本(ben)技術涉(she)及顯(xian)(xian)示(shi)，特別是涉(she)及一(yi)種(zhong)顯(xian)(xian)示(shi)面板(ban)、顯(xian)(xian)示(shi)面板(ban)的制作方法和顯(xian)(xian)示(shi)裝置(zhi)。

背景技術：

1、oled(organic?light?emitting?diode，有(you)(you)機(ji)發光二極管)顯(xian)示面板由于具有(you)(you)自發光、對(dui)比(bi)度高、清(qing)晰度高、視角寬、溫度特(te)性好(hao)、功耗低、響應速度快以及制造成本低等(deng)一(yi)系列(lie)優異特(te)性，已經成為(wei)顯(xian)示領域(yu)的(de)重點發展方向(xiang)之一(yi)。

2、然(ran)而，已有的(de)顯示(shi)面板的(de)可靠性還有待于提升。

技術實現思路

1、基于此，有必要針對顯示(shi)面(mian)板(ban)(ban)可(ke)靠性不佳的問(wen)題，提供一(yi)種顯示(shi)面(mian)板(ban)(ban)、顯示(shi)面(mian)板(ban)(ban)的制作(zuo)方法和顯示(shi)裝置。

2、根據本技術的(de)一個方(fang)面，提供一種顯(xian)示(shi)面板(ban)，包括(kuo)：陣(zhen)(zhen)列(lie)基板(ban)；多(duo)個發(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(jian)，沿與所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基板(ban)的(de)厚度方(fang)向相(xiang)(xiang)交的(de)方(fang)向間隔排(pai)列(lie)于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基板(ban)上；隔離結(jie)構(gou)，設于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基板(ban)上，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)隔離結(jie)構(gou)包括(kuo)多(duo)個隔離部(bu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)隔離部(bu)設于相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)兩(liang)個所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(jian)之間，且(qie)至少(shao)部(bu)分(fen)(fen)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)隔離部(bu)設有朝向所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基板(ban)凹(ao)陷的(de)凹(ao)部(bu)，相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)兩(liang)個所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(jian)至少(shao)在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)部(bu)斷(duan)開(kai)；以及(ji)封裝(zhuang)層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)封裝(zhuang)層(ceng)(ceng)覆(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(jian)及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)隔離結(jie)構(gou)，且(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)封裝(zhuang)層(ceng)(ceng)至少(shao)部(bu)分(fen)(fen)填(tian)充相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)兩(liang)個所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)(guang)器件(jian)(jian)的(de)斷(duan)開(kai)處。

3、在一些實施例中，所(suo)述隔(ge)(ge)離(li)部(bu)包括沿與(yu)所(suo)述陣列基(ji)板的(de)厚度方向相(xiang)交的(de)方向間隔(ge)(ge)設于(yu)所(suo)述陣列基(ji)板上的(de)多(duo)個(ge)子(zi)隔(ge)(ge)離(li)部(bu)，相(xiang)鄰兩個(ge)所(suo)述子(zi)隔(ge)(ge)離(li)部(bu)之(zhi)間的(de)間隔(ge)(ge)區域(yu)形成所(suo)述凹部(bu)；

4、優選地，所述(shu)隔離部(bu)包括沿與所述(shu)陣(zhen)列(lie)(lie)基(ji)板的厚度方向相(xiang)交的方向間(jian)隔設于(yu)所述(shu)陣(zhen)列(lie)(lie)基(ji)板上的兩(liang)個子隔離部(bu)，相(xiang)鄰兩(liang)個所述(shu)子隔離部(bu)之間(jian)的間(jian)隔區域形成所述(shu)凹(ao)部(bu)。

5、在一(yi)些實(shi)施例中，所述(shu)(shu)子隔離部具有垂直于所述(shu)(shu)陣列基(ji)板的(de)表面(mian)(mian)的(de)第一(yi)截面(mian)(mian)，所述(shu)(shu)第一(yi)截面(mian)(mian)沿所述(shu)(shu)陣列基(ji)板的(de)厚度方向的(de)寬度相等；或者

6、所(suo)述(shu)子隔(ge)離部具有垂直于所(suo)述(shu)陣列基(ji)板的表面的第一截面，所(suo)述(shu)第一截面沿背離所(suo)述(shu)陣列基(ji)板的方向的寬度依次減小；或者

