhe),

11、所(suo)(suo)述(shu)陽(yang)極(ji)結構(gou)包(bao)括(kuo)所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)陽(yang)極(ji)部(bu)(bu)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第二(er)(er)陽(yang)極(ji)部(bu)(bu)、且所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)電結構(gou)包(bao)括(kuo)所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)導(dao)(dao)電部(bu)(bu)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第二(er)(er)導(dao)(dao)電部(bu)(bu);其中,所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)陽(yang)極(ji)部(bu)(bu)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)導(dao)(dao)電部(bu)(bu)同(tong)層設(she)置(zhi),所(suo)(suo)述(shu)第二(er)(er)陽(yang)極(ji)部(bu)(bu)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第二(er)(er)導(dao)(dao)電部(bu)(bu)同(tong)層設(she)置(zhi);

12、優選地,所(suo)述第一(yi)陽極部和所(suo)述第一(yi)導(dao)電部的材料包括銀;

13、優選(xuan)地,所(suo)述(shu)第二陽極部和所(suo)述(shu)第二導電(dian)部的材料包(bao)括氧化銦錫(xi)。

14、可選(xuan)地,所述(shu)信(xin)號傳輸(shu)層在(zai)所述(shu)基(ji)板上的(de)正投(tou)影與所述(shu)顯示區無交疊(die)、且所述(shu)信(xin)號傳輸(shu)層在(zai)所述(shu)基(ji)板上的(de)正投(tou)影與所述(shu)封裝區無交疊(die);或(huo)者,

15、所(suo)述(shu)信號(hao)傳輸層(ceng)在(zai)所(suo)述(shu)基(ji)板上的(de)正投影與(yu)所(suo)述(shu)封(feng)裝(zhuang)區具有交疊部分,在(zai)所(suo)述(shu)封(feng)裝(zhuang)區,所(suo)述(shu)導電層(ceng)完全覆蓋所(suo)述(shu)信號(hao)傳輸層(ceng);

16、優選地,所(suo)述信號傳輸(shu)層在所(suo)述邊框(kuang)區(qu)和所(suo)述顯示(shi)區(qu)連續延伸,在所(suo)述封裝區(qu),所(suo)述導電層完全覆(fu)蓋所(suo)述信號傳輸(shu)層;

17、可選地(di),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)信號傳輸結(jie)構包(bao)括下部(bu)和上部(bu);所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)下部(bu)設置(zhi)于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上、且具有(you)朝向所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)上部(bu)的(de)第(di)一(yi)表(biao)面(mian);所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)上部(bu)設置(zhi)于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)下部(bu)遠(yuan)離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)(ji)板(ban)(ban)的(de)一(yi)側、且具有(you)朝向所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)下部(bu)的(de)第(di)二表(biao)面(mian);其中,所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)表(biao)面(mian)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上的(de)正投(tou)影位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二表(biao)面(mian)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上的(de)正投(tou)影之內;

18、優選地(di),所(suo)述(shu)(shu)(shu)信號傳輸結構還包括底部,所(suo)述(shu)(shu)(shu)底部設置于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)下部朝向所(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)板(ban)的一側(ce),所(suo)述(shu)(shu)(shu)下部具有朝向所(suo)述(shu)(shu)(shu)底部的第(di)三(san)表面(mian)(mian),所(suo)述(shu)(shu)(shu)底部具有朝向所(suo)述(shu)(shu)(shu)下部的第(di)四表面(mian)(mian);其(qi)中(zhong),所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)三(san)表面(mian)(mian)在所(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)板(ban)上的正投影位于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)四表面(mian)(mian)在所(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)板(ban)上的正投影之內(nei);

19、優(you)選地,所述上部和所述底部的材(cai)(cai)料包(bao)括鈦,所述下部的材(cai)(cai)料包(bao)括鋁。

20、可選地,所述至少一(yi)信號(hao)傳輸結(jie)構(gou)(gou)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)信號(hao)傳輸結(jie)構(gou)(gou),所述至少一(yi)導(dao)電(dian)結(jie)構(gou)(gou)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)導(dao)電(dian)結(jie)構(gou)(gou),所述驅動信號(hao)包括(kuo)第(di)(di)一(yi)電(dian)源電(dian)壓,其中:

21、所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一信號傳輸結構被配置所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一電(dian)源電(dian)壓、且(qie)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一導電(dian)結構電(dian)連接,所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一導電(dian)結構在所(suo)(suo)述(shu)顯示區、所(suo)(suo)述(shu)封裝(zhuang)區和所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一子區連續延伸(shen)。

