本技術涉及顯(xian)示(shi)(shi)(shi)，具體涉及一種顯(xian)示(shi)(shi)(shi)面板及顯(xian)示(shi)(shi)(shi)裝(zhuang)置。

背景技術：

1、隨著顯(xian)示(shi)技術的發展，顯(xian)示(shi)面(mian)板越(yue)發廣泛地應用(yong)于人(ren)們的生產和生活中。同時(shi)，人(ren)們對于顯(xian)示(shi)面(mian)板的要求也越(yue)來越(yue)高(gao)。其中，如何(he)提升顯(xian)示(shi)面(mian)板的性能可靠性，一直備受(shou)人(ren)們關注。

技術實現思路

1、有(you)(you)鑒于此，本技術(shu)致力(li)于提(ti)供一種顯示面板(ban)(ban)及顯示裝置，能夠有(you)(you)效(xiao)提(ti)升(sheng)顯示面板(ban)(ban)的(de)封(feng)裝效(xiao)果。

2、第一(yi)方(fang)面，本技(ji)術的實施例提供(gong)了一(yi)種顯示面板，包括：

3、襯底；

4、隔離結構，位于(yu)所述襯底的一側，圍合(he)形成多個(ge)隔離開口；

5、多個發(fa)光(guang)器件，所(suo)述多個發(fa)光(guang)器件的(de)發(fa)光(guang)功(gong)能層分別位(wei)于所(suo)述多個隔離開口內(nei)；

6、第(di)一平坦化層，位于所述(shu)多個(ge)發光器件靠近所述(shu)襯底的一側，具(ju)有多個(ge)第(di)一過孔；所述(shu)第(di)一過孔在所述(shu)襯底上(shang)的正投影(ying)位于所述(shu)隔離結(jie)構(gou)在所述(shu)襯底上(shang)的正投影(ying)內；

7、第一(yi)電(dian)路(lu)結構層，位于所述(shu)(shu)第一(yi)平坦化層靠近(jin)所述(shu)(shu)襯底的(de)一(yi)側，包括多個第一(yi)電(dian)路(lu)結構部(bu)；所述(shu)(shu)第一(yi)電(dian)路(lu)結構部(bu)通過所述(shu)(shu)第一(yi)過孔(kong)與(yu)所述(shu)(shu)發光器件(jian)電(dian)連接。

8、可選(xuan)地(di)，還包括位(wei)于所述多個(ge)(ge)發光(guang)器(qi)件靠近所述襯(chen)底一側的第(di)(di)(di)二(er)(er)平坦(tan)化層(ceng)(ceng)，以及位(wei)于所述第(di)(di)(di)二(er)(er)平坦(tan)化層(ceng)(ceng)靠近所述襯(chen)底一側的第(di)(di)(di)二(er)(er)電(dian)(dian)路(lu)結(jie)構(gou)(gou)層(ceng)(ceng)；所述第(di)(di)(di)二(er)(er)平坦(tan)化層(ceng)(ceng)具有多個(ge)(ge)第(di)(di)(di)二(er)(er)過孔；所述第(di)(di)(di)二(er)(er)電(dian)(dian)路(lu)結(jie)構(gou)(gou)層(ceng)(ceng)包括多個(ge)(ge)第(di)(di)(di)二(er)(er)電(dian)(dian)路(lu)結(jie)構(gou)(gou)部；所述第(di)(di)(di)二(er)(er)電(dian)(dian)路(lu)結(jie)構(gou)(gou)部通過所述第(di)(di)(di)二(er)(er)過孔與所述第(di)(di)(di)一電(dian)(dian)路(lu)結(jie)構(gou)(gou)部電(dian)(dian)連(lian)接(jie)；

9、所(suo)述第二過孔(kong)在(zai)所(suo)述襯(chen)(chen)底上(shang)的(de)正投影(ying)位于所(suo)述隔離結(jie)構(gou)在(zai)所(suo)述襯(chen)(chen)底上(shang)的(de)正投影(ying)內。

10、可選地，所(suo)(suo)述(shu)第二過(guo)孔在(zai)所(suo)(suo)述(shu)襯底(di)上的正(zheng)投影與所(suo)(suo)述(shu)第一過(guo)孔在(zai)所(suo)(suo)述(shu)襯底(di)上的正(zheng)投影之間不重合；