7、所(suo)述(shu)(shu)子隔離部具(ju)有垂(chui)直于所(suo)述(shu)(shu)陣列基板的表面的第(di)一截(jie)面，所(suo)述(shu)(shu)第(di)一截(jie)面沿背離所(suo)述(shu)(shu)陣列基板的方向的寬度依次增大(da)；或(huo)者

8、所(suo)(suo)述(shu)(shu)子隔(ge)(ge)離(li)部包(bao)括沿背離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)陣列(lie)基板(ban)的(de)方向(xiang)依(yi)(yi)次(ci)設置的(de)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)段和(he)第(di)(di)二隔(ge)(ge)離(li)段，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)段具(ju)有垂(chui)直于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)陣列(lie)基板(ban)的(de)表面(mian)的(de)第(di)(di)二截(jie)(jie)(jie)面(mian)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二隔(ge)(ge)離(li)段具(ju)有垂(chui)直于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)陣列(lie)基板(ban)的(de)表面(mian)的(de)第(di)(di)三截(jie)(jie)(jie)面(mian)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二截(jie)(jie)(jie)面(mian)沿所(suo)(suo)述(shu)(shu)陣列(lie)基板(ban)的(de)厚(hou)度(du)(du)方向(xiang)的(de)寬(kuan)度(du)(du)相(xiang)等，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三截(jie)(jie)(jie)面(mian)沿所(suo)(suo)述(shu)(shu)陣列(lie)基板(ban)的(de)厚(hou)度(du)(du)方向(xiang)的(de)寬(kuan)度(du)(du)依(yi)(yi)次(ci)減小，且所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三截(jie)(jie)(jie)面(mian)的(de)寬(kuan)度(du)(du)大(da)于(yu)或等于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二截(jie)(jie)(jie)面(mian)的(de)寬(kuan)度(du)(du)；

9、優選地(di)，多個所述子隔離(li)部的形(xing)狀相(xiang)同、尺寸(cun)相(xiang)等。

10、在(zai)一些實施例中，所(suo)述發(fa)(fa)光(guang)器件(jian)包括沿背離所(suo)述陣列(lie)基(ji)板(ban)的(de)方向(xiang)依(yi)次設于所(suo)述陣列(lie)基(ji)板(ban)上(shang)的(de)第一電(dian)極(ji)、發(fa)(fa)光(guang)層、第二(er)電(dian)極(ji)；所(suo)述隔(ge)離部將相鄰兩個所(suo)述發(fa)(fa)光(guang)器件(jian)的(de)所(suo)述發(fa)(fa)光(guang)層、所(suo)述第二(er)電(dian)極(ji)隔(ge)開；

11、優選地，所(suo)述(shu)(shu)顯示面(mian)(mian)板還包括設于所(suo)述(shu)(shu)陣(zhen)列基(ji)(ji)板上的(de)(de)像(xiang)素(su)限定(ding)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)(shu)像(xiang)素(su)限定(ding)層(ceng)(ceng)(ceng)上設有多個像(xiang)素(su)開口；所(suo)述(shu)(shu)第(di)一電極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)至少部分(fen)區(qu)域(yu)通過所(suo)述(shu)(shu)像(xiang)素(su)開口露出(chu)，所(suo)述(shu)(shu)發光層(ceng)(ceng)(ceng)覆蓋所(suo)述(shu)(shu)第(di)一電極(ji)(ji)(ji)(ji)通過所(suo)述(shu)(shu)像(xiang)素(su)開口露出(chu)的(de)(de)區(qu)域(yu)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)二電極(ji)(ji)(ji)(ji)覆蓋所(suo)述(shu)(shu)發光層(ceng)(ceng)(ceng)背離(li)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一電極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)一側表面(mian)(mian)；所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)部設于所(suo)述(shu)(shu)像(xiang)素(su)限定(ding)層(ceng)(ceng)(ceng)背離(li)所(suo)述(shu)(shu)陣(zhen)列基(ji)(ji)板的(de)(de)一側表面(mian)(mian)；

12、優選(xuan)地，所述(shu)(shu)發光層的(de)一部分覆蓋所述(shu)(shu)第(di)一電極通過所述(shu)(shu)像素開口露出的(de)區域，另一部分覆蓋所述(shu)(shu)像素限定(ding)層的(de)表面。