22、可選地,所述(shu)(shu)邊框區還包括(kuo)第(di)二子區,所述(shu)(shu)第(di)二子區設(she)置于所述(shu)(shu)顯示(shi)區和所述(shu)(shu)封裝區之間,所述(shu)(shu)驅動信號還包括(kuo)第(di)二電源電壓(ya),其中:

23、所(suo)述(shu)(shu)至少一(yi)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結構(gou)(gou)還包(bao)括(kuo)與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結構(gou)(gou)電(dian)(dian)(dian)隔離(li)的第(di)(di)(di)二(er)(er)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結構(gou)(gou),所(suo)述(shu)(shu)至少一(yi)導電(dian)(dian)(dian)結構(gou)(gou)還包(bao)括(kuo)與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)導電(dian)(dian)(dian)結構(gou)(gou)電(dian)(dian)(dian)隔離(li)的第(di)(di)(di)二(er)(er)導電(dian)(dian)(dian)結構(gou)(gou),所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)(shu)結構(gou)(gou)與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)導電(dian)(dian)(dian)結構(gou)(gou)電(dian)(dian)(dian)連接;

24、所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)信號傳輸結構(gou)被配置所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)電源電壓(ya),所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)導電結構(gou)在所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)子區、所(suo)(suo)述(shu)封裝區和所(suo)(suo)述(shu)第(di)一子區連續延伸;

25、優選(xuan)地,所(suo)述第(di)一電(dian)源電(dian)壓小于所(suo)述第(di)二電(dian)源電(dian)壓。

26、可選地,所述顯示面(mian)板(ban)還包括電路層和(he)絕緣層,其中:

27、所(suo)(suo)述(shu)(shu)電路層(ceng)位(wei)于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)顯(xian)示(shi)區(qu)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)子區(qu)、且設置(zhi)于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)基板朝向所(suo)(suo)述(shu)(shu)信號傳輸層(ceng)的一側(ce);所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕緣(yuan)(yuan)層(ceng)位(wei)于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)顯(xian)示(shi)區(qu)和邊框區(qu),所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕緣(yuan)(yuan)層(ceng)包括第一絕緣(yuan)(yuan)結(jie)構、第二(er)絕緣(yuan)(yuan)結(jie)構和第三絕緣(yuan)(yuan)結(jie)構;所(suo)(suo)述(shu)(shu)導電層(ceng)覆蓋部分所(suo)(suo)述(shu)(shu)電路層(ceng)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕緣(yuan)(yuan)層(ceng)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)信號傳輸層(ceng);

28、所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)絕緣結構(gou)位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)顯(xian)示區和(he)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二子區、且設置(zhi)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)電路(lu)層遠(yuan)離(li)所(suo)述(shu)(shu)基板的(de)一(yi)側(ce),所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)絕緣結構(gou)覆(fu)(fu)蓋所(suo)述(shu)(shu)電路(lu)層的(de)側(ce)邊(bian),所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二絕緣結構(gou)位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)封裝區,所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三絕緣結構(gou)位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)信號(hao)傳輸(shu)層背離(li)所(suo)述(shu)(shu)基板的(de)一(yi)側(ce)、且覆(fu)(fu)蓋所(suo)述(shu)(shu)信號(hao)傳輸(shu)層的(de)側(ce)邊(bian);

29、優(you)選地(di),在垂(chui)直于所述基板(ban)的第(di)(di)一方(fang)向上,所述第(di)(di)一絕(jue)(jue)緣結構(gou)具有第(di)(di)一高(gao)度(du)(du)(du)(du),所述第(di)(di)二(er)絕(jue)(jue)緣結構(gou)具有第(di)(di)二(er)高(gao)度(du)(du)(du)(du),所述第(di)(di)三(san)絕(jue)(jue)緣結構(gou)具有第(di)(di)三(san)高(gao)度(du)(du)(du)(du),所述第(di)(di)二(er)高(gao)度(du)(du)(du)(du)大于所述第(di)(di)一高(gao)度(du)(du)(du)(du),所述第(di)(di)二(er)高(gao)度(du)(du)(du)(du)大于所述第(di)(di)三(san)高(gao)度(du)(du)(du)(du)。