11、優選地，所(suo)述(shu)第二過孔在所(suo)述(shu)襯底(di)上的(de)正(zheng)投影與所(suo)述(shu)第一(yi)過孔在所(suo)述(shu)襯底(di)上的(de)正(zheng)投影之(zhi)間具有(you)間隔。

12、可選地(di)，還包括(kuo)位(wei)于所(suo)(suo)述多(duo)個(ge)發光器件靠近所(suo)(suo)述襯(chen)底一側(ce)的第(di)三平(ping)坦(tan)化層，以(yi)及位(wei)于所(suo)(suo)述第(di)三平(ping)坦(tan)化層靠近所(suo)(suo)述襯(chen)底一側(ce)的第(di)三電路結構(gou)(gou)層；所(suo)(suo)述第(di)三平(ping)坦(tan)化層具有多(duo)個(ge)第(di)三過(guo)孔；所(suo)(suo)述第(di)三電路結構(gou)(gou)層包括(kuo)多(duo)個(ge)第(di)三電路結構(gou)(gou)部；所(suo)(suo)述第(di)三電路結構(gou)(gou)部通過(guo)所(suo)(suo)述第(di)三過(guo)孔與所(suo)(suo)述第(di)二電路結構(gou)(gou)部電連接(jie)；

13、所(suo)述第(di)三(san)過孔(kong)在(zai)所(suo)述襯底(di)上(shang)的正投影位于所(suo)述隔離結構在(zai)所(suo)述襯底(di)上(shang)的正投影內；

14、優選地，所述第三電(dian)路(lu)結(jie)構部(bu)為所述第三平坦化層與所述襯底之間的薄膜晶體管(guan)的漏(lou)極。

15、可選地，所(suo)(suo)述(shu)第(di)三過孔(kong)在所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底上(shang)的(de)正投(tou)影與所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)過孔(kong)在所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底上(shang)的(de)正投(tou)影之間不重(zhong)合；

16、優選(xuan)地，所(suo)述第(di)(di)三過孔在所(suo)述襯底上的正投影與所(suo)述第(di)(di)一過孔在所(suo)述襯底上的正投影之間(jian)具有間(jian)隔。

17、可(ke)選地，所(suo)述(shu)(shu)第三過(guo)(guo)孔在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底上(shang)的(de)正投影與所(suo)述(shu)(shu)第二過(guo)(guo)孔在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底上(shang)的(de)正投影之間不重合；

18、優選地，所(suo)述(shu)(shu)第三過孔(kong)在所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上的正(zheng)投(tou)影與所(suo)述(shu)(shu)第二過孔(kong)在所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上的正(zheng)投(tou)影之間(jian)具有(you)間(jian)隔。

19、可選地，所述(shu)發光(guang)器件還包括位于所述(shu)發光(guang)功能層靠(kao)近所述(shu)襯底一(yi)側的第一(yi)電極；

20、所述(shu)第(di)(di)一電(dian)極通過(guo)所述(shu)第(di)(di)一過(guo)孔與對應的所述(shu)第(di)(di)一電(dian)路結構部電(dian)連接。

21、可選地，所述(shu)隔離結構包括(kuo)位(wei)于(yu)所述(shu)襯(chen)(chen)底一(yi)(yi)(yi)側(ce)的(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)結構，以及位(wei)于(yu)所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)結構背離所述(shu)襯(chen)(chen)底一(yi)(yi)(yi)側(ce)的(de)第(di)(di)二(er)結構；

22、所(suo)述第二結(jie)構在(zai)所(suo)述襯底上的(de)(de)正(zheng)投(tou)影(ying)覆(fu)蓋(gai)所(suo)述第一結(jie)構在(zai)所(suo)述襯底上的(de)(de)正(zheng)投(tou)影(ying)；

23、所述(shu)隔離(li)開(kai)口包括(kuo)所述(shu)第(di)一結構圍(wei)合形成(cheng)的第(di)一隔離(li)開(kai)口和所述(shu)第(di)二(er)結構圍(wei)合形成(cheng)的第(di)二(er)隔離(li)開(kai)口；