13、在一(yi)(yi)些(xie)實施例中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發光(guang)層(ceng)包括位(wei)于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)(dian)極背離所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的一(yi)(yi)側(ce)的發光(guang)材料，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)電(dian)(dian)極包括位(wei)于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發光(guang)層(ceng)背離所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的一(yi)(yi)側(ce)的導(dao)電(dian)(dian)材料；所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)隔離部(bu)具(ju)有(you)位(wei)于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)部(bu)外的彼(bi)此(ci)相(xiang)(xiang)對的第(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)和第(di)(di)二(er)(er)側(ce)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發光(guang)材料覆(fu)蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)的表(biao)面(mian)(mian)(mian)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)電(dian)(dian)材料覆(fu)蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)側(ce)的表(biao)面(mian)(mian)(mian)；所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)發光(guang)材料相(xiang)(xiang)對于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的蒸鍍角(jiao)α1，小于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)部(bu)的靠(kao)近(jin)(jin)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)側(ce)的側(ce)壁與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的表(biao)面(mian)(mian)(mian)之(zhi)間的夾角(jiao)α3，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)電(dian)(dian)材料相(xiang)(xiang)對于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的蒸鍍角(jiao)α2，小于(yu)(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)部(bu)的靠(kao)近(jin)(jin)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)側(ce)的側(ce)壁與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)陣(zhen)(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板的表(biao)面(mian)(mian)(mian)之(zhi)間的夾角(jiao)α4；

14、優(you)選(xuan)地，靠(kao)近(jin)所述(shu)(shu)(shu)第一側的(de)所述(shu)(shu)(shu)子隔(ge)離部(bu)沿所述(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)材料(liao)的(de)蒸(zheng)鍍(du)(du)角方向落(luo)在(zai)所述(shu)(shu)(shu)陣列基(ji)板上的(de)投影區域，與(yu)靠(kao)近(jin)所述(shu)(shu)(shu)第二側的(de)所述(shu)(shu)(shu)子隔(ge)離部(bu)及覆蓋(gai)其上的(de)所述(shu)(shu)(shu)發(fa)光(guang)層沿所述(shu)(shu)(shu)導電材料(liao)的(de)蒸(zheng)鍍(du)(du)角方向落(luo)在(zai)所述(shu)(shu)(shu)陣列基(ji)板上的(de)投影區域至少部(bu)分交疊；

15、優選地，所(suo)述凹部(bu)(bu)沿所(suo)述陣列基板的厚度(du)方向的深度(du)為(wei)h，所(suo)述發光層的厚度(du)為(wei)h，所(suo)述凹部(bu)(bu)的寬度(du)d滿足條件：d＜h/tanα1+(h+h)/tanα2。

16、在(zai)一些實施例(li)中，所述子隔離(li)部包括導電(dian)(dian)隔離(li)體(ti)，所述第二(er)電(dian)(dian)極與所述導電(dian)(dian)隔離(li)體(ti)電(dian)(dian)連接；

17、優(you)選地，所(suo)述發光層(ceng)和與之(zhi)相鄰的(de)所(suo)述子隔(ge)(ge)離部之(zhi)間(jian)設有間(jian)隙；所(suo)述第(di)(di)二電極的(de)一(yi)部分覆蓋所(suo)述發光層(ceng)背離所(suo)述第(di)(di)一(yi)電極的(de)一(yi)側表面(mian)，另一(yi)部分填充所(suo)述間(jian)隙并與所(suo)述導電隔(ge)(ge)離體(ti)相接觸。

18、在一些實施例中，所(suo)述(shu)顯示(shi)面板(ban)(ban)還包括設于(yu)所(suo)述(shu)陣列基板(ban)(ban)上的導(dao)電(dian)部(bu)，所(suo)述(shu)第二電(dian)極(ji)與所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)部(bu)電(dian)連接；

19、優選地，所(suo)(suo)述(shu)發(fa)光層(ceng)和與(yu)(yu)之(zhi)相鄰的所(suo)(suo)述(shu)子隔(ge)離部之(zhi)間(jian)設(she)有間(jian)隙；所(suo)(suo)述(shu)像(xiang)素限定(ding)(ding)層(ceng)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)電(dian)部，且所(suo)(suo)述(shu)像(xiang)素限定(ding)(ding)層(ceng)上設(she)有過(guo)孔；所(suo)(suo)述(shu)第二電(dian)極的一(yi)部分覆蓋所(suo)(suo)述(shu)發(fa)光層(ceng)背離所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)電(dian)極的一(yi)側表面，另(ling)一(yi)部分填充所(suo)(suo)述(shu)間(jian)隙，且所(suo)(suo)述(shu)第二電(dian)極依次(ci)通過(guo)所(suo)(suo)述(shu)間(jian)隙、所(suo)(suo)述(shu)過(guo)孔而與(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)(dao)電(dian)部電(dian)連(lian)接。