30、可選地,所述(shu)第(di)(di)一(yi)絕緣結構(gou)具有第(di)(di)一(yi)過(guo)孔(kong),所述(shu)第(di)(di)三絕緣結構(gou)具有第(di)(di)二過(guo)孔(kong),其中(zhong):

31、所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一過孔位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二子區,所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一過孔的兩端(duan)分(fen)別與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)(dian)(dian)(dian)路層和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二導電(dian)(dian)(dian)(dian)結構電(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接;所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二過孔位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一子區,所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二過孔的兩端(duan)分(fen)別與(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二信號傳輸結構和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二導電(dian)(dian)(dian)(dian)結構電(dian)(dian)(dian)(dian)連(lian)接;

32、優(you)選地(di),所述(shu)第(di)三(san)絕緣結構具有第(di)三(san)過孔(kong),所述(shu)第(di)三(san)過孔(kong)位于所述(shu)第(di)一(yi)子區,所述(shu)第(di)三(san)過孔(kong)的(de)兩端分別與所述(shu)第(di)一(yi)信號傳輸(shu)結構和所述(shu)第(di)一(yi)導電結構電連接(jie)。

33、可選(xuan)地(di),所(suo)述顯示面板還包括:

34、多個(ge)發光(guang)器(qi)件,位(wei)于所述顯示區,各所述發光(guang)器(qi)件包括陰極;

35、隔離(li)(li)結(jie)構,位于所(suo)述(shu)(shu)顯(xian)示(shi)區(qu),所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)(li)結(jie)構圍合形(xing)成多個隔離(li)(li)開(kai)口(kou)(kou),各所(suo)述(shu)(shu)陰極位于對(dui)(dui)應(ying)的所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)(li)開(kai)口(kou)(kou)中、并與對(dui)(dui)應(ying)的所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)(li)結(jie)構搭接;

36、其中,所(suo)述(shu)隔離(li)結構(gou)與所(suo)述(shu)第一導(dao)電結構(gou)電連接;

37、優(you)選地,所(suo)(suo)(suo)述隔離結構包括連接部(bu)(bu)和(he)懸(xuan)掛(gua)部(bu)(bu),所(suo)(suo)(suo)述懸(xuan)掛(gua)部(bu)(bu)設置(zhi)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述連接部(bu)(bu)遠離所(suo)(suo)(suo)述基(ji)板(ban)(ban)的一側,所(suo)(suo)(suo)述連接部(bu)(bu)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述基(ji)板(ban)(ban)上的正(zheng)投影(ying)位于(yu)所(suo)(suo)(suo)述懸(xuan)掛(gua)部(bu)(bu)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述基(ji)板(ban)(ban)上的正(zheng)投影(ying)之(zhi)內。

38、可選地,所述顯(xian)示面板還(huan)包括:

39、像素(su)(su)定(ding)義層(ceng),所述(shu)(shu)(shu)像素(su)(su)定(ding)義層(ceng)設(she)置(zhi)于(yu)所述(shu)(shu)(shu)絕緣層(ceng)遠(yuan)離(li)所述(shu)(shu)(shu)基(ji)板(ban)的一(yi)側、且覆蓋部分所述(shu)(shu)(shu)導電層(ceng),所述(shu)(shu)(shu)隔離(li)結(jie)構設(she)置(zhi)于(yu)所述(shu)(shu)(shu)像素(su)(su)定(ding)義層(ceng)遠(yuan)離(li)所述(shu)(shu)(shu)基(ji)板(ban)的一(yi)側;

40、所(suo)述像素定義層具有第四(si)過孔(kong),所(suo)述第四(si)過孔(kong)的兩端分別(bie)與所(suo)述隔(ge)離結構和(he)所(suo)述第一導電(dian)結構電(dian)連接;

41、優選地,所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)像(xiang)(xiang)素(su)定義層圍合(he)形成多(duo)個像(xiang)(xiang)素(su)開口(kou),所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)層還包括多(duo)個陽極結(jie)(jie)構(gou),所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)多(duo)個陽極結(jie)(jie)構(gou)與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第一導電(dian)(dian)結(jie)(jie)構(gou)和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第二導電(dian)(dian)結(jie)(jie)構(gou)均電(dian)(dian)隔離(li)(li),各所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)陽極結(jie)(jie)構(gou)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)基板上(shang)(shang)的(de)(de)正投(tou)(tou)影與對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)像(xiang)(xiang)素(su)開口(kou)的(de)(de)底壁(bi)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)基板上(shang)(shang)的(de)(de)正投(tou)(tou)影至(zhi)少部分交疊,各所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)像(xiang)(xiang)素(su)開口(kou)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)基板上(shang)(shang)的(de)(de)正投(tou)(tou)影位于對(dui)應(ying)(ying)的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)隔離(li)(li)開口(kou)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)基板上(shang)(shang)的(de)(de)正投(tou)(tou)影之內。