24、優選地(di)，所述第一結(jie)構(gou)和所述第二結(jie)構(gou)的材料不同(tong)；

25、優選地，所(suo)述第二結(jie)構的材料(liao)包括鈦。

26、可選地，所(suo)述隔離結構在所(suo)述襯底上的(de)正投(tou)影(ying)為所(suo)述第(di)一結構在所(suo)述襯底上的(de)正投(tou)影(ying)。

27、可選地，所述(shu)(shu)第(di)一(yi)結(jie)構包(bao)括層疊設置的第(di)一(yi)子結(jie)構和第(di)二(er)子結(jie)構；所述(shu)(shu)第(di)一(yi)子結(jie)構位于靠近(jin)所述(shu)(shu)襯底的一(yi)側(ce)；

28、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離結構(gou)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底上的正投(tou)影(ying)為(wei)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二子(zi)結構(gou)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)(chen)底上的正投(tou)影(ying)。

29、可(ke)選地，所述第(di)一(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)部(bu)包括第(di)一(yi)類第(di)一(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)部(bu)和第(di)二類第(di)一(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)部(bu)；

30、所(suo)(suo)述(shu)(shu)發(fa)(fa)光器件(jian)(jian)包括第一顏色發(fa)(fa)光器件(jian)(jian)和(he)第二顏色發(fa)(fa)光器件(jian)(jian)；所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一類第一電(dian)(dian)(dian)路(lu)結構部與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一顏色發(fa)(fa)光器件(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)連接；所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二類第一電(dian)(dian)(dian)路(lu)結構部與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二顏色發(fa)(fa)光器件(jian)(jian)電(dian)(dian)(dian)連接；

31、所(suo)述第(di)(di)一(yi)類第(di)(di)一(yi)電路結構部(bu)在(zai)所(suo)述襯(chen)底上的(de)(de)正(zheng)投(tou)影的(de)(de)面積小(xiao)于所(suo)述第(di)(di)二(er)類第(di)(di)一(yi)電路結構部(bu)在(zai)所(suo)述襯(chen)底上的(de)(de)正(zheng)投(tou)影的(de)(de)面積。

32、可(ke)選地，所述第(di)一(yi)顏色(se)發(fa)(fa)光器(qi)件為紅色(se)發(fa)(fa)光器(qi)件；所述第(di)二(er)顏色(se)發(fa)(fa)光器(qi)件為綠色(se)發(fa)(fa)光器(qi)件。

33、可選地，還包括絕緣層(ceng)；所述絕緣層(ceng)位于所述襯底的一側(ce)；

34、所(suo)述(shu)絕(jue)緣層上設有多(duo)個像素(su)開(kai)口(kou)，所(suo)述(shu)像素(su)開(kai)口(kou)暴露出所(suo)述(shu)第一(yi)電極的至(zhi)少部分區(qu)域，所(suo)述(shu)像素(su)開(kai)口(kou)與所(suo)述(shu)隔離開(kai)口(kou)連通(tong)，所(suo)述(shu)發(fa)光器件的發(fa)光功(gong)能(neng)層位于所(suo)述(shu)像素(su)開(kai)口(kou)內；

35、優(you)選地，所述(shu)(shu)隔離結構位于所述(shu)(shu)絕緣層背離所述(shu)(shu)襯底的一(yi)側；或(huo)者，

36、所述(shu)絕緣層上(shang)還(huan)設(she)有容納(na)開口(kou)，所述(shu)隔離(li)結(jie)構位于(yu)所述(shu)絕緣層的容納(na)開口(kou)內；或者，

37、所述(shu)(shu)(shu)(shu)絕緣(yuan)層(ceng)包括多個間(jian)隔(ge)設置(zhi)的絕緣(yuan)部，所述(shu)(shu)(shu)(shu)絕緣(yuan)部覆蓋(gai)所述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)電極的側邊并圍繞所述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)電極的側邊呈環形設置(zhi)，所述(shu)(shu)(shu)(shu)隔(ge)離結構(gou)位于(yu)相(xiang)鄰所述(shu)(shu)(shu)(shu)絕緣(yuan)部之間(jian)的間(jian)隔(ge)內；