20、根據本技術的另一個(ge)方(fang)面，提供一種(zhong)顯示面板(ban)的制作(zuo)方(fang)法，包(bao)括以下步驟：

21、提供陣列基板；

22、在所(suo)(suo)述(shu)陣列基板(ban)上形成(cheng)多(duo)個(ge)間隔(ge)(ge)排列的隔(ge)(ge)離(li)(li)部(bu)(bu)，多(duo)個(ge)所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)(ge)離(li)(li)部(bu)(bu)圍設(she)成(cheng)多(duo)個(ge)開口，其(qi)中，至少部(bu)(bu)分所(suo)(suo)述(shu)隔(ge)(ge)離(li)(li)部(bu)(bu)設(she)有朝(chao)向所(suo)(suo)述(shu)陣列基板(ban)凹陷的凹部(bu)(bu)；

23、在所述陣列(lie)基板上(shang)設置多(duo)個發(fa)光器件，多(duo)個所述發(fa)光器件位于對(dui)應的所述開口內；

24、在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)發光(guang)器件背(bei)離(li)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)陣列基板(ban)的一側形成封(feng)裝(zhuang)層，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)封(feng)裝(zhuang)層覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)發光(guang)器件及所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離(li)部(bu)，且所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)封(feng)裝(zhuang)層至(zhi)少部(bu)分(fen)填充所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)凹(ao)部(bu)，以將相(xiang)鄰兩(liang)個所(suo)(suo)訴發光(guang)器件隔開；

25、優選地，所(suo)述(shu)在所(suo)述(shu)陣(zhen)列基板(ban)上設置(zhi)多個發光器件包括：

26、在設(she)置有(you)第(di)一電極(ji)的所述陣(zhen)列基板(ban)的出(chu)光(guang)側設(she)置蒸鍍源，并(bing)向(xiang)所述第(di)一電極(ji)背離所述陣(zhen)列基板(ban)的一側依次蒸鍍發(fa)光(guang)材料和導電材料；

27、其(qi)中，所(suo)述(shu)(shu)(shu)隔離部(bu)具(ju)有位于所(suo)述(shu)(shu)(shu)凹部(bu)外的(de)彼此相(xiang)對的(de)第一(yi)側(ce)和第二側(ce)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)發光材料沿(yan)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)側(ce)向所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二側(ce)并(bing)靠近所(suo)述(shu)(shu)(shu)陣列基板的(de)方(fang)向蒸(zheng)鍍，所(suo)述(shu)(shu)(shu)導電材料沿(yan)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二側(ce)向所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)側(ce)并(bing)靠近所(suo)述(shu)(shu)(shu)陣列基板的(de)方(fang)向蒸(zheng)鍍；

28、優選地，所(suo)(suo)(suo)述發光(guang)材料相對于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述陣列基板的(de)(de)(de)蒸鍍角(jiao)α1，小于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)述凹部(bu)的(de)(de)(de)靠近所(suo)(suo)(suo)述第一側的(de)(de)(de)側壁與所(suo)(suo)(suo)述陣列基板的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)之間的(de)(de)(de)夾角(jiao)α3；

29、所述(shu)(shu)(shu)導電材料(liao)相(xiang)對于所述(shu)(shu)(shu)陣列基(ji)板的(de)蒸(zheng)鍍角(jiao)(jiao)α2，小于所述(shu)(shu)(shu)凹部的(de)靠近所述(shu)(shu)(shu)第(di)二側(ce)的(de)側(ce)壁(bi)與所述(shu)(shu)(shu)陣列基(ji)板的(de)表面之間(jian)的(de)夾角(jiao)(jiao)α4；