42、可(ke)選地,所述(shu)顯示面板還包括:

43、像(xiang)素定義層(ceng),設置于所(suo)(suo)(suo)述絕緣層(ceng)遠離(li)所(suo)(suo)(suo)述基板的(de)一(yi)側(ce)、且(qie)覆(fu)蓋部分所(suo)(suo)(suo)述導電層(ceng),所(suo)(suo)(suo)述像(xiang)素定義層(ceng)圍合形成多個像(xiang)素開(kai)口;

44、多個(ge)發(fa)光器(qi)件(jian),位于所述(shu)(shu)(shu)顯(xian)示區,各所述(shu)(shu)(shu)發(fa)光器(qi)件(jian)包(bao)括陰極(ji),各所述(shu)(shu)(shu)陰極(ji)的至(zhi)少部分位于對(dui)應的所述(shu)(shu)(shu)像素開口中、且與(yu)所述(shu)(shu)(shu)第一導電結(jie)構電連(lian)接。

45、可選地,所述的(de)顯示面板還(huan)包括第一封(feng)裝(zhuang)層(ceng),所述第一封(feng)裝(zhuang)層(ceng)設(she)置于(yu)所述發光器件遠(yuan)離(li)所述電路層(ceng)的(de)一側,所述第一封(feng)裝(zhuang)層(ceng)位于(yu)所述顯示區內;

46、優選(xuan)地,還包括(kuo)第(di)二(er)封(feng)裝層,所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)封(feng)裝層設置(zhi)于(yu)(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)封(feng)裝層遠離所(suo)述(shu)(shu)發光器件的一(yi)側(ce),所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)封(feng)裝層設置(zhi)于(yu)(yu)所(suo)述(shu)(shu)顯示區(qu),并延伸至所(suo)述(shu)(shu)封(feng)裝區(qu);

47、優選(xuan)地,還包括有(you)機封裝(zhuang)層(ceng),所述有(you)機封裝(zhuang)層(ceng)設置于所述第一封裝(zhuang)層(ceng)和所述第二(er)封裝(zhuang)層(ceng)之間。

48、第(di)二(er)方面(mian),本發明實施(shi)例還提供了一(yi)(yi)種顯示(shi)面(mian)板的制備(bei)方法,所(suo)述(shu)顯示(shi)面(mian)板包括(kuo)相鄰設(she)置的顯示(shi)區(qu)(qu)和(he)邊框(kuang)區(qu)(qu),所(suo)述(shu)邊框(kuang)區(qu)(qu)包括(kuo)封裝區(qu)(qu)和(he)第(di)一(yi)(yi)子(zi)區(qu)(qu),所(suo)述(shu)封裝區(qu)(qu)設(she)置于所(suo)述(shu)顯示(shi)區(qu)(qu)和(he)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)子(zi)區(qu)(qu)之間,包括(kuo):

49、在(zai)基板上形成信(xin)(xin)(xin)號傳(chuan)輸(shu)層(ceng)(ceng),所述(shu)信(xin)(xin)(xin)號傳(chuan)輸(shu)層(ceng)(ceng)至少(shao)(shao)位于所述(shu)第(di)一子區,所述(shu)信(xin)(xin)(xin)號傳(chuan)輸(shu)層(ceng)(ceng)包(bao)括至少(shao)(shao)一信(xin)(xin)(xin)號傳(chuan)輸(shu)結構,所述(shu)信(xin)(xin)(xin)號傳(chuan)輸(shu)結構傳(chuan)輸(shu)驅(qu)動信(xin)(xin)(xin)號;

50、在所(suo)述(shu)基板上形成(cheng)導(dao)電層,所(suo)述(shu)導(dao)電層在所(suo)述(shu)顯示區和所(suo)述(shu)邊框區連(lian)(lian)續延伸;所(suo)述(shu)導(dao)電層包括至少一導(dao)電結(jie)構,所(suo)述(shu)導(dao)電結(jie)構與所(suo)述(shu)信號傳(chuan)輸結(jie)構電連(lian)(lian)接(jie)。