38、優選(xuan)地(di)，所述絕緣層包括(kuo)像(xiang)素限定層。

39、可(ke)選地(di)，還(huan)包括第(di)一(yi)封(feng)裝(zhuang)層；所(suo)述第(di)一(yi)封(feng)裝(zhuang)層包括多個封(feng)裝(zhuang)部；所(suo)述多個封(feng)裝(zhuang)部分別位于所(suo)述多個發(fa)光器件背離所(suo)述襯底的(de)一(yi)側(ce)；

40、優選地，還包括第二封裝(zhuang)層；

41、所(suo)述(shu)第(di)二(er)封裝(zhuang)層(ceng)位于所(suo)述(shu)第(di)一(yi)封裝(zhuang)層(ceng)背離所(suo)述(shu)襯底的一(yi)側(ce)；所(suo)述(shu)第(di)二(er)封裝(zhuang)層(ceng)在所(suo)述(shu)襯底上的正投影覆蓋所(suo)述(shu)襯底；

42、優選地(di)，還包括第三(san)封裝層(ceng)；

43、所(suo)述(shu)第(di)(di)三封(feng)裝(zhuang)層(ceng)位于(yu)所(suo)述(shu)第(di)(di)二封(feng)裝(zhuang)層(ceng)背離所(suo)述(shu)襯(chen)底的一側；所(suo)述(shu)第(di)(di)三封(feng)裝(zhuang)層(ceng)在所(suo)述(shu)襯(chen)底上的正投影(ying)覆蓋所(suo)述(shu)襯(chen)底。

44、第二方面(mian)，本技(ji)術(shu)的實施(shi)例(li)提供了一種(zhong)顯示面(mian)板，包括：

45、襯底；

46、隔離(li)結構，位于所述襯(chen)底的一(yi)側，圍(wei)合形成多個隔離(li)開口(kou)；

47、多(duo)個發(fa)光器(qi)件，所述(shu)多(duo)個發(fa)光器(qi)件的發(fa)光功能(neng)層分別位于所述(shu)多(duo)個隔離開口內；

48、第一(yi)(yi)平坦化(hua)層，位(wei)于所(suo)述多個發光器件靠近(jin)所(suo)述襯底的一(yi)(yi)側，具有多個第一(yi)(yi)過(guo)孔；

49、第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)路結構(gou)層(ceng)，位(wei)于所(suo)述(shu)第(di)一(yi)平坦化(hua)層(ceng)靠近(jin)所(suo)述(shu)襯底的(de)一(yi)側，包括(kuo)多(duo)個第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)路結構(gou)部；所(suo)述(shu)第(di)一(yi)電(dian)(dian)(dian)路結構(gou)部通過所(suo)述(shu)第(di)一(yi)過孔與所(suo)述(shu)發光器件電(dian)(dian)(dian)連接；

50、第二平坦化層，位于所述第一(yi)平坦化層與所述襯底之間，具有多(duo)個第二過孔；

51、第(di)(di)二(er)電(dian)路(lu)(lu)結(jie)構(gou)層，位于所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)平坦化層靠(kao)近(jin)所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)的一側(ce)，包括多個(ge)第(di)(di)二(er)電(dian)路(lu)(lu)結(jie)構(gou)部；所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)電(dian)路(lu)(lu)結(jie)構(gou)部通(tong)過所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)過孔與所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一電(dian)路(lu)(lu)結(jie)構(gou)部電(dian)連接；

52、所述第一過(guo)孔(kong)在所述襯底上(shang)(shang)的正投(tou)影與(yu)所述第二過(guo)孔(kong)在所述襯底上(shang)(shang)的正投(tou)影之間(jian)不重(zhong)合。

53、可選地，所述第一(yi)過孔在所述襯底(di)上(shang)的正(zheng)投影(ying)位于(yu)所述隔離結構在所述襯底(di)上(shang)的正(zheng)投影(ying)內。

54、可選地，所述(shu)第(di)二過孔在所述(shu)襯(chen)底(di)上(shang)的正投(tou)影位于所述(shu)隔(ge)離結構(gou)在所述(shu)襯(chen)底(di)上(shang)的正投(tou)影內。