30、優選地，靠近所(suo)述(shu)第一側(ce)的(de)所(suo)述(shu)子(zi)隔離部沿所(suo)述(shu)發光(guang)材料的(de)蒸鍍角(jiao)方(fang)向落在(zai)所(suo)述(shu)陣(zhen)列(lie)基板上的(de)投影(ying)區域(yu)，與靠近所(suo)述(shu)第二側(ce)的(de)所(suo)述(shu)子(zi)隔離部及覆蓋其(qi)上的(de)所(suo)述(shu)發光(guang)層沿所(suo)述(shu)導(dao)電材料的(de)蒸鍍角(jiao)方(fang)向落在(zai)所(suo)述(shu)陣(zhen)列(lie)基板上的(de)投影(ying)區域(yu)至少部分(fen)交疊；

31、優選地，所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)部沿(yan)所(suo)(suo)述(shu)陣列(lie)基板(ban)的厚(hou)度方(fang)向的深度為(wei)h，所(suo)(suo)述(shu)發光(guang)層的厚(hou)度為(wei)h，所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)部的寬度d滿足條件d＜h/tanα1+(h+h)/tanα2，以使所(suo)(suo)述(shu)發光(guang)材料和所(suo)(suo)述(shu)導電材料在(zai)所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)部斷開。

32、在一些實施例中，所述顯示面板具有發光(guang)顏色不同的(de)第(di)一像素區和第(di)二像素區；

33、所(suo)述在(zai)所(suo)述發光器件背離(li)所(suo)述陣列基板的(de)一側(ce)形成封裝(zhuang)層(ceng)包括：

34、在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)發(fa)光器件背離所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)陣(zhen)列(lie)基板的(de)一側蒸鍍封裝材(cai)料，其中所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)封裝材(cai)料覆(fu)蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一像(xiang)(xiang)素區、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二像(xiang)(xiang)素區和所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第一像(xiang)(xiang)素區與所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二像(xiang)(xiang)素區之間的(de)區域(yu)；

35、刻蝕去除所(suo)述第(di)二像(xiang)素(su)(su)區(qu)(qu)的封裝(zhuang)材料，并保留所(suo)述第(di)一(yi)像(xiang)素(su)(su)區(qu)(qu)、所(suo)述第(di)一(yi)像(xiang)素(su)(su)區(qu)(qu)與所(suo)述第(di)二像(xiang)素(su)(su)區(qu)(qu)之(zhi)間的區(qu)(qu)域(yu)的封裝(zhuang)材料；

36、刻蝕去(qu)除所(suo)述第二(er)像素(su)區的(de)所(suo)述導電材(cai)料、所(suo)述發光材(cai)料。

37、根據(ju)本技術的另一(yi)個方(fang)面，提供(gong)一(yi)種顯示(shi)裝(zhuang)置，包括(kuo)如前述(shu)的顯示(shi)面板。

38、本技術(shu)提供的(de)顯示(shi)面板(ban)，通(tong)過(guo)隔離結構(gou)的(de)隔離部(bu)將多個(ge)發光(guang)器件(jian)隔開(kai)(kai)，并(bing)在(zai)隔離部(bu)設(she)置朝向陣列(lie)基板(ban)凹(ao)陷的(de)凹(ao)部(bu)，使得在(zai)顯示(shi)面板(ban)的(de)制(zhi)作(zuo)過(guo)程(cheng)(cheng)中，沿預設(she)蒸(zheng)鍍角(jiao)進(jin)行蒸(zheng)鍍，利用隔離結構(gou)的(de)遮擋(dang)，能夠避免蒸(zheng)鍍材(cai)料(liao)(liao)進(jin)入(ru)凹(ao)部(bu)或者(zhe)使蒸(zheng)鍍材(cai)料(liao)(liao)僅部(bu)分進(jin)入(ru)凹(ao)部(bu)但(dan)不填(tian)滿(man)凹(ao)部(bu)，以(yi)使蒸(zheng)鍍材(cai)料(liao)(liao)在(zai)凹(ao)部(bu)斷(duan)開(kai)(kai)。并(bing)進(jin)一步在(zai)斷(duan)開(kai)(kai)處(chu)填(tian)充封(feng)裝層(ceng)，基于此，在(zai)刻(ke)蝕(shi)過(guo)程(cheng)(cheng)中，刻(ke)蝕(shi)液在(zai)斷(duan)開(kai)(kai)處(chu)被封(feng)裝層(ceng)阻擋(dang)而(er)停止侵蝕(shi)，從(cong)而(er)有效地保(bao)護需要保(bao)留(liu)的(de)蒸(zheng)鍍材(cai)料(liao)(liao)，防止在(zai)先制(zhi)作(zuo)完成的(de)發光(guang)器件(jian)受損。