51、可選地,所(suo)(suo)(suo)述邊(bian)框區(qu)還(huan)包括(kuo)第二(er)子區(qu),所(suo)(suo)(suo)述第二(er)子區(qu)設置于所(suo)(suo)(suo)述顯示(shi)區(qu)和所(suo)(suo)(suo)述封(feng)裝區(qu)之間,在基板上形(xing)成(cheng)信號(hao)傳輸(shu)層(ceng)之前(qian),還(huan)包括(kuo):

52、在所(suo)述(shu)(shu)(shu)基板上形(xing)成電(dian)路層的至少部分,所(suo)述(shu)(shu)(shu)電(dian)路層位于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)顯示區(qu)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)子區(qu)、且設置于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)基板朝向所(suo)述(shu)(shu)(shu)導(dao)電(dian)層的一側。

53、可(ke)選地,在基板上形成(cheng)信號傳輸層之后,且在所述基板上形成(cheng)導電層之前,還(huan)包(bao)括:

54、在所述顯示(shi)和所述邊框區形成絕緣材料層;

55、圖案化所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣(yuan)(yuan)材料層,形成包括第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)、第(di)(di)二絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)和第(di)(di)三絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)的(de)(de)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層,其(qi)中,所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)顯示區和所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二子區,且覆(fu)蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)路層的(de)(de)側邊,所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)封裝(zhuang)區,所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三絕(jue)緣(yuan)(yuan)結(jie)構(gou)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)信(xin)號傳(chuan)輸(shu)層背離所(suo)(suo)述(shu)(shu)基板的(de)(de)一側、且覆(fu)蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)信(xin)號傳(chuan)輸(shu)層的(de)(de)側邊。

56、可選地,所(suo)述(shu)顯(xian)示區(qu)具有多個像素開口,所(suo)述(shu)在所(suo)述(shu)基板上(shang)形成導電層的步驟,包(bao)括:

57、使用第一掩模板在所述基板上同時制備形成導電結構和多(duo)個陽極結構;

58、其中,所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)多個陽極(ji)結構(gou)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)至(zhi)少(shao)一(yi)導(dao)電結構(gou)電隔離,各(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)陽極(ji)結構(gou)在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)基板上的正投影與(yu)對應(ying)的所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)像素開口的底(di)壁在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)基板上的正投影至(zhi)少(shao)部分交疊。

59、可(ke)選地,所述在(zai)基板上形成信(xin)號(hao)傳(chuan)輸層的步驟,包括:

60、使用第二掩模板在所述基板上同時制備形成信號傳輸層和所述電路層的其余部分。

61、可(ke)選(xuan)地,在所述基板上形成(cheng)導電層之后(hou),還(huan)包括(kuo):

62、在所述顯(xian)示區形成多個發光器(qi)件(jian);

63、在所述發光器件遠離基板的(de)一(yi)側形成(cheng)封裝層(ceng)。

64、本發明實(shi)施(shi)例的技(ji)術(shu)方案,通(tong)過(guo)(guo)設(she)置導(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)在(zai)(zai)顯(xian)示(shi)(shi)區和邊框區連續(xu)延伸,當(dang)導(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)包(bao)括的導(dao)(dao)電(dian)(dian)結(jie)構(gou)與信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)結(jie)構(gou)電(dian)(dian)連接時,信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)結(jie)構(gou)上的驅動信(xin)號(hao)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)(guo)導(dao)(dao)電(dian)(dian)結(jie)構(gou)傳(chuan)輸(shu)至顯(xian)示(shi)(shi)區,從(cong)而可(ke)以(yi)避免(mian)在(zai)(zai)封(feng)裝區設(she)置信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)結(jie)構(gou),在(zai)(zai)后(hou)續(xu)的工藝制程中,可(ke)以(yi)避免(mian)信(xin)號(hao)傳(chuan)輸(shu)結(jie)構(gou)在(zai)(zai)封(feng)裝區的側刻(ke)現象,進而可(ke)以(yi)改善顯(xian)示(shi)(shi)面(mian)板(ban)的封(feng)裝效果,從(cong)而可(ke)以(yi)提高顯(xian)示(shi)(shi)面(mian)板(ban)的封(feng)裝可(ke)靠性(xing)和壽命(ming)。

當前第1頁1 2 
網友(you)詢(xun)問(wen)留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1