55、可選地，還包括位(wei)于所(suo)述第(di)二平(ping)坦化層(ceng)(ceng)(ceng)與所(suo)述襯底之間的第(di)三(san)平(ping)坦化層(ceng)(ceng)(ceng)，以及位(wei)于所(suo)述第(di)三(san)平(ping)坦化層(ceng)(ceng)(ceng)靠(kao)近所(suo)述襯底一側的第(di)三(san)電路結構層(ceng)(ceng)(ceng)；

56、所述第三平坦化層(ceng)具有多個(ge)第三過孔(kong)；

57、優(you)選(xuan)地，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三(san)過孔(kong)在所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上(shang)的正投影與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一過孔(kong)在所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上(shang)的正投影之間具有(you)間隔(ge)；所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三(san)電(dian)路(lu)結(jie)構層包括(kuo)多個第(di)(di)三(san)電(dian)路(lu)結(jie)構部；所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三(san)電(dian)路(lu)結(jie)構部通(tong)過所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三(san)過孔(kong)與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二電(dian)路(lu)結(jie)構部電(dian)連接(jie)。

58、可選(xuan)地，所(suo)(suo)述第三過(guo)孔(kong)(kong)在所(suo)(suo)述襯底上的正投影(ying)(ying)與所(suo)(suo)述第二(er)過(guo)孔(kong)(kong)在所(suo)(suo)述襯底上的正投影(ying)(ying)之間不重合；

59、優選地，所述第三(san)過(guo)孔在所述襯底上的正(zheng)投(tou)影(ying)(ying)位(wei)于所述隔離結構在所述襯底上的正(zheng)投(tou)影(ying)(ying)內。

60、第三方面，本(ben)(ben)技術的實施例還提(ti)供(gong)一種顯(xian)示裝置(zhi)，包(bao)括如本(ben)(ben)技術的第一方面和第二方面所述的顯(xian)示面板。

61、本技術的(de)(de)方案中(zhong)，顯示(shi)面板包括襯(chen)底(di)、隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)、多(duo)(duo)個(ge)發(fa)(fa)光(guang)器件、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)平(ping)(ping)坦(tan)化(hua)層(ceng)和第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)層(ceng)；其中(zhong)，隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)位(wei)于襯(chen)底(di)的(de)(de)一(yi)(yi)側(ce)，圍(wei)合形成多(duo)(duo)個(ge)隔(ge)(ge)離(li)(li)開口；多(duo)(duo)個(ge)發(fa)(fa)光(guang)器件的(de)(de)發(fa)(fa)光(guang)功能(neng)層(ceng)分別位(wei)于多(duo)(duo)個(ge)隔(ge)(ge)離(li)(li)開口內(nei)(nei)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)平(ping)(ping)坦(tan)化(hua)層(ceng)位(wei)于多(duo)(duo)個(ge)發(fa)(fa)光(guang)器件靠近襯(chen)底(di)的(de)(de)一(yi)(yi)側(ce)，具有多(duo)(duo)個(ge)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)在(zai)襯(chen)底(di)上的(de)(de)正投(tou)(tou)影(ying)(ying)位(wei)于隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)在(zai)襯(chen)底(di)上的(de)(de)正投(tou)(tou)影(ying)(ying)內(nei)(nei)；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)層(ceng)位(wei)于第(di)(di)(di)一(yi)(yi)平(ping)(ping)坦(tan)化(hua)層(ceng)靠近襯(chen)底(di)的(de)(de)一(yi)(yi)側(ce)，包括多(duo)(duo)個(ge)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)部；第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)路(lu)結構(gou)部通過第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)與(yu)發(fa)(fa)光(guang)器件電(dian)連接。如此，將第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)設置在(zai)隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)與(yu)襯(chen)底(di)之間，既能(neng)夠避免隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)的(de)(de)邊界(jie)對應(ying)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)的(de)(de)區域而導致隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)側(ce)刻異常，影(ying)(ying)響后(hou)續封裝(zhuang)效果，產生可(ke)靠性問題，又能(neng)夠利用隔(ge)(ge)離(li)(li)結構(gou)對第(di)(di)(di)一(yi)(yi)過孔(kong)(kong)(kong)對應(ying)的(de)(de)區域進行進一(yi)(yi)步平(ping)(ping)坦(tan)化(hua)，提升后(hou)續封裝(zhuang)效果，提高產品良(liang)